JPH1010505A - 平面型表示装置の製造方法 - Google Patents
平面型表示装置の製造方法Info
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- JPH1010505A JPH1010505A JP16260096A JP16260096A JPH1010505A JP H1010505 A JPH1010505 A JP H1010505A JP 16260096 A JP16260096 A JP 16260096A JP 16260096 A JP16260096 A JP 16260096A JP H1010505 A JPH1010505 A JP H1010505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置など平面型表示装置の、薄型
化、軽量化を図る。 【解決手段】 TFT基板15上にゲート配線1や信号
配線2、画素電極5などを形成後、レジスト7で保護
し、エッチングを行ってTFT基板15を薄くする。
化、軽量化を図る。 【解決手段】 TFT基板15上にゲート配線1や信号
配線2、画素電極5などを形成後、レジスト7で保護
し、エッチングを行ってTFT基板15を薄くする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置など
平面型表示装置の製造方法に関する。
平面型表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の平面型表示装置の説明を、TFT
(薄膜トランジスタ)型液晶表示装置を例に挙げて行
う。図1に、TFT基板の1画素部分の平面図を、図2
(a)に図1A−A間断面図を示す。まず、TFT基板
15は、ガラスなどの絶縁性基板上に、アルミ、タンタ
ルなどで走査配線としてゲート配線1、補助容量形成の
ためのCs配線4、チッ化シリコンなどでゲート絶縁膜
6を間に介して、アルミ、タンタル、ITOなどで信号
配線としてソース配線2がそれぞれ交差するように形成
されている。そして、透過型の場合ITO等の透明導電
膜で、反射型の場合アルミなどで画素電極5が形成さ
れ、マトリクス状に配列されており、これら各画素電極
の近傍にそれぞれゲート配線1、ソース配線2および画
素電極5に接続されたTFT3が配置されている。これ
らは、導電膜や絶縁膜を成膜した後、フォトリソ工程、
エッチング工程でパターニングすることにより形成され
る。
(薄膜トランジスタ)型液晶表示装置を例に挙げて行
う。図1に、TFT基板の1画素部分の平面図を、図2
(a)に図1A−A間断面図を示す。まず、TFT基板
15は、ガラスなどの絶縁性基板上に、アルミ、タンタ
ルなどで走査配線としてゲート配線1、補助容量形成の
ためのCs配線4、チッ化シリコンなどでゲート絶縁膜
6を間に介して、アルミ、タンタル、ITOなどで信号
配線としてソース配線2がそれぞれ交差するように形成
されている。そして、透過型の場合ITO等の透明導電
膜で、反射型の場合アルミなどで画素電極5が形成さ
れ、マトリクス状に配列されており、これら各画素電極
の近傍にそれぞれゲート配線1、ソース配線2および画
素電極5に接続されたTFT3が配置されている。これ
らは、導電膜や絶縁膜を成膜した後、フォトリソ工程、
エッチング工程でパターニングすることにより形成され
る。
【0003】そして、図7(a)に示すように、上記T
FT基板15と、図示しない対向電極などを備えた対向
基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を一定にし、
液晶12をシール材14で封入してTFT型液晶表示装
置が形成される。
FT基板15と、図示しない対向電極などを備えた対向
基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を一定にし、
液晶12をシール材14で封入してTFT型液晶表示装
置が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、平面型表示装置
にはより一層の軽量化、薄型化が求められており、従来
よりも薄い基板を用いて平面型表示装置を製造する必要
があった。また、コストダウンを図るために、マザー基
板と呼ばれる大型基板を用いて、複数の平面型表示装置
を製造する、多面取り技術を用いる必要がある。そこで
従来は、薄くて大きな基板をプロセスの最初から使用し
ていたので、成膜した膜の応力や熱で基板が反り、フォ
トリソ工程などでのパターニング精度の低下や基板搬送
時のトラブルなどプロセス上の問題を引き起こしてい
た。
にはより一層の軽量化、薄型化が求められており、従来
よりも薄い基板を用いて平面型表示装置を製造する必要
があった。また、コストダウンを図るために、マザー基
板と呼ばれる大型基板を用いて、複数の平面型表示装置
を製造する、多面取り技術を用いる必要がある。そこで
従来は、薄くて大きな基板をプロセスの最初から使用し
ていたので、成膜した膜の応力や熱で基板が反り、フォ
トリソ工程などでのパターニング精度の低下や基板搬送
時のトラブルなどプロセス上の問題を引き起こしてい
た。
【0005】例えば、基板の大きさが2倍になれば、膜
の応力による基板の反りも2倍になり、さらに基板の厚
さを半分にすれば、膜の応力による反りはさらに2倍に
なる。この様に、大型で薄い基板を用いて平面型表示装
置を作るには、従来よりはるかに高いパターニング精度
と基板搬送精度が必要となり、そのため基板の大きさや
厚さの限界は、製造装置の能力の限界により決まってい
た。
の応力による基板の反りも2倍になり、さらに基板の厚
さを半分にすれば、膜の応力による反りはさらに2倍に
なる。この様に、大型で薄い基板を用いて平面型表示装
置を作るには、従来よりはるかに高いパターニング精度
と基板搬送精度が必要となり、そのため基板の大きさや
厚さの限界は、製造装置の能力の限界により決まってい
た。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、厚みが薄くて重量が軽い平面型表示装置を
安価に提供することである。
れたもので、厚みが薄くて重量が軽い平面型表示装置を
安価に提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の平面型表示装置
の製造方法は、上記課題を解決するため、1対の基板間
に、少なくとも互いに交差する複数本の走査配線と信号
配線とを有し、少なくとも基板上に配線を形成した後
に、前記基板のうち少なくとも一枚の基板表面を、エッ
チングして薄くする工程を有することを特徴とする。
の製造方法は、上記課題を解決するため、1対の基板間
に、少なくとも互いに交差する複数本の走査配線と信号
配線とを有し、少なくとも基板上に配線を形成した後
に、前記基板のうち少なくとも一枚の基板表面を、エッ
チングして薄くする工程を有することを特徴とする。
【0008】この製造方法により、走査配線や信号配線
を形成する時点では、膜の応力や熱による反りに十分耐
えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄く・軽い平
面型表示装置を製造することができる。
を形成する時点では、膜の応力や熱による反りに十分耐
えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄く・軽い平
面型表示装置を製造することができる。
【0009】また、前記エッチング工程を、一対の基板
を貼合わせた後行っても良い。
を貼合わせた後行っても良い。
【0010】この製造方法により、プロセスを短縮する
ことができるだけでなく、貼合わせ時にも基板強度を持
たすことができる。
ことができるだけでなく、貼合わせ時にも基板強度を持
たすことができる。
【0011】また、1対のマザー基板間に、少なくとも
互いに交差する複数本の走査配線と信号配線とを、有す
る複数個の平面型表示装置を形成した後、分断して個々
の平面型表示装置にする平面型表示装置の製造方法で
は、1対のマザー基板を貼合わせた後でエッチングして
基板を薄くし、分断して個々の平面型表示装置にするこ
とを特徴とする。
互いに交差する複数本の走査配線と信号配線とを、有す
る複数個の平面型表示装置を形成した後、分断して個々
の平面型表示装置にする平面型表示装置の製造方法で
は、1対のマザー基板を貼合わせた後でエッチングして
基板を薄くし、分断して個々の平面型表示装置にするこ
とを特徴とする。
【0012】この製造方法により、走査配線や信号配
線、駆動素子を形成する時点では膜の応力や熱による反
りに十分耐えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄
く・軽い平面型表示装置を製造することができる。この
とき、同時にマザーガラスの大きさに合わせて、その大
きさに耐えうるだけの厚さにマザーガラスの厚さを決め
ることが出来るので、マザーガラスのより一層の大型化
を実現することが可能となり、平面型表示装置のコスト
ダウンが可能となる。
線、駆動素子を形成する時点では膜の応力や熱による反
りに十分耐えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄
く・軽い平面型表示装置を製造することができる。この
とき、同時にマザーガラスの大きさに合わせて、その大
きさに耐えうるだけの厚さにマザーガラスの厚さを決め
ることが出来るので、マザーガラスのより一層の大型化
を実現することが可能となり、平面型表示装置のコスト
ダウンが可能となる。
【0013】また、前記エッチング工程の際に、前記1
対の基板間で、外部回路接続端子を保護していても良
い。
対の基板間で、外部回路接続端子を保護していても良
い。
【0014】これにより、外部回路接続端子をレジスト
などで保護する必要が無くなり、プロセスを短縮するこ
とができる。
などで保護する必要が無くなり、プロセスを短縮するこ
とができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を使用し説明する。また、従来と同じ部分には同じ符号
を付して説明を簡略化する。 (実施形態1)本発明の実施形態1を、図1から図3を
用いて行う。図1に、TFT(薄膜トランジスタ)基板
の1画素部分の平面図を、図2に図1A−A間断面図を
示す。まず、TFT基板15は、ガラス、プラスチック
などの基板上に、アルミ、タンタルなどで走査配線とし
てゲート配線1、補助容量形成のためのCs配線4、チ
ッ化シリコンなどでゲート絶縁膜6を間に介して、アル
ミ、タンタル、ITOなどで信号配線としてソース配線
2がそれぞれ交差するように形成されている。そして、
透過型の場合ITO等の透明導電膜で、反射型の場合ア
ルミなどで画素電極5が形成され、マトリクス状に配列
されており、これら各画素電極の近傍にそれぞれゲート
配線1、ソース配線2および画素電極5に接続されたT
FT3が配置されている。これらは、導電膜や絶縁膜を
成膜した後、フォトリソ工程、エッチング工程でパター
ニングすることにより形成される(図2(a))。そし
て、図示しない配向膜を必要に応じて形成する。ここま
では、従来と同じ様に形成される。
を使用し説明する。また、従来と同じ部分には同じ符号
を付して説明を簡略化する。 (実施形態1)本発明の実施形態1を、図1から図3を
用いて行う。図1に、TFT(薄膜トランジスタ)基板
の1画素部分の平面図を、図2に図1A−A間断面図を
示す。まず、TFT基板15は、ガラス、プラスチック
などの基板上に、アルミ、タンタルなどで走査配線とし
てゲート配線1、補助容量形成のためのCs配線4、チ
ッ化シリコンなどでゲート絶縁膜6を間に介して、アル
ミ、タンタル、ITOなどで信号配線としてソース配線
2がそれぞれ交差するように形成されている。そして、
透過型の場合ITO等の透明導電膜で、反射型の場合ア
ルミなどで画素電極5が形成され、マトリクス状に配列
されており、これら各画素電極の近傍にそれぞれゲート
配線1、ソース配線2および画素電極5に接続されたT
FT3が配置されている。これらは、導電膜や絶縁膜を
成膜した後、フォトリソ工程、エッチング工程でパター
ニングすることにより形成される(図2(a))。そし
て、図示しない配向膜を必要に応じて形成する。ここま
では、従来と同じ様に形成される。
【0016】次に、ゲート配線1、ソース配線2、TF
T3等を保護するようにレジスト7等で覆う(図2
(b))。その後、エッチングを行ってTFT基板15
の裏面(レジストで覆われていない側)を薄くし、レジ
スト7を剥離する(図2(c))。例えば、基板15と
してガラスを用い、ウェットエッチングする場合、エッ
チング液として、フッ酸(HF)、塩酸(HCl)、硫
酸等の酸や、水酸化ナトリウム(NaOH)等のアルカ
リ性の液を単独、若しくは、それらの混合液を使用する
ことができる。もちろん、1回のエッチングで完了させ
るのではなく、2回以上に分けて行うこともできる。例
えば、最初のエッチング液として濃度の濃い塩酸を使用
し、2回目のエッチングとして薄めた塩酸とフッ酸の混
合液を用いる。
T3等を保護するようにレジスト7等で覆う(図2
(b))。その後、エッチングを行ってTFT基板15
の裏面(レジストで覆われていない側)を薄くし、レジ
スト7を剥離する(図2(c))。例えば、基板15と
してガラスを用い、ウェットエッチングする場合、エッ
チング液として、フッ酸(HF)、塩酸(HCl)、硫
酸等の酸や、水酸化ナトリウム(NaOH)等のアルカ
リ性の液を単独、若しくは、それらの混合液を使用する
ことができる。もちろん、1回のエッチングで完了させ
るのではなく、2回以上に分けて行うこともできる。例
えば、最初のエッチング液として濃度の濃い塩酸を使用
し、2回目のエッチングとして薄めた塩酸とフッ酸の混
合液を用いる。
【0017】このとき、透過型の液晶表示装置など透過
光を使用する場合は、表示側となる一方基板(図3の1
6)及び、表示側でない他方基板(図3の15)のどち
ら側に使用する場合でも、また、反射型液晶表示装置や
プラズマディスプレイなどでは表示側基板(図3の1
6)に使用する場合、基板の光散乱特性を見て分るほど
変えないようにすることが望ましい。光の散乱は、曇り
(磨りガラス状態)が目に見えないよう1.0%未満、
好ましくは0.5%未満が望ましい。ここで、レジスト
7はTFT基板15と選択エッチングができることが望
ましいが、例えばTFT基板15としてプラスチックを
使用した場合、材料の選択によって選択エッチングがで
きない事があるが、その場合はレジストを厚く形成し、
配線やTFT3を保護できるようにする。また、TFT
基板15と選択エッチングできるような材料を、配線や
TFT3を保護するように成膜し、TFT基板15をエ
ッチングした後、除去しても良い。また、配向膜を設
け、配向膜が保護膜として利用できる場合は、レジスト
7などの保護膜形成のための工程は必要ない。
光を使用する場合は、表示側となる一方基板(図3の1
6)及び、表示側でない他方基板(図3の15)のどち
ら側に使用する場合でも、また、反射型液晶表示装置や
プラズマディスプレイなどでは表示側基板(図3の1
6)に使用する場合、基板の光散乱特性を見て分るほど
変えないようにすることが望ましい。光の散乱は、曇り
(磨りガラス状態)が目に見えないよう1.0%未満、
好ましくは0.5%未満が望ましい。ここで、レジスト
7はTFT基板15と選択エッチングができることが望
ましいが、例えばTFT基板15としてプラスチックを
使用した場合、材料の選択によって選択エッチングがで
きない事があるが、その場合はレジストを厚く形成し、
配線やTFT3を保護できるようにする。また、TFT
基板15と選択エッチングできるような材料を、配線や
TFT3を保護するように成膜し、TFT基板15をエ
ッチングした後、除去しても良い。また、配向膜を設
け、配向膜が保護膜として利用できる場合は、レジスト
7などの保護膜形成のための工程は必要ない。
【0018】そして、図3に示すように、TFT基板1
5と、図示しない対向電極やカラーフィルターなどを設
けた対向基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を一
定にし、液晶12をシール材14で封入してTFT型液
晶表示装置が形成される。これにより、例えばTFT基
板15として1.1mm厚のガラス基板を使用し、エッ
チングで0.7mm厚にし、対向基板16として1.1
mm厚のガラス基板を使用した場合、従来に比べて約2
0%の薄型化、軽量化を実現できる(なお、従来は1.
1mm厚のガラス基板2枚使用として計算。以下、後の
実施形態も同条件で計算)。
5と、図示しない対向電極やカラーフィルターなどを設
けた対向基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を一
定にし、液晶12をシール材14で封入してTFT型液
晶表示装置が形成される。これにより、例えばTFT基
板15として1.1mm厚のガラス基板を使用し、エッ
チングで0.7mm厚にし、対向基板16として1.1
mm厚のガラス基板を使用した場合、従来に比べて約2
0%の薄型化、軽量化を実現できる(なお、従来は1.
1mm厚のガラス基板2枚使用として計算。以下、後の
実施形態も同条件で計算)。
【0019】(実施形態2)本実施形態では、上記実施
形態1の基板のエッチング工程を、濃度の高いエッチン
グ液を使用した後、光の散乱を抑えるために、基板表面
を研磨した。この様に、最後に表面研磨を行うと光の散
乱を抑えることができ、表示品位が向上する。もちろ
ん、最初から研磨で薄くしても良いが、時間がかかるた
め、プロセス短縮を図るので有れば、エッチング後に研
磨を行うことが好ましい。ただし、TFTなどの静電気
に弱い素子を基板上に作成している場合、アースをとる
など静電気対策を行っておく必要がある。
形態1の基板のエッチング工程を、濃度の高いエッチン
グ液を使用した後、光の散乱を抑えるために、基板表面
を研磨した。この様に、最後に表面研磨を行うと光の散
乱を抑えることができ、表示品位が向上する。もちろ
ん、最初から研磨で薄くしても良いが、時間がかかるた
め、プロセス短縮を図るので有れば、エッチング後に研
磨を行うことが好ましい。ただし、TFTなどの静電気
に弱い素子を基板上に作成している場合、アースをとる
など静電気対策を行っておく必要がある。
【0020】(実施形態3)本発明の実施形態3を図4
から図6を用いて説明する。なお、実施形態1と同じ箇
所には、同じ符号を付して説明を省略する。図4に、対
向基板16の1画素部分の平面図を、図5に図4B−B
間断面図を示す。まず、基板16にクロム、酸化クロ
ム、樹脂などで遮光膜10を、R、G、B等のカラーフ
ィルター9を、ITOなどで対向電極8を、図示しない
配向膜を必要に応じて各々形成する(図5(a))。
から図6を用いて説明する。なお、実施形態1と同じ箇
所には、同じ符号を付して説明を省略する。図4に、対
向基板16の1画素部分の平面図を、図5に図4B−B
間断面図を示す。まず、基板16にクロム、酸化クロ
ム、樹脂などで遮光膜10を、R、G、B等のカラーフ
ィルター9を、ITOなどで対向電極8を、図示しない
配向膜を必要に応じて各々形成する(図5(a))。
【0021】次に、上記カラーフィルター9、対向電極
8等を保護するようにレジスト7等で覆う(図5
(b))。その後、実施形態1、2で説明したようにエ
ッチングを行って、対向基板16の裏面(レジストで覆
われていない側)を薄くし、レジスト7を剥離する(図
5(c))。
8等を保護するようにレジスト7等で覆う(図5
(b))。その後、実施形態1、2で説明したようにエ
ッチングを行って、対向基板16の裏面(レジストで覆
われていない側)を薄くし、レジスト7を剥離する(図
5(c))。
【0022】そして、図6に示すように、TFT基板1
5と、対向基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を
一定にし、液晶12をシール材14で封入してTFT型
液晶表示装置が形成される。これにより、例えば対向基
板16として1.1mm厚のガラス基板を使用し、エッ
チングで0.5mm厚にし、TFT基板15として1.
1mm厚のガラス基板を使用した場合、従来に比べて約
30%の薄型化、軽量化を実現できる。
5と、対向基板16を貼合わせ、スペーサ13で間隙を
一定にし、液晶12をシール材14で封入してTFT型
液晶表示装置が形成される。これにより、例えば対向基
板16として1.1mm厚のガラス基板を使用し、エッ
チングで0.5mm厚にし、TFT基板15として1.
1mm厚のガラス基板を使用した場合、従来に比べて約
30%の薄型化、軽量化を実現できる。
【0023】(実施形態4)本実施形態は、上記実施形
態1から実施形態3で説明したような基板1枚だけを薄
くするのでなく、TFT基板15及び対向基板16の両
基板を薄くし貼合わせる。具体的には、TFT側基板1
5と対向基板16の両基板として1.1mm厚のガラス
基板を使用し、実施形態1から3で説明したように、エ
ッチングで両基板とも0.7mm厚にする。その場合、
従来に比べて約40%の薄型化・軽量化を実現できる。
態1から実施形態3で説明したような基板1枚だけを薄
くするのでなく、TFT基板15及び対向基板16の両
基板を薄くし貼合わせる。具体的には、TFT側基板1
5と対向基板16の両基板として1.1mm厚のガラス
基板を使用し、実施形態1から3で説明したように、エ
ッチングで両基板とも0.7mm厚にする。その場合、
従来に比べて約40%の薄型化・軽量化を実現できる。
【0024】(実施形態5)本発明の実施形態5を図7
を用いて説明する。なお、実施形態1から4と同じ箇所
には、同じ符号を付して説明を省略する。まず実施形態
1から4と同じように、まず、TFT基板15として、
ガラスなどの基板上に、図示しないゲート配線、ソース
配線、TFT及び画素電極等を各々形成する。そして、
対向基板16として、ガラスなどの基板上に、図示しな
い遮光膜、カラーフィルター、対向電極等を形成する。
その後、TFT基板15と対向基板16を貼合わせ、ス
ペーサ13で間隙を一定にし、液晶12をシール材14
で封入する(図7(a))。そして、外部回路接続端子
11をレジスト7等で保護する(図7(b))。その
後、TFT基板15及び対向基板16のエッチングを行
って両基板の表面を薄くし、レジスト7を剥離する(図
7(c))。
を用いて説明する。なお、実施形態1から4と同じ箇所
には、同じ符号を付して説明を省略する。まず実施形態
1から4と同じように、まず、TFT基板15として、
ガラスなどの基板上に、図示しないゲート配線、ソース
配線、TFT及び画素電極等を各々形成する。そして、
対向基板16として、ガラスなどの基板上に、図示しな
い遮光膜、カラーフィルター、対向電極等を形成する。
その後、TFT基板15と対向基板16を貼合わせ、ス
ペーサ13で間隙を一定にし、液晶12をシール材14
で封入する(図7(a))。そして、外部回路接続端子
11をレジスト7等で保護する(図7(b))。その
後、TFT基板15及び対向基板16のエッチングを行
って両基板の表面を薄くし、レジスト7を剥離する(図
7(c))。
【0025】この様な製造工程にすれば、TFT基板1
5とカラーフィルター基板16のエッチングを同時に行
えるため、工程の増加を最小限に抑えることができる。
5とカラーフィルター基板16のエッチングを同時に行
えるため、工程の増加を最小限に抑えることができる。
【0026】(実施形態6)本発明の実施形態6を図8
を用いて行う。なお、実施形態1から5と同じ箇所に
は、同じ符号を付して説明を省略する。一般的に、TF
T型液晶表示装置など平面表示装置では、1枚の大型基
板(以下、マザー基板と呼ぶ)から複数個の表示装置用
基板を作成する多面取りと呼ばれる技術を用いて製造さ
れているが、本実施形態は、上記多面取りに適用できる
ものである。
を用いて行う。なお、実施形態1から5と同じ箇所に
は、同じ符号を付して説明を省略する。一般的に、TF
T型液晶表示装置など平面表示装置では、1枚の大型基
板(以下、マザー基板と呼ぶ)から複数個の表示装置用
基板を作成する多面取りと呼ばれる技術を用いて製造さ
れているが、本実施形態は、上記多面取りに適用できる
ものである。
【0027】まず実施形態1から5と同じように、ま
ず、マザーTFT基板17として、ガラスなどの基板上
に、図示しないゲート配線、ソース配線、TFT及び画
素電極等をそれぞれ形成する。そして、マザー対向基板
18として、ガラスなどの基板上に、図示しない遮光
膜、カラーフィルター、対向電極等を形成する。その
後、マザーTFT基板17とマザー対向基板18とを貼
合わせ、スペーサ13で間隙を一定にし、液晶12をシ
ール材14で封入する(図8(a))。このとき図8
(a)に示すように、1組の基板で、複数個のTFT型
液晶表示装置を形成する。そして、マザーTFT基板1
7及びマザー対向基板18のエッチングを行って基板表
面を薄くする(図8(b))。その後、分断を行い個々
のTFT型液晶表示装置にする(図示せず)。
ず、マザーTFT基板17として、ガラスなどの基板上
に、図示しないゲート配線、ソース配線、TFT及び画
素電極等をそれぞれ形成する。そして、マザー対向基板
18として、ガラスなどの基板上に、図示しない遮光
膜、カラーフィルター、対向電極等を形成する。その
後、マザーTFT基板17とマザー対向基板18とを貼
合わせ、スペーサ13で間隙を一定にし、液晶12をシ
ール材14で封入する(図8(a))。このとき図8
(a)に示すように、1組の基板で、複数個のTFT型
液晶表示装置を形成する。そして、マザーTFT基板1
7及びマザー対向基板18のエッチングを行って基板表
面を薄くする(図8(b))。その後、分断を行い個々
のTFT型液晶表示装置にする(図示せず)。
【0028】この様な製造工程にすれば、配線やTF
T、カラーフィルターや対向電極だけでなく、外部回路
接続端子11も基板で覆われているので、レジストなど
で保護する必要はない。そのため、レジスト形成・剥離
工程が必要なくなる。また、マザーTFT基板17とマ
ザー対向基板18のエッチングを同時に行えるため、工
程の増加を最小限に抑えることができる。
T、カラーフィルターや対向電極だけでなく、外部回路
接続端子11も基板で覆われているので、レジストなど
で保護する必要はない。そのため、レジスト形成・剥離
工程が必要なくなる。また、マザーTFT基板17とマ
ザー対向基板18のエッチングを同時に行えるため、工
程の増加を最小限に抑えることができる。
【0029】以上、図面を用いて実施形態の説明を行っ
たが、本発明は上記実施形態に限定されるものではな
く、例えば、エッチング方法として、ウェットエッチン
グ方式で説明したが、HFガスやCH4ガスなどを用い
たドライエッチング方式で行っても良い。また、TFT
型液晶表示装置を例に説明を行ったが、これに限らず単
純マトリクス型液晶表示装置や、プラズマ表示装置、エ
レクトロルミネッセンス表示装置にも適用できる。
たが、本発明は上記実施形態に限定されるものではな
く、例えば、エッチング方法として、ウェットエッチン
グ方式で説明したが、HFガスやCH4ガスなどを用い
たドライエッチング方式で行っても良い。また、TFT
型液晶表示装置を例に説明を行ったが、これに限らず単
純マトリクス型液晶表示装置や、プラズマ表示装置、エ
レクトロルミネッセンス表示装置にも適用できる。
【0030】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の平面型
表示装置の製造方法によると、1対の基板間に、互いに
交差する複数本の走査配線と信号配線を、少なくとも有
し、基板上に配線やスイッチング素子を形成した後に、
前記基板の少なくとも一方を、エッチングして薄くする
工程を有することにより、走査配線や信号配線、駆動素
子を形成する時点では膜の応力や熱による反りに十分耐
えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄く・軽い平
面型表示装置を製造することができる。
表示装置の製造方法によると、1対の基板間に、互いに
交差する複数本の走査配線と信号配線を、少なくとも有
し、基板上に配線やスイッチング素子を形成した後に、
前記基板の少なくとも一方を、エッチングして薄くする
工程を有することにより、走査配線や信号配線、駆動素
子を形成する時点では膜の応力や熱による反りに十分耐
えうるだけの厚みを持った基板を用いて、薄く・軽い平
面型表示装置を製造することができる。
【0031】また、本発明をアクティブマトリクス型液
晶表示装置に適用した場合、製造工程が複雑で膜の応力
や熱による反りの大きいアクティブマトリクス型液晶表
示装置を、薄くて軽量にすることができる。
晶表示装置に適用した場合、製造工程が複雑で膜の応力
や熱による反りの大きいアクティブマトリクス型液晶表
示装置を、薄くて軽量にすることができる。
【0032】また、前記エッチング工程を、一対の基板
を貼合わせた後行うことにより、プロセスを短縮するこ
とができるだけでなく、貼合わせ時にも基板強度を持た
すことができる。
を貼合わせた後行うことにより、プロセスを短縮するこ
とができるだけでなく、貼合わせ時にも基板強度を持た
すことができる。
【0033】また、1対の基板間に、互いに交差する複
数本の走査配線と信号配線を、少なくとも有する複数個
の平面型表示装置を形成し、分断して個々の平面型表示
装置にする平面型表示装置の製造方法では、1対の基板
を貼合わせた後、エッチングして基板を薄くし、分断し
て個々の平面型表示装置にすることにより、走査配線や
信号配線、駆動素子を形成する時点では膜の応力や熱に
よる反りに十分耐えうるだけの厚みを持った基板を用い
て、薄く・軽い平面型表示装置を製造することができ
る。このとき、同時にマザーガラスの大きさに合わせ
て、その大きさに耐えうるだけの厚さにマザーガラスの
厚さを決めることが出来るので、マザーガラスのより一
層の大型化を実現することが可能となり、平面型表示装
置のコストダウンが可能となる。
数本の走査配線と信号配線を、少なくとも有する複数個
の平面型表示装置を形成し、分断して個々の平面型表示
装置にする平面型表示装置の製造方法では、1対の基板
を貼合わせた後、エッチングして基板を薄くし、分断し
て個々の平面型表示装置にすることにより、走査配線や
信号配線、駆動素子を形成する時点では膜の応力や熱に
よる反りに十分耐えうるだけの厚みを持った基板を用い
て、薄く・軽い平面型表示装置を製造することができ
る。このとき、同時にマザーガラスの大きさに合わせ
て、その大きさに耐えうるだけの厚さにマザーガラスの
厚さを決めることが出来るので、マザーガラスのより一
層の大型化を実現することが可能となり、平面型表示装
置のコストダウンが可能となる。
【0034】また、前記エッチング工程の際に、前記1
対の基板間で、外部回路接続端子を保護していることに
より、外部回路接続端子をレジストなどで保護する必要
が無くなり、プロセスを短縮することができる。
対の基板間で、外部回路接続端子を保護していることに
より、外部回路接続端子をレジストなどで保護する必要
が無くなり、プロセスを短縮することができる。
【図1】本発明の、実施形態1のTFT基板の、1画素
部分の平面図である。
部分の平面図である。
【図2】図1のA−A間断面図で、実施形態1の製造方
法説明図である。
法説明図である。
【図3】本発明の、実施形態1のTFT型液晶表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図4】本発明の、実施形態3のアクティブマトリクス
基板の、1画素部分の平面図である。
基板の、1画素部分の平面図である。
【図5】図4のB−B間断面図で、実施形態3の製造方
法説明図である。
法説明図である。
【図6】本発明の、実施形態3のTFT型液晶表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図7】本発明の、実施形態5のTFT型液晶表示装置
の製造方法説明図である。
の製造方法説明図である。
【図8】本発明の、実施形態6のTFT型液晶表示装置
の製造方法説明図である。
の製造方法説明図である。
1 ゲート配線 2 ソース配線 3 薄膜トランジスタ(TFT) 5 画素電極 6 ゲート絶縁膜 7 レジスト 15 TFT基板 16 対向基板 17 マザーTFT基板 18 マザー対向基板
Claims (4)
- 【請求項1】 1対の基板間に、少なくとも互いに交差
する複数本の走査配線と信号配線とを、有する平面型表
示装置の製造方法において、 少なくとも基板上に配線を形成した後に、前記基板のう
ち少なくとも一枚の基板表面を、エッチングして薄くす
る工程を有することを特徴とする平面型表示装置の製造
方法。 - 【請求項2】 前記エッチング工程を、一対の基板を貼
合わせた後行うことを特徴とする請求項1に記載の平面
型表示装置の製造方法。 - 【請求項3】 1対のマザー基板間に、少なくとも互い
に交差する複数本の走査配線と信号配線とを、有する複
数個の平面型表示装置を形成した後、分断して個々の平
面型表示装置にする平面型表示装置の製造方法におい
て、 1対のマザー基板を貼合わせた後でエッチングして基板
を薄くし、分断して個々の平面型表示装置にすることを
特徴とする平面型表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記エッチング工程の際に、前記1対の
基板間で、外部回路接続端子を保護していることを特徴
とする請求項3に記載の平面型表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16260096A JPH1010505A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 平面型表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16260096A JPH1010505A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 平面型表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1010505A true JPH1010505A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15757679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16260096A Pending JPH1010505A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 平面型表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1010505A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024530A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
KR100529573B1 (ko) * | 1998-07-16 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 초박형 기판의 제조 방법 |
US7182877B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2011170485A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Sony Corp | 電気的固体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16260096A patent/JPH1010505A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100529573B1 (ko) * | 1998-07-16 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 초박형 기판의 제조 방법 |
US7182877B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2006024530A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2011170485A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Sony Corp | 電気的固体装置の製造方法 |
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