JPH0992131A - 電界放出型表示装置 - Google Patents
電界放出型表示装置Info
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- JPH0992131A JPH0992131A JP7270737A JP27073795A JPH0992131A JP H0992131 A JPH0992131 A JP H0992131A JP 7270737 A JP7270737 A JP 7270737A JP 27073795 A JP27073795 A JP 27073795A JP H0992131 A JPH0992131 A JP H0992131A
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- Japan
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- cathode
- island
- field emission
- wiring
- electrode
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G1/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with cathode-ray tube indicators; General aspects or details, e.g. selection emphasis on particular characters, dashed line or dotted line generation; Preprocessing of data
- G09G1/06—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with cathode-ray tube indicators; General aspects or details, e.g. selection emphasis on particular characters, dashed line or dotted line generation; Preprocessing of data using single beam tubes, e.g. three-dimensional or perspective representation, rotation or translation of display pattern, hidden lines, shadows
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
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- H—ELECTRICITY
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- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界放出型表示装置において、構造的な手段
により輝度ムラを低減する。 【解決手段】 カソード基板１０１上のカソード領域１
０９にはストライプ状のカソード配線１０２が複数本形
成されている。各カソード配線１０２にはくり抜き部１
０８が形成されており、各くり抜き部１０８の中には島
状電極１０７が形成されている。このカソード配線１０
２、くり抜き部１０８および島状電極１０７の上には抵
抗層１０３が形成されており、該抵抗層１０３の上に複
数個のエミッタコーン１０６が形成されて電界放出アレ
イとなされている。カソード領域１０９における位置に
応じて、島状電極１０７とカソード配線１０２との間の
距離が変更されており、位置によるエミッション特性の
ばらつきが補正される。フルカラーＦＥＤの場合は、各
ドットの発光色に応じて前記距離を変更することにより
ホワイトバランス補正を行うことができる。
により輝度ムラを低減する。 【解決手段】 カソード基板１０１上のカソード領域１
０９にはストライプ状のカソード配線１０２が複数本形
成されている。各カソード配線１０２にはくり抜き部１
０８が形成されており、各くり抜き部１０８の中には島
状電極１０７が形成されている。このカソード配線１０
２、くり抜き部１０８および島状電極１０７の上には抵
抗層１０３が形成されており、該抵抗層１０３の上に複
数個のエミッタコーン１０６が形成されて電界放出アレ
イとなされている。カソード領域１０９における位置に
応じて、島状電極１０７とカソード配線１０２との間の
距離が変更されており、位置によるエミッション特性の
ばらつきが補正される。フルカラーＦＥＤの場合は、各
ドットの発光色に応じて前記距離を変更することにより
ホワイトバランス補正を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源として電界
放出アレイを使用する電界放出型表示装置に関する。
放出アレイを使用する電界放出型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体微細加工技術を駆使して基
板上にミクロンサイズの電界放出カソード（ＦＥＣ：Fi
eld Emission Cathode）をアレイ状に形成して面放出型
の電子源とすることが可能となり、これを電子源として
利用する電界放出型表示装置（ＦＥＤ：Field Emission
Display）が開発されている。
板上にミクロンサイズの電界放出カソード（ＦＥＣ：Fi
eld Emission Cathode）をアレイ状に形成して面放出型
の電子源とすることが可能となり、これを電子源として
利用する電界放出型表示装置（ＦＥＤ：Field Emission
Display）が開発されている。
【０００３】このようなＦＥＣアレイの一例として、島
構造カソードと呼ばれるカソード電極を有するＦＥＣア
レイの断面を図６の（ａ）に示し、また、そのカソード
電極部を同図の（ｂ）に示す。これらの図において、１
０１はガラスなどからなる絶縁性のカソード基板、１０
２は該カソード基板１０１上に並列に多数本設けられた
ストライプ状のカソード配線のうちの１本を示してい
る。図６の（ｂ）に示すように、このカソード配線１０
２の領域内には導体のないくり抜き部１０８が設けられ
ており、該くり抜き部１０８の内部にはカソード配線１
０２から分離されて設けられた島状電極１０７が配設さ
れている。そして、このカソード配線１０２、くり抜き
部１０８および島状電極１０７の上には抵抗層１０３が
設けられており、この抵抗層１０３により島状電極１０
７とカソード配線１０２とが電気的に接続されている。
また、島状電極１０７に対応する抵抗層１０３上に複数
個のエミッタコーン１０６が形成されている。さらに、
抵抗層１０３上のエミッタコーン１０６が形成されてい
ない領域には二酸化シリコン（SiO2）などからなる絶縁
層１０４が形成されており、該絶縁層１０４の上にはゲ
ート電極１０５が形成されている。このゲート電極１０
５は、カソード配線１０２と直交する方向にストライプ
状に形成されている。
構造カソードと呼ばれるカソード電極を有するＦＥＣア
レイの断面を図６の（ａ）に示し、また、そのカソード
電極部を同図の（ｂ）に示す。これらの図において、１
０１はガラスなどからなる絶縁性のカソード基板、１０
２は該カソード基板１０１上に並列に多数本設けられた
ストライプ状のカソード配線のうちの１本を示してい
る。図６の（ｂ）に示すように、このカソード配線１０
２の領域内には導体のないくり抜き部１０８が設けられ
ており、該くり抜き部１０８の内部にはカソード配線１
０２から分離されて設けられた島状電極１０７が配設さ
れている。そして、このカソード配線１０２、くり抜き
部１０８および島状電極１０７の上には抵抗層１０３が
設けられており、この抵抗層１０３により島状電極１０
７とカソード配線１０２とが電気的に接続されている。
また、島状電極１０７に対応する抵抗層１０３上に複数
個のエミッタコーン１０６が形成されている。さらに、
抵抗層１０３上のエミッタコーン１０６が形成されてい
ない領域には二酸化シリコン（SiO2）などからなる絶縁
層１０４が形成されており、該絶縁層１０４の上にはゲ
ート電極１０５が形成されている。このゲート電極１０
５は、カソード配線１０２と直交する方向にストライプ
状に形成されている。
【０００４】このような構成において、エミッタコーン
１０６とゲート電極１０５との距離をサブミクロン程度
とすることができるため、エミッタコーン１０６とゲー
ト電極１０５との間に数１０ボルトのゲート−エミッタ
間電圧を印加するだけで、電子を電界放出することがで
きる。また、エミッタコーン１０６間のピッチは５〜１
０μｍ程度とすることができるため、１枚のカソード基
板１０１上に数万〜数１０万個のＦＥＣを形成すること
ができる。そして、前記カソード基板１０１に所定間隔
をもって透明ガラスなどからなるアノード基板を対向配
置し、該アノード基板上に蛍光体層が塗布されているア
ノード電極を形成して、該アノード電極に正のアノード
電圧を印加することにより、前記エミッタコーン１０６
から電界放出された電子を該アノード電極に捕集し、該
アノード電極に塗布された蛍光体に電子が射突して、該
蛍光体を発光表示させるようにして、電界放出型表示装
置（ＦＥＤ）を構成することができる。このとき、一つ
あるいは複数個の島状電極１０７上に形成された複数個
のエミッタコーン１０６からなるＦＥＣアレイが、それ
ぞれ、１画素に対応することとなる。
１０６とゲート電極１０５との距離をサブミクロン程度
とすることができるため、エミッタコーン１０６とゲー
ト電極１０５との間に数１０ボルトのゲート−エミッタ
間電圧を印加するだけで、電子を電界放出することがで
きる。また、エミッタコーン１０６間のピッチは５〜１
０μｍ程度とすることができるため、１枚のカソード基
板１０１上に数万〜数１０万個のＦＥＣを形成すること
ができる。そして、前記カソード基板１０１に所定間隔
をもって透明ガラスなどからなるアノード基板を対向配
置し、該アノード基板上に蛍光体層が塗布されているア
ノード電極を形成して、該アノード電極に正のアノード
電圧を印加することにより、前記エミッタコーン１０６
から電界放出された電子を該アノード電極に捕集し、該
アノード電極に塗布された蛍光体に電子が射突して、該
蛍光体を発光表示させるようにして、電界放出型表示装
置（ＦＥＤ）を構成することができる。このとき、一つ
あるいは複数個の島状電極１０７上に形成された複数個
のエミッタコーン１０６からなるＦＥＣアレイが、それ
ぞれ、１画素に対応することとなる。
【０００５】ここで、エミッタコーン１０６とカソード
配線１０２および島状電極１０７との間に抵抗層１０３
が設けられているのは、次のような理由によるものであ
る。すなわち、エミッタコーンとゲート電極との距離が
非常に短くされているために製造の過程において塵埃な
どによりエミッタコーンとゲート電極とが短絡してしま
うことがある。ゲート電極とエミッタコーンとが一つで
も短絡していると、全てのゲート電極とエミッタコーン
間に電圧が印加されなくなり動作不能となってしまう。
また、ＦＥＣの初期の動作時に局部的な脱ガスが生じ、
このガスによりエミッタコーンとゲート電極あるいはア
ノード電極間が放電を起こすことがあり、このため大電
流がカソードに流れてカソードが破壊されるということ
があった。さらに、多数のエミッタコーンのうちの電子
が放出しやすいエミッタコーンに電子の放出が集中され
るため、そのエミッタコーンに電流が集中し、画面上に
異常に明るいスポットが発生することがあった。
配線１０２および島状電極１０７との間に抵抗層１０３
が設けられているのは、次のような理由によるものであ
る。すなわち、エミッタコーンとゲート電極との距離が
非常に短くされているために製造の過程において塵埃な
どによりエミッタコーンとゲート電極とが短絡してしま
うことがある。ゲート電極とエミッタコーンとが一つで
も短絡していると、全てのゲート電極とエミッタコーン
間に電圧が印加されなくなり動作不能となってしまう。
また、ＦＥＣの初期の動作時に局部的な脱ガスが生じ、
このガスによりエミッタコーンとゲート電極あるいはア
ノード電極間が放電を起こすことがあり、このため大電
流がカソードに流れてカソードが破壊されるということ
があった。さらに、多数のエミッタコーンのうちの電子
が放出しやすいエミッタコーンに電子の放出が集中され
るため、そのエミッタコーンに電流が集中し、画面上に
異常に明るいスポットが発生することがあった。
【０００６】そこで、エミッタコーン１０６とカソード
配線１０２との間に抵抗層１０３を設けることにより、
あるエミッタコーン１０６からの放出電子が多くなる
と、該エミッタコーン１０６に流れる電流の増加に応じ
て前記抵抗層１０３により該エミッタコーン１０６の電
子放出を抑制する方向に電圧降下が生じ、該エミッタコ
ーン１０６における電子放出の暴走を食い止めることが
できる。このように、抵抗層１０３を設けることにより
特定のエミッタコーン１０６への電流の集中を防止する
ことができ、ＦＥＣの製造上の歩留まりの向上や安定な
動作を図ることができるのである。
配線１０２との間に抵抗層１０３を設けることにより、
あるエミッタコーン１０６からの放出電子が多くなる
と、該エミッタコーン１０６に流れる電流の増加に応じ
て前記抵抗層１０３により該エミッタコーン１０６の電
子放出を抑制する方向に電圧降下が生じ、該エミッタコ
ーン１０６における電子放出の暴走を食い止めることが
できる。このように、抵抗層１０３を設けることにより
特定のエミッタコーン１０６への電流の集中を防止する
ことができ、ＦＥＣの製造上の歩留まりの向上や安定な
動作を図ることができるのである。
【０００７】さらに、図５に示すような島状電極１０７
を設けずに、抵抗層１０３の上にエミッタコーン１０６
を形成した場合には、カソード配線１０２と各エミッタ
コーン１０６との間の距離に応じて、カソード配線１０
２と各エミッタコーン１０６との間の抵抗値が異なるこ
ととなる。すなわち、カソード配線１０２に近い位置に
形成されているエミッタコーン１０６については抵抗値
が低くなり、エミッタコーン群の中央部に形成されカソ
ード配線１０２から遠いエミッタコーンについては高い
抵抗値となる。したがって、カソード配線１０２の近傍
に位置する抵抗値の低いエミッタコーン１０６からの電
子のエミッション量は多くなるが、中央部に位置するエ
ミッタコーン１０６からのエミッション量は少なくな
り、エミッション量が不均一となってしまう。
を設けずに、抵抗層１０３の上にエミッタコーン１０６
を形成した場合には、カソード配線１０２と各エミッタ
コーン１０６との間の距離に応じて、カソード配線１０
２と各エミッタコーン１０６との間の抵抗値が異なるこ
ととなる。すなわち、カソード配線１０２に近い位置に
形成されているエミッタコーン１０６については抵抗値
が低くなり、エミッタコーン群の中央部に形成されカソ
ード配線１０２から遠いエミッタコーンについては高い
抵抗値となる。したがって、カソード配線１０２の近傍
に位置する抵抗値の低いエミッタコーン１０６からの電
子のエミッション量は多くなるが、中央部に位置するエ
ミッタコーン１０６からのエミッション量は少なくな
り、エミッション量が不均一となってしまう。
【０００８】そこで、カソード配線１０２の領域上にく
り抜き部１０８を設け、その内部にカソード配線１０２
から分離された島状電極１０７を形成し、該島状電極１
０７に対応する部分の上にエミッタコーン１０６を形成
している。これにより、カソード配線１０２と各エミッ
タコーン１０６との間の抵抗値を均一にすることがで
き、各エミッタコーン１０６からのエミッション量を均
一なものとすることができるのである。
り抜き部１０８を設け、その内部にカソード配線１０２
から分離された島状電極１０７を形成し、該島状電極１
０７に対応する部分の上にエミッタコーン１０６を形成
している。これにより、カソード配線１０２と各エミッ
タコーン１０６との間の抵抗値を均一にすることがで
き、各エミッタコーン１０６からのエミッション量を均
一なものとすることができるのである。
【０００９】このような島構造カソードを用いたＦＥＤ
におけるカソード基板１０１の上面図を図７に示す。こ
の図に示すように、カソード基板１０１上に表示領域に
対応するカソード領域１０９が形成されており、該カソ
ード領域１０９上には前述したようにストライプ状のカ
ソード配線１０２が全面に形成されている。そして、前
述したように、このカソード配線１０２の領域内にはく
り抜き部１０８が設けられて、その中に島状電極１０７
が形成されており、該カソード配線１０２と島状電極１
０７は、前記くり抜き部１０８中の前記抵抗層１０３を
介して電気的に接続されている。そして、このカソード
領域１０９のどの位置においても、そこに形成されてい
るカソード配線１０２、くり抜き部１０８および島状電
極１０７はそれぞれ同一の寸法および大きさで形成され
ている。すなわち、図示するように、カソード領域１０
９の例えば左上部（１）、中央部（２）および右下部
（３）のいずれにおいても、くり抜き部１０８の縦の長
さａ、横の長さｂおよび島状電極１０７とのギャップ幅
ｐはすべての位置において同一の寸法で形成されてい
る。
におけるカソード基板１０１の上面図を図７に示す。こ
の図に示すように、カソード基板１０１上に表示領域に
対応するカソード領域１０９が形成されており、該カソ
ード領域１０９上には前述したようにストライプ状のカ
ソード配線１０２が全面に形成されている。そして、前
述したように、このカソード配線１０２の領域内にはく
り抜き部１０８が設けられて、その中に島状電極１０７
が形成されており、該カソード配線１０２と島状電極１
０７は、前記くり抜き部１０８中の前記抵抗層１０３を
介して電気的に接続されている。そして、このカソード
領域１０９のどの位置においても、そこに形成されてい
るカソード配線１０２、くり抜き部１０８および島状電
極１０７はそれぞれ同一の寸法および大きさで形成され
ている。すなわち、図示するように、カソード領域１０
９の例えば左上部（１）、中央部（２）および右下部
（３）のいずれにおいても、くり抜き部１０８の縦の長
さａ、横の長さｂおよび島状電極１０７とのギャップ幅
ｐはすべての位置において同一の寸法で形成されてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＦＥＤのカソ
ードにおけるエミッション特性は、カソード領域内にお
いて均一のものとはならず、作製プロセスなどの影響に
より、バラツキが生じている。したがって、すべてのゲ
ートおよびカソードに同一の駆動電圧を印加しても、得
られるエミッション電流には、当該カソード領域内にお
ける位置によってバラツキが生じ、表示画像には輝度ム
ラが発生していた。そこでこれを解決するために、通常
は、駆動回路側で表示データのレベルを補正することに
より輝度ムラをなくすことが行われている。しかし、こ
のためには階調表示可能なドライバＩＣが必要であっ
た。
ードにおけるエミッション特性は、カソード領域内にお
いて均一のものとはならず、作製プロセスなどの影響に
より、バラツキが生じている。したがって、すべてのゲ
ートおよびカソードに同一の駆動電圧を印加しても、得
られるエミッション電流には、当該カソード領域内にお
ける位置によってバラツキが生じ、表示画像には輝度ム
ラが発生していた。そこでこれを解決するために、通常
は、駆動回路側で表示データのレベルを補正することに
より輝度ムラをなくすことが行われている。しかし、こ
のためには階調表示可能なドライバＩＣが必要であっ
た。
【００１１】さらに、フルカラー表示を行うＦＥＤにお
いては、このようなエミッション電流のバラツキという
問題に加え、各発光色毎の色バランスをとることが必要
である。したがって、駆動回路により各発光色のデータ
補正を行う場合には階調表示能力の一部をこの補正に使
用することとなり、実質的に発光可能色数が減少してし
まうという問題点があった。
いては、このようなエミッション電流のバラツキという
問題に加え、各発光色毎の色バランスをとることが必要
である。したがって、駆動回路により各発光色のデータ
補正を行う場合には階調表示能力の一部をこの補正に使
用することとなり、実質的に発光可能色数が減少してし
まうという問題点があった。
【００１２】そこで本発明は、構造的な手段により、Ｆ
ＥＤの輝度ムラを低減すること、および、フルカラーＦ
ＥＤにおけるホワイトバランス補正を行うことを目的と
している。
ＥＤの輝度ムラを低減すること、および、フルカラーＦ
ＥＤにおけるホワイトバランス補正を行うことを目的と
している。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電界放出型表示装置は、カソード基板上の
カソード領域に、カソード配線と、電子を放出するエミ
ッタコーンと、前記カソード配線と前記エミッタコーン
との間に形成された抵抗層とを有する電界放出カソード
が複数個形成されている電界放出型表示装置において、
前記抵抗層により前記カソード配線と前記エミッタコー
ンとの間に直列に挿入される抵抗の抵抗値が前記カソー
ド領域内の位置に応じた抵抗値とされているものであ
る。
に、本発明の電界放出型表示装置は、カソード基板上の
カソード領域に、カソード配線と、電子を放出するエミ
ッタコーンと、前記カソード配線と前記エミッタコーン
との間に形成された抵抗層とを有する電界放出カソード
が複数個形成されている電界放出型表示装置において、
前記抵抗層により前記カソード配線と前記エミッタコー
ンとの間に直列に挿入される抵抗の抵抗値が前記カソー
ド領域内の位置に応じた抵抗値とされているものであ
る。
【００１４】また、本発明の他の電界放出型表示装置
は、カソード基板上のカソード領域に形成されたストラ
イプ状のカソード配線と、該カソード配線の領域内に形
成されたくり抜き部と、該くり抜き部内に形成された島
状電極と、前記カソード配線、前記くり抜き部および前
記島状電極の上に形成された抵抗層と、前記島状電極に
対応する前記抵抗層の上に形成された複数個のエミッタ
コーンとからなる電界放出アレイを有する電界放出型表
示装置は、前記くり抜き部と前記島状電極との間の距離
が、前記カソード領域内の位置に応じて決定されている
ものである。
は、カソード基板上のカソード領域に形成されたストラ
イプ状のカソード配線と、該カソード配線の領域内に形
成されたくり抜き部と、該くり抜き部内に形成された島
状電極と、前記カソード配線、前記くり抜き部および前
記島状電極の上に形成された抵抗層と、前記島状電極に
対応する前記抵抗層の上に形成された複数個のエミッタ
コーンとからなる電界放出アレイを有する電界放出型表
示装置は、前記くり抜き部と前記島状電極との間の距離
が、前記カソード領域内の位置に応じて決定されている
ものである。
【００１５】さらに、本発明のさらに他の電界放出型表
示装置は、カソード基板上のカソード領域に形成された
ストライプ状のカソード配線と、該カソード配線の領域
内に形成されたくり抜き部と、該くり抜き部内に形成さ
れた島状電極と、前記カソード配線、前記くり抜き部お
よび前記島状電極の上に形成された抵抗層と、前記島状
電極に対応する前記抵抗層の上に形成された複数個のエ
ミッタコーンとからなる電界放出アレイと、前記カソー
ド基板に所定間隔離されて対向配置され、その上にスト
ライプ状のアノード電極が形成されたアノード基板と、
前記アノード電極上の前記各電界放出アレイに対応する
位置にドット状に塗布され、それぞれ、光の３原色のい
ずれかの色を発光する蛍光体ドットと、を有するフルカ
ラー電界放出型表示装置において、前記各電界放出アレ
イにおける前記島状電極と前記くり抜き部との間の距離
が、対応する蛍光体ドットの発光色に応じて所定の距離
になされており、ホワイトバランスがとれるようになさ
れているものである。
示装置は、カソード基板上のカソード領域に形成された
ストライプ状のカソード配線と、該カソード配線の領域
内に形成されたくり抜き部と、該くり抜き部内に形成さ
れた島状電極と、前記カソード配線、前記くり抜き部お
よび前記島状電極の上に形成された抵抗層と、前記島状
電極に対応する前記抵抗層の上に形成された複数個のエ
ミッタコーンとからなる電界放出アレイと、前記カソー
ド基板に所定間隔離されて対向配置され、その上にスト
ライプ状のアノード電極が形成されたアノード基板と、
前記アノード電極上の前記各電界放出アレイに対応する
位置にドット状に塗布され、それぞれ、光の３原色のい
ずれかの色を発光する蛍光体ドットと、を有するフルカ
ラー電界放出型表示装置において、前記各電界放出アレ
イにおける前記島状電極と前記くり抜き部との間の距離
が、対応する蛍光体ドットの発光色に応じて所定の距離
になされており、ホワイトバランスがとれるようになさ
れているものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１に本発明の第１の実施の形態
におけるＦＥＤのカソード基板の上面図を示す。この図
において、１０１はカソード基板、１０２はカソード配
線、１０７は島状電極、１０８はくり抜き部、１０９は
カソード領域であり、いずれも、前述した従来技術の場
合と同一のものである。しかしながら、本発明のこの第
１の実施の形態においては、カソード配線１０２の領域
に形成されているくり抜き部１０８の縦横の寸法ａおよ
びｂが、カソード領域１０９上の位置に応じて異なって
おり、各カソード配線１０２と各島状電極１０７との間
のギャップ幅ｐが、当該カソード配線１０２のカソード
領域１０９上における位置に応じて変更されている点に
特徴がある。例えば、図示するように、カソード領域１
０９の左上部（１）においてはくり抜き部１０８の縦お
よび横がそれぞれａ１およびｂ１とされてギャップ幅が
ｐ１とされており、中央部（２）においてはギャップ幅
がｐ２とされており、右下部（３）においてはギャップ
幅がｐ３とされている。
におけるＦＥＤのカソード基板の上面図を示す。この図
において、１０１はカソード基板、１０２はカソード配
線、１０７は島状電極、１０８はくり抜き部、１０９は
カソード領域であり、いずれも、前述した従来技術の場
合と同一のものである。しかしながら、本発明のこの第
１の実施の形態においては、カソード配線１０２の領域
に形成されているくり抜き部１０８の縦横の寸法ａおよ
びｂが、カソード領域１０９上の位置に応じて異なって
おり、各カソード配線１０２と各島状電極１０７との間
のギャップ幅ｐが、当該カソード配線１０２のカソード
領域１０９上における位置に応じて変更されている点に
特徴がある。例えば、図示するように、カソード領域１
０９の左上部（１）においてはくり抜き部１０８の縦お
よび横がそれぞれａ１およびｂ１とされてギャップ幅が
ｐ１とされており、中央部（２）においてはギャップ幅
がｐ２とされており、右下部（３）においてはギャップ
幅がｐ３とされている。
【００１７】このように、ギャップ幅を変更することに
より、エミッタコーン１０６とカソード配線１０２との
間に直列に挿入される抵抗値を変更することができ、こ
れにより、ＦＥＣアレイからのエミッション電流の大き
さを決定することが可能となる。したがって、カソード
配線１０２のカソード領域１０９上における位置による
エミッション電流のバラツキをなくすように、ギャップ
幅ｐを決定することにより、輝度ムラをなくすことがで
きる。
より、エミッタコーン１０６とカソード配線１０２との
間に直列に挿入される抵抗値を変更することができ、こ
れにより、ＦＥＣアレイからのエミッション電流の大き
さを決定することが可能となる。したがって、カソード
配線１０２のカソード領域１０９上における位置による
エミッション電流のバラツキをなくすように、ギャップ
幅ｐを決定することにより、輝度ムラをなくすことがで
きる。
【００１８】図２を参照して、より詳細に説明する。図
２の（ａ）は島構造カソードの上面図、（ｂ）はその断
面図を示している。同図（ａ）に示すように、カソード
電極１０２のくり抜き部１０８の縦の長さをａ、横の長
さをｂとし、島状電極１０７とカソード配線１０２との
間のギャップ幅をｐとする。島状電極１０７上に形成さ
れたエミッタコーン１０６とカソード配線１０２との間
に介在する厚さｔの抵抗層１０３により形成される直列
等価抵抗Ｒｅは、同図（ｂ）に示すように、各エミッタ
コーン１０６と島状電極１０７との間に介在している抵
抗層１０３による、各エミッタコーン１０６と島状電極
１０７との間の抵抗（「コーン抵抗」と呼ぶ）Ｒｅ１
と、島状電極１０７とカソード配線１０２との間のくり
抜き部１０８に介在している抵抗層１０３により形成さ
れる抵抗（「アイランド抵抗」と呼ぶ）Ｒｅ２とに分解
して考えることができる。同図（ｃ）はこのコーン抵抗
Ｒｅ１を説明する図であり、同図（ｄ）はアイランド抵
抗Ｒｅ２を説明するための図である。
２の（ａ）は島構造カソードの上面図、（ｂ）はその断
面図を示している。同図（ａ）に示すように、カソード
電極１０２のくり抜き部１０８の縦の長さをａ、横の長
さをｂとし、島状電極１０７とカソード配線１０２との
間のギャップ幅をｐとする。島状電極１０７上に形成さ
れたエミッタコーン１０６とカソード配線１０２との間
に介在する厚さｔの抵抗層１０３により形成される直列
等価抵抗Ｒｅは、同図（ｂ）に示すように、各エミッタ
コーン１０６と島状電極１０７との間に介在している抵
抗層１０３による、各エミッタコーン１０６と島状電極
１０７との間の抵抗（「コーン抵抗」と呼ぶ）Ｒｅ１
と、島状電極１０７とカソード配線１０２との間のくり
抜き部１０８に介在している抵抗層１０３により形成さ
れる抵抗（「アイランド抵抗」と呼ぶ）Ｒｅ２とに分解
して考えることができる。同図（ｃ）はこのコーン抵抗
Ｒｅ１を説明する図であり、同図（ｄ）はアイランド抵
抗Ｒｅ２を説明するための図である。
【００１９】一般に、体積抵抗率ρ（Ω・cm）の抵抗膜
により形成される抵抗値Ｒは、次式で表される。 Ｒ＝ρ・Ｌ／Ａ （ここで、Ａは電極対向面積、Ｌは
電極長さ） したがって、上記コーン抵抗Ｒｅ１は、抵抗層１０３の
膜厚をｔ、エミッタコーン１０６の底面の直径をφとし
たとき、 Ｒｅ１＝ρ・ｔ／｛π・（φ／２）2 ｝ となる。また、上記アイランド抵抗Ｒｅ２は、 Ｒｅ２＝ρ・ｐ／（ｔ・Ｌ） ＝ρ・ｐ2 ／［ｔ・｛ａ・ｂ−（ａ−２ｐ）・（ｂ−２ｐ）｝］ となる。
により形成される抵抗値Ｒは、次式で表される。 Ｒ＝ρ・Ｌ／Ａ （ここで、Ａは電極対向面積、Ｌは
電極長さ） したがって、上記コーン抵抗Ｒｅ１は、抵抗層１０３の
膜厚をｔ、エミッタコーン１０６の底面の直径をφとし
たとき、 Ｒｅ１＝ρ・ｔ／｛π・（φ／２）2 ｝ となる。また、上記アイランド抵抗Ｒｅ２は、 Ｒｅ２＝ρ・ｐ／（ｔ・Ｌ） ＝ρ・ｐ2 ／［ｔ・｛ａ・ｂ−（ａ−２ｐ）・（ｂ−２ｐ）｝］ となる。
【００２０】したがって、１つの島状電極１０７上にｎ
tip 個のエミッタコーン１０６が形成されているとき、
１つの島状電極１０７あたりに働く直列等価抵抗Ｒｅの
抵抗値は、ｎtip 個並列に接続されたコーン抵抗Ｒｅ１
の抵抗値と、アイランド抵抗Ｒｅ２の抵抗値との和とな
り、次式で表される。 Ｒｅ＝（Ｒｅ１／ｎtip ）＋Ｒｅ２ ＝ρ・［ｔ／｛π・（φ／２）2 ・ｎtip ｝ ＋ｐ2 ／｛ｔ・｛ａ・ｂ−（ａ−２ｐ）・（ｂ−２ｐ）｝｝］ そして、この直列等価抵抗Ｒｅによる電圧降下Ｖdropは
次式で表される。 Ｖdrop＝（Ｉtip ・ｎtip ）・Ｒｅ ＝Ｉisland・Ｒｅ ここで、Ｉtip はエミッタコーン１個当たりのエミッシ
ョン電流、Ｉislandは島状電極１個当たりのエミッショ
ン電流である。
tip 個のエミッタコーン１０６が形成されているとき、
１つの島状電極１０７あたりに働く直列等価抵抗Ｒｅの
抵抗値は、ｎtip 個並列に接続されたコーン抵抗Ｒｅ１
の抵抗値と、アイランド抵抗Ｒｅ２の抵抗値との和とな
り、次式で表される。 Ｒｅ＝（Ｒｅ１／ｎtip ）＋Ｒｅ２ ＝ρ・［ｔ／｛π・（φ／２）2 ・ｎtip ｝ ＋ｐ2 ／｛ｔ・｛ａ・ｂ−（ａ−２ｐ）・（ｂ−２ｐ）｝｝］ そして、この直列等価抵抗Ｒｅによる電圧降下Ｖdropは
次式で表される。 Ｖdrop＝（Ｉtip ・ｎtip ）・Ｒｅ ＝Ｉisland・Ｒｅ ここで、Ｉtip はエミッタコーン１個当たりのエミッシ
ョン電流、Ｉislandは島状電極１個当たりのエミッショ
ン電流である。
【００２１】したがって、ＦＥＣのゲート−エミッタ間
に印加される実効印加電圧Ｖgeは、駆動回路から印加さ
れるゲート−カソード間電圧をＶgcとすると、 Ｖge＝Ｖgc−Ｖdrop となる。したがって、直列等価抵抗Ｒｅの値に応じてＦ
ＥＣのゲート−エミッタ間に印加される実効印加電圧Ｖ
geが変化され、当該ＦＥＣからのエミッション量を制御
することができる。
に印加される実効印加電圧Ｖgeは、駆動回路から印加さ
れるゲート−カソード間電圧をＶgcとすると、 Ｖge＝Ｖgc−Ｖdrop となる。したがって、直列等価抵抗Ｒｅの値に応じてＦ
ＥＣのゲート−エミッタ間に印加される実効印加電圧Ｖ
geが変化され、当該ＦＥＣからのエミッション量を制御
することができる。
【００２２】図３に、ギャップ幅ｐがｐ1 、ｐ2 および
ｐ3 （ｐ1 ＜ｐ2 ＜ｐ3 ）であるときの、エミッタコー
ン１個当たりのエミッション電流Ｉtip 対ゲート−カソ
ード間電圧Ｖgc特性の一例を示す。この図に示すよう
に、ギャップ幅ｐが狭いほど直列等価抵抗Ｒｅが小さく
なるため、同一のゲート−カソード間電圧Ｖgcに対して
大きなエミッション電流Ｉtip が流れる。なお、（４）
は、ｐ＝０すなわちくり抜き部１０８および島状電極１
０７を設けずにカソード配線１０２の上に抵抗層１０３
を形成し、その上にエミッタコーン１０６を形成した場
合の特性を示している。
ｐ3 （ｐ1 ＜ｐ2 ＜ｐ3 ）であるときの、エミッタコー
ン１個当たりのエミッション電流Ｉtip 対ゲート−カソ
ード間電圧Ｖgc特性の一例を示す。この図に示すよう
に、ギャップ幅ｐが狭いほど直列等価抵抗Ｒｅが小さく
なるため、同一のゲート−カソード間電圧Ｖgcに対して
大きなエミッション電流Ｉtip が流れる。なお、（４）
は、ｐ＝０すなわちくり抜き部１０８および島状電極１
０７を設けずにカソード配線１０２の上に抵抗層１０３
を形成し、その上にエミッタコーン１０６を形成した場
合の特性を示している。
【００２３】次に、図４を参照して、本発明の第２の実
施形態について説明する。この実施形態は、フルカラー
表示を行うＦＥＤに関するものである。図４において、
１０１はカソード基板、１０９はカソード領域である。
このカソード領域１０９上には、例えば、赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３原色にそれぞれ対応し
たストライプ状のカソード配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよ
び１０２Ｂが順次設けられている。そして、各カソード
配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよび１０２Ｂには、前述した
場合と同様に、くり抜き部１０８が設けられており、各
くり抜き部１０８の中には島状電極１０７が形成されて
いる。そして、Ｒ色に対応するカソード配線１０２Ｒに
おける島状電極１０７とカソード配線１０２Ｒとの間の
ギャップ幅ｐR 、Ｇ色に対応するカソード配線１０２Ｇ
におけるギャップ幅ｐG およびＢ色に対応するカソード
配線１０２Ｂにおけるギャップ幅ｐB が、図示するよう
にそれぞれ異なる大きさ、この例においては、ｐB ＜ｐ
R ＜ｐG となされている。
施形態について説明する。この実施形態は、フルカラー
表示を行うＦＥＤに関するものである。図４において、
１０１はカソード基板、１０９はカソード領域である。
このカソード領域１０９上には、例えば、赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３原色にそれぞれ対応し
たストライプ状のカソード配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよ
び１０２Ｂが順次設けられている。そして、各カソード
配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよび１０２Ｂには、前述した
場合と同様に、くり抜き部１０８が設けられており、各
くり抜き部１０８の中には島状電極１０７が形成されて
いる。そして、Ｒ色に対応するカソード配線１０２Ｒに
おける島状電極１０７とカソード配線１０２Ｒとの間の
ギャップ幅ｐR 、Ｇ色に対応するカソード配線１０２Ｇ
におけるギャップ幅ｐG およびＢ色に対応するカソード
配線１０２Ｂにおけるギャップ幅ｐB が、図示するよう
にそれぞれ異なる大きさ、この例においては、ｐB ＜ｐ
R ＜ｐG となされている。
【００２４】なお。このカソード基板１０１に所定間隔
をもって対向配置されている図示しないアノード基板に
は、前記３原色に対応したカソード配線１０２Ｒ、１０
２Ｇおよび１０２Ｂにそれぞれ対向して、それぞれスト
ライプ状の、赤色に対応するアノード電極、緑色に対応
するアノード電極および青色に対応するアノード電極が
順次配列されている。そして、各色に対応するストライ
プ状アノード電極には、それぞれ、対応する各色の蛍光
体ドットが前記島状電極１０７に対向するように付着さ
れている。これにより、各島状電極１０７上の抵抗層１
０３上に形成されたエミッタコーン１０６から電界放出
された電子が対応する各色の蛍光体ドットに射突して対
応する色の発色が行われ、フルカラーの表示が行われる
ようになされている。
をもって対向配置されている図示しないアノード基板に
は、前記３原色に対応したカソード配線１０２Ｒ、１０
２Ｇおよび１０２Ｂにそれぞれ対向して、それぞれスト
ライプ状の、赤色に対応するアノード電極、緑色に対応
するアノード電極および青色に対応するアノード電極が
順次配列されている。そして、各色に対応するストライ
プ状アノード電極には、それぞれ、対応する各色の蛍光
体ドットが前記島状電極１０７に対向するように付着さ
れている。これにより、各島状電極１０７上の抵抗層１
０３上に形成されたエミッタコーン１０６から電界放出
された電子が対応する各色の蛍光体ドットに射突して対
応する色の発色が行われ、フルカラーの表示が行われる
ようになされている。
【００２５】一般に、蛍光体の発光輝度Ｙは次のように
表される。 Ｙ＝η・Ｖa ・Ｉa ／π・Ｓa ここで、η：蛍光体の発光効率、Ｖa ：アノード電圧、
Ｉa ：アノード電流、Ｓa ：発光面積である。また、前
述したように、アノード電流Ｉa は、ゲート−カソード
間電圧Ｖgcの関数であり、Ｉa ＝ｆ（Ｖgc） である。
一般に、ホワイトバランスと輝度の関係は、次のように
表される。 ｘ＝｛ｘr ・（Ｙr ／ｙr ）＋ｘg ・（Ｙg ／ｙg ）＋ｘb ・（Ｙb ／ｙb ｝／ ｛（Ｙr ／ｙr ）＋（Ｙg ／ｙg ）＋（Ｙb ／ｙb ）｝ ｙ＝（Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ）／｛（Ｙr ／ｙr ）＋（Ｙg ／ｙg ）＋（Ｙb ／ ｙb ）｝ Ｙ＝Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ここで、ｘ，ｙ：白色の色度、ｘr ，ｙr ：赤色蛍光体
のｘ，ｙ色度、ｘg ，ｙg ：緑色蛍光体のｘ，ｙ色度、
ｘb ，ｘb ：青色蛍光体のｘ，ｙ色度、Ｙ：白色の発光
輝度、Ｙr ：赤色蛍光体の発光輝度、Ｙg ：緑色蛍光体
の発光輝度、Ｙb ：青色蛍光体の発光輝度である。
表される。 Ｙ＝η・Ｖa ・Ｉa ／π・Ｓa ここで、η：蛍光体の発光効率、Ｖa ：アノード電圧、
Ｉa ：アノード電流、Ｓa ：発光面積である。また、前
述したように、アノード電流Ｉa は、ゲート−カソード
間電圧Ｖgcの関数であり、Ｉa ＝ｆ（Ｖgc） である。
一般に、ホワイトバランスと輝度の関係は、次のように
表される。 ｘ＝｛ｘr ・（Ｙr ／ｙr ）＋ｘg ・（Ｙg ／ｙg ）＋ｘb ・（Ｙb ／ｙb ｝／ ｛（Ｙr ／ｙr ）＋（Ｙg ／ｙg ）＋（Ｙb ／ｙb ）｝ ｙ＝（Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ）／｛（Ｙr ／ｙr ）＋（Ｙg ／ｙg ）＋（Ｙb ／ ｙb ）｝ Ｙ＝Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ここで、ｘ，ｙ：白色の色度、ｘr ，ｙr ：赤色蛍光体
のｘ，ｙ色度、ｘg ，ｙg ：緑色蛍光体のｘ，ｙ色度、
ｘb ，ｘb ：青色蛍光体のｘ，ｙ色度、Ｙ：白色の発光
輝度、Ｙr ：赤色蛍光体の発光輝度、Ｙg ：緑色蛍光体
の発光輝度、Ｙb ：青色蛍光体の発光輝度である。
【００２６】したがって、上式に基づいて、所定の白色
色度および輝度を得られるように、各発光色に対応する
カソード配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよび１０２Ｂ上の各
ギャップ幅ｐR 、ｐG 、ｐB を決定して、各色の発光体
の発光輝度Ｙr 、Ｙg およびＹb を設定することによ
り、ＲＧＢに対応する各ＦＥＣアレイを同一駆動電圧で
駆動しても、ホワイトバランスのとれた表示をすること
が可能となる。
色度および輝度を得られるように、各発光色に対応する
カソード配線１０２Ｒ、１０２Ｇおよび１０２Ｂ上の各
ギャップ幅ｐR 、ｐG 、ｐB を決定して、各色の発光体
の発光輝度Ｙr 、Ｙg およびＹb を設定することによ
り、ＲＧＢに対応する各ＦＥＣアレイを同一駆動電圧で
駆動しても、ホワイトバランスのとれた表示をすること
が可能となる。
【００２７】以上の実施の形態においては、島状電極１
０７とカソード配線１０２とのギャップ幅ｐを変更する
ことにより、エミッタコーン１０６とカソード配線１０
２との間に直列に介在される抵抗値を制御しているが、
これに限られることはなく、他の方法によってもこの抵
抗値を制御することができる。これらについて、図５を
参照して説明する。
０７とカソード配線１０２とのギャップ幅ｐを変更する
ことにより、エミッタコーン１０６とカソード配線１０
２との間に直列に介在される抵抗値を制御しているが、
これに限られることはなく、他の方法によってもこの抵
抗値を制御することができる。これらについて、図５を
参照して説明する。
【００２８】図５の（ａ）に、抵抗層の体積抵抗率ρを
変更することにより、当該抵抗値を変更する方法を示
す。この図において、カソード基板１０１、カソード配
線１０２、島状電極１０７は前述したものと同様のもの
である。そして、該島状電極１０７の上には前述したも
のと同様に抵抗層１０３が形成されており、該抵抗層１
０３の上には複数個のエミッタコーン１０６が形成され
ている。この方法においては、くり抜き部のカソード配
線１０２と島状電極１０７との間に、前記抵抗層１０３
とは異なる体積抵抗率ρを有する抵抗層１０３’が形成
されており、該抵抗層１０３’の体積抵抗率ρは、当該
ＦＥＣアレイの形成されている位置あるいは対応する発
光色に応じて所定の値に設定されている。このように構
成することにより、前述した実施形態のようにくり抜き
部の寸法を変更しなくともエミッタコーン１０６とカソ
ード配線１０２との間に挿入する抵抗の抵抗値を設定す
ることができる。
変更することにより、当該抵抗値を変更する方法を示
す。この図において、カソード基板１０１、カソード配
線１０２、島状電極１０７は前述したものと同様のもの
である。そして、該島状電極１０７の上には前述したも
のと同様に抵抗層１０３が形成されており、該抵抗層１
０３の上には複数個のエミッタコーン１０６が形成され
ている。この方法においては、くり抜き部のカソード配
線１０２と島状電極１０７との間に、前記抵抗層１０３
とは異なる体積抵抗率ρを有する抵抗層１０３’が形成
されており、該抵抗層１０３’の体積抵抗率ρは、当該
ＦＥＣアレイの形成されている位置あるいは対応する発
光色に応じて所定の値に設定されている。このように構
成することにより、前述した実施形態のようにくり抜き
部の寸法を変更しなくともエミッタコーン１０６とカソ
ード配線１０２との間に挿入する抵抗の抵抗値を設定す
ることができる。
【００２９】図５の（ｂ）に示す方法は、くり抜き部１
０８および島状電極１０７を形成しない方法である。図
５の（ｂ）において、１０１はカソード基板、１０２は
カソード配線、１０３は抵抗層、１０６はエミッタコー
ンである。この図に示す場合には、くり抜き部および島
状電極が設けられておらず、カソード配線１０２の上に
抵抗層１０３が形成され、該抵抗層１０３の上にエミッ
タコーン１０６が複数個形成されている。そして、該抵
抗層１０３の厚さあるいは抵抗値が、当該ＦＥＣアレイ
の形成されている位置あるいは対応する発光色に応じて
所定の抵抗値となるように設定されているものである。
また、図５の（ｃ）に示すものは、図５の（ｂ）に示し
た方法において、抵抗層１０３を、エミッタコーン１０
６の下部にのみ形成した例である。
０８および島状電極１０７を形成しない方法である。図
５の（ｂ）において、１０１はカソード基板、１０２は
カソード配線、１０３は抵抗層、１０６はエミッタコー
ンである。この図に示す場合には、くり抜き部および島
状電極が設けられておらず、カソード配線１０２の上に
抵抗層１０３が形成され、該抵抗層１０３の上にエミッ
タコーン１０６が複数個形成されている。そして、該抵
抗層１０３の厚さあるいは抵抗値が、当該ＦＥＣアレイ
の形成されている位置あるいは対応する発光色に応じて
所定の抵抗値となるように設定されているものである。
また、図５の（ｃ）に示すものは、図５の（ｂ）に示し
た方法において、抵抗層１０３を、エミッタコーン１０
６の下部にのみ形成した例である。
【００３０】
【発明の効果】エミッタコーンとカソード配線との間に
介在される抵抗層によりエミッタコーンとカソード配線
との間に直列に挿入される抵抗の抵抗値をカソード領域
内の位置に応じた抵抗値とする本発明の電界放出型表示
装置によれば、ＦＥＣのエミッション特性のばらつきを
構造的な手段により低減することができ、発光面内にお
いて均一な表示特性を有する電界放出型表示装置を提供
することができる。
介在される抵抗層によりエミッタコーンとカソード配線
との間に直列に挿入される抵抗の抵抗値をカソード領域
内の位置に応じた抵抗値とする本発明の電界放出型表示
装置によれば、ＦＥＣのエミッション特性のばらつきを
構造的な手段により低減することができ、発光面内にお
いて均一な表示特性を有する電界放出型表示装置を提供
することができる。
【００３１】また、カソード配線の領域内にくり抜き部
を設け、該くり抜き部内に島状電極を設けた島構造カソ
ードの電界放出アレイにおいて、カソード配線と島状電
極との間の距離をカソード領域内の位置に応じて変更さ
せた本発明によれば、カソード配線と島状電極間の寸法
を変更することにより、ＦＥＣのエミッション特性のば
らつきを低減することができ、発光面内において輝度ム
ラのない電界放出型表示装置を提供することができる。
を設け、該くり抜き部内に島状電極を設けた島構造カソ
ードの電界放出アレイにおいて、カソード配線と島状電
極との間の距離をカソード領域内の位置に応じて変更さ
せた本発明によれば、カソード配線と島状電極間の寸法
を変更することにより、ＦＥＣのエミッション特性のば
らつきを低減することができ、発光面内において輝度ム
ラのない電界放出型表示装置を提供することができる。
【００３２】さらに、島構造カソードを有する各電界放
出アレイとアノード蛍光体ドットとが１対１に形成され
ているフルカラー電界放出表示装置において、各電界放
出アレイにおける島状電極とカソード配線との間の距離
を対応する表示色に応じて所定の大きさとする本発明に
よれば、構造的手段によりホワイトバランス補正を行う
ことができ、高品位な発色が可能となる。
出アレイとアノード蛍光体ドットとが１対１に形成され
ているフルカラー電界放出表示装置において、各電界放
出アレイにおける島状電極とカソード配線との間の距離
を対応する表示色に応じて所定の大きさとする本発明に
よれば、構造的手段によりホワイトバランス補正を行う
ことができ、高品位な発色が可能となる。
【図１】本発明の電界放出型表示装置の一実施の形態に
おけるカソード基板の構成を示す図である。
おけるカソード基板の構成を示す図である。
【図２】エミッタコーンとカソード配線との間に挿入さ
れる抵抗を説明するための図である。
れる抵抗を説明するための図である。
【図３】島状電極とカソード配線との間の距離を変化さ
せたときのエミッション特性の一例を示す図である。
せたときのエミッション特性の一例を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態であるフルカラー電界放
出型表示装置におけるカソード基板の構成を示す図であ
る。
出型表示装置におけるカソード基板の構成を示す図であ
る。
【図５】本発明のさらに他の実施形態を説明するための
図である。
図である。
【図６】従来の島構造電極を有するＦＥＣアレイを説明
するための図である。
するための図である。
【図７】従来の電界放出型表示装置におけるカソード基
板の構成を示す図である。
板の構成を示す図である。
１０１ カソード基板 １０２ カソード配線 １０３、１０３’ 抵抗層 １０４ 絶縁層 １０５ ゲート電極 １０６ エミッタコーン １０７ 島状電極 １０８ くり抜き部 １０９ カソード領域
Claims (3)
- 【請求項１】 カソード基板上のカソード領域に、カソ
ード配線と、電子を放出するエミッタコーンと、前記カ
ソード配線と前記エミッタコーンとの間に介在された抵
抗層とを有する電界放出カソードが複数個形成されてい
る電界放出型表示装置において、前記抵抗層により前記
カソード配線と前記エミッタコーンとの間に直列に挿入
される抵抗の抵抗値が前記カソード領域内の位置に応じ
た抵抗値とされていることを特徴とする電界放出型表示
装置。 - 【請求項２】 カソード基板上のカソード領域に形成さ
れたストライプ状のカソード配線と、 該カソード配線の領域内に形成されたくり抜き部と、 該くり抜き部内に形成された島状電極と、 前記カソード配線、前記くり抜き部および前記島状電極
の上に形成された抵抗層と、 前記島状電極に対応する前記抵抗層の上に形成された複
数個のエミッタコーンとからなる電界放出アレイを有す
る電界放出型表示装置において、 前記くり抜き部と前記島状電極との間の距離が、前記カ
ソード領域内の位置に応じて決定されていることを特徴
とする電界放出型表示装置。 - 【請求項３】 カソード基板上のカソード領域に形成さ
れたストライプ状のカソード配線と、 該カソード配線の領域内に形成されたくり抜き部と、 該くり抜き部内に形成された島状電極と、 前記カソード配線、前記くり抜き部および前記島状電極
の上に形成された抵抗層と、 前記島状電極に対応する前記抵抗層の上に形成された複
数個のエミッタコーンとからなる電界放出アレイと、 前記カソード基板に所定間隔をもって対向配置され、そ
の上にストライプ状のアノード電極が形成されたアノー
ド基板と、 前記アノード電極上の前記各電界放出アレイに対応する
位置にドット状に塗布され、それぞれ、光の３原色のい
ずれかの色を発光する蛍光体ドットと、 を有するフルカラー電界放出型表示装置において、 前記各電界放出アレイにおける前記島状電極と前記カソ
ード配線との間の距離が、対応する前記蛍光体ドットの
発光色に応じて所定の距離となされていることを特徴と
する電界放出型表示装置。
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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| US7573187B2 (en) * | 2006-05-18 | 2009-08-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device and electron emission display having the electron emission device |
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