JPH10125996A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH10125996A JPH10125996A JP8279441A JP27944196A JPH10125996A JP H10125996 A JPH10125996 A JP H10125996A JP 8279441 A JP8279441 A JP 8279441A JP 27944196 A JP27944196 A JP 27944196A JP H10125996 A JPH10125996 A JP H10125996A
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Abstract
ができるとともに、半導体レーザの光学部品に対する位
置決めを高精度でしかも容易に行なうことができる半導
体レーザ装置を提供するものである。 【解決手段】半導体レーザ11aが設けられる本体部2
1aと、この本体部21aに一体的に形成されたフラン
ジ部21bとを有するヒートシンク21を備えるととも
に、このヒートシンク21の本体部21aが挿通される
挿通孔20aと、半導体レーザ11aに接続される配線
パターン25とが形成された基板20を備え、基板20
の挿通孔20aに、ヒートシンク21の本体部21aを
挿通し、フランジ部21bを基板20に取着するように
構成している。
Description
状の記録媒体に対して光学的に情報の記録または再生を
行なうための光ヘッド装置等に使用される半導体レーザ
装置に係り、特にその駆動時の発熱による温度上昇を抑
制するための放熱構造の改良に関する。
を搭載した光学式ディスクドライブ装置として、現在で
は、例えばCD(Compact Disk)プレーヤ、CD−RO
M(Read Only Memory)プレーヤ、LD(Laser Disk)
プレーヤ及びDVD(DiditalVideo Disk)プレーヤ等
が、主流となっている。
ブ装置に使用される光ヘッド装置11の光学系の詳細を
示している。すなわち、この光ヘッド装置11は、回転
駆動される光ディスク12の信号記録面に対向して設置
されており、光源として半導体レーザ11aを備えてい
る。
には、半導体レーザ11aから照射されたレーザ光が、
回折格子11b,光軸分離用の光学素子11c,立ち上
げミラー11d,収差補正用の光学素子11e及び対物
レンズ11fを介して、光ディスク12の信号記録面上
に集光されることにより、光ディスク12に対して情報
の記録が行なわれる。
には、上記のようにして光ディスク12の信号記録面上
に照射され反射されたレーザ光が、対物レンズ11f,
光学素子11e,ミラー11d及び光学素子11cを介
して信号検出器11gに受光され、電気的信号に変換さ
れることにより、光ディスク12に記録された情報の再
生が行なわれる。
検出器11gは、図12に示すように、例えば銅等のよ
うな熱伝導性の高い材料で構成されたヒートシンク13
に接合されている。また、このヒートシンク13には、
半導体レーザ11aから照射されるレーザ光を検出する
ための光検出器11hも接合されている。
されたステム14の中央部に接合されている。また、上
記半導体レーザ11a,信号検出器11g及び光検出器
11hは、ステム14の周縁部にガラスハーメされた複
数のピン15,15,……にワイヤーボンディングされ
ており、この複数のピン15,15,……を介して外部
との電気的接続が行なえるようになされている。
号検出器11g,光検出器11h,ヒートシンク13,
ステム14及び複数のピン15,15,……が、IOU
(Integrated Optical Unit )と称される、放熱構造を
有する半導体レーザユニット17として一体化され、図
示しないヘッド筐体内に組み込まれることになる。
対する放熱構造では、複数のピン15,15,……をス
テム14に対して絶縁して設置する必要がある。そし
て、この複数のピン15,15,……とステム14とを
絶縁するために、従来では、図13に示すように、ピン
15をガラス16によってステム14から浮かせるよう
に構成している。
熱手段では、ヒートシンク13とステム14とを同じ材
料で形成した場合、ガラス16との熱膨張率の違いによ
り、変形等の不都合が生じるという問題がある。また、
上記半導体レーザ11aの発熱に対して、ヒートシンク
13とステム14との間に熱抵抗が発生するため、良好
な熱伝導が得られず放熱が妨げられるという問題も生じ
ている。
レーザユニット17をヘッド筐体内に組み込む際に、同
じヘッド筐体内に支持される回折格子11b,光学素子
11c,ミラー11d,光学素子11e及び対物レンズ
11f等の各種の光学部品に対して、光軸を一致させる
ための位置決め調整を行なう必要があり、組み立て作業
性が悪いという不都合もある。
4に示すように、上記半導体レーザ11a,信号検出器
11g及び光検出器11h7をセラミックパッケージ1
8に取り付け、このセラミックパッケージ18をヘッド
筐体に取着する構成のものもある。
場合にも、セラミックパッケージ18をヘッド筐体内に
組み込む際に、同じヘッド筐体内に支持された各種の光
学部品に対して位置決め調整を行なう必要があり、組み
立て作業性が悪くなるという上記した不都合が生じるこ
とになる。
レーザに対する従来の放熱手段では、ヒートシンクとス
テムとが別部材であるため、接合部の熱抵抗により放熱
が妨げられるとともに、製造工程において細かな位置決
め作業が必要で、組み立て作業性が悪いという問題を有
している。
ので、効率的で高い放熱効果を得ることができるととも
に、半導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度
でしかも容易に行なうことができる極めて良好な半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。
ーザ装置は、半導体レーザが設けられる本体部とこの本
体部に一体的に形成されたフランジ部とを有するヒート
シンクを備えるとともに、このヒートシンクの本体部が
挿通される挿通孔と半導体レーザに接続される配線パタ
ーンとが形成された基板を備え、基板の挿通孔に、ヒー
トシンクの本体部を挿通し、フランジ部を基板に取着す
るように構成している。
のフランジ部が完全に露出した状態となるので、例えば
ヘッド筐体内等に設置した際に、フランジ部を開放した
り、または、例えば図示しない冷却素子や放熱部材を接
触させたりすることにより、効率的で高い放熱効果を得
ることができるようになる。
は、上記の構成において、ヒートシンクに筐体への取付
部を設け、この取付部を半導体レーザの発光点を中心に
回動可能となるように、筐体に支持させるようにしてい
る。このため、半導体レーザは、ヘッド筐体内に支持さ
れる各種の光学部品に対して、その光軸を一致させるた
めの位置決めが高精度でしかも容易に行なわれるように
なる。
態について図面を参照して詳細に説明する。すなわち、
図1は、半導体レーザユニット19を示している。この
半導体レーザユニット19は、セラミック基板20の表
面となる図中上面に、前述した半導体レーザ11a,信
号検出器11g及び光検出器11hがそれぞれ接合され
た、ヒートシンク21を突設している。
は、半導体レーザ11a(例えばレーザダイオード等で
なる)を駆動するための発振用IC(Integrated Circu
it)22や、信号検出器11g及び光検出器11h(い
ずれも例えばフォトダイオード等でなる)から得られる
電気的信号を、電流/電圧変換するためのI/V変換増
幅用IC23及びチップコンデンサ24等の各種電子部
品が搭載されている。
は、ヒートシンク21に接合された半導体レーザ11
a,信号検出器11g及び光検出器11h等の各種の電
子素子や、発振用IC22,I/V変換増幅用IC23
及びチップコンデンサ24等の各種の電子部品に対し
て、それらの相互間の電気的接続を行なうための配線パ
ターン25が形成されている。
とヒートシンク21との取り付けを示している。すなわ
ち、ヒートシンク21は、上記半導体レーザ11a,信
号検出器11g及び光検出器11h等がそれぞれ接合さ
れる本体部21aと、この本体部21aの図中下部に一
体的に形成されるフランジ部21bとを備えた構造とな
っている。
略中央部に、ヒートシンク21の本体部21aが挿通さ
れる挿通孔20aが形成されている。そして、ヒートシ
ンク21の本体部21aを、セラミック基板20の裏面
となる図中下面側から、つまり、発振用IC22,I/
V変換増幅用IC23,チップコンデンサ24及び配線
パターン25等が設けられていない面側から、挿通孔2
0aに挿通させる。
1bを、セラミック基板20の裏面にろう付けして固定
する。これにより、ヒートシンク21は、図1に示した
ように、その本体部21aがセラミック基板20の表面
側に突出されるようにして、セラミック基板20に取着
されることになる。このとき、セラミット基板20上の
配線と、ヒートシンク21とは、特別な位置決めや処理
を供なうことなく、絶縁されている。
設置される、半導体レーザ11a,信号検出器11g,
光検出器11h,発振用IC22,I/V変換増幅用I
C23及びチップコンデンサ24等の各種の電子素子や
電子部品は、窒素雰囲気中に図示しない金属円筒によっ
て一体的に封止される構成とすることによって、シール
ド効果を得られるようになされている。
よれば、ヒートシンク21のフランジ部21bの底面が
完全に露出しているので、半導体レーザユニット19を
図示しないヘッド筐体内に設置した際に、フランジ部2
1bの底面を開放したり、または、例えば図示しない冷
却素子や放熱部材を接触させたりすることにより、効率
的で高い放熱効果を得ることができるようになる。
トシンク21を介して、半導体レーザ11a,信号検出
器11g及び光検出器11h等の各種の電子素子を設置
するとともに、発振用IC22,I/V変換増幅用IC
23及びチップコンデンサ24等の各種の電子部品を、
それぞれ設置するようにしている。
動する発振用IC22とが近接して設置されるので、発
振用IC22が伝送経路による高周波損失なく半導体レ
ーザ11aを駆動することができる。また、信号検出器
11g及び光検出器11hとI/V変換増幅用IC23
とも近接して設置されるので、やはり伝送経路による信
号損失を低減することができる。
態を示すもので、第1の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記セラミック基
板20には、その裏面に沿って取付用フランジ部21c
が設置されている。この取付用フランジ部21cは、そ
の両端部が、セラミック基板20の長手方向の両端部か
らはみだすような長さに設定されている。
図4に示すように、ヒートシンク21のフランジ部21
bの底面に一体的に形成されているものである。また、
この取付用フランジ部21cの長手方向の両端部には、
後述するヘッド筐体への取り付けに利用される、位置決
め用の透孔21c1,21c2がそれぞれ形成されてい
る。
1の本体部21aをセラミック基板20の挿通孔20a
に挿通し、フランジ部21bをセラミック基板20にろ
う付けして、ヒートシンク21をセラミック基板20に
取着することによって、図5に示されるように、取付用
フランジ部21cがセラミック基板20と一体化される
ことになる。
ット19は、図6に示すように、ヘッド筐体に取り付け
られている。すなわち、ヘッド筐体には、上記取付用フ
ランジ部21cの長手方向の両端部に対応する位置に、
台座部26a,26bがそれぞれ形成されている。これ
ら台座部26a,26bには、位置決め用のピン26a
1,26b1がそれぞれ突設されている。
端部に形成された透孔21c1,21c2に、台座部2
6a,26bのピン26a1,26b1をそれぞれ挿通
させた状態で、取付用フランジ部21cの両端部を台座
部26a,26bに接着またはねじ27a,27bによ
り螺着することによって、半導体レーザユニット19が
ヘッド筐体内に取り付けられるようになる。
よれば、半導体レーザユニット19をヘッド筐体内に設
置した際に、第1の実施の形態と同様に、取付用フラン
ジ部21cの底面を開放したり、または、例えば図示し
ない冷却素子や放熱部材を接触させたりすることによっ
て、効率的で高い放熱効果を得ることができるようにな
る。
取付用フランジ部21cの透孔21c1,21c2に、
台座部26a,26bのピン26a1,26b1をそれ
ぞれ挿通させることによって、同じヘッド筐体内に支持
される各種の光学部品に対して、光軸を一致させるため
の位置決めが行なわれるので、半導体レーザユニット1
9の位置決めが高精度でしかも容易に行なわれることに
なる。
態を示すもので、第2の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記取付用フラン
ジ部21cの底面には、半導体レーザ11aの発光点に
対応する仮想中心点O1が設定される。
ット19がヘッド筐体内に取り付けられた状態で、同じ
ヘッド筐体内に支持された図示しない各種の光学部品の
光軸に対応した仮想中心点O2と一致されるように設定
されている。そして、取付用フランジ部21cの長手方
向の一方の端面は、仮想中心点O1から半径R1の円弧
状に形成されている。
円弧状に形成された端面をガイドするガイド部28aが
形成されている。さらに、取付用フランジ部21cの長
手方向の他方の端面は、仮想中心点O1から半径R2の
円弧状に形成されている。そして、ヘッド筐体内には、
この半径R2の円弧状に形成された端面をガイドするガ
イド部28bが形成されている。
は、ヘッド筐体内に取り付けられる際に、取付用フラン
ジ部21cの長手方向の両端面がそれぞれガイド部28
a,28bによって、仮想中心点O1を中心に回動する
ようにガイドされるので、半導体レーザ11aの光学部
品に対する位置を決めるための微調整を行なうことがで
きるようになる。
第4の実施の形態を示すもので、第1の実施の形態と同
一部分には同一符号を付して示している。すなわち、ヒ
ートシンク21のフランジ部21bの底面で、半導体レ
ーザ11aの発光点に対応する部分に、略円筒形状の凹
部21dを形成している。
いる。この取付板29は、その両端部がヘッド筐体に支
持されることにより固定されている。そして、この取付
板29の略中央部には、ヒートシンク21の凹部21d
に遊挿される略円柱形状の突部29aが形成されてい
る。
板29の突部29aに、ヒートシンク21の凹部21d
を遊挿させることにより、半導体レーザユニット19が
取付板29の平面に沿って回動される。これにより、半
導体レーザ11aの、ヘッド筐体内に支持された各種の
光学部品に対する位置を決めるための微調整を行なうこ
とができるようになる。
部上である、半導体レーザ11aが出射するレーザ光の
光軸延長線上のヒートシンク21の一部に、凹部21d
による回動基準部を設けるようにしたので、同じ形状精
度で図7のように周縁部に回動基準を設ける場合に比し
て、部材の形状精度による軸ずれを緩和することがで
き、回動の精度を手軽に向上させることができる。ま
た、回動基準の構造を小形化することもできる。
態を示している。すなわち、セラミック基板30には、
ヒートシンク31が取り付けられている。このヒートシ
ンク31は、前記半導体レーザ11a等の電子素子が接
合される本体部31aと、この本体部31aの一方面か
ら突出して、セラミック基板30の中央部に形成された
透孔30aを挿通する脚部31bとを備えた構造となっ
ている。
部31bがセラミック基板30の透孔30aを挿通した
状態で、その本体部31aがセラミック基板32にろう
付けされて固定されている。また、ヒートシンク31の
脚部31bの中央部には、略円柱形状の突部31cが形
成されている。
筐体である。このヘッド筐体32には、その一端部に、
ヒートシンク31の脚部31bに対向する台座32aが
形成されており、この台座32aの略中央部には、ヒー
トシンク31の突部31cが遊挿される挿通孔32bが
形成されている。
ヘッド筐体32の挿通孔32bに挿通させ、ヒートシン
ク31の脚部31bをヘッド筐体32の台座32aに接
触させた状態で、セラミック基板30に対して、脚部3
1bを台座32aに圧接させる付勢力が、板ばね33に
よって与えられている。
ンク31の脚部31bが、板ばね33によってヘッド筐
体32の台座32aに圧接されるため、脚部31bと台
座32aとの間の熱抵抗が低くなり、効率的で高い放熱
効果を得ることができる。また、突部31cを中心とし
てヒートシンク31を回転させることにより、半導体レ
ーザ11aのヘッド筐体32内における位置調整を行な
うことができるが、圧接されているので位置を決めた後
にぐらついてずれることがない。
形態を示している。すなわち、セラミック基板34に
は、その透孔34aに裏面側からヒートシンク35の本
体部35aが挿通され、フランジ部35bがろう付けさ
れている。なお、セラミック基板34の表面側に突出し
たヒートシンク35の本体部35aは、セラミック基板
34に取着されたケース34bによって覆われ、図示し
ない金属円筒により窒素封止されている。
部35bの底面は、冷却素子であるペルチェ素子36の
一方のプレート36aに接触されている。また、このペ
ルチェ素子36の他方のプレート36bは、ヘッド筐体
37に形成された台座37aに接触されている。
円柱形状の突部36cが形成され、台座37aには、突
部36cが遊挿される挿通孔37bが形成されている。
このプレート36bの突部36cを台座37aの挿通孔
37bに挿通させた状態で、プレート36bが台座37
aに圧接されるように、セラミック基板34に付勢力が
与えられている。
素子36に一定電流を流すことにより、ヒートシンク3
5からヘッド筐体37への熱伝達が良好に行なえるよう
になるので、効率的で高い放熱効果を得ることができ
る。また、突部36cを中心としてヒートシンク35を
回転させることにより、半導体レーザ11aのヘッド筐
体37内における位置調整を行なうことができる。な
お、この発明は上記した各実施の形態に限定されるもの
ではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
効率的で高い放熱効果を得ることができるとともに、半
導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度でしか
も容易に行なうことができる極めて良好な半導体レーザ
装置を提供することができる。
の形態を示す斜視図。
ットを示す分解斜視図。
ットを示す分解斜視図。
面図。
手段を示す分解斜視図。
図。
図。
す斜視図。
図。
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体レーザが設けられる本体部とこの
本体部に一体的に形成されたフランジ部とを有するヒー
トシンクを備えるとともに、このヒートシンクの本体部
が挿通される挿通孔と前記半導体レーザに接続される配
線パターンとが形成された基板を備え、前記基板の挿通
孔に、前記ヒートシンクの本体部を挿通し、前記フラン
ジ部を前記基板に取着するように構成してなることを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記ヒートシンクには、筐体に支持され
る取付用フランジ部が設けられることを特徴とする請求
項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 前記取付用フランジ部は、前記半導体レ
ーザの発光点を中心に回動可能となるように、前記筐体
に支持されることを特徴とする請求項2記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項4】 前記ヒートシンクは、筐体に固定された
取付板に対して、前記半導体レーザの発光点を中心に回
動可能となるように支持されることを特徴とする請求項
1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項5】 前記ヒートシンクと前記取付板とは、一
方に凹部が形成され他方に突部が形成され、該凹部と突
部とを遊嵌させて回動させる構成であることを特徴とす
る請求項4記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項6】 前記ヒートシンクには、前記筐体に圧接
される脚部が設けられることを特徴とする請求項1記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項7】 前記フランジ部と筐体との間には、冷却
素子が介在されることを特徴とする請求項1記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項8】 前記基板の一方の面には、前記半導体レ
ーザの駆動用回路が取り付けられ、前記配線パターンを
介して前記半導体レーザに接続されることを特徴とする
請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項9】 前記半導体レーザが出射するレーザ光の
光軸延長線上の前記ヒートシンクの一部に回動基準部を
設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27944196A JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27944196A JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10125996A true JPH10125996A (ja) | 1998-05-15 |
JP3798483B2 JP3798483B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=17611119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27944196A Expired - Fee Related JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3798483B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109244041A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 日本特殊陶业株式会社 | 发光元件搭载用封装 |
JP2019016783A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
JP2019016722A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
US20220181525A1 (en) * | 2020-12-09 | 2022-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Header for semiconductor package, and semiconductor package |
-
1996
- 1996-10-22 JP JP27944196A patent/JP3798483B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109244041A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 日本特殊陶业株式会社 | 发光元件搭载用封装 |
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US20220181525A1 (en) * | 2020-12-09 | 2022-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Header for semiconductor package, and semiconductor package |
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JP3798483B2 (ja) | 2006-07-19 |
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