JPH0997785A - プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法Info
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- JPH0997785A JPH0997785A JP25270895A JP25270895A JPH0997785A JP H0997785 A JPH0997785 A JP H0997785A JP 25270895 A JP25270895 A JP 25270895A JP 25270895 A JP25270895 A JP 25270895A JP H0997785 A JPH0997785 A JP H0997785A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマクリーニングの終点検出を高精度に
行うことができるプラズマ処理装置および処理方法を提
供する。 【構成】 真空容器１からのプラズマ発光を透過する窓
材７と窓材７を通して真空容器１内の空間に焦点を合わ
せたレンズ光学系８と、前記レンズ光学系を透過したプ
ラズマ発光の特定波長領域を選択透過する光学装置９
と、前記特定波長領域のプラズマ発光強度測定装置１０
と、前記発光強度の時間変化の演算処理装置１１とを備
え、不要な堆積膜の除去しにくく、クリーニング時間の
かかる部分の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学系
８で焦点を合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分
解したプラズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測
定、監視することにより、プラズマクリーニングの終点
を高精度に検知する。
行うことができるプラズマ処理装置および処理方法を提
供する。 【構成】 真空容器１からのプラズマ発光を透過する窓
材７と窓材７を通して真空容器１内の空間に焦点を合わ
せたレンズ光学系８と、前記レンズ光学系を透過したプ
ラズマ発光の特定波長領域を選択透過する光学装置９
と、前記特定波長領域のプラズマ発光強度測定装置１０
と、前記発光強度の時間変化の演算処理装置１１とを備
え、不要な堆積膜の除去しにくく、クリーニング時間の
かかる部分の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学系
８で焦点を合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分
解したプラズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測
定、監視することにより、プラズマクリーニングの終点
を高精度に検知する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体や液晶パネル、太
陽電池等の薄膜形成工程、あるいは微細加工工程等に用
いられるプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置及
びプラズマアッシング装置などのプラズマ処理装置に関
する。
陽電池等の薄膜形成工程、あるいは微細加工工程等に用
いられるプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置及
びプラズマアッシング装置などのプラズマ処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマ処理装置は、デバイスの
高機能化とその処理コストの低減のために、高品質化、
高速化、大面積化、低ダメージ化、低ダストのクリーン
化を実現する取り組みが盛んに行なわれている。このよ
うなプラズマ処理装置は基材にプラズマ処理を施し、成
膜やエッチングを行うが、この時、処理基材以外の処理
室内壁や処理室内の構成部品などに反応生成物として不
要な堆積膜が堆積する。基材の処理回数が増えると、こ
の不要な堆積膜は厚く堆積し、やがて剥離してダスト源
になり、デバイスの不良原因になる。そのため、装置の
実生産時間（稼働率）を短縮してしまうが、この堆積膜
を除去（クリーニング）することがプラズマクリーニン
グにより行われている。
高機能化とその処理コストの低減のために、高品質化、
高速化、大面積化、低ダメージ化、低ダストのクリーン
化を実現する取り組みが盛んに行なわれている。このよ
うなプラズマ処理装置は基材にプラズマ処理を施し、成
膜やエッチングを行うが、この時、処理基材以外の処理
室内壁や処理室内の構成部品などに反応生成物として不
要な堆積膜が堆積する。基材の処理回数が増えると、こ
の不要な堆積膜は厚く堆積し、やがて剥離してダスト源
になり、デバイスの不良原因になる。そのため、装置の
実生産時間（稼働率）を短縮してしまうが、この堆積膜
を除去（クリーニング）することがプラズマクリーニン
グにより行われている。
【０００３】以下に従来のプラズマ処理装置について説
明する。従来のプラズマ処理装置の例としては、特開昭
６３−５５３２号公報にプラズマクリーニング方法とし
て示されている。図５は特開昭６３−５５３２号公報に
示されたプラズマ処理装置の反応室の断面図である。
明する。従来のプラズマ処理装置の例としては、特開昭
６３−５５３２号公報にプラズマクリーニング方法とし
て示されている。図５は特開昭６３−５５３２号公報に
示されたプラズマ処理装置の反応室の断面図である。
【０００４】図５において、２１は真空排気が可能な真
空容器、２２は処理基材、２３は高周波電源２４に接続
された高周波電極、２５は設置された対向接地電極、２
６、２９は石英の窓、２７、３０は特定波長の発光強度
測定装置（例えば、干渉フィルターとホトダイオードに
より構成）で、両電極２３、２５間のプラズマ発光スペ
クトル強度を測定するように設置されている。２８、３
１は終点検出装置である。
空容器、２２は処理基材、２３は高周波電源２４に接続
された高周波電極、２５は設置された対向接地電極、２
６、２９は石英の窓、２７、３０は特定波長の発光強度
測定装置（例えば、干渉フィルターとホトダイオードに
より構成）で、両電極２３、２５間のプラズマ発光スペ
クトル強度を測定するように設置されている。２８、３
１は終点検出装置である。
【０００５】以上のように構成されたプラズマ処理装置
について、以下そのクリーニング方法について説明す
る。まず、不要な膜が堆積した真空容器２１を真空排気
し、ガス導入口よりクリーニング用反応ガス（例えば酸
素ガス）を導入し圧力を１５０ｍＴｏｒｒに調整する。
次に、高周波電源２４から１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を高周波電極２４に供給し、プラズマを両電極間に発
生させる。このプラズマによって真空容器２１の内壁や
両電極上の不要な堆積膜をエッチング除去する。この
時、石英窓２６、２９を通して両電極間のプラズマ発光
スペクトルを監視する。すなわち、両電極間のプラズマ
内における、堆積膜とガスプラズマとの反応生成物、あ
るいは反応によって消費される物質による発光スペクト
ル強度を特定波長の発光強度測定装置２７、３０より監
視し、その発光強度がクリーニングの終点で変化するこ
とから終点検出装置２８、３１により終点を検出する。
について、以下そのクリーニング方法について説明す
る。まず、不要な膜が堆積した真空容器２１を真空排気
し、ガス導入口よりクリーニング用反応ガス（例えば酸
素ガス）を導入し圧力を１５０ｍＴｏｒｒに調整する。
次に、高周波電源２４から１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を高周波電極２４に供給し、プラズマを両電極間に発
生させる。このプラズマによって真空容器２１の内壁や
両電極上の不要な堆積膜をエッチング除去する。この
時、石英窓２６、２９を通して両電極間のプラズマ発光
スペクトルを監視する。すなわち、両電極間のプラズマ
内における、堆積膜とガスプラズマとの反応生成物、あ
るいは反応によって消費される物質による発光スペクト
ル強度を特定波長の発光強度測定装置２７、３０より監
視し、その発光強度がクリーニングの終点で変化するこ
とから終点検出装置２８、３１により終点を検出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ダスト源となる不要な
堆積膜は両電極上だけでなく、真空容器の内壁や電極の
側面及び裏面にも堆積しており、しかもこれらの箇所の
堆積膜はプラズマ領域の中心から離れているため、プラ
ズマクリーニングでの除去に要する時間が電極上よりも
長時間必要となる。しかしながら上記の従来構成では、
発光スペクトルの強度を監視する際に両電極間のプラズ
マ発光について、空間分解能を有していない発光強度測
定装置で監視しており、両電極間のプラズマ発光を中心
にしていわば漠然と監視していることとなるため、両電
極間の発光スペクトルの変化は検知しやすいが、真空容
器の内壁や電極の側面及び裏面に堆積したプラズマクリ
ーニングで除去しにくく長いクリーニング時間の必要な
堆積膜のクリーニングの終点は、検出しにくい。すなわ
ち、この真空容器の内壁や電極の側面及び裏面の堆積膜
のプラズマクリーニング終点検出は不可能であった。従
って、従来構成では、終点を検出してから、さらにプラ
ズマクリーニングを過剰に続けていた。このような従来
方法では、真空容器の内壁や電極の側面及び裏面の堆積
膜が実際にプラズマクリーニングで除去されていても、
過剰な時間クリーニングして、無駄に稼働率を落とすと
いった問題や、十分に除去されていないにもかかわらず
クリーニングを終了し、残った堆積膜が後のプラズマ処
理中にダスト源となって歩留まりを落とすといった問題
点を有していた。
堆積膜は両電極上だけでなく、真空容器の内壁や電極の
側面及び裏面にも堆積しており、しかもこれらの箇所の
堆積膜はプラズマ領域の中心から離れているため、プラ
ズマクリーニングでの除去に要する時間が電極上よりも
長時間必要となる。しかしながら上記の従来構成では、
発光スペクトルの強度を監視する際に両電極間のプラズ
マ発光について、空間分解能を有していない発光強度測
定装置で監視しており、両電極間のプラズマ発光を中心
にしていわば漠然と監視していることとなるため、両電
極間の発光スペクトルの変化は検知しやすいが、真空容
器の内壁や電極の側面及び裏面に堆積したプラズマクリ
ーニングで除去しにくく長いクリーニング時間の必要な
堆積膜のクリーニングの終点は、検出しにくい。すなわ
ち、この真空容器の内壁や電極の側面及び裏面の堆積膜
のプラズマクリーニング終点検出は不可能であった。従
って、従来構成では、終点を検出してから、さらにプラ
ズマクリーニングを過剰に続けていた。このような従来
方法では、真空容器の内壁や電極の側面及び裏面の堆積
膜が実際にプラズマクリーニングで除去されていても、
過剰な時間クリーニングして、無駄に稼働率を落とすと
いった問題や、十分に除去されていないにもかかわらず
クリーニングを終了し、残った堆積膜が後のプラズマ処
理中にダスト源となって歩留まりを落とすといった問題
点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、プラズマクリーニングの高精度な終点検出を行うこ
とができるプラズマ処理装置とプラズマクリーニング方
法を提供することを目的とする。
で、プラズマクリーニングの高精度な終点検出を行うこ
とができるプラズマ処理装置とプラズマクリーニング方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の第１の構成のプラズマ処理装置は、基材処理
室内の空間に焦点を合わせたレンズ光学系と、前記レン
ズ光学系を透過したプラズマ発光の特定波長領域を選択
透過する光学装置と、前記特定波長領域のプラズマ発光
強度測定装置と、前記発光強度の時間変化の演算処理を
行う終点検出装置とを備えている。
に本発明の第１の構成のプラズマ処理装置は、基材処理
室内の空間に焦点を合わせたレンズ光学系と、前記レン
ズ光学系を透過したプラズマ発光の特定波長領域を選択
透過する光学装置と、前記特定波長領域のプラズマ発光
強度測定装置と、前記発光強度の時間変化の演算処理を
行う終点検出装置とを備えている。
【０００９】また、本発明の第２の構成によれば、レン
ズ光学系は、前記プラズマ発生源のプラズマ発生部と処
理基材とで挟まれた空間以外に焦点を合わせて設置する
ことが好ましい。
ズ光学系は、前記プラズマ発生源のプラズマ発生部と処
理基材とで挟まれた空間以外に焦点を合わせて設置する
ことが好ましい。
【００１０】また、本発明の第３の構成によれば、レン
ズ光学系は、基材処理室の内壁近傍に焦点を合わせて設
置することが好ましい。
ズ光学系は、基材処理室の内壁近傍に焦点を合わせて設
置することが好ましい。
【００１１】また、本発明に係るプラズマクリーニング
方法は、プラズマ源のプラズマ発生部と処理基材とで挟
まれた主プラズマ領域以外のプラズマ発光を、レンズ光
学装置で焦点を合わせて空間分解し、次にその空間分解
したプラズマ発光の特定波長領域の発光強度を測定、監
視することにより、プラズマクリーニングの終点を検知
する。
方法は、プラズマ源のプラズマ発生部と処理基材とで挟
まれた主プラズマ領域以外のプラズマ発光を、レンズ光
学装置で焦点を合わせて空間分解し、次にその空間分解
したプラズマ発光の特定波長領域の発光強度を測定、監
視することにより、プラズマクリーニングの終点を検知
する。
【００１２】
【作用】前記本発明の第１の構成によれば、プラズマ発
光を空間分解、及び波長分解してその強度変化を監視す
ることにより、ダスト源となる不要な堆積膜のプラズマ
クリーニングの終点を高精度に検知することができる。
光を空間分解、及び波長分解してその強度変化を監視す
ることにより、ダスト源となる不要な堆積膜のプラズマ
クリーニングの終点を高精度に検知することができる。
【００１３】また、本発明の第２の構成によれば、不要
な堆積膜のプラズマクリーニング速度の速いプラズマ発
生部と処理基材とで挟まれた空間以外にレンズ光学系の
焦点を合わせてプラズマ発光を空間分解し、その後、波
長分解してその強度を監視することにより、プラズマク
リーニングで除去しにくい部分の不要な堆積膜のプラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知できる。
な堆積膜のプラズマクリーニング速度の速いプラズマ発
生部と処理基材とで挟まれた空間以外にレンズ光学系の
焦点を合わせてプラズマ発光を空間分解し、その後、波
長分解してその強度を監視することにより、プラズマク
リーニングで除去しにくい部分の不要な堆積膜のプラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知できる。
【００１４】また、本発明の第３の構成によれば、最も
クリーニング時間のかかる基材処理室の内壁のプラズマ
クリーニングの終点を高精度に検知することが容易にな
る。
クリーニング時間のかかる基材処理室の内壁のプラズマ
クリーニングの終点を高精度に検知することが容易にな
る。
【００１５】また、前記本発明の方法によれば、不要な
堆積膜の、除去しにくくクリーニング時間のかかる部分
の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学装置で焦点を
合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分解したプラ
ズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測定、監視す
ることにより、プラズマクリーニングの終点を高精度に
検知することが出来る。
堆積膜の、除去しにくくクリーニング時間のかかる部分
の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学装置で焦点を
合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分解したプラ
ズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測定、監視す
ることにより、プラズマクリーニングの終点を高精度に
検知することが出来る。
【００１６】
【実施例】以下本発明のプラズマ処理装置の一実施例に
ついて、ＳｉＮ膜が真空容器内部に堆積したプラズマＣ
ＶＤ装置のプラズマクリーニングへの適用を例に取り、
図面を参照しながら説明する。
ついて、ＳｉＮ膜が真空容器内部に堆積したプラズマＣ
ＶＤ装置のプラズマクリーニングへの適用を例に取り、
図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１において、１は真空容器、２は真空排
気系、３は基板加熱ヒータを有し基板を保持する（図示
せず）接地電極、４は反応ガス導入口を有し、１３．５
６ＭＨｚの高周波電源６が接続された高周波電極、５は
絶縁体、７はプラズマ発光を透過する石英窓、８は石英
ガラスのレンズ（焦点距離＝１５０mm）で接地電極３の
側面から３mm離れた空間に焦点を合わせている。９は特
定波長領域を透過する干渉フィルター、１０はフォトダ
イオードで透過したプラズマ発光を電気信号に変換す
る。１１は終点検出装置である。
気系、３は基板加熱ヒータを有し基板を保持する（図示
せず）接地電極、４は反応ガス導入口を有し、１３．５
６ＭＨｚの高周波電源６が接続された高周波電極、５は
絶縁体、７はプラズマ発光を透過する石英窓、８は石英
ガラスのレンズ（焦点距離＝１５０mm）で接地電極３の
側面から３mm離れた空間に焦点を合わせている。９は特
定波長領域を透過する干渉フィルター、１０はフォトダ
イオードで透過したプラズマ発光を電気信号に変換す
る。１１は終点検出装置である。
【００１８】ここで、監視すべきプラズマ発光は、プラ
ズマ内における、堆積膜とガスプラズマとの反応生成
物、あるいは反応によって消費される物質いずれかの発
光スペクトルでよいが、ここでは、ＳｉＮ膜のクリーニ
ングであるので、反応生成物のＮ（窒素）の発光スペク
トルである６７４nmの発光強度を監視する。従って、干
渉フィルター９は６７４nm近傍に透過の中心を有するも
のである。
ズマ内における、堆積膜とガスプラズマとの反応生成
物、あるいは反応によって消費される物質いずれかの発
光スペクトルでよいが、ここでは、ＳｉＮ膜のクリーニ
ングであるので、反応生成物のＮ（窒素）の発光スペク
トルである６７４nmの発光強度を監視する。従って、干
渉フィルター９は６７４nm近傍に透過の中心を有するも
のである。
【００１９】以上のように構成されたプラズマ処理装置
について、図１を用いてその動作を説明する。まず、不
要なＳｉＮ膜が内部に堆積された真空容器１を真空排気
し、反応ガスであるＣＦ4を９０cc／分と、Ｏ2を１０cc
／分同時に導入し、８００mTorrに調圧する。次に、８
００Ｗの高周波電力を高周波電極４に印加させる。する
と真空容器１内に両電極３、４間を中心としてＦ（弗
素）系ガスのプラズマが発生する。堆積しているＳｉＮ
膜はＦラジカルでエッチングされ、ＳｉＦ4や Ｎ 2ガス
の反応生成として真空容器１内から排気され、クリーニ
ングされる。通常、両電極間の堆積膜は速やかに除去で
きるが、接地電極側面の堆積膜の除去はこれよりも時間
がかかり、除去しにくい。
について、図１を用いてその動作を説明する。まず、不
要なＳｉＮ膜が内部に堆積された真空容器１を真空排気
し、反応ガスであるＣＦ4を９０cc／分と、Ｏ2を１０cc
／分同時に導入し、８００mTorrに調圧する。次に、８
００Ｗの高周波電力を高周波電極４に印加させる。する
と真空容器１内に両電極３、４間を中心としてＦ（弗
素）系ガスのプラズマが発生する。堆積しているＳｉＮ
膜はＦラジカルでエッチングされ、ＳｉＦ4や Ｎ 2ガス
の反応生成として真空容器１内から排気され、クリーニ
ングされる。通常、両電極間の堆積膜は速やかに除去で
きるが、接地電極側面の堆積膜の除去はこれよりも時間
がかかり、除去しにくい。
【００２０】図２に、本実施例の接地電極側面上３mmの
空間における反応生成物のＮ（窒素）の発光スペクトル
である６７４nmの発光強度の変化と、従来方式の両電極
間の発光スペクトルの強度変化を示した。従来技術で
は、両電極間のＳｉＮ膜が除去できた時点で発光強度は
大きく変化し、Ａ点付近で終点を検出しているが、実際
には、接地電極の側面上には未だＳｉＮ膜が堆積してお
り正確な終点を検出することができない。
空間における反応生成物のＮ（窒素）の発光スペクトル
である６７４nmの発光強度の変化と、従来方式の両電極
間の発光スペクトルの強度変化を示した。従来技術で
は、両電極間のＳｉＮ膜が除去できた時点で発光強度は
大きく変化し、Ａ点付近で終点を検出しているが、実際
には、接地電極の側面上には未だＳｉＮ膜が堆積してお
り正確な終点を検出することができない。
【００２１】一方、本実施例によれば、接地電極側面上
の発光スペクトルのみを選択的に監視しているので、接
地電極側面上のＳｉＮ膜が除去された時点（Ｂ点）で発
光スペクトルは大きく変化し、この時点で終点を検出す
ることができる。すなわち、クリーニングしにくい箇所
近傍の発光スペクトル強度を空間的に選択監視すること
により、高精度のクリーニング終点検出が可能となる。
の発光スペクトルのみを選択的に監視しているので、接
地電極側面上のＳｉＮ膜が除去された時点（Ｂ点）で発
光スペクトルは大きく変化し、この時点で終点を検出す
ることができる。すなわち、クリーニングしにくい箇所
近傍の発光スペクトル強度を空間的に選択監視すること
により、高精度のクリーニング終点検出が可能となる。
【００２２】以上のように本実施例によれば、基材処理
室内の空間に焦点を合わせたレンズ光学系と、前記レン
ズ光学系を透過したプラズマ発光の特定波長領域を選択
透過する光学装置と、前記特定波長領域のプラズマ発光
強度測定装置と、前記発光強度の時間変化の演算処理装
置とを備えることにより、不要な堆積膜の、除去しにく
くクリーニング時間のかかる部分の近傍のプラズマ発光
のみを、レンズ光学装置で焦点を合わせて空間分解、抽
出し、次にその空間分解したプラズマ発光の特定波長領
域の発光強度変化を測定、監視することにより、プラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知することができ、
無駄なクリーニング時間の延長を省き生産性を向上でき
ると共に、除去されていない不要な堆積膜を残さず、ク
リーンな状態に真空容器内を保つことができる。
室内の空間に焦点を合わせたレンズ光学系と、前記レン
ズ光学系を透過したプラズマ発光の特定波長領域を選択
透過する光学装置と、前記特定波長領域のプラズマ発光
強度測定装置と、前記発光強度の時間変化の演算処理装
置とを備えることにより、不要な堆積膜の、除去しにく
くクリーニング時間のかかる部分の近傍のプラズマ発光
のみを、レンズ光学装置で焦点を合わせて空間分解、抽
出し、次にその空間分解したプラズマ発光の特定波長領
域の発光強度変化を測定、監視することにより、プラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知することができ、
無駄なクリーニング時間の延長を省き生産性を向上でき
ると共に、除去されていない不要な堆積膜を残さず、ク
リーンな状態に真空容器内を保つことができる。
【００２３】なお、本実施例において、レンズの焦点を
合わせ、空間的に選択監視するプラズマ発光の領域を、
接地電極の側面上としたが、本発明はこれに限定される
べきものでなく、プラズマクリーニングで除去しにくい
箇所の近傍領域とすることが望ましく、例えば、図３に
示したように、Ａ、Ｂ：電極裏面付近、Ｃ：高周波電極
の側面付近、Ｄ：真空容器内壁上などに設定してもよ
い。プラズマの発生方法やプロセス条件、真空容器の構
造、ガス供給や排気の構造などにより、装置に合わせ
て、最適な箇所に設定することが望ましい。
合わせ、空間的に選択監視するプラズマ発光の領域を、
接地電極の側面上としたが、本発明はこれに限定される
べきものでなく、プラズマクリーニングで除去しにくい
箇所の近傍領域とすることが望ましく、例えば、図３に
示したように、Ａ、Ｂ：電極裏面付近、Ｃ：高周波電極
の側面付近、Ｄ：真空容器内壁上などに設定してもよ
い。プラズマの発生方法やプロセス条件、真空容器の構
造、ガス供給や排気の構造などにより、装置に合わせ
て、最適な箇所に設定することが望ましい。
【００２４】また、本実施例において、平行平板型のプ
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、プラズマの
発生のさせ方はこれに限るものでなく、図４に示した様
な構成をとる、プラズマ発生源１２として、誘導加熱プ
ラズマ源（ＩＣＰ）や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）やヘリコン波プラズマ源などを用いてもよい。ガス
の種類をフッ素系、塩素系、臭素系、酸素系等のエッチ
ングガスに変えることによって、ドライエッチング装置
に本発明を用いてもよい。この場合も同様に、例えば、
Ｅ：基板保持台の側面上、Ｆ：基板保持台の裏面上、
Ｇ：真空容器内壁上等に焦点を合わせ、スペクトルの強
度変化を監視してもよい。
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、プラズマの
発生のさせ方はこれに限るものでなく、図４に示した様
な構成をとる、プラズマ発生源１２として、誘導加熱プ
ラズマ源（ＩＣＰ）や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）やヘリコン波プラズマ源などを用いてもよい。ガス
の種類をフッ素系、塩素系、臭素系、酸素系等のエッチ
ングガスに変えることによって、ドライエッチング装置
に本発明を用いてもよい。この場合も同様に、例えば、
Ｅ：基板保持台の側面上、Ｆ：基板保持台の裏面上、
Ｇ：真空容器内壁上等に焦点を合わせ、スペクトルの強
度変化を監視してもよい。
【００２５】また、本実施例において、プラズマ発光の
特定波長領域を選択透過する光学装置として、干渉フィ
ルターを用いたが、グレーティング等の光学装置を用い
てもよい。
特定波長領域を選択透過する光学装置として、干渉フィ
ルターを用いたが、グレーティング等の光学装置を用い
てもよい。
【００２６】また、本実施例においてレンズ光学系とし
て、単板レンズを用いたが、複数個のレンズを用いた光
学系としてもよい。
て、単板レンズを用いたが、複数個のレンズを用いた光
学系としてもよい。
【００２７】また、本実施例において、プラズマＣＶＤ
装置を用いて説明したが、ドライエッチング装置やプラ
ズマアッシング装置に用いてもよい。
装置を用いて説明したが、ドライエッチング装置やプラ
ズマアッシング装置に用いてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
発光を空間分解、及び波長分解してその強度変化を監視
することにより、ダスト源となる不要な堆積膜のプラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知することができ
る。
発光を空間分解、及び波長分解してその強度変化を監視
することにより、ダスト源となる不要な堆積膜のプラズ
マクリーニングの終点を高精度に検知することができ
る。
【００２９】また、前記本発明の方法によれば、不要な
堆積膜の除去しにくく、クリーニング時間のかかる部分
の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学装置で焦点を
合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分解したプラ
ズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測定、監視す
ることにより、プラズマクリーニングの終点を高精度に
検知することが出来る。
堆積膜の除去しにくく、クリーニング時間のかかる部分
の近傍のプラズマ発光のみを、レンズ光学装置で焦点を
合わせて空間分解、抽出し、次にその空間分解したプラ
ズマ発光の特定波長領域の発光強度変化を測定、監視す
ることにより、プラズマクリーニングの終点を高精度に
検知することが出来る。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例にお
ける反応室の断面図
ける反応室の断面図
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置と従来型のプラ
ズマ処理装置におけるプラズマクリーニング時の発光ス
ペクトルの変化を示す図
ズマ処理装置におけるプラズマクリーニング時の発光ス
ペクトルの変化を示す図
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の平行平板型装
置の別の実施例における反応室の断面図
置の別の実施例における反応室の断面図
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の別の実施例に
おける反応室の断面図
おける反応室の断面図
【図５】従来例のプラズマ処理装置における反応室の断
面図
面図
１ 真空容器 ２ 真空排気系 ３ 接地電極 ４ 高周波電極 ５ 絶縁物 ６ 高周波電源 ７ 窓材（石英窓） ８ レンズ ９ 干渉フィルター １０ 発光強度測定装置 １１ 終点検出装置 １２ プラズマ発生源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (4)
- 【請求項１】プラズマ発生源を有し基材をプラズマ処理
するプラズマ処理装置であって、基材処理室内の空間に
焦点を合わせたレンズ光学系と、前記レンズ光学系を透
過したプラズマ発光の特定波長領域を選択透過する光学
装置と、前記特定波長領域のプラズマ発光強度測定装置
と、前記発光強度の時間変化の演算処理を行う終点検出
装置とを有するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】レンズ光学系の焦点は、プラズマ発生源の
プラズマ発生部と処理基材とで挟まれた空間以外にある
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】レンズ光学系の焦点は、基材処理室の内壁
近傍にあることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】プラズマ発生源を有し基材をプラズマ処理
するプラズマ処理装置のプラズマクリーニング方法であ
って、前記プラズマ源のプラズマ発生部と処理基材とで
挟まれた領域以外のプラズマ発光を、レンズ光学装置で
焦点を合わせて空間分解し、次にその空間分解したプラ
ズマ発光の特定波長領域の発光強度を測定、監視するこ
とにより、プラズマクリーニングの終点を検知すること
を特徴とするプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25270895A JPH0997785A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25270895A JPH0997785A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997785A true JPH0997785A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17241151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25270895A Pending JPH0997785A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997785A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019639A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement faisant intervenir un gaz de traitement et son mode d'utilisation |
| JP2011142362A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25270895A patent/JPH0997785A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019639A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement faisant intervenir un gaz de traitement et son mode d'utilisation |
| JP2011142362A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
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