JPH0990419A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 駆動素子としてポリシリコン薄膜トランジス
タを用い駆動回路一体型とされる液晶表示パネルの額縁
領域を縮小し、液晶表示装置の小型化を図り、更には複
数枚の液晶表示パネルを用いてのモジュール化を可能と
し、見開き型或いは大型の液晶表示装置を得る。 【解決手段】 画素電極４７の遮光領域にシリカスペー
サ６６を配置する一方、アクティブマトリクス基板３２
上の、走査線駆動回路５６及び信号線駆動回路５７を含
む画素電極４７周囲を接着領域とし、スペーサを有しな
いシール剤６７にてアクティブマトリクス基板３２及び
対向基板３３を対向接着し、液晶セルを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
に画素電極が形成される同一基板上に駆動回路が形成さ
れる、駆動回路一体型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度且つ大容量でありながら高
機能更には高精細を得る液晶表示装置の実用化が図られ
ている。

【０００３】これ等液晶表示装置のうち、隣接する画素
電極間のクロストークが無く、高コントラスト表示を得
られると共に、透過型表示が可能であり且つ、大面積化
も容易である等の理由から、ＴＦＴを制御装置として備
えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多用され
ている。

【０００４】この、液晶表示装置に用いるアクティブマ
トリクス基板としては従来、駆動素子として、アモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタ（以下ａ−ＳｉＴＦＴと
称する。）を用いたものと、ポリシリコン薄膜トランジ
スタ（以下ｐ−ＳｉＴＦＴと称する。）を用いたものが
開発され製品化されている。

【０００５】このうち、ｐ−ＳｉＴＦＴは、ｐ−ＳｉＴ
ＦＴ中の電子の移動度が高く、ａ−ＳｉＴＦＴに比し、
駆動素子のサイズを小型化出来、画素電極の開口率向上
を図れると共に、その駆動回路がアクティブマトリクス
基板上に一体的に形成されるものである。従って、駆動
用のＩＣ等が不要となり、その実装工程も省略出来、ひ
いては装置の低コスト化を実現出来、更にはアクティブ
マトリクス基板上の表示領域周縁の額縁領域の縮小も可
能となるという事からその開発が促進されている。

【０００６】そしてこの様なｐ−ＳｉＴＦＴを駆動素子
として用いる装置としては、図１２及び図１３に示す第
１の従来例或いは、図１４に示す第２の従来例等が用い
られていた。即ち、第１の従来例にあっては、アクティ
ブマトリクス基板１及び対向基板２をセル化するため、
液晶組成物３が注入される表示領域にあってはセル厚を
制御するプラスッチック製の球状パール４を散布する一
方、駆動回路６上を含む表示領域５外周を、接着領域と
して、球状パール４とほぼ同一径のガラスファイバ７が
混合される熱硬化性のシール剤８を印刷塗布していた。

【０００７】しかしながらこの様な装置にあっては、シ
ール剤８に含まれるガラスファイバ７が堅く、シール剤
８を強く加圧形成すると、ガラスファイバ７により駆動
回路６が破損され不良を生じ、製造時の歩留まりが低下
されるという問題を生じていた。

【０００８】更に図１３に示す様に、アクティブマトリ
クス基板１上にて、駆動回路６が、通常表示領域５外周
の縦、横の各一辺にのみ設けられる事から、表示領域外
周をシール剤８にて囲繞すると、相対向する辺におい
て、駆動回路６が設けられる辺１ａと、これに相対向す
る駆動回路６のない辺１ｂとでは、駆動回路６の高さ分
丈、ガラスファイバ７に規制されるセル厚が異なり、両
基板１、２間の間隙が不均一となり、表示不良を生じる
という問題を有していた。

【０００９】このため、駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス基板において、液晶セル形成時の駆動回路の損
傷を防止すると共に、電極基板間の間隙の均一化を図る
装置として、図１４に示す第２の従来例の様に、アクテ
ィブマトリクス基板１１及び対向基板１２をセル化する
ため、液晶組成物１３が注入される表示領域にあっては
セル厚を制御するプラスッチック製の球状パール１４を
散布する一方、画素電極が配列される表示領域Ａ及びそ
の周囲に形成される駆動回路１６との間に接着領域Ｂを
設けて、この接着領域に球状パール１４とほぼ同一径の
ガラスファイバ１７が混合される熱硬化性のシール剤１
８を印刷塗布する装置が開発されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来、ｐ−ＳｉＴＦＴ
を駆動素子として用いる駆動回路一体型の液晶表示装置
にあっては、セル厚を規制するガラスファイバにより駆
動回路が損傷されたり或いは、駆動回路の有無に応じて
セル厚が不均一とされるのを防止するため、アクティブ
マトリクス基板及び対向基板を接着するシール剤の接着
領域を、アクティブマトリクス基板上の表示領域及び駆
動回路との間に設けていた。

【００１１】このため、アクティブマトリクス基板上に
駆動回路が一体的に形成されているにもかかわらず、表
示領域周囲に駆動回路のための領域に加え接着領域を設
けなければならず、表示領域外周の額縁領域が大きくな
り、ひいてはこれ等を使用した液晶表示装置の小型軽量
化が妨げられると共に、複数枚の液晶表示パネルを近接
配置出来ず、見開き型の液晶表示装置や大型の液晶表示
装置への適用が不能とされるという問題を生じていた。
更に、シール剤に含まれるガラスファイバが堅く、変形
を生じないため、表示領域から駆動回路に達する間の接
着領域に設けられる信号線或いは走査線の引出し線が、
ガラスファイバに加圧されて破損され不良を生じるとい
う惧れも有していた。

【００１２】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、駆動回路一体型の液晶表示装置において、表示領域
外周の額縁領域の縮小を図る事により小型軽量の液晶表
示装置を得ると共に、継目領域の縮小により、複数の液
晶表示パネルを近接配置して得られる大画面表示装置或
いは、複数画面表示装置等にも適用可能とし、更には液
晶セル厚の均一化により良好な表示画質を有する液晶表
示装置を提供する事を目的とする。

【００１３】更に本発明は、セル厚を制御するスペーサ
による駆動回路或いは、信号線や引出し線の破損による
不良品の発生を防止する事により、液晶セル形成時の歩
留まり向上によるコストの低減を可能とする液晶表示装
置を提供する事を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するための第１の手段として、マトリクス状に配列され
る画素電極を有する第１の電極基板と、この第１の電極
基板上にて前記画素電極を駆動する駆動素子と、前記第
１の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動
素子に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記第１
の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動素
子に映像信号を供給する信号線駆動回路と、対向電極を
有し前記第１の電極基板に間隙を隔てて対向配置される
第２の電極基板と、前記第１及び前記第２の電極基板を
前記間隙を囲繞して接着するシール手段とを有する液晶
表示装置において、前記シール手段が、前記間隙の厚さ
を制御する制御手段を含有しておらず、前記シール手段
による接着領域が、少なくとも前記走査線駆動回路及び
前記信号線駆動回路のいずれか一方を含む領域に設けら
れるものである。

【００１５】又本発明は上記課題を解決するための第２
の手段として、第１の手段における制御手段を、シール
手段に囲繞される間隙内に配置するものである。

【００１６】本発明は上記課題を解決するための第３の
手段として、第１の手段における制御装置を、シール手
段に囲繞される間隙内にて遮光領域に選択的に配置する
ものである。

【００１７】又本発明は、上記課題を解決するための第
４の手段として、第１の手段ないし第３の手段のいずれ
かにおいて、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の少な
くとも一方の信号引き出し線を、第１の電極基板の端面
を経由して、前記第１の電極基板の裏面まで延在するも
のである。

【００１８】

【作用】本発明は上記のように構成され、アクティブマ
トリクス基板及び対向基板間に形成される間隙を、間隙
の厚さを制御する制御手段を含有しないシール手段によ
り、駆動回路を含む接着領域にて囲繞して液晶セルを形
成する事により、制御手段により駆動回路の損傷による
歩留まりの低減を生じる事なく表示領域外周の額縁領域
を縮小し、液晶表示装置の小型軽量化を図り、更に継目
領域の縮小により複数の液晶表示装置を近接配置した大
型画面表示装置或いは複数画面表示装置への適用を行う
ものである。

【００１９】又本発明は、シール手段の接着領域におけ
る駆動回路の有無にかかわらずアクティブマトリクス基
板及び対向基板間の間隙を均一化出来、表示画質を向上
するものである。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１乃至図４
を参照して説明する。３０はアクティブマトリクス型の
液晶表示パネルであり、駆動素子としてｐ−ＳｉＴＦＴ
３１を用いる第１の電極基板であるアクティブマトリク
ス基板３２及び第２の電極基板である対向基板３３の間
に、ポリイミドからなる配向膜３４、３６を介して、液
晶組成物であるネマチック型液晶３７が保持されると共
に偏光板５３、５４を有している。

【００２１】ここでアクティブマトリクス基板３２は、
ガラス基板３８上に、ｐ−ＳｉＴＦＴ３１を有するが、
このｐ−ＳｉＴＦＴ３１は次のようにして形成される。

【００２２】即ちガラス基板３８上にＣＶＤ法によりア
モルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと称する。）膜を成
膜した後、このａ−Ｓｉ膜をレーザーアニール法により
多結晶シリコン（以下ｐ−Ｓｉと称する。）膜に焼成
し、更にパターン形成して、１９２０×４８０のマトリ
クス状になるよう、島状に半導体層４０を形成する。

【００２３】次いで半導体層４０にセルフアラインによ
り不純物を注入してソース領域４０ｓ及びドレイン領域
４０ｄとし、この上に第１絶縁層４１を被覆し、更にｐ
−ＳｉＴＦＴ３１に走査信号を印加する走査線（図示せ
ず）及びその一部であり、ゲート電圧を印加するための
ゲート電極４２をパターン形成した後、第２絶縁層４３
を被覆する。

【００２４】但しここでｐ−ＳｉＴＦＴ３１はｎ−ｃｈ
のトランジスタで構成するが、後述する走査線駆動回路
５６及び信号線駆動回路５７がｎ−ｃｈ及びｐ−ｃｈの
ＣＭＯＳ構造である事から、ソース領域４０ｓ及びドレ
イン領域４０ｄ形成のための不純物の注入は、ｎ−ｃｈ
及びｐ−ｃｈとに別けて行った。

【００２５】更にｐ−ＳｉＴＦＴ３１に映像信号を印加
するための信号線４４をパターン形成し第１のコンタク
トホール４６を介してドレイン領域４０ｄに接続する一
方、インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと称する）からな
る画素電極４７をマトリクス状にパターン形成し、第２
のコンタクトホール４８を介してソース領域に接続して
いる。

【００２６】又、アクティブマトリクス基板３２上のマ
トリクス状に配列される画素電極４７に隣接する２辺に
は、走査線の引出し線（図示せず）に接続される走査線
駆動回路５６、及び信号線４４の引出し線（図示せず）
に接続される信号線駆動回路５７が形成されている。

【００２７】一方、対向基板３３は、ガラス基板６０上
にクロム（Ｃｒ）等の遮光部材を成膜し、アクティブマ
トリクス基板３２上のｐ−ＳｉＴＦＴ３１と対向するよ
うマトリクス状にパターン形成し、遮光層６１を形成し
た後、スパッタ法によりＩＴＯからなる対向電極６２を
全面に形成する。

【００２８】続いて、アクティブマトリクス基板３２及
び対向基板３３の画素電極４７側及び対向電極６２側全
面にポリイミドからなる配向膜６３、６４を印刷塗布
し、ラビング処理を行う。

【００２９】そして対向基板３３にあっては、光硬化性
インクと共に、制御手段であり１０％変形時の圧縮弾性
率が７５００Ｋｇ／ｍｍ² であるシリカスペーサ６６
を、高精度の印刷が可能なフレクシャー印刷方式によ
り、開口部を除く遮光領域である遮光層６１上方に選択
的に配置した後、図４に示す様にシリカスペーサ６６側
より紫外線を照射し、配向膜６４上にシリカスペーサ６
６を固着させる。

【００３０】一方、アクティブマトリクス基板３２にあ
っては、液晶注入口を除き走査線駆動回路５６、信号線
駆動回路５７上を含む画素電極４７周囲の接着領域にデ
ィスペンサを用いて紫外線硬化型のシール剤６７を印刷
塗布した後、アクティブマトリクス基板３２に対向基板
３３を重ねて位置合わせをし、両基板３２、３３間の間
隙が均一となるように加圧した後、紫外線を照射してシ
ール剤６７を硬化し液晶セルを形成する。

【００３１】次いで、液晶注入口より液晶セルの間隙に
ネマチック型液晶３７を注入し液晶注入口を封止する。
更に両基板３２、３３に偏光板７０、７１を取着して液
晶表示パネル３０とする。

【００３２】尚、この様に形成された液晶表示パネル３
０を用いて液晶表示装置を形成したところ、その小型軽
量化が実現された。

【００３３】この様に構成すれば、接着領域を画素電極
４７に近接される駆動回路５６、５７上に設ける事によ
り、アクティブマトリクス基板３２の画素電極４７周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化により携帯情報端末装置等への適用を実現出
来る一方、複数枚の液晶表示パネルを近接配置した場合
もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶表示装置等への適
用も実現出来る。

【００３４】又、画素電極４７周囲の接着領域の駆動回
路５６、５７の有無にかかわらず、接着領域全面に渡り
セル厚を均一に出来る事から、均一で良好な表示画質を
得ることが出来る。

【００３５】更に、液晶表示パネル３０の液晶セル形成
時、シール剤６７中にシリカスペース６６等の制御手段
が含まれない事から、画素電極４７に隣接される各駆動
回路５６、５７上をシール剤６７の接着領域としても、
従来の様に駆動回路５６、５７がスペーサに押圧されて
損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが向
上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル３０を用いた
液晶表示装置の低価格化が図られる。

【００３６】しかもシリカスペーサ６６が、画素電極４
７の開口部には配置されず、遮光層６１上に選択的に配
置されており、シリカスペーサ６６周辺での配向乱れ
や、シリカスペーサ６６自身による光抜けにより表示特
性が劣化される事無く、良好な表示画質を得られる。

【００３７】次に本発明の第２の実施例を図５を用いて
説明する。本実施例は、第１の実施例による液晶表示パ
ネル３０を複数枚用いてモジュール化し、見開き型の液
晶表示装置としたものである。

【００３８】即ち、第１の実施例における、液晶表示パ
ネル３０を２枚繋いだ見開き型の液晶表示装置７３であ
り、走査線駆動回路７３ａ、７３ｂ及び信号線駆動回路
７４ａ、７４ｂへの入出力線７５ａ、７５ｂを第１及び
第２の液晶表示パネル３０ａ、３０ｂの上方向に設けて
いる。

【００３９】これにより両液晶表示パネル３０ａ、３０
ｂ間の繋ぎ目７２には、第１の液晶表示パネル３０ａの
接着領域及び第２の液晶表示パネル３０ｂの走査線駆動
回路７３ｂと重なる接着領域が介在されるのみであり、
実際には、各液晶表示パネル３０ａ、３０ｂの接着領域
を例えば０．８ｍｍとすると、各液晶表示パネル３０
ａ、３０ｂ周辺をシリコン部材にて接続形成したとして
も、その繋ぎ目７２の幅は３ｍｍ程度と極端に狭小に形
成出来る。

【００４０】次に本発明の第３の実施例を図６及び図７
を用いて説明する。本実施例は、第１の実施例による液
晶表示パネル３０を複数枚用いてモジュール化し、大型
の液晶表示装置としたものである。

【００４１】即ち、第１の実施例における液晶表示パネ
ル３０を４枚繋いだ大型の液晶表示装置７６であり、走
査線駆動回路７７ａ〜７７ｄ及び信号線駆動回路７８ａ
〜７８ｄへの入出力線８０ａ〜８０ｄを、ポリマー型銅
ペーストからなる導電パターンもしくは銀もしくは銀−
パラジウムなどの貴金属ペーストからなる導電パターン
で形成し、各液晶表示パネル３０ｃ〜３０ｆの端面を経
て、裏面まで延長配線し、入出力装置との接続を裏面に
て行うものである。この時、基板端面配線部の上には各
種損傷から守るという観点で保護膜を形成する事が望ま
しい事はいうまでもない。

【００４２】これにより各液晶表示パネル３０ｃ〜３０
ｆ間の繋ぎ目８１ａ〜８１ｄは、接着領域に加えて０．
５ｍｍ程度の極めて薄い入出力線８０ｃ、８０ｄ、８２
ｃ、８２ｄが介在されるのみであり、狭小に形成出来
る。

【００４３】この様に構成すれば、複数枚の液晶表示パ
ネル３０による各種大型の表示装置７３、７６の繋ぎ目
７２、８１ａ〜８１ｄを狭小に形成出来、画面表示時、
繋ぎ目が邪魔になる事無く、表示画質を向上出来る。

【００４４】もちろん、第２の実施例及び第３の実施例
の様な２枚及び４枚の構成に限っては、例えば第２の実
施例の様に２枚の構成の場合は図８に示す変形例１の様
にそれぞれの入出力接続部７３ａ´、７３ｂ´、７４ａ
´、７４ｂ´を液晶表示パネル３０ａ´、３０ｂ´の左
右及び上下に配置したり、４枚構成の場合も図９に示す
変形例２の様に各４枚の接触する面以外で接続を行うよ
うに、入出力接続部７７ａ´〜７７ｄ´、７８ａ´〜７
８ｂ´を液晶表示パネル３０ｃ´、３０ｄ´、３０ｅ´
３０ｅ´、３０ｆ´の左右上下に配置する様に形成する
事ができる。

【００４５】しかしながら、上記の実施例で説明した構
成は５枚以上の場合は必ず必要と成る。

【００４６】但し、変形例１及び変形例２の場合には、
例えば変形例１において左右の液晶表示パネル３０ａ
´、３０ｂ´は同一のものは用いる事ができない為、駆
動回路部の配置位置の異なる２種類のパネルを作る必要
があるから生産性向上及びコストの低減等を図れず望ま
しく無い。

【００４７】次に本発明の第４の実施例を図１０及び図
１１を参照して説明する。尚本実施例は第１の実施例に
おける液晶表示パネル３０の形成工程において、配向膜
６４上にシリカスペーサを固着させる工程が異なるもの
の、他は第１の実施例と同一である事から、同一領域に
ついては同一符号を伏し、その説明を省略する。

【００４８】即ちこの第４の実施例は、対向基板３３上
にて配向膜６４をラビング処理した後、光硬化性及び熱
可塑性の両方の特性を有するエポキシ樹脂にて表面加工
され、１０％変型時の圧縮弾性率が７５００Ｋｇ／ｍｍ
² であるシリカスペーサ８３を、配向膜６４上に一様に
静電散布した後、図１１に示す様にガラス基板６０側か
らシリカスペーサ８３に、紫外線を照射する。これによ
り配向膜６４上のシリカスペーサ８３のうち遮光層６１
上に散布されたシリカスペーサ８３ａは紫外線を照射さ
れないが、開口部に散布されたシリカスペーサ８３ｂは
紫外線を照射され、表面のエポキシ樹脂が軟化される。

【００４９】次にシリカスペーサ８３を１８０℃に加熱
すると紫外線照射を受けていない遮光層６１上のシリカ
スペーサ８３ａ表面のエポキシ樹脂は、熱硬化され配向
膜６４上に固着されるものの、紫外線照射を受けた開口
部のシリカスペーサ８３ｂ表面のエポキシ樹脂は熱硬化
が成されず、配向膜６４上に固着されない。

【００５０】従ってこの加熱後、窒素ガンによる気流照
射或いは、ジェット水流照射をする事により開口部上の
シリカスペーサ８３ｂを除去し、遮光層６１上にシリカ
スペーサ８３ａが選択的に配置される対向基板３３に、
シール剤６７が印刷塗布されるアクティブマトリクス基
板３２を重ね合わせて、シール剤６７を熱硬化して液晶
セルを形成し、液晶注入口より液晶セルの間隙にネマチ
ック型液晶３７を注入し液晶注入口を封止して、更に両
基板３２、３３に偏光板７０、７１を取着して液晶表示
パネル８４としたものである。

【００５１】この様に構成すれば、第１の実施例と同
様、アクティブマトリクス基板３２の画素電極４７周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化を実現出来更には複数枚の液晶表示パネルを
近接配置した場合もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶
表示装置等を実現出来る。又、セル厚を均一に出来る事
から、良好な表示画質を得ることが出来る。

【００５２】更に、駆動回路５６がスペーサに押圧され
て損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが
向上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル８４を用い
た液晶表示装置の低価格化が図られる。

【００５３】又、シリカスペーサ６６が、遮光層６１上
に選択的に配置されるのみであり、シリカスペーサ６６
周辺での配光乱れや、シリカスペーサ６６自身による光
抜けが表示部に影響する事無く、良好な表示画質を得ら
れる。

【００５４】尚本発明は上記実施例に限られるものでな
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えばスイッチング素子の材質や構造等限定されない
し、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の配置も任意で
あり、同一辺に一体的に設ける等しても良い。

【００５５】又シール手段や制御手段の材質も任意であ
り、制御手段もシリカスペーサでは無くプラスチックス
ペーサを用いる等しても良い。但し、プラスチックスペ
ーサにあっては、１０％変型時の圧縮弾性率が３７４Ｋ
ｇ／ｍｍ² と、シリカスペーサに比し１／１０以下と低
い事から、シリカスペーサの方が、電極基板間の間隙の
制御性に優れ、間隙をより均一となるよう制御出来ると
共に、同程度の間隙制御性を得るにはプラスチックスペ
ーサに比し、単位面積当りのスペーサ密度を低減出来、
スペーサ周囲に生じる配向乱れや光抜け等の画質の劣化
要件も低減でき、良好な画質を得る事からも、シリカス
ペーサの方が優れている。。更に、夫々のスペーサの粒
径の標準偏差値が、例えば徳山曹達製の平均粒径５μｍ
のものにあっては、シリカスペーサが±０．０５μｍで
あるのに対し、プラスチックスペーサが±０．３μｍと
大きく、プラスチックスペーサの場合、電極基板間の間
隙にむらを生じ易い事からもシリカスペーサの方が好ま
しいとされる。

【００５６】尚シリカスペーサ或いはプラスチックスペ
ーサに限らず、スペーサの圧縮弾性率を向上するには顔
料を含芯させれば良く、例えば、積水ファインケミカル
社製の黒のプラスチックスペーサにあっては、１０％変
型時の圧縮弾性率が３７４Ｋｇ／ｍｍ² 程度であったも
のが、顔料を含芯させる事により４３０〜４５０Ｋｇ〜
ｍｍ² と向上される。

【００５７】もちろんスペーサとしては、環状オレフィ
ン樹脂、ポリイミド等の高弾性率の感光性樹脂によりス
ペーサ柱を形成しても良い事はいうまでも無い。

【００５８】更に液晶組成物もツイストネマチック型の
液晶に限定されず高分子分散型液晶等任意である。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ｐ
−ＳｉＴＦＴを用いた駆動回路一体型の液晶表示パネル
を、駆動回路を損傷する事無く、電極基板間の間隙を一
定に保持出来ると共に、額縁領域の縮小を図れる事か
ら、液晶表示装置の小型軽量化を実現出来、携帯情報端
末等の小型の装置に適用出来、更には複数枚の液晶表示
パネルを繋ぎ合わせた見開き型の液晶表示装置や、大型
の液晶表示装置への適用も可能となる。しかも液晶セル
形成時の歩留まり向上により装置の低価格化も図られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示パネルを示す
一部断面図である。

【図２】本発明のｐ−ＳｉＴＦＴを示す概略断面図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施例のアクティブマトリクス
基板上のシール剤の塗布位置を示す概略説明図である。

【図４】本発明の第１の実施例のシリカスペーサを固定
する工程を示す説明図である。

【図５】本発明の第２の実施例の液晶表示モジュールを
示す概略斜視図である。

【図６】本発明の第３の実施例の液晶表示モジュールを
示す平面図である。

【図７】本発明の第３の実施例の液晶表示モジュールを
示し（ａ）は図６のＡ−Ａ´線から見た概略拡大断面図
であり、（ｂ）は図６のＢ−Ｂ´線から見た概略拡大断
面図である。

【図８】本発明の変形例１の液晶表示モジュールを示す
概略斜視図である。

【図９】本発明の変形例２の液晶表示モジュールを示す
平面図である。

【図１０】本発明の第４の実施例の液晶表示パネルを示
す概略断面図である。

【図１１】本発明の第４の実施例のシリカスペーサを固
定する工程の一部を示す説明図である。

【図１２】第１の従来例のアクティブマトリクス基板上
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。

【図１３】第１の従来例のを示す概略断面図である。

【図１４】第２の従来例のアクティブマトリクス基板上
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。

【符号の説明】

３０…液晶表示パネル ３１…ｐ−ＳｉＴＦＴ ３２…アクティブマトリクス基板 ３３…対向基板 ４７…画素電極 ５６…走査線駆動回路 ５７…信号線駆動回路 ６６…シリカスペーサ ６７…シール剤

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配列される画素電極を有
   する第１の電極基板と、 この第１の電極基板上にて前記画素電極を駆動する駆動
   素子と、 前記第１の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前
   記駆動素子に走査信号を供給する走査線駆動回路と、 前記第１の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前
   記駆動素子に映像信号を供給する信号線駆動回路と、 対向電極を有し前記第１の電極基板に間隙を隔てて対向
   配置される第２の電極基板と、 前記第１及び前記第２の電極基板を前記間隙を囲繞して
   接着するシール手段とを有する液晶表示装置において、 前記シール手段が、前記間隙の厚さを制御する制御手段
   を含有しておらず、前記シール手段による接着領域が、
   少なくとも前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路
   のいずれか一方を含む事を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 制御手段が、シール手段に囲繞される間
   隙内に配置される事を特徴とする請求項１に記載の液晶
   表示装置。
3. 【請求項３】 制御手段が、シール手段に囲繞される間
   隙内にて遮光領域に選択的に配置される事を特徴とする
   請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】走査線駆動回路及び信号線駆動回路の少な
   くとも一方の信号引き出し線を、第１の電極基板の端面
   を経由して、前記第１の電極基板の裏面まで延在する事
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
   の液晶表示装置。