JPH10102041A - Processing auxiliary composition, abrasive composition and surface processing - Google Patents
Processing auxiliary composition, abrasive composition and surface processingInfo
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- JPH10102041A JPH10102041A JP25719896A JP25719896A JPH10102041A JP H10102041 A JPH10102041 A JP H10102041A JP 25719896 A JP25719896 A JP 25719896A JP 25719896 A JP25719896 A JP 25719896A JP H10102041 A JPH10102041 A JP H10102041A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板、特に磁気デ
ィスク用基板やレンズ、セラミックス素材等の表面加工
に有用な加工用助剤組成物、研磨材組成物及び表面加工
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing aid composition, an abrasive composition and a surface processing method useful for processing the surface of a substrate, especially a substrate for a magnetic disk, a lens, a ceramic material or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ガラス
素材、カーボン素材、及びセラミックス素材のような脆
性材料からなる材料の表面研磨は、一般にサブミクロン
から数１０ミクロンサイズのダイヤモンドやアルミナ、
ＳｉＣなどの研磨砥粒を水中に分散させた研磨材組成物
を用いて行われている（特開昭５４−８９３８９号公
報、特開平１−２０５９７３号公報等）。2. Description of the Related Art Surface polishing of a brittle material such as a glass material, a carbon material, and a ceramic material is generally performed using diamond or alumina having a size of submicron to several tens of micron.
It is performed using an abrasive composition in which abrasive grains such as SiC are dispersed in water (JP-A-54-89389, JP-A-1-205973, etc.).
【０００３】しかし従来の研磨材組成物を用いた表面研
磨では、昨今の高品位表面に対する要求や低コストの要
求に応えるには不十分であった。例えば、従来の研磨材
組成物においては、研磨材組成物中での研磨砥粒の分散
性や加工屑（研削や研磨により発生した微粉）の分散除
去・再付着防止が不十分なために、被加工物の表面にピ
ットやスクラッチ等の表面欠陥が生じたり、また、研磨
速度が上げられず低コスト化に限界があった。However, conventional surface polishing using an abrasive composition has been insufficient to meet the recent demand for high-quality surfaces and low cost. For example, in the conventional abrasive composition, because the dispersibility of the abrasive grains in the abrasive composition and the dispersion removal and prevention of re-adhesion of the processing dust (fine powder generated by grinding and polishing) are insufficient. Surface defects such as pits and scratches occur on the surface of the workpiece, and the polishing rate cannot be increased, so that there is a limit to cost reduction.
【０００４】従って、本発明の目的は、被加工物の表
面、特に脆性材料からなる被加工物の表面に表面欠陥を
生じさせること無く高速度で表面加工し得る加工用助剤
組成物、研磨材組成物及び表面加工方法を提供すること
にある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a processing aid composition capable of processing a surface at a high speed without causing surface defects on the surface of a workpiece, particularly the surface of a workpiece made of a brittle material, and a polishing agent. An object of the present invention is to provide a material composition and a surface processing method.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、加工用助剤として特定の有機高分子を用いるこ
とにより上記目的を達成し得ることを知見した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above object can be achieved by using a specific organic polymer as a processing aid.
【０００６】本発明は上記知見に基づきなされたもの
で、少なくとも加工用助剤と水とを含む加工用助剤組成
物において、上記加工用助剤が水溶性又は水分散性の有
機高分子からなり、該有機高分子は、１個以上の水酸基
を持つ芳香族基を分子量５００単位当たりに１個以上有
し、且つその主鎖中に重合性のビニル系単量体から誘導
される２価の基、又は−Ａｒ−ＣＨ2 −（Ａｒは官能基
で置換されていてもよいフェニレン基を表す）で表され
る基を含むことを特徴とする加工用助剤組成物を提供す
ることにより上記目的を達成したものである。The present invention has been made based on the above findings. In a processing aid composition comprising at least a processing aid and water, the processing aid comprises a water-soluble or water-dispersible organic polymer. The organic polymer has at least one aromatic group having at least one hydroxyl group per 500 units of molecular weight, and has a divalent group derived from a polymerizable vinyl monomer in its main chain. Or a group represented by —Ar—CH 2 — (Ar represents a phenylene group which may be substituted with a functional group). The above object has been achieved.
【０００７】また、本発明は、上記加工用助剤組成物と
研磨材とからなり、該研磨材の含有量が０．０１〜３０
重量％であることを特徴とする研磨材組成物を提供する
ものである。Further, the present invention comprises the above-mentioned processing aid composition and an abrasive, wherein the content of the abrasive is 0.01 to 30.
% By weight.
【０００８】また、本発明は、上記加工用助剤組成物を
被加工物の表面に接触させ、これと同時に砥石又は砥粒
を該被加工物の表面に押し付けることを特徴とする表面
加工方法を提供するものである。Further, the present invention provides a surface processing method, wherein the processing aid composition is brought into contact with the surface of a workpiece, and at the same time, a grindstone or an abrasive is pressed against the surface of the workpiece. Is provided.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】まず、本発明の加工用助剤組成物
について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the processing aid composition of the present invention will be described.
【００１０】上述の通り、本発明の加工用助剤組成物
は、加工用助剤と水とを必須成分とするものである。[0010] As described above, the processing aid composition of the present invention comprises a processing aid and water as essential components.
【００１１】本発明の加工用助剤組成物に使用される上
記加工用助剤としては、水溶性又は水分散性の有機高分
子であって、１個以上の水酸基を持つ芳香族基を分子量
５００単位当たりに１個以上有し、且つその主鎖中に重
合性のビニル系単量体から誘導される２価の基、又は−
Ａｒ−ＣＨ2 −（Ａｒは上述の通り）で表される基を含
む有機高分子が用いられる。The processing aid used in the processing aid composition of the present invention is a water-soluble or water-dispersible organic polymer having an aromatic group having at least one hydroxyl group having a molecular weight of at least one. A divalent group having one or more per 500 units and derived from a polymerizable vinyl monomer in its main chain, or
Ar-CH 2 - (Ar is as defined above) an organic polymer containing a group represented by is used.
【００１２】上記有機高分子について詳述すると、該有
機高分子は、上述の通り１個以上の水酸基を持つ芳香族
基を分子量５００単位当たりに１個以上有し、好ましく
は１．５〜１０個有し、更に好ましくは２〜４個有す
る。該芳香族基の数が分子量５００単位当たりに１個未
満であると、研磨材や加工屑の分散性が低下したり、あ
るいは加工屑が研磨材の表面や、研磨パッド、定盤へ再
付着しやすくなり、加工速度の低下を招いてしまう。The above-mentioned organic polymer will be described in detail. The organic polymer has at least one aromatic group having at least one hydroxyl group per 500 units of molecular weight as described above, And more preferably 2 to 4. When the number of the aromatic groups is less than 1 per 500 units of molecular weight, the dispersibility of the abrasive and the processing chips is reduced, or the processing chips are reattached to the surface of the abrasive, the polishing pad, and the platen. And the processing speed is reduced.
【００１３】上記有機高分子は、極性基を有しているこ
とが、研磨材及び加工屑の分散性の向上、及び、金属定
盤の防錆性の点から好ましい。該極性基の数は、分子量
５００単位当たりに平均０．１〜５個であることが好ま
しく、１〜３個であることが更に好ましい。上記極性基
としては、極性を有するものであれば特に制限は無い
が、好ましくはスルホン基、カルボキシル基、リン酸
基、亜リン酸基、ホスホン酸基、亜ホスホン酸基、ホス
フィン基、亜ホスフィン基、第３級アミノ基、第４級ア
ンモニウム塩基、又はニトロ基が用いられ、特に好まし
くはスルホン基、カルボキシル基が用いられる。これら
の極性基は単独で又は二種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。It is preferable that the organic polymer has a polar group from the viewpoint of improving the dispersibility of the abrasive and the processing dust and the rust prevention of the metal platen. The number of the polar groups is preferably from 0.1 to 5 on average per 500 units of molecular weight, more preferably from 1 to 3. The polar group is not particularly limited as long as it has polarity, but is preferably a sulfone group, a carboxyl group, a phosphate group, a phosphite group, a phosphonate group, a phosphonite group, a phosphine group, or a phosphine group. Groups, tertiary amino groups, quaternary ammonium bases, or nitro groups, and particularly preferably, sulfone groups and carboxyl groups. These polar groups can be used alone or in combination of two or more.
【００１４】上記有機高分子が、その主鎖中に重合性の
ビニル系単量体（即ちＣ＝Ｃ結合を有する重合性の単量
体）から誘導される２価の基を有する場合、該有機高分
子は該ビニル系単量体のホモポリマーでもよく或いはコ
ポリマーでもよい。この種の有機高分子として好ましく
用いられるものはヒドロキシスチレン系重合体又はその
誘導体（以下、「ヒドロキシスチレン系重合体類」とい
う）である。該ヒドロキシスチレン系重合体類は、その
重量平均分子量が１０００〜１００万であることが好ま
しく、１５００〜５万であることが更に好ましく、２０
００〜２万であることが一層好ましい。該重量平均分子
量が１０００に満たないと研磨材や加工屑の分散性が低
下して、加工速度の低下を招き、１００万を超えると水
溶性に乏しくなり、加工用助剤としての機能が著しく低
下するので上記範囲内とすることが好ましい。When the organic polymer has a divalent group derived from a polymerizable vinyl monomer (ie, a polymerizable monomer having a C ＝ C bond) in its main chain, The organic polymer may be a homopolymer or a copolymer of the vinyl monomer. A polymer preferably used as this kind of organic polymer is a hydroxystyrene-based polymer or a derivative thereof (hereinafter, referred to as “hydroxystyrene-based polymers”). The hydroxystyrene-based polymers preferably have a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, more preferably 1500 to 50,000, and more preferably 20 to 50,000.
More preferably, it is in the range of 00 to 20,000. If the weight average molecular weight is less than 1,000, the dispersibility of the abrasive and the processing dust is reduced, and the processing speed is reduced. If the weight average molecular weight is more than 1,000,000, the water solubility is poor, and the function as a processing aid is remarkable. It is preferable that the content be within the above range because the content is reduced.
【００１５】特に、上記ヒドロキシスチレン系重合体類
は下記一般式（Ａ）で表されることが好ましい。In particular, the hydroxystyrene polymers are preferably represented by the following general formula (A).
【化４】 Embedded image
【００１６】[0016]
【化５】 Embedded image
【００１７】上記一般式（Ａ）において、ｍ，ｎ，ｋ，
ｐはそれぞれ整数とは規定せず、ある一定の範囲の任意
の数（実数）である。重合体を構成する単量体について
考えるならば、ｋ、ｐは当然整数であり、構成単位のブ
ロックごとに考えるならば、ｍは整数であり、そして分
子ごとに考えるならば、ｎは整数である。しかしながら
重合体はその本質において、混合物であり、そして重合
体の性質はその混合物の性質としてとらえる方が、その
個々の構成単位を問題にするよりも正しい。従って、本
発明において、上記一般式（Ａ）は平均組成として表示
してある。In the general formula (A), m, n, k,
p is not defined as an integer, but is an arbitrary number (real number) within a certain range. When considering the monomers constituting the polymer, k and p are naturally integers, when considering each block of the structural unit, m is an integer, and when considering each molecule, n is an integer. is there. However, polymers are mixtures in nature, and it is more correct to consider the properties of a polymer as the properties of the mixture than to consider its individual building blocks. Therefore, in the present invention, the general formula (A) is represented as an average composition.
【００１８】上記一般式（Ａ）で表されるヒドロキシス
チレン系重合体類は、該一般式（Ａ）においてＹ及び／
又はＺで表されるような置換基を有するか又は有しない
ところの、ヒドロキシスチレン、イソプロペニルフェノ
ール（ヒドロキシ−α−メチルスチレン）、若しくはヒ
ドロキシ−α−エチルスチレン等のヒドロキシスチレン
系単量体の単独重合体；該ヒドロキシスチレン系単量体
同士の共重合体；又は該ヒドロキシスチレン系単量体と
他の重合性のビニル系単量体（Ｘ）との共重合体であり
得る。上記ヒドロキシスチレン系重合体類中の重合単位
であるヒドロキシスチレンやイソプロペニルフェノール
はオルト体、メタ体若しくはパラ体又はこれらの混合物
であってもよいが、特にパラ体又はメタ体であることが
好ましい。The hydroxystyrene-based polymers represented by the above general formula (A) can be obtained by adding Y and / or
Or a hydroxystyrene-based monomer such as hydroxystyrene, isopropenylphenol (hydroxy-α-methylstyrene), or hydroxy-α-ethylstyrene having or not having a substituent represented by Z. It may be a homopolymer; a copolymer of the hydroxystyrene-based monomers; or a copolymer of the hydroxystyrene-based monomer and another polymerizable vinyl-based monomer (X). The hydroxystyrene or isopropenylphenol which is a polymerization unit in the hydroxystyrene-based polymers may be in an ortho form, a meta form or a para form or a mixture thereof, but is particularly preferably a para form or a meta form. .
【００１９】上記一般式（Ａ）で表されるヒドロキシス
チレン系重合体類が共重合体である場合、他の重合性の
ビニル系単量体（Ｘ）の例としては、無水マレイン酸、
マレイン酸、アクリル酸、メチルメタクリレート、メタ
クリル酸、グリシジルメタクリレート、ヒドロキシエチ
ルメタクリレート、イタコン酸、アリルスルホン酸、ス
チレンスルホン酸、アクリルギンエチルフォスフェー
ト、アクリルアミド、２−アクリルアミド−２−メチル
プロパンスルホン酸、アクリロニトリル、マレイミド、
ビニルピリジン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エ
ステル、フマル酸エステルあるいは各種有機酸のビニル
エステルなどが挙げられる。この場合、上記ヒドロキシ
スチレン系単量体と、他の重合性のビニル系単量体
（Ｘ）との割合（前者／後者）は、モル比で１〜１０〜
２０／１であることが適当である。When the hydroxystyrene polymer represented by the general formula (A) is a copolymer, examples of other polymerizable vinyl monomers (X) include maleic anhydride,
Maleic acid, acrylic acid, methyl methacrylate, methacrylic acid, glycidyl methacrylate, hydroxyethyl methacrylate, itaconic acid, allyl sulfonic acid, styrene sulfonic acid, acrylgin ethyl phosphate, acrylamide, 2-acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, acrylonitrile , Maleimide,
Examples thereof include vinyl pyridine, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, fumaric acid ester and vinyl esters of various organic acids. In this case, the ratio of the hydroxystyrene monomer to the other polymerizable vinyl monomer (X) (former / latter) is 1 to 10 in molar ratio.
Suitably, it is 20/1.
【００２０】上記ヒドロキシスチレン系単量体における
置換基（Ｂ１）及び（Ｂ２）においては、Ｍで表される
アルカリ金属又はアルカリ土類金属としてＬｉ，Ｎａ，
Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等を用いることが適当であ
る。尚、上記ヒドロキシスチレン系単量体にスルホン基
を導入するには、発煙硫酸又は無水硫酸等をスルホン化
剤として用いる通常のスルホン化法を用いることができ
る。In the above-mentioned substituents (B1) and (B2) in the hydroxystyrene-based monomer, Li, Na,
It is appropriate to use K, Mg, Ca, Sr, Ba or the like. In order to introduce a sulfone group into the hydroxystyrene-based monomer, a usual sulfonation method using fuming sulfuric acid or sulfuric anhydride as a sulfonating agent can be used.
【００２１】上記ヒドロキシスチレン系単量体における
置換基（Ｂ５）及び（Ｂ６）においては、Ｒ4 、Ｒ5 及
びＲ6 は同一又は異なっていてもよく、炭素数１〜３６
の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基；ヒドロキシアルキル
基、アミノアルキル基、ホスホアルキル基、メルカプト
アルキル基等のアルキル誘導体基；又は炭素数１〜１６
の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたベンジル
基等の芳香族基から選択されることが好ましく、上記一
般式（Ａ）で表されるヒドロキシスチレン系重合体類が
水溶性又は水分散性でなくなるまでの鎖長の炭素鎖を有
するものである。またＲ4 とＲ5 とから環が形成されて
いてもよい。この場合、該環は、Ｒ4 及びＲ5 に含まれ
る原子団のみから形成されたものでもよく、或いはＲ4
及びＲ5に含まれる原子団と他の原子団（例えばＮ含有
原子団）とから形成されたもの（例えばイミダゾリン
環）でもよい。特に好ましくは、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ
6 は、同一又は異なっていてもよく、直鎖若しくは分岐
鎖アルキル基；ヒドロキシアルキル基；又は炭素数１〜
５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換された芳香族
基である。尚、上記ヒドロキシスチレン系重合体類に関
して、「水溶性」及び「水分散性」とは、本発明の組成
物を使用する温度において、該ヒドロキシスチレン系重
合体類を所定量配合して本発明の組成物を調製した場合
に、該ヒドロキシスチレン系重合体類が水中に溶解又は
分散する状態をいう。具体的には該ヒドロキシスチレン
系重合体類は０．０１重量％以上溶解することが好まし
い。In the substituents (B5) and (B6) in the hydroxystyrene monomer, R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and have 1 to 36 carbon atoms.
A linear or branched alkyl group; an alkyl derivative group such as a hydroxyalkyl group, an aminoalkyl group, a phosphoalkyl group, a mercaptoalkyl group;
Is preferably selected from aromatic groups such as a benzyl group substituted with a straight-chain or branched-chain alkyl group, and the hydroxystyrene-based polymers represented by the general formula (A) are water-soluble or water-dispersible. And has a carbon chain of a chain length until disappears. Further, a ring may be formed from R 4 and R 5 . In this case, the ring may be formed only from the atomic groups included in R 4 and R 5 , or R 4
And those formed from an atomic group contained in R 5 and another atomic group (eg, an N-containing atomic group) (eg, an imidazoline ring). Particularly preferably, R 4 , R 5 and R
6 may be the same or different, and may be a linear or branched alkyl group; a hydroxyalkyl group;
An aromatic group substituted with 5 linear or branched alkyl groups. As for the above hydroxystyrene-based polymers, the terms "water-soluble" and "water-dispersible" mean that the hydroxystyrene-based polymer is blended in a predetermined amount at a temperature at which the composition of the present invention is used. Refers to a state where the hydroxystyrene-based polymers are dissolved or dispersed in water when the composition is prepared. Specifically, it is preferable that the hydroxystyrene-based polymers be dissolved in an amount of 0.01% by weight or more.
【００２２】上記一般式（Ａ）で表されるヒドロキシス
チレン系重合体類の水溶性を向上させるためには、置換
基（Ｂ５）のアミン部分を有機酸又は無機酸で中和する
ことが好ましい。該有機酸又は無機酸としては、例えば
酢酸、クエン酸、シュウ酸、アスコルビン酸、フェニル
ホスホン酸、クロルメチルホスホン酸、モノ、ジ及びト
リクロル酢酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、リン酸、塩
酸、ホウ酸、硝酸、沸化水素酸、ヘキサフルオロケイ
酸、ヘキサフルオロチタン酸、ヘキサフルオロジルコニ
ウム酸が挙げられる。これらの酸は単独で又は二種以上
を組み合わせて用いてもよい。In order to improve the water solubility of the hydroxystyrene polymers represented by the general formula (A), it is preferable to neutralize the amine moiety of the substituent (B5) with an organic acid or an inorganic acid. . Examples of the organic acid or inorganic acid include acetic acid, citric acid, oxalic acid, ascorbic acid, phenylphosphonic acid, chloromethylphosphonic acid, mono-, di- and trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, boric acid, Examples include nitric acid, hydrofluoric acid, hexafluorosilicic acid, hexafluorotitanic acid, and hexafluorozirconic acid. These acids may be used alone or in combination of two or more.
【００２３】尚、置換基（Ｂ５）の導入は、例えばジア
ルキルアミンとホルムアルデヒドとを用いるマンニッヒ
反応により容易に行うことができる。また、置換基（Ｂ
６）の導入は、例えば置換基（Ｂ５）の第３級アミノ化
物とハロゲン化アルキルとのメンシュトキン反応により
容易に行うことができる。The substituent (B5) can be easily introduced by, for example, a Mannich reaction using a dialkylamine and formaldehyde. Further, the substituent (B
Introduction of 6) can be easily carried out, for example, by a Menshkin reaction between a tertiary aminated compound of the substituent (B5) and an alkyl halide.
【００２４】上記ヒドロキシスチレン系単量体における
置換基（Ｂ７）及び（Ｂ８）においては、Ｒ7 〜Ｒ10は
同一又は異なっていてもよく、Ｈ；炭素数１〜３６の直
鎖若しくは分岐鎖アルキル基；ヒドロキシアルキル基、
アミノアルキル基、メルカプトアルキル基、ホスホアル
キル基等のアルキル誘導体基；又は炭素数１〜１６の直
鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェニル基等
の芳香族基から選択されることが好ましく、上記一般式
（Ａ）で表されるヒドロキシスチレン系重合体類が水溶
性又は水分散性でなくなるまでの鎖長の炭素鎖を有する
ものである。特に好ましくは、Ｒ7 〜Ｒ13は同一又は異
なっていてもよく、炭素数１〜８の直鎖若しくは分岐鎖
アルキル基；ヒドロキシアルキル基；又は炭素数１〜５
の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換された芳香族基
である。In the substituents (B7) and (B8) in the hydroxystyrene-based monomer, R 7 to R 10 may be the same or different, and H is a straight or branched chain having 1 to 36 carbon atoms. Alkyl group; hydroxyalkyl group,
It is preferably selected from an alkyl derivative group such as an aminoalkyl group, a mercaptoalkyl group and a phosphoalkyl group; or an aromatic group such as a phenyl group substituted by a linear or branched alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, The hydroxystyrene-based polymer represented by the general formula (A) has a carbon chain having a chain length until the polymer is not water-soluble or water-dispersible. Particularly preferably, R 7 to R 13 may be the same or different, and may be a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms; a hydroxyalkyl group;
Is an aromatic group substituted with a linear or branched alkyl group.
【００２５】尚、置換基（Ｂ７）は、例えば特開昭５３
−７１１９０号公報に開示されているように、ヒドロキ
シスチレン系重合体をメチロール化した後にリン酸又は
リン酸エステル基導入体と反応させることによって得ら
れる。また、置換基（Ｂ８）は、例えば特開昭５３−４
７４８９号公報に開示されているように、ヒドロキシス
チレン系重合体をまずハロゲン化またはハロメチル化
し、それに３価のリン化合物を反応（アルブゾフ反応）
させ、ついでそれを熱転位させることによって得られ
る。The substituent (B7) is described, for example, in
As disclosed in JP-A-71190, it can be obtained by reacting a hydroxystyrene-based polymer with a phosphoric acid or phosphate ester group-introduced compound after converting it to methylol. The substituent (B8) is described, for example, in JP-A-53-4
As disclosed in Japanese Patent No. 7489, a hydroxystyrene-based polymer is first halogenated or halomethylated and then reacted with a trivalent phosphorus compound (Arbuzov reaction).
And then subjecting it to thermal rearrangement.
【００２６】上記ヒドロキシスチレン系単量体における
置換基（Ｂ９）は、例えば特開昭６１−３４４４４号公
報に開示されているように、ハロゲン化水素とホルムア
ルデヒドとを作用させてハロゲノメチル化（例えば−Ｃ
Ｈ2 Ｃｌ化）を行い、次いで３価の亜リン酸エステル類
を作用すれば容易に得られる。The substituent (B9) in the hydroxystyrene-based monomer can be halogenomethylated by reacting hydrogen halide with formaldehyde (for example, as disclosed in JP-A-61-34444). -C
(H 2 Cl conversion), followed by the action of trivalent phosphites.
【００２７】上記一般式（Ａ）で表されるヒドロキシス
チレン系重合体類の調製方法は、得られる重合体（有機
高分子）の加工用助剤としての機能を損なわない限り特
に制限されず、例えば特公平３−１９３１９号公報や特
公平３−５１７９９号公報に記載の方法等が挙げられ
る。The method for preparing the hydroxystyrene-based polymer represented by the general formula (A) is not particularly limited as long as the function of the obtained polymer (organic polymer) as a processing aid is not impaired. For example, the method described in Japanese Patent Publication No. 3-19319 and Japanese Patent Publication No. 3-51799 can be used.
【００２８】上記有機高分子が、その主鎖中に−Ａｒ−
ＣＨ2 −（Ａｒは官能基で置換されていてもよいヒドロ
キシフェニレン基を表す）で表される基を含む場合、該
有機高分子は、−Ａｒ−ＣＨ2 −で表される基を繰り返
し単位とし、該繰り返し単位のみから構成されている高
分子でもよく、或いは−Ａｒ−ＣＨ2 −で表される基を
含む基を繰り返し単位とし、該繰り返し単位から構成さ
れている高分子でもよい。上記有機高分子の重量平均分
子量は、上記ヒドロキシスチレン系重合体類の場合と同
様の理由により、１０００〜１００万であることが好ま
しく、１５００〜１０万であることが更に好ましく、２
０００〜５万であることが一層好ましい。−Ａｒ−ＣＨ
2 −で表される基において、Ａｒで表されるフェニレン
基はヒドロキシフェニレン基であることが好ましい。ま
た、Ａｒで表されるフェニレン基における官能基として
は、アルキル基、アルキルスルホン酸（塩）基の他、上
述した種々の極性基が挙げられる。The above organic polymer has --Ar-- in its main chain.
When the organic polymer contains a group represented by CH 2 — (Ar represents a hydroxyphenylene group optionally substituted by a functional group), the organic polymer includes a group represented by —Ar—CH 2 — as a repeating unit And a polymer composed of only the repeating unit, or a polymer composed of the repeating unit using a group containing a group represented by —Ar—CH 2 — as a repeating unit. The weight average molecular weight of the organic polymer is preferably from 1,000 to 1,000,000, more preferably from 1500 to 100,000, for the same reason as in the case of the hydroxystyrene-based polymers.
More preferably, it is from 000 to 50,000. -Ar-CH
In the group represented by 2- , the phenylene group represented by Ar is preferably a hydroxyphenylene group. Examples of the functional group in the phenylene group represented by Ar include the above-mentioned various polar groups in addition to the alkyl group and the alkylsulfonic acid (salt) group.
【００２９】特に、主鎖中に−Ａｒ−ＣＨ2 −で表され
る基を含む上記有機高分子として、下記一般式（ａ１）
〜（ａ３）の何れかで表される高分子を用いることが好
ましい。In particular, as the above organic polymer having a group represented by —Ar—CH 2 — in the main chain, the following general formula (a1)
It is preferable to use a polymer represented by any of (a) to (a3).
【００３０】[0030]
【化６】 Embedded image
【００３１】上記一般式（ａ２）中、Ａｒ’で表される
２価の芳香族基としては、フェニレン基（例えば１，３
−フェニレン基）及びナフチレン基（例えば１，４−フ
ェニレン基）が挙げられる。また、上記一般式（ａ３）
中、Ａｒ”で表される１価の芳香族基としては、フェニ
ル基等が挙げられる。Ａｒ’で表される２価の芳香族基
及びＡｒ”で表される１価の芳香族基における官能基と
しては、上記一般式（ａ１）におけるＡｒで表されるヒ
ドロキシフェニレン基の官能基と同様のものが挙げられ
る。In the general formula (a2), the divalent aromatic group represented by Ar ′ is a phenylene group (eg, 1,3
-Phenylene group) and naphthylene group (for example, 1,4-phenylene group). In addition, the above general formula (a3)
In the above, examples of the monovalent aromatic group represented by Ar "include a phenyl group. In the divalent aromatic group represented by Ar 'and the monovalent aromatic group represented by Ar" Examples of the functional group include those similar to the functional group of the hydroxyphenylene group represented by Ar in the general formula (a1).
【００３２】主鎖中に−Ａｒ−ＣＨ2 −で表される基を
含む有機高分子の具体例としては、ｍ−クレゾールメチ
ルスルホン酸のホルマリン縮合物のＮａ塩、ｍ−クレゾ
ールベークライトメチルスルホン酸−シェファー酸のホ
ルマリン縮合物のＮａ塩等が挙げられる。Specific examples of the organic polymer containing a group represented by —Ar—CH 2 — in the main chain include Na salt of a formalin condensate of m-cresol methylsulfonic acid, m-cresol bakelite methylsulfonic acid -Na salt of a formalin condensate of shephuric acid and the like.
【００３３】上記一般式（ａ１）〜（ａ３）で表される
有機高分子の調製方法は、得られる共重合体の加工用助
剤としての機能を損なわない限り特に制限されず、例え
ばホルマリン縮合反応、カチオン重合、ラジカル重合、
熱重合、或いは有機酸による重合反応により合成するこ
とができる。The method for preparing the organic polymers represented by the general formulas (a1) to (a3) is not particularly limited as long as the function of the obtained copolymer as a processing aid is not impaired. Reaction, cationic polymerization, radical polymerization,
It can be synthesized by thermal polymerization or a polymerization reaction with an organic acid.
【００３４】上記共重合体からなる加工用助剤は、本発
明の加工用助剤組成物中に好ましくは０．０１〜３０重
量％含有され、更に好ましくは０．０５〜１０重量％含
有され、一層好ましくは０．１〜５重量％含有される。
該加工用助剤の含有量が上記範囲内であれば、本発明の
加工用助剤組成物の粘度が適度に保たれ、しかも加工速
度の向上効果が十分に発現する。The processing aid comprising the above copolymer is preferably contained in the processing aid composition of the present invention in an amount of 0.01 to 30% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight. , More preferably 0.1 to 5% by weight.
When the content of the processing aid is within the above range, the viscosity of the processing aid composition of the present invention is appropriately maintained, and the effect of improving the processing speed is sufficiently exhibited.
【００３５】本発明の加工用助剤組成物におけるもう一
方の必須成分である水は、媒体として用いられるもので
あり、その組成物中の含有量が好ましくは４０〜９９．
９重量％であり、更に好ましくは８５〜９９．５重量％
である。水の含有量が上記範囲内であれば、被加工物を
生産効率良く表面加工することができる。Water, which is the other essential component in the processing aid composition of the present invention, is used as a medium, and its content in the composition is preferably 40 to 99.
9% by weight, more preferably 85 to 99.5% by weight
It is. When the water content is within the above range, the workpiece can be subjected to surface processing with high production efficiency.
【００３６】本発明の加工用助剤組成物においては、上
述の必須成分に加えて必要に応じて他の成分を添加剤と
して添加することができる。該添加剤としては、例え
ば、単量体型の酸化合物の金属塩（以下、この単量体型
の酸化合物の金属塩を「単量体型助剤」という）を挙げ
ることができる。上記加工用助剤と該単量体型助剤とを
併用することで、両者の協同効果により加工速度が一層
向上する。In the processing aid composition of the present invention, other components can be added as needed in addition to the above-mentioned essential components. Examples of the additive include a metal salt of a monomeric acid compound (hereinafter, the metal salt of the monomeric acid compound is referred to as a “monomer auxiliary”). By using the above-mentioned processing aid and the monomer-type auxiliary in combination, the processing speed is further improved by the cooperative effect of the two.
【００３７】上記単量体型の酸化合物の金属塩（単量体
型助剤）とは、重合性を有さない（即ち、単量体）酸化
合物の金属塩を意味する。該酸化合物としては何等かの
酸化作用を有するものであれば特段制限されるものでは
ない。該酸化合物の具体例としては、硝酸、硫酸、亜硫
酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、燐酸、亜燐酸、次亜燐
酸、ピロリン酸、炭酸、乳酸、シュウ酸、及び安息香
酸、並びにこれらを官能基として有する有機酸等が挙げ
られる。また、該酸化合物の金属塩の金属としては、ア
ルミニウム、マグネシウム、ニッケル及び鉄などが挙げ
られ、好ましくはアルミニウム及びマグネシウムが用い
られる。上記単量体型助剤は、一種または二種以上を組
み合わせて使用することが出来る。特に、上記単量体型
助剤として、硝酸の金属塩、硫酸の金属塩、シュウ酸の
金属塩、乳酸の金属塩及び安息香酸の金属塩からなる群
から選ばれる一種以上を用いることが好ましく、とりわ
け硝酸アルミニウム、シュウ酸アルミニウム、乳酸アル
ミニウム、又は安息香酸ニッケル等を用いると、研磨速
度の向上効果が一層高くなるので好ましい。The metal salt of the monomer type acid compound (monomer type auxiliary) means a metal salt of a non-polymerizable (ie, monomer) acid compound. The acid compound is not particularly limited as long as it has some oxidizing action. Specific examples of the acid compound include nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphorous acid, hypophosphorous acid, pyrophosphoric acid, carbonic acid, lactic acid, oxalic acid, and benzoic acid, and these. Organic acids having a functional group are exemplified. Examples of the metal of the metal salt of the acid compound include aluminum, magnesium, nickel and iron, and aluminum and magnesium are preferably used. The above monomer type auxiliaries can be used alone or in combination of two or more. In particular, as the monomer-type auxiliary agent, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of metal salts of nitric acid, metal salts of sulfuric acid, metal salts of oxalic acid, metal salts of lactic acid and metal salts of benzoic acid, In particular, the use of aluminum nitrate, aluminum oxalate, aluminum lactate, nickel benzoate, or the like is preferable because the effect of improving the polishing rate is further enhanced.
【００３８】上記単量体型助剤は本発明の加工用助剤組
成物中に、好ましくは０．００１〜１０重量％含有さ
れ、更に好ましくは０．０５〜５重量％含有される。該
単量体型助剤の含有量が上記範囲内であれば加工速度の
向上が十分であり、１０重量％を超えて用いても加工速
度は飽和する。The above-mentioned monomer-type auxiliary agent is contained in the processing auxiliary composition of the present invention preferably in an amount of 0.001 to 10% by weight, more preferably 0.05 to 5% by weight. If the content of the monomer-type auxiliary agent is within the above range, the processing speed is sufficiently improved, and the processing speed is saturated even when the content exceeds 10% by weight.
【００３９】また、本発明の加工用助剤組成物において
は、上記単量体型助剤の他に、各種界面活性剤、アルカ
リ性物質、各種増粘剤、各種分散剤、各種防錆剤、キレ
ート剤、有機溶媒等の添加剤を用いることもできる。こ
れらの添加剤は、本発明の加工用助剤組成物中に好まし
くはそれぞれ０．００１〜１０重量％添加される。In the processing aid composition of the present invention, various surfactants, alkaline substances, various thickeners, various dispersants, various rust preventives, chelate, etc., in addition to the above-mentioned monomer type auxiliary. Additives such as agents and organic solvents can also be used. These additives are each preferably added to the processing aid composition of the present invention in an amount of 0.001 to 10% by weight.
【００４０】本発明の加工用助剤組成物は、そのｐＨに
特段の制限はなく、被加工物の材質により適宜選択すれ
ばよいが、１〜７、特に１．５〜６、とりわけ２〜５で
あることが好ましい。ｐＨが上記範囲内であると被加工
物の表面が酸化され易くなって表面が柔らかくなるので
加工速度が速くなる。本発明の加工用助剤組成物のｐＨ
を上記範囲内にするためには、例えば、上記加工用助剤
及び必要に応じて上記単量体型助剤を所定量添加すれば
よい。The pH of the processing aid composition of the present invention is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the material of the workpiece, but may be 1 to 7, especially 1.5 to 6, especially 2 to 6. It is preferably 5. When the pH is within the above range, the surface of the workpiece is easily oxidized and the surface is softened, so that the processing speed is increased. PH of processing aid composition of the present invention
In order to make the content within the above range, for example, the processing aid and, if necessary, the monomer type auxiliary may be added in a predetermined amount.
【００４１】本発明の加工用助剤組成物は、各種加工工
具〔例えば、定盤型ホイール、カップホイール、ストレ
ートホイール等の固定砥粒ホイール（金属バインダー中
にダイヤモンド砥粒等の研磨砥粒を分散固定した固定砥
石）〕と併用されて、被加工物の各種加工、例えば、研
磨、研削、切断（裁断）等に用いられる。特に、本発明
の加工用助剤組成物は、被加工物の表面加工（研削等）
に好適に用いられ、とりわけ固定砥石と併用されて、被
加工物の表面研削、例えば研削取り代が１〜１０００μ
ｍ程度で、研削後の中心線平均粗さＲａが０．０００５
〜１μｍ程度の中〜仕上げ研削に好適に用いられ、特に
仕上げ研削に有効である。尚、本明細書において「研
磨」とは遊離砥粒を用いた平滑化加工をいい、「研削」
とは、固定砥石等の工具を用いた加工をいう。The processing aid composition of the present invention may be used in the form of various processing tools [for example, fixed abrasive wheels such as a platen-type wheel, a cup wheel, and a straight wheel (polishing abrasives such as diamond abrasives in a metal binder). (Fixed whetstone that is dispersed and fixed)]], and is used for various processing of a workpiece, such as polishing, grinding, and cutting (cutting). In particular, the processing aid composition of the present invention is used for surface processing (eg, grinding) of a workpiece.
Is preferably used in combination with a fixed whetstone, and the surface of the workpiece is ground, for example, the grinding allowance is 1 to 1000 μm.
m, and the center line average roughness Ra after grinding is 0.0005.
It is suitably used for medium to finish grinding of about 1 μm, and is particularly effective for finish grinding. In the present specification, “polishing” refers to smoothing processing using loose abrasive grains, and “grinding”
The term “processing” refers to processing using a tool such as a fixed whetstone.
【００４２】本発明の加工用助剤組成物を用いた加工の
対象となる被加工物の材質としては、例えばアルミニウ
ム、ガラス、ガラス状炭素、シリコン、その他セラミッ
クス材料等が挙げられる。これらのうち、ガラスやガラ
ス状炭素等の脆性材料からなる被加工物に対して本発明
の加工用助剤組成物を用いて加工を行うと、従来の加工
用助剤を用いた場合に比べてクラックの発生を抑えなが
らしかも速く加工ができるので好ましい。これらの被加
工物の形状に特に制限は無く、例えばディスク状、プレ
ート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状
や、レンズ等の曲面部を有する形状のものが本発明の加
工用助剤組成物を用いた加工の対象となる。Examples of the material of the workpiece to be processed using the processing aid composition of the present invention include aluminum, glass, glassy carbon, silicon, and other ceramic materials. Of these, when processing is performed on a workpiece made of a brittle material such as glass or glassy carbon using the processing aid composition of the present invention, compared with the case where a conventional processing aid is used. This is preferable because the processing can be performed quickly while suppressing the generation of cracks. There is no particular limitation on the shape of these workpieces. For example, a shape having a flat portion such as a disk shape, a plate shape, a slab shape, a prism shape, or a shape having a curved surface portion such as a lens is used for the processing of the present invention. It is an object of processing using the auxiliary composition.
【００４３】次に、本発明の研磨材組成物について説明
する。尚、本発明の研磨材組成物に関して特に詳述しな
い点については、上述の加工用助剤組成物に関して詳述
した説明が適宜適用される。Next, the abrasive composition of the present invention will be described. In addition, about the point which does not specifically detail about the abrasive composition of this invention, the description which mentioned in detail about the said processing aid composition is suitably applied.
【００４４】本発明の研磨材組成物は、上記加工用助剤
組成物と研磨材とからなり、該研磨材の含有量が該研磨
材組成物中において０．０１〜３０重量％であり、被加
工物の表面研磨、例えば研磨取り代が０．５〜１０００
μｍ程度で、研磨後の中心線平均粗さＲａが２〜１μｍ
程度の粗研磨（ラッピング）や仕上げ研磨（ポリッシン
グ）に好適に用いられ、特にポリシングに著しい効果が
認められる。The abrasive composition of the present invention comprises the above-mentioned processing aid composition and an abrasive, and the content of the abrasive is 0.01 to 30% by weight in the abrasive composition. Surface polishing of the workpiece, for example, a polishing allowance of 0.5 to 1000
μm, the center line average roughness Ra after polishing is 2-1 μm
It is suitably used for rough polishing (lapping) and finish polishing (polishing) to a certain degree, and a remarkable effect is particularly recognized for polishing.
【００４５】上記研磨材としては、研磨用として一般に
使用されている研磨砥粒を使用することができる。該研
磨材の具体例としては、アルミナ系粒子、ＳｉＣ粒子、
ダイヤモンド粒子、ＺｒＯ2 粒子、ＭｇＯ粒子及びコロ
イダルシリカ粒子等が挙げられる。これらの研磨材のう
ち、アルミナ系粒子又はＳｉＣ粒子を使用すると研磨速
度が速いので好ましく、特に、アルミナ系粒子として中
間アルミナ粒子を使用すると被加工物の表面粗さを極め
て小さくできるので好ましい。尚、本明細書において、
中間アルミナ粒子とは、α−アルミナ粒子以外のアルミ
ナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ粒子、δ
−アルミナ粒子、θ−アルミナ粒子、η−アルミナ粒
子、及び無定型アルミナ粒子等が挙げられる。As the above-mentioned abrasive, abrasive grains generally used for polishing can be used. Specific examples of the abrasive include alumina-based particles, SiC particles,
Examples include diamond particles, ZrO 2 particles, MgO particles, and colloidal silica particles. Among these abrasives, it is preferable to use alumina-based particles or SiC particles because the polishing rate is high. Particularly, it is preferable to use intermediate alumina particles as the alumina-based particles because the surface roughness of the workpiece can be extremely reduced. In this specification,
Intermediate alumina particles are a general term for alumina particles other than α-alumina particles, and specifically, γ-alumina particles, δ
-Alumina particles, θ-alumina particles, η-alumina particles, amorphous alumina particles and the like.
【００４６】上記研磨材の一次粒子の平均粒径は１００
μｍ以下であることが好ましい。一次粒子の平均粒径が
１００μｍより大きいと被加工物を例えば研磨した際、
特にガラス状炭素のような高硬度材料からなる被加工物
を研磨した際に被加工物の表面粗さを小さくすることが
困難となる場合がある。上記研磨材の粒径の下限には特
段制限はないが、あまりに小さすぎると研磨速度が遅く
なるので、一次粒子の平均粒径で０．０００５μｍ以上
であることが好ましい。上記研磨材の一次粒子の一層好
ましい平均粒径は０．０２〜３０μｍである。なお、上
記研磨材の一次粒子の平均粒径は、該研磨材０．１ｇに
分散剤を加え、次いで超音波を印加して該研磨材を分散
させ、更に乾燥させて得られたものをＳＥＭ観察して画
像解析により求めたものである。また、該平均粒径が２
μｍ以上のものなら、コールターカウンター〔型式ＭＵ
ＬＴＩ ＳＩＺＥＲ−II、（株）コールター社製〕で測
定しても良い。The average particle size of the primary particles of the abrasive is 100
It is preferably not more than μm. When the workpiece is polished, for example, when the average particle size of the primary particles is larger than 100 μm,
In particular, when a workpiece made of a high-hardness material such as glassy carbon is polished, it may be difficult to reduce the surface roughness of the workpiece. The lower limit of the particle size of the abrasive is not particularly limited, but if it is too small, the polishing rate will be slow. Therefore, the average particle size of the primary particles is preferably 0.0005 μm or more. The more preferable average particle size of the primary particles of the abrasive is 0.02 to 30 μm. The average particle size of the primary particles of the abrasive was determined by adding a dispersant to 0.1 g of the abrasive, then applying ultrasonic waves to disperse the abrasive, and further drying the resultant to obtain an SEM. Observed and determined by image analysis. The average particle size is 2
Coulter counter [Model MU]
LTI SIZER-II, manufactured by Coulter, Inc.].
【００４７】上記研磨材は、本発明の研磨材組成物中に
おいて水を媒体としたいわゆるスラリー状の状態で使用
される。本発明の研磨材組成物における該研磨材の含有
量は、本発明の研磨材組成物の粘度や被加工物の要求品
質などに応じて種々選択することが出来るが、一般的な
範囲としての含有量は上述の通り０．０１〜３０重量％
であり、好ましくは０．０２〜１０重量％である。該研
磨材の含有量が上記範囲内であれば、生産効率良く低表
面粗さが達成される。The above-mentioned abrasive is used in the abrasive composition of the present invention in a so-called slurry state using water as a medium. The content of the abrasive in the abrasive composition of the present invention can be variously selected depending on the viscosity of the abrasive composition of the present invention and the required quality of a workpiece, and the like, but as a general range. The content is 0.01 to 30% by weight as described above.
And preferably 0.02 to 10% by weight. When the content of the abrasive is within the above range, low surface roughness is achieved with high production efficiency.
【００４８】本発明によれば、上記加工用助剤組成物を
被加工物の表面に接触させ、これと同時に砥石又は砥粒
を該被加工物の表面に押し付けることを特徴とする表面
加工方法が提供される。かかる表面加工方法の好ましい
一実施形態について、カーボン材料の一つであるガラス
状炭素基板の表面研削を例にとり図１及び図２を参照し
て説明する。ここで、図１は、ガラス状炭素基板の粗研
削工程で使用される両面加工機を示す概略正面図であ
り、図２は、図１におけるＸ−Ｘ線矢視図である。According to the present invention, there is provided a surface processing method comprising bringing the above-mentioned processing aid composition into contact with the surface of a workpiece and simultaneously pressing a whetstone or abrasive grains against the surface of the workpiece. Is provided. A preferred embodiment of such a surface processing method will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking the surface grinding of a glassy carbon substrate, which is one of the carbon materials, as an example. Here, FIG. 1 is a schematic front view showing a double-side processing machine used in a rough grinding step of a glassy carbon substrate, and FIG. 2 is a view taken along line XX in FIG.
【００４９】図１に示す両面加工機１は、下定盤２と、
該下定盤２の上方に配設される上定盤３と、該上定盤３
に接して該上定盤３を支持する定盤支持部４とを具備し
て構成されている。The double-sided processing machine 1 shown in FIG.
An upper stool 3 disposed above the lower stool 2;
And a surface plate supporting portion 4 for supporting the upper surface plate 3 in contact with the surface plate.
【００５０】図１に示すように、上定盤３は、エアシリ
ンダ１１の出力ロッド１１ａの先端部にブラケット１２
を介して回転可能に取り付けられている。該上定盤３は
該エアシリンダ１１により昇降可能になされていると共
に、下降時にはベース５側で図２に示す矢印Ｄ方向に回
転するロータ１３の溝に係合して同方向に回転するよう
になされている。また、上記上定盤３の下面には、粒子
状の加工材料（研磨砥粒）をバインダー剤により分散・
保持させてなる固定砥石（図示せず）が配設されてい
る。また、該上定盤３は、上記定盤支持体４にボルト
（図示せず）によって緊結固定されており、該定盤支持
体４と共に回転自在に設けられている。As shown in FIG. 1, the upper platen 3 has a bracket 12 attached to the tip of the output rod 11a of the air cylinder 11.
It is rotatably mounted via. The upper platen 3 can be moved up and down by the air cylinder 11, and when the upper platen 3 descends, it engages with the groove of the rotor 13 which rotates in the direction of arrow D shown in FIG. Has been made. Further, on the lower surface of the upper platen 3, a particulate processing material (abrasive grains) is dispersed by a binder agent.
A fixed grindstone (not shown) that is held is provided. The upper platen 3 is fixedly fastened to the platen support 4 by bolts (not shown), and is provided rotatable together with the platen support 4.
【００５１】図２に示すように、下定盤２は、上記ベー
ス５上に矢印Ａ方向に回転自在に設けられていて、その
上面には、上記上定盤３に配設されている固定砥石と同
種の固定砥石６が配設されている。また、該下定盤２に
は、中央の矢印Ｂ方向に回転する太陽歯車７と外周側の
矢印Ｃ方向に回転する内歯歯車８とに噛み合って、公転
しつつ自転する遊星歯車状のキャリア９が４機配設され
ていている。そして、各キャリア９に設けられた８個の
穴内にそれぞれ被加工物であるガラス状炭素基板１０が
セットされるようになっている。As shown in FIG. 2, the lower stool 2 is provided on the base 5 so as to be rotatable in the direction of arrow A. On the upper surface thereof, a fixed grindstone disposed on the upper stool 3 is provided. A fixed grindstone 6 of the same type as that described above is provided. Further, the lower platen 2 has a planetary gear-shaped carrier 9 which meshes with a sun gear 7 rotating in the direction of the arrow B at the center and an internal gear 8 rotating in the direction of the arrow C on the outer periphery to revolve while rotating. There are four aircraft. The glassy carbon substrate 10 as a workpiece is set in each of the eight holes provided in each carrier 9.
【００５２】上記上定盤３と上記下定盤２との間には、
スラリー供給パイプ（図示せず）により本発明の加工用
助剤組成物が所定の量で供給されるようになっている。
そして、上記エアシリンダ１１によって上記上定盤３を
下降させることにより、上記キャリア９と一体に動く上
記ガラス状炭素基板１０は、上記下定盤２と上記上定盤
３とに挟まれて粗研削が行われる。Between the upper platen 3 and the lower platen 2,
The processing aid composition of the present invention is supplied in a predetermined amount by a slurry supply pipe (not shown).
By lowering the upper platen 3 by the air cylinder 11, the glassy carbon substrate 10 that moves integrally with the carrier 9 is roughly ground by being sandwiched between the lower platen 2 and the upper platen 3. Is performed.
【００５３】上記上定盤３及び下定盤２に配設されてい
る固定砥石は、ダイヤモンド、ＣＢＮ（Cubic Bron Nit
ride）、アルミナ、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 、ＭｇＯ又はコロ
イダルシリカ等の粒子（研磨砥粒）をバインダー剤に分
散・保持させてなるものである。これらの粒子うち、ダ
イヤモンド、アルミナ又はＳｉＣを用いると加工速度が
一層向上するので好ましい。本実施形態においてはダイ
ヤモンド粒子が加工材料として用いられている。これら
の粒子の平均粒径は、加工の種類（研磨、研削、切
断）、加工の程度、及び被加工物の材質等にもよるが、
一般に一次粒子の平均粒径が０．００２〜３０μｍであ
ることが好ましく、０．００５〜１０μｍであることが
更に好ましい。また、上記バインダー剤としては、例え
ば、Ｆｅ（鋳鉄など）、Ｃｕ若しくはＮｉ等の金属単体
又はこれらの一種以上を含む合金からなるメタルボンド
剤を用いることができる。The fixed whetstones provided on the upper surface plate 3 and the lower surface plate 2 are diamond, CBN (Cubic Bron Nit
ride), particles (abrasive grains) such as alumina, SiC, ZrO 2 , MgO or colloidal silica are dispersed and held in a binder agent. Among these particles, it is preferable to use diamond, alumina or SiC because the processing speed is further improved. In the present embodiment, diamond particles are used as a processing material. The average particle size of these particles depends on the type of processing (polishing, grinding, cutting), the degree of processing, the material of the workpiece, and the like.
Generally, the average particle size of the primary particles is preferably from 0.002 to 30 μm, and more preferably from 0.005 to 10 μm. Further, as the binder agent, for example, a metal bond agent made of a simple metal such as Fe (eg, cast iron), Cu, or Ni, or an alloy containing one or more of these can be used.
【００５４】上記粗研削に用いられるガラス状炭素基板
は、炭素質樹脂状原料（フェノール樹脂等）を一対のガ
ラス板間で硬化させた後、所定形状に打ち抜き、焼成し
て得られたものであり、その中心線平均粗さＲａは粗研
削前において約０．０１〜３μｍである。そして、該ガ
ラス状炭素基板を後述する条件において粗研削すること
により、その中心線平均粗さＲａは約０．０００５〜
０．２μｍとなる。The glassy carbon substrate used for the above-mentioned rough grinding is obtained by hardening a carbonaceous resinous material (phenol resin or the like) between a pair of glass plates, punching it into a predetermined shape, and firing. The center line average roughness Ra is about 0.01 to 3 μm before rough grinding. Then, by roughly grinding the glassy carbon substrate under the conditions described below, the center line average roughness Ra is about 0.0005 to about 0.0005.
0.2 μm.
【００５５】上記両面加工機を用いてガラス状炭素基板
を粗研削する場合の条件は、一般的には下記の通りであ
る。即ち、加工圧力は、好ましくは１０〜２０００ｇ／
ｃｍ2 であり、更に好ましくは３０〜１５００ｇ／ｃｍ
2 である。加工時間は、好ましくは２〜１２０分であ
り、更に好ましくは２〜３０分である。加工温度は、好
ましくは室温〜５０℃である。両面加工機の上下定盤に
それぞれ配設される固定砥石中のダイヤモンド粒子の粒
度（番手）は、好ましくは＃１００〜＃５００万であ
り、更に好ましくは＃３００〜＃３００万である。両面
加工機の下定盤回転数は加工機サイズに依存するが、例
えばＳＰＥＥＤＦＡＭ社製９Ｂ型両面加工機であれば、
好ましくは１０〜１００ｒｐｍであり、更に好ましくは
１０〜６０ｒｐｍである。本発明の加工用助剤組成物の
流量は、加工機サイズに依存するが、例えばＳＰＥＥＤ
ＦＡＭ社製９Ｂ型両面加工機であれば、好ましくは５
〜３００ｃｃ／ｍｉｎであり、更に好ましくは１０〜１
５０ｃｃ／ｍｉｎである。The conditions for rough grinding a glassy carbon substrate using the double-sided processing machine are generally as follows. That is, the processing pressure is preferably 10 to 2000 g /
cm 2 , more preferably 30 to 1500 g / cm
2 The processing time is preferably from 2 to 120 minutes, more preferably from 2 to 30 minutes. The processing temperature is preferably between room temperature and 50 ° C. The particle size (count) of the diamond particles in the fixed grindstones respectively arranged on the upper and lower platens of the double-sided processing machine is preferably # 100 to # 5,000,000, and more preferably # 300 to # 3,000,000. The lower platen rotation speed of the double-sided processing machine depends on the processing machine size. For example, in the case of a 9B type double-sided processing machine manufactured by SPEEDFAM,
Preferably it is 10-100 rpm, More preferably, it is 10-60 rpm. The flow rate of the processing aid composition of the present invention depends on the processing machine size.
If it is a 9B double-sided processing machine manufactured by FAM, preferably 5
~ 300 cc / min, more preferably 10-1
50 cc / min.
【００５６】次に、本発明の研磨材組成物を用いた好ま
しい表面加工方法の一実施形態について、上述の方法に
より粗研削されたガラス状炭素基板の粗研磨（ラッピン
グ）及びそれに引き続く仕上げ研磨（ポリッシング）を
例にとり説明する。尚、本実施形態の粗研磨（ラッピン
グ）及び仕上げ研磨（ポリッシング）に関して特に詳述
しない点については、上述の加工用助剤組成物を用いた
粗研削に関して詳述した説明が適宜適用される。Next, in one embodiment of a preferred surface processing method using the abrasive composition of the present invention, rough polishing (lapping) of a glassy carbon substrate roughly ground by the above-described method and subsequent finish polishing (lapping). Polishing) will be described as an example. In addition, as for the points that are not particularly described in detail regarding the rough polishing (lapping) and the finish polishing (polishing) in the present embodiment, the description described in detail regarding the rough grinding using the processing aid composition described above is appropriately applied.
【００５７】本実施形態の粗研磨（ラッピング）及び仕
上げ研磨（ポリッシング）は、上述の粗研削に用いられ
る両面加工機を用いて行うことができる。この場合、該
両面加工機の上下定盤に配設された固定砥石に代えて所
定の硬度を有する研磨用パッドを用い、且つ上記スラリ
ー供給パイプから上記加工用助剤組成物に代えて研磨材
組成物を所定の量で供給する。粗研磨（ラッピング）を
行う場合には、上記両面加工機の上下定盤には上記研磨
砥粒を含まない鋳鉄製等の金属定盤を用い、本発明の研
磨材組成物を上記上定盤に開けられた穴を通じて所定量
供給する。研磨材組成物中の研磨材の一次粒子の平均粒
径は３〜３０μｍであることが好ましく、その濃度は１
〜３０重量％、特に２〜２０重量％であることが好まし
い。一方、仕上げ研磨（ポリシング）を行う場合には、
上記両面加工機の上下定盤に発泡ウレタンパッド等の樹
脂製研磨パッドを装着し、スラリー供給パイプから本発
明の研磨材組成物を供給する。研磨材組成物中の研磨材
の一次粒子の平均粒径は粗研磨（ラッピング）の場合よ
りも小さく、０．０００２〜３μｍであることが好まし
い。また、研磨材の濃度は粗研磨（ラッピング）の場合
よりも低く、０．０１〜５重量％、特に０．０２〜２重
量％であることが好ましい。The rough polishing (lapping) and the finish polishing (polishing) of the present embodiment can be performed by using a double-side processing machine used for the above-described rough grinding. In this case, a polishing pad having a predetermined hardness is used in place of the fixed grindstones arranged on the upper and lower platens of the double-sided processing machine, and an abrasive is used instead of the processing aid composition from the slurry supply pipe. The composition is supplied in a predetermined amount. When performing rough polishing (lapping), a metal platen made of cast iron or the like containing no abrasive grains is used for the upper and lower platens of the double-sided processing machine, and the abrasive composition of the present invention is placed on the upper platen. A predetermined amount is supplied through a hole formed in the hole. The average particle size of the primary particles of the abrasive in the abrasive composition is preferably 3 to 30 μm, and the concentration thereof is 1 μm.
It is preferably from 30 to 30% by weight, particularly preferably from 2 to 20% by weight. On the other hand, when performing finish polishing (polishing),
A resin polishing pad such as a urethane foam pad is attached to the upper and lower platens of the double-side processing machine, and the abrasive composition of the present invention is supplied from a slurry supply pipe. The average particle size of the primary particles of the abrasive in the abrasive composition is smaller than that in the case of rough polishing (lapping), and is preferably 0.0002 to 3 μm. The concentration of the abrasive is lower than that in the case of rough polishing (lapping), and is preferably 0.01 to 5% by weight, particularly preferably 0.02 to 2% by weight.
【００５８】本実施形態の仕上げ研磨（ポリッシング）
における条件は、一般的には下記の通りである。即ち、
加工圧力は、好ましくは１０〜２０００ｇｆ／ｃｍ2 で
あり、更に好ましくは３０〜１５００ｇｆ／ｃｍ2 であ
る。加工時間は、好ましくは２〜１２０分であり、更に
好ましくは２〜３０分である。上記両面加工機の上下定
盤にそれぞれ装着する上記研磨パッドの硬度〔ＪＩＳＡ
（ＪＩＳ Ｋ−６３０１）に準拠〕は、好ましくは４０
〜１００であり、更に好ましくは６０〜１００である。
上記両面加工機の下定盤回転数は加工機サイズに依存す
るが、例えばＳＰＥＥＤ ＦＡＭ社製 ９Ｂ型両面加工
機であれば、好ましくは１０〜１００ｒｐｍであり、更
に好ましくは１０〜６０ｒｐｍである。本発明の研磨材
組成物の供給流量は、加工機サイズに依存するが、例え
ばＳＰＥＥＤ ＦＡＭ社製９Ｂ型両面加工機であれば、
好ましくは５〜３００ｃｃ／ｍｉｎであり、更に好まし
くは１０〜１５０ｃｃ／ｍｉｎである。Finish polishing (polishing) of this embodiment
Are generally as follows. That is,
Processing pressure is preferably 10~2000gf / cm 2, more preferably from 30~1500gf / cm 2. The processing time is preferably from 2 to 120 minutes, more preferably from 2 to 30 minutes. Hardness of the polishing pad mounted on the upper and lower platens of the double-sided processing machine [JISA
(Based on JIS K-6301)] is preferably 40
-100, and more preferably 60-100.
The lower platen rotation speed of the double-sided processing machine depends on the processing machine size. For example, in the case of a 9B type double-sided processing machine manufactured by SPEED FAM, it is preferably 10 to 100 rpm, more preferably 10 to 60 rpm. The supply flow rate of the abrasive composition of the present invention depends on the processing machine size. For example, in the case of a 9B type double-sided processing machine manufactured by SPEED FAM,
Preferably it is 5-300 cc / min, more preferably 10-150 cc / min.
【００５９】粗研削されたガラス状炭素基板を上記の条
件において粗研磨（ラッピング）及びそれに引き続き仕
上げ研磨（ポリッシング）することにより、その中心線
平均粗さＲａは約４〜２０Åとなる。By subjecting the roughly ground glassy carbon substrate to rough polishing (lapping) and subsequent finish polishing (polishing) under the above conditions, the center line average roughness Ra is about 4 to 20 °.
【００６０】本発明の加工用助剤組成物及び研磨材組成
物を用いた表面加工方法は、上記実施形態に制限され
ず、例えば、上述の両面加工機に代えて他の加工機を用
いてもよい。また、被加工物として、ガラス状炭素以外
の炭素、アルミニウム、ガラス、シリコン等を用いるこ
ともできる。また、上述の表面加工方法は、磁気記録媒
体用基板に限られず、半導体用シリコンウェハ、光学ミ
ラーやハーフミラー、及び光学プリズム等にも同様に適
用することができる。The surface processing method using the processing aid composition and the abrasive composition of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and for example, using another processing machine in place of the above-described double-side processing machine. Is also good. Further, as the workpiece, carbon other than glassy carbon, aluminum, glass, silicon, or the like can be used. Further, the surface processing method described above is not limited to a substrate for a magnetic recording medium, and can be similarly applied to a silicon wafer for a semiconductor, an optical mirror, a half mirror, an optical prism, and the like.
【００６１】[0061]
【実施例】以下、実施例により本発明の有効性を例証す
る。しかしながら、本発明の範囲はかかる実施例に制限
されるものではない。The following examples illustrate the effectiveness of the present invention. However, the scope of the present invention is not limited to such an embodiment.
【００６２】〔実施例１〜１７及び比較例１〜５〕表１
に示す研磨材と加工用助剤とを、表１に示す濃度で以て
残部水と混合・撹袢し、研磨材組成物を得た。尚、研磨
材の濃度は実施例及び比較例を通じてすべて１０重量％
である。また、用いた加工用助剤の構造は、表３〜表５
に示す通りであり、単量体型助剤の種類は表６に示す通
りである。粗研磨（ラッピング）により中心線平均粗さ
Ｒａを０．１μｍとした直径２．５インチのガラス状炭
素（ＧＣ）基板、ガラス基板、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ基
板、及びシリコンウエハを、該研磨材組成物を用いて、
両面加工機により中間研磨（研磨材としてＧＣ＃３００
０を用いた場合）、又は仕上げ研磨（研磨材としてα−
Ａｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 を用いた場合）した。この際、
該両面加工機は下記の条件にて使用した。Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 5
Was mixed and stirred with the remaining water at the concentrations shown in Table 1 to obtain an abrasive composition. The concentration of the abrasive was 10% by weight throughout the examples and comparative examples.
It is. The structures of the processing aids used are shown in Tables 3 to 5.
And the types of monomer-type auxiliaries are as shown in Table 6. A 2.5 inch diameter glassy carbon (GC) substrate, glass substrate, Al 2 O 3 .TiC substrate, and silicon wafer having a center line average roughness Ra of 0.1 μm by rough polishing (lapping) are polished. Using the material composition,
Intermediate polishing with a double-sided processing machine (GC # 300 as abrasive)
0) or finish polishing (α-
Al 2 O 3 or SiO 2 was used). On this occasion,
The double-side processing machine was used under the following conditions.
【００６３】＜両面加工機の設定条件＞ 使用両面加工機：ＳＰＥＥＤ ＦＡＭ社製 ９Ｂ型両面
加工機 加工圧力：１５０ｇｆ／ｃｍ2 加工時間：１２０分 上下定盤の材質：鋳鉄製金属定盤（研磨材としてＧＣ＃
３０００を用いた場合）。：研磨面に研磨パッドを装着
（研磨材としてα−Ａｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 を用いた場
合）。研磨パッドの硬度は９０〔ＪＩＳ Ａ（ＪＩＳ
Ｋ−６３０１）に準拠〕である。 下定盤回転数：４０ｒｐｍ 研磨材組成物流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ<Setting conditions of double-sided processing machine> Double-sided processing machine used: 9B type double-sided processing machine manufactured by SPEED FAM Processing pressure: 150 gf / cm 2 Processing time: 120 minutes Material of upper and lower platens: Cast iron metal platen (polishing) GC # as material
3000 is used). : A polishing pad was mounted on the polishing surface (when α-Al 2 O 3 or SiO 2 was used as a polishing material). The hardness of the polishing pad is 90 [JIS A (JIS
K-6301). Lower platen rotation speed: 40 rpm Abrasive composition flow rate: 50 cc / min
【００６４】実施例及び比較例における各基板につい
て、１２０分研磨を行い除去量を測定し、比較例を基準
として相対研磨速度を求めた。その結果を表２に示す。
また、研磨後の各基板の表面におけるピット及びスクラ
ッチの発生の程度を下記の基準により評価した。その結
果を表２に示す。Each substrate in the examples and comparative examples was polished for 120 minutes to measure the removal amount, and the relative polishing rate was determined based on the comparative examples. Table 2 shows the results.
The degree of occurrence of pits and scratches on the surface of each substrate after polishing was evaluated according to the following criteria. Table 2 shows the results.
【００６５】〔ピット〕光学顕微鏡観察（微分干渉顕微
鏡）を用い倍率×４００倍で各基板の表面を６０度おき
に６カ所測定し、５μｍ以上のピット個数をカウントし
てその平均値を求めた。評価基準は下記の通りである。 Ｓ：ピット密度が０個／ｍｍ2 Ａ：ピット密度が０．３個未満／ｍｍ2 Ｂ：ピット密度が０．３個以上１個未満／ｍｍ2 Ｃ：ピット密度が１個以上／ｍｍ2 〔スクラッチ〕光学顕微鏡観察（微分干渉顕微鏡）を用
い倍率×５０倍で各基板の表面を６０度おきに６カ所測
定した。スクラッチの深さはＺＹＧＯ（ＺＹＧＯ社製）
により測定した。評価基準は下記の通りである。 Ｓ：深さ５００Åを超えるスクラッチが０本／１視野 Ａ：深さ５００Åを超えるスクラッチが平均０．５本未
満／１視野 Ｂ：深さ５００Åを超えるスクラッチが平均０．５本以
上１本未満／１視野 Ｃ：深さ５００Åを超えるスクラッチが平均１本以上／
１視野[Pit] Using an optical microscope observation (differential interference microscope), the surface of each substrate was measured at 60 points at 60 ° intervals at a magnification of × 400, the number of pits of 5 μm or more was counted, and the average value was obtained. . The evaluation criteria are as follows. S: Pit density is 0 / mm 2 A: Pit density is less than 0.3 / mm 2 B: Pit density is 0.3 or more and less than 1 / mm 2 C: Pit density is 1 or more / mm 2 [Scratch] Using optical microscope observation (differential interference microscope), the surface of each substrate was measured at six points at 60 ° intervals at a magnification of × 50. The scratch depth is ZYGO (ZYGO)
Was measured by The evaluation criteria are as follows. S: 0 scratches with a depth of more than 500 mm per field A: Less than 0.5 scratches with a depth of more than 500 mm / 1 field of view B: 0.5 or more scratches with a depth of more than 500 mm on average / 1 visual field C: Average of one or more scratches exceeding 500mm in depth /
One field of view
【００６６】[0066]
【表１】 [Table 1]
【００６７】[0067]
【表２】 [Table 2]
【００６８】[0068]
【表３】 [Table 3]
【００６９】[0069]
【表４】 [Table 4]
【００７０】[0070]
【表５】 [Table 5]
【００７１】[0071]
【表６】 [Table 6]
【００７２】表２に示す結果から明らかなように、上記
加工用助剤を含有する研磨材組成物（実施例１〜１７）
を用いて基板を研磨すると、該加工用助剤を含有しない
研磨材組成物（比較例１〜５）を用いて基板を研磨した
場合に比して、研磨速度が向上し、ピット及びスクラッ
チの発生が抑えられることが分かる。尚、研磨後の基板
の表面粗さは、実施例及び比較例で同程度であった。As is clear from the results shown in Table 2, the abrasive compositions containing the processing aids (Examples 1 to 17)
When the substrate is polished by using, the polishing rate is improved as compared with the case where the substrate is polished by using the abrasive composition (Comparative Examples 1 to 5) which does not contain the processing aid, and the pits and scratches are reduced. It can be seen that generation is suppressed. In addition, the surface roughness of the polished substrate was substantially the same in Examples and Comparative Examples.
【００７３】[0073]
【発明の効果】本発明によれば、被加工物の表面にピッ
トやスクラッチ等の表面欠陥を生じさせること無く高速
度で表面加工し得る加工用助剤組成物、研磨材組成物及
び表面加工方法が提供される。本発明は、特に脆性材料
からなる被加工物の表面加工に好適である。According to the present invention, a processing aid composition, an abrasive composition, and a surface processing capable of processing a surface at a high speed without causing surface defects such as pits and scratches on the surface of a workpiece. A method is provided. The present invention is particularly suitable for surface processing of a workpiece made of a brittle material.
【図１】本発明の表面加工方法に好ましく用いられる両
面加工機を示す要部概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view of a main part showing a double-side processing machine preferably used in a surface processing method of the present invention.
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線矢視図である。FIG. 2 is a view taken along line XX in FIG.
１ 両面加工機 ２ 下定盤 ３ 上定盤 ４ 基板支持部 ５ ベース ６ 固定砥石 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Double-sided processing machine 2 Lower surface plate 3 Upper surface plate 4 Substrate support part 5 Base 6 Fixed whetstone
Claims (10)
用助剤組成物において、 上記加工用助剤が水溶性又は水分散性の有機高分子から
なり、 該有機高分子は、１個以上の水酸基を持つ芳香族基を分
子量５００単位当たりに１個以上有し、且つその主鎖中
に重合性のビニル系単量体から誘導される２価の基、又
は−Ａｒ−ＣＨ2 −（Ａｒは官能基で置換されていても
よいフェニレン基を表す）で表される基を含むことを特
徴とする加工用助剤組成物。1. A processing aid composition comprising at least a processing aid and water, wherein the processing aid comprises a water-soluble or water-dispersible organic polymer; A divalent group having at least one aromatic group having a hydroxyl group per 500 units of molecular weight and having a main chain derived from a polymerizable vinyl monomer, or -Ar-CH 2- (Ar represents a phenylene group which may be substituted with a functional group). A processing aid composition comprising a group represented by the formula:
３０重量％含有する、請求項１記載の加工用助剤組成
物。2. The composition according to claim 1, wherein said processing aid is present in an amount of 0.01 to 10%.
The processing aid composition according to claim 1, which contains 30% by weight.
たりに平均０．１〜５個のスルホン基、カルボキシル
基、リン酸基、亜リン酸基、ホスホン酸基、亜ホスホン
酸基、ホスフィン基、亜ホスフィン基、第３級アミノ
基、第４級アンモニウム塩基、又はニトロ基を有する、
請求項１又は２記載の加工用助剤組成物。3. The organic polymer according to claim 1, wherein the average molecular weight of 500 to 500 units of a sulfone group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, a phosphorous acid group, a phosphonic acid group, a phosphonous acid group, and a phosphine group. Having a phosphine group, a tertiary amino group, a quaternary ammonium base, or a nitro group;
The processing aid composition according to claim 1.
導される２価の基を含む上記有機高分子が、重量平均分
子量１０００〜１００万のヒドロキシスチレン系重合体
又はその誘導体である、請求項１〜３の何れかに記載の
加工用助剤組成物。4. The organic polymer having a divalent group derived from a polymerizable vinyl monomer in the main chain is a hydroxystyrene polymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 or a derivative thereof. The processing aid composition according to any one of claims 1 to 3.
の誘導体が下記一般式（Ａ）で表される、請求項４記載
の加工用助剤組成物。 【化１】 【化２】 5. The processing aid composition according to claim 4, wherein the hydroxystyrene-based polymer or a derivative thereof is represented by the following general formula (A). Embedded image Embedded image
を含む上記有機高分子が下記一般式（ａ１）〜（ａ３）
の何れかで表される、請求項１〜３の何れかに記載の加
工用助剤組成物。 【化３】 6. The above organic polymer containing a group represented by —Ar—CH 2 — in the main chain is represented by the following general formulas (a1) to (a3).
The processing aid composition according to any one of claims 1 to 3, which is represented by any one of the following. Embedded image
上を組成物中に０．０１〜３０重量％含む、請求項１〜
６の何れかに記載の加工用助剤組成物。7. The composition according to claim 1, further comprising one or more metal salts of monomeric acid compounds in the composition in an amount of 0.01 to 30% by weight.
7. The processing aid composition according to any one of 6.
何れかに記載の加工用助剤組成物。8. The processing aid composition according to claim 1, which is used in combination with a fixed grindstone.
剤組成物と研磨材とからなり、該研磨材の含有量が０．
０１〜３０重量％であることを特徴とする研磨材組成
物。9. A polishing composition comprising the processing aid composition according to claim 1 and an abrasive.
An abrasive composition characterized in that the amount is from 0.01 to 30% by weight.
助剤組成物を被加工物の表面に接触させ、これと同時に
砥石又は砥粒を該被加工物の表面に押し付けることを特
徴とする表面加工方法。10. A method in which the processing aid composition according to any one of claims 1 to 7 is brought into contact with the surface of a workpiece, and simultaneously pressing a grindstone or abrasive grains against the surface of the workpiece. Characteristic surface processing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25719896A JP3992312B2 (en) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Auxiliary composition for polishing or grinding, abrasive composition and surface processing method |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP25719896A JP3992312B2 (en) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Auxiliary composition for polishing or grinding, abrasive composition and surface processing method |
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| Publication Number | Publication Date |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25719896A Expired - Fee Related JP3992312B2 (en) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Auxiliary composition for polishing or grinding, abrasive composition and surface processing method |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3992312B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800105B2 (en) | 2000-01-11 | 2004-10-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Abrasive for metal |
| JP2007191696A (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Kao Corp | Polishing liquid composition for glass substrate |
| JP2009050920A (en) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc |
| JP2010513693A (en) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | Method for machining inorganic and non-metallic workpieces |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25719896A patent/JP3992312B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2009050920A (en) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc |
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