JPH0998582A - 電力変換器 - Google Patents

電力変換器

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JPH0998582A
JPH0998582A JP7255908A JP25590895A JPH0998582A JP H0998582 A JPH0998582 A JP H0998582A JP 7255908 A JP7255908 A JP 7255908A JP 25590895 A JP25590895 A JP 25590895A JP H0998582 A JPH0998582 A JP H0998582A
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JP
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block
insulating plate
electrode block
intermediate block
positive
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JP7255908A
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Inventor
Toshiyuki Yano
利行 矢野
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ペレットを複数個個別に同一の導体ブ
ロックに圧接配置して電力変換器の小形化を図る。 【解決手段】 中央に空間部3を有し、相間絶縁板5を
介して2分割された導電体からなる中間ブロック4と、
モリブデン板に挟まれ前記中間ブロックの上面及び下面
に圧接配置される正側半導体ペレット1U,1V及び負
側半導体ペレット1X,1Yと、相間絶縁板5を介して
2分割された導電体からなり、中間ブロック4の上面及
び下面に絶縁物8を介して配置される正極ブロック6及
び負極ブロック7と、正負極ブロック6,7の上面に電
気的に接続され.正極金属シール板10及び負極金属シ
ール板11とから成り、金属シール板の中央からゲート
電極線12を取出し且つ、正負極金属シール板10,1
1を直流端子、中間ブロック4を交流端子として用いる
ことを特徴とした電力変換器。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ、コン
バータなどの電力変換器に係り、特に小形化を図った電
力変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電力用半導体素子を応用したパワ
ーエレクトロニクス(PE)装置は、素子の大容量化、
高速化に伴ない高性能化・大容量化の傾向にあるが、素
子の特性を十分に発揮させるためには、パワーエレクト
ロニクス装置として冷却、低インダクタンス実装が重要
である。
【0003】一方、素子自体もスイッチング速度が高速
化してくるとスイッチング損失が増大し、熱密度も増加
してくるが素子回りの接続を低インダクタンス化してス
イッチング時のサージ電圧を低減する必要がある。
【0004】ところで、高速化した素子は製造の点から
小容量のものになるために大容量のパワーエレクトロニ
クス装置に適用するには多数の素子を接続する必要があ
る。図8は、電力変換器としての三相インバータの代表
的な主回路の一例を示す接続図、図9は、図8に示すよ
うに三相ブリッジ接続される逆導通平形素子30が従来
の電力半導体素子ユニットに組立てられた状態を示す概
略図である。
【0005】図9において、陽極側が平滑コンデンサ3
1の正極側と図示しない直流電源の正極側に接続される
3個の高速平形素子30aには逆並列ダイオード30b
が逆並列に接続されて破線で囲んだ逆導通平形素子30
を構成している。
【0006】これらの逆導通平形素子30の陰極側が図
示しない直流電源の負極側と平滑コンデンサ31の負極
側に接続された3個の逆導通平形素子30の陽極側にそ
れぞれ接続されると共に、交流側の各U,V,W相に接
続されて三相ブリッジ回路を構成している。
【0007】図9において、左側の4個の逆導通平形素
子30の間にはヒートシンク32がそれぞれ重ねられて
いる、この左側の5個のヒートシンク32の内、右端の
ヒートシンク32の右側には絶縁スペ―サ33を介して
3個のヒートシンク32と2個の逆導通平形素子30が
順に重ねられている。
【0008】このうち図9において左右端のヒートシン
ク32の外側には、絶縁スペーサ33と、この絶縁スペ
ーサ33の外側に図示しない円錐座及び加圧板がそれぞ
れ重ねられこの加圧板の間に貫設された4本の両ねじ付
きスタッドを介して、これら逆導通形平形素子30やヒ
ートシンク32は互いに締付けられている。
【0009】両ねじ付きスタッドの締付けによって逆導
通平形素子30とヒートシンク32との間は数トンの圧
力で密着され、逆導通平形素子30からヒートシング3
2へ伝達される熱の伝達効率を上げて、逆導通平形素子
30の冷却の向上による各逆導通平形素子30の特性低
下の防止が図られている。
【0010】左側の2個の逆導通平形素子30の間に重
ねられたヒートシンク32の図示しない端子には、図8
で示した交流側のU相に接続される図示しない導体が接
続されている。同じく左側の5個のヒートシンク32の
中央のヒートシンク32と中間の絶縁スペーサ33の右
側のヒートシンク32は互いに接続され、図8で示した
正極端子に接続される導体が接続されている。
【0011】一方、左側の5個のヒートシンク32の右
から2番目に位置するヒートシンク32は図8で示した
V相に接続される導体が接続されている。同じく、右側
の3個のヒートシンク32の中央に位置するヒートシン
ク32はW相に接続される導体が接続されている。
【0012】また、中間部の絶縁スペーサ33の左側に
隣接したヒートシンク32と左右端のヒートシンク32
は互いに接続されて図8に示した負極端子に接続される
導体が接続されている。
【0013】なお、図9は6個の逆導通平形素子30で
三相ブリッジを構成した例であるが、インバータの定格
が上がるに従い逆導通平形素子30の数が増えるので図
9で示した素子の数を増やしたりスタックの数を増やす
方法が取られる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電力変換器
を構成するスイッチング素子は、1個のパッケージ内に
1個のペレットが入っており大容量装置とするためには
多数の素子を実装する必要がある。直列に圧接するため
スタックが長くなり低インダクタンス化が困難である。
【0015】従って、本発明の目的は、パワーエレクト
ロニクス装置の高機能化、高密度化、小形化、信頼性向
上を図ることの可能な各種の薄形の半導体ペレットを複
数個個別に同一の導体ブロックに圧接配置して小形化を
図った電力変換器を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載の発明は、中央に空間部を有し、相間
絶縁板を介して少くとも2分割された導電体からなる中
間ブロックと、モリブデン板に挟まれ前記中間ブロック
の上面に負極側が下面に正極側が圧接配置される正側半
導体ペレット及び負側半導体ペレットと、中央に空間部
を有し、前記相間絶縁板を介して前述と同様に分割され
た導電体からなり、前記中間ブロックの上面に絶縁物を
介して配置され、前記正側半導体ペレットの正極側と電
気的に接続され且つ前記正側半導体ペレットを収納する
収納空間を有する正極ブロックと、中央に空間部を有
し、前記相間絶縁板を介して前述と同様に分割された導
電体からなり、前記中間ブロックの下面に絶縁物を介し
て配置され、前記負側半導体ペレットの負極側と電気的
に接続され且つ前記負側半導体ペレットを収納する収納
空間を有する負極ブロックと、前記正極ブロック及び負
極ブロックの上面に電気的に接続された正極金属シール
板及び負極金属シール板とから成り、少くとも一方の金
属シール板の中央から前記半導体ペレットのゲート電極
線を取出し、且つ前記正極金属シール板及び負極金属シ
ール板を直流端子、前記中間ブロックを交流端子として
用いることを特徴としたものである。
【0017】又、請求項2に記載の発明は、中央に空間
部を有し、相間絶縁板を介して少くとも2分割された導
電体からなる中間ブロックと、モリブデン板に挟まれ前
記中間ブロックの上面に負極側が下面に正極側が圧接配
置される正側半導体ペレット及び負側半導体ペレット
と、中央に空間部を有した導電体からなり、前記中間ブ
ロックの上面に絶縁物を介して配置され、前記正側半導
体ペレットの正極側と電気的に接続され且つ前記正側半
導体ペレットを収納する収納空間を有する正極ブロック
と、中央に空間部を有した導電体からなり、前記中間ブ
ロックの下面に絶縁物を介して配置され、前記負側半導
体ペレットの負極側と電気的に接続され且つ前記負側半
導体ペレットを収納する収納空間を有する負極ブロック
とから成り、少くとも正極ブロック、負極ブロックのい
ずれか一方のブロックの中央から前記半導体ペレットの
ゲート電極線を取出し、且つ前記正極ブロック及び負極
ブロックを直流端子、前記中間ブロックを交流端子とし
て用いることを特徴としたものである。
【0018】更に、請求項3に記載の発明は、中央に空
間部を有し、相間絶縁板を介して少くとも2分割された
導電体からなる中間ブロックと、平面形状が前記中間ブ
ロックの平面形状と同一で少くとも1個の穴を有し前記
中間ブロックの上面及び下面に接着固定される上側絶縁
板及び下側絶縁板と、該上側絶縁板及び下側絶縁板の前
記穴に配置され且つ前記中間ブロックと電気的に接続さ
れる下側モリブデン板と薄形半導体ペレットと上側モリ
ブデン板と金属圧接部材との順で積層される上側積層体
及び下側積層体と、前記上側絶縁板に接着固定され、前
記相間絶縁板を介して前述と同様に分割され且つ前記上
側積層体を収納する収納空間を有する上側電極ブロック
及び前記下側絶縁板に接着固定され、前記相間絶縁板を
介して前述と同様に分割され且つ前記下側積層体を収納
する収納空間を有する下側電極ブロックと、前記上側電
極ブロック及び下側電極ブロックに螺着されるボルトを
介して前記金属圧接部材を加圧する加圧手段とから成
り、少くとも上側電極ブロック、下側電極ブロックのい
ずれか一方のブロックの中央から前記薄形半導体ペレッ
トのゲート電極線を絶縁シールして取出し、且つ前記上
側電極ブロック、下側電極ブロックを直流端子、前記中
間ブロックを交流端子として用いることを特徴としたも
のである。
【0019】又、請求項4に記載の発明は、中央に空間
部を有し、相間絶縁板を介して少くとも2分割された導
電体からなる中間ブロックと、平面形状が前記中間ブロ
ックの平面形状と同一で少くとも1個の穴を有し前記中
間ブロックの上面及び下面に接着固定される上側絶縁板
及び下側絶縁板と、該上側絶縁板及び下側絶縁板の前記
穴に配置され且つ前記中間ブロックと電気的に接続され
る下側モリブデン板と薄形半導体ペレットと上側モリブ
デン板と金属圧接部材との順で積層される上側積層体及
び下側積層体と、前記上側絶縁板に接着固定され、前記
上側積層体を収納する収納空間を有する上側電極ブロッ
ク及び前記下側絶縁板に接着固定され、前記下側積層体
を収納する収納空間を有する下側電極ブロックと、前記
上側電極ブロック及び下側電極ブロックに螺着されるボ
ルトを介して前記金属圧接部材を加圧する加圧手段とか
ら成り、少くとも前記上側電極ブロック下側電極ブロッ
クのいずれか一方のブロックの中央から前記薄形半導体
ペレットのゲート電極線を絶縁シールして取出し、且つ
前記上側電極ブロック、下側電極ブロックを直流端子、
前記中間ブロックを交流端子として用いることを特徴と
したものである。
【0020】更に、請求項5に記載の発明は、請求項1
乃至請求項4に記載の、中間ブロックをヒートシンクと
して使用するために該中間ブロックの外側面に流入口及
び流出口を設け、中間ブロック内に冷媒の流路を構成し
たことを特徴としたものである。
【0021】又、請求項6に記載の発明は、請求項1乃
至請求項4に記載の中間ブロックをヒートシンクとして
使用するために該中間ブロックの外側面に冷却用フィン
を設けたことを特徴としたものである。
【0022】更に、請求項7に記載の発明は、請求項1
乃至請求項4に記載の中間ブロックをヒートシンクとし
て使用するために、該中間ブロックに受熱部が挿入され
たヒートパイプを設けたことを特徴としたものである。
【0023】又、請求項8に記載発明は、請求項1乃至
請求項4に記載の中央の空間部に配線距離の短縮、配線
インダクタンスの低減を図るためにスナバ回路、直流コ
ンデンサ等の付属部品を設けたことを特徴としたもので
ある。
【0024】更に、請求項9に記載の発明は、請求項3
又は請求項4に記載の加圧手段は、金属圧接部材の上部
に所定の間隙を持つように上側電極ブロック及び下側電
極ブロックに穴を設け、この穴の前記間隙に角材状のバ
ネを挿入し、上側電極ブロック及び下側電極ブロックの
外周近傍に上側電極ブロック及び下側電極ブロックの上
面から前記穴に向って設けられているネジ穴に螺着され
るボルトで前記角材状のバネの一端に圧下力を加えるこ
とによって前記角材状のバネの他端が前記穴の天井に固
定されることによって、上部に丸みを持たせた金属圧接
部材に「てこ」の原理によって加圧力を得ることを特徴
としたものである。
【0025】更に又、請求項10に記載の発明は、請求
項3又は請求項4に記載の加圧手段は、金属圧接部材の
上部に設けられる皿バネと、該皿バネの中心が上側電極
ブロック及び下側電極ブロックに設けられるネジ穴の中
心と一致し、該ネジ穴に螺着されるボルトから成ること
を特徴としたものである。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、請求項1に記載の発明を図
1乃至図3を参照して説明する。図1は請求項1に記載
の発明による電力変換器の断面図で誇張して示したもの
である。図2は請求項1に記載の発明による電力変換器
の外観図。図3は図1の電気的な等価回路である。
【0027】図1において、1U,1V,1X,1Yは
薄形の半導体ペレットで、半導体素子の種類によって、
1枚の薄形ペレット或いは複数枚の薄形ペレットの集合
体から成って半導体素子として動作するものであり、こ
れらを総称して薄形の半導体ペレト(以後、単に半導体
ペレットと記す)と記す。これらの半導体ペレット1U
〜1Yはそれぞれモリブデン板2に挟まれて中間ブロッ
ク4の上面に正側半導体ペレット1U,1Vが、又、下
面に負側半導体ペレット1X,1Yが圧接配置されてい
る。中間ブロック4は例えば中央が空間部3になってい
るドーナッツ状の形状から成り相間絶縁板5によって2
分割されている。中間ブロック4の上面には外形がほぼ
中間ブロック4と等しい正極ブロック6が、中間ブロッ
ク4の下面には外形がほぼ中間ブロック4と等しい負極
ブロック7がそれぞれ絶縁物8を介して固定されてい
る。
【0028】即ち、図2に示すように、中央に空間部3
を有する中間ブロック4は相間絶縁板5によって2分割
されており、この中間ブロック4の上側には絶縁物8を
介して相間絶縁板5によって2分割されている正極ブロ
ック6が固定され、中間ブロック4の下側には絶縁物8
を介して相間絶縁板5によって2分割されている負極ブ
ロック7が固定されている。
【0029】又、正極ブロック6及び負極ブロック7に
はそれぞれ半導体ペレット1U,1V,1X,1Yを収
納する収納空間9が設けられている。更に、正極ブロッ
ク6の上面には正極金属シ―ル板10が、負極ブロック
7の上面には負極金属シール板11それぞれ設けてい
る。又、半導体ペレット1U〜1Yから導出される制御
電極線例えばゲート電極線12は空間部3から外部へ必
要に応じて絶縁シールを施して取出す。
【0030】正極金属シール板10及び負極金属シール
板11は図示していないが直流端子P及びNとして使用
され、2分割された中間ブロック4は交流端子U,Vと
して使用される。
【0031】即ち、図3に図1の構成から成る電力変換
器の電気的な等価回路を示しているように、正極金属シ
ール板10が直流正端子Pに接続され、負極金属シール
板11が直流負端子Nに接続される。又、例えば図示左
側の中間ブロック4は交流端子Uに、図示右側の中間ブ
ロック4は交流端子Vに接続される。
【0032】尚、図3では、モリブデン板2、空間部
3、相間絶縁板5、絶縁物8及び収納空間部9は図示し
ていないが、相間絶縁板5は図2で示したように、正極
ブロック6と中間4と負極ブロック7の前方のギヤップ
と後方のギヤップに、正極ブロック6の上面から負極ブ
ロック7の上面(図示では下面側)まで貫通して設けら
れている。
【0033】以上説明から明らかなように、請求項1に
記載の発明による電力変換器は、単相インバータ或いは
単相コンバータとして用いることが出来る。次に、請求
項2に記載の発明を、図4を参照して説明する。
【0034】請求項1に記載の電力変換器は、正極ブロ
ック6と、負極ブロック7は、相間絶縁板5によって分
割し、分割された左右の正極ブロック6は正極金属シー
ル板10で電気的に接続し、分割された左右の負極ブロ
ック7は負極金属シール板11で電気的に接続している
ものであるのに対して、請求項2に記載の電力変換器
は、図4にその外観図を示すように、正極ブロック6
と、負極ブロック7を分割することなく一体化されたブ
ロックを使用したものである。これによって、正極金属
シール板10及び負極金属シール板11は省略すること
も出来る。
【0035】次に、請求項3に記載の発明を、電力変換
器として三相インバータ(三相コンバータ)を例として
図5及び図6を参照して説明する。図5は電力変換器の
正面側断面図、図6は図5のAーA断面とBーB断面を
示す平面図である。
【0036】図5、において、1U,1W及び2は図1
の半導体ペレットと、モリブデン板に相当し、3は空間
部に、4は中間ブロックに相当している。又、6は正極
ブロックに相当している上側電極ブロック、7は負極ブ
ロックに相当している下側電極ブロック、8は絶縁物に
相当している上側絶縁板及び下側絶縁板である。更に、
9は収納空間、10は正極金属シール板、11は負極金
属シール板に相当するものである。
【0037】上側及び下側絶縁板8は図6に示すように
平面形状が中間ブロック4の平面形状と同一でモリブデ
ン板2に挟まれた半導体ペレット1U,1Wが挿入され
る3個の穴を設けて中間ブロック4の上面及び下面に接
着固定されている。
【0038】上側絶縁板8及び下側絶縁板8の3個の穴
には、中間ブロック4と電気的に接続される下側モリブ
デン板2と半導体ペレット1U,1Wと上側モリブデン
板2と金属圧接部材12との順で積層される上側積層体
及び下側積層体を配置する。
【0039】上側絶縁板8には、相間絶縁板5を介して
3分割され且つ前記上側積層体を収納する収納空間9を
有する上側電極ブロック6を、下側絶縁板8には、相間
絶縁板5を介して3分割され且つ前記下側積層体を収納
する収納空間9を有する下側電極ブロック7を接着固定
する。
【0040】上側電極ブロック6及び下側電極ブロック
7に螺着されるボルト13を介して金属圧接部材12を
加圧する加圧手段として角材状のバネ14が設けられて
いる。
【0041】上側電極ブロック6と正極金属シ―ル板1
0及び下側電極ブロック7と負極金属シール板11とは
その縁を溶接等によってシールする。又、ゲート電極線
12は正極金属シール板10(又は負極金属シール板1
1或いは両方から)絶縁シーる15を施して外部へ取出
す。
【0042】又、正極金属シ―ル板10及び負極金属シ
ール板11は直流端子とし、3分割された中間ブロック
4は交流端子のU,V,Wとして使用することにより三
相インバータ或いは三相コンバータとして使用できる。
【0043】次に請求項4に記載の発明を説明する。請
求項3に記載の発明は、相間絶縁板5によって、上側電
極ブロック6、中間ブロック4及び下側電極ブロック7
が3分割されているのに対して、請求項4に記載の発明
は上側電極ブロック6及び下側電極ブロック7は分割す
ることなく、中間ブロック4のみを3分割したものでそ
の他の構成は、請求項3に記載の発明と同様である。
【0044】次に、請求項5に記載の発明の説明を図5
及び図6を参照して説明する。請求項5に記載の発明
は、請求項1乃至請求項4に記載の発明における中間ブ
ロック4の外側面に図5及び図6に示すように流入口1
6及び流出口17を有し冷媒の流路18を備え半導体ペ
レット1U〜1Wを冷却するようにしたものである。
【0045】次に、請求項6に記載の発明を説明する。
請求項6に記載の発明は、中間ブロック4に面と平行又
は面に対して直角に複数の冷却フィンを設けて強制風冷
するようにしたものである。
【0046】次に請求項7に記載の発明を、図7を参照
して説明する。図7は、請求項7に記載の発明の電力変
換器の一部断面図である。図示のように、中間ブロック
4に受熱部19が挿入されたヒートパイプ20を設けた
ものである。該ヒートパイプ20は図示では水平に取付
けているが、実際には傾斜を付ける必要がある。
【0047】次に、請求項8に記載の発明を図5を参照
して説明する。請求項8に記載の発明は、電力変換器の
中央の空間部3にスナバ回路、直流コンデンサ等の付属
部品21を設け配線距離の短縮、配線インダクタンスの
低減を図ったものである。
【0048】次に、請求項9に記載の発明を図5、図6
を用いて説明する。請求項9に記載の発明は、半導体ペ
レット1の加圧手段を、図5及び図6に示すように金属
圧接部材12の上部に、上側電極ブロック6及び下側電
極ブロック7に中心から外側に向って幅が角材状のバネ
14の幅より僅かに大きく、高さが角材状のバネ14の
厚みより大きい四角形状の貫通穴を設け、この貫通穴の
真上の上側電極ブロック6及び下側電極ブロック7の外
周寄りにネジ穴を設けこのネジ穴にボルト13を螺着
し、ボルト13で角材状のバネ14の一端に圧下力を加
えることによって角材状のバネ14の他端が四角形状の
貫通穴の天井に固定されるため金属圧接部材12の上部
の丸み部分に、「てこ」の原理によって加圧力が加わ
る。
【0049】尚、四角形状の貫通穴は、必要に応じて絶
縁シール15で塞いでおく。次に、請求項10に記載の
発明を説明する。請求項10に記載の発明は、半導体ペ
レット1の加圧手段を皿バネによって加えるようにした
ものである。即ち、図示していないが図5において金属
圧接部材12の上部に皿バネを配置し、その上にボルト
13を螺着するネジ穴を設け、ボルト13を締付けるこ
とによって加圧力を加えるようにしたものである。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
機能化、高密度化、小形化、信頼性向上を図った電力変
換器を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1に記載の発明による電力変換器の断面
図。
【図2】請求項1に記載の発明による電力変換器の外観
図。
【図3】請求項1に記載の発明による電力変換器の電気
的等価回路。
【図4】請求項2に記載の発明による電力変換器の外観
図。
【図5】請求項3に記載の発明による電力変換器の断面
図。
【図6】[図5]のAーA断面とBーB断面を示す平面
図。
【図7】請求項6に記載の発明による電力変換器の一部
断面図。
【図8】本発明が適用出来る電力変換器の接続図。
【図9】[図8]の電力変換器の従来の組立構成図。
【符号の説明】
1 …薄形の半導体ペレット 2 …モ
リブデン板 3 …空間部 4 …中
間ブロック 5 …相間絶縁板 6 …正
極(上側電極)ブロック 7 …負(下側電極)ブロック 8 …絶
縁物 9 …収納空間 10 …正
極金属シール板 11 …負極金属シール板 12 …ゲ
ート電極線 13 …ボルト 14 …角
材状のバネ 15 …絶縁シール 16 …流
入口 17 …流出口 18 …冷
媒の流路 19 …受熱部 20 …ヒ
ートパイプ 21 …付属部品 30 …逆
導通平形素子 31 …平滑コンデンサ 32 …ヒ
ートシンク 33 …絶縁スペーサ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央に空間部を有し、相間絶縁板
    を介して少くとも2分割された導電体からなる中間ブロ
    ックと、 モリブデン板に挟まれ前記中間ブロックの上面に負極側
    が下面に正極側が圧接配置される正側半導体ペレット及
    び負側半導体ペレットと、 中央に空間部を有し、前記相間絶縁板を介して少くとも
    2分割された導電体からなり、前記中間ブロックの上面
    に絶縁物を介して配置され、前記正側半導体ペレットの
    正極側と電気的に接続され且つ前記正側半導体ペレット
    を収納する収納空間を有する正極ブロックと、 中央に空間部を有し、前記相間絶縁板を介して少くとも
    2分割された導電体からなり、前記中間ブロックの下面
    に絶縁物を介して配置され、前記負側半導体ペレットの
    負極側と電気的に接続され且つ前記負側半導体ペレット
    を収納する収納空間を有する負極ブロックと、 前記正極ブロック及び負極ブロックの上面に電気的に接
    続される正極金属シ―ル板及び負極金属シール板とから
    成り、少くとも一方の金属シール板の中央から前記半導
    体ペレットのゲート電極線を取出し、且つ前記正極金属
    シール板及び負極金属シール板を直流端子、前記中間ブ
    ロックを交流端子として用いることを特徴とした電力変
    換器。
  2. 【請求項2】 中央に空間部を有し、相間絶縁板
    を介して少くとも2分割された導電体からなる中間ブロ
    ックと、 モリブデン板に挟まれ前記中間ブロックの上面に負極側
    が下面に正極側が圧接配置される正側半導体ペレット及
    び負側半導体ペレットと、 中央に空間部を有した導電体からなり、前記中間ブロッ
    クの上面に絶縁物を介して配置され、前記正側半導体ペ
    レットの正極側と電気的に接続され且つ前記正側半導体
    ペレットを収納する収納空間を有する正極ブロックと、 中央に空間部を有した導電体からなり、前記中間ブロッ
    クの下面に絶縁物を介して配置され、前記負側半導体ペ
    レットの負極側と電気的に接続され且つ前記負側半導体
    ペレットを収納する収納空間を有する負極ブロックとか
    ら成り、少くとも前記正極ブロック、負極ブロックのい
    ずれか一方のブロックの中央から前記半導体ペレットの
    ゲート電極線を取出し、且つ前記正極ブロック及び負極
    ブロックを直流端子、前記中間ブロックを交流端子とし
    て用いることを特徴とした電力変換器。
  3. 【請求項3】 中央に空間部を有し、相間絶縁板
    を介して少くとも2分割された導電体からなる中間ブロ
    ックと、 平面形状が前記中間ブロックの平面形状と同一で少くと
    も1個の穴を有し前記中間ブロックの上面及び下面に接
    着固定される上側絶縁板及び下側絶縁板と、 該上側絶縁板及び下側絶縁板の前記穴に配置され且つ前
    記中間ブロックと電気的に接続される下側モリブデン板
    と薄形半導体ペレットと上側モリブデン板と金属圧接部
    材との順で積層される上側積層体及び下側積層体と、 前記上側絶縁板に接着固定され、前記相間絶縁板を介し
    て少くとも2分割され且つ前記上側積層体を収納する収
    納空間を有する上側電極ブロック及び前記下側絶縁板に
    接着固定され、前記相間絶縁板を介して少くとも2分割
    され且つ前記下側積層体を収納する収納空間を有する下
    側電極ブロックと、 前記上側電極ブロック及び下側電極ブロックに螺着され
    るボルトを介して前記金属圧接部材を加圧する加圧手段
    と、 前記上側電極ブロック及び下側電極ブロックの上面に電
    気的に密着固定され且つ周囲を気密性のシール構成とし
    た1対の金属シール板とから成り、少くとも一方の前記
    金属シール板の中央から前記薄形半導体ペレットのゲー
    ト電極線を絶縁シ―ルして取出し、且つ前記1対の金属
    シール板を直流端子、前記中間ブロックを交流端子とし
    て用いることを特徴とした電力変換器。
  4. 【請求項4】 中央に空間部を有し、相間絶縁板
    を介して少くとも2分割された導電体からなる中間ブロ
    ックと、 平面形状が前記中間ブロックの平面形状と同一で少くと
    も1個の穴を有し前記中間ブロックの上面及び下面に接
    着固定される上側絶縁板及び下側絶縁板と、 該上側絶縁板及び下側絶縁板の前記穴に配置され且つ前
    記中間ブロックと電気的に接続される下側モリブデン板
    と薄形半導体ペレットと上側モリブデン板と金属圧接部
    材との順で積層される上側積層体及び下側積層体と、 前記上側絶縁板に接着固定され、前記上側積層体を収納
    する収納空間を有する上側電極ブロック及び前記下側絶
    縁板に接着固定され、前記下側積層体を収納する収納空
    間を有する下側電極ブロックと、 前記上側電極ブロック及び下側電極ブロックに螺着され
    るボルトを介して前記金属圧接部材を加圧する加圧手段
    とから成り、少くとも前記上側電極ブロック下側電極ブ
    ロックのいずれか一方のブロックの中央から前記薄形半
    導体ペレットのゲート電極線を絶縁シールして取出し、
    且つ前記上側電極ブロック、下側電極ブロックを直流端
    子、前記中間ブロックを交流端子として用いることを特
    徴とした電力変換器。
  5. 【請求項5】 前記中間ブロックの外側面に流入
    口及び流出口を有し、冷媒の流路を備えたことを特徴と
    する請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電力変換
    器。
  6. 【請求項6】 前記中間ブロックの外側面に冷却
    用フィンを設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項
    4のいずれかに記載の電力変換器。
  7. 【請求項7】 前記中間ブロックに受熱部が挿入
    されたヒートパイプを設けたことを特徴とする請求項1
    乃至請求項4のいずれかに記載の電力変換器。
  8. 【請求項8】 前記中央の空間部にスナバ回路、
    直流コンデンサ等の付属部品を設けたことを特徴とする
    請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電力変換器。
  9. 【請求項9】 前記加圧手段は、前記金属圧接部
    材の上部に所定の間隙を持つように前記上側電極ブロッ
    ク及び下側電極ブロックに穴を設け、この穴の前記間隙
    に角材状のバネを挿入し、前記上側電極ブロック及び下
    側電極ブロックの外周近傍に前記上側電極ブロック及び
    下側電極ブロックの上面から前記穴に向って設けられて
    いるネジ穴に螺着されるボルトで前記角材状のバネの一
    端に圧下力を加えることによって前記角材状のバネの他
    端が前記穴の天井に固定されることによって、上部に丸
    みを持たせた前記金属圧接部材に「てこ」の原理によっ
    て加圧力を得ることを特徴とした請求項3又は請求項4
    に記載の電力変換器。
  10. 【請求項10】 前記加圧手段は、前記金属圧接部
    材の上部に設けられる皿バネと、該皿バネの中心が前記
    上側電極ブロック及び下側電極ブロックに設けられるネ
    ジ穴の中心と一致し、該ネジ穴に螺着されるボルトから
    成ることを特徴とした請求項3又は請求項4に記載の電
    力変換器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015104257A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 アイシン精機株式会社 インバータ装置およびインバータ一体形モータ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7193317B2 (en) 2002-07-03 2007-03-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor module and power conversion device
US7508068B2 (en) 2002-07-03 2009-03-24 Hitachi, Ltd. Semiconductor module and power conversion device
JP2015104257A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 アイシン精機株式会社 インバータ装置およびインバータ一体形モータ装置

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