JPH0997782A - 半導体ウェハキャリヤ - Google Patents
半導体ウェハキャリヤInfo
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- JPH0997782A JPH0997782A JP28908595A JP28908595A JPH0997782A JP H0997782 A JPH0997782 A JP H0997782A JP 28908595 A JP28908595 A JP 28908595A JP 28908595 A JP28908595 A JP 28908595A JP H0997782 A JPH0997782 A JP H0997782A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 79
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
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- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
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- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Packaging Frangible Articles (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハのエッチング液に対する露呈面
積を大きくして均一な接触を進行させることによりエッ
チング時の平坦度劣化を防止できるような半導体ウェハ
キャリヤを提供する。 【解決手段】 多数の半導体ウェハを隔置する対向支持
溝を内側面に設け、頂部と底部が開放したウェハキャリ
ヤ本体１をロープロファイル形態に形成する。側板２お
よび３をその垂直下方へ向けて直立に延設し、側板２お
よび３の内側表面には内方へヒダ状に突出し互いに対向
して設けた垂直下方へ延びる一連の隔置リブ２ａ〜２
ｎ，３ａ〜３ｎと、該隔置リブ２ａ〜２ｎ，３ａ〜３ｎ
のそれぞれ下方に側板２および３と平行隣接するように
して前板４および後板５間に架設したウェハ支持杆８お
よび９とを有し、隔置リブ２ａ〜２ｎ，３ａ〜３ｎ間に
形成された対向するウェハ支持溝６ａ〜６ｎ，７ａ〜７
ｎに挿入される半導体ウェハを該ウェハ支持杆８および
９上に２点支持でもって保持するよう構成する。
積を大きくして均一な接触を進行させることによりエッ
チング時の平坦度劣化を防止できるような半導体ウェハ
キャリヤを提供する。 【解決手段】 多数の半導体ウェハを隔置する対向支持
溝を内側面に設け、頂部と底部が開放したウェハキャリ
ヤ本体１をロープロファイル形態に形成する。側板２お
よび３をその垂直下方へ向けて直立に延設し、側板２お
よび３の内側表面には内方へヒダ状に突出し互いに対向
して設けた垂直下方へ延びる一連の隔置リブ２ａ〜２
ｎ，３ａ〜３ｎと、該隔置リブ２ａ〜２ｎ，３ａ〜３ｎ
のそれぞれ下方に側板２および３と平行隣接するように
して前板４および後板５間に架設したウェハ支持杆８お
よび９とを有し、隔置リブ２ａ〜２ｎ，３ａ〜３ｎ間に
形成された対向するウェハ支持溝６ａ〜６ｎ，７ａ〜７
ｎに挿入される半導体ウェハを該ウェハ支持杆８および
９上に２点支持でもって保持するよう構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路を構成す
る半導体ウェハの製造工程において、湿式処理例えばア
ルカリ溶液等のエッチング液にて半導体ウェハをエッチ
ング処理するためのウェットプロセス用のキャリヤの構
成部分に特徴のある半導体ウェハキャリヤに関するもの
である。
る半導体ウェハの製造工程において、湿式処理例えばア
ルカリ溶液等のエッチング液にて半導体ウェハをエッチ
ング処理するためのウェットプロセス用のキャリヤの構
成部分に特徴のある半導体ウェハキャリヤに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来から、電子回路部品を形成するため
の半導体ウェハの製造工程において、半導体インゴット
をスライスしてウェハを得るインゴット切断工程と面取
り工程後に加工層をアルカリ溶液にてエッチングして除
去するエッチング工程時に使用される搬送カセットであ
る所謂ウェハキャリヤは、工程間の搬送および乾燥（ス
ピンドライヤー等）を考慮した通常ＰＦＡキャリヤやス
ケルトンＰＦＡキャリヤ等の設計になっていた。
の半導体ウェハの製造工程において、半導体インゴット
をスライスしてウェハを得るインゴット切断工程と面取
り工程後に加工層をアルカリ溶液にてエッチングして除
去するエッチング工程時に使用される搬送カセットであ
る所謂ウェハキャリヤは、工程間の搬送および乾燥（ス
ピンドライヤー等）を考慮した通常ＰＦＡキャリヤやス
ケルトンＰＦＡキャリヤ等の設計になっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高エッ
チングレート薬液を使用するエッチング工程で使用する
場合、上記した従来でのウェハキャリヤではハイプロフ
ァイルの多点支持構造なためにキャリヤにより収納被覆
されるウェハの被覆面積が大きく、またエッチング液の
流れを阻止するような余計な湾曲状の突起部分を有する
形状によりエッチング液がウェハ面内で均一に接触し進
行させることができず、エッチング時の半導体ウェハの
平坦度劣化を促す等の問題点があった。
チングレート薬液を使用するエッチング工程で使用する
場合、上記した従来でのウェハキャリヤではハイプロフ
ァイルの多点支持構造なためにキャリヤにより収納被覆
されるウェハの被覆面積が大きく、またエッチング液の
流れを阻止するような余計な湾曲状の突起部分を有する
形状によりエッチング液がウェハ面内で均一に接触し進
行させることができず、エッチング時の半導体ウェハの
平坦度劣化を促す等の問題点があった。
【０００４】本発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、高エッチング液の流れを極力阻害しないよう流動抵
抗を減少させ且つキャリヤに収納されるときの接触支点
を少なくし、また保持された半導体ウェハのエッチング
液に対する露呈面積を大きくして均一な接触を進行させ
ることによりエッチング時の平坦度劣化を防止できるよ
うな半導体ウェハキャリヤを提供することを目的とした
ものである。
で、高エッチング液の流れを極力阻害しないよう流動抵
抗を減少させ且つキャリヤに収納されるときの接触支点
を少なくし、また保持された半導体ウェハのエッチング
液に対する露呈面積を大きくして均一な接触を進行させ
ることによりエッチング時の平坦度劣化を防止できるよ
うな半導体ウェハキャリヤを提供することを目的とした
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、多
数の半導体ウェハを隔置する対向支持溝を内側面に設
け、頂部と底部が開放されたウェハキャリヤにおいて、
ウェハキャリヤ本体は、ロープロファイル形態に一体成
形して設けられた直立する左右対称の側板と前板および
後板と、該側板はその垂直下方へ向けて直立に延設さ
れ、側板の内側表面には内方へヒダ状に突出し互いに対
向して設けられ垂直下方へ延びる一連の隔置リブと、該
隔置リブのそれぞれ下方に側板と平行隣接するようにし
て前板および後板間に架設されたウェハ支持杆とを有
し、隔置リブ間に形成された対向支持溝に挿入される半
導体ウェハを該ウェハ支持杆上に２点支持でもって保持
されていることを特徴とする。
数の半導体ウェハを隔置する対向支持溝を内側面に設
け、頂部と底部が開放されたウェハキャリヤにおいて、
ウェハキャリヤ本体は、ロープロファイル形態に一体成
形して設けられた直立する左右対称の側板と前板および
後板と、該側板はその垂直下方へ向けて直立に延設さ
れ、側板の内側表面には内方へヒダ状に突出し互いに対
向して設けられ垂直下方へ延びる一連の隔置リブと、該
隔置リブのそれぞれ下方に側板と平行隣接するようにし
て前板および後板間に架設されたウェハ支持杆とを有
し、隔置リブ間に形成された対向支持溝に挿入される半
導体ウェハを該ウェハ支持杆上に２点支持でもって保持
されていることを特徴とする。
【０００６】また、ウェハキャリヤ本体の前板には下方
へ垂直で外側に向けて突出する一対の平面状の突出部
と、前板の上方中央に穿設した円弧状の切欠凹部とを有
し、後板は中央部の縦幅を狭くしたり、側板のそれぞれ
外側表面には、前記隔置リブの連続形状による格子状の
窓孔を有することを特徴とする。
へ垂直で外側に向けて突出する一対の平面状の突出部
と、前板の上方中央に穿設した円弧状の切欠凹部とを有
し、後板は中央部の縦幅を狭くしたり、側板のそれぞれ
外側表面には、前記隔置リブの連続形状による格子状の
窓孔を有することを特徴とする。
【０００７】本発明に係る半導体ウェハキャリヤによれ
ば、半導体ウェハをウェハ支持杆上に２点支持でもって
保持させ、ウェハ接触を最小限に抑える支持形態とな
り、また、ロープロファイル形態に一体成形して設けら
れた側板と前板および後板は、半導体ウェハキャリヤに
収納されるウェハ被覆面積を極力小さくでき、さらに、
垂直下方へ向けて直立に延設された側板と、該側板の内
側表面に内方へヒダ状に突出し互いに対向して設けられ
垂直下方へ延びる一連の隔置リブによりストレート構造
で余計な突起部分がないのでエッチング液の流れを阻害
することなくウェハ面に均一に接触させ、エッチング時
の平坦度劣化を防止することで平坦度を維持させる。ま
た、前記前板の上方中央に設けた円弧状の切欠凹部と、
中央部の縦幅を狭くした後板は、収納した半導体ウェハ
の露呈面積を増やしエッチング液の流れを阻害させな
い。さらに、側板のそれぞれ外側表面に設けた格子状の
窓孔は、ウェハキャリヤ全体の補強と軽量化が図られ、
射出成形する際の歪み等の発生をも防止される。
ば、半導体ウェハをウェハ支持杆上に２点支持でもって
保持させ、ウェハ接触を最小限に抑える支持形態とな
り、また、ロープロファイル形態に一体成形して設けら
れた側板と前板および後板は、半導体ウェハキャリヤに
収納されるウェハ被覆面積を極力小さくでき、さらに、
垂直下方へ向けて直立に延設された側板と、該側板の内
側表面に内方へヒダ状に突出し互いに対向して設けられ
垂直下方へ延びる一連の隔置リブによりストレート構造
で余計な突起部分がないのでエッチング液の流れを阻害
することなくウェハ面に均一に接触させ、エッチング時
の平坦度劣化を防止することで平坦度を維持させる。ま
た、前記前板の上方中央に設けた円弧状の切欠凹部と、
中央部の縦幅を狭くした後板は、収納した半導体ウェハ
の露呈面積を増やしエッチング液の流れを阻害させな
い。さらに、側板のそれぞれ外側表面に設けた格子状の
窓孔は、ウェハキャリヤ全体の補強と軽量化が図られ、
射出成形する際の歪み等の発生をも防止される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
例えばアルカリ性溶液によるシリコン等のディスク型半
導体ウェハのエッチング工程に使用される半導体ウェハ
を保持する容器としてのウェハキャリヤ本体であり、図
１に示す如く、ウェハキャリヤ本体１は、直立した左右
対称の側板２および３と前板４および後板５をロープロ
ファイル形態に一体成形して作られその底部は開放され
ている。側板２および３はその垂直下方へ向けて直立に
延設され、また側板２および３の内側表面には内方へヒ
ダ状に突出する一連の隔置リブ２ａ〜２ｎおよび３ａ〜
３ｎが互いに対向して設けられ、その間に形成されたウ
ェハ支持溝６ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに各半導体ウェ
ハが挿入され、それぞれの半導体ウェハは相互に接触す
ることなく隔離して保持できるようにされている。
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
例えばアルカリ性溶液によるシリコン等のディスク型半
導体ウェハのエッチング工程に使用される半導体ウェハ
を保持する容器としてのウェハキャリヤ本体であり、図
１に示す如く、ウェハキャリヤ本体１は、直立した左右
対称の側板２および３と前板４および後板５をロープロ
ファイル形態に一体成形して作られその底部は開放され
ている。側板２および３はその垂直下方へ向けて直立に
延設され、また側板２および３の内側表面には内方へヒ
ダ状に突出する一連の隔置リブ２ａ〜２ｎおよび３ａ〜
３ｎが互いに対向して設けられ、その間に形成されたウ
ェハ支持溝６ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに各半導体ウェ
ハが挿入され、それぞれの半導体ウェハは相互に接触す
ることなく隔離して保持できるようにされている。
【０００９】ウェハキャリヤ本体１は、図１に示す如
く、全体構成がロープロファイル形態であって且つ頂部
および底部が開放されていることによりウェハ支持溝６
ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに挿入された各半導体ウェハ
の湿式処理、エッチング処理、洗浄乾燥等を容易にして
いる。隔置リブ２ａ〜２ｎおよび３ａ〜３ｎは全体とし
て垂直下方へ延びると共に、それぞれその下方にはウェ
ハ支持杆８および９を側板２および３と平行隣接するよ
うにして前板４および後板５間に架設し、ウェハ支持溝
６ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに挿入された半導体ウェハ
を図２に示す如く、ウェハ支持杆８および９上に２点支
持でもって保持するようにされている。側板２および３
の上縁にはフランジ１０ａおよび１１ａが設けられ、そ
の端部から鉛直下向きに連続して設けられたフランジ側
板１０ｂおよび１１ｂとにより箱蓋状の握手部１０およ
び１１を形成しており、側壁を補強すると共に人手やロ
ボット等によるウェハキャリヤ本体１の引き上げが容易
にできるようにされている。また、前記フランジ１０ａ
および１１ａの表面には収納した半導体ウェハの位置と
数を確認するための数値が描出されている。
く、全体構成がロープロファイル形態であって且つ頂部
および底部が開放されていることによりウェハ支持溝６
ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに挿入された各半導体ウェハ
の湿式処理、エッチング処理、洗浄乾燥等を容易にして
いる。隔置リブ２ａ〜２ｎおよび３ａ〜３ｎは全体とし
て垂直下方へ延びると共に、それぞれその下方にはウェ
ハ支持杆８および９を側板２および３と平行隣接するよ
うにして前板４および後板５間に架設し、ウェハ支持溝
６ａ〜６ｎおよび７ａ〜７ｎに挿入された半導体ウェハ
を図２に示す如く、ウェハ支持杆８および９上に２点支
持でもって保持するようにされている。側板２および３
の上縁にはフランジ１０ａおよび１１ａが設けられ、そ
の端部から鉛直下向きに連続して設けられたフランジ側
板１０ｂおよび１１ｂとにより箱蓋状の握手部１０およ
び１１を形成しており、側壁を補強すると共に人手やロ
ボット等によるウェハキャリヤ本体１の引き上げが容易
にできるようにされている。また、前記フランジ１０ａ
および１１ａの表面には収納した半導体ウェハの位置と
数を確認するための数値が描出されている。
【００１０】ウェハキャリヤ本体１の前板４には下方へ
垂直で外側に向けて突出する平面状の突出部４ａおよび
４ｂが設けられ補強が図られている。さらに、前記前板
４の上方中央には円弧状の切欠凹部１２が設けられてお
り、また、後板５は中央部の縦幅を狭くすることで、収
納した半導体ウェハの露呈面積を増やしエッチング液の
流れを阻害しないようにしている。さらに、側板２およ
び３のそれぞれ外側表面は前記隔置リブ２ａ〜２ｎおよ
び３ａ〜３ｎの連続形状による格子状の窓孔１３に形成
されており、ウェハキャリヤ本体１の補強と軽量化を図
ると共に、射出成形する際の歪み等の発生を防止できる
ようにされている。尚、図示例にあって、格子状の窓孔
１３に代わって矩形状の透孔としたり、あるいは、この
窓孔１３を削除して面一構成とすることも可能である。
垂直で外側に向けて突出する平面状の突出部４ａおよび
４ｂが設けられ補強が図られている。さらに、前記前板
４の上方中央には円弧状の切欠凹部１２が設けられてお
り、また、後板５は中央部の縦幅を狭くすることで、収
納した半導体ウェハの露呈面積を増やしエッチング液の
流れを阻害しないようにしている。さらに、側板２およ
び３のそれぞれ外側表面は前記隔置リブ２ａ〜２ｎおよ
び３ａ〜３ｎの連続形状による格子状の窓孔１３に形成
されており、ウェハキャリヤ本体１の補強と軽量化を図
ると共に、射出成形する際の歪み等の発生を防止できる
ようにされている。尚、図示例にあって、格子状の窓孔
１３に代わって矩形状の透孔としたり、あるいは、この
窓孔１３を削除して面一構成とすることも可能である。
【００１１】
【実施例】スライスした半導体ウェハのエッチング工程
において、ウェハキャリヤの使用によれば、半導体ウェ
ハの加工層を除去し且つ平坦度を維持するためにエッチ
ング液がウェハ面内に均一に進行することが不可欠であ
り、本発明に係るウェハキャリヤ本体１によればエッチ
ング液の流れがウェハ面内に均一に接触し平坦度を維持
することができ、下記の表１に示す如く、エッチング加
工前とエッチング加工後との間の加工層の変化量ＴＴＶ
（μｍ）は従来の１．５７μｍから１．００μｍに減少
するのが確認された。
において、ウェハキャリヤの使用によれば、半導体ウェ
ハの加工層を除去し且つ平坦度を維持するためにエッチ
ング液がウェハ面内に均一に進行することが不可欠であ
り、本発明に係るウェハキャリヤ本体１によればエッチ
ング液の流れがウェハ面内に均一に接触し平坦度を維持
することができ、下記の表１に示す如く、エッチング加
工前とエッチング加工後との間の加工層の変化量ＴＴＶ
（μｍ）は従来の１．５７μｍから１．００μｍに減少
するのが確認された。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
特に、ロープロファイル形態に一体成形して設けられた
側板と前板および後板と、該側板はその垂直下方へ向け
て直立に延設され、側板の内側表面には内方へヒダ状に
突出し互いに対向して設けられ垂直下方へ延びる一連の
隔置リブと、該隔置リブのそれぞれ下方において前板お
よび後板間に架設されたウェハ支持杆とを有するので、
エッチング液の流れを極力阻害しないよう流動抵抗を減
少させ且つキャリヤに収納されるときの接触支点を少な
くし、また保持された半導体ウェハのエッチング液に対
する露呈面積を大きくして均一な接触を進行させること
によりエッチング時の平坦度劣化を防止することができ
る。
特に、ロープロファイル形態に一体成形して設けられた
側板と前板および後板と、該側板はその垂直下方へ向け
て直立に延設され、側板の内側表面には内方へヒダ状に
突出し互いに対向して設けられ垂直下方へ延びる一連の
隔置リブと、該隔置リブのそれぞれ下方において前板お
よび後板間に架設されたウェハ支持杆とを有するので、
エッチング液の流れを極力阻害しないよう流動抵抗を減
少させ且つキャリヤに収納されるときの接触支点を少な
くし、また保持された半導体ウェハのエッチング液に対
する露呈面積を大きくして均一な接触を進行させること
によりエッチング時の平坦度劣化を防止することができ
る。
【００１４】また、前記前板の上方中央に設けた円弧状
の切欠凹部と、中央部の縦幅を狭くした後板は、収納し
た半導体ウェハの露呈面積を増やしエッチング液の流れ
を阻害させない。さらに、側板のそれぞれ外側表面に設
けた格子状の窓孔は、ウェハキャリヤ全体の補強と軽量
化が図られ、射出成形する際の歪み等の発生をも防止す
ることができる。
の切欠凹部と、中央部の縦幅を狭くした後板は、収納し
た半導体ウェハの露呈面積を増やしエッチング液の流れ
を阻害させない。さらに、側板のそれぞれ外側表面に設
けた格子状の窓孔は、ウェハキャリヤ全体の補強と軽量
化が図られ、射出成形する際の歪み等の発生をも防止す
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示した全体斜視図であ
る。
る。
【図２】同じく正面図である。
１…ウェハキャリヤ本体 ２，３…側板 ４…前板 ５…後板 ２ａ〜２ｎ，３ａ〜３ｎ…隔置リブ ６ａ〜６ｎ，７ａ〜７ｎ…ウェハ支持溝 ８，９…ウェハ支持杆 １２…切欠凹部 １３…窓孔
Claims (3)
- 【請求項１】 多数の半導体ウェハを隔置する対向支持
溝を内側面に設け、頂部と底部が開放されたウェハキャ
リヤにおいて、ウェハキャリヤ本体は、ロープロファイ
ル形態に一体成形して設けられた直立する左右対称の側
板と前板および後板と、該側板はその垂直下方へ向けて
直立に延設され、側板の内側表面には内方へヒダ状に突
出し互いに対向して設けられ垂直下方へ延びる一連の隔
置リブと、該隔置リブの夫々下方に側板と平行隣接する
ようにして前板および後板間に架設されたウェハ支持杆
とを有し、隔置リブ間に形成された対向支持溝に挿入さ
れる半導体ウェハを該ウェハ支持杆上に少なくとも２点
支持でもって保持されていることを特徴とする半導体ウ
ェハキャリヤ。 - 【請求項２】 ウェハキャリヤ本体の前板には下方へ垂
直で外側に向けて突出する一対の平面状の突出部と、前
板の上方中央に穿設した円弧状の切欠凹部とを有し、後
板は中央部の縦幅を狭くした請求項１記載の半導体ウェ
ハキャリヤ。 - 【請求項３】 側板のそれぞれ外側表面には、前記隔置
リブの連続形状による格子状の窓孔を有することを特徴
とする請求項１または２記載の半導体ウェハキャリヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28908595A JPH0997782A (ja) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 半導体ウェハキャリヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28908595A JPH0997782A (ja) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 半導体ウェハキャリヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997782A true JPH0997782A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17738633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28908595A Pending JPH0997782A (ja) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 半導体ウェハキャリヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100655431B1 (ko) * | 2005-03-23 | 2006-12-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼와의 접촉 면적을 최소화할 수 있는 웨이퍼 캐리어 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 |
| CN101980375A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片制绒专用承载装置 |
| CN105990198A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-10-05 | 常州大学 | 一种太阳能电池片槽式花篮装置 |
-
1995
- 1995-09-30 JP JP28908595A patent/JPH0997782A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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