JPH0987878A - 銀メッキ面の清浄化法 - Google Patents
銀メッキ面の清浄化法Info
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- JPH0987878A JPH0987878A JP24946695A JP24946695A JPH0987878A JP H0987878 A JPH0987878 A JP H0987878A JP 24946695 A JP24946695 A JP 24946695A JP 24946695 A JP24946695 A JP 24946695A JP H0987878 A JPH0987878 A JP H0987878A
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- Japan
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- silver
- lead frame
- silver plated
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームに有機質フィルムを貼り合わせ
る際などに発生するガス等がリードフレームの銀メッキ
面に付着し、汚染することが原因して、当該メッキ面に
対するハンダ濡れ性やワイヤーボンディング性を低下さ
せることがあるが、この低下したハンダ濡れ性やワイヤ
ーボンディング性を確実に改善することのできる銀メッ
キ表面の清浄化方法を提供する。 【解決手段】リードフレーム等の銀メッキ面に対して電
子線を照射することによりメッキ面に付着した有機物質
を変質させて除去し、同時にメッキ面の酸化銀を還元す
ることによって清浄化された銀メッキ面を形成する。真
空予備室４から真空加工室５へリードフレーム３を送り
込み、これを補足ヒータ６の上に供給してリードフレー
ム３の銀メッキ面を所定温度に加熱し、電子源１からメ
ッキ面に対して電子線を照射する。
る際などに発生するガス等がリードフレームの銀メッキ
面に付着し、汚染することが原因して、当該メッキ面に
対するハンダ濡れ性やワイヤーボンディング性を低下さ
せることがあるが、この低下したハンダ濡れ性やワイヤ
ーボンディング性を確実に改善することのできる銀メッ
キ表面の清浄化方法を提供する。 【解決手段】リードフレーム等の銀メッキ面に対して電
子線を照射することによりメッキ面に付着した有機物質
を変質させて除去し、同時にメッキ面の酸化銀を還元す
ることによって清浄化された銀メッキ面を形成する。真
空予備室４から真空加工室５へリードフレーム３を送り
込み、これを補足ヒータ６の上に供給してリードフレー
ム３の銀メッキ面を所定温度に加熱し、電子源１からメ
ッキ面に対して電子線を照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム等の
銀メッキ面を清浄化する方法に関し、特にリードフレー
ム等の銀メッキ面に対して優れたハンダ濡れ性やワイヤ
ーボンディング性等を付与することのできる有利な銀メ
ッキ面の清浄化法に関するものである。
銀メッキ面を清浄化する方法に関し、特にリードフレー
ム等の銀メッキ面に対して優れたハンダ濡れ性やワイヤ
ーボンディング性等を付与することのできる有利な銀メ
ッキ面の清浄化法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップを搭載す
るためのリードフレームとして、表面に有機質のフィル
ムを貼り付けたものが多用されている。
るためのリードフレームとして、表面に有機質のフィル
ムを貼り付けたものが多用されている。
【０００３】図２はこの種タイプの１Ｍ−ＤＲＡＭ、Ｌ
ＯＣ型リードフレームの構造を示したもので、２０はボ
ンディングワイヤー、１１はアウターリード、１２はチ
ップ、１３はリードフレームに貼り付けられた有機質フ
ィルム、１４はインナーリード、１５はインナーリード
１４の銀メッキ面を示す。
ＯＣ型リードフレームの構造を示したもので、２０はボ
ンディングワイヤー、１１はアウターリード、１２はチ
ップ、１３はリードフレームに貼り付けられた有機質フ
ィルム、１４はインナーリード、１５はインナーリード
１４の銀メッキ面を示す。
【０００４】図３は図２におけるインナーリード部を拡
大したもので、インナーリード１４の端部表面にはワイ
ヤーボンディング２０のための銀メッキ面１５が形成さ
れている。
大したもので、インナーリード１４の端部表面にはワイ
ヤーボンディング２０のための銀メッキ面１５が形成さ
れている。
【０００５】この銀メッキ面１５としては、確実なワイ
ヤーボンディング性等を保証する意味から表面清浄であ
ることが第一に要求されるが、周知のように有機質フィ
ルムを貼り付ける過程においてガス成分がこの銀メッキ
面に付着する傾向があり、このため銀メッキ面１５が汚
染されてワイヤーボンディング性等に悪影響を及ぼすこ
とが知られている。
ヤーボンディング性等を保証する意味から表面清浄であ
ることが第一に要求されるが、周知のように有機質フィ
ルムを貼り付ける過程においてガス成分がこの銀メッキ
面に付着する傾向があり、このため銀メッキ面１５が汚
染されてワイヤーボンディング性等に悪影響を及ぼすこ
とが知られている。
【０００６】又、このような銀メッキ面における汚染の
問題は、ひとり有機質フィルム貼り合わせ工程において
のみ惹起される問題ではなく、例えばそれ以前のデプレ
ス切断工程や保管工程或いはダイボンディング工程等に
おいても発生する可能性があり、このようにリードフレ
ーム類における銀メッキ面の清浄性の確保と、それによ
る濡れ性やワイヤーボンディング性等の保証は極めて重
要な品質項目とされている。
問題は、ひとり有機質フィルム貼り合わせ工程において
のみ惹起される問題ではなく、例えばそれ以前のデプレ
ス切断工程や保管工程或いはダイボンディング工程等に
おいても発生する可能性があり、このようにリードフレ
ーム類における銀メッキ面の清浄性の確保と、それによ
る濡れ性やワイヤーボンディング性等の保証は極めて重
要な品質項目とされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この銀メッキ面の濡れ
性を改良するための方法として、例えば、本出願人が先
に提案した特開平１−１２８５５４号のような方法が知
られているが、しかしここに開示されている方法はボン
ディング用金属のメッキ面或いは蒸着面を均一に形成す
ることによってハンダ付性等を向上させるものであり、
その意味では極めて有効な方法とは云えるにしても、こ
れをもって前述したような既にメッキを施されたボンデ
ィング用金属表面の、しかも後発性の要因を原因とした
濡れ性低下等に対処することは到底不可能である。
性を改良するための方法として、例えば、本出願人が先
に提案した特開平１−１２８５５４号のような方法が知
られているが、しかしここに開示されている方法はボン
ディング用金属のメッキ面或いは蒸着面を均一に形成す
ることによってハンダ付性等を向上させるものであり、
その意味では極めて有効な方法とは云えるにしても、こ
れをもって前述したような既にメッキを施されたボンデ
ィング用金属表面の、しかも後発性の要因を原因とした
濡れ性低下等に対処することは到底不可能である。
【０００８】本発明の目的とするところは、銀メッキ面
に付着したガス成分等の付着物を効率よく除去すること
ができ、そしてそれにより銀メッキ面のハンダ濡れ性や
ワイヤボンディング性等を大幅に改善することのできる
銀メッキ面の表面清浄化法を提供することにある。
に付着したガス成分等の付着物を効率よく除去すること
ができ、そしてそれにより銀メッキ面のハンダ濡れ性や
ワイヤボンディング性等を大幅に改善することのできる
銀メッキ面の表面清浄化法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の目的を達
成するため、真空雰囲気下において、銀メッキ面に対し
電子線を照射することによって特徴づけられる有利な銀
メッキ面の清浄化法を提供するものである。
成するため、真空雰囲気下において、銀メッキ面に対し
電子線を照射することによって特徴づけられる有利な銀
メッキ面の清浄化法を提供するものである。
【００１０】本発明の適用対象は主としてＬＯＣ等のリ
ードフレーム類であるが、銀メッキ面のハンダ濡れ性等
の改善を目的とするかぎり、その用途が制限されること
はなく、リードフレーム類以外を対象とすることは当然
考えられる。
ードフレーム類であるが、銀メッキ面のハンダ濡れ性等
の改善を目的とするかぎり、その用途が制限されること
はなく、リードフレーム類以外を対象とすることは当然
考えられる。
【００１１】本発明における付着物除去のメカニズム
は、電子線の作用によって銀メッキ面の有機汚染物質を
変質させることに基盤を置くものであるが、同時に酸化
銀もまたＡｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2のように変化し、
消失することがオージェ分析装置によって確認されてい
る。
は、電子線の作用によって銀メッキ面の有機汚染物質を
変質させることに基盤を置くものであるが、同時に酸化
銀もまたＡｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2のように変化し、
消失することがオージェ分析装置によって確認されてい
る。
【００１２】電子線照射による以上のような効果を発見
し得たこと、この点が最も重要な点であり、そしてその
結果としてのハンダ濡れ性やワイヤボンディング性の向
上であるが、この点赤外線やレーザー光線等による加熱
処理、或いは紫外線照射処理（特開平６−５３３８０
号）等によって同様の効果を得ることは不可能である。
し得たこと、この点が最も重要な点であり、そしてその
結果としてのハンダ濡れ性やワイヤボンディング性の向
上であるが、この点赤外線やレーザー光線等による加熱
処理、或いは紫外線照射処理（特開平６−５３３８０
号）等によって同様の効果を得ることは不可能である。
【００１３】電子線照射を真空雰囲気下で行う意味は、
Ａｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2 の反応の中に生成する１
／２Ｏ2 を効果的に排除し、そしてそれによってこの還
元反応を効率良く進行させるためであり、このことは銀
メッキ面を高度に清浄化する本発明においては不可欠の
要素となる。
Ａｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2 の反応の中に生成する１
／２Ｏ2 を効果的に排除し、そしてそれによってこの還
元反応を効率良く進行させるためであり、このことは銀
メッキ面を高度に清浄化する本発明においては不可欠の
要素となる。
【００１４】真空の度合は１０-2〜１０-6ｔｏｒｒの範
囲内に設定すべきであり、これが若し１０-6を超える高
い真空度になると銀メッキ表面にカーボンが付着、汚染
するようになり、却ってメッキ面のハンダ濡れ性等が低
下することから好ましくない。
囲内に設定すべきであり、これが若し１０-6を超える高
い真空度になると銀メッキ表面にカーボンが付着、汚染
するようになり、却ってメッキ面のハンダ濡れ性等が低
下することから好ましくない。
【００１５】１０-6ｔｏｒｒ以下の場合には相対的なＣ
Ｏガス分圧率が低くなることから、メッキ面へのカーボ
ン付着が生じにくくなるものと推定される。
Ｏガス分圧率が低くなることから、メッキ面へのカーボ
ン付着が生じにくくなるものと推定される。
【００１６】前記１０-2ｔｏｒｒの境界値は生成酸素等
を排除する意味での好ましい真空度下限値として設定さ
れるものであり、これを下廻る真空雰囲気はなるべく避
けるべきである。
を排除する意味での好ましい真空度下限値として設定さ
れるものであり、これを下廻る真空雰囲気はなるべく避
けるべきである。
【００１７】銀メッキ面を事前に加熱することは有効で
あり、それによってＡｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2 の反
応をより一層効率的に進行させることが可能となること
から、本発明の実施態様においては多くの場合に採用さ
れる。
あり、それによってＡｇ2Ｏ→２Ａｇ＋１／２Ｏ2 の反
応をより一層効率的に進行させることが可能となること
から、本発明の実施態様においては多くの場合に採用さ
れる。
【００１８】この銀メッキ面に対する加熱温度は、好ま
しくは１６０°Ｃ以上、より好ましくは１９０°Ｃ以上
に設定すべきである。
しくは１６０°Ｃ以上、より好ましくは１９０°Ｃ以上
に設定すべきである。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一つの実施の形態
を示したもので、大きく分けて電子線源１（フィールド
エミッションタイプ、１８０ＫＶ、出力１００μＡ）
と、装置本体２とから構成されている。
を示したもので、大きく分けて電子線源１（フィールド
エミッションタイプ、１８０ＫＶ、出力１００μＡ）
と、装置本体２とから構成されている。
【００２０】装置本体２の中には被処理物としての多ピ
ンリードフレーム３が外部から供給され、供給されたリ
ードフレーム３は装置本体２内に形成された真空予備室
４から真空加工室５の中へと順次送られ、この加工室５
の内部に設けられた補足ヒータ６の上に供給される。
ンリードフレーム３が外部から供給され、供給されたリ
ードフレーム３は装置本体２内に形成された真空予備室
４から真空加工室５の中へと順次送られ、この加工室５
の内部に設けられた補足ヒータ６の上に供給される。
【００２１】ヒータ６上のリードフレーム３は所定温度
に加熱され、そのままの状態で電子銃７のフィラメント
８から電子線９を照射される。
に加熱され、そのままの状態で電子銃７のフィラメント
８から電子線９を照射される。
【００２２】電子銃７はＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ方向に自動的
に動けるように構成されており、予めプログラムされた
動作のもと、リードフレーム３の銀メッキ面（図示せ
ず、図３の符号１５に相当）に対して精密に且つ漏れな
く電子線９を照射するように構成されている。
に動けるように構成されており、予めプログラムされた
動作のもと、リードフレーム３の銀メッキ面（図示せ
ず、図３の符号１５に相当）に対して精密に且つ漏れな
く電子線９を照射するように構成されている。
【００２３】１０は真空ポンプを示し、真空予備室４、
真空加工室５及び電子線源１の各内部を真空引きする。
真空加工室５及び電子線源１の各内部を真空引きする。
【００２４】そしてこれにより例えば予備室４と加工室
５の内部を夫々１０-3ｔｏｒｒ程度と１０-5ｔｏｒｒ程
度の真空度に保持し、電子線源１の内部を１０-6ｔｏｒ
ｒ程度に保持する。
５の内部を夫々１０-3ｔｏｒｒ程度と１０-5ｔｏｒｒ程
度の真空度に保持し、電子線源１の内部を１０-6ｔｏｒ
ｒ程度に保持する。
【００２５】以上の構成と真空度のもと、ヒータ６によ
る銀メッキ面の加熱温度と電子線源１の電流量とを夫々
１９０°Ｃ以上と４０μＡとに設定し、更に電子線の照
射時間を銀メッキ面１個所当たり３秒間に設定した状態
で多ピンリードフレーム３の銀メッキ面に対する電子線
照射処理を行った。
る銀メッキ面の加熱温度と電子線源１の電流量とを夫々
１９０°Ｃ以上と４０μＡとに設定し、更に電子線の照
射時間を銀メッキ面１個所当たり３秒間に設定した状態
で多ピンリードフレーム３の銀メッキ面に対する電子線
照射処理を行った。
【００２６】結果は処理前における銀メッキ面のハンダ
濡れ面積が３０％であったのに対し、処理後にはこれが
１００％にまで改善され、更にはワイヤーボンディング
不良率も０．２％から０．０１％へと大幅に改善され
た。電子線照射による銀メッキ面清浄化効果が極めて顕
著であることが確認された。
濡れ面積が３０％であったのに対し、処理後にはこれが
１００％にまで改善され、更にはワイヤーボンディング
不良率も０．２％から０．０１％へと大幅に改善され
た。電子線照射による銀メッキ面清浄化効果が極めて顕
著であることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明銀メッキ面清
浄化法によれば、リードフレーム等において従来問題と
なっていたガス付着等を原因とした銀メッキ面のハンダ
濡れ性やワイヤーボンディング性などの接合性の低下
を、真空雰囲気下での電子線照射という全く新しい技術
によって確実に改善し得るものであり、特に近年多用さ
れているＬＯＣタイプをはじめとした各種リードフレー
ムの信頼性を高めるうえにおいて、本発明のもたらす効
果には極めて大きなものがある。
浄化法によれば、リードフレーム等において従来問題と
なっていたガス付着等を原因とした銀メッキ面のハンダ
濡れ性やワイヤーボンディング性などの接合性の低下
を、真空雰囲気下での電子線照射という全く新しい技術
によって確実に改善し得るものであり、特に近年多用さ
れているＬＯＣタイプをはじめとした各種リードフレー
ムの信頼性を高めるうえにおいて、本発明のもたらす効
果には極めて大きなものがある。
【図１】本発明銀メッキ面接合性改善法の一つの実施の
形態を示す説明図。
形態を示す説明図。
【図２】リードフレームの構造説明図。
【図３】図２のリードフレームの一部拡大図。
１ 電子線源 ２ 装置本体 ３ リードフレーム ４ 真空予備室 ５ 真空加工室 ６ 補足ヒータ ７ 電子銃 ８ フィラメント ９ 電子線 １０ 真空ポンプ
フロントページの続き (72)発明者 楢崎 雅和 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】真空雰囲気下において、リードフレーム等
の銀メッキ面に電子線を照射して前記銀メッキ面のハン
ダ濡れ性を改善することを特徴とする銀メッキ面の清浄
化法。 - 【請求項２】前記銀メッキ面は事前に加熱されているこ
とを特徴とする請求項第１項記載の銀メッキ面の清浄化
法。 - 【請求項３】前記真空雰囲気が１０-2〜１０-6ｔｏｒｒ
の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の銀
メッキ面の清浄化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24946695A JPH0987878A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 銀メッキ面の清浄化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24946695A JPH0987878A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 銀メッキ面の清浄化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987878A true JPH0987878A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17193383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24946695A Pending JPH0987878A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 銀メッキ面の清浄化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0987878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107313086A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-03 | 重庆理工大学 | 一种超细晶/纳米晶Cr涂层的复合制备工艺 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24946695A patent/JPH0987878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107313086A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-03 | 重庆理工大学 | 一种超细晶/纳米晶Cr涂层的复合制备工艺 |
| CN107313086B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-04-05 | 重庆理工大学 | 一种超细晶/纳米晶Cr涂层的复合制备工艺 |
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