JPH0990419A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0990419A JPH0990419A JP24910295A JP24910295A JPH0990419A JP H0990419 A JPH0990419 A JP H0990419A JP 24910295 A JP24910295 A JP 24910295A JP 24910295 A JP24910295 A JP 24910295A JP H0990419 A JPH0990419 A JP H0990419A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動素子としてポリシリコン薄膜トランジス
タを用い駆動回路一体型とされる液晶表示パネルの額縁
領域を縮小し、液晶表示装置の小型化を図り、更には複
数枚の液晶表示パネルを用いてのモジュール化を可能と
し、見開き型或いは大型の液晶表示装置を得る。 【解決手段】 画素電極47の遮光領域にシリカスペー
サ66を配置する一方、アクティブマトリクス基板32
上の、走査線駆動回路56及び信号線駆動回路57を含
む画素電極47周囲を接着領域とし、スペーサを有しな
いシール剤67にてアクティブマトリクス基板32及び
対向基板33を対向接着し、液晶セルを形成する。
タを用い駆動回路一体型とされる液晶表示パネルの額縁
領域を縮小し、液晶表示装置の小型化を図り、更には複
数枚の液晶表示パネルを用いてのモジュール化を可能と
し、見開き型或いは大型の液晶表示装置を得る。 【解決手段】 画素電極47の遮光領域にシリカスペー
サ66を配置する一方、アクティブマトリクス基板32
上の、走査線駆動回路56及び信号線駆動回路57を含
む画素電極47周囲を接着領域とし、スペーサを有しな
いシール剤67にてアクティブマトリクス基板32及び
対向基板33を対向接着し、液晶セルを形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
に画素電極が形成される同一基板上に駆動回路が形成さ
れる、駆動回路一体型の液晶表示装置に関する。
に画素電極が形成される同一基板上に駆動回路が形成さ
れる、駆動回路一体型の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度且つ大容量でありながら高
機能更には高精細を得る液晶表示装置の実用化が図られ
ている。
機能更には高精細を得る液晶表示装置の実用化が図られ
ている。
【0003】これ等液晶表示装置のうち、隣接する画素
電極間のクロストークが無く、高コントラスト表示を得
られると共に、透過型表示が可能であり且つ、大面積化
も容易である等の理由から、TFTを制御装置として備
えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多用され
ている。
電極間のクロストークが無く、高コントラスト表示を得
られると共に、透過型表示が可能であり且つ、大面積化
も容易である等の理由から、TFTを制御装置として備
えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多用され
ている。
【0004】この、液晶表示装置に用いるアクティブマ
トリクス基板としては従来、駆動素子として、アモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタ(以下a−SiTFTと
称する。)を用いたものと、ポリシリコン薄膜トランジ
スタ(以下p−SiTFTと称する。)を用いたものが
開発され製品化されている。
トリクス基板としては従来、駆動素子として、アモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタ(以下a−SiTFTと
称する。)を用いたものと、ポリシリコン薄膜トランジ
スタ(以下p−SiTFTと称する。)を用いたものが
開発され製品化されている。
【0005】このうち、p−SiTFTは、p−SiT
FT中の電子の移動度が高く、a−SiTFTに比し、
駆動素子のサイズを小型化出来、画素電極の開口率向上
を図れると共に、その駆動回路がアクティブマトリクス
基板上に一体的に形成されるものである。従って、駆動
用のIC等が不要となり、その実装工程も省略出来、ひ
いては装置の低コスト化を実現出来、更にはアクティブ
マトリクス基板上の表示領域周縁の額縁領域の縮小も可
能となるという事からその開発が促進されている。
FT中の電子の移動度が高く、a−SiTFTに比し、
駆動素子のサイズを小型化出来、画素電極の開口率向上
を図れると共に、その駆動回路がアクティブマトリクス
基板上に一体的に形成されるものである。従って、駆動
用のIC等が不要となり、その実装工程も省略出来、ひ
いては装置の低コスト化を実現出来、更にはアクティブ
マトリクス基板上の表示領域周縁の額縁領域の縮小も可
能となるという事からその開発が促進されている。
【0006】そしてこの様なp−SiTFTを駆動素子
として用いる装置としては、図12及び図13に示す第
1の従来例或いは、図14に示す第2の従来例等が用い
られていた。即ち、第1の従来例にあっては、アクティ
ブマトリクス基板1及び対向基板2をセル化するため、
液晶組成物3が注入される表示領域にあってはセル厚を
制御するプラスッチック製の球状パール4を散布する一
方、駆動回路6上を含む表示領域5外周を、接着領域と
して、球状パール4とほぼ同一径のガラスファイバ7が
混合される熱硬化性のシール剤8を印刷塗布していた。
として用いる装置としては、図12及び図13に示す第
1の従来例或いは、図14に示す第2の従来例等が用い
られていた。即ち、第1の従来例にあっては、アクティ
ブマトリクス基板1及び対向基板2をセル化するため、
液晶組成物3が注入される表示領域にあってはセル厚を
制御するプラスッチック製の球状パール4を散布する一
方、駆動回路6上を含む表示領域5外周を、接着領域と
して、球状パール4とほぼ同一径のガラスファイバ7が
混合される熱硬化性のシール剤8を印刷塗布していた。
【0007】しかしながらこの様な装置にあっては、シ
ール剤8に含まれるガラスファイバ7が堅く、シール剤
8を強く加圧形成すると、ガラスファイバ7により駆動
回路6が破損され不良を生じ、製造時の歩留まりが低下
されるという問題を生じていた。
ール剤8に含まれるガラスファイバ7が堅く、シール剤
8を強く加圧形成すると、ガラスファイバ7により駆動
回路6が破損され不良を生じ、製造時の歩留まりが低下
されるという問題を生じていた。
【0008】更に図13に示す様に、アクティブマトリ
クス基板1上にて、駆動回路6が、通常表示領域5外周
の縦、横の各一辺にのみ設けられる事から、表示領域外
周をシール剤8にて囲繞すると、相対向する辺におい
て、駆動回路6が設けられる辺1aと、これに相対向す
る駆動回路6のない辺1bとでは、駆動回路6の高さ分
丈、ガラスファイバ7に規制されるセル厚が異なり、両
基板1、2間の間隙が不均一となり、表示不良を生じる
という問題を有していた。
クス基板1上にて、駆動回路6が、通常表示領域5外周
の縦、横の各一辺にのみ設けられる事から、表示領域外
周をシール剤8にて囲繞すると、相対向する辺におい
て、駆動回路6が設けられる辺1aと、これに相対向す
る駆動回路6のない辺1bとでは、駆動回路6の高さ分
丈、ガラスファイバ7に規制されるセル厚が異なり、両
基板1、2間の間隙が不均一となり、表示不良を生じる
という問題を有していた。
【0009】このため、駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス基板において、液晶セル形成時の駆動回路の損
傷を防止すると共に、電極基板間の間隙の均一化を図る
装置として、図14に示す第2の従来例の様に、アクテ
ィブマトリクス基板11及び対向基板12をセル化する
ため、液晶組成物13が注入される表示領域にあっては
セル厚を制御するプラスッチック製の球状パール14を
散布する一方、画素電極が配列される表示領域A及びそ
の周囲に形成される駆動回路16との間に接着領域Bを
設けて、この接着領域に球状パール14とほぼ同一径の
ガラスファイバ17が混合される熱硬化性のシール剤1
8を印刷塗布する装置が開発されている。
トリクス基板において、液晶セル形成時の駆動回路の損
傷を防止すると共に、電極基板間の間隙の均一化を図る
装置として、図14に示す第2の従来例の様に、アクテ
ィブマトリクス基板11及び対向基板12をセル化する
ため、液晶組成物13が注入される表示領域にあっては
セル厚を制御するプラスッチック製の球状パール14を
散布する一方、画素電極が配列される表示領域A及びそ
の周囲に形成される駆動回路16との間に接着領域Bを
設けて、この接着領域に球状パール14とほぼ同一径の
ガラスファイバ17が混合される熱硬化性のシール剤1
8を印刷塗布する装置が開発されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来、p−SiTFT
を駆動素子として用いる駆動回路一体型の液晶表示装置
にあっては、セル厚を規制するガラスファイバにより駆
動回路が損傷されたり或いは、駆動回路の有無に応じて
セル厚が不均一とされるのを防止するため、アクティブ
マトリクス基板及び対向基板を接着するシール剤の接着
領域を、アクティブマトリクス基板上の表示領域及び駆
動回路との間に設けていた。
を駆動素子として用いる駆動回路一体型の液晶表示装置
にあっては、セル厚を規制するガラスファイバにより駆
動回路が損傷されたり或いは、駆動回路の有無に応じて
セル厚が不均一とされるのを防止するため、アクティブ
マトリクス基板及び対向基板を接着するシール剤の接着
領域を、アクティブマトリクス基板上の表示領域及び駆
動回路との間に設けていた。
【0011】このため、アクティブマトリクス基板上に
駆動回路が一体的に形成されているにもかかわらず、表
示領域周囲に駆動回路のための領域に加え接着領域を設
けなければならず、表示領域外周の額縁領域が大きくな
り、ひいてはこれ等を使用した液晶表示装置の小型軽量
化が妨げられると共に、複数枚の液晶表示パネルを近接
配置出来ず、見開き型の液晶表示装置や大型の液晶表示
装置への適用が不能とされるという問題を生じていた。
更に、シール剤に含まれるガラスファイバが堅く、変形
を生じないため、表示領域から駆動回路に達する間の接
着領域に設けられる信号線或いは走査線の引出し線が、
ガラスファイバに加圧されて破損され不良を生じるとい
う惧れも有していた。
駆動回路が一体的に形成されているにもかかわらず、表
示領域周囲に駆動回路のための領域に加え接着領域を設
けなければならず、表示領域外周の額縁領域が大きくな
り、ひいてはこれ等を使用した液晶表示装置の小型軽量
化が妨げられると共に、複数枚の液晶表示パネルを近接
配置出来ず、見開き型の液晶表示装置や大型の液晶表示
装置への適用が不能とされるという問題を生じていた。
更に、シール剤に含まれるガラスファイバが堅く、変形
を生じないため、表示領域から駆動回路に達する間の接
着領域に設けられる信号線或いは走査線の引出し線が、
ガラスファイバに加圧されて破損され不良を生じるとい
う惧れも有していた。
【0012】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、駆動回路一体型の液晶表示装置において、表示領域
外周の額縁領域の縮小を図る事により小型軽量の液晶表
示装置を得ると共に、継目領域の縮小により、複数の液
晶表示パネルを近接配置して得られる大画面表示装置或
いは、複数画面表示装置等にも適用可能とし、更には液
晶セル厚の均一化により良好な表示画質を有する液晶表
示装置を提供する事を目的とする。
で、駆動回路一体型の液晶表示装置において、表示領域
外周の額縁領域の縮小を図る事により小型軽量の液晶表
示装置を得ると共に、継目領域の縮小により、複数の液
晶表示パネルを近接配置して得られる大画面表示装置或
いは、複数画面表示装置等にも適用可能とし、更には液
晶セル厚の均一化により良好な表示画質を有する液晶表
示装置を提供する事を目的とする。
【0013】更に本発明は、セル厚を制御するスペーサ
による駆動回路或いは、信号線や引出し線の破損による
不良品の発生を防止する事により、液晶セル形成時の歩
留まり向上によるコストの低減を可能とする液晶表示装
置を提供する事を目的とする。
による駆動回路或いは、信号線や引出し線の破損による
不良品の発生を防止する事により、液晶セル形成時の歩
留まり向上によるコストの低減を可能とする液晶表示装
置を提供する事を目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するための第1の手段として、マトリクス状に配列され
る画素電極を有する第1の電極基板と、この第1の電極
基板上にて前記画素電極を駆動する駆動素子と、前記第
1の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動
素子に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記第1
の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動素
子に映像信号を供給する信号線駆動回路と、対向電極を
有し前記第1の電極基板に間隙を隔てて対向配置される
第2の電極基板と、前記第1及び前記第2の電極基板を
前記間隙を囲繞して接着するシール手段とを有する液晶
表示装置において、前記シール手段が、前記間隙の厚さ
を制御する制御手段を含有しておらず、前記シール手段
による接着領域が、少なくとも前記走査線駆動回路及び
前記信号線駆動回路のいずれか一方を含む領域に設けら
れるものである。
するための第1の手段として、マトリクス状に配列され
る画素電極を有する第1の電極基板と、この第1の電極
基板上にて前記画素電極を駆動する駆動素子と、前記第
1の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動
素子に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記第1
の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前記駆動素
子に映像信号を供給する信号線駆動回路と、対向電極を
有し前記第1の電極基板に間隙を隔てて対向配置される
第2の電極基板と、前記第1及び前記第2の電極基板を
前記間隙を囲繞して接着するシール手段とを有する液晶
表示装置において、前記シール手段が、前記間隙の厚さ
を制御する制御手段を含有しておらず、前記シール手段
による接着領域が、少なくとも前記走査線駆動回路及び
前記信号線駆動回路のいずれか一方を含む領域に設けら
れるものである。
【0015】又本発明は上記課題を解決するための第2
の手段として、第1の手段における制御手段を、シール
手段に囲繞される間隙内に配置するものである。
の手段として、第1の手段における制御手段を、シール
手段に囲繞される間隙内に配置するものである。
【0016】本発明は上記課題を解決するための第3の
手段として、第1の手段における制御装置を、シール手
段に囲繞される間隙内にて遮光領域に選択的に配置する
ものである。
手段として、第1の手段における制御装置を、シール手
段に囲繞される間隙内にて遮光領域に選択的に配置する
ものである。
【0017】又本発明は、上記課題を解決するための第
4の手段として、第1の手段ないし第3の手段のいずれ
かにおいて、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の少な
くとも一方の信号引き出し線を、第1の電極基板の端面
を経由して、前記第1の電極基板の裏面まで延在するも
のである。
4の手段として、第1の手段ないし第3の手段のいずれ
かにおいて、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の少な
くとも一方の信号引き出し線を、第1の電極基板の端面
を経由して、前記第1の電極基板の裏面まで延在するも
のである。
【0018】
【作用】本発明は上記のように構成され、アクティブマ
トリクス基板及び対向基板間に形成される間隙を、間隙
の厚さを制御する制御手段を含有しないシール手段によ
り、駆動回路を含む接着領域にて囲繞して液晶セルを形
成する事により、制御手段により駆動回路の損傷による
歩留まりの低減を生じる事なく表示領域外周の額縁領域
を縮小し、液晶表示装置の小型軽量化を図り、更に継目
領域の縮小により複数の液晶表示装置を近接配置した大
型画面表示装置或いは複数画面表示装置への適用を行う
ものである。
トリクス基板及び対向基板間に形成される間隙を、間隙
の厚さを制御する制御手段を含有しないシール手段によ
り、駆動回路を含む接着領域にて囲繞して液晶セルを形
成する事により、制御手段により駆動回路の損傷による
歩留まりの低減を生じる事なく表示領域外周の額縁領域
を縮小し、液晶表示装置の小型軽量化を図り、更に継目
領域の縮小により複数の液晶表示装置を近接配置した大
型画面表示装置或いは複数画面表示装置への適用を行う
ものである。
【0019】又本発明は、シール手段の接着領域におけ
る駆動回路の有無にかかわらずアクティブマトリクス基
板及び対向基板間の間隙を均一化出来、表示画質を向上
するものである。
る駆動回路の有無にかかわらずアクティブマトリクス基
板及び対向基板間の間隙を均一化出来、表示画質を向上
するものである。
【0020】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図1乃至図4
を参照して説明する。30はアクティブマトリクス型の
液晶表示パネルであり、駆動素子としてp−SiTFT
31を用いる第1の電極基板であるアクティブマトリク
ス基板32及び第2の電極基板である対向基板33の間
に、ポリイミドからなる配向膜34、36を介して、液
晶組成物であるネマチック型液晶37が保持されると共
に偏光板53、54を有している。
を参照して説明する。30はアクティブマトリクス型の
液晶表示パネルであり、駆動素子としてp−SiTFT
31を用いる第1の電極基板であるアクティブマトリク
ス基板32及び第2の電極基板である対向基板33の間
に、ポリイミドからなる配向膜34、36を介して、液
晶組成物であるネマチック型液晶37が保持されると共
に偏光板53、54を有している。
【0021】ここでアクティブマトリクス基板32は、
ガラス基板38上に、p−SiTFT31を有するが、
このp−SiTFT31は次のようにして形成される。
ガラス基板38上に、p−SiTFT31を有するが、
このp−SiTFT31は次のようにして形成される。
【0022】即ちガラス基板38上にCVD法によりア
モルファスシリコン(以下a−Siと称する。)膜を成
膜した後、このa−Si膜をレーザーアニール法により
多結晶シリコン(以下p−Siと称する。)膜に焼成
し、更にパターン形成して、1920×480のマトリ
クス状になるよう、島状に半導体層40を形成する。
モルファスシリコン(以下a−Siと称する。)膜を成
膜した後、このa−Si膜をレーザーアニール法により
多結晶シリコン(以下p−Siと称する。)膜に焼成
し、更にパターン形成して、1920×480のマトリ
クス状になるよう、島状に半導体層40を形成する。
【0023】次いで半導体層40にセルフアラインによ
り不純物を注入してソース領域40s及びドレイン領域
40dとし、この上に第1絶縁層41を被覆し、更にp
−SiTFT31に走査信号を印加する走査線(図示せ
ず)及びその一部であり、ゲート電圧を印加するための
ゲート電極42をパターン形成した後、第2絶縁層43
を被覆する。
り不純物を注入してソース領域40s及びドレイン領域
40dとし、この上に第1絶縁層41を被覆し、更にp
−SiTFT31に走査信号を印加する走査線(図示せ
ず)及びその一部であり、ゲート電圧を印加するための
ゲート電極42をパターン形成した後、第2絶縁層43
を被覆する。
【0024】但しここでp−SiTFT31はn−ch
のトランジスタで構成するが、後述する走査線駆動回路
56及び信号線駆動回路57がn−ch及びp−chの
CMOS構造である事から、ソース領域40s及びドレ
イン領域40d形成のための不純物の注入は、n−ch
及びp−chとに別けて行った。
のトランジスタで構成するが、後述する走査線駆動回路
56及び信号線駆動回路57がn−ch及びp−chの
CMOS構造である事から、ソース領域40s及びドレ
イン領域40d形成のための不純物の注入は、n−ch
及びp−chとに別けて行った。
【0025】更にp−SiTFT31に映像信号を印加
するための信号線44をパターン形成し第1のコンタク
トホール46を介してドレイン領域40dに接続する一
方、インジウム錫酸化物(以下ITOと称する)からな
る画素電極47をマトリクス状にパターン形成し、第2
のコンタクトホール48を介してソース領域に接続して
いる。
するための信号線44をパターン形成し第1のコンタク
トホール46を介してドレイン領域40dに接続する一
方、インジウム錫酸化物(以下ITOと称する)からな
る画素電極47をマトリクス状にパターン形成し、第2
のコンタクトホール48を介してソース領域に接続して
いる。
【0026】又、アクティブマトリクス基板32上のマ
トリクス状に配列される画素電極47に隣接する2辺に
は、走査線の引出し線(図示せず)に接続される走査線
駆動回路56、及び信号線44の引出し線(図示せず)
に接続される信号線駆動回路57が形成されている。
トリクス状に配列される画素電極47に隣接する2辺に
は、走査線の引出し線(図示せず)に接続される走査線
駆動回路56、及び信号線44の引出し線(図示せず)
に接続される信号線駆動回路57が形成されている。
【0027】一方、対向基板33は、ガラス基板60上
にクロム(Cr)等の遮光部材を成膜し、アクティブマ
トリクス基板32上のp−SiTFT31と対向するよ
うマトリクス状にパターン形成し、遮光層61を形成し
た後、スパッタ法によりITOからなる対向電極62を
全面に形成する。
にクロム(Cr)等の遮光部材を成膜し、アクティブマ
トリクス基板32上のp−SiTFT31と対向するよ
うマトリクス状にパターン形成し、遮光層61を形成し
た後、スパッタ法によりITOからなる対向電極62を
全面に形成する。
【0028】続いて、アクティブマトリクス基板32及
び対向基板33の画素電極47側及び対向電極62側全
面にポリイミドからなる配向膜63、64を印刷塗布
し、ラビング処理を行う。
び対向基板33の画素電極47側及び対向電極62側全
面にポリイミドからなる配向膜63、64を印刷塗布
し、ラビング処理を行う。
【0029】そして対向基板33にあっては、光硬化性
インクと共に、制御手段であり10%変形時の圧縮弾性
率が7500Kg/mm2 であるシリカスペーサ66
を、高精度の印刷が可能なフレクシャー印刷方式によ
り、開口部を除く遮光領域である遮光層61上方に選択
的に配置した後、図4に示す様にシリカスペーサ66側
より紫外線を照射し、配向膜64上にシリカスペーサ6
6を固着させる。
インクと共に、制御手段であり10%変形時の圧縮弾性
率が7500Kg/mm2 であるシリカスペーサ66
を、高精度の印刷が可能なフレクシャー印刷方式によ
り、開口部を除く遮光領域である遮光層61上方に選択
的に配置した後、図4に示す様にシリカスペーサ66側
より紫外線を照射し、配向膜64上にシリカスペーサ6
6を固着させる。
【0030】一方、アクティブマトリクス基板32にあ
っては、液晶注入口を除き走査線駆動回路56、信号線
駆動回路57上を含む画素電極47周囲の接着領域にデ
ィスペンサを用いて紫外線硬化型のシール剤67を印刷
塗布した後、アクティブマトリクス基板32に対向基板
33を重ねて位置合わせをし、両基板32、33間の間
隙が均一となるように加圧した後、紫外線を照射してシ
ール剤67を硬化し液晶セルを形成する。
っては、液晶注入口を除き走査線駆動回路56、信号線
駆動回路57上を含む画素電極47周囲の接着領域にデ
ィスペンサを用いて紫外線硬化型のシール剤67を印刷
塗布した後、アクティブマトリクス基板32に対向基板
33を重ねて位置合わせをし、両基板32、33間の間
隙が均一となるように加圧した後、紫外線を照射してシ
ール剤67を硬化し液晶セルを形成する。
【0031】次いで、液晶注入口より液晶セルの間隙に
ネマチック型液晶37を注入し液晶注入口を封止する。
更に両基板32、33に偏光板70、71を取着して液
晶表示パネル30とする。
ネマチック型液晶37を注入し液晶注入口を封止する。
更に両基板32、33に偏光板70、71を取着して液
晶表示パネル30とする。
【0032】尚、この様に形成された液晶表示パネル3
0を用いて液晶表示装置を形成したところ、その小型軽
量化が実現された。
0を用いて液晶表示装置を形成したところ、その小型軽
量化が実現された。
【0033】この様に構成すれば、接着領域を画素電極
47に近接される駆動回路56、57上に設ける事によ
り、アクティブマトリクス基板32の画素電極47周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化により携帯情報端末装置等への適用を実現出
来る一方、複数枚の液晶表示パネルを近接配置した場合
もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶表示装置等への適
用も実現出来る。
47に近接される駆動回路56、57上に設ける事によ
り、アクティブマトリクス基板32の画素電極47周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化により携帯情報端末装置等への適用を実現出
来る一方、複数枚の液晶表示パネルを近接配置した場合
もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶表示装置等への適
用も実現出来る。
【0034】又、画素電極47周囲の接着領域の駆動回
路56、57の有無にかかわらず、接着領域全面に渡り
セル厚を均一に出来る事から、均一で良好な表示画質を
得ることが出来る。
路56、57の有無にかかわらず、接着領域全面に渡り
セル厚を均一に出来る事から、均一で良好な表示画質を
得ることが出来る。
【0035】更に、液晶表示パネル30の液晶セル形成
時、シール剤67中にシリカスペース66等の制御手段
が含まれない事から、画素電極47に隣接される各駆動
回路56、57上をシール剤67の接着領域としても、
従来の様に駆動回路56、57がスペーサに押圧されて
損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが向
上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル30を用いた
液晶表示装置の低価格化が図られる。
時、シール剤67中にシリカスペース66等の制御手段
が含まれない事から、画素電極47に隣接される各駆動
回路56、57上をシール剤67の接着領域としても、
従来の様に駆動回路56、57がスペーサに押圧されて
損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが向
上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル30を用いた
液晶表示装置の低価格化が図られる。
【0036】しかもシリカスペーサ66が、画素電極4
7の開口部には配置されず、遮光層61上に選択的に配
置されており、シリカスペーサ66周辺での配向乱れ
や、シリカスペーサ66自身による光抜けにより表示特
性が劣化される事無く、良好な表示画質を得られる。
7の開口部には配置されず、遮光層61上に選択的に配
置されており、シリカスペーサ66周辺での配向乱れ
や、シリカスペーサ66自身による光抜けにより表示特
性が劣化される事無く、良好な表示画質を得られる。
【0037】次に本発明の第2の実施例を図5を用いて
説明する。本実施例は、第1の実施例による液晶表示パ
ネル30を複数枚用いてモジュール化し、見開き型の液
晶表示装置としたものである。
説明する。本実施例は、第1の実施例による液晶表示パ
ネル30を複数枚用いてモジュール化し、見開き型の液
晶表示装置としたものである。
【0038】即ち、第1の実施例における、液晶表示パ
ネル30を2枚繋いだ見開き型の液晶表示装置73であ
り、走査線駆動回路73a、73b及び信号線駆動回路
74a、74bへの入出力線75a、75bを第1及び
第2の液晶表示パネル30a、30bの上方向に設けて
いる。
ネル30を2枚繋いだ見開き型の液晶表示装置73であ
り、走査線駆動回路73a、73b及び信号線駆動回路
74a、74bへの入出力線75a、75bを第1及び
第2の液晶表示パネル30a、30bの上方向に設けて
いる。
【0039】これにより両液晶表示パネル30a、30
b間の繋ぎ目72には、第1の液晶表示パネル30aの
接着領域及び第2の液晶表示パネル30bの走査線駆動
回路73bと重なる接着領域が介在されるのみであり、
実際には、各液晶表示パネル30a、30bの接着領域
を例えば0.8mmとすると、各液晶表示パネル30
a、30b周辺をシリコン部材にて接続形成したとして
も、その繋ぎ目72の幅は3mm程度と極端に狭小に形
成出来る。
b間の繋ぎ目72には、第1の液晶表示パネル30aの
接着領域及び第2の液晶表示パネル30bの走査線駆動
回路73bと重なる接着領域が介在されるのみであり、
実際には、各液晶表示パネル30a、30bの接着領域
を例えば0.8mmとすると、各液晶表示パネル30
a、30b周辺をシリコン部材にて接続形成したとして
も、その繋ぎ目72の幅は3mm程度と極端に狭小に形
成出来る。
【0040】次に本発明の第3の実施例を図6及び図7
を用いて説明する。本実施例は、第1の実施例による液
晶表示パネル30を複数枚用いてモジュール化し、大型
の液晶表示装置としたものである。
を用いて説明する。本実施例は、第1の実施例による液
晶表示パネル30を複数枚用いてモジュール化し、大型
の液晶表示装置としたものである。
【0041】即ち、第1の実施例における液晶表示パネ
ル30を4枚繋いだ大型の液晶表示装置76であり、走
査線駆動回路77a〜77d及び信号線駆動回路78a
〜78dへの入出力線80a〜80dを、ポリマー型銅
ペーストからなる導電パターンもしくは銀もしくは銀−
パラジウムなどの貴金属ペーストからなる導電パターン
で形成し、各液晶表示パネル30c〜30fの端面を経
て、裏面まで延長配線し、入出力装置との接続を裏面に
て行うものである。この時、基板端面配線部の上には各
種損傷から守るという観点で保護膜を形成する事が望ま
しい事はいうまでもない。
ル30を4枚繋いだ大型の液晶表示装置76であり、走
査線駆動回路77a〜77d及び信号線駆動回路78a
〜78dへの入出力線80a〜80dを、ポリマー型銅
ペーストからなる導電パターンもしくは銀もしくは銀−
パラジウムなどの貴金属ペーストからなる導電パターン
で形成し、各液晶表示パネル30c〜30fの端面を経
て、裏面まで延長配線し、入出力装置との接続を裏面に
て行うものである。この時、基板端面配線部の上には各
種損傷から守るという観点で保護膜を形成する事が望ま
しい事はいうまでもない。
【0042】これにより各液晶表示パネル30c〜30
f間の繋ぎ目81a〜81dは、接着領域に加えて0.
5mm程度の極めて薄い入出力線80c、80d、82
c、82dが介在されるのみであり、狭小に形成出来
る。
f間の繋ぎ目81a〜81dは、接着領域に加えて0.
5mm程度の極めて薄い入出力線80c、80d、82
c、82dが介在されるのみであり、狭小に形成出来
る。
【0043】この様に構成すれば、複数枚の液晶表示パ
ネル30による各種大型の表示装置73、76の繋ぎ目
72、81a〜81dを狭小に形成出来、画面表示時、
繋ぎ目が邪魔になる事無く、表示画質を向上出来る。
ネル30による各種大型の表示装置73、76の繋ぎ目
72、81a〜81dを狭小に形成出来、画面表示時、
繋ぎ目が邪魔になる事無く、表示画質を向上出来る。
【0044】もちろん、第2の実施例及び第3の実施例
の様な2枚及び4枚の構成に限っては、例えば第2の実
施例の様に2枚の構成の場合は図8に示す変形例1の様
にそれぞれの入出力接続部73a´、73b´、74a
´、74b´を液晶表示パネル30a´、30b´の左
右及び上下に配置したり、4枚構成の場合も図9に示す
変形例2の様に各4枚の接触する面以外で接続を行うよ
うに、入出力接続部77a´〜77d´、78a´〜7
8b´を液晶表示パネル30c´、30d´、30e´
30e´、30f´の左右上下に配置する様に形成する
事ができる。
の様な2枚及び4枚の構成に限っては、例えば第2の実
施例の様に2枚の構成の場合は図8に示す変形例1の様
にそれぞれの入出力接続部73a´、73b´、74a
´、74b´を液晶表示パネル30a´、30b´の左
右及び上下に配置したり、4枚構成の場合も図9に示す
変形例2の様に各4枚の接触する面以外で接続を行うよ
うに、入出力接続部77a´〜77d´、78a´〜7
8b´を液晶表示パネル30c´、30d´、30e´
30e´、30f´の左右上下に配置する様に形成する
事ができる。
【0045】しかしながら、上記の実施例で説明した構
成は5枚以上の場合は必ず必要と成る。
成は5枚以上の場合は必ず必要と成る。
【0046】但し、変形例1及び変形例2の場合には、
例えば変形例1において左右の液晶表示パネル30a
´、30b´は同一のものは用いる事ができない為、駆
動回路部の配置位置の異なる2種類のパネルを作る必要
があるから生産性向上及びコストの低減等を図れず望ま
しく無い。
例えば変形例1において左右の液晶表示パネル30a
´、30b´は同一のものは用いる事ができない為、駆
動回路部の配置位置の異なる2種類のパネルを作る必要
があるから生産性向上及びコストの低減等を図れず望ま
しく無い。
【0047】次に本発明の第4の実施例を図10及び図
11を参照して説明する。尚本実施例は第1の実施例に
おける液晶表示パネル30の形成工程において、配向膜
64上にシリカスペーサを固着させる工程が異なるもの
の、他は第1の実施例と同一である事から、同一領域に
ついては同一符号を伏し、その説明を省略する。
11を参照して説明する。尚本実施例は第1の実施例に
おける液晶表示パネル30の形成工程において、配向膜
64上にシリカスペーサを固着させる工程が異なるもの
の、他は第1の実施例と同一である事から、同一領域に
ついては同一符号を伏し、その説明を省略する。
【0048】即ちこの第4の実施例は、対向基板33上
にて配向膜64をラビング処理した後、光硬化性及び熱
可塑性の両方の特性を有するエポキシ樹脂にて表面加工
され、10%変型時の圧縮弾性率が7500Kg/mm
2 であるシリカスペーサ83を、配向膜64上に一様に
静電散布した後、図11に示す様にガラス基板60側か
らシリカスペーサ83に、紫外線を照射する。これによ
り配向膜64上のシリカスペーサ83のうち遮光層61
上に散布されたシリカスペーサ83aは紫外線を照射さ
れないが、開口部に散布されたシリカスペーサ83bは
紫外線を照射され、表面のエポキシ樹脂が軟化される。
にて配向膜64をラビング処理した後、光硬化性及び熱
可塑性の両方の特性を有するエポキシ樹脂にて表面加工
され、10%変型時の圧縮弾性率が7500Kg/mm
2 であるシリカスペーサ83を、配向膜64上に一様に
静電散布した後、図11に示す様にガラス基板60側か
らシリカスペーサ83に、紫外線を照射する。これによ
り配向膜64上のシリカスペーサ83のうち遮光層61
上に散布されたシリカスペーサ83aは紫外線を照射さ
れないが、開口部に散布されたシリカスペーサ83bは
紫外線を照射され、表面のエポキシ樹脂が軟化される。
【0049】次にシリカスペーサ83を180℃に加熱
すると紫外線照射を受けていない遮光層61上のシリカ
スペーサ83a表面のエポキシ樹脂は、熱硬化され配向
膜64上に固着されるものの、紫外線照射を受けた開口
部のシリカスペーサ83b表面のエポキシ樹脂は熱硬化
が成されず、配向膜64上に固着されない。
すると紫外線照射を受けていない遮光層61上のシリカ
スペーサ83a表面のエポキシ樹脂は、熱硬化され配向
膜64上に固着されるものの、紫外線照射を受けた開口
部のシリカスペーサ83b表面のエポキシ樹脂は熱硬化
が成されず、配向膜64上に固着されない。
【0050】従ってこの加熱後、窒素ガンによる気流照
射或いは、ジェット水流照射をする事により開口部上の
シリカスペーサ83bを除去し、遮光層61上にシリカ
スペーサ83aが選択的に配置される対向基板33に、
シール剤67が印刷塗布されるアクティブマトリクス基
板32を重ね合わせて、シール剤67を熱硬化して液晶
セルを形成し、液晶注入口より液晶セルの間隙にネマチ
ック型液晶37を注入し液晶注入口を封止して、更に両
基板32、33に偏光板70、71を取着して液晶表示
パネル84としたものである。
射或いは、ジェット水流照射をする事により開口部上の
シリカスペーサ83bを除去し、遮光層61上にシリカ
スペーサ83aが選択的に配置される対向基板33に、
シール剤67が印刷塗布されるアクティブマトリクス基
板32を重ね合わせて、シール剤67を熱硬化して液晶
セルを形成し、液晶注入口より液晶セルの間隙にネマチ
ック型液晶37を注入し液晶注入口を封止して、更に両
基板32、33に偏光板70、71を取着して液晶表示
パネル84としたものである。
【0051】この様に構成すれば、第1の実施例と同
様、アクティブマトリクス基板32の画素電極47周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化を実現出来更には複数枚の液晶表示パネルを
近接配置した場合もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶
表示装置等を実現出来る。又、セル厚を均一に出来る事
から、良好な表示画質を得ることが出来る。
様、アクティブマトリクス基板32の画素電極47周囲
の額縁領域を極端に縮小出来、ひいては液晶表示装置の
小型軽量化を実現出来更には複数枚の液晶表示パネルを
近接配置した場合もその繋ぎ目を狭小に出来、大型液晶
表示装置等を実現出来る。又、セル厚を均一に出来る事
から、良好な表示画質を得ることが出来る。
【0052】更に、駆動回路56がスペーサに押圧され
て損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが
向上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル84を用い
た液晶表示装置の低価格化が図られる。
て損傷されることが無く、液晶セル形成時の歩留まりが
向上され、ひいてはこの様な液晶表示パネル84を用い
た液晶表示装置の低価格化が図られる。
【0053】又、シリカスペーサ66が、遮光層61上
に選択的に配置されるのみであり、シリカスペーサ66
周辺での配光乱れや、シリカスペーサ66自身による光
抜けが表示部に影響する事無く、良好な表示画質を得ら
れる。
に選択的に配置されるのみであり、シリカスペーサ66
周辺での配光乱れや、シリカスペーサ66自身による光
抜けが表示部に影響する事無く、良好な表示画質を得ら
れる。
【0054】尚本発明は上記実施例に限られるものでな
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えばスイッチング素子の材質や構造等限定されない
し、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の配置も任意で
あり、同一辺に一体的に設ける等しても良い。
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えばスイッチング素子の材質や構造等限定されない
し、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の配置も任意で
あり、同一辺に一体的に設ける等しても良い。
【0055】又シール手段や制御手段の材質も任意であ
り、制御手段もシリカスペーサでは無くプラスチックス
ペーサを用いる等しても良い。但し、プラスチックスペ
ーサにあっては、10%変型時の圧縮弾性率が374K
g/mm2 と、シリカスペーサに比し1/10以下と低
い事から、シリカスペーサの方が、電極基板間の間隙の
制御性に優れ、間隙をより均一となるよう制御出来ると
共に、同程度の間隙制御性を得るにはプラスチックスペ
ーサに比し、単位面積当りのスペーサ密度を低減出来、
スペーサ周囲に生じる配向乱れや光抜け等の画質の劣化
要件も低減でき、良好な画質を得る事からも、シリカス
ペーサの方が優れている。。更に、夫々のスペーサの粒
径の標準偏差値が、例えば徳山曹達製の平均粒径5μm
のものにあっては、シリカスペーサが±0.05μmで
あるのに対し、プラスチックスペーサが±0.3μmと
大きく、プラスチックスペーサの場合、電極基板間の間
隙にむらを生じ易い事からもシリカスペーサの方が好ま
しいとされる。
り、制御手段もシリカスペーサでは無くプラスチックス
ペーサを用いる等しても良い。但し、プラスチックスペ
ーサにあっては、10%変型時の圧縮弾性率が374K
g/mm2 と、シリカスペーサに比し1/10以下と低
い事から、シリカスペーサの方が、電極基板間の間隙の
制御性に優れ、間隙をより均一となるよう制御出来ると
共に、同程度の間隙制御性を得るにはプラスチックスペ
ーサに比し、単位面積当りのスペーサ密度を低減出来、
スペーサ周囲に生じる配向乱れや光抜け等の画質の劣化
要件も低減でき、良好な画質を得る事からも、シリカス
ペーサの方が優れている。。更に、夫々のスペーサの粒
径の標準偏差値が、例えば徳山曹達製の平均粒径5μm
のものにあっては、シリカスペーサが±0.05μmで
あるのに対し、プラスチックスペーサが±0.3μmと
大きく、プラスチックスペーサの場合、電極基板間の間
隙にむらを生じ易い事からもシリカスペーサの方が好ま
しいとされる。
【0056】尚シリカスペーサ或いはプラスチックスペ
ーサに限らず、スペーサの圧縮弾性率を向上するには顔
料を含芯させれば良く、例えば、積水ファインケミカル
社製の黒のプラスチックスペーサにあっては、10%変
型時の圧縮弾性率が374Kg/mm2 程度であったも
のが、顔料を含芯させる事により430〜450Kg〜
mm2 と向上される。
ーサに限らず、スペーサの圧縮弾性率を向上するには顔
料を含芯させれば良く、例えば、積水ファインケミカル
社製の黒のプラスチックスペーサにあっては、10%変
型時の圧縮弾性率が374Kg/mm2 程度であったも
のが、顔料を含芯させる事により430〜450Kg〜
mm2 と向上される。
【0057】もちろんスペーサとしては、環状オレフィ
ン樹脂、ポリイミド等の高弾性率の感光性樹脂によりス
ペーサ柱を形成しても良い事はいうまでも無い。
ン樹脂、ポリイミド等の高弾性率の感光性樹脂によりス
ペーサ柱を形成しても良い事はいうまでも無い。
【0058】更に液晶組成物もツイストネマチック型の
液晶に限定されず高分子分散型液晶等任意である。
液晶に限定されず高分子分散型液晶等任意である。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、p
−SiTFTを用いた駆動回路一体型の液晶表示パネル
を、駆動回路を損傷する事無く、電極基板間の間隙を一
定に保持出来ると共に、額縁領域の縮小を図れる事か
ら、液晶表示装置の小型軽量化を実現出来、携帯情報端
末等の小型の装置に適用出来、更には複数枚の液晶表示
パネルを繋ぎ合わせた見開き型の液晶表示装置や、大型
の液晶表示装置への適用も可能となる。しかも液晶セル
形成時の歩留まり向上により装置の低価格化も図られ
る。
−SiTFTを用いた駆動回路一体型の液晶表示パネル
を、駆動回路を損傷する事無く、電極基板間の間隙を一
定に保持出来ると共に、額縁領域の縮小を図れる事か
ら、液晶表示装置の小型軽量化を実現出来、携帯情報端
末等の小型の装置に適用出来、更には複数枚の液晶表示
パネルを繋ぎ合わせた見開き型の液晶表示装置や、大型
の液晶表示装置への適用も可能となる。しかも液晶セル
形成時の歩留まり向上により装置の低価格化も図られ
る。
【図1】本発明の第1の実施例の液晶表示パネルを示す
一部断面図である。
一部断面図である。
【図2】本発明のp−SiTFTを示す概略断面図であ
る。
る。
【図3】本発明の第1の実施例のアクティブマトリクス
基板上のシール剤の塗布位置を示す概略説明図である。
基板上のシール剤の塗布位置を示す概略説明図である。
【図4】本発明の第1の実施例のシリカスペーサを固定
する工程を示す説明図である。
する工程を示す説明図である。
【図5】本発明の第2の実施例の液晶表示モジュールを
示す概略斜視図である。
示す概略斜視図である。
【図6】本発明の第3の実施例の液晶表示モジュールを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図7】本発明の第3の実施例の液晶表示モジュールを
示し(a)は図6のA−A´線から見た概略拡大断面図
であり、(b)は図6のB−B´線から見た概略拡大断
面図である。
示し(a)は図6のA−A´線から見た概略拡大断面図
であり、(b)は図6のB−B´線から見た概略拡大断
面図である。
【図8】本発明の変形例1の液晶表示モジュールを示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図9】本発明の変形例2の液晶表示モジュールを示す
平面図である。
平面図である。
【図10】本発明の第4の実施例の液晶表示パネルを示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図11】本発明の第4の実施例のシリカスペーサを固
定する工程の一部を示す説明図である。
定する工程の一部を示す説明図である。
【図12】第1の従来例のアクティブマトリクス基板上
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。
【図13】第1の従来例のを示す概略断面図である。
【図14】第2の従来例のアクティブマトリクス基板上
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。
のシール剤の塗布位置を示す概略平面図である。
30…液晶表示パネル 31…p−SiTFT 32…アクティブマトリクス基板 33…対向基板 47…画素電極 56…走査線駆動回路 57…信号線駆動回路 66…シリカスペーサ 67…シール剤
Claims (4)
- 【請求項1】 マトリクス状に配列される画素電極を有
する第1の電極基板と、 この第1の電極基板上にて前記画素電極を駆動する駆動
素子と、 前記第1の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前
記駆動素子に走査信号を供給する走査線駆動回路と、 前記第1の電極基板上の前記画素電極周囲に設けられ前
記駆動素子に映像信号を供給する信号線駆動回路と、 対向電極を有し前記第1の電極基板に間隙を隔てて対向
配置される第2の電極基板と、 前記第1及び前記第2の電極基板を前記間隙を囲繞して
接着するシール手段とを有する液晶表示装置において、 前記シール手段が、前記間隙の厚さを制御する制御手段
を含有しておらず、前記シール手段による接着領域が、
少なくとも前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路
のいずれか一方を含む事を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 制御手段が、シール手段に囲繞される間
隙内に配置される事を特徴とする請求項1に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項3】 制御手段が、シール手段に囲繞される間
隙内にて遮光領域に選択的に配置される事を特徴とする
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】走査線駆動回路及び信号線駆動回路の少な
くとも一方の信号引き出し線を、第1の電極基板の端面
を経由して、前記第1の電極基板の裏面まで延在する事
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24910295A JPH0990419A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24910295A JPH0990419A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0990419A true JPH0990419A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17187993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24910295A Pending JPH0990419A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0990419A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999034348A1 (fr) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Structure d'installation d'un ecran flexible a cristaux liquides |
WO2000000864A1 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Uniform cell-gap spacing in lcd |
WO2002031590A1 (fr) * | 2000-10-13 | 2002-04-18 | Zeon Corporation | Espaceur destine a des cristaux liquides, composition de resine destinee a ceux-ci et affichage a cristaux liquides |
KR100555805B1 (ko) * | 1997-10-03 | 2006-04-21 | 산요덴키가부시키가이샤 | 구동회로내장형액정표시장치 |
CN1293419C (zh) * | 2004-07-07 | 2007-01-03 | 友达光电股份有限公司 | 具有间隙壁支撑结构的平面显示器 |
KR100746656B1 (ko) * | 2000-07-25 | 2007-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
CN103744248A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-04-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示装置及液晶盒透镜面板 |
CN111308813A (zh) * | 2020-03-03 | 2020-06-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24910295A patent/JPH0990419A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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