JPH1010703A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPH1010703A JPH1010703A JP18156196A JP18156196A JPH1010703A JP H1010703 A JPH1010703 A JP H1010703A JP 18156196 A JP18156196 A JP 18156196A JP 18156196 A JP18156196 A JP 18156196A JP H1010703 A JPH1010703 A JP H1010703A
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- Japan
- Prior art keywords
- height
- reticle
- exposure apparatus
- optical system
- chromium
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コマ収差が存在する投影光学系を使用した露
光装置においても十分な高解像力を可能とする。 【構成】 レチクル３は石英ガラス基盤４の所定位置に
所定高さＨのクロム層５が形成されている。ここで、ク
ロム層５の所定高さＨは露光のための中心波長λに対し
て、Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）条件を満たす近傍
の値とする。
光装置においても十分な高解像力を可能とする。 【構成】 レチクル３は石英ガラス基盤４の所定位置に
所定高さＨのクロム層５が形成されている。ここで、ク
ロム層５の所定高さＨは露光のための中心波長λに対し
て、Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）条件を満たす近傍
の値とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル面上に形
成されているＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の微細な電子回
路パターンをウエハ上に転写する光リソグラフィによる
半導体露光装置に関するものである。
成されているＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の微細な電子回
路パターンをウエハ上に転写する光リソグラフィによる
半導体露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体製造用の投影露光装置に
おいては、集積回路の高密度化に伴い、レチクル面上の
回路パターンをウエハ上に高い解像力で投影露光できる
ことが要求される。回路パターンの投影解像力を向上さ
せる方式としては、例えば露光光の波長を固定にして投
影光学系のレンズの開口数を大きくする方式や、露光光
を例えばｇ線よりｉ線、ｉ線よりエキシマレーザー発振
波長のように短波長化する方式が採用されている。
おいては、集積回路の高密度化に伴い、レチクル面上の
回路パターンをウエハ上に高い解像力で投影露光できる
ことが要求される。回路パターンの投影解像力を向上さ
せる方式としては、例えば露光光の波長を固定にして投
影光学系のレンズの開口数を大きくする方式や、露光光
を例えばｇ線よりｉ線、ｉ線よりエキシマレーザー発振
波長のように短波長化する方式が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例の半導体露光装置において、より高い解像力で撮
影露光するためには、レチクルのパターンをウエハ上に
投影する際の投影光学系の収差の量をより少なくするこ
とが必要となる。非対称性収差である所謂コマ収差が大
きい場合には、コマ収差の非対称性と投影光学系の非対
称性が強め合って急激に像性能が劣化するので、投影光
学系には高い均一性が要求され、また投影光学系のレン
ズの開口数を大きくするために、設計値や製造誤差の面
からも残存収差をより少なくする必要がある。
従来例の半導体露光装置において、より高い解像力で撮
影露光するためには、レチクルのパターンをウエハ上に
投影する際の投影光学系の収差の量をより少なくするこ
とが必要となる。非対称性収差である所謂コマ収差が大
きい場合には、コマ収差の非対称性と投影光学系の非対
称性が強め合って急激に像性能が劣化するので、投影光
学系には高い均一性が要求され、また投影光学系のレン
ズの開口数を大きくするために、設計値や製造誤差の面
からも残存収差をより少なくする必要がある。
【０００４】このために、投影光学系はレンズ枚数が多
くなって複雑化かつ大型化し、また製造誤差を少なくす
るために製造に長時間を要し、高コスト化するという問
題が発生する。
くなって複雑化かつ大型化し、また製造誤差を少なくす
るために製造に長時間を要し、高コスト化するという問
題が発生する。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
コマ収差が存在する投影光学系を使用した場合でも、十
分な高解像力が得られる半導体露光装置を提出すること
にある。
コマ収差が存在する投影光学系を使用した場合でも、十
分な高解像力が得られる半導体露光装置を提出すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１発明に係る半導体露光装置は、中心波長λにより
レチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上に転写
する光リソグラフィによる半導体露光装置において、使
用するレチクルのクロムパターンの高さをＮ・λ／２
（Ｎは正の整数）の近傍としたことを特徴とする。
の第１発明に係る半導体露光装置は、中心波長λにより
レチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上に転写
する光リソグラフィによる半導体露光装置において、使
用するレチクルのクロムパターンの高さをＮ・λ／２
（Ｎは正の整数）の近傍としたことを特徴とする。
【０００７】第２発明に係る半導体露光装置は、複数の
異なる露光波長λ1 、λ2 、・・・によりレチクルパタ
ーンを投影光学系を介してウエハ上に転写する光リソグ
ラフィによる半導体露光装置において、使用するレチク
ルのクロムパターンの高さを前記異なる波長λ1 、λ
2 、・・・の半数の整数倍（N1・λ1 ／２、N2・λ2 ／
２、・・・）（N1、N2、・・・は正の整数）の近傍とし
たことを特徴とする。
異なる露光波長λ1 、λ2 、・・・によりレチクルパタ
ーンを投影光学系を介してウエハ上に転写する光リソグ
ラフィによる半導体露光装置において、使用するレチク
ルのクロムパターンの高さを前記異なる波長λ1 、λ
2 、・・・の半数の整数倍（N1・λ1 ／２、N2・λ2 ／
２、・・・）（N1、N2、・・・は正の整数）の近傍とし
たことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は露光装置の側面図を示し、ステ
ージ基台１上にウエハＷが載置され、その上方に投影光
学系２が配置され、投影光学系２の上方にレチクル３が
設けられている。図２は第１の実施例のレチクルの側面
図を示し、レチクル３は石英ガラス基盤４の所定位置に
所定高さＨのクロム層５が形成されてある。
詳細に説明する。図１は露光装置の側面図を示し、ステ
ージ基台１上にウエハＷが載置され、その上方に投影光
学系２が配置され、投影光学系２の上方にレチクル３が
設けられている。図２は第１の実施例のレチクルの側面
図を示し、レチクル３は石英ガラス基盤４の所定位置に
所定高さＨのクロム層５が形成されてある。
【０００９】ここで、所定高さＨは露光のための中心波
長λに対して、次の条件を満たす近傍の値である。 Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）
長λに対して、次の条件を満たす近傍の値である。 Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）
【００１０】クロム層５の高さＨは中心露光波長により
異なり、中心露光波長がｉ線ステッパ（３６５ｎｍ）、
ＫｒＦステッパ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦステッパ（１９
３ｎｍ）のときのＮ＝１と２におけるクロム層５の高さ
を次の表１に示す。
異なり、中心露光波長がｉ線ステッパ（３６５ｎｍ）、
ＫｒＦステッパ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦステッパ（１９
３ｎｍ）のときのＮ＝１と２におけるクロム層５の高さ
を次の表１に示す。
【００１１】
【００１２】図２において、SL1 はクロム層５の左側下
部での散乱光、SL2 はクロム層５の左側上部での左方向
への散乱光、SL3 はクロム層５の左側上部での右方向へ
の散乱光、SL4 はクロム層５の右側上部での左方向への
散乱光、SL5 はクロム層５の右側上部での右方向への散
乱光、SL6 はクロム層５の右側下部での散乱光を示して
いる。
部での散乱光、SL2 はクロム層５の左側上部での左方向
への散乱光、SL3 はクロム層５の左側上部での右方向へ
の散乱光、SL4 はクロム層５の右側上部での左方向への
散乱光、SL5 はクロム層５の右側上部での右方向への散
乱光、SL6 はクロム層５の右側下部での散乱光を示して
いる。
【００１３】レチクル３上のパターンは投影光学系２に
よりウエハＷの表面に露光される。投影光学系２により
クロム層５のエッジで散乱した散乱光SL1 、SL2 、SL3
、SL4 、SL5 、SL6 はウエハＷの上に結像するので、
そのときの光強度を求めてみる。ここで、散乱光SL1 を
基準にして、クロム層５の上部での散乱光SL2 、SL3 、
SL4 、SL5 は、クロム層５の高さＨ分だけ位相が遅れ、
更に投影光学系２に残存するコマ収差を考慮して、右方
向に向いた散乱光SL3 、SL5 、SL6 はコマ収差分だけ位
相が遅れるものとすると、散乱光SL1 、SL2 、SL3 、SL
4 、SL5 、SL6 の位相は次のように表現できる。 SL1 の位相P1：EXP(ｊωｔ） SL2 の位相P2：EXP(ｊ( ωｔ＋Ｈ）） SL3 の位相P3：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）） SL4 の位相P4：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ）） SL5 の位相P5：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）） SL6 の位相P6：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｃ））
よりウエハＷの表面に露光される。投影光学系２により
クロム層５のエッジで散乱した散乱光SL1 、SL2 、SL3
、SL4 、SL5 、SL6 はウエハＷの上に結像するので、
そのときの光強度を求めてみる。ここで、散乱光SL1 を
基準にして、クロム層５の上部での散乱光SL2 、SL3 、
SL4 、SL5 は、クロム層５の高さＨ分だけ位相が遅れ、
更に投影光学系２に残存するコマ収差を考慮して、右方
向に向いた散乱光SL3 、SL5 、SL6 はコマ収差分だけ位
相が遅れるものとすると、散乱光SL1 、SL2 、SL3 、SL
4 、SL5 、SL6 の位相は次のように表現できる。 SL1 の位相P1：EXP(ｊωｔ） SL2 の位相P2：EXP(ｊ( ωｔ＋Ｈ）） SL3 の位相P3：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）） SL4 の位相P4：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ）） SL5 の位相P5：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）） SL6 の位相P6：EXP(ｊ（ωｔ＋Ｃ））
【００１４】次に、投影光学系２のコマ収差の影響によ
る結像性能を位相P1〜P6を使用して表現すると、先ず投
影光学系２のコマ収差の影響を考える場合には、ウエハ
Ｗ上でのクロム層５での左側で散乱する散乱光SL1 、SL
2 、SL3 の強度ILと、右側で散乱する散乱光SL4 、SL5
、SL6 の強度IRとの差Idefに着目する。
る結像性能を位相P1〜P6を使用して表現すると、先ず投
影光学系２のコマ収差の影響を考える場合には、ウエハ
Ｗ上でのクロム層５での左側で散乱する散乱光SL1 、SL
2 、SL3 の強度ILと、右側で散乱する散乱光SL4 、SL5
、SL6 の強度IRとの差Idefに着目する。
【００１５】強度IL、IRは各位相PL、PRの二乗を時間積
分した次式で表すことができる。
分した次式で表すことができる。
【００１６】
【式１】
【００１７】ただし、 PL＝P1＋P2＋P3 PR＝P4＋P5＋P6
【００１８】従って、強度差Idefは強度IL、IRの差分な
のでIdef＝IL−IRとなる。また、位相PL、PRの実部は次
のようになる。 Re（PL）＝cos(ωｔ）＋cos(ωｔ＋Ｈ）＋cos(ωｔ＋Ｈ＋Ｃ） Re（PR）＝cos(ωｔ＋Ｈ）＋cos(ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）＋cos(ωｔ＋Ｃ）
のでIdef＝IL−IRとなる。また、位相PL、PRの実部は次
のようになる。 Re（PL）＝cos(ωｔ）＋cos(ωｔ＋Ｈ）＋cos(ωｔ＋Ｈ＋Ｃ） Re（PR）＝cos(ωｔ＋Ｈ）＋cos(ωｔ＋Ｈ＋Ｃ）＋cos(ωｔ＋Ｃ）
【００１９】これらの式を使用して、強度差Idefの実部
のみの数値積分を行い、強度差Idefとクロム層５の高さ
Ｈとの関係を求めると、図３に示すようなグラフ図にな
る。このグラフ図は縦軸を強度差Idef、横軸をクロム層
５の高さＨとし、投影光学系２のコマ収差の量をλ／１
０として計算したグラフC1と、λ／２０として計算した
グラフC2である。これらのグラフC1、C2では、横軸のク
ロム層５の高さＨを中心露光波長λで正規化して表現し
てあるので、中心露光波長λを限定する必要はない。
のみの数値積分を行い、強度差Idefとクロム層５の高さ
Ｈとの関係を求めると、図３に示すようなグラフ図にな
る。このグラフ図は縦軸を強度差Idef、横軸をクロム層
５の高さＨとし、投影光学系２のコマ収差の量をλ／１
０として計算したグラフC1と、λ／２０として計算した
グラフC2である。これらのグラフC1、C2では、横軸のク
ロム層５の高さＨを中心露光波長λで正規化して表現し
てあるので、中心露光波長λを限定する必要はない。
【００２０】従って、これら２つの曲線から、強度差Id
efは振幅がコマ収差に比例し周期がλのサイン関数的に
変化することが分かる。また、強度差Idefが０となるク
ロム層５の高さＨはコマ収差によらず、次の関係を満足
するλ／２、λ、３λ／２、・・であることが分かる。 Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）
efは振幅がコマ収差に比例し周期がλのサイン関数的に
変化することが分かる。また、強度差Idefが０となるク
ロム層５の高さＨはコマ収差によらず、次の関係を満足
するλ／２、λ、３λ／２、・・であることが分かる。 Ｈ＝Ｎ・λ／２（Ｎは正の整数）
【００２１】実際の光リソグラフィでは、強度差Idefの
許容値は０とならず有限の値となるので、クロム層５の
高さＨも上述の式を満足する近傍の高さでよいことにな
る。なお、ここではIL、IRの実部で計算を行ったが、虚
部の場合は上述の２つの式のcosを sinとすればよいの
で、数値積分した結果は全く同様となる。
許容値は０とならず有限の値となるので、クロム層５の
高さＨも上述の式を満足する近傍の高さでよいことにな
る。なお、ここではIL、IRの実部で計算を行ったが、虚
部の場合は上述の２つの式のcosを sinとすればよいの
で、数値積分した結果は全く同様となる。
【００２２】また、クロム層５の上部と下部での散乱光
の強度が等しいとして計算したが、強度が異なる場合に
は、上部の散乱光の強度が下部の散乱光の強度の半分と
して計算すると、左右での位相PL2 、PR2 は、P1〜P6を
使用して次の式のようになる。 PL2 ＝P1 ＋P2／2 ＋P3／2 PR2 ＝P4／2 ＋P5／2 ＋P6
の強度が等しいとして計算したが、強度が異なる場合に
は、上部の散乱光の強度が下部の散乱光の強度の半分と
して計算すると、左右での位相PL2 、PR2 は、P1〜P6を
使用して次の式のようになる。 PL2 ＝P1 ＋P2／2 ＋P3／2 PR2 ＝P4／2 ＋P5／2 ＋P6
【００２３】従って、このときの強度差Idefの数値積分
の結果は、図４に示すように振幅が図３の半分の同じ特
性を有するグラフC3、C4となる。
の結果は、図４に示すように振幅が図３の半分の同じ特
性を有するグラフC3、C4となる。
【００２４】また、複数の異なる露光波長λ1 、λ2 、
・・・を同一露光装置又はそれぞれ異なる露光装置に使
用し、これら異なる波長λ1 、λ2 、・・・によりレク
チルパターンを投影光学系２を介してウェハＷ上に転写
する際に、使用するレチクル３のクロム層５の高さＨ
を、それぞれ異なる波長λ1 、λ2 、・・・の半分の値
の整数倍の近傍とすることにより、更に高解像力を達成
する露光方式が可能となる。
・・・を同一露光装置又はそれぞれ異なる露光装置に使
用し、これら異なる波長λ1 、λ2 、・・・によりレク
チルパターンを投影光学系２を介してウェハＷ上に転写
する際に、使用するレチクル３のクロム層５の高さＨ
を、それぞれ異なる波長λ1 、λ2 、・・・の半分の値
の整数倍の近傍とすることにより、更に高解像力を達成
する露光方式が可能となる。
【００２５】図５は第２の実施例の２層クロムレチクル
の側面図を示し、石英ガラス基盤４にクロム層５と酸化
クロム層１０が積層されており、クロム層５の厚みが本
実施例のクロム層高さＨとなる。このクロム層高さＨの
中心露光波長に対する量は表１と同じである。
の側面図を示し、石英ガラス基盤４にクロム層５と酸化
クロム層１０が積層されており、クロム層５の厚みが本
実施例のクロム層高さＨとなる。このクロム層高さＨの
中心露光波長に対する量は表１と同じである。
【００２６】図６は第３の実施例の３層クロムレチクル
の側面図を示し、石英ガラス基盤４は酸化クロム層１
１、クロム層５、酸化クロム層１０が積層されており、
屈折率差が大きい２つの境界面において反射光及び散乱
光が発生するので、クロム層５の厚みが本実施例のクロ
ム層高さＨとなる。このクロム層高さＨの中心露光波長
に対する量は表１と同じである。
の側面図を示し、石英ガラス基盤４は酸化クロム層１
１、クロム層５、酸化クロム層１０が積層されており、
屈折率差が大きい２つの境界面において反射光及び散乱
光が発生するので、クロム層５の厚みが本実施例のクロ
ム層高さＨとなる。このクロム層高さＨの中心露光波長
に対する量は表１と同じである。
【００２７】図７は第４の実施例のハーフトーンレチク
ルの側面図を示し、例えば光量を８％透過し、位相を１
８０°ずらす部材から成る遮光帯１２が使用され、その
高さが高さＨとなる。この高さＨの中心露光波長に対す
る量は表１と同じである。
ルの側面図を示し、例えば光量を８％透過し、位相を１
８０°ずらす部材から成る遮光帯１２が使用され、その
高さが高さＨとなる。この高さＨの中心露光波長に対す
る量は表１と同じである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように第１発明に係る半導
体露光装置は、中心波長λによるレチクルパターンを使
用してクロムパターンの高さをＮ・λ／２の近傍とする
ことにより、投影光学系のコマ収差の残存量に影響され
ずに、コマ収差が無い場合と同様の良好な解像性能を得
ることが可能となり、投影光学系のコマ収差の要求性能
を軽減することができるので、軽量、小型、簡素化及び
コストダウンが可能である。
体露光装置は、中心波長λによるレチクルパターンを使
用してクロムパターンの高さをＮ・λ／２の近傍とする
ことにより、投影光学系のコマ収差の残存量に影響され
ずに、コマ収差が無い場合と同様の良好な解像性能を得
ることが可能となり、投影光学系のコマ収差の要求性能
を軽減することができるので、軽量、小型、簡素化及び
コストダウンが可能である。
【００２９】第２発明に係る半導体露光装置は、複数の
異なる露光波長λ1 、λ2 、・・・に対応するレチクル
パターンを使用し、各レチクルパターンのクロムパター
ンの高さをレチクルパターンに対応する露光波長λ1 、
λ2 、・・・の半分の整数倍（N1・λ／２、N2・λ／
２、・・・）の近傍とすることにより、投影光学系のコ
マ収差の残存量に影響されずに、コマ収差が無い場合と
同様の良好な解像性能を得ることが可能となり、投影光
学系のコマ収差の要求性能を軽減することができるの
で、軽量、小型、簡素化及びコストダウンが可能であ
る。
異なる露光波長λ1 、λ2 、・・・に対応するレチクル
パターンを使用し、各レチクルパターンのクロムパター
ンの高さをレチクルパターンに対応する露光波長λ1 、
λ2 、・・・の半分の整数倍（N1・λ／２、N2・λ／
２、・・・）の近傍とすることにより、投影光学系のコ
マ収差の残存量に影響されずに、コマ収差が無い場合と
同様の良好な解像性能を得ることが可能となり、投影光
学系のコマ収差の要求性能を軽減することができるの
で、軽量、小型、簡素化及びコストダウンが可能であ
る。
【図１】半導体露光装置の側面図である。
【図２】第１の実施例のレチクルの側面図である。
【図３】強度差とクロム層高さの関係のグラフ図であ
る。
る。
【図４】強度差とクロム層高さの関係のグラフ図であ
る。
る。
【図５】第２の実施例の２層クロムレチクルの側面図で
ある。
ある。
【図６】第３の実施例の３層クロムレチクルの側面図で
ある。
ある。
【図７】第４の実施例のハーフトーンレチクルの側面図
である。
である。
２ 撮影光学系 ３ レチクル ４ 石英ガラス基盤 ５ クロム層 １０、１１ 酸化クロム層 １２ 遮光帯
Claims (6)
- 【請求項１】 中心波長λによりレチクルパターンを投
影光学系を介してウエハ上に転写する光リソグラフィに
よる半導体露光装置において、使用するレチクルのクロ
ムパターンの高さをＮ・λ／２（Ｎは正の整数）の近傍
としたことを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項２】 複数の異なる露光波長λ1 、λ2 、・・
・によりレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ
上に転写する光リソグラフィによる半導体露光装置にお
いて、使用するレチクルのクロムパターンの高さを前記
異なる波長λ1 、λ2 、・・・の半数の整数倍（N1・λ
1 ／２、N2・λ2 ／２、・・・）（N1、N2、・・・は正
の整数）の近傍としたことを特徴とする半導体露光装
置。 - 【請求項３】 前記異なる波長λ1 、λ2 、・・・を同
一の露光装置で使用する請求項２に記載の半導体露光装
置。 - 【請求項４】 前記異なる波長λ1 、λ2 、・・・を異
なる露光装置で使用する請求項２に記載の半導体露光装
置。 - 【請求項５】 前記クロムパターンは光透過特性を有す
るものとした請求項１又は２に記載の半導体露光装置。 - 【請求項６】 前記クロムパターンは酸化クロム層と共
に積層した請求項１又は２に記載の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18156196A JP3720462B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18156196A JP3720462B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010703A true JPH1010703A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3720462B2 JP3720462B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=16102956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18156196A Expired - Fee Related JP3720462B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3720462B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11184069A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 半導体露光方法及び装置とそれに用いるレクチル |
| JP2000182951A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Canon Inc | 半導体露光方法及び装置とそれに用いる反射型マスク |
| JP2000181050A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Canon Inc | レチクル、及び露光方法、及び半導体露光装置 |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP18156196A patent/JP3720462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11184069A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 半導体露光方法及び装置とそれに用いるレクチル |
| JP2000182951A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Canon Inc | 半導体露光方法及び装置とそれに用いる反射型マスク |
| JP2000181050A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Canon Inc | レチクル、及び露光方法、及び半導体露光装置 |
| JP4497569B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 投影光学系のコマ収差の評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3720462B2 (ja) | 2005-11-30 |
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