JPH0992690A - 複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高品質で生産性が高くコストも安いフィルム
キャリアとその製造方法及び半導体パッケージを提供す
る。 【解決手段】 本発明は、厚さと材質の異なる複数の絶
縁フィルムと導体層を組み合わせた複合フィルムキャリ
アである。すなわち、第１の膜厚を有する第１の絶縁フ
ィルムと、第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第
２の絶縁フィルムと、絶縁フィルム上に形成された導体
配線とを具備し、第２の絶縁フィルムがＯＬＢ部または
ＩＬＢ部に形成されたことを特徴とする複合フィルムキ
ャリアである。また本発明は、このような複合フィルム
キャリアに半導体素子が搭載された半導体パッケージで
ある。さらに本発明は、絶縁フィルムに所定形状の開口
部を形成し、絶縁フィルムに導体層を貼着し、導体層貼
着面の反対側から熱硬化性絶縁樹脂を塗布し、熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする複合フィルムキ
ャリアの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
する複合フィルムキャリアおよびその製造方法に関す
る。また本発明は複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された半導体パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は機能の高度化、複雑化に伴っ
て部品や接続箇所が増大する傾向にあるが、その一方で
より小さく、より薄いコンパクトなものが求められてい
る。

【０００３】このような要求に対応して半導体素子はま
すます高集積化しているが、高集積化にともなって半導
体素子は外部回路との接続など、取扱いが難しいものに
なっている。したがって、電子機器に実装する半導体パ
ッケージにおいてもより小さく、より薄い高密度実装の
可能なパッケージが要求される。

【０００４】半導体素子の電子機器への実装方法は、ワ
イヤボンディング方式、フリップチップ方式、フィルム
キャリア方式などがあるが、特にフィルムキャリア方式
は取扱い性が高く寸法精度もよいことから、電子機器の
小型化、薄型化に伴う高密度実装に適した方法として知
られている。

【０００５】フィルムキャリア方式は半導体素子を電子
機器へ実装するための担体であるフィルムキャリアを準
備し、半導体素子に設けられた電極端子から外部端子へ
と電極リードを取り出すとともに導体回路を形成したフ
ィルムキャリアに搭載してパッケージとし、この半導体
パッケージを電子機器（外部回路）へ実装するものであ
る。スプロッケットホール付きの長尺状フィルムキャリ
アを用いて半導体素子を連続的に搭載しパッケージング
することができ、自動化に適している。

【０００６】従来のフィルムキャリアによる半導体パッ
ケージの１例を図１５に基づいて説明する。図１５は半
導体素子１５０１がフィルムキャリア１５０２に搭載さ
れた半導体パッケージ１５０３が、異方性導電膜１５０
４を介して液晶表示素子（外部回路）１５０５と接続さ
れた様子を示したものである。

【０００７】フィルムキャリア１５０２はポリイミド系
樹脂からなる絶縁フィルム１５０６に導体層（銅箔）１
５０７を貼り付け、フィルム上にリードパターンを形成
したものである。絶縁フィルム１５０６と導体層１５０
７の間には図示しない接着層が存在する。絶縁フィルム
１５０６は厚さ７５μｍまたは１２５μｍのものが一般
的に用いられており、また銅箔は厚さ２５μｍまたは３
５μｍのものが一般的に用いられている。このフィルム
キャリア１５０２は厚さ７５μｍのポリイミドフィルム
１５０６に厚さ２５μｍの銅箔１５０７を図示しない接
着層により貼り付けたものである。

【０００８】また、絶縁フィルム１５０６上に形成され
た導体層１５０７は半導体素子と接続するためのリード
端子１５０８を有している。導体表面には無電解スズめ
っきなどの表面処理がなされており、また必要に応じて
導体回路を保護するためのソルダーレジストが塗布され
ている。

【０００９】半導体素子の電極端子には金属突起（バン
プ）１５０９が設けられており、この金属突起１５０９
とフィルムキャリア１５０２のリード端子１５０８とを
接続してフィルムキャリア１５０２に半導体素子１５０
１を搭載する。金属突起１５０９とリード端子１５０８
の破壊強度は４０ｇ以上もあり、半導体素子１５０１と
フィルムキャリア１５０２との接続を金属突起１５０９
とリード端子１５０８のみで行うことができる。この破
壊強度はワイヤボンディング方式やビームリード方式よ
りもずっと大きくボンディングの信頼度は高い。また、
金属突起１５０９とリード端子１５０８は、その数にか
かわらず一括接続するので、接続箇所の信頼度は高いも
のとなる。

【００１０】このように半導体素子１５０１とフィルム
キャリア１５０２の導体回路１５０７とを接続した後、
半導体素子１５０１およびリード端子１５０８に保護コ
ート１５１０をすれば半導体パッケージ１５０３とな
る。長尺状のフィルムキャリアから打ち抜きなどにより
所定形状に外形加工すれば、電子機器（外部回路）へ実
装することができる。

【００１１】半導体素子１５０１がフィルムキャリア１
５０２に搭載された半導体パッケージ１５０３は、外部
回路１５０５と接続するための図示しない電極端子を有
している。この電極端子は図示しない外部回路の電極端
子のピッチと数に合わせて設計されている。

【００１２】半導体パッケージ１５０３の電極端子と、
液晶表示素子１５０５の電極端子を異方性導電膜１５０
４を介して対向させ、この異方性導電膜１５０４をフィ
ルムキャリア１５０２上から加熱加圧することにより、
半導体パッケージ１５０３を電子機器へ実装する。

【００１３】ここで、異方性導電膜とは、有機材料に導
電粒子を点在させた帯状の薄膜のことで、加熱加圧によ
り樹脂が軟化し押しつぶされて、導電粒子が対応する液
晶表示素子とフィルムキャリアのリード端子間に挟まる
ことにより接続するものである。

【００１４】このようにフィルムキャリア方式は小型
化、薄型化が図れ、信頼度の高いパッケージングができ
る。また、長尺状のテープ状態で取り扱うことができ、
半導体素子の実装方法として操作性が非常によい。

【００１５】しかしながら、半導体素子の高集積化にと
もなう電極端子数の増加に対応するためには、フィルム
キャリアのリードパターンの高精細化も必要である。フ
ィルムキャリアのリードパターンの高精細化は、従来使
用している３５μｍあるいは２５μｍ厚の銅箔よりさら
に薄い銅箔を使用すれば、今まで以上に高精細化したリ
ードパターンの形成が可能になる。ところが、銅箔をよ
り薄くした場合リードパターンの半導体素子との接合部
分であるリード端子がフラットな状態を保てなくなると
いう問題がある。また、リード自体の強度が弱くなり、
破断しやすくなるといった問題もある。

【００１６】また、半導体パッケージと外部回路の接続
にあたっては、先に述べたようにフィルムキャリアを介
して異方性導電膜を加熱加圧する。フィルムキャリアを
構成する絶縁フィルムとしては、厚さ１２５μｍあるい
は７５μｍのポリイミド系樹脂フィルムが一般的に用い
られている。このため、絶縁フィルムを介して異方性導
電膜に十分に熱が伝達するまでには数十秒の時間を要す
るため、生産性を非常に低下させる部分となっている。
特にフィルムキャリアを多数使用する画素数の多い液晶
表示装置などではより顕著な問題である。

【００１７】また、フィルムキャリアを構成する導体と
絶縁フィルムの間には通常両者を接着するための図示し
ない接着層が存在する。このため加熱加圧時の熱により
この接着層が軟化し、フィルムキャリアの導体とポリイ
ミドの接着力が小さくなるため半導体パッケージの電極
端子と外部回路のリード端子の間でピッチずれが起こ
る。このため高精細化した分解能の高い接続に対応でき
ないという問題がある。また、ピッチずれにより歩留ま
りが低下するという問題もある。

【００１８】加熱時間とピッチずれの問題を解決するた
めには、フィルムキャリアを構成する絶縁フィルムの膜
厚を薄くすることが考えられる。しかし、フィルムキャ
リア全体の絶縁フィルムを薄くすると、フィルム自体の
強度が不足してしまい、製造装置での搬送によりスプロ
ケットホールの破断、変形が生じてしまう。このためス
プロケットホールに対するリードパターンの位置精度が
悪くなってしまい、フィルムキャリア方式の特徴である
高寸法精度などのメリットが失われてしまう。さらに、
従来のフィルムキャリアでは例えばフィルムキャリアの
搬送部分など外形加工時に不要となる部分にも高価なポ
リイミド系フィルムを用いており、低価格化が難しいと
いう問題がある。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の問題点
に鑑みてなされたものであって、フィルムキャリア方式
のもつ取扱性のよさ、高い寸法精度といった長所を保ち
ながら、上記の問題点を解決するフィルムキャリアとそ
の製造方法および半導体パッケージを提供することを目
的とする。

【００２０】すなわち、リードパターンの高精細化に対
応できるフィルムキャリアおよび半導体パッケージを提
供することを目的とする。

【００２１】また、外部回路との接続時間を短縮し生産
性を向上できるフィルムキャリアおよび半導体パッケー
ジを提供することを目的とする。

【００２２】また、外部回路との接続分解能の高いフィ
ルムキャリアおよび半導体パッケージを提供することを
目的とする。

【００２３】また、コストの安いフィルムキャリアおよ
び半導体パッケージを提供することを目的とする。

【００２４】さらに複合フィルムキャリアの製造方法の
提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１の膜厚を
有する第１の絶縁フィルムと、外部回路と電気的に接続
される領域に形成され第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚
を有する第２の絶縁フィルムと、第１または第２の絶縁
フィルム上に形成された導体配線とを具備することを特
徴とする複合フィルムキャリアである。

【００２６】また本発明は、第１の膜厚を有する第１の
絶縁フィルムと、半導体素子を搭載する領域に形成され
第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フ
ィルムと、第１または第２の絶縁フィルム上に形成され
た導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルム
キャリアである。

【００２７】また本発明は、第１の膜厚を有する第１の
絶縁フィルムと、リード端子を支持する領域に形成され
た第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁
フィルムと、第１または第２の絶縁フィルム上に形成さ
れた導体配線とを具備することを特徴とする複合フィル
ムキャリアである。

【００２８】また本発明は、第１の材質からなる第１の
絶縁フィルムと、第２の材質からなる第２の絶縁フィル
ムと、第１または第２の絶縁フィルム上に形成された導
体配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャ
リアである。

【００２９】また本発明は、第２の絶縁フィルムと導体
配線とが接着層を介さずに直接接合していることを特徴
とする複合フィルムキャリアである。

【００３０】そして、これらの複合フィルムキャリアは
長尺状であってもよく、また厚さとともに材質が異なる
絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。

【００３１】また本発明はこれらのフィルムキャリアに
半導体素子が搭載された半導体パッケージである。

【００３２】また本発明はこれらのフィルムキャリアに
半導体素子が搭載され異方性導電膜を介して液晶表示素
子と接続された半導体パッケージである。

【００３３】また、本発明は、絶縁フィルムに所定形状
の開口部を形成する工程と、絶縁フィルムに導体層を貼
着する工程と、前記絶縁フィルムの前記導体層貼着面の
反対側から開口部を覆うように熱硬化性絶縁樹脂を塗布
する工程と、前記熱硬化性絶縁樹脂を加熱して熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させる工程とを具備することを特徴とす
る複合フィルムキャリアの製造方法である。

【００３４】まず第１の絶縁フィルムを用意する。絶縁
フィルムの材質は、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂など用途に応じて選択する。絶縁フィルムの厚さは
７５μｍまたは１２５μｍの長尺状のものが一般的であ
るが、必要に応じた厚さおよび長さの絶縁フィルムを用
意すればよい。

【００３５】この第１の絶縁フィルムにパンチングなど
の方法により所定形状の開口部を形成するが、開口部は
半導体素子を搭載するデバイスホール、位置決め穴、半
田付け穴または外部回路との接続部分などに対応する部
分に形成する。この時第２の膜形成部に対応する部分に
も同時に開口部を形成するようにすれば手順を増やす必
要がない。

【００３６】ついで、開口部を形成した第１の絶縁フィ
ルムに導体層を貼り付ける。導体層は、銅、アルミニウ
ム、金など用途に応じて適宜選択する。また、導体層の
厚さは用途に応じて変えればよい。薄いほうがファイン
・ピッチ・パターンに対応できるが、例えばリード端子
部分の強度が不足するような場合には、リード端子部分
あるいは半導体素子搭載部全面に第２の絶縁フィルムを
形成して、この絶縁フィルムによりリード端子を支える
ようにあらかじめ設計すればよい。

【００３７】ついで、第１の絶縁フィルムの銅箔貼り付
け面と反対側の面の所定部分、すなわち第２の絶縁フィ
ルム形成部分に、熱硬化性樹脂を塗布する。熱硬化性樹
脂としては、例えばポリイミド系樹脂を塗布するように
してもよい。塗布に際しては第１の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。このように第２の絶
縁フィルムを形成すれば、接着層を介さずに直接導体層
と接合することができる。樹脂はスクリーン印刷によっ
て塗布するようにしてもよく、また隙間が生じないよう
に樹脂を若干広めに塗布するようにしてもよく、第１の
絶縁フィルムと第２の絶縁フィルムが多少重なってもよ
い。

【００３８】ついで、貼り付けた銅箔を所定形状のリー
ドパターンに成形する。この際フォトリソグラフィー法
によってリードパターンを形成するようにしてもよい。
さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表面処理を行
うようにしてもよい。また、必要に応じてリードパター
ン保護のためのソルダーレジストを塗布するようにして
もよい。

【００３９】このようにして製造されるフィルムキャリ
アのどの部分を第１の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第２の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておくようにすればよい。

【００４０】本発明は、外部回路との接続部分の絶縁フ
ィルムが薄い複合フィルムキャリアまたは半導体パッケ
ージである。

【００４１】また、本発明は、半導体素子搭載部分が絶
縁フィルムによって支持された複合フィルムキャリアま
たは半導体パッケージである。

【００４２】また、本発明は、導体回路のリード端子部
分が絶縁フィルムによって支持された複合フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージである。

【００４３】また、本発明は、絶縁フィルムと導体層と
の間に接着層が存在しないの複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージである。

【００４４】また、本発明は、材質の異なる複数の絶縁
フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキャリア
または半導体パッケージである。

【００４５】また、本発明は、厚さと材質の異なる複数
の絶縁フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキ
ャリアまたは半導体パッケージである。

【００４６】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、膜厚、材質の異なる複数の絶縁フィルムと導体層
を組み合わせた複合フィルムキャリアを製造することが
できる。

【００４７】また、本発明のフィルムキャリアの製造方
法によれば接着層を介さずに絶縁フィルムと導体層が直
接接合したフィルムキャリアを製造することができる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００４９】図１は本発明の複合フィルムキャリアに半
導体素子が搭載された半導体パッケージを外部回路（液
晶表示素子）へ実装した例を示す断面図である。

【００５０】図１に例示した複合フィルムキャリア１０
１は第１の絶縁フィルムとして厚さ７５μｍのポリイミ
ドフィルム１０２と、第２の絶縁フィルムとして厚さ２
５μｍのポリイミドフィルム１０３が組み合わされてお
り、これらのフィルム上に厚さ２５μｍの導体層（銅
箔）１０４を所定の形状に加工したリードパターンが形
成されている。導体層はその一部分としてリード端子１
０５を有しており、このリード端子は絶縁フィルム上か
ら半導体素子搭載部１０６に突出している。

【００５１】半導体素子１０７はその電極端子に金属突
起１０８が形成されている。従来と同様にこの金属突起
１０８と絶縁フィルム上に形成された導体回路の一部分
であるリード端子１０５とを接続することにより、半導
体素子１０７はフィルムキャリア１０１に搭載されてい
る。

【００５２】半導体素子搭載部１０６には保護コート１
０９がなされている。

【００５３】この複合フィルムキャリア１０１に半導体
素子１０７が搭載された半導体パッケージ１１０は異方
性導電膜１１１を介して液晶表示素子１１２と接続（実
装）されており、この接続部分は厚さ２５μｍの第２の
絶縁フィルム１０３によって形成されている。この第２
の絶縁フィルム１０３の領域は１箇所だけに限らず、例
えば図２に示すように４方向で外部回路と接続するよう
な半導体パッケージに本発明を適用するようにしてもよ
い。図３は図２の半導体パッケージにおけるＭＮ方向の
断面を示したものである。ここで、図２は長尺状のフィ
ルムキャリア２０１に半導体素子２０２が搭載された様
子を示しており、外部回路との接続部は厚さ２５μｍの
第２の絶縁フィルム２０３によって形成されている。２
０４はスプロケットホールである。

【００５４】このように外部回路との接続領域を薄くす
ることにより、異方性導電膜１１１の加熱に要する時間
を短縮し、生産性を向上することができる。

【００５５】また、この第２の絶縁フィルム１０３と導
体層１０４の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜１１１を介した半導体パッケージ１１０と外部回路
１１２との接続時に加熱によるピッチずれが起こること
はない。したがって、よりファイン・ピッチ・パターン
に対応した接続ができる。また、ピッチずれによる接続
不良が減少し歩留まりが向上する。

【００５６】図４は、本発明の複合フィルムキャリアに
半導体素子を搭載した半導体パッケージの１例である。

【００５７】図４の半導体パッケージのフィルムキャリ
ア４０１は、第１の絶縁フィルム４０２として厚さ７５
μｍのポリエステルフィルムと、第２の絶縁フィルム４
０３として厚さ２５μｍのポリイミドフィルムが組み合
わされており、これらのフィルム上に厚さ１８μｍの導
体層（銅箔）４０４を所定の形状に加工したリードパタ
ーンが形成されている。リードパターンはその一部分と
してリード端子４０５を有しているが、このリード端子
４０５は半導体素子搭載部分に形成された第２の絶縁フ
ィルム４０３によって支持されており、強度不足による
リード端子４０５の破断、変形の心配はない。したがっ
て本実施例のように薄い導体層を用いることが可能で、
よりファイン・ピッチのリードパターンを形成でき、集
積度の高い半導体素子の搭載に対応できる。

【００５８】アウターリードボンディング部４０６につ
いても実施例１と同様に厚さ２５μｍポリイミド絶縁フ
ィルムにより形成されている。したがって、外部回路と
の接続時に異方性導電膜の加熱に要する時間を短縮で
き、生産性を向上することができる。

【００５９】また、この第２の絶縁フィルム４０３と導
体層４０４の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜を介した半導体パッケージと外部回路との接続時に
加熱によるピッチずれが起こることはない。したがっ
て、よりファイン・ピッチ・パターンに対応した接続が
できる。また、ピッチずれによる接続不良が減少し歩留
まりが向上する。

【００６０】さらに、パッケージの外形加工の際に切り
捨てられるフィルムキャリア搬送部４０７はポリエステ
ルフィルムによって形成されており、高価なポリイミド
フィルムの使用量が少なくてすみ、コストを安くするこ
とができる。

【００６１】図５は、図４に例示した半導体パッケージ
の変形例であり、半導体素子搭載部分（インナーリード
ボンディング部）５０１のうちリード端子５０２の部分
に、リード端子５０２を支えるように第２の絶縁フィル
ム５０３を形成したフィルムキャリア５０４に半導体素
子５０５を搭載した半導体パッケージ５０６の１例であ
る。

【００６２】図５に例示したような複合フィルムキャリ
ア５０４でも、リード端子５０２が絶縁フィルムによっ
て支持されているので、導体層を薄くした場合でも強度
不足により破断、変形することはない。したがって、よ
り薄い導体層を用いることができ、よりファイン・ピッ
チ・パターンに対応することができる。

【００６３】このように、厚さと材質の異なる複数の絶
縁フィルムを必要に応じて組み合わせた複合フィルムキ
ャリアによれば、高分解能での接続に対応でき、生産性
を向上し、コストを下げることができる。

【００６４】図６は、長尺状の本発明の複合フィルムキ
ャリア６０１に半導体素子を搭載した外形加工前の半導
体パッケージ６０２の１例を上から見た図である。

【００６５】図７は図６の半導体パッケージのＰＱ方向
の断面を示した図である。

【００６６】図７に例示した半導体パッケージ６０２の
複合フィルムキャリア６０１は、第１の絶縁フィルム６
０３として厚さ７５μｍのポリエステルフィルムと、第
２の絶縁フィルム６０４として厚さ２５μｍのポリイミ
ドフィルムが組み合わされており、これらのフィルム上
に厚さ１８μｍの導体層（銅箔）６０５を所定の形状に
加工したリードパターンが形成されている。

【００６７】この複合フィルムキャリアはフィルムキャ
リアの搬送部分６０６のみが厚さ７５μｍのポリエステ
ルフィルムによって形成されており、その他の部分はす
べて厚さ２５μｍのポリイミドフィルムによって形成さ
れている。

【００６８】図７の半導体パッケージ６０２は未だ外形
加工されていないが、外形加工時には半導体パッケージ
部分６０２を打ち抜くので、フィルムキャリア搬送部分
６０６など切り捨てる部分が存在する。したがって、フ
ィルムキャリア搬送部分６０６をポリエステルなどで形
成しておけば、高価なポリイミドの使用量が少なくてす
み、コストを低くできる。

【００６９】この複合フィルムキャリアは、搬送部以外
の部分はすべて厚さ２５μｍのポリイミドフィルムによ
り形成されている。したがって、リード端子の部分はポ
リイミドフィルムによって支持されており、強度不足に
よるリード端子の破断、変形の心配はない。したがって
薄い導体層を用いることが可能であり、よりファイン・
ピッチのリードパターンを形成でき、集積度の高い半導
体素子の搭載に対応できる。

【００７０】アウターリードボンディング部も厚さ２５
μｍポリイミドフィルムにより形成されている。したが
って、外部回路との接続時に異方性導電膜の加熱に要す
る時間を短縮でき、生産性を向上することができる。

【００７１】また、この複合フィルムキャリアの半導体
パッケージを構成する部分は、絶縁フィルムと導体層の
間に接着層が存在しないため、異方性導電膜を介した半
導体パッケージと外部回路との接続時に加熱によるピッ
チずれが起こることはない。したがって、よりファイン
・ピッチ・パターンに対応した接続ができる。また、ピ
ッチずれによる接続不良が減少し歩留まりが向上する。

【００７２】第１の絶縁フィルムと第２の絶縁フィルム
をどのように組み合わせて複合フィルムキャリアを構成
するかは、必要に応じてあらかじめ設計しておけばよ
い。すなわち、厚さと材質の異なる複数の絶縁フィルム
を適宜組み合わせて複合フィルムキャリアを構成するこ
とにより接続分解能、生産性を向上させ、またコストを
低くすることができる。

【００７３】つぎに本発明の複合フィルムキャリアの製
造方法のについて説明する。

【００７４】図８から図１４は本発明の複合フィルムキ
ャリアの製造方法をその工程にしたがって概略的に示し
た図である。

【００７５】まず長尺状の第１の絶縁フィルム８０１を
用意する（図８）。フィルムの厚さは７５μｍまたは１
２５μｍのものが一般的であるが、必要に応じた厚さの
絶縁フィルムを用意すればよい。

【００７６】この第１の絶縁フィルム８０１にパンチン
グなどの方法により所定形状の開口部８０２を形成する
（図９）。開口部は半導体素子を搭載するデバイスホー
ル、位置決め穴、半田付け穴または外部回路との接続部
分などに対応する部分に形成する。この時第２の膜形成
部に対応する部分にも同時に開口部を形成するようにす
れば手順を増やす必要がない。また予め接着剤がコート
された絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。

【００７７】ついで、開口部を形成した第１の絶縁フィ
ルムに導体層８０３を貼り付ける（図１０）。この場
合、導体層には銅箔を用いている。銅箔の厚さは２５μ
ｍまたは３５μｍのものが一般的であるが、用途に応じ
て変えればよい。薄いほうがファイン・ピッチ・パター
ンに対応できるが、例えば厚さ１８μｍの銅箔を用いて
リード端子部分の強度が不足するような場合には、リー
ド端子部分あるいは半導体素子搭載部全面に第２の絶縁
フィルムを形成して、リード端子を支えるようにあらか
じめ設計すればよい。

【００７８】ついで、第２の絶縁フィルム８０４を形成
する。すなわち第１の絶縁フィルムの銅箔貼り付け面と
反対側の面の所定部分、すなわち第２の絶縁フィルム８
０４の形成部分に、例えばポリイミド系樹脂を塗布する
（図１１）。塗布に際しては第１の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。図１１では第１の絶
縁フィルム８０１と第２の絶縁フィルム８０４に重なり
部分８０５があるが、これは隙間が生じないように樹脂
を若干広めに塗布したもので、重なり幅は０．３〜０．
４μｍである。重なり幅は必要に応じて決めるようにす
ればよく、またなくてもよい。樹脂はスクリーン印刷に
よって塗布するようにしてもよい。厚さは必要に応じて
決めればよく、この場合２５μｍの厚さに塗布してい
る。塗布後加熱により硬化させて第２の絶縁フィルム８
０４が形成される。したがって、第２の絶縁フィルム８
０４と導体層８０３との間には接着層は存在しない。

【００７９】ついで、貼付けた導体層を所定形状のリー
ドパターンに成形する（図１２）。この際フォトリソグ
ラフィー法によってリードパターンを形成するようにし
てもよい。さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表
面処理を行うようにしてもよい。また、必要に応じてリ
ードパターン保護のためのソルダーレジストを塗布する
ようにしてもよい。

【００８０】このようにして製造されるフィルムキャリ
アのどの部分を第１の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第２の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておけばよい。

【００８１】例えばフィルムキャリアの外部回路との接
続部分１２０１に第２の絶縁フィルムを形成しておけ
ば、異方性導電膜による外部回路と接続時に異方性導電
膜の加熱に要する時間を短縮し生産性を向上することが
できる。

【００８２】また、第２の絶縁フィルムと導体層の間に
は接着層が存在しないため、接続時に加熱によるピッチ
ずれが生じないのでよりファイン・ピッチで接続するこ
とができ、生産性も向上する。

【００８３】また、従来のデバイスホールである半導体
素子搭載部１３０１に第２の絶縁フィルムを形成すれ
ば、例えば１８μｍより薄いような導体層を用いた場合
でも、リード端子（インナーリードボンディング部）は
絶縁フィルムに支持されているから、強度不足による破
断、変形を避けることができる（図１３）。したがって
よりファイン・ピッチ・パターンに対応することができ
る。

【００８４】また、半導体素子搭載部の全面ではなくリ
ード端子部分１４０１のみに第２の絶縁フィルムを形成
するようにしてもよい、このほうが高価なポリイミドの
使用が少ないので、コストを低くすることができる（図
１４）。

【００８５】さらに、例えばフィルムキャリアの搬送部
分などのように、半導体素子を搭載した後、外形加工時
に切り捨てる部分にポリエステルなどポリイミドよりも
安いフィルムを用いることにより、フィルムキャリアの
コストを低くすることができる。

【００８６】このように膜厚、材質の異なる複数の絶縁
フィルムを組み合わせた複合フィルムキャリアを製造す
ることにより、より高い分解能でインナーリードボンデ
ィングおよびアウターリードボンディングに対応でき、
生産性が向上し、コストを安くすることができる。

【００８７】

【発明の効果】本発明の複合フィルムキャリアまたは半
導体パッケージによれば、導体回路のリード端子部分が
絶縁フィルムによって支持されているため、銅箔を薄く
することができリードパターンの高精細化に対応でき
る。また、フィルムキャリアの取扱いも容易になる。

【００８８】また、本発明の複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージによれば、外部回路との接続部分の
絶縁フィルムが薄いので、異方性導電膜の加熱に要する
時間を短縮することができ、生産性が向上する。

【００８９】また、本発明の複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージによれば、フィルムキャリアを構成
する絶縁フィルムと導体との間に接着層が存在しないの
で、加熱によるピッチずれがなく接続分解能を高くする
ことができる。

【００９０】さらに、複合フィルムキャリアまたは半導
体パッケージによれば、高価なポリイミド系樹脂フィル
ムを必要な部分だけに用いることにより、フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージのコストを低くすることが
できる。

【００９１】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば膜厚、材質の異なる複数のフィルムキャリアを組み
合わせた複合フィルムキャリアを製造することができ
る。

【００９２】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、絶縁フィルムと導体層の間に接着層の存在しない
部分を形成することができ、外部回路との接続時にピッ
チずれの起こらない接続分解能の高いフィルムキャリア
を製造することができる。

【００９３】また、本発明のフィルムキャリアの製造方
法によれば、絶縁フィルムの薄い部分を形成することが
でき、外部回路と異方性導電膜を介して接続する際に、
異方性導電膜の加熱時間を短縮し、生産性の高いフィル
ムキャリアを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージが外部回路に実装さ
れた様子を概略的に示す図。

【図２】４方向で外部回路と接続している半導体パッケ
ージを上から見た図。

【図３】図２の半導体パッケージのＭＮ方向の断面を概
略的に示す図。

【図４】本発明の複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された様子を概略的に示す図。

【図５】本発明の複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された様子を概略的に示す図。

【図６】外形加工前の半導体パッケージを下から見た
図。

【図７】図６の半導体パッケージのＰＱ方向の断面を概
略的に示す図。

【図８】本発明による複合フィルムキャリアの製造方法
の１工程を概略的に示す図。

【図９】本発明による複合フィルムキャリアの製造方法
の１工程を概略的に示す図。

【図１０】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の１工程を概略的に示す図。

【図１１】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の１工程を概略的に示す図。

【図１２】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の１工程を概略的に示す図。

【図１３】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の１工程を概略的に示す図。

【図１４】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の１工程を概略的に示す図。

【図１５】従来技術による半導体パッケージが外部回路
に実装された様子を示す断面図。

【符号の説明】

１０１………複合フィルムキャリア、１０２………絶縁
フィルム １０３………絶縁フィルム、１０４………導体回路、１
０５………リード端子 １０６………半導体素子搭載部、１０７………半導体素
子 １０８………金属突起、１０９………保護コート １１０………半導体パッケージ、１１１………異方性導
電膜 １１２………外部回路、２０１………複合フィルムキャ
リア ２０２………半導体素子、２０３………第２の絶縁フィ
ルム ４０１………複合フィルムキャリア、４０３………第２
の絶縁フィルム ４０５………リード端子、５０２………リード端子 ５０３………第２の絶縁フィルム、６０１………フィル
ムキャリア ６０２………半導体パッケージ部分、６０６………フィ
ルムキャリア搬送部分 ８０１………第１の絶縁フィルム、８０２………開口
部、８０３………導体層 ８０４………第２の絶縁フィルム、８０５………重なり
部分 １２０１……外部回路接続部分、１３０１……半導体素
子搭載部分 １４０１……リード端子部部分、１５０１……半導体素
子 １５０２……フィルムキャリア、１５０３……半導体パ
ッケージ １５０４……異方性導電膜、１５０５……外部回路、１
５０６……絶縁フィルム １５０７……導体層、１５０８……リード端子、１５０
９……金属突起 １５１０……保護コート

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィルム
   と、外部回路と電気的に接続される領域に形成され第１
   の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フィル
   ムと、前記第１または第２の絶縁フィルム上に形成され
   た導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルム
   キャリア。
2. 【請求項２】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィルム
   と、半導体素子を搭載する領域に形成され第１の膜厚よ
   りも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フィルムと、前
   記第１または第２の絶縁フィルム上に形成された導体配
   線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャリ
   ア。
3. 【請求項３】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィルム
   と、リード端子を支持する領域に形成された第１の膜厚
   よりも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フィルムと、
   前記第１または第２の絶縁フィルム上に形成された導体
   配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャリ
   ア。
4. 【請求項４】 第１の材質からなる第１の絶縁フィルム
   と、第２の材質からなる第２の絶縁フィルムと、前記第
   １または第２の絶縁フィルム上に形成された導体配線と
   を具備することを特徴とする複合フィルムキャリア。
5. 【請求項５】 前記第２の絶縁フィルムと前記導体配線
   とが接着層を介さずに接合していることを特徴とする請
   求項１乃至４のいずれかに記載の複合フィルムキャリ
   ア。
6. 【請求項６】 前記複合フィルムキャリアは長尺状であ
   る請求項１乃至４のいずれかに記載の複合フィルムキャ
   リア。
7. 【請求項７】 前記第１の絶縁フィルムは前記第２の絶
   縁フィルムと材質の異なることを特徴とする請求項１乃
   至３のいずれかに記載の複合フィルムキャリア。
8. 【請求項８】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィルム
   と、外部回路と電気的に接続される領域に形成され第１
   の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フィル
   ムと、前記第１または第２の絶縁フィルム上もしくは該
   フィルムからはみ出して形成された導体配線とから構成
   される複合フィルムキャリアと、前記複合フィルムキャ
   リアに搭載された半導体素子とを具備することを特徴と
   する半導体パッケージ。
9. 【請求項９】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィルム
   と、半導体を搭載する領域に形成された第１の膜厚より
   も薄い第２の膜厚を有する第２の絶縁フィルムと、前記
   第１または第２の絶縁フィルム上に形成された導体配線
   とから構成される複合フィルムキャリアと、前記複合フ
   ィルムキャリアに搭載された前記半導体素子とを具備す
   ることを特徴とする半導体パッケージ。
10. 【請求項１０】 第１の膜厚を有する第１の絶縁フィル
    ムと、半導体搭載部分のリード端子を支持する領域に形
    成された第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２
    の絶縁フィルムと、前記第１または第２の絶縁フィルム
    上に形成された導体配線とから構成される複合フィルム
    キャリアと、前記複合フィルムキャリアに搭載された半
    導体素子とを具備することを特徴とする半導体パッケー
    ジ。
11. 【請求項１１】 第１の材質からなる第１の絶縁フィル
    ムと、第２の材質からなる第２の絶縁フィルムと、前記
    第１または第２の絶縁フィルム上に形成された導体配線
    とから構成される複合フィルムキャリアと、前記複合フ
    ィルムキャリアに搭載された半導体素子とを具備するこ
    とを特徴とする半導体パッケージ。
12. 【請求項１２】 前記第２の絶縁フィルムと前記導体配
    線とが直接接合していることを特徴とする請求項８乃至
    １１いずれかに記載の半導体パッケージ。
13. 【請求項１３】 長尺状の前記複合フィルムキャリアに
    複数の前記半導体素子が搭載されたことを特徴とする請
    求項８乃至１１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
14. 【請求項１４】 前記第１の絶縁フィルムは前記第２の
    絶縁フィルムと材質の異なることを特徴とする請求項８
    乃至１０のいずれかに記載の半導体パッケージ。
15. 【請求項１５】 前記外部回路は異方性導電膜を介して
    接続される液晶表示素子であることを特徴とする請求項
    ８記載の半導体パッケージ。
16. 【請求項１６】 絶縁フィルムに所定形状の開口部を形
    成する工程と、 前記絶縁フィルムに導体層を貼着する工程と、 前記絶縁フィルムの前記導体層貼着面の反対側から開口
    部を覆うように熱硬化性絶縁樹脂を塗布する工程と、 前記熱硬化性絶縁樹脂を加熱して前記熱硬化性絶縁樹脂
    を硬化させる工程とを具備することを特徴とする複合フ
    ィルムキャリアの製造方法。