JPH0992690A - 複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ - Google Patents
複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージInfo
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- JPH0992690A JPH0992690A JP7243410A JP24341095A JPH0992690A JP H0992690 A JPH0992690 A JP H0992690A JP 7243410 A JP7243410 A JP 7243410A JP 24341095 A JP24341095 A JP 24341095A JP H0992690 A JPH0992690 A JP H0992690A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質で生産性が高くコストも安いフィルム
キャリアとその製造方法及び半導体パッケージを提供す
る。 【解決手段】 本発明は、厚さと材質の異なる複数の絶
縁フィルムと導体層を組み合わせた複合フィルムキャリ
アである。すなわち、第1の膜厚を有する第1の絶縁フ
ィルムと、第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第
2の絶縁フィルムと、絶縁フィルム上に形成された導体
配線とを具備し、第2の絶縁フィルムがOLB部または
ILB部に形成されたことを特徴とする複合フィルムキ
ャリアである。また本発明は、このような複合フィルム
キャリアに半導体素子が搭載された半導体パッケージで
ある。さらに本発明は、絶縁フィルムに所定形状の開口
部を形成し、絶縁フィルムに導体層を貼着し、導体層貼
着面の反対側から熱硬化性絶縁樹脂を塗布し、熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする複合フィルムキ
ャリアの製造方法である。
キャリアとその製造方法及び半導体パッケージを提供す
る。 【解決手段】 本発明は、厚さと材質の異なる複数の絶
縁フィルムと導体層を組み合わせた複合フィルムキャリ
アである。すなわち、第1の膜厚を有する第1の絶縁フ
ィルムと、第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第
2の絶縁フィルムと、絶縁フィルム上に形成された導体
配線とを具備し、第2の絶縁フィルムがOLB部または
ILB部に形成されたことを特徴とする複合フィルムキ
ャリアである。また本発明は、このような複合フィルム
キャリアに半導体素子が搭載された半導体パッケージで
ある。さらに本発明は、絶縁フィルムに所定形状の開口
部を形成し、絶縁フィルムに導体層を貼着し、導体層貼
着面の反対側から熱硬化性絶縁樹脂を塗布し、熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする複合フィルムキ
ャリアの製造方法である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
する複合フィルムキャリアおよびその製造方法に関す
る。また本発明は複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された半導体パッケージに関する。
する複合フィルムキャリアおよびその製造方法に関す
る。また本発明は複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器は機能の高度化、複雑化に伴っ
て部品や接続箇所が増大する傾向にあるが、その一方で
より小さく、より薄いコンパクトなものが求められてい
る。
て部品や接続箇所が増大する傾向にあるが、その一方で
より小さく、より薄いコンパクトなものが求められてい
る。
【0003】このような要求に対応して半導体素子はま
すます高集積化しているが、高集積化にともなって半導
体素子は外部回路との接続など、取扱いが難しいものに
なっている。したがって、電子機器に実装する半導体パ
ッケージにおいてもより小さく、より薄い高密度実装の
可能なパッケージが要求される。
すます高集積化しているが、高集積化にともなって半導
体素子は外部回路との接続など、取扱いが難しいものに
なっている。したがって、電子機器に実装する半導体パ
ッケージにおいてもより小さく、より薄い高密度実装の
可能なパッケージが要求される。
【0004】半導体素子の電子機器への実装方法は、ワ
イヤボンディング方式、フリップチップ方式、フィルム
キャリア方式などがあるが、特にフィルムキャリア方式
は取扱い性が高く寸法精度もよいことから、電子機器の
小型化、薄型化に伴う高密度実装に適した方法として知
られている。
イヤボンディング方式、フリップチップ方式、フィルム
キャリア方式などがあるが、特にフィルムキャリア方式
は取扱い性が高く寸法精度もよいことから、電子機器の
小型化、薄型化に伴う高密度実装に適した方法として知
られている。
【0005】フィルムキャリア方式は半導体素子を電子
機器へ実装するための担体であるフィルムキャリアを準
備し、半導体素子に設けられた電極端子から外部端子へ
と電極リードを取り出すとともに導体回路を形成したフ
ィルムキャリアに搭載してパッケージとし、この半導体
パッケージを電子機器(外部回路)へ実装するものであ
る。スプロッケットホール付きの長尺状フィルムキャリ
アを用いて半導体素子を連続的に搭載しパッケージング
することができ、自動化に適している。
機器へ実装するための担体であるフィルムキャリアを準
備し、半導体素子に設けられた電極端子から外部端子へ
と電極リードを取り出すとともに導体回路を形成したフ
ィルムキャリアに搭載してパッケージとし、この半導体
パッケージを電子機器(外部回路)へ実装するものであ
る。スプロッケットホール付きの長尺状フィルムキャリ
アを用いて半導体素子を連続的に搭載しパッケージング
することができ、自動化に適している。
【0006】従来のフィルムキャリアによる半導体パッ
ケージの1例を図15に基づいて説明する。図15は半
導体素子1501がフィルムキャリア1502に搭載さ
れた半導体パッケージ1503が、異方性導電膜150
4を介して液晶表示素子(外部回路)1505と接続さ
れた様子を示したものである。
ケージの1例を図15に基づいて説明する。図15は半
導体素子1501がフィルムキャリア1502に搭載さ
れた半導体パッケージ1503が、異方性導電膜150
4を介して液晶表示素子(外部回路)1505と接続さ
れた様子を示したものである。
【0007】フィルムキャリア1502はポリイミド系
樹脂からなる絶縁フィルム1506に導体層(銅箔)1
507を貼り付け、フィルム上にリードパターンを形成
したものである。絶縁フィルム1506と導体層150
7の間には図示しない接着層が存在する。絶縁フィルム
1506は厚さ75μmまたは125μmのものが一般
的に用いられており、また銅箔は厚さ25μmまたは3
5μmのものが一般的に用いられている。このフィルム
キャリア1502は厚さ75μmのポリイミドフィルム
1506に厚さ25μmの銅箔1507を図示しない接
着層により貼り付けたものである。
樹脂からなる絶縁フィルム1506に導体層(銅箔)1
507を貼り付け、フィルム上にリードパターンを形成
したものである。絶縁フィルム1506と導体層150
7の間には図示しない接着層が存在する。絶縁フィルム
1506は厚さ75μmまたは125μmのものが一般
的に用いられており、また銅箔は厚さ25μmまたは3
5μmのものが一般的に用いられている。このフィルム
キャリア1502は厚さ75μmのポリイミドフィルム
1506に厚さ25μmの銅箔1507を図示しない接
着層により貼り付けたものである。
【0008】また、絶縁フィルム1506上に形成され
た導体層1507は半導体素子と接続するためのリード
端子1508を有している。導体表面には無電解スズめ
っきなどの表面処理がなされており、また必要に応じて
導体回路を保護するためのソルダーレジストが塗布され
ている。
た導体層1507は半導体素子と接続するためのリード
端子1508を有している。導体表面には無電解スズめ
っきなどの表面処理がなされており、また必要に応じて
導体回路を保護するためのソルダーレジストが塗布され
ている。
【0009】半導体素子の電極端子には金属突起(バン
プ)1509が設けられており、この金属突起1509
とフィルムキャリア1502のリード端子1508とを
接続してフィルムキャリア1502に半導体素子150
1を搭載する。金属突起1509とリード端子1508
の破壊強度は40g以上もあり、半導体素子1501と
フィルムキャリア1502との接続を金属突起1509
とリード端子1508のみで行うことができる。この破
壊強度はワイヤボンディング方式やビームリード方式よ
りもずっと大きくボンディングの信頼度は高い。また、
金属突起1509とリード端子1508は、その数にか
かわらず一括接続するので、接続箇所の信頼度は高いも
のとなる。
プ)1509が設けられており、この金属突起1509
とフィルムキャリア1502のリード端子1508とを
接続してフィルムキャリア1502に半導体素子150
1を搭載する。金属突起1509とリード端子1508
の破壊強度は40g以上もあり、半導体素子1501と
フィルムキャリア1502との接続を金属突起1509
とリード端子1508のみで行うことができる。この破
壊強度はワイヤボンディング方式やビームリード方式よ
りもずっと大きくボンディングの信頼度は高い。また、
金属突起1509とリード端子1508は、その数にか
かわらず一括接続するので、接続箇所の信頼度は高いも
のとなる。
【0010】このように半導体素子1501とフィルム
キャリア1502の導体回路1507とを接続した後、
半導体素子1501およびリード端子1508に保護コ
ート1510をすれば半導体パッケージ1503とな
る。長尺状のフィルムキャリアから打ち抜きなどにより
所定形状に外形加工すれば、電子機器(外部回路)へ実
装することができる。
キャリア1502の導体回路1507とを接続した後、
半導体素子1501およびリード端子1508に保護コ
ート1510をすれば半導体パッケージ1503とな
る。長尺状のフィルムキャリアから打ち抜きなどにより
所定形状に外形加工すれば、電子機器(外部回路)へ実
装することができる。
【0011】半導体素子1501がフィルムキャリア1
502に搭載された半導体パッケージ1503は、外部
回路1505と接続するための図示しない電極端子を有
している。この電極端子は図示しない外部回路の電極端
子のピッチと数に合わせて設計されている。
502に搭載された半導体パッケージ1503は、外部
回路1505と接続するための図示しない電極端子を有
している。この電極端子は図示しない外部回路の電極端
子のピッチと数に合わせて設計されている。
【0012】半導体パッケージ1503の電極端子と、
液晶表示素子1505の電極端子を異方性導電膜150
4を介して対向させ、この異方性導電膜1504をフィ
ルムキャリア1502上から加熱加圧することにより、
半導体パッケージ1503を電子機器へ実装する。
液晶表示素子1505の電極端子を異方性導電膜150
4を介して対向させ、この異方性導電膜1504をフィ
ルムキャリア1502上から加熱加圧することにより、
半導体パッケージ1503を電子機器へ実装する。
【0013】ここで、異方性導電膜とは、有機材料に導
電粒子を点在させた帯状の薄膜のことで、加熱加圧によ
り樹脂が軟化し押しつぶされて、導電粒子が対応する液
晶表示素子とフィルムキャリアのリード端子間に挟まる
ことにより接続するものである。
電粒子を点在させた帯状の薄膜のことで、加熱加圧によ
り樹脂が軟化し押しつぶされて、導電粒子が対応する液
晶表示素子とフィルムキャリアのリード端子間に挟まる
ことにより接続するものである。
【0014】このようにフィルムキャリア方式は小型
化、薄型化が図れ、信頼度の高いパッケージングができ
る。また、長尺状のテープ状態で取り扱うことができ、
半導体素子の実装方法として操作性が非常によい。
化、薄型化が図れ、信頼度の高いパッケージングができ
る。また、長尺状のテープ状態で取り扱うことができ、
半導体素子の実装方法として操作性が非常によい。
【0015】しかしながら、半導体素子の高集積化にと
もなう電極端子数の増加に対応するためには、フィルム
キャリアのリードパターンの高精細化も必要である。フ
ィルムキャリアのリードパターンの高精細化は、従来使
用している35μmあるいは25μm厚の銅箔よりさら
に薄い銅箔を使用すれば、今まで以上に高精細化したリ
ードパターンの形成が可能になる。ところが、銅箔をよ
り薄くした場合リードパターンの半導体素子との接合部
分であるリード端子がフラットな状態を保てなくなると
いう問題がある。また、リード自体の強度が弱くなり、
破断しやすくなるといった問題もある。
もなう電極端子数の増加に対応するためには、フィルム
キャリアのリードパターンの高精細化も必要である。フ
ィルムキャリアのリードパターンの高精細化は、従来使
用している35μmあるいは25μm厚の銅箔よりさら
に薄い銅箔を使用すれば、今まで以上に高精細化したリ
ードパターンの形成が可能になる。ところが、銅箔をよ
り薄くした場合リードパターンの半導体素子との接合部
分であるリード端子がフラットな状態を保てなくなると
いう問題がある。また、リード自体の強度が弱くなり、
破断しやすくなるといった問題もある。
【0016】また、半導体パッケージと外部回路の接続
にあたっては、先に述べたようにフィルムキャリアを介
して異方性導電膜を加熱加圧する。フィルムキャリアを
構成する絶縁フィルムとしては、厚さ125μmあるい
は75μmのポリイミド系樹脂フィルムが一般的に用い
られている。このため、絶縁フィルムを介して異方性導
電膜に十分に熱が伝達するまでには数十秒の時間を要す
るため、生産性を非常に低下させる部分となっている。
特にフィルムキャリアを多数使用する画素数の多い液晶
表示装置などではより顕著な問題である。
にあたっては、先に述べたようにフィルムキャリアを介
して異方性導電膜を加熱加圧する。フィルムキャリアを
構成する絶縁フィルムとしては、厚さ125μmあるい
は75μmのポリイミド系樹脂フィルムが一般的に用い
られている。このため、絶縁フィルムを介して異方性導
電膜に十分に熱が伝達するまでには数十秒の時間を要す
るため、生産性を非常に低下させる部分となっている。
特にフィルムキャリアを多数使用する画素数の多い液晶
表示装置などではより顕著な問題である。
【0017】また、フィルムキャリアを構成する導体と
絶縁フィルムの間には通常両者を接着するための図示し
ない接着層が存在する。このため加熱加圧時の熱により
この接着層が軟化し、フィルムキャリアの導体とポリイ
ミドの接着力が小さくなるため半導体パッケージの電極
端子と外部回路のリード端子の間でピッチずれが起こ
る。このため高精細化した分解能の高い接続に対応でき
ないという問題がある。また、ピッチずれにより歩留ま
りが低下するという問題もある。
絶縁フィルムの間には通常両者を接着するための図示し
ない接着層が存在する。このため加熱加圧時の熱により
この接着層が軟化し、フィルムキャリアの導体とポリイ
ミドの接着力が小さくなるため半導体パッケージの電極
端子と外部回路のリード端子の間でピッチずれが起こ
る。このため高精細化した分解能の高い接続に対応でき
ないという問題がある。また、ピッチずれにより歩留ま
りが低下するという問題もある。
【0018】加熱時間とピッチずれの問題を解決するた
めには、フィルムキャリアを構成する絶縁フィルムの膜
厚を薄くすることが考えられる。しかし、フィルムキャ
リア全体の絶縁フィルムを薄くすると、フィルム自体の
強度が不足してしまい、製造装置での搬送によりスプロ
ケットホールの破断、変形が生じてしまう。このためス
プロケットホールに対するリードパターンの位置精度が
悪くなってしまい、フィルムキャリア方式の特徴である
高寸法精度などのメリットが失われてしまう。さらに、
従来のフィルムキャリアでは例えばフィルムキャリアの
搬送部分など外形加工時に不要となる部分にも高価なポ
リイミド系フィルムを用いており、低価格化が難しいと
いう問題がある。
めには、フィルムキャリアを構成する絶縁フィルムの膜
厚を薄くすることが考えられる。しかし、フィルムキャ
リア全体の絶縁フィルムを薄くすると、フィルム自体の
強度が不足してしまい、製造装置での搬送によりスプロ
ケットホールの破断、変形が生じてしまう。このためス
プロケットホールに対するリードパターンの位置精度が
悪くなってしまい、フィルムキャリア方式の特徴である
高寸法精度などのメリットが失われてしまう。さらに、
従来のフィルムキャリアでは例えばフィルムキャリアの
搬送部分など外形加工時に不要となる部分にも高価なポ
リイミド系フィルムを用いており、低価格化が難しいと
いう問題がある。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の問題点
に鑑みてなされたものであって、フィルムキャリア方式
のもつ取扱性のよさ、高い寸法精度といった長所を保ち
ながら、上記の問題点を解決するフィルムキャリアとそ
の製造方法および半導体パッケージを提供することを目
的とする。
に鑑みてなされたものであって、フィルムキャリア方式
のもつ取扱性のよさ、高い寸法精度といった長所を保ち
ながら、上記の問題点を解決するフィルムキャリアとそ
の製造方法および半導体パッケージを提供することを目
的とする。
【0020】すなわち、リードパターンの高精細化に対
応できるフィルムキャリアおよび半導体パッケージを提
供することを目的とする。
応できるフィルムキャリアおよび半導体パッケージを提
供することを目的とする。
【0021】また、外部回路との接続時間を短縮し生産
性を向上できるフィルムキャリアおよび半導体パッケー
ジを提供することを目的とする。
性を向上できるフィルムキャリアおよび半導体パッケー
ジを提供することを目的とする。
【0022】また、外部回路との接続分解能の高いフィ
ルムキャリアおよび半導体パッケージを提供することを
目的とする。
ルムキャリアおよび半導体パッケージを提供することを
目的とする。
【0023】また、コストの安いフィルムキャリアおよ
び半導体パッケージを提供することを目的とする。
び半導体パッケージを提供することを目的とする。
【0024】さらに複合フィルムキャリアの製造方法の
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の膜厚を
有する第1の絶縁フィルムと、外部回路と電気的に接続
される領域に形成され第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚
を有する第2の絶縁フィルムと、第1または第2の絶縁
フィルム上に形成された導体配線とを具備することを特
徴とする複合フィルムキャリアである。
有する第1の絶縁フィルムと、外部回路と電気的に接続
される領域に形成され第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚
を有する第2の絶縁フィルムと、第1または第2の絶縁
フィルム上に形成された導体配線とを具備することを特
徴とする複合フィルムキャリアである。
【0026】また本発明は、第1の膜厚を有する第1の
絶縁フィルムと、半導体素子を搭載する領域に形成され
第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フ
ィルムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成され
た導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルム
キャリアである。
絶縁フィルムと、半導体素子を搭載する領域に形成され
第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フ
ィルムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成され
た導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルム
キャリアである。
【0027】また本発明は、第1の膜厚を有する第1の
絶縁フィルムと、リード端子を支持する領域に形成され
た第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁
フィルムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成さ
れた導体配線とを具備することを特徴とする複合フィル
ムキャリアである。
絶縁フィルムと、リード端子を支持する領域に形成され
た第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁
フィルムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成さ
れた導体配線とを具備することを特徴とする複合フィル
ムキャリアである。
【0028】また本発明は、第1の材質からなる第1の
絶縁フィルムと、第2の材質からなる第2の絶縁フィル
ムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導
体配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャ
リアである。
絶縁フィルムと、第2の材質からなる第2の絶縁フィル
ムと、第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導
体配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャ
リアである。
【0029】また本発明は、第2の絶縁フィルムと導体
配線とが接着層を介さずに直接接合していることを特徴
とする複合フィルムキャリアである。
配線とが接着層を介さずに直接接合していることを特徴
とする複合フィルムキャリアである。
【0030】そして、これらの複合フィルムキャリアは
長尺状であってもよく、また厚さとともに材質が異なる
絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。
長尺状であってもよく、また厚さとともに材質が異なる
絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。
【0031】また本発明はこれらのフィルムキャリアに
半導体素子が搭載された半導体パッケージである。
半導体素子が搭載された半導体パッケージである。
【0032】また本発明はこれらのフィルムキャリアに
半導体素子が搭載され異方性導電膜を介して液晶表示素
子と接続された半導体パッケージである。
半導体素子が搭載され異方性導電膜を介して液晶表示素
子と接続された半導体パッケージである。
【0033】また、本発明は、絶縁フィルムに所定形状
の開口部を形成する工程と、絶縁フィルムに導体層を貼
着する工程と、前記絶縁フィルムの前記導体層貼着面の
反対側から開口部を覆うように熱硬化性絶縁樹脂を塗布
する工程と、前記熱硬化性絶縁樹脂を加熱して熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させる工程とを具備することを特徴とす
る複合フィルムキャリアの製造方法である。
の開口部を形成する工程と、絶縁フィルムに導体層を貼
着する工程と、前記絶縁フィルムの前記導体層貼着面の
反対側から開口部を覆うように熱硬化性絶縁樹脂を塗布
する工程と、前記熱硬化性絶縁樹脂を加熱して熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させる工程とを具備することを特徴とす
る複合フィルムキャリアの製造方法である。
【0034】まず第1の絶縁フィルムを用意する。絶縁
フィルムの材質は、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂など用途に応じて選択する。絶縁フィルムの厚さは
75μmまたは125μmの長尺状のものが一般的であ
るが、必要に応じた厚さおよび長さの絶縁フィルムを用
意すればよい。
フィルムの材質は、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂など用途に応じて選択する。絶縁フィルムの厚さは
75μmまたは125μmの長尺状のものが一般的であ
るが、必要に応じた厚さおよび長さの絶縁フィルムを用
意すればよい。
【0035】この第1の絶縁フィルムにパンチングなど
の方法により所定形状の開口部を形成するが、開口部は
半導体素子を搭載するデバイスホール、位置決め穴、半
田付け穴または外部回路との接続部分などに対応する部
分に形成する。この時第2の膜形成部に対応する部分に
も同時に開口部を形成するようにすれば手順を増やす必
要がない。
の方法により所定形状の開口部を形成するが、開口部は
半導体素子を搭載するデバイスホール、位置決め穴、半
田付け穴または外部回路との接続部分などに対応する部
分に形成する。この時第2の膜形成部に対応する部分に
も同時に開口部を形成するようにすれば手順を増やす必
要がない。
【0036】ついで、開口部を形成した第1の絶縁フィ
ルムに導体層を貼り付ける。導体層は、銅、アルミニウ
ム、金など用途に応じて適宜選択する。また、導体層の
厚さは用途に応じて変えればよい。薄いほうがファイン
・ピッチ・パターンに対応できるが、例えばリード端子
部分の強度が不足するような場合には、リード端子部分
あるいは半導体素子搭載部全面に第2の絶縁フィルムを
形成して、この絶縁フィルムによりリード端子を支える
ようにあらかじめ設計すればよい。
ルムに導体層を貼り付ける。導体層は、銅、アルミニウ
ム、金など用途に応じて適宜選択する。また、導体層の
厚さは用途に応じて変えればよい。薄いほうがファイン
・ピッチ・パターンに対応できるが、例えばリード端子
部分の強度が不足するような場合には、リード端子部分
あるいは半導体素子搭載部全面に第2の絶縁フィルムを
形成して、この絶縁フィルムによりリード端子を支える
ようにあらかじめ設計すればよい。
【0037】ついで、第1の絶縁フィルムの銅箔貼り付
け面と反対側の面の所定部分、すなわち第2の絶縁フィ
ルム形成部分に、熱硬化性樹脂を塗布する。熱硬化性樹
脂としては、例えばポリイミド系樹脂を塗布するように
してもよい。塗布に際しては第1の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。このように第2の絶
縁フィルムを形成すれば、接着層を介さずに直接導体層
と接合することができる。樹脂はスクリーン印刷によっ
て塗布するようにしてもよく、また隙間が生じないよう
に樹脂を若干広めに塗布するようにしてもよく、第1の
絶縁フィルムと第2の絶縁フィルムが多少重なってもよ
い。
け面と反対側の面の所定部分、すなわち第2の絶縁フィ
ルム形成部分に、熱硬化性樹脂を塗布する。熱硬化性樹
脂としては、例えばポリイミド系樹脂を塗布するように
してもよい。塗布に際しては第1の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。このように第2の絶
縁フィルムを形成すれば、接着層を介さずに直接導体層
と接合することができる。樹脂はスクリーン印刷によっ
て塗布するようにしてもよく、また隙間が生じないよう
に樹脂を若干広めに塗布するようにしてもよく、第1の
絶縁フィルムと第2の絶縁フィルムが多少重なってもよ
い。
【0038】ついで、貼り付けた銅箔を所定形状のリー
ドパターンに成形する。この際フォトリソグラフィー法
によってリードパターンを形成するようにしてもよい。
さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表面処理を行
うようにしてもよい。また、必要に応じてリードパター
ン保護のためのソルダーレジストを塗布するようにして
もよい。
ドパターンに成形する。この際フォトリソグラフィー法
によってリードパターンを形成するようにしてもよい。
さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表面処理を行
うようにしてもよい。また、必要に応じてリードパター
ン保護のためのソルダーレジストを塗布するようにして
もよい。
【0039】このようにして製造されるフィルムキャリ
アのどの部分を第1の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第2の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておくようにすればよい。
アのどの部分を第1の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第2の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておくようにすればよい。
【0040】本発明は、外部回路との接続部分の絶縁フ
ィルムが薄い複合フィルムキャリアまたは半導体パッケ
ージである。
ィルムが薄い複合フィルムキャリアまたは半導体パッケ
ージである。
【0041】また、本発明は、半導体素子搭載部分が絶
縁フィルムによって支持された複合フィルムキャリアま
たは半導体パッケージである。
縁フィルムによって支持された複合フィルムキャリアま
たは半導体パッケージである。
【0042】また、本発明は、導体回路のリード端子部
分が絶縁フィルムによって支持された複合フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージである。
分が絶縁フィルムによって支持された複合フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージである。
【0043】また、本発明は、絶縁フィルムと導体層と
の間に接着層が存在しないの複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージである。
の間に接着層が存在しないの複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージである。
【0044】また、本発明は、材質の異なる複数の絶縁
フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキャリア
または半導体パッケージである。
フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキャリア
または半導体パッケージである。
【0045】また、本発明は、厚さと材質の異なる複数
の絶縁フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキ
ャリアまたは半導体パッケージである。
の絶縁フィルムを組み合わせて構成した複合フィルムキ
ャリアまたは半導体パッケージである。
【0046】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、膜厚、材質の異なる複数の絶縁フィルムと導体層
を組み合わせた複合フィルムキャリアを製造することが
できる。
れば、膜厚、材質の異なる複数の絶縁フィルムと導体層
を組み合わせた複合フィルムキャリアを製造することが
できる。
【0047】また、本発明のフィルムキャリアの製造方
法によれば接着層を介さずに絶縁フィルムと導体層が直
接接合したフィルムキャリアを製造することができる。
法によれば接着層を介さずに絶縁フィルムと導体層が直
接接合したフィルムキャリアを製造することができる。
【0048】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【0049】図1は本発明の複合フィルムキャリアに半
導体素子が搭載された半導体パッケージを外部回路(液
晶表示素子)へ実装した例を示す断面図である。
導体素子が搭載された半導体パッケージを外部回路(液
晶表示素子)へ実装した例を示す断面図である。
【0050】図1に例示した複合フィルムキャリア10
1は第1の絶縁フィルムとして厚さ75μmのポリイミ
ドフィルム102と、第2の絶縁フィルムとして厚さ2
5μmのポリイミドフィルム103が組み合わされてお
り、これらのフィルム上に厚さ25μmの導体層(銅
箔)104を所定の形状に加工したリードパターンが形
成されている。導体層はその一部分としてリード端子1
05を有しており、このリード端子は絶縁フィルム上か
ら半導体素子搭載部106に突出している。
1は第1の絶縁フィルムとして厚さ75μmのポリイミ
ドフィルム102と、第2の絶縁フィルムとして厚さ2
5μmのポリイミドフィルム103が組み合わされてお
り、これらのフィルム上に厚さ25μmの導体層(銅
箔)104を所定の形状に加工したリードパターンが形
成されている。導体層はその一部分としてリード端子1
05を有しており、このリード端子は絶縁フィルム上か
ら半導体素子搭載部106に突出している。
【0051】半導体素子107はその電極端子に金属突
起108が形成されている。従来と同様にこの金属突起
108と絶縁フィルム上に形成された導体回路の一部分
であるリード端子105とを接続することにより、半導
体素子107はフィルムキャリア101に搭載されてい
る。
起108が形成されている。従来と同様にこの金属突起
108と絶縁フィルム上に形成された導体回路の一部分
であるリード端子105とを接続することにより、半導
体素子107はフィルムキャリア101に搭載されてい
る。
【0052】半導体素子搭載部106には保護コート1
09がなされている。
09がなされている。
【0053】この複合フィルムキャリア101に半導体
素子107が搭載された半導体パッケージ110は異方
性導電膜111を介して液晶表示素子112と接続(実
装)されており、この接続部分は厚さ25μmの第2の
絶縁フィルム103によって形成されている。この第2
の絶縁フィルム103の領域は1箇所だけに限らず、例
えば図2に示すように4方向で外部回路と接続するよう
な半導体パッケージに本発明を適用するようにしてもよ
い。図3は図2の半導体パッケージにおけるMN方向の
断面を示したものである。ここで、図2は長尺状のフィ
ルムキャリア201に半導体素子202が搭載された様
子を示しており、外部回路との接続部は厚さ25μmの
第2の絶縁フィルム203によって形成されている。2
04はスプロケットホールである。
素子107が搭載された半導体パッケージ110は異方
性導電膜111を介して液晶表示素子112と接続(実
装)されており、この接続部分は厚さ25μmの第2の
絶縁フィルム103によって形成されている。この第2
の絶縁フィルム103の領域は1箇所だけに限らず、例
えば図2に示すように4方向で外部回路と接続するよう
な半導体パッケージに本発明を適用するようにしてもよ
い。図3は図2の半導体パッケージにおけるMN方向の
断面を示したものである。ここで、図2は長尺状のフィ
ルムキャリア201に半導体素子202が搭載された様
子を示しており、外部回路との接続部は厚さ25μmの
第2の絶縁フィルム203によって形成されている。2
04はスプロケットホールである。
【0054】このように外部回路との接続領域を薄くす
ることにより、異方性導電膜111の加熱に要する時間
を短縮し、生産性を向上することができる。
ることにより、異方性導電膜111の加熱に要する時間
を短縮し、生産性を向上することができる。
【0055】また、この第2の絶縁フィルム103と導
体層104の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜111を介した半導体パッケージ110と外部回路
112との接続時に加熱によるピッチずれが起こること
はない。したがって、よりファイン・ピッチ・パターン
に対応した接続ができる。また、ピッチずれによる接続
不良が減少し歩留まりが向上する。
体層104の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜111を介した半導体パッケージ110と外部回路
112との接続時に加熱によるピッチずれが起こること
はない。したがって、よりファイン・ピッチ・パターン
に対応した接続ができる。また、ピッチずれによる接続
不良が減少し歩留まりが向上する。
【0056】図4は、本発明の複合フィルムキャリアに
半導体素子を搭載した半導体パッケージの1例である。
半導体素子を搭載した半導体パッケージの1例である。
【0057】図4の半導体パッケージのフィルムキャリ
ア401は、第1の絶縁フィルム402として厚さ75
μmのポリエステルフィルムと、第2の絶縁フィルム4
03として厚さ25μmのポリイミドフィルムが組み合
わされており、これらのフィルム上に厚さ18μmの導
体層(銅箔)404を所定の形状に加工したリードパタ
ーンが形成されている。リードパターンはその一部分と
してリード端子405を有しているが、このリード端子
405は半導体素子搭載部分に形成された第2の絶縁フ
ィルム403によって支持されており、強度不足による
リード端子405の破断、変形の心配はない。したがっ
て本実施例のように薄い導体層を用いることが可能で、
よりファイン・ピッチのリードパターンを形成でき、集
積度の高い半導体素子の搭載に対応できる。
ア401は、第1の絶縁フィルム402として厚さ75
μmのポリエステルフィルムと、第2の絶縁フィルム4
03として厚さ25μmのポリイミドフィルムが組み合
わされており、これらのフィルム上に厚さ18μmの導
体層(銅箔)404を所定の形状に加工したリードパタ
ーンが形成されている。リードパターンはその一部分と
してリード端子405を有しているが、このリード端子
405は半導体素子搭載部分に形成された第2の絶縁フ
ィルム403によって支持されており、強度不足による
リード端子405の破断、変形の心配はない。したがっ
て本実施例のように薄い導体層を用いることが可能で、
よりファイン・ピッチのリードパターンを形成でき、集
積度の高い半導体素子の搭載に対応できる。
【0058】アウターリードボンディング部406につ
いても実施例1と同様に厚さ25μmポリイミド絶縁フ
ィルムにより形成されている。したがって、外部回路と
の接続時に異方性導電膜の加熱に要する時間を短縮で
き、生産性を向上することができる。
いても実施例1と同様に厚さ25μmポリイミド絶縁フ
ィルムにより形成されている。したがって、外部回路と
の接続時に異方性導電膜の加熱に要する時間を短縮で
き、生産性を向上することができる。
【0059】また、この第2の絶縁フィルム403と導
体層404の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜を介した半導体パッケージと外部回路との接続時に
加熱によるピッチずれが起こることはない。したがっ
て、よりファイン・ピッチ・パターンに対応した接続が
できる。また、ピッチずれによる接続不良が減少し歩留
まりが向上する。
体層404の間には接着層が存在しないため、異方性導
電膜を介した半導体パッケージと外部回路との接続時に
加熱によるピッチずれが起こることはない。したがっ
て、よりファイン・ピッチ・パターンに対応した接続が
できる。また、ピッチずれによる接続不良が減少し歩留
まりが向上する。
【0060】さらに、パッケージの外形加工の際に切り
捨てられるフィルムキャリア搬送部407はポリエステ
ルフィルムによって形成されており、高価なポリイミド
フィルムの使用量が少なくてすみ、コストを安くするこ
とができる。
捨てられるフィルムキャリア搬送部407はポリエステ
ルフィルムによって形成されており、高価なポリイミド
フィルムの使用量が少なくてすみ、コストを安くするこ
とができる。
【0061】図5は、図4に例示した半導体パッケージ
の変形例であり、半導体素子搭載部分(インナーリード
ボンディング部)501のうちリード端子502の部分
に、リード端子502を支えるように第2の絶縁フィル
ム503を形成したフィルムキャリア504に半導体素
子505を搭載した半導体パッケージ506の1例であ
る。
の変形例であり、半導体素子搭載部分(インナーリード
ボンディング部)501のうちリード端子502の部分
に、リード端子502を支えるように第2の絶縁フィル
ム503を形成したフィルムキャリア504に半導体素
子505を搭載した半導体パッケージ506の1例であ
る。
【0062】図5に例示したような複合フィルムキャリ
ア504でも、リード端子502が絶縁フィルムによっ
て支持されているので、導体層を薄くした場合でも強度
不足により破断、変形することはない。したがって、よ
り薄い導体層を用いることができ、よりファイン・ピッ
チ・パターンに対応することができる。
ア504でも、リード端子502が絶縁フィルムによっ
て支持されているので、導体層を薄くした場合でも強度
不足により破断、変形することはない。したがって、よ
り薄い導体層を用いることができ、よりファイン・ピッ
チ・パターンに対応することができる。
【0063】このように、厚さと材質の異なる複数の絶
縁フィルムを必要に応じて組み合わせた複合フィルムキ
ャリアによれば、高分解能での接続に対応でき、生産性
を向上し、コストを下げることができる。
縁フィルムを必要に応じて組み合わせた複合フィルムキ
ャリアによれば、高分解能での接続に対応でき、生産性
を向上し、コストを下げることができる。
【0064】図6は、長尺状の本発明の複合フィルムキ
ャリア601に半導体素子を搭載した外形加工前の半導
体パッケージ602の1例を上から見た図である。
ャリア601に半導体素子を搭載した外形加工前の半導
体パッケージ602の1例を上から見た図である。
【0065】図7は図6の半導体パッケージのPQ方向
の断面を示した図である。
の断面を示した図である。
【0066】図7に例示した半導体パッケージ602の
複合フィルムキャリア601は、第1の絶縁フィルム6
03として厚さ75μmのポリエステルフィルムと、第
2の絶縁フィルム604として厚さ25μmのポリイミ
ドフィルムが組み合わされており、これらのフィルム上
に厚さ18μmの導体層(銅箔)605を所定の形状に
加工したリードパターンが形成されている。
複合フィルムキャリア601は、第1の絶縁フィルム6
03として厚さ75μmのポリエステルフィルムと、第
2の絶縁フィルム604として厚さ25μmのポリイミ
ドフィルムが組み合わされており、これらのフィルム上
に厚さ18μmの導体層(銅箔)605を所定の形状に
加工したリードパターンが形成されている。
【0067】この複合フィルムキャリアはフィルムキャ
リアの搬送部分606のみが厚さ75μmのポリエステ
ルフィルムによって形成されており、その他の部分はす
べて厚さ25μmのポリイミドフィルムによって形成さ
れている。
リアの搬送部分606のみが厚さ75μmのポリエステ
ルフィルムによって形成されており、その他の部分はす
べて厚さ25μmのポリイミドフィルムによって形成さ
れている。
【0068】図7の半導体パッケージ602は未だ外形
加工されていないが、外形加工時には半導体パッケージ
部分602を打ち抜くので、フィルムキャリア搬送部分
606など切り捨てる部分が存在する。したがって、フ
ィルムキャリア搬送部分606をポリエステルなどで形
成しておけば、高価なポリイミドの使用量が少なくてす
み、コストを低くできる。
加工されていないが、外形加工時には半導体パッケージ
部分602を打ち抜くので、フィルムキャリア搬送部分
606など切り捨てる部分が存在する。したがって、フ
ィルムキャリア搬送部分606をポリエステルなどで形
成しておけば、高価なポリイミドの使用量が少なくてす
み、コストを低くできる。
【0069】この複合フィルムキャリアは、搬送部以外
の部分はすべて厚さ25μmのポリイミドフィルムによ
り形成されている。したがって、リード端子の部分はポ
リイミドフィルムによって支持されており、強度不足に
よるリード端子の破断、変形の心配はない。したがって
薄い導体層を用いることが可能であり、よりファイン・
ピッチのリードパターンを形成でき、集積度の高い半導
体素子の搭載に対応できる。
の部分はすべて厚さ25μmのポリイミドフィルムによ
り形成されている。したがって、リード端子の部分はポ
リイミドフィルムによって支持されており、強度不足に
よるリード端子の破断、変形の心配はない。したがって
薄い導体層を用いることが可能であり、よりファイン・
ピッチのリードパターンを形成でき、集積度の高い半導
体素子の搭載に対応できる。
【0070】アウターリードボンディング部も厚さ25
μmポリイミドフィルムにより形成されている。したが
って、外部回路との接続時に異方性導電膜の加熱に要す
る時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
μmポリイミドフィルムにより形成されている。したが
って、外部回路との接続時に異方性導電膜の加熱に要す
る時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
【0071】また、この複合フィルムキャリアの半導体
パッケージを構成する部分は、絶縁フィルムと導体層の
間に接着層が存在しないため、異方性導電膜を介した半
導体パッケージと外部回路との接続時に加熱によるピッ
チずれが起こることはない。したがって、よりファイン
・ピッチ・パターンに対応した接続ができる。また、ピ
ッチずれによる接続不良が減少し歩留まりが向上する。
パッケージを構成する部分は、絶縁フィルムと導体層の
間に接着層が存在しないため、異方性導電膜を介した半
導体パッケージと外部回路との接続時に加熱によるピッ
チずれが起こることはない。したがって、よりファイン
・ピッチ・パターンに対応した接続ができる。また、ピ
ッチずれによる接続不良が減少し歩留まりが向上する。
【0072】第1の絶縁フィルムと第2の絶縁フィルム
をどのように組み合わせて複合フィルムキャリアを構成
するかは、必要に応じてあらかじめ設計しておけばよ
い。すなわち、厚さと材質の異なる複数の絶縁フィルム
を適宜組み合わせて複合フィルムキャリアを構成するこ
とにより接続分解能、生産性を向上させ、またコストを
低くすることができる。
をどのように組み合わせて複合フィルムキャリアを構成
するかは、必要に応じてあらかじめ設計しておけばよ
い。すなわち、厚さと材質の異なる複数の絶縁フィルム
を適宜組み合わせて複合フィルムキャリアを構成するこ
とにより接続分解能、生産性を向上させ、またコストを
低くすることができる。
【0073】つぎに本発明の複合フィルムキャリアの製
造方法のについて説明する。
造方法のについて説明する。
【0074】図8から図14は本発明の複合フィルムキ
ャリアの製造方法をその工程にしたがって概略的に示し
た図である。
ャリアの製造方法をその工程にしたがって概略的に示し
た図である。
【0075】まず長尺状の第1の絶縁フィルム801を
用意する(図8)。フィルムの厚さは75μmまたは1
25μmのものが一般的であるが、必要に応じた厚さの
絶縁フィルムを用意すればよい。
用意する(図8)。フィルムの厚さは75μmまたは1
25μmのものが一般的であるが、必要に応じた厚さの
絶縁フィルムを用意すればよい。
【0076】この第1の絶縁フィルム801にパンチン
グなどの方法により所定形状の開口部802を形成する
(図9)。開口部は半導体素子を搭載するデバイスホー
ル、位置決め穴、半田付け穴または外部回路との接続部
分などに対応する部分に形成する。この時第2の膜形成
部に対応する部分にも同時に開口部を形成するようにす
れば手順を増やす必要がない。また予め接着剤がコート
された絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。
グなどの方法により所定形状の開口部802を形成する
(図9)。開口部は半導体素子を搭載するデバイスホー
ル、位置決め穴、半田付け穴または外部回路との接続部
分などに対応する部分に形成する。この時第2の膜形成
部に対応する部分にも同時に開口部を形成するようにす
れば手順を増やす必要がない。また予め接着剤がコート
された絶縁フィルムを用いるようにしてもよい。
【0077】ついで、開口部を形成した第1の絶縁フィ
ルムに導体層803を貼り付ける(図10)。この場
合、導体層には銅箔を用いている。銅箔の厚さは25μ
mまたは35μmのものが一般的であるが、用途に応じ
て変えればよい。薄いほうがファイン・ピッチ・パター
ンに対応できるが、例えば厚さ18μmの銅箔を用いて
リード端子部分の強度が不足するような場合には、リー
ド端子部分あるいは半導体素子搭載部全面に第2の絶縁
フィルムを形成して、リード端子を支えるようにあらか
じめ設計すればよい。
ルムに導体層803を貼り付ける(図10)。この場
合、導体層には銅箔を用いている。銅箔の厚さは25μ
mまたは35μmのものが一般的であるが、用途に応じ
て変えればよい。薄いほうがファイン・ピッチ・パター
ンに対応できるが、例えば厚さ18μmの銅箔を用いて
リード端子部分の強度が不足するような場合には、リー
ド端子部分あるいは半導体素子搭載部全面に第2の絶縁
フィルムを形成して、リード端子を支えるようにあらか
じめ設計すればよい。
【0078】ついで、第2の絶縁フィルム804を形成
する。すなわち第1の絶縁フィルムの銅箔貼り付け面と
反対側の面の所定部分、すなわち第2の絶縁フィルム8
04の形成部分に、例えばポリイミド系樹脂を塗布する
(図11)。塗布に際しては第1の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。図11では第1の絶
縁フィルム801と第2の絶縁フィルム804に重なり
部分805があるが、これは隙間が生じないように樹脂
を若干広めに塗布したもので、重なり幅は0.3〜0.
4μmである。重なり幅は必要に応じて決めるようにす
ればよく、またなくてもよい。樹脂はスクリーン印刷に
よって塗布するようにしてもよい。厚さは必要に応じて
決めればよく、この場合25μmの厚さに塗布してい
る。塗布後加熱により硬化させて第2の絶縁フィルム8
04が形成される。したがって、第2の絶縁フィルム8
04と導体層803との間には接着層は存在しない。
する。すなわち第1の絶縁フィルムの銅箔貼り付け面と
反対側の面の所定部分、すなわち第2の絶縁フィルム8
04の形成部分に、例えばポリイミド系樹脂を塗布する
(図11)。塗布に際しては第1の絶縁フィルムとの間
に隙間が生じないように塗布する。図11では第1の絶
縁フィルム801と第2の絶縁フィルム804に重なり
部分805があるが、これは隙間が生じないように樹脂
を若干広めに塗布したもので、重なり幅は0.3〜0.
4μmである。重なり幅は必要に応じて決めるようにす
ればよく、またなくてもよい。樹脂はスクリーン印刷に
よって塗布するようにしてもよい。厚さは必要に応じて
決めればよく、この場合25μmの厚さに塗布してい
る。塗布後加熱により硬化させて第2の絶縁フィルム8
04が形成される。したがって、第2の絶縁フィルム8
04と導体層803との間には接着層は存在しない。
【0079】ついで、貼付けた導体層を所定形状のリー
ドパターンに成形する(図12)。この際フォトリソグ
ラフィー法によってリードパターンを形成するようにし
てもよい。さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表
面処理を行うようにしてもよい。また、必要に応じてリ
ードパターン保護のためのソルダーレジストを塗布する
ようにしてもよい。
ドパターンに成形する(図12)。この際フォトリソグ
ラフィー法によってリードパターンを形成するようにし
てもよい。さらに導体表面に無電解スズめっきなどの表
面処理を行うようにしてもよい。また、必要に応じてリ
ードパターン保護のためのソルダーレジストを塗布する
ようにしてもよい。
【0080】このようにして製造されるフィルムキャリ
アのどの部分を第1の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第2の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておけばよい。
アのどの部分を第1の絶縁フィルムが構成し、またどの
部分を第2の絶縁フィルムが構成するかは、あらかじめ
必要に応じて設計しておけばよい。
【0081】例えばフィルムキャリアの外部回路との接
続部分1201に第2の絶縁フィルムを形成しておけ
ば、異方性導電膜による外部回路と接続時に異方性導電
膜の加熱に要する時間を短縮し生産性を向上することが
できる。
続部分1201に第2の絶縁フィルムを形成しておけ
ば、異方性導電膜による外部回路と接続時に異方性導電
膜の加熱に要する時間を短縮し生産性を向上することが
できる。
【0082】また、第2の絶縁フィルムと導体層の間に
は接着層が存在しないため、接続時に加熱によるピッチ
ずれが生じないのでよりファイン・ピッチで接続するこ
とができ、生産性も向上する。
は接着層が存在しないため、接続時に加熱によるピッチ
ずれが生じないのでよりファイン・ピッチで接続するこ
とができ、生産性も向上する。
【0083】また、従来のデバイスホールである半導体
素子搭載部1301に第2の絶縁フィルムを形成すれ
ば、例えば18μmより薄いような導体層を用いた場合
でも、リード端子(インナーリードボンディング部)は
絶縁フィルムに支持されているから、強度不足による破
断、変形を避けることができる(図13)。したがって
よりファイン・ピッチ・パターンに対応することができ
る。
素子搭載部1301に第2の絶縁フィルムを形成すれ
ば、例えば18μmより薄いような導体層を用いた場合
でも、リード端子(インナーリードボンディング部)は
絶縁フィルムに支持されているから、強度不足による破
断、変形を避けることができる(図13)。したがって
よりファイン・ピッチ・パターンに対応することができ
る。
【0084】また、半導体素子搭載部の全面ではなくリ
ード端子部分1401のみに第2の絶縁フィルムを形成
するようにしてもよい、このほうが高価なポリイミドの
使用が少ないので、コストを低くすることができる(図
14)。
ード端子部分1401のみに第2の絶縁フィルムを形成
するようにしてもよい、このほうが高価なポリイミドの
使用が少ないので、コストを低くすることができる(図
14)。
【0085】さらに、例えばフィルムキャリアの搬送部
分などのように、半導体素子を搭載した後、外形加工時
に切り捨てる部分にポリエステルなどポリイミドよりも
安いフィルムを用いることにより、フィルムキャリアの
コストを低くすることができる。
分などのように、半導体素子を搭載した後、外形加工時
に切り捨てる部分にポリエステルなどポリイミドよりも
安いフィルムを用いることにより、フィルムキャリアの
コストを低くすることができる。
【0086】このように膜厚、材質の異なる複数の絶縁
フィルムを組み合わせた複合フィルムキャリアを製造す
ることにより、より高い分解能でインナーリードボンデ
ィングおよびアウターリードボンディングに対応でき、
生産性が向上し、コストを安くすることができる。
フィルムを組み合わせた複合フィルムキャリアを製造す
ることにより、より高い分解能でインナーリードボンデ
ィングおよびアウターリードボンディングに対応でき、
生産性が向上し、コストを安くすることができる。
【0087】
【発明の効果】本発明の複合フィルムキャリアまたは半
導体パッケージによれば、導体回路のリード端子部分が
絶縁フィルムによって支持されているため、銅箔を薄く
することができリードパターンの高精細化に対応でき
る。また、フィルムキャリアの取扱いも容易になる。
導体パッケージによれば、導体回路のリード端子部分が
絶縁フィルムによって支持されているため、銅箔を薄く
することができリードパターンの高精細化に対応でき
る。また、フィルムキャリアの取扱いも容易になる。
【0088】また、本発明の複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージによれば、外部回路との接続部分の
絶縁フィルムが薄いので、異方性導電膜の加熱に要する
時間を短縮することができ、生産性が向上する。
は半導体パッケージによれば、外部回路との接続部分の
絶縁フィルムが薄いので、異方性導電膜の加熱に要する
時間を短縮することができ、生産性が向上する。
【0089】また、本発明の複合フィルムキャリアまた
は半導体パッケージによれば、フィルムキャリアを構成
する絶縁フィルムと導体との間に接着層が存在しないの
で、加熱によるピッチずれがなく接続分解能を高くする
ことができる。
は半導体パッケージによれば、フィルムキャリアを構成
する絶縁フィルムと導体との間に接着層が存在しないの
で、加熱によるピッチずれがなく接続分解能を高くする
ことができる。
【0090】さらに、複合フィルムキャリアまたは半導
体パッケージによれば、高価なポリイミド系樹脂フィル
ムを必要な部分だけに用いることにより、フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージのコストを低くすることが
できる。
体パッケージによれば、高価なポリイミド系樹脂フィル
ムを必要な部分だけに用いることにより、フィルムキャ
リアまたは半導体パッケージのコストを低くすることが
できる。
【0091】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば膜厚、材質の異なる複数のフィルムキャリアを組み
合わせた複合フィルムキャリアを製造することができ
る。
れば膜厚、材質の異なる複数のフィルムキャリアを組み
合わせた複合フィルムキャリアを製造することができ
る。
【0092】本発明のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、絶縁フィルムと導体層の間に接着層の存在しない
部分を形成することができ、外部回路との接続時にピッ
チずれの起こらない接続分解能の高いフィルムキャリア
を製造することができる。
れば、絶縁フィルムと導体層の間に接着層の存在しない
部分を形成することができ、外部回路との接続時にピッ
チずれの起こらない接続分解能の高いフィルムキャリア
を製造することができる。
【0093】また、本発明のフィルムキャリアの製造方
法によれば、絶縁フィルムの薄い部分を形成することが
でき、外部回路と異方性導電膜を介して接続する際に、
異方性導電膜の加熱時間を短縮し、生産性の高いフィル
ムキャリアを製造することができる。
法によれば、絶縁フィルムの薄い部分を形成することが
でき、外部回路と異方性導電膜を介して接続する際に、
異方性導電膜の加熱時間を短縮し、生産性の高いフィル
ムキャリアを製造することができる。
【図1】本発明の半導体パッケージが外部回路に実装さ
れた様子を概略的に示す図。
れた様子を概略的に示す図。
【図2】4方向で外部回路と接続している半導体パッケ
ージを上から見た図。
ージを上から見た図。
【図3】図2の半導体パッケージのMN方向の断面を概
略的に示す図。
略的に示す図。
【図4】本発明の複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された様子を概略的に示す図。
搭載された様子を概略的に示す図。
【図5】本発明の複合フィルムキャリアに半導体素子が
搭載された様子を概略的に示す図。
搭載された様子を概略的に示す図。
【図6】外形加工前の半導体パッケージを下から見た
図。
図。
【図7】図6の半導体パッケージのPQ方向の断面を概
略的に示す図。
略的に示す図。
【図8】本発明による複合フィルムキャリアの製造方法
の1工程を概略的に示す図。
の1工程を概略的に示す図。
【図9】本発明による複合フィルムキャリアの製造方法
の1工程を概略的に示す図。
の1工程を概略的に示す図。
【図10】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の1工程を概略的に示す図。
法の1工程を概略的に示す図。
【図11】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の1工程を概略的に示す図。
法の1工程を概略的に示す図。
【図12】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の1工程を概略的に示す図。
法の1工程を概略的に示す図。
【図13】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の1工程を概略的に示す図。
法の1工程を概略的に示す図。
【図14】本発明による複合フィルムキャリアの製造方
法の1工程を概略的に示す図。
法の1工程を概略的に示す図。
【図15】従来技術による半導体パッケージが外部回路
に実装された様子を示す断面図。
に実装された様子を示す断面図。
101………複合フィルムキャリア、102………絶縁
フィルム 103………絶縁フィルム、104………導体回路、1
05………リード端子 106………半導体素子搭載部、107………半導体素
子 108………金属突起、109………保護コート 110………半導体パッケージ、111………異方性導
電膜 112………外部回路、201………複合フィルムキャ
リア 202………半導体素子、203………第2の絶縁フィ
ルム 401………複合フィルムキャリア、403………第2
の絶縁フィルム 405………リード端子、502………リード端子 503………第2の絶縁フィルム、601………フィル
ムキャリア 602………半導体パッケージ部分、606………フィ
ルムキャリア搬送部分 801………第1の絶縁フィルム、802………開口
部、803………導体層 804………第2の絶縁フィルム、805………重なり
部分 1201……外部回路接続部分、1301……半導体素
子搭載部分 1401……リード端子部部分、1501……半導体素
子 1502……フィルムキャリア、1503……半導体パ
ッケージ 1504……異方性導電膜、1505……外部回路、1
506……絶縁フィルム 1507……導体層、1508……リード端子、150
9……金属突起 1510……保護コート
フィルム 103………絶縁フィルム、104………導体回路、1
05………リード端子 106………半導体素子搭載部、107………半導体素
子 108………金属突起、109………保護コート 110………半導体パッケージ、111………異方性導
電膜 112………外部回路、201………複合フィルムキャ
リア 202………半導体素子、203………第2の絶縁フィ
ルム 401………複合フィルムキャリア、403………第2
の絶縁フィルム 405………リード端子、502………リード端子 503………第2の絶縁フィルム、601………フィル
ムキャリア 602………半導体パッケージ部分、606………フィ
ルムキャリア搬送部分 801………第1の絶縁フィルム、802………開口
部、803………導体層 804………第2の絶縁フィルム、805………重なり
部分 1201……外部回路接続部分、1301……半導体素
子搭載部分 1401……リード端子部部分、1501……半導体素
子 1502……フィルムキャリア、1503……半導体パ
ッケージ 1504……異方性導電膜、1505……外部回路、1
506……絶縁フィルム 1507……導体層、1508……リード端子、150
9……金属突起 1510……保護コート
Claims (16)
- 【請求項1】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルム
と、外部回路と電気的に接続される領域に形成され第1
の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィル
ムと、前記第1または第2の絶縁フィルム上に形成され
た導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルム
キャリア。 - 【請求項2】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルム
と、半導体素子を搭載する領域に形成され第1の膜厚よ
りも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィルムと、前
記第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体配
線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャリ
ア。 - 【請求項3】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルム
と、リード端子を支持する領域に形成された第1の膜厚
よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィルムと、
前記第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体
配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャリ
ア。 - 【請求項4】 第1の材質からなる第1の絶縁フィルム
と、第2の材質からなる第2の絶縁フィルムと、前記第
1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体配線と
を具備することを特徴とする複合フィルムキャリア。 - 【請求項5】 前記第2の絶縁フィルムと前記導体配線
とが接着層を介さずに接合していることを特徴とする請
求項1乃至4のいずれかに記載の複合フィルムキャリ
ア。 - 【請求項6】 前記複合フィルムキャリアは長尺状であ
る請求項1乃至4のいずれかに記載の複合フィルムキャ
リア。 - 【請求項7】 前記第1の絶縁フィルムは前記第2の絶
縁フィルムと材質の異なることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれかに記載の複合フィルムキャリア。 - 【請求項8】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルム
と、外部回路と電気的に接続される領域に形成され第1
の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィル
ムと、前記第1または第2の絶縁フィルム上もしくは該
フィルムからはみ出して形成された導体配線とから構成
される複合フィルムキャリアと、前記複合フィルムキャ
リアに搭載された半導体素子とを具備することを特徴と
する半導体パッケージ。 - 【請求項9】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルム
と、半導体を搭載する領域に形成された第1の膜厚より
も薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィルムと、前記
第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体配線
とから構成される複合フィルムキャリアと、前記複合フ
ィルムキャリアに搭載された前記半導体素子とを具備す
ることを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項10】 第1の膜厚を有する第1の絶縁フィル
ムと、半導体搭載部分のリード端子を支持する領域に形
成された第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2
の絶縁フィルムと、前記第1または第2の絶縁フィルム
上に形成された導体配線とから構成される複合フィルム
キャリアと、前記複合フィルムキャリアに搭載された半
導体素子とを具備することを特徴とする半導体パッケー
ジ。 - 【請求項11】 第1の材質からなる第1の絶縁フィル
ムと、第2の材質からなる第2の絶縁フィルムと、前記
第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体配線
とから構成される複合フィルムキャリアと、前記複合フ
ィルムキャリアに搭載された半導体素子とを具備するこ
とを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項12】 前記第2の絶縁フィルムと前記導体配
線とが直接接合していることを特徴とする請求項8乃至
11いずれかに記載の半導体パッケージ。 - 【請求項13】 長尺状の前記複合フィルムキャリアに
複数の前記半導体素子が搭載されたことを特徴とする請
求項8乃至11のいずれかに記載の半導体パッケージ。 - 【請求項14】 前記第1の絶縁フィルムは前記第2の
絶縁フィルムと材質の異なることを特徴とする請求項8
乃至10のいずれかに記載の半導体パッケージ。 - 【請求項15】 前記外部回路は異方性導電膜を介して
接続される液晶表示素子であることを特徴とする請求項
8記載の半導体パッケージ。 - 【請求項16】 絶縁フィルムに所定形状の開口部を形
成する工程と、 前記絶縁フィルムに導体層を貼着する工程と、 前記絶縁フィルムの前記導体層貼着面の反対側から開口
部を覆うように熱硬化性絶縁樹脂を塗布する工程と、 前記熱硬化性絶縁樹脂を加熱して前記熱硬化性絶縁樹脂
を硬化させる工程とを具備することを特徴とする複合フ
ィルムキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7243410A JPH0992690A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7243410A JPH0992690A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992690A true JPH0992690A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17103455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7243410A Withdrawn JPH0992690A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0992690A (ja) |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP7243410A patent/JPH0992690A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
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