JPH098345A - Light emitting diode array chip - Google Patents
Light emitting diode array chipInfo
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- JPH098345A JPH098345A JP15464295A JP15464295A JPH098345A JP H098345 A JPH098345 A JP H098345A JP 15464295 A JP15464295 A JP 15464295A JP 15464295 A JP15464295 A JP 15464295A JP H098345 A JPH098345 A JP H098345A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光学式プリンタの光源
等のために複数並べて使用される発光ダイオードアレイ
チップに係り、特に、たとえ発光ダイオードアレイチッ
プ同士が接触しても電気的短絡が防止できる発光ダイオ
ードアレイチップに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of light emitting diode array chips that are used side by side for a light source of an optical printer, and more particularly to prevent an electrical short circuit even if the light emitting diode array chips are in contact with each other. The present invention relates to a light emitting diode array chip that can be manufactured.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光学式プリンタの光源には、発光ダイオ
ードアレイ（以下、ＬＥＤアレイという）、レーザ、液
晶等が用いられている。ＬＥＤアレイを用いた光学系は
機械的可動部がなく、長寿命が期待できる。2. Description of the Related Art A light emitting diode array (hereinafter referred to as an LED array), a laser, a liquid crystal or the like is used as a light source of an optical printer. The optical system using the LED array has no mechanically movable parts and can be expected to have a long life.
【０００３】ＬＥＤアレイからなる光学式プリンタの光
源（以下、ＬＥＤプリントヘッドという）は、実開平４
−７９６４９号公報、特開平５−１６２３８６号公報等
に開示されている。ＬＥＤプリントヘッドの発光部は、
図２に示されるように、ガラスエポキシ樹脂やセラミッ
クスから作られた基板（チップを搭載するための基板；
以下、配線基板という）２１の表面にメッキや印刷及び
ホトエッチング技術を用いて予め配線２２を設け、その
配線基板２１上に複数のＬＥＤアレイチップ２３（２３
1 ，…，２３ｉ，…２３ｊ）を搭載したものである。Ｌ
ＥＤアレイチップ２３は、半導体基板（チップを形成す
る基板；以下、単に基板という）上に発光点となる複数
の発光ダイオードを直線状に並べたものである。このよ
うなＬＥＤアレイチップ２３が、配線基板２１の表面の
中央部に発光点が一直線になるように揃えてｊ個並べら
れる。ＬＥＤアレイチップ２３の両脇には個々のＬＥＤ
を点滅制御するための駆動ＩＣ２４が搭載されている。
ＬＥＤアレイチップ２３の各ＬＥＤ発光点のための引出
電極は対応する駆動ＩＣ２４の各電極に対しそれぞれボ
ンディングワイヤ２５で電気的に接続されている。コネ
クタ２６は入力信号を得るためのものであり、配線基板
２１上の配線２２につながっている。このＬＥＤプリン
トヘッドの発光部は、アルミニウム板等で作られた筐体
に光源光収束用ロッドレンズアレイ等と共に取り付けら
れ光学式プリンタの光源となる。The light source (hereinafter referred to as an LED print head) of an optical printer including an LED array is an actual flat plate.
-79649 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-162386. The light emitting part of the LED print head is
As shown in FIG. 2, a substrate made of glass epoxy resin or ceramics (a substrate for mounting a chip;
The wiring 22 is provided on the surface of the wiring board 21 in advance by using plating, printing and photo-etching techniques, and a plurality of LED array chips 23 (23) are provided on the wiring board 21.
1 , ..., 23i, ... 23j) are mounted. L
The ED array chip 23 is formed by arranging a plurality of light emitting diodes, which are light emitting points, on a semiconductor substrate (a substrate on which chips are formed; hereinafter simply referred to as a substrate). Such LED array chips 23 are arranged in the central portion of the surface of the wiring board 21 so that the light emitting points are aligned. Individual LEDs on both sides of the LED array chip 23
A drive IC 24 for controlling blinking is mounted.
The extraction electrode for each LED light emitting point of the LED array chip 23 is electrically connected to each electrode of the corresponding drive IC 24 by a bonding wire 25. The connector 26 is for obtaining an input signal and is connected to the wiring 22 on the wiring board 21. The light emitting portion of the LED print head is attached to a housing made of an aluminum plate or the like together with a light source light converging rod lens array and the like to serve as a light source of an optical printer.
【０００４】ＬＥＤアレイチップは、図３に示されるよ
うに、一般に、ｎ−ＧａＡｓからなる基板３１の上部に
ｎ−ＧａＡｓＰ層３２、ｐ形拡散層３３を設け、その表
面にＣＶＤ・ＳｉＯ2 膜３４を設け、このＣＶＤ・Ｓｉ
Ｏ2 膜３４に形成したコンタクトホール３５を介してア
ルミニウム蒸着膜等のプラス電極３６を設け、基板３１
の下部にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ膜によるマイナス電極３７を
設けたものである。端面３８はダイサを用いてウエハか
ら切り出したときの切断面のままであり、特にパッシベ
ーション等は施していない。As shown in FIG. 3, the LED array chip is generally provided with an n-GaAsP layer 32 and a p-type diffusion layer 33 on a substrate 31 made of n-GaAs, and a CVD / SiO 2 film on the surface thereof. 34 is provided, and this CVD / Si
A positive electrode 36 such as an aluminum vapor deposition film is provided through a contact hole 35 formed in the O 2 film 34, and the substrate 31
A minus electrode 37 made of an Au-Ge-Ni film is provided underneath. The end surface 38 is a cut surface when it is cut out from a wafer by using a dicer, and is not particularly passivated.
【０００５】ＬＥＤプリントヘッドの発光部にあって
は、図４に示されるように、ＬＥＤアレイチップ２３1
〜２３ｊを配線基板２１上のボンディングパターン４１
（４１1 ，４１2 ，…，４１ｊ）上に微小間隔ｄで順次
隣接させて配置し、それぞれボンディングパターン４１
に対し導電性の接着剤４２で接着してある。これにより
直線状の光源が形成される。一般に、ＬＥＤアレイチッ
プ２３同士の間隔ｄは２０〜３０μｍとされる。これは
各ＬＥＤアレイチップ２３内の発光点間隔と隣合うＬＥ
Ｄアレイチップ２３の端部発光点同士の間隔とが相違し
ないようにするためである。In the light emitting portion of the LED print head, as shown in FIG. 4, the LED array chip 23 1
23j to the bonding pattern 41 on the wiring board 21.
(41 1 , 41 2 , ..., 41 j) are sequentially arranged adjacent to each other at a minute interval d, and each bonding pattern 41 is formed.
It is adhered by a conductive adhesive 42. Thereby, a linear light source is formed. Generally, the distance d between the LED array chips 23 is set to 20 to 30 μm. This is the LE adjacent to the light emitting point interval in each LED array chip 23.
This is for ensuring that the distance between the end light emitting points of the D array chip 23 is not different.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、隣合うＬＥ
Ｄアレイチップが互いに接触すると電気的に導通してし
まい、チップ単位での発光制御ができなくなる。従っ
て、ＬＥＤアレイチップ２３を配線基板２１上に実装す
るときにＬＥＤアレイチップ２３が互いに接触すること
は許されない。しかし、ＬＥＤアレイチップ２３同士の
間隔ｄが狭いので、精度の良いチップ搭載機を用いても
隣接ＬＥＤアレイチップ２３同士の接触がしばしば発生
し、製造歩留まり向上の妨げとなっている。By the way, the LEs adjacent to each other
When the D array chips come into contact with each other, they are electrically conducted, and it becomes impossible to control light emission on a chip-by-chip basis. Therefore, when the LED array chips 23 are mounted on the wiring board 21, the LED array chips 23 are not allowed to contact each other. However, since the distance d between the LED array chips 23 is small, the adjacent LED array chips 23 often come into contact with each other even if a highly accurate chip mounting machine is used, which hinders the improvement of the manufacturing yield.
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、たとえＬＥＤアレイチップ同士が接触しても電気的
短絡が防止できるＬＥＤアレイチップを提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and to provide an LED array chip capable of preventing an electrical short even if the LED array chips contact each other.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体基板上に複数の発光ダイオードを直
線状に並べると共に引出電極を設けた発光ダイオードア
レイチップにおいて、上記半導体基板の発光ダイオード
並び方向両端に絶縁部を形成したものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting diode array chip in which a plurality of light emitting diodes are linearly arranged on a semiconductor substrate and extraction electrodes are provided. Insulating parts are formed at both ends in the diode arrangement direction.
【０００９】上記絶縁部は、予めウエハから上記半導体
基板を切り出すためのチップ切出し線上にガラス膜を形
成し、チップ切出しにより残留したガラスを加熱により
流動させて形成してもよい。The insulating portion may be formed by forming a glass film on a chip cutting line for cutting the semiconductor substrate from a wafer in advance and allowing the glass remaining after cutting the chip to flow by heating.
【００１０】[0010]
【作用】上記構成により、発光ダイオードアレイチップ
は両端が絶縁される。従って、たとえＬＥＤアレイチッ
プ同士が接触しても電気的短絡が防止できる。With the above structure, both ends of the light emitting diode array chip are insulated. Therefore, even if the LED array chips contact each other, an electrical short circuit can be prevented.
【００１１】予めチップ切出し線上にガラス膜を形成し
ておけば、チップ切出しにより基板の両端にガラスが残
る。この残留したガラスを加熱すると流動し、絶縁部が
形成される。If a glass film is previously formed on the chip cutting line, the glass is left on both ends of the substrate by cutting the chip. When the remaining glass is heated, it flows and an insulating portion is formed.
【００１２】[0012]
【実施例】以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【００１３】図１を用いて本発明のＬＥＤアレイチップ
の製造工程を説明する。The manufacturing process of the LED array chip of the present invention will be described with reference to FIG.
【００１４】ＬＥＤアレイチップは、１つのウエハに一
括して多数形成され、チップ切出しにより個々のＬＥＤ
アレイチップに分離される。ここでは、チップの内部構
造や引出電極については本発明と直接関係ないので図示
及び説明を省略する。A large number of LED array chips are collectively formed on one wafer, and individual LEDs are cut out by cutting the chips.
Separated into array chips. Here, since the internal structure of the chip and the extraction electrode are not directly related to the present invention, illustration and description thereof will be omitted.
【００１５】まず、図１（ａ）に示されるように、ウエ
ハ１には個々のＬＥＤアレイチップを区画するスクライ
ブエリア２が設けられる。スクライブエリア２はチップ
切出し線となる。図示したスクライブエリア２はＬＥＤ
アレイチップの長手方向（ＬＥＤの並び方向）を区画す
るスクライブエリアである。本実施例では、各スクライ
ブエリア２にはホトエッチングにより数十μｍの深さの
溝３が形成される。First, as shown in FIG. 1A, the wafer 1 is provided with a scribe area 2 for partitioning individual LED array chips. The scribe area 2 becomes a chip cutting line. The scribe area 2 shown is an LED
It is a scribe area that divides the array chip in the longitudinal direction (the LED array direction). In this embodiment, a groove 3 having a depth of several tens μm is formed in each scribe area 2 by photoetching.
【００１６】その後、図１（ｂ）に示されるように、ウ
エハ１にシリカコーティングガラス塗布液を滴下・回転
塗布し、ウエハ１表面を塗布液で覆う。そして、およそ
２００℃の乾燥器中で乾燥させ、ガラス膜４を形成す
る。Thereafter, as shown in FIG. 1B, a silica coating glass coating liquid is dropped and spin-coated on the wafer 1 to cover the surface of the wafer 1 with the coating liquid. Then, it is dried in a dryer at about 200 ° C. to form the glass film 4.
【００１７】その後、図１（ｃ）に示されるように、ド
ライエッチングによりウエハ１表面の平坦部のガラス膜
４を除去し、溝３内のみに厚くガラス膜４を残す。Thereafter, as shown in FIG. 1C, the glass film 4 on the flat portion of the surface of the wafer 1 is removed by dry etching to leave the thick glass film 4 only in the groove 3.
【００１８】次に、図１（ｄ）に示されるように、この
ウエハ１をダイサによりスクライブエリア２毎に切断す
る。こうして、個々のＬＥＤアレイチップの基板５が切
り出される。このときＬＥＤアレイチップの基板５の両
端にはそれぞれガラス４ａが残ることになる。Next, as shown in FIG. 1D, the wafer 1 is cut into scribe areas 2 by a dicer. In this way, the substrate 5 of each LED array chip is cut out. At this time, the glass 4a remains on both ends of the substrate 5 of the LED array chip.
【００１９】これらのＬＥＤアレイチップの基板５を前
述のシリカコーティングガラス膜４の乾燥温度より高い
３５０〜４５０℃で加熱処理する。このとき残留してい
たガラス４ａは加熱されたため流動し、図１（ｅ）に示
されるように、端面６へ流れる。これを冷却して固化す
ることにより絶縁部７が形成される。The substrate 5 of these LED array chips is heat-treated at 350 to 450 ° C., which is higher than the drying temperature of the silica coating glass film 4 described above. At this time, the remaining glass 4a flows due to being heated and flows to the end face 6 as shown in FIG. 1 (e). The insulating part 7 is formed by cooling and solidifying this.
【００２０】ここまでの説明で、絶縁部７の材料として
シリカコーティングガラス（商品名ＳＯＧ）を用いた
が、このほかにポリイミド樹脂を用いたり、あるいは半
導体製造工程で用いられるホトレジスト膜の材料を流用
したりすることも可能である。即ち、上記製造工程で説
明したように液状の原材料を塗布・乾燥し固体の絶縁物
とすることができる材料であれば、ガラスに限らず、有
機樹脂や感光性樹脂などでもよい。Although silica coating glass (product name SOG) is used as the material of the insulating portion 7 in the above description, polyimide resin may be used in addition to this, or the material of the photoresist film used in the semiconductor manufacturing process may be diverted. It is also possible to do. That is, as long as it is a material that can be applied with a liquid raw material and dried to form a solid insulator as described in the above manufacturing process, not only glass but also organic resin, photosensitive resin or the like may be used.
【００２１】次に実施例の作用を述べる。Next, the operation of the embodiment will be described.
【００２２】本発明のＬＥＤアレイチップは、図１
（ｅ）に示されるように、基板の両端に絶縁部７を形成
したものである。絶縁部７は、図示の関係上、大きく描
かれているが、端面６からの厚さは絶縁に必要な程度で
あり、ＬＥＤアレイチップを微小間隔ｄで配列すること
を妨げない厚さとなっている。そこで、このＬＥＤアレ
イチップを図４に示される従来例と同じように配線基板
２１上に実装する。その際、チップ搭載機を用いて隣接
ＬＥＤアレイチップ２３同士の接触がないように行われ
るが、本発明のＬＥＤアレイチップはＬＥＤ並び方向両
端が絶縁されているので、万一、ＬＥＤアレイチップ同
士が接触した場合でも電気的短絡は防止されている。従
って、このように作られたＬＥＤプリントヘッドの発光
部は、チップ単位での発光制御に支障がなく、良品とし
て扱うことができる。The LED array chip of the present invention is shown in FIG.
As shown in (e), the insulating parts 7 are formed on both ends of the substrate. Although the insulating portion 7 is drawn large for the sake of illustration, the thickness from the end face 6 is a degree necessary for insulation, and is a thickness that does not prevent the LED array chips from being arranged at a minute interval d. There is. Therefore, this LED array chip is mounted on the wiring board 21 in the same manner as the conventional example shown in FIG. At this time, the chip mounting machine is used so that the adjacent LED array chips 23 do not come into contact with each other, but the LED array chips of the present invention are insulated at both ends in the LED arranging direction. Even if they touch, an electrical short circuit is prevented. Therefore, the light emitting portion of the LED print head thus manufactured does not interfere with the light emission control in chip units and can be treated as a good product.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。The present invention exhibits the following excellent effects.
【００２４】（１）隣接ＬＥＤアレイチップ同士の接触
があっても問題とならないので、チップ搭載機の精度を
極端に高めず、従来と変らない実装工程によっても製造
歩留まりが向上する。(1) Since there is no problem even if the adjacent LED array chips contact each other, the accuracy of the chip mounting machine is not extremely increased, and the manufacturing yield is improved by the mounting process which is the same as the conventional mounting process.
【図１】本発明のＬＥＤアレイチップの製造工程をウエ
ハの部分断面で示した図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a wafer showing a manufacturing process of an LED array chip of the present invention.
【図２】ＬＥＤプリントヘッドの発光部の平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of a light emitting unit of an LED print head.
【図３】ＬＥＤアレイチップの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an LED array chip.
【図４】ＬＥＤアレイチップを配線基板に実装した平面
図及び側面図である。FIG. 4 is a plan view and a side view in which an LED array chip is mounted on a wiring board.
１ ウエハ ５ 基板 ７ 絶縁部 1 Wafer 5 Substrate 7 Insulation part
Claims (2)
直線状に並べると共に引出電極を設けた発光ダイオード
アレイチップにおいて、上記半導体基板の発光ダイオー
ド並び方向両端に絶縁部を形成したことを特徴とする発
光ダイオードアレイチップ。1. A light emitting diode array chip in which a plurality of light emitting diodes are linearly arranged on a semiconductor substrate and lead electrodes are provided, wherein insulating portions are formed at both ends of the semiconductor substrate in the light emitting diode arrangement direction. Light emitting diode array chip.
体基板を切り出すためのチップ切出し線上にガラス膜を
形成し、チップ切出しにより残留したガラスを加熱によ
り流動させて形成することを特徴とする請求項１記載の
発光ダイオードアレイチップ。2. The insulating portion is formed by forming a glass film on a chip cutting line for cutting the semiconductor substrate from a wafer in advance, and allowing the glass remaining after the chip cutting to flow by heating. Item 1. A light emitting diode array chip according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464295A JPH098345A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Light emitting diode array chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464295A JPH098345A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Light emitting diode array chip |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098345A true JPH098345A (en) | 1997-01-10 |
Family
ID=15588686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15464295A Pending JPH098345A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Light emitting diode array chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098345A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081333A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP15464295A patent/JPH098345A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081333A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof |
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