JPH10114600A - 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法 - Google Patents
発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法Info
- Publication number
- JPH10114600A JPH10114600A JP12237897A JP12237897A JPH10114600A JP H10114600 A JPH10114600 A JP H10114600A JP 12237897 A JP12237897 A JP 12237897A JP 12237897 A JP12237897 A JP 12237897A JP H10114600 A JPH10114600 A JP H10114600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- epitaxial layer
- substrate
- gaas substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 136
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 34
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 29
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 12
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 12
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 11
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 241000566146 Asio Species 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000002424 x-ray crystallography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/113—Nitrides of boron or aluminum or gallium
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色発光輝度のより高い発光素子が提供す
る。 【解決手段】 この発光素子では、ＧａＡｓ基板（８）
の上に窒化ガリウム化合物（９）を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板（８）の少なくとも一部を除去することにより発
光素子を形成する。これにより、ＧａＡｓ基板（８）が
除去された分だけ、ＧａＡｓ基板（８）が全体に形成さ
れている場合に比べて光の吸収量が低減され、それによ
り、青色発光輝度の高い発光素子が得られる。
る。 【解決手段】 この発光素子では、ＧａＡｓ基板（８）
の上に窒化ガリウム化合物（９）を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板（８）の少なくとも一部を除去することにより発
光素子を形成する。これにより、ＧａＡｓ基板（８）が
除去された分だけ、ＧａＡｓ基板（８）が全体に形成さ
れている場合に比べて光の吸収量が低減され、それによ
り、青色発光輝度の高い発光素子が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光素子および
発光素子用ウエハならびにその製造方法に関し、より特
定的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を使用した
青色および青緑色を呈する、発光素子および発光素子用
ウエハならびにその製造方法に関する。
発光素子用ウエハならびにその製造方法に関し、より特
定的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を使用した
青色および青緑色を呈する、発光素子および発光素子用
ウエハならびにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮ系の発光素子が注目を集め
ている。その中でも特にサファイア基板を用いた発光素
子が工業化されつつある。しかしながら、サファイア基
板は絶縁性の基板であるので、基板下部に金属電極を形
成することは困難である。そのため、サファイア基板上
部の窒化物混晶をエッチングにより引き出して、金属電
極を形成しなければならないなど、製造工程の複雑化と
コスト高を引き起こしていた。
ている。その中でも特にサファイア基板を用いた発光素
子が工業化されつつある。しかしながら、サファイア基
板は絶縁性の基板であるので、基板下部に金属電極を形
成することは困難である。そのため、サファイア基板上
部の窒化物混晶をエッチングにより引き出して、金属電
極を形成しなければならないなど、製造工程の複雑化と
コスト高を引き起こしていた。
【０００３】また、サファイア基板は劈開性がないの
で、レーザダイオードへの応用を考えると、劈開面から
なる反射鏡を形成することができないという欠点を有す
る。そこで、このような欠点を有するサファイア基板に
代えて、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板を使用した発光
素子が従来提案されている。これらは、たとえば、特開
平８−１８１０７０号公報に開示されている。
で、レーザダイオードへの応用を考えると、劈開面から
なる反射鏡を形成することができないという欠点を有す
る。そこで、このような欠点を有するサファイア基板に
代えて、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板を使用した発光
素子が従来提案されている。これらは、たとえば、特開
平８−１８１０７０号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＧａＡｓ基板を用いた発光素子では、青色に相当す
る短波長の光に対し光の吸収が大きい。このため、Ｇａ
Ａｓ基板を通過する光が吸収され、その結果、発光素子
としての全体の発光輝度が低下するという問題があっ
た。一般に、発光素子の発光輝度を決定する要因の１つ
として、発光素子の光取出し口から、空気中に光を取出
した場合の光の取出し効率がある。この光取出し効率
は、結晶内の光反射に基づく要因と光の結晶中への吸収
による要因とによって決まる。ところが、ＧａＡｓ基板
を用いた場合、後者の要因である光吸収係数（ｃｍ-1）
が、１．４８ｅＶ以上のエネルギの光に対して１０，０
００以上の値となり、通常のサファイア基板の１００倍
以上の値となる。このため、ＧａＡｓ基板を用いた場
合、サファイア基板を用いた場合に比べて大きな吸収を
示すという不都合が生じる。
うなＧａＡｓ基板を用いた発光素子では、青色に相当す
る短波長の光に対し光の吸収が大きい。このため、Ｇａ
Ａｓ基板を通過する光が吸収され、その結果、発光素子
としての全体の発光輝度が低下するという問題があっ
た。一般に、発光素子の発光輝度を決定する要因の１つ
として、発光素子の光取出し口から、空気中に光を取出
した場合の光の取出し効率がある。この光取出し効率
は、結晶内の光反射に基づく要因と光の結晶中への吸収
による要因とによって決まる。ところが、ＧａＡｓ基板
を用いた場合、後者の要因である光吸収係数（ｃｍ-1）
が、１．４８ｅＶ以上のエネルギの光に対して１０，０
００以上の値となり、通常のサファイア基板の１００倍
以上の値となる。このため、ＧａＡｓ基板を用いた場
合、サファイア基板を用いた場合に比べて大きな吸収を
示すという不都合が生じる。
【０００５】この発明の１つの目的は、より発光輝度の
高い発光素子および発光素子用ウエハを提供することで
ある。
高い発光素子および発光素子用ウエハを提供することで
ある。
【０００６】この発明のもう１つの目的は、発光素子用
ウエハの製造方法において、より発光輝度の高い発光素
子用ウエハを容易に製造することである。
ウエハの製造方法において、より発光輝度の高い発光素
子用ウエハを容易に製造することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の一の局面によ
る発光素子用ウエハの製造方法では、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）基板上に窒化ガリウム化合物を形成する。そし
て、その窒化ガリウム化合物を形成した後、上記ガリウ
ム砒素基板の少なくとも一部を除去する。このように、
ガリウム砒素基板の少なくとも一部を除去することによ
って、ガリウム砒素基板を全体に形成した場合に比べ
て、ガリウム砒素基板によって吸収される光の量が減少
される。その結果、より発光輝度の高い発光素子用ウエ
ハを容易に製造することが可能となる。
る発光素子用ウエハの製造方法では、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）基板上に窒化ガリウム化合物を形成する。そし
て、その窒化ガリウム化合物を形成した後、上記ガリウ
ム砒素基板の少なくとも一部を除去する。このように、
ガリウム砒素基板の少なくとも一部を除去することによ
って、ガリウム砒素基板を全体に形成した場合に比べ
て、ガリウム砒素基板によって吸収される光の量が減少
される。その結果、より発光輝度の高い発光素子用ウエ
ハを容易に製造することが可能となる。
【０００８】上記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッフ
ァ層とＧａＮエピタキシャル層とを含み、上記ＧａＡｓ
基板のすべてが除去されるようにしてもよい。この場
合、上記ＧａＮバッファ層と上記ＧａＮエピタキシャル
層との合計の膜厚は７０μｍ以上４００μｍ以下にする
のが好ましく、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャ
ル層とはＧａＮ基板を構成する。
ァ層とＧａＮエピタキシャル層とを含み、上記ＧａＡｓ
基板のすべてが除去されるようにしてもよい。この場
合、上記ＧａＮバッファ層と上記ＧａＮエピタキシャル
層との合計の膜厚は７０μｍ以上４００μｍ以下にする
のが好ましく、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャ
ル層とはＧａＮ基板を構成する。
【０００９】上記のガリウム砒素基板の除去は、機械加
工除去手段、塩素（Ｃｌ2 ）ガスを用いたリアクティブ
イオンエッチングによる除去手段、アンモニアと過酸化
水素とを用いたウエットエッチングによる除去手段、お
よび、高温の塩化水素（ＨＣｌ）ガスの雰囲気中での分
解除去手段のうち少なくとも１つの手段を用いて行なう
ように構成してもよい。また、上記の窒化ガリウム化合
物は、窒化ガリウム（ＧａＮ）バッファ層と、第１のＧ
ａＮエピタキシャル層と、第１のアルミニウムガリウム
窒素（ＡｌＧａＮ）エピタキシャル層と、インジウムガ
リウム窒素（ＩｎＧａＮ）を含む発光層と、第２のアル
ミニウムガリウム窒素（ＡｌＧａＮ）エピタキシャル層
と、第２のＧａＮエピタキシャル層とを含んでいてもよ
い。この場合の窒化ガリウム化合物は、７０μｍ以上２
００μｍ以下の膜厚を有し、ガリウム砒素基板のすべて
が除去されるようにしてもよい。また、窒化ガリウム化
合物を１μｍ以上７０μｍ以下の膜厚を有するように構
成するとともに、ガリウム砒素基板の一部を除去するよ
うにしてもよい。
工除去手段、塩素（Ｃｌ2 ）ガスを用いたリアクティブ
イオンエッチングによる除去手段、アンモニアと過酸化
水素とを用いたウエットエッチングによる除去手段、お
よび、高温の塩化水素（ＨＣｌ）ガスの雰囲気中での分
解除去手段のうち少なくとも１つの手段を用いて行なう
ように構成してもよい。また、上記の窒化ガリウム化合
物は、窒化ガリウム（ＧａＮ）バッファ層と、第１のＧ
ａＮエピタキシャル層と、第１のアルミニウムガリウム
窒素（ＡｌＧａＮ）エピタキシャル層と、インジウムガ
リウム窒素（ＩｎＧａＮ）を含む発光層と、第２のアル
ミニウムガリウム窒素（ＡｌＧａＮ）エピタキシャル層
と、第２のＧａＮエピタキシャル層とを含んでいてもよ
い。この場合の窒化ガリウム化合物は、７０μｍ以上２
００μｍ以下の膜厚を有し、ガリウム砒素基板のすべて
が除去されるようにしてもよい。また、窒化ガリウム化
合物を１μｍ以上７０μｍ以下の膜厚を有するように構
成するとともに、ガリウム砒素基板の一部を除去するよ
うにしてもよい。
【００１０】上記窒化ガリウム化合物を形成する工程
を、ＧａＡｓ基板上に絶縁膜からなるストライプパター
ンを形成する工程と、その後、ＧａＡｓ基板およびスト
ライプパターン上にＧａＮおよびＡｌＮのいずれかから
なるバッファ層を形成する工程と、そのバッファ層上に
ＧａＮエピタキシャル層を形成する工程とを含むように
構成するとともに、上記ＧａＡｓ基板の少なくとも一部
を除去する工程をＧａＡｓ基板のすべてを除去する工程
を含むように構成してもよい。このように、絶縁膜から
なるストライプパターンを用いることによって、形成さ
れるバッファ層およびＧａＮエピタキシャル成長層の結
晶性を向上させることができる。なお、上記絶縁膜は、
二酸化シリコンおよび窒化シリコンのうちのいずれかで
あるのが好ましい。また、上記絶縁膜は、３μｍ以上２
０μｍ以下の幅と、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の
厚みとを有するのが好ましい。
を、ＧａＡｓ基板上に絶縁膜からなるストライプパター
ンを形成する工程と、その後、ＧａＡｓ基板およびスト
ライプパターン上にＧａＮおよびＡｌＮのいずれかから
なるバッファ層を形成する工程と、そのバッファ層上に
ＧａＮエピタキシャル層を形成する工程とを含むように
構成するとともに、上記ＧａＡｓ基板の少なくとも一部
を除去する工程をＧａＡｓ基板のすべてを除去する工程
を含むように構成してもよい。このように、絶縁膜から
なるストライプパターンを用いることによって、形成さ
れるバッファ層およびＧａＮエピタキシャル成長層の結
晶性を向上させることができる。なお、上記絶縁膜は、
二酸化シリコンおよび窒化シリコンのうちのいずれかで
あるのが好ましい。また、上記絶縁膜は、３μｍ以上２
０μｍ以下の幅と、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の
厚みとを有するのが好ましい。
【００１１】この発明の他の局面による発光素子用ウエ
ハは、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とを
含むＧａＮ基板を備えている。そして、上記ＧａＮバッ
ファ層と上記ＧａＮエピタキシャル層との合計の膜厚
は、７０μｍ以上４００μｍ以下である。このようにこ
の他の局面による発光素子用ウエハでは、ＧａＮバッフ
ァ層とＧａＮエピタキシャル層とを含むＧａＮ基板を設
けることによって、このＧａＮ基板をさまざまな用途に
使用可能である。たとえば、レーザダイオード用の基板
としても有効である。この場合、ＧａＮバッファ層の下
に別種の基板が存在しないため、レーザのチップ端面で
の劈開による反射面を非常に平滑化でき、その結果、レ
ーザ特性を向上させることが可能となる。
ハは、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とを
含むＧａＮ基板を備えている。そして、上記ＧａＮバッ
ファ層と上記ＧａＮエピタキシャル層との合計の膜厚
は、７０μｍ以上４００μｍ以下である。このようにこ
の他の局面による発光素子用ウエハでは、ＧａＮバッフ
ァ層とＧａＮエピタキシャル層とを含むＧａＮ基板を設
けることによって、このＧａＮ基板をさまざまな用途に
使用可能である。たとえば、レーザダイオード用の基板
としても有効である。この場合、ＧａＮバッファ層の下
に別種の基板が存在しないため、レーザのチップ端面で
の劈開による反射面を非常に平滑化でき、その結果、レ
ーザ特性を向上させることが可能となる。
【００１２】この発明のさらに他の局面による発光素子
は、ガリウム砒素基板と、窒化ガリウム化合物とを備え
ている。ガリウム砒素基板は主表面を有している。窒化
ガリウム化合物は、ガリウム砒素基板の主表面上に形成
されており、青色および青緑色の発光層を含んでいる。
この窒化ガリウム化合物は、窒化ガリウムバッファ層
と、第１のＧａＮエピタキシャル層と、第１のアルミニ
ウムガリウム窒素エピタキシャル層と、インジウムガリ
ウム窒素を含む発光層と、第２のアルミニウムガリウム
窒素エピタキシャル層と、第２のＧａＮエピタキシャル
層とを含んでいる。また、ガリウム砒素基板の一部が除
去されて上記窒化ガリウム化合物の表面が露出されてい
る。このようにこのさらに他の局面による発光素子で
は、ガリウム砒素基板の一部を除去することにより窒化
ガリウム化合物の表面を露出することによって、ガリウ
ム砒素基板が全体に形成されている場合に比べて、青色
に相当する短波長の光の吸収量が減少し、これにより、
より発光輝度の高い発光素子を得ることが可能となる。
この場合の発光素子の窒化ガリウム化合物の厚みは、１
μｍ以上７０μｍ以下に設定するのが好ましい。
は、ガリウム砒素基板と、窒化ガリウム化合物とを備え
ている。ガリウム砒素基板は主表面を有している。窒化
ガリウム化合物は、ガリウム砒素基板の主表面上に形成
されており、青色および青緑色の発光層を含んでいる。
この窒化ガリウム化合物は、窒化ガリウムバッファ層
と、第１のＧａＮエピタキシャル層と、第１のアルミニ
ウムガリウム窒素エピタキシャル層と、インジウムガリ
ウム窒素を含む発光層と、第２のアルミニウムガリウム
窒素エピタキシャル層と、第２のＧａＮエピタキシャル
層とを含んでいる。また、ガリウム砒素基板の一部が除
去されて上記窒化ガリウム化合物の表面が露出されてい
る。このようにこのさらに他の局面による発光素子で
は、ガリウム砒素基板の一部を除去することにより窒化
ガリウム化合物の表面を露出することによって、ガリウ
ム砒素基板が全体に形成されている場合に比べて、青色
に相当する短波長の光の吸収量が減少し、これにより、
より発光輝度の高い発光素子を得ることが可能となる。
この場合の発光素子の窒化ガリウム化合物の厚みは、１
μｍ以上７０μｍ以下に設定するのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１４】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態による発光素子を示した概略図であり、図
１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の底
面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、
本発明の第１の実施の形態では、ＧａＡｓ基板８の一方
の表面上に、窒化ガリウム化合物である窒化物混晶９が
形成されており、ＧａＡｓ基板８の他方の表面上には金
属電極７ｂが形成されている。また、窒化物混晶９の上
部表面上には金属電極７ａが形成されている。
の実施の形態による発光素子を示した概略図であり、図
１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の底
面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、
本発明の第１の実施の形態では、ＧａＡｓ基板８の一方
の表面上に、窒化ガリウム化合物である窒化物混晶９が
形成されており、ＧａＡｓ基板８の他方の表面上には金
属電極７ｂが形成されている。また、窒化物混晶９の上
部表面上には金属電極７ａが形成されている。
【００１５】窒化物混晶９は、ＧａＮバッファ層１と、
ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２と、ｎ型ＡｌＧａＮエピ
タキシャル層３と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型ＡｌＧ
ａＮエピタキシャル層５と、ｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６との６つの層を含んでいる。なお、窒化物混晶９
は、ＩｎＧａＮ発光層４の両面が、クラッド層としての
ＡｌＧａＮエピタキシャル層３および５によって挟み込
まれたダブルヘテロ構造を有している。また、ｎ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層６
とはエッチング工程における保護膜としての機能を有し
ている。これは、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２とｐ型
ＧａＮエピタキシャル層６とが、クラッド層としてのｎ
型ＡｌＧａＮエピタキシャル層３およびｐ型ＡｌＧａＮ
エピタキシャル層５と比較すると、耐食性に優れている
からである。
ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２と、ｎ型ＡｌＧａＮエピ
タキシャル層３と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型ＡｌＧ
ａＮエピタキシャル層５と、ｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６との６つの層を含んでいる。なお、窒化物混晶９
は、ＩｎＧａＮ発光層４の両面が、クラッド層としての
ＡｌＧａＮエピタキシャル層３および５によって挟み込
まれたダブルヘテロ構造を有している。また、ｎ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層６
とはエッチング工程における保護膜としての機能を有し
ている。これは、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２とｐ型
ＧａＮエピタキシャル層６とが、クラッド層としてのｎ
型ＡｌＧａＮエピタキシャル層３およびｐ型ＡｌＧａＮ
エピタキシャル層５と比較すると、耐食性に優れている
からである。
【００１６】ここで、この第１の実施の形態では、Ｇａ
Ａｓ基板８の一部が除去されており、その除去された部
分でＧａＮバッファ層１の表面が露出されている。な
お、金属電極７ｂはＧａＡｓ基板の除去されていない部
分１０の表面に形成されている。 このように、この第
１の実施の形態では、ＧａＡｓ基板８の一部を除去する
ことによって、従来のＧａＡｓ基板８が全面に形成され
ていた発光素子に比べて、ＧａＡｓ基板８によって吸収
される光の量が少なくなり、その結果、従来に比べてよ
り発光輝度の高い発光素子を提供することができる。
Ａｓ基板８の一部が除去されており、その除去された部
分でＧａＮバッファ層１の表面が露出されている。な
お、金属電極７ｂはＧａＡｓ基板の除去されていない部
分１０の表面に形成されている。 このように、この第
１の実施の形態では、ＧａＡｓ基板８の一部を除去する
ことによって、従来のＧａＡｓ基板８が全面に形成され
ていた発光素子に比べて、ＧａＡｓ基板８によって吸収
される光の量が少なくなり、その結果、従来に比べてよ
り発光輝度の高い発光素子を提供することができる。
【００１７】なお、この第１の実施の形態における窒化
物混晶９の膜厚は、１μｍ以上７０μｍ以下に設定す
る。このように窒化物混晶９を比較的薄く形成するの
は、ＧａＡｓ基板８の残余している部分１０により強度
を保持することができるからである。このため、この第
１の実施の形態では、コスト的に安価な比較的薄い窒化
物混晶９を用いた発光素子を提供することができる。な
お、ＧａＡｓ基板８の残余している部分１０は、なるべ
く面積が小さくかつ発光部に障害にならないように形成
する必要がある。
物混晶９の膜厚は、１μｍ以上７０μｍ以下に設定す
る。このように窒化物混晶９を比較的薄く形成するの
は、ＧａＡｓ基板８の残余している部分１０により強度
を保持することができるからである。このため、この第
１の実施の形態では、コスト的に安価な比較的薄い窒化
物混晶９を用いた発光素子を提供することができる。な
お、ＧａＡｓ基板８の残余している部分１０は、なるべ
く面積が小さくかつ発光部に障害にならないように形成
する必要がある。
【００１８】窒化物混晶９中のＧａＮエピタキシャル層
２および６以外の各層は、０．１〜０．２μｍと薄い厚
みを有する。したがって、実際には、窒化物混晶９の厚
みは、ＧａＮエピタキシャル層２および６の合計の厚み
とほぼ同じである。したがって、窒化物混晶９の厚みを
大きくするためには、ＧａＮエピタキシャル層２および
６の厚みを大きくすることが考えられる。また、ＩｎＧ
ａＮ発光層４を挟むクラッド層となるｎ型ＡｌＧａＮエ
ピタキシャル層３とｐ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層５
との厚みを大きくすることも強度を増加させる上で有効
となる場合がある。
２および６以外の各層は、０．１〜０．２μｍと薄い厚
みを有する。したがって、実際には、窒化物混晶９の厚
みは、ＧａＮエピタキシャル層２および６の合計の厚み
とほぼ同じである。したがって、窒化物混晶９の厚みを
大きくするためには、ＧａＮエピタキシャル層２および
６の厚みを大きくすることが考えられる。また、ＩｎＧ
ａＮ発光層４を挟むクラッド層となるｎ型ＡｌＧａＮエ
ピタキシャル層３とｐ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層５
との厚みを大きくすることも強度を増加させる上で有効
となる場合がある。
【００１９】次に、図２および図６を参照して、図１
（ａ）および図１（ｂ）に示した第１の実施の形態によ
る発光素子に用いるエピタキシャル半導体ウエハの製造
プロセスについて説明する。まず、図６を参照して、有
機金属クロライド気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＰＥ
法）を用いたエピタキシャルウエハの製造に用いられる
気相成長装置について説明する。この装置は、第１のガ
ス導入口５１と第２のガス導入口５２と排気口５３とを
有する反応チャンバ５４と、この反応チャンバ５４の外
部から反応チャンバ５４全体を加熱するための抵抗加熱
ヒータ５５とから構成される。このような装置を用いて
図２に示すようなエピタキシャルウエハの作製を行な
う。具体的には、まず、石英からなる反応チャンバ５４
内に塩化水素（ＨＣｌ）系のエッチング液により前処理
されたＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を設置する。Ｇａ
Ａｓ（１１１）Ａ面基板とは、ＧａＡｓ（１１１）面で
のＧａ面を有する基板のことを意味する。
（ａ）および図１（ｂ）に示した第１の実施の形態によ
る発光素子に用いるエピタキシャル半導体ウエハの製造
プロセスについて説明する。まず、図６を参照して、有
機金属クロライド気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＰＥ
法）を用いたエピタキシャルウエハの製造に用いられる
気相成長装置について説明する。この装置は、第１のガ
ス導入口５１と第２のガス導入口５２と排気口５３とを
有する反応チャンバ５４と、この反応チャンバ５４の外
部から反応チャンバ５４全体を加熱するための抵抗加熱
ヒータ５５とから構成される。このような装置を用いて
図２に示すようなエピタキシャルウエハの作製を行な
う。具体的には、まず、石英からなる反応チャンバ５４
内に塩化水素（ＨＣｌ）系のエッチング液により前処理
されたＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を設置する。Ｇａ
Ａｓ（１１１）Ａ面基板とは、ＧａＡｓ（１１１）面で
のＧａ面を有する基板のことを意味する。
【００２０】次に、抵抗加熱ヒータ５５により反応チャ
ンバ５４全体を外部から加熱して基板８を５００℃に保
持した状態にする。この状態で、第１のガス導入口５１
から、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）および塩化水素（ＨＣｌ）をそれぞれ、分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。その一
方、第２のガス導入口５２からＶ族原料としてアンモニ
アガス（ＮＨ3 ）を分圧５．６×１０-1ａｔｍで導入す
る。このような条件下で、１５分間エピタキシャル成長
をさせることによって、３０ｎｍの厚みを有するＧａＮ
バッファ層１をＧａＡｓ基板８上に形成する。
ンバ５４全体を外部から加熱して基板８を５００℃に保
持した状態にする。この状態で、第１のガス導入口５１
から、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）および塩化水素（ＨＣｌ）をそれぞれ、分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。その一
方、第２のガス導入口５２からＶ族原料としてアンモニ
アガス（ＮＨ3 ）を分圧５．６×１０-1ａｔｍで導入す
る。このような条件下で、１５分間エピタキシャル成長
をさせることによって、３０ｎｍの厚みを有するＧａＮ
バッファ層１をＧａＡｓ基板８上に形成する。
【００２１】この後、ＧａＮバッファ層１が形成された
ＧａＡｓ基板８を抵抗加熱ヒータ５５によって加熱する
ことにより、８５０℃まで上昇させる。この後、ＴＭ
Ｇ、ＨＣｌおよびＮＨ3 の分圧をそれぞれ、８×１０-4
ａｔｍ、８×１０-4ａｔｍ、および、１．６×１０-1ａ
ｔｍに設定し、その条件下で、１００分間エピタキシャ
ル成長させる。これにより、ＧａＮバッファ層１上に六
方晶のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２を形成する。
ＧａＡｓ基板８を抵抗加熱ヒータ５５によって加熱する
ことにより、８５０℃まで上昇させる。この後、ＴＭ
Ｇ、ＨＣｌおよびＮＨ3 の分圧をそれぞれ、８×１０-4
ａｔｍ、８×１０-4ａｔｍ、および、１．６×１０-1ａ
ｔｍに設定し、その条件下で、１００分間エピタキシャ
ル成長させる。これにより、ＧａＮバッファ層１上に六
方晶のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２を形成する。
【００２２】次に、ＧａＡｓ基板８の温度を抵抗加熱ヒ
ータ５５を用いて８００〜８５０℃の温度に維持しなが
ら、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＨＣ
ｌおよびＮＨ3 を、ＴＭＧとＴＭＡとの分圧が等しくな
る条件下で導入して、１０分間エピタキシャル成長させ
る。それにより、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピ
タキシャル層３が形成される。
ータ５５を用いて８００〜８５０℃の温度に維持しなが
ら、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＨＣ
ｌおよびＮＨ3 を、ＴＭＧとＴＭＡとの分圧が等しくな
る条件下で導入して、１０分間エピタキシャル成長させ
る。それにより、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピ
タキシャル層３が形成される。
【００２３】次に、このＧａＡｓ基板８の温度を抵抗加
熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の範囲に降温
する。この後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 を、ＴＭＩの分圧がＴＭＧの分圧の２０倍となる条件
下で導入して、１０分間エピタキシャル成長させる。そ
れにより、Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎからなる発光層４が形成
される。
熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の範囲に降温
する。この後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 を、ＴＭＩの分圧がＴＭＧの分圧の２０倍となる条件
下で導入して、１０分間エピタキシャル成長させる。そ
れにより、Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎからなる発光層４が形成
される。
【００２４】次に、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエ
ピタキシャル層３を形成した条件に戻し、同様にｐ型Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピタキシャル層５を形成す
る。このエピタキシャル層３および５は、発光層４を挟
むクラッド層となる。
ピタキシャル層３を形成した条件に戻し、同様にｐ型Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピタキシャル層５を形成す
る。このエピタキシャル層３および５は、発光層４を挟
むクラッド層となる。
【００２５】ｐ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層５上に、
上記のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２の形成条件と同じ
形成条件下で、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６を成長す
る。なお、ＧａＮ層に導入するドーパントとしては、ｎ
型ではシリコン（Ｓｉ）または硫黄（Ｓ）を、ｐ型につ
いてはマグネシウム（Ｍｇ）を用いる。また、ＩｎＧａ
Ｎ発光層４は元々ｎ型を示している。この時点でエピタ
キシャル成長は完了し、一旦基板を炉から取出す。そし
て、ＧａＡｓ基板８の上記エピタキシャル成長層が形成
される側とは反対側の表面を、グラインダによって研削
する。この研削によって、６００μｍの厚みを有するＧ
ａＡｓ基板８を約１００μｍの厚みに減少させる。
上記のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２の形成条件と同じ
形成条件下で、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６を成長す
る。なお、ＧａＮ層に導入するドーパントとしては、ｎ
型ではシリコン（Ｓｉ）または硫黄（Ｓ）を、ｐ型につ
いてはマグネシウム（Ｍｇ）を用いる。また、ＩｎＧａ
Ｎ発光層４は元々ｎ型を示している。この時点でエピタ
キシャル成長は完了し、一旦基板を炉から取出す。そし
て、ＧａＡｓ基板８の上記エピタキシャル成長層が形成
される側とは反対側の表面を、グラインダによって研削
する。この研削によって、６００μｍの厚みを有するＧ
ａＡｓ基板８を約１００μｍの厚みに減少させる。
【００２６】この後、上面および下面に３００ｎｍの厚
みを有するＳｉＯ2 膜をプラズマ化学気相成長法（プラ
ズマＣＶＤ法）により形成する。そして、そのＳｉＯ2
膜を写真製版（フォトリソグラフィ）技術を用いてパタ
ーニングする。このパターニングされたＳｉＯ2 膜はマ
スキングのために用いる。
みを有するＳｉＯ2 膜をプラズマ化学気相成長法（プラ
ズマＣＶＤ法）により形成する。そして、そのＳｉＯ2
膜を写真製版（フォトリソグラフィ）技術を用いてパタ
ーニングする。このパターニングされたＳｉＯ2 膜はマ
スキングのために用いる。
【００２７】具体的には、リアクティブエッチング装置
（図示せず）を用いてＳｉＯ2 膜によってマスキングさ
れていない部分のＧａＡｓ基板８を除去する。ここで、
リアクティブエッチング装置では、一般に、高周波電源
に接続された平面電極と、この平面電極に対向する対向
電極とが設置されている。このリアクティブエッチング
装置は、反応性ガスを導入するガス導入系と、エッチン
グチャンバ内の圧力を一定に保つための排気系とを備え
ている。エッチングを行なう場合には、高周波電力が印
加される平面電極上にウエハを配置して、平面電極と対
向電極との間にプラズマを発生させる。反応性ガスのイ
オンが電極間の垂直な電界に沿ってウエハ表面上に垂直
に入射し、その垂直方向にウエハ表面のエッチングが進
行する。
（図示せず）を用いてＳｉＯ2 膜によってマスキングさ
れていない部分のＧａＡｓ基板８を除去する。ここで、
リアクティブエッチング装置では、一般に、高周波電源
に接続された平面電極と、この平面電極に対向する対向
電極とが設置されている。このリアクティブエッチング
装置は、反応性ガスを導入するガス導入系と、エッチン
グチャンバ内の圧力を一定に保つための排気系とを備え
ている。エッチングを行なう場合には、高周波電力が印
加される平面電極上にウエハを配置して、平面電極と対
向電極との間にプラズマを発生させる。反応性ガスのイ
オンが電極間の垂直な電界に沿ってウエハ表面上に垂直
に入射し、その垂直方向にウエハ表面のエッチングが進
行する。
【００２８】この場合の反応性ガスとしてＣｌ2 ガスを
流す。この場合全圧を１．３×１０ -3ａｔｍ、プラズマ
を発生させるための高周波電力（周波数が１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を１５０Ｗに設定し、ＧａＡｓ基板８をエッチン
グする。
流す。この場合全圧を１．３×１０ -3ａｔｍ、プラズマ
を発生させるための高周波電力（周波数が１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を１５０Ｗに設定し、ＧａＡｓ基板８をエッチン
グする。
【００２９】このようにしてＳｉＯ2 膜をマスクとして
リアクティブイオンエッチング装置を用いてＧａＡｓ基
板８の一部を除去する。この後、ＳｉＯ2 膜を除去し、
ＧａＡｓ基板８のＳｉＯ2 膜を除去した部分の表面にオ
ーミック性の金属電極７ｂを蒸着する。これと同時に、
ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６の表面にも金属電極７ａ
を蒸着する。このようにして、図１（ａ）および図１
（ｂ）に示した第１の実施の形態によるダブルヘテロ型
の発光素子を製造する。
リアクティブイオンエッチング装置を用いてＧａＡｓ基
板８の一部を除去する。この後、ＳｉＯ2 膜を除去し、
ＧａＡｓ基板８のＳｉＯ2 膜を除去した部分の表面にオ
ーミック性の金属電極７ｂを蒸着する。これと同時に、
ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６の表面にも金属電極７ａ
を蒸着する。このようにして、図１（ａ）および図１
（ｂ）に示した第１の実施の形態によるダブルヘテロ型
の発光素子を製造する。
【００３０】（第２の実施の形態）図２および図３を参
照して、第２の実施の形態について説明する。まず、こ
の第２の実施の形態の発光素子の構造としては、図１
（ａ）に示した第１の実施の形態の発光素子と異なり、
図３に示すように、ＧａＡｓ基板８が完全に除去されて
いる。具体的には、窒化物混晶９の裏面には直接金属電
極７ｂが形成されており、窒化物混晶９の上面の所定部
分にも金属電極７ａが形成されている。
照して、第２の実施の形態について説明する。まず、こ
の第２の実施の形態の発光素子の構造としては、図１
（ａ）に示した第１の実施の形態の発光素子と異なり、
図３に示すように、ＧａＡｓ基板８が完全に除去されて
いる。具体的には、窒化物混晶９の裏面には直接金属電
極７ｂが形成されており、窒化物混晶９の上面の所定部
分にも金属電極７ａが形成されている。
【００３１】この実施の形態２による発光素子におい
て、窒化物混晶９は、図１（ａ）に示した第１の実施の
形態の構造と同様、ＧａＮバッファ層１と、ｎ型ＧａＮ
エピタキシャル層２と、ｎ型ＡｌＧａＮエピタキシャル
層３と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型ＡｌＧａＮエピタ
キシャル層５と、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６との６
つの層を含んでいる。ただし、この図３に示した実施の
形態２の発光素子では、第１の実施の形態と異なり、Ｇ
ａＡｓ基板８が完全に除去されているので、窒化物混晶
９の強度を増加させる必要がある。このため、この第２
の実施の形態では、窒化物混晶９の膜厚を７０μｍ以上
２００μｍ以下に設定するのが好ましい。７０μｍ未満
であると強度的にも弱くまた、２００μｍより大きいと
コスト的にも高くなり過ぎるからである。
て、窒化物混晶９は、図１（ａ）に示した第１の実施の
形態の構造と同様、ＧａＮバッファ層１と、ｎ型ＧａＮ
エピタキシャル層２と、ｎ型ＡｌＧａＮエピタキシャル
層３と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型ＡｌＧａＮエピタ
キシャル層５と、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層６との６
つの層を含んでいる。ただし、この図３に示した実施の
形態２の発光素子では、第１の実施の形態と異なり、Ｇ
ａＡｓ基板８が完全に除去されているので、窒化物混晶
９の強度を増加させる必要がある。このため、この第２
の実施の形態では、窒化物混晶９の膜厚を７０μｍ以上
２００μｍ以下に設定するのが好ましい。７０μｍ未満
であると強度的にも弱くまた、２００μｍより大きいと
コスト的にも高くなり過ぎるからである。
【００３２】なお、ＧａＮエピタキシャル層２および６
以外の窒化物混晶９の各層は、０．１〜０．２μｍと非
常に薄い。したがって、実際には、窒化物混晶９の厚み
は、ＧａＮエピタキシャル層２および６の合計の厚みと
ほぼ同じになる。したがって、窒化物混晶９の厚みを増
加させるためには、ＧａＮエピタキシャル層２および６
の厚みを増加させるのは有効である。また、ＩｎＧａＮ
発光層４を両側から挟み込むクラッド層となるｎ型Ａｌ
ＧａＮエピタキシャル層３とｐ型ＡｌＧａＮエピタキシ
ャル層５との厚みを大きくすることも強度を増加させる
上で有効となる場合もある。
以外の窒化物混晶９の各層は、０．１〜０．２μｍと非
常に薄い。したがって、実際には、窒化物混晶９の厚み
は、ＧａＮエピタキシャル層２および６の合計の厚みと
ほぼ同じになる。したがって、窒化物混晶９の厚みを増
加させるためには、ＧａＮエピタキシャル層２および６
の厚みを増加させるのは有効である。また、ＩｎＧａＮ
発光層４を両側から挟み込むクラッド層となるｎ型Ａｌ
ＧａＮエピタキシャル層３とｐ型ＡｌＧａＮエピタキシ
ャル層５との厚みを大きくすることも強度を増加させる
上で有効となる場合もある。
【００３３】図３に示した第２の実施の形態による発光
素子では、ＧａＡｓ基板８を完全に除去することによっ
て、ＧａＡｓによる発光時の光吸収を防止することがで
きる。その結果、第１の実施の形態の発光素子に比べ
て、より発光輝度の高い発光素子を提供することができ
る。
素子では、ＧａＡｓ基板８を完全に除去することによっ
て、ＧａＡｓによる発光時の光吸収を防止することがで
きる。その結果、第１の実施の形態の発光素子に比べ
て、より発光輝度の高い発光素子を提供することができ
る。
【００３４】図３に示した第２の実施の形態による発光
素子の製造プロセスを以下に説明する。上述した第１の
実施の形態の製造プロセスと同様に、図２に示すよう
に、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上にＧａＮバッファ
層１を形成する。このＧａＮバッファ層１の厚みは、１
μｍ以下と非常に薄い。したがって、このＧａＮバッフ
ァ層１は窒化物混晶９の厚みにはあまり寄与しない。次
に、ＧａＮバッファ層１が形成されたＧａＡｓ基板８の
温度を抵抗加熱ヒータ５５によって８５０℃まで加熱す
る。この後、ＴＭＧ、ＨＣｌおよびＮＨ3 の分圧を、そ
れぞれ、８×１０ -4ａｔｍ、８×１０-4ａｔｍおよび
１．６×１０-1ａｔｍに設定し、その条件下で、エピタ
キシャル成長させる。これにより、厚さ約４０μｍの六
方晶のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２が形成される。
素子の製造プロセスを以下に説明する。上述した第１の
実施の形態の製造プロセスと同様に、図２に示すよう
に、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上にＧａＮバッファ
層１を形成する。このＧａＮバッファ層１の厚みは、１
μｍ以下と非常に薄い。したがって、このＧａＮバッフ
ァ層１は窒化物混晶９の厚みにはあまり寄与しない。次
に、ＧａＮバッファ層１が形成されたＧａＡｓ基板８の
温度を抵抗加熱ヒータ５５によって８５０℃まで加熱す
る。この後、ＴＭＧ、ＨＣｌおよびＮＨ3 の分圧を、そ
れぞれ、８×１０ -4ａｔｍ、８×１０-4ａｔｍおよび
１．６×１０-1ａｔｍに設定し、その条件下で、エピタ
キシャル成長させる。これにより、厚さ約４０μｍの六
方晶のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２が形成される。
【００３５】次に、ＧａＡｓ基板８の温度を抵抗加熱ヒ
ータ５５によって８００〜８５０℃の温度にする。そし
て、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＨＣ
ｌ、およびＮＨ3 を、ＴＭＧとＴＭＡとの分圧が等しく
なる条件下で導入する。この状態で１０分間エピタキシ
ャル成長させる。その結果、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎか
らなるエピタキシャル層３が形成される。
ータ５５によって８００〜８５０℃の温度にする。そし
て、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＨＣ
ｌ、およびＮＨ3 を、ＴＭＧとＴＭＡとの分圧が等しく
なる条件下で導入する。この状態で１０分間エピタキシ
ャル成長させる。その結果、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎか
らなるエピタキシャル層３が形成される。
【００３６】次に、このＧａＡｓ基板８の温度を抵抗加
熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の範囲に降温
する。この後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 を、ＴＭＩの分圧がＴＭＧの分圧の２０倍となる条件
下で導入し、１０分間エピタキシャル成長させる。それ
により、Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎからなる発光層４が形成さ
れる。
熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の範囲に降温
する。この後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 を、ＴＭＩの分圧がＴＭＧの分圧の２０倍となる条件
下で導入し、１０分間エピタキシャル成長させる。それ
により、Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎからなる発光層４が形成さ
れる。
【００３７】この後、ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなる
エピタキシャル層３を形成した条件に戻して、同様にｐ
型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピタキシャル層５を形
成する。このｎ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層３とｐ型
ＡｌＧａＮエピタキシャル層５とは発光層４を挟むクラ
ッド層として機能する。
エピタキシャル層３を形成した条件に戻して、同様にｐ
型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるエピタキシャル層５を形
成する。このｎ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層３とｐ型
ＡｌＧａＮエピタキシャル層５とは発光層４を挟むクラ
ッド層として機能する。
【００３８】ｐ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層５上に、
上記のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２と同様の成長条件
を用いてｐ型ＧａＮエピタキシャル層６を成長させる。
この段階でエピタキシャル成長は完了し、一旦、ＧａＡ
ｓ基板８を炉から取出す。そして、ＧａＡｓ基板８のエ
ピタキシャル層が形成される側とは反対側をグラインダ
によって研削する。この研削によって、６００μｍのＧ
ａＡｓ基板８の厚みを約１００μｍの厚みに減少させ
る。
上記のｎ型ＧａＮエピタキシャル層２と同様の成長条件
を用いてｐ型ＧａＮエピタキシャル層６を成長させる。
この段階でエピタキシャル成長は完了し、一旦、ＧａＡ
ｓ基板８を炉から取出す。そして、ＧａＡｓ基板８のエ
ピタキシャル層が形成される側とは反対側をグラインダ
によって研削する。この研削によって、６００μｍのＧ
ａＡｓ基板８の厚みを約１００μｍの厚みに減少させ
る。
【００３９】その後、ＧａＡｓ基板８をエッチング専用
炉にセットする。そのエッチング専用炉では、水素ガス
をキャリアガスとして、常圧で、基板温度を８００℃と
し、塩化水素１０ｓｃｃｍを流す。これにより、ＧａＡ
ｓ基板８をプラズマなしの熱分解によるエッチングによ
ってすべて除去する。なお、１０ｓｃｃｍとは、０℃１
気圧で１分間に１０ｃｃの流量を意味する。
炉にセットする。そのエッチング専用炉では、水素ガス
をキャリアガスとして、常圧で、基板温度を８００℃と
し、塩化水素１０ｓｃｃｍを流す。これにより、ＧａＡ
ｓ基板８をプラズマなしの熱分解によるエッチングによ
ってすべて除去する。なお、１０ｓｃｃｍとは、０℃１
気圧で１分間に１０ｃｃの流量を意味する。
【００４０】上記のようにして、ＧａＡｓ基板８がエッ
チング除去され、その結果窒化物混晶９のみからなるエ
ピタキシャルウエハが形成される。なお、上記のように
ＧａＡｓ基板８を除去する際に、グラインダを用いて予
めＧａＡｓ基板８の厚みを約１００μｍに減少させた後
にエッチングを行なうことにより、エッチング時間を短
縮することが可能となる。これにより、エッチングによ
り窒化物混晶９が受ける損傷を減少させることができ
る。
チング除去され、その結果窒化物混晶９のみからなるエ
ピタキシャルウエハが形成される。なお、上記のように
ＧａＡｓ基板８を除去する際に、グラインダを用いて予
めＧａＡｓ基板８の厚みを約１００μｍに減少させた後
にエッチングを行なうことにより、エッチング時間を短
縮することが可能となる。これにより、エッチングによ
り窒化物混晶９が受ける損傷を減少させることができ
る。
【００４１】この後、窒化物混晶９の上面と下面とに、
オーミック性の金属電極７を蒸着した後、エピタキシャ
ルウエハを発光素子の大きさに切断する。これにより、
図３に示されるような、ＡｌＧａＮエピタキシャル層３
および５をクラッド層とする第２の実施の形態によるダ
ブルヘテロ型の発光素子を製造することができる。な
お、図３に示した窒化物混晶９の全体の厚みは２００μ
ｍ程度に形成する。これにより、強度的にも安定した発
光素子を提供することができる。
オーミック性の金属電極７を蒸着した後、エピタキシャ
ルウエハを発光素子の大きさに切断する。これにより、
図３に示されるような、ＡｌＧａＮエピタキシャル層３
および５をクラッド層とする第２の実施の形態によるダ
ブルヘテロ型の発光素子を製造することができる。な
お、図３に示した窒化物混晶９の全体の厚みは２００μ
ｍ程度に形成する。これにより、強度的にも安定した発
光素子を提供することができる。
【００４２】なお、ＧａＡｓ基板８の除去方法として、
以下のようなリアクティブイオンエッチングを用いた方
法も考えられる。具体的には、図２に示した状態の発光
素子用ウエハを形成した後、そのウエハをリアクティブ
イオンエッチング装置にセットする。リアクティブエッ
チング装置では、反応性ガスとしてＣｌ2 ガスを流し、
全圧を１．３×１０-3ａｔｍ、プラズマを発生させるた
めの高周波電力を１３．５６ＭＨｚで１５０Ｗに設定し
て、ＧａＡｓ基板８をエッチングする。その後、図３に
示すように、ＧａＡｓ基板の上面と下面に、オーミック
性の金属電極７ａおよび７ｂをそれぞれ蒸着する。そし
て、エピタキシャルウエハを発光素子の大きさに切断す
ることによって、ダブルヘテロ型の発光素子を形成す
る。
以下のようなリアクティブイオンエッチングを用いた方
法も考えられる。具体的には、図２に示した状態の発光
素子用ウエハを形成した後、そのウエハをリアクティブ
イオンエッチング装置にセットする。リアクティブエッ
チング装置では、反応性ガスとしてＣｌ2 ガスを流し、
全圧を１．３×１０-3ａｔｍ、プラズマを発生させるた
めの高周波電力を１３．５６ＭＨｚで１５０Ｗに設定し
て、ＧａＡｓ基板８をエッチングする。その後、図３に
示すように、ＧａＡｓ基板の上面と下面に、オーミック
性の金属電極７ａおよび７ｂをそれぞれ蒸着する。そし
て、エピタキシャルウエハを発光素子の大きさに切断す
ることによって、ダブルヘテロ型の発光素子を形成す
る。
【００４３】なお、リアクティブイオンエッチングの条
件は、Ｃｌ2 とＨ2 との混合ガスでも同様の効果を得る
ことができる。この場合のガスの全圧は１．３×１０-4
ａｔｍ、プラズマを発生させるための高周波電力は１
３．５６ＭＨｚで５０〜３００Ｗで効果的にエッチング
を行なうことができる。
件は、Ｃｌ2 とＨ2 との混合ガスでも同様の効果を得る
ことができる。この場合のガスの全圧は１．３×１０-4
ａｔｍ、プラズマを発生させるための高周波電力は１
３．５６ＭＨｚで５０〜３００Ｗで効果的にエッチング
を行なうことができる。
【００４４】（第３の実施の形態）以下、図４および図
５を用いて第３の実施の形態について説明する。まず、
図５を参照して、この第３の実施の形態の発光素子で
は、上述した第１および第２の実施の形態とは異なり、
窒化物混晶９を、ＧａＮバッファ層１と、ｎ型ＧａＮエ
ピタキシャル層２と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層６との４つの層によって構成する。
そして、そのような窒化物混晶９の上面と下面とにそれ
ぞれ金属電極７ａおよび７ｂを形成する。この第３の実
施の形態の発光素子においても、後述する製造プロセス
においてＧａＡｓ基板８が完全に除去されるので、Ｇａ
Ａｓ基板８によって光が吸収されることがない。このた
め、図１（ａ）に示した第１の実施の形態の発光素子に
比べて、より発光輝度の高い発光素子を提供することが
できる。なお、この第３の実施の形態における窒化物混
晶９の厚みは７０μｍ程度に設定する。
５を用いて第３の実施の形態について説明する。まず、
図５を参照して、この第３の実施の形態の発光素子で
は、上述した第１および第２の実施の形態とは異なり、
窒化物混晶９を、ＧａＮバッファ層１と、ｎ型ＧａＮエ
ピタキシャル層２と、ＩｎＧａＮ発光層４と、ｐ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層６との４つの層によって構成する。
そして、そのような窒化物混晶９の上面と下面とにそれ
ぞれ金属電極７ａおよび７ｂを形成する。この第３の実
施の形態の発光素子においても、後述する製造プロセス
においてＧａＡｓ基板８が完全に除去されるので、Ｇａ
Ａｓ基板８によって光が吸収されることがない。このた
め、図１（ａ）に示した第１の実施の形態の発光素子に
比べて、より発光輝度の高い発光素子を提供することが
できる。なお、この第３の実施の形態における窒化物混
晶９の厚みは７０μｍ程度に設定する。
【００４５】以下に、図４および図５を用いて第３の実
施の形態の発光素子の製造プロセスについて説明する。
施の形態の発光素子の製造プロセスについて説明する。
【００４６】まず、第１の実施の形態の製造プロセスに
おいて説明した図６に示す気相成長装置を用いて、図４
に示すようなエピタキシャルウエハの形成を行なう。具
体的には、図６に示すように、石英からなる反応チャン
バ５４内に塩化水素（ＨＣｌ）系のエッチング液で前処
理されたＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を設置する。
おいて説明した図６に示す気相成長装置を用いて、図４
に示すようなエピタキシャルウエハの形成を行なう。具
体的には、図６に示すように、石英からなる反応チャン
バ５４内に塩化水素（ＨＣｌ）系のエッチング液で前処
理されたＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を設置する。
【００４７】次に、抵抗加熱ヒータ５５によって外部か
ら反応チャンバ５４の全体を加熱してＧａＡｓ基板８を
５００℃に保持する。この状態で、第１のガス導入口５
１から、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）および塩化水素（ＨＣｌ）とをそれぞれ分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。その一
方、第２のガス導入口５２からＶ族原料としてアンモニ
アガス（ＮＨ3 ）を分圧５．６×１０-1ａｔｍで導入す
る。このような条件下で１５分間エピタキシャル成長さ
せる。これにより、３０ｎｍの膜厚を有するＧａＮバッ
ファ層１をＧａＡｓ基板８の表面上に形成する。
ら反応チャンバ５４の全体を加熱してＧａＡｓ基板８を
５００℃に保持する。この状態で、第１のガス導入口５
１から、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）および塩化水素（ＨＣｌ）とをそれぞれ分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。その一
方、第２のガス導入口５２からＶ族原料としてアンモニ
アガス（ＮＨ3 ）を分圧５．６×１０-1ａｔｍで導入す
る。このような条件下で１５分間エピタキシャル成長さ
せる。これにより、３０ｎｍの膜厚を有するＧａＮバッ
ファ層１をＧａＡｓ基板８の表面上に形成する。
【００４８】次に、ＧａＮバッファ層１が形成されたＧ
ａＡｓ基板８の温度を抵抗加熱ヒータ５５によって８５
０℃まで加熱する。この後、ＴＭＧ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 の分圧を、それぞれ、８×１０-4ａｔｍ、８×１０-4
ａｔｍおよび１．６×１０-1ａｔｍに設定し、その条件
下で、１００分間エピタキシャル成長させる。これによ
り、５μｍの厚みを有する六方晶のｎ型ＧａＮエピタキ
シャル層２を成長させる。
ａＡｓ基板８の温度を抵抗加熱ヒータ５５によって８５
０℃まで加熱する。この後、ＴＭＧ、ＨＣｌおよびＮＨ
3 の分圧を、それぞれ、８×１０-4ａｔｍ、８×１０-4
ａｔｍおよび１．６×１０-1ａｔｍに設定し、その条件
下で、１００分間エピタキシャル成長させる。これによ
り、５μｍの厚みを有する六方晶のｎ型ＧａＮエピタキ
シャル層２を成長させる。
【００４９】次に、ＧａＮバッファ層１およびｎ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層２が形成されたＧａＡｓ基板８の温
度を抵抗加熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の
範囲に降温する。この後、ＴＭＧ、トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩ）、ＨＣｌおよびＮＨ3 を、ＴＭＩの分圧が
ＴＭＧの分圧の１０倍となる条件で導入し、１０分間エ
ピタキシャル成長させる。これにより、Ｉｎ0.3 Ｇａ
0.7 Ｎからなる発光層４が形成される。
Ｎエピタキシャル層２が形成されたＧａＡｓ基板８の温
度を抵抗加熱ヒータ５５によって５００℃〜７００℃の
範囲に降温する。この後、ＴＭＧ、トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩ）、ＨＣｌおよびＮＨ3 を、ＴＭＩの分圧が
ＴＭＧの分圧の１０倍となる条件で導入し、１０分間エ
ピタキシャル成長させる。これにより、Ｉｎ0.3 Ｇａ
0.7 Ｎからなる発光層４が形成される。
【００５０】次に、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２を形
成した条件と同じ条件下で、ｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６を形成する。このようにして、図４に示すような発
光素子用のエピタキシャルウエハが形成される。
成した条件と同じ条件下で、ｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６を形成する。このようにして、図４に示すような発
光素子用のエピタキシャルウエハが形成される。
【００５１】この後、その発光素子用のエピタキシャル
ウエハを取出してエッチング専用炉にセットする。エッ
チング専用炉では、水素（Ｈ2 ）ガスをキャリアガスと
して、常圧で、基板温度を８００℃、ＨＣｌを１０ｓｃ
ｃｍで流す。これにより、ＧａＡｓ基板８をエッチング
により完全に除去する。その結果、ＧａＡｓ基板８が完
全に除去された窒化物混晶９からなるエピタキシャルウ
エハが形成される。
ウエハを取出してエッチング専用炉にセットする。エッ
チング専用炉では、水素（Ｈ2 ）ガスをキャリアガスと
して、常圧で、基板温度を８００℃、ＨＣｌを１０ｓｃ
ｃｍで流す。これにより、ＧａＡｓ基板８をエッチング
により完全に除去する。その結果、ＧａＡｓ基板８が完
全に除去された窒化物混晶９からなるエピタキシャルウ
エハが形成される。
【００５２】その後、そのようなエピタキシャルウエハ
の上面と下面とに、オーミック性の金属電極７ａおよび
７ｂを蒸着する。そして、そのエピタキシャルウエハを
発光素子の大きさに切断する。これにより、図５に示さ
れるような、ＩｎＧａＮ発光層４がｎ型ＧａＮエピタキ
シャル層２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層６とによって
挟まれた構造を有する第３の実施の形態によるダブルヘ
テロ型発光素子が形成される。この場合、窒化物混晶９
の厚みは７０μｍ程度であるので、強度的にはあまり強
くない。しかし、上記のように形成した第３の実施の形
態によるダブルヘテロ型発光素子に実際に電流を流した
ところ、ＧａＡｓ基板８を用いた発光素子よりも明るい
青色の発光が得られることを確認した。
の上面と下面とに、オーミック性の金属電極７ａおよび
７ｂを蒸着する。そして、そのエピタキシャルウエハを
発光素子の大きさに切断する。これにより、図５に示さ
れるような、ＩｎＧａＮ発光層４がｎ型ＧａＮエピタキ
シャル層２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層６とによって
挟まれた構造を有する第３の実施の形態によるダブルヘ
テロ型発光素子が形成される。この場合、窒化物混晶９
の厚みは７０μｍ程度であるので、強度的にはあまり強
くない。しかし、上記のように形成した第３の実施の形
態によるダブルヘテロ型発光素子に実際に電流を流した
ところ、ＧａＡｓ基板８を用いた発光素子よりも明るい
青色の発光が得られることを確認した。
【００５３】この発光は、クラッド層となる、ｎ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層２およびｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６と、発光層４とのエネルギギャップが小さく弱い発
光である。しかし、発光を吸収するＧａＡｓ基板８が完
全に除去されているので、その分だけ青色発光が得られ
ていると考えられる。
Ｎエピタキシャル層２およびｐ型ＧａＮエピタキシャル
層６と、発光層４とのエネルギギャップが小さく弱い発
光である。しかし、発光を吸収するＧａＡｓ基板８が完
全に除去されているので、その分だけ青色発光が得られ
ていると考えられる。
【００５４】（第４の実施の形態）この第４の実施の形
態では、まず、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を前処理
した後、図６に示す反応チャンバ５４内にそのＧａＡｓ
（１１１）Ａ面基板８を設置する。そして、そのＧａＡ
ｓ（１１１）Ａ面基板８を抵抗加熱ヒータ５５によって
加熱し、ＧａＡｓ基板８を５００℃に保持する。この状
態で、第１のガス導入口５１からトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）および塩化水素をそれぞれ分圧８×１０-4ａ
ｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。一方、第２の
ガス導入口５２からアンモニアガス（ＮＨ3 ）を分圧５
×１０-1ａｔｍで導入する。この条件で１５分間成長さ
せることによって、約３０ｎｍのＧａＮバッファ層をＧ
ａＡｓ基板８上に成長させる。さらに、このＧａＡｓ基
板８を抵抗加熱ヒータ５５によって加熱することにより
９２０℃まで昇温する。この後、ＴＭＧ、ＨＣＬ、ＮＨ
3のそれぞれの分圧を、２×１０-3ａｔｍ、２×１０-3
ａｔｍ、２×１０-1ａｔｍに設定し、１０時間成長させ
る。その結果、ＧａＮバッファ層上に約１００μｍのＧ
ａＮエピタキシャル層を成長させる。実際に製造したこ
のＧａＮエピタキシャル層にはクラックが発見された
が、そのＧａＮエピタキシャル層は、鏡面状の表面を有
しており、六方晶系ＧａＮの単結晶厚膜であることをＸ
線結晶回析から確認した。
態では、まず、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を前処理
した後、図６に示す反応チャンバ５４内にそのＧａＡｓ
（１１１）Ａ面基板８を設置する。そして、そのＧａＡ
ｓ（１１１）Ａ面基板８を抵抗加熱ヒータ５５によって
加熱し、ＧａＡｓ基板８を５００℃に保持する。この状
態で、第１のガス導入口５１からトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）および塩化水素をそれぞれ分圧８×１０-4ａ
ｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入する。一方、第２の
ガス導入口５２からアンモニアガス（ＮＨ3 ）を分圧５
×１０-1ａｔｍで導入する。この条件で１５分間成長さ
せることによって、約３０ｎｍのＧａＮバッファ層をＧ
ａＡｓ基板８上に成長させる。さらに、このＧａＡｓ基
板８を抵抗加熱ヒータ５５によって加熱することにより
９２０℃まで昇温する。この後、ＴＭＧ、ＨＣＬ、ＮＨ
3のそれぞれの分圧を、２×１０-3ａｔｍ、２×１０-3
ａｔｍ、２×１０-1ａｔｍに設定し、１０時間成長させ
る。その結果、ＧａＮバッファ層上に約１００μｍのＧ
ａＮエピタキシャル層を成長させる。実際に製造したこ
のＧａＮエピタキシャル層にはクラックが発見された
が、そのＧａＮエピタキシャル層は、鏡面状の表面を有
しており、六方晶系ＧａＮの単結晶厚膜であることをＸ
線結晶回析から確認した。
【００５５】次に、過酸化水素水とアンモニアとを体積
比で２対１にしたエッチャント中で約３０分間ウェット
エッチングすることにより、ＧａＡｓ基板をすべて除去
する。このようにして、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピ
タキシャル層とからなるＧａＮ基板が製作できる。これ
は、単体のＧａＮ基板として、さまざまな用途に使用可
能である。
比で２対１にしたエッチャント中で約３０分間ウェット
エッチングすることにより、ＧａＡｓ基板をすべて除去
する。このようにして、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピ
タキシャル層とからなるＧａＮ基板が製作できる。これ
は、単体のＧａＮ基板として、さまざまな用途に使用可
能である。
【００５６】たとえば、レーザダイオード用基板として
も有効である。このＧａＮ基板ではＧａＮ層の下に別種
の基板が存在しないため、レーザのチップ端面での劈開
による反射面を非常に平滑化でき、これによりレーザ特
性を著しく向上させることができる。
も有効である。このＧａＮ基板ではＧａＮ層の下に別種
の基板が存在しないため、レーザのチップ端面での劈開
による反射面を非常に平滑化でき、これによりレーザ特
性を著しく向上させることができる。
【００５７】実際に上述の方法で製造したＧａＮ基板上
に、実施の形態１と同様の方法によって、下記のように
さらにヘテロエピ成長を実施した。すなわち、ＧａＮ基
板を構成するＧａＮエピタキシャル層上に、まずＮＨ3
を１．６×１０-1ａｔｍ、ＴＭＧ、ＴＭＡを共に６×１
０-4ａｔｍ程度導入し、８５０℃で約１０分間成長させ
る。これにより、ＡｌＧａＮ層を形成する。その後、８
００℃で、ＮＨ3 の流量は上記と同量にして、ＴＭＩを
４×１０-4ａｔｍ、ＴＭＧを２×１０-5ａｔｍの分圧で
流すことによって、ＡｌＧａＮ層上に、ＩｎＧａＮから
なるエピタキシャル成長層を形成する。さらに、ＩｎＧ
ａＮエピタキシャル成長層上に、ＡｌＧａＮ層を上記の
ＡｌＧａＮ層の成長条件と同じ条件で成長させる。この
ようにして、ＧａＮ基板上にダブルヘテロ構造を形成す
ることができる。次に、このＧａＮ基板の裏側からダイ
ヤモンドペンでスクライブ線を入れて劈開を行なった。
その結果、鏡面状の劈開面が得られ、レーザダイオード
の反射鏡としての平坦性および平行度が十分であること
が確認された。
に、実施の形態１と同様の方法によって、下記のように
さらにヘテロエピ成長を実施した。すなわち、ＧａＮ基
板を構成するＧａＮエピタキシャル層上に、まずＮＨ3
を１．６×１０-1ａｔｍ、ＴＭＧ、ＴＭＡを共に６×１
０-4ａｔｍ程度導入し、８５０℃で約１０分間成長させ
る。これにより、ＡｌＧａＮ層を形成する。その後、８
００℃で、ＮＨ3 の流量は上記と同量にして、ＴＭＩを
４×１０-4ａｔｍ、ＴＭＧを２×１０-5ａｔｍの分圧で
流すことによって、ＡｌＧａＮ層上に、ＩｎＧａＮから
なるエピタキシャル成長層を形成する。さらに、ＩｎＧ
ａＮエピタキシャル成長層上に、ＡｌＧａＮ層を上記の
ＡｌＧａＮ層の成長条件と同じ条件で成長させる。この
ようにして、ＧａＮ基板上にダブルヘテロ構造を形成す
ることができる。次に、このＧａＮ基板の裏側からダイ
ヤモンドペンでスクライブ線を入れて劈開を行なった。
その結果、鏡面状の劈開面が得られ、レーザダイオード
の反射鏡としての平坦性および平行度が十分であること
が確認された。
【００５８】レーザダイオードは、通常基板の端面に反
射鏡を設け、端面発光を基本としている。この場合、基
板の劈開性すなわちその端面の平坦性がその特性を決定
すると言われている。通常のサファイア基板を用いる
と、サファイア基板とＧａＮとの劈開面の違いによりう
まく劈開できないという不都合が生じる。しかし、本発
明によれば、ＧａＮ以外の基板は存在しないため、基板
およびエピ層共にＧａＮ系となり、大変好ましい劈開が
可能となる。
射鏡を設け、端面発光を基本としている。この場合、基
板の劈開性すなわちその端面の平坦性がその特性を決定
すると言われている。通常のサファイア基板を用いる
と、サファイア基板とＧａＮとの劈開面の違いによりう
まく劈開できないという不都合が生じる。しかし、本発
明によれば、ＧａＮ以外の基板は存在しないため、基板
およびエピ層共にＧａＮ系となり、大変好ましい劈開が
可能となる。
【００５９】なお、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキ
シャル層とからなるＧａＮ基板は、７０μｍ以上４００
μｍ以下の厚みを有するように形成するのが好ましい。
上限を４００μｍと大きくしたのは、基板単体として使
用するので厚い膜厚が好ましいからである。
シャル層とからなるＧａＮ基板は、７０μｍ以上４００
μｍ以下の厚みを有するように形成するのが好ましい。
上限を４００μｍと大きくしたのは、基板単体として使
用するので厚い膜厚が好ましいからである。
【００６０】（第５の実施の形態）この第５の実施の形
態では、まず、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上に反応
性スパッタリングを用いてＳｉＯ2 の薄膜を１００ｎｍ
程度の厚みで形成する。その後、フォトリソグラフィ法
を用いてＳｉＯ2 膜上に５μｍ程度の幅のストライプ状
のレジストパターンを形成する。その後、そのレジスト
パターンをマスクとして、リアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）によりレジストのストライプ状の窓から露
出しているＳｉＯ2 膜をエッチング除去する。その後、
そのレジストを除去することによって、１００ｎｍ程度
の厚みを有するＳｉＯ2 からなる、５μｍ程度のピッチ
のストライプパターンを有するＧａＡｓ（１１１）Ａ面
基板８を作成する。
態では、まず、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上に反応
性スパッタリングを用いてＳｉＯ2 の薄膜を１００ｎｍ
程度の厚みで形成する。その後、フォトリソグラフィ法
を用いてＳｉＯ2 膜上に５μｍ程度の幅のストライプ状
のレジストパターンを形成する。その後、そのレジスト
パターンをマスクとして、リアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）によりレジストのストライプ状の窓から露
出しているＳｉＯ2 膜をエッチング除去する。その後、
そのレジストを除去することによって、１００ｎｍ程度
の厚みを有するＳｉＯ2 からなる、５μｍ程度のピッチ
のストライプパターンを有するＧａＡｓ（１１１）Ａ面
基板８を作成する。
【００６１】この後、上述した実施の形態と同様、Ｇａ
Ａｓ（１１１）Ａ面基板８上にＧａＮを成長させる。具
体的には、ＨＣｌ系のエッチング液によりＧａＡｓ（１
１１）Ａ面基板８を前処理した後、そのＧａＡｓ（１１
１）Ａ面基板８を反応チャンバ５４内に設置する。そし
て、抵抗加熱ヒータ５５によってＧａＡｓ（１１１）Ａ
面基板８を加熱して、上記した実施の形態と同様、Ｇａ
Ａｓ（１１１）Ａ面基板８を５００℃程度に保持する。
この状態で、第１のガス導入口５１からトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）および塩化水素を、それぞれ分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入した。一方、
第２のガス導入口５２からアンモニアガス（ＮＨ3 ）を
分圧５×１０-1ａｔｍで導入する。この条件で１５分間
成長させることにより約３０ｎｍのＧａＮバッファ層を
ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上に成長させる。さら
に、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を抵抗加熱ヒータ５
５によって加熱することにより９２０℃まで昇温する。
この後、ＴＭＧ、ＨＣｌ、ＮＨ3 のそれぞれの分圧を、
２×１０-3ａｔｍ、２×１０-3ａｔｍ、２×１０ -1ａｔ
ｍに設定し、１０時間成長させる。その結果、ＧａＮバ
ッファ層上に約１００μｍのＧａＮエピタキシャル層を
成長させる。
Ａｓ（１１１）Ａ面基板８上にＧａＮを成長させる。具
体的には、ＨＣｌ系のエッチング液によりＧａＡｓ（１
１１）Ａ面基板８を前処理した後、そのＧａＡｓ（１１
１）Ａ面基板８を反応チャンバ５４内に設置する。そし
て、抵抗加熱ヒータ５５によってＧａＡｓ（１１１）Ａ
面基板８を加熱して、上記した実施の形態と同様、Ｇａ
Ａｓ（１１１）Ａ面基板８を５００℃程度に保持する。
この状態で、第１のガス導入口５１からトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）および塩化水素を、それぞれ分圧８×１
０-4ａｔｍおよび８×１０-4ａｔｍで導入した。一方、
第２のガス導入口５２からアンモニアガス（ＮＨ3 ）を
分圧５×１０-1ａｔｍで導入する。この条件で１５分間
成長させることにより約３０ｎｍのＧａＮバッファ層を
ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上に成長させる。さら
に、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８を抵抗加熱ヒータ５
５によって加熱することにより９２０℃まで昇温する。
この後、ＴＭＧ、ＨＣｌ、ＮＨ3 のそれぞれの分圧を、
２×１０-3ａｔｍ、２×１０-3ａｔｍ、２×１０ -1ａｔ
ｍに設定し、１０時間成長させる。その結果、ＧａＮバ
ッファ層上に約１００μｍのＧａＮエピタキシャル層を
成長させる。
【００６２】このＧａＮエピタキシャル層は、成長の初
期においては、選択成長が生じ、ＡＳｉＯ2 膜上には全
く成長されずに、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上にの
み成長する。しかし、成長が進むに従って、ＧａＮエピ
タキシャル成長層の厚みが増加し、それに伴って、Ｓｉ
Ｏ2 膜上にもＧａＮエピタキシャル層の横方向成長（la
teral growth）が生じる。これにより、ＳｉＯ2 膜上で
両側から成長してきたＧａＮエピタキシャル層がつなが
り、それらが一体化する。このようにして形成された約
１００μｍの厚みを有するＧａＮエピタキシャル層は、
全くクラックが見られず、鏡面状の表面を有しており、
六方晶系ＧａＮの単結晶厚膜であることがＸ線結晶解析
から確認された。
期においては、選択成長が生じ、ＡＳｉＯ2 膜上には全
く成長されずに、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８上にの
み成長する。しかし、成長が進むに従って、ＧａＮエピ
タキシャル成長層の厚みが増加し、それに伴って、Ｓｉ
Ｏ2 膜上にもＧａＮエピタキシャル層の横方向成長（la
teral growth）が生じる。これにより、ＳｉＯ2 膜上で
両側から成長してきたＧａＮエピタキシャル層がつなが
り、それらが一体化する。このようにして形成された約
１００μｍの厚みを有するＧａＮエピタキシャル層は、
全くクラックが見られず、鏡面状の表面を有しており、
六方晶系ＧａＮの単結晶厚膜であることがＸ線結晶解析
から確認された。
【００６３】次に、過酸化水素水とアンモニアとを２対
１にしたエッチャント中で約３０分間ウェットエッチン
グすることにより、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８をす
べて除去する。このようにして、ＧａＮバッファ層とＧ
ａＮエピタキシャル層とからなる１００μｍ程度の厚み
を有するＧａＮ基板が作成できる。これは、単体のＧａ
Ｎ基板として、さまざまな用途に使用可能である。たと
えば、レーザダイオード用基板としても有効である。こ
のＧａＮ基板ではＧａＮ層の下に別種の基板が存在しな
いため、レーザのチップ端面での劈開による反射面を非
常に平滑化でき、これによりレーザ特性を著しく向上さ
せることができる。
１にしたエッチャント中で約３０分間ウェットエッチン
グすることにより、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板８をす
べて除去する。このようにして、ＧａＮバッファ層とＧ
ａＮエピタキシャル層とからなる１００μｍ程度の厚み
を有するＧａＮ基板が作成できる。これは、単体のＧａ
Ｎ基板として、さまざまな用途に使用可能である。たと
えば、レーザダイオード用基板としても有効である。こ
のＧａＮ基板ではＧａＮ層の下に別種の基板が存在しな
いため、レーザのチップ端面での劈開による反射面を非
常に平滑化でき、これによりレーザ特性を著しく向上さ
せることができる。
【００６４】実際に上述の方法で製造したＧａＮ基板上
に、実施の形態１と同様の方法によって、下記のように
さらにヘテロエピ成長を実施した。すなわち、ＧａＮ基
板を構成するＧａＮエピタキシャル層上に、まずＮＨ3
を１．６×１０-1ａｔｍ、ＴＭＧ、ＴＭＡをともに６×
１０-4ａｔｍ程度導入し、８５０℃で約１０分間成長さ
せる。これにより、ＡｌＧａＮ層を形成する。その後、
８００℃で、ＮＨ3 の流量は上記と同量にして、ＴＭＩ
を４×１０-4ａｔｍ、ＴＭＧを２×１０-5ａｔｍの分圧
で流すことによって、ＡｌＧａＮ層上に、ＩｎＧａＮか
らなるエピタキシャル成長層を形成する。さらに、その
ＩｎＧａＮエピタキシャル成長層上に、ＡｌＧａＮ層を
上記のＡｌＧａＮ層の成長条件と同じ条件で成長させ
る。このようにして、ＧａＮ基板上にダブルヘテロ構造
を形成することができる。次に、このＧａＮ基板の裏側
からダイヤモンドペンでスクライブ線を入れて劈開を行
なった。その結果、鏡面状の劈開面が得られ、レーザダ
イオードの反射鏡としての平坦性および平行度が十分で
あることが確認された。
に、実施の形態１と同様の方法によって、下記のように
さらにヘテロエピ成長を実施した。すなわち、ＧａＮ基
板を構成するＧａＮエピタキシャル層上に、まずＮＨ3
を１．６×１０-1ａｔｍ、ＴＭＧ、ＴＭＡをともに６×
１０-4ａｔｍ程度導入し、８５０℃で約１０分間成長さ
せる。これにより、ＡｌＧａＮ層を形成する。その後、
８００℃で、ＮＨ3 の流量は上記と同量にして、ＴＭＩ
を４×１０-4ａｔｍ、ＴＭＧを２×１０-5ａｔｍの分圧
で流すことによって、ＡｌＧａＮ層上に、ＩｎＧａＮか
らなるエピタキシャル成長層を形成する。さらに、その
ＩｎＧａＮエピタキシャル成長層上に、ＡｌＧａＮ層を
上記のＡｌＧａＮ層の成長条件と同じ条件で成長させ
る。このようにして、ＧａＮ基板上にダブルヘテロ構造
を形成することができる。次に、このＧａＮ基板の裏側
からダイヤモンドペンでスクライブ線を入れて劈開を行
なった。その結果、鏡面状の劈開面が得られ、レーザダ
イオードの反射鏡としての平坦性および平行度が十分で
あることが確認された。
【００６５】なお、上述した第１および第２の実施の形
態では、クラッド層として、Ｇａ、ＡｌおよびＮの３元
系のＡｌＧａＮエピタキシャル層３および５を用いた
が、本発明はこれに限らず、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＮ
の４元系のエピタキシャル層をクラッド層として用いる
ことも可能である。このような３元系および４元系のク
ラッド層は、いずれも、ＩｎＧａＮ発光層４と比較して
エネルギバンドギャップが大きいので、ＩｎＧａＮ発光
層４が発光すると考えられる。
態では、クラッド層として、Ｇａ、ＡｌおよびＮの３元
系のＡｌＧａＮエピタキシャル層３および５を用いた
が、本発明はこれに限らず、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＮ
の４元系のエピタキシャル層をクラッド層として用いる
ことも可能である。このような３元系および４元系のク
ラッド層は、いずれも、ＩｎＧａＮ発光層４と比較して
エネルギバンドギャップが大きいので、ＩｎＧａＮ発光
層４が発光すると考えられる。
【００６６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＧａＡ
ｓ基板の上に窒化ガリウム化合物を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板の少なくとも一部を除去することにより発光素子
を形成する。これにより、ＧａＡｓ基板が除去された分
だけ、ＧａＡｓ基板が全体に形成されている場合に比べ
て光の吸収量が低減され、それにより、青色発光輝度の
高い発光素子が得られる。
ｓ基板の上に窒化ガリウム化合物を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板の少なくとも一部を除去することにより発光素子
を形成する。これにより、ＧａＡｓ基板が除去された分
だけ、ＧａＡｓ基板が全体に形成されている場合に比べ
て光の吸収量が低減され、それにより、青色発光輝度の
高い発光素子が得られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による発光素子を示
した概略図である。
した概略図である。
【図２】本発明の第１および第２の実施の形態による発
光素子に用いるエピタキシャルウエハの製造プロセスを
説明するための断面図である。
光素子に用いるエピタキシャルウエハの製造プロセスを
説明するための断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による発光素子を示
した断面図である。
した断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態による発光素子に用
いるエピタキシャルウエハの製造プロセスを説明するた
めの断面図である。
いるエピタキシャルウエハの製造プロセスを説明するた
めの断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態による発光素子を示
した断面図である。
した断面図である。
【図６】本発明の化合物半導体エピタキシャル層の形成
に用いる気相成長装置の構成を示した概略図である。
に用いる気相成長装置の構成を示した概略図である。
８：ＧａＡｓ基板 ９：窒化ガリウム化合物
Claims (13)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に窒化ガリウム化合物を
形成する工程と、 前記窒化ガリウム化合物を形成した後、前記ＧａＡｓ基
板の少なくとも一部を除去する工程とを備えた、発光素
子用ウエハの製造方法。 - 【請求項２】 前記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッ
ファ層とＧａＮエピタキシャル層とを含み、 前記ＧａＡｓ基板のすべてが除去される、請求項１に記
載の発光素子用ウエハの製造方法。 - 【請求項３】 前記ＧａＮバッファ層と前記ＧａＮエピ
タキシャル層との合計の膜厚は、７０μｍ以上４００μ
ｍ以下であり、 前記ＧａＮバッファ層と前記ＧａＮエピタキシャル層と
はＧａＮ基板を構成する、請求項２に記載の発光素子用
ウエハの製造方法。 - 【請求項４】 前記ＧａＡｓ基板の除去は、機械加工除
去手段、塩素ガスを用いたリアクティブイオンエッチン
グによる除去手段、アンモニアと過酸化水素とを用いた
ウエットエッチングによる除去手段、および、高温の塩
化水素ガスの雰囲気中での分解除去手段のうち、少なく
とも１つの手段により行なう、請求項１に記載の発光素
子用ウエハの製造方法。 - 【請求項５】 前記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッ
ファ層と、第１のＧａＮエピタキシャル層と、第１のＡ
ｌＧａＮエピタキシャル層と、ＩｎＧａＮを含む発光層
と、第２のＡｌＧａＮエピタキシャル層と、第２のＧａ
Ｎエピタキシャル層とを含む、請求項１に記載の発光素
子用ウエハの製造方法。 - 【請求項６】 前記窒化ガリウム化合物は、７０μｍ以
上２００μｍ以下の膜厚を有し、 前記ＧａＡｓ基板のすべてが除去される、請求項５に記
載の発光素子用ウエハの製造方法。 - 【請求項７】 前記窒化ガリウム化合物は、１μｍ以上
７０μｍ以下の膜厚を有し、 前記ＧａＡｓ基板の一部が除去される、請求項５に記載
の発光素子用ウエハの製造方法。 - 【請求項８】 前記窒化ガリウム化合物を形成する工程
は、 前記ＧａＡｓ基板上に、絶縁膜からなるストライプパタ
ーンを形成する工程と、 前記ストライプパターンの形成後、前記ＧａＡｓ基板お
よび前記ストライプパターン上に、ＧａＮおよびＡｌＮ
のいずれかからなるバッファ層を形成する工程と、 前記バッファ層上にＧａＮエピタキシャル層を形成する
工程とを含み、 前記ＧａＡｓ基板の少なくとも一部を除去する工程は、
前記ＧａＡｓ基板のすべてを除去する工程を含む、請求
項１に記載の発光素子用ウエハの製造方法。 - 【請求項９】 前記絶縁膜は、二酸化シリコンおよび窒
化シリコンのうちのいずれかである、請求項８に記載の
発光素子用ウエハの製造方法。 - 【請求項１０】 前記絶縁膜は、３μｍ以上２０μｍ以
下の幅と、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の厚みとを
有する、請求項８に記載の発光素子用ウエハの製造方
法。 - 【請求項１１】 ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシ
ャル層とを含むＧａＮ基板を備え、 前記ＧａＮバッファ層と前記ＧａＮエピタキシャル層と
の合計の膜厚は、７０μｍ以上４００μｍ以下である、
発光素子用ウエハ。 - 【請求項１２】 主表面を有するＧａＡｓ基板と、 前記ＧａＡｓ基板の主表面上に形成された、青色および
青緑色の発光層を含む窒化物ガリウム化合物とを備え、 前記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッファ層と、第１
のＧａＮエピタキシャル層と、第１のＡｌＧａＮエピタ
キシャル層と、ＩｎＧａＮを含む発光層と、第２のＡｌ
ＧａＮエピタキシャル層と、第２のＧａＮエピタキシャ
ル層とを含み、 前記ＧａＡｓ基板の一部が除去されて前記窒化ガリウム
化合物の表面が露出されている、青色および青緑色の発
光素子。 - 【請求項１３】 前記窒化物ガリウム化合物は、１μｍ
以上７０μｍ以下の膜厚を有する請求項１２に記載の発
光素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237897A JP3164016B2 (ja) | 1996-05-31 | 1997-05-13 | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 |
| EP97108399A EP0810674A3 (en) | 1996-05-31 | 1997-05-23 | Light emitting device, wafer for light emitting device, and method of preparing the same |
| EP07000793A EP1777756A1 (en) | 1996-05-31 | 1997-05-23 | Semiconductor light emitting device, wafer for semiconductor light emitting device, and method of preparing the same |
| US08/864,417 US5834325A (en) | 1996-05-31 | 1997-05-28 | Light emitting device, wafer for light emitting device, and method of preparing the same |
| CN97113522A CN1080453C (zh) | 1996-05-31 | 1997-05-30 | 制备发光器件晶片的方法及其发光器件 |
| US09/056,519 US5962875A (en) | 1996-05-31 | 1998-04-07 | Light emitting device, wafer for light emitting device, and method of preparing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13733296 | 1996-05-31 | ||
| JP8-137332 | 1996-05-31 | ||
| JP12237897A JP3164016B2 (ja) | 1996-05-31 | 1997-05-13 | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10114600A true JPH10114600A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3164016B2 JP3164016B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=26459516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12237897A Expired - Fee Related JP3164016B2 (ja) | 1996-05-31 | 1997-05-13 | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5834325A (ja) |
| EP (2) | EP1777756A1 (ja) |
| JP (1) | JP3164016B2 (ja) |
| CN (1) | CN1080453C (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012900A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2000022212A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2000044400A (ja) * | 1998-05-28 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2003258300A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2003532298A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光半導体素子 |
| JP2004530289A (ja) * | 2001-02-23 | 2004-09-30 | ニトロネックス・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
| JP2004307253A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| US6984840B2 (en) | 1998-05-18 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device having an epitaxial layer of III-V compound semiconductor material containing N as a group V element |
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| JP2006193422A (ja) * | 1998-05-28 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2007073986A (ja) * | 2000-10-17 | 2007-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法 |
| EP1777325A2 (en) | 2005-10-19 | 2007-04-25 | Samsung Corning Co., Ltd. | Single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer having orientation flat |
| US7221001B2 (en) | 2000-07-18 | 2007-05-22 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| JP2007184346A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| US7737459B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
| JP2011014938A (ja) * | 2000-04-26 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法 |
| KR101024330B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2011-03-23 | 크리 인코포레이티드 | 렌즈형 표면을 가진 고효율 3족-질화물계 발광 다이오드 |
| JP2015046647A (ja) * | 2001-10-26 | 2015-03-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440823B1 (en) * | 1994-01-27 | 2002-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low defect density (Ga, Al, In)N and HVPE process for making same |
| JPH09283798A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-10-31 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| JP3899652B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2007-03-28 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウェハ |
| US6069394A (en) | 1997-04-09 | 2000-05-30 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3283802B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-05-20 | 日本電気株式会社 | 選択成長法を用いた半導体層及びその成長方法、選択成長法を用いた窒化物系半導体層及びその成長方法、窒化物系半導体発光素子とその製造方法 |
| FR2769924B1 (fr) * | 1997-10-20 | 2000-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche |
| US20110163323A1 (en) * | 1997-10-30 | 2011-07-07 | Sumitomo Electric Industires, Ltd. | GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING THE SAME |
| KR100629558B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2006-09-27 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | ＧａＮ단결정기판 및 그 제조방법 |
| US6046465A (en) * | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Hewlett-Packard Company | Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same |
| US6090300A (en) * | 1998-05-26 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Ion-implantation assisted wet chemical etching of III-V nitrides and alloys |
| TW428331B (en) * | 1998-05-28 | 2001-04-01 | Sumitomo Electric Industries | Gallium nitride single crystal substrate and method of producing the same |
| TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
| JP3201475B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2001-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6812053B1 (en) | 1999-10-14 | 2004-11-02 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures |
| DE10020464A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
| US7319247B2 (en) | 2000-04-26 | 2008-01-15 | Osram Gmbh | Light emitting-diode chip and a method for producing same |
| TWI289944B (en) | 2000-05-26 | 2007-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip |
| DE10040448A1 (de) * | 2000-08-18 | 2002-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6429460B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-08-06 | United Epitaxy Company, Ltd. | Highly luminous light emitting device |
| US7615780B2 (en) * | 2000-10-23 | 2009-11-10 | General Electric Company | DNA biosensor and methods for making and using the same |
| US6787010B2 (en) | 2000-11-30 | 2004-09-07 | North Carolina State University | Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby |
| KR100831751B1 (ko) | 2000-11-30 | 2008-05-23 | 노쓰 캐롤라이나 스테이트 유니버시티 | Ｍ'ｎ 물의 제조 방법 및 장치 |
| US6657237B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| JP3910817B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2007-04-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
| AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
| US7233028B2 (en) * | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
| DE10111501B4 (de) * | 2001-03-09 | 2019-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP3910047B2 (ja) * | 2001-11-20 | 2007-04-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP2003327497A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
| US7071494B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-04 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Light emitting device with enhanced optical scattering |
| US7098487B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
| US7786503B2 (en) | 2002-12-27 | 2010-08-31 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystals and wafers and method of making |
| US7859008B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-12-28 | Momentive Performance Materials Inc. | Crystalline composition, wafer, device, and associated method |
| US20070040181A1 (en) * | 2002-12-27 | 2007-02-22 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
| US8357945B2 (en) * | 2002-12-27 | 2013-01-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystal and method of making same |
| US20060169996A1 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-03 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
| US7638815B2 (en) * | 2002-12-27 | 2009-12-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
| US8089097B2 (en) * | 2002-12-27 | 2012-01-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same |
| US9279193B2 (en) | 2002-12-27 | 2016-03-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density |
| US7119372B2 (en) * | 2003-10-24 | 2006-10-10 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode |
| KR100506739B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 알루미늄(Ａｌ)을 함유한 질화물 반도체 결정 성장방법 |
| US7202141B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-10 | J.P. Sercel Associates, Inc. | Method of separating layers of material |
| TWI254469B (en) * | 2004-04-14 | 2006-05-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous diode chip |
| DE102005016592A1 (de) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
| TWI250574B (en) * | 2004-07-02 | 2006-03-01 | Cleavage Entpr Co Ltd | Polishing method for sapphire wafer |
| US8168000B2 (en) * | 2005-06-15 | 2012-05-01 | International Rectifier Corporation | III-nitride semiconductor device fabrication |
| KR20070012930A (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5167974B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-03-21 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| CN108054253B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-02-21 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 一种高效的led扩晶机 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218216A (en) * | 1987-01-31 | 1993-06-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
| US4912532A (en) * | 1988-08-26 | 1990-03-27 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
| JPH0278280A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
| DE68919408T2 (de) * | 1989-01-13 | 1995-04-20 | Toshiba Kawasaki Kk | Verbindungshalbleiter, denselben anwendendes Halbleiter-Bauelement und Herstellungsverfahren des Halbleiter-Bauelementes. |
| JP3026087B2 (ja) * | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
| US5038356A (en) * | 1989-12-04 | 1991-08-06 | Trw Inc. | Vertical-cavity surface-emitting diode laser |
| US5278433A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| DE69132934T2 (de) * | 1990-05-23 | 2002-08-29 | Uniphase Opto Holdings Inc | Strahlungsemittierende Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| JP3160914B2 (ja) * | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP3352712B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2002-12-03 | 浩 天野 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
| EP1313153A3 (en) * | 1992-07-23 | 2005-05-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US5432808A (en) * | 1993-03-15 | 1995-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semicondutor light-emitting device |
| EP0647730B1 (en) * | 1993-10-08 | 2002-09-11 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN single crystal |
| US5679152A (en) * | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
| JPH07273366A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Pioneer Electron Corp | Ｉｉｉ族窒化物発光素子の製造方法 |
| US5838029A (en) * | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
| US5814533A (en) * | 1994-08-09 | 1998-09-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and manufacturing method therefor |
| JP3974667B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2007-09-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
| FR2726126A1 (fr) * | 1994-10-24 | 1996-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible |
| JP3743013B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2006-02-08 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法 |
| TW290743B (ja) * | 1995-03-27 | 1996-11-11 | Sumitomo Electric Industries | |
| US5795798A (en) * | 1996-11-27 | 1998-08-18 | The Regents Of The University Of California | Method of making full color monolithic gan based leds |
| KR19980079320A (ko) * | 1997-03-24 | 1998-11-25 | 기다오까다까시 | 고품질 쥐에이엔계층의 선택성장방법, 고품질 쥐에이엔계층 성장기판 및 고품질 쥐에이엔계층 성장기판상에 제작하는 반도체디바이스 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12237897A patent/JP3164016B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-23 EP EP07000793A patent/EP1777756A1/en not_active Withdrawn
- 1997-05-23 EP EP97108399A patent/EP0810674A3/en not_active Withdrawn
- 1997-05-28 US US08/864,417 patent/US5834325A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-30 CN CN97113522A patent/CN1080453C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-07 US US09/056,519 patent/US5962875A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984840B2 (en) | 1998-05-18 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device having an epitaxial layer of III-V compound semiconductor material containing N as a group V element |
| JP2000044400A (ja) * | 1998-05-28 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2006193422A (ja) * | 1998-05-28 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2000012900A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2000022212A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2011014938A (ja) * | 2000-04-26 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法 |
| JP2003532298A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光半導体素子 |
| US7221001B2 (en) | 2000-07-18 | 2007-05-22 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| JP2007073986A (ja) * | 2000-10-17 | 2007-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法 |
| JP2004530289A (ja) * | 2001-02-23 | 2004-09-30 | ニトロネックス・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
| JP4792558B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-10-12 | インターナショナル・レクティファイアー・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
| US10326055B2 (en) | 2001-10-26 | 2019-06-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US10032959B2 (en) | 2001-10-26 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US9620677B2 (en) | 2001-10-26 | 2017-04-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| JP2015046647A (ja) * | 2001-10-26 | 2015-03-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
| JP2003258300A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004307253A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| KR101024330B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2011-03-23 | 크리 인코포레이티드 | 렌즈형 표면을 가진 고효율 3족-질화물계 발광 다이오드 |
| US8692267B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-04-08 | Cree, Inc. | High efficiency Group III nitride LED with lenticular surface |
| US8878209B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
| US7737459B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| EP1777325A2 (en) | 2005-10-19 | 2007-04-25 | Samsung Corning Co., Ltd. | Single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer having orientation flat |
| JP2007184346A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5962875A (en) | 1999-10-05 |
| EP0810674A3 (en) | 2001-10-24 |
| CN1080453C (zh) | 2002-03-06 |
| EP0810674A2 (en) | 1997-12-03 |
| CN1171621A (zh) | 1998-01-28 |
| JP3164016B2 (ja) | 2001-05-08 |
| EP1777756A1 (en) | 2007-04-25 |
| US5834325A (en) | 1998-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3164016B2 (ja) | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 | |
| US7364805B2 (en) | Crystal film, crystal substrate, and semiconductor device | |
| US6380051B1 (en) | Layered structure including a nitride compound semiconductor film and method for making the same | |
| JP3036495B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| US7576372B2 (en) | Method for making free-standing AlGaN wafer, wafer produced thereby, and associated methods and devices using the wafer | |
| US6146916A (en) | Method for forming a GaN-based semiconductor light emitting device | |
| JP3974667B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| US7105859B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same | |
| JPH10321911A (ja) | 単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード | |
| JPH11135832A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
| JP2000091234A (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 | |
| JP2000223417A (ja) | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3602932B2 (ja) | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 | |
| JP4631214B2 (ja) | 窒化物半導体膜の製造方法 | |
| JPH0955536A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH08250802A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2008282942A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH0864913A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP3712789B2 (ja) | ３族窒化物半導体基板及び素子の製造方法 | |
| JP3870869B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| KR100501015B1 (ko) | 발광소자와발광소자용웨이퍼및그제조방법 | |
| JP2003332244A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JPH10173228A (ja) | 化合物半導体基板および半導体発光素子 | |
| JPH07297495A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード | |
| JP4097299B2 (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010130 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090302 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090302 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302 Year of fee payment: 13 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |