JPH0983007A - 半導体放射線検出素子 - Google Patents
半導体放射線検出素子Info
- Publication number
- JPH0983007A JPH0983007A JP7234142A JP23414295A JPH0983007A JP H0983007 A JPH0983007 A JP H0983007A JP 7234142 A JP7234142 A JP 7234142A JP 23414295 A JP23414295 A JP 23414295A JP H0983007 A JPH0983007 A JP H0983007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic insulating
- electrodes
- insulating film
- film
- detecting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造が容易で、素子表面の保護に優れたパシベ
ーション膜を有し、強度の強いハンダバンプを有した半
導体放射線検出素子を提供する。 【解決手段】半導体結晶７の一方の面に共通電極６が形
成され他方の面に複数個の画素電極５が形成されてい
る。この面を被覆するように有機絶縁膜１が形成され、
画素電極５とハンダバンプ３との接合部Ａに、エッチン
グにより開口部が形成される。さらに接合部Ａとその周
囲部分Ｂ上に、ハンダ、有機絶縁膜１および画素電極５
の金属すべてに密着性の良い金属膜２を形成し、その金
属膜２上にハンダバンプ３を形成する。こうすることで
半導体結晶がよく保護されハンダバンプの強度が強い素
子を得る。この素子を１次元状もしくは２次元状に多数
並べて劣化や画素欠け等のない優れた放射線画像計測装
置を実現できる。
ーション膜を有し、強度の強いハンダバンプを有した半
導体放射線検出素子を提供する。 【解決手段】半導体結晶７の一方の面に共通電極６が形
成され他方の面に複数個の画素電極５が形成されてい
る。この面を被覆するように有機絶縁膜１が形成され、
画素電極５とハンダバンプ３との接合部Ａに、エッチン
グにより開口部が形成される。さらに接合部Ａとその周
囲部分Ｂ上に、ハンダ、有機絶縁膜１および画素電極５
の金属すべてに密着性の良い金属膜２を形成し、その金
属膜２上にハンダバンプ３を形成する。こうすることで
半導体結晶がよく保護されハンダバンプの強度が強い素
子を得る。この素子を１次元状もしくは２次元状に多数
並べて劣化や画素欠け等のない優れた放射線画像計測装
置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療分野や非破壊
検査分野等の放射線を利用して対象物の放射線透過像を
得るための放射線画像計測装置などに適用できる半導体
放射線検出素子に関し、本発明の半導体放射線検出素子
を１次元もしくは２次元状に並べることによりラインセ
ンサや面センサとして利用できるものである。
検査分野等の放射線を利用して対象物の放射線透過像を
得るための放射線画像計測装置などに適用できる半導体
放射線検出素子に関し、本発明の半導体放射線検出素子
を１次元もしくは２次元状に並べることによりラインセ
ンサや面センサとして利用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ2 等の化合
物半導体の、相対する一方の面にバイアス供給用の共通
電極を設け、他方の面に信号取り出し用の複数個の画素
電極を設け、さらにその上にプリント基板等と接続を得
るためのハンダバンプを設けた半導体放射線検出素子
は、例えば特開平３−１８８６８４で公開されている。
図４に従来のハンダバンプ付き半導体放射線検出素子を
示す（断面図）。化合物半導体結晶７の相対する２面に
共通電極６と個別電極５が形成されており、個別電極５
にはハンダバンプ３を設けてある。また、ハンダバンプ
３と化合物半導体結晶７の間にはパシベーション膜４１
が形成されている。
物半導体の、相対する一方の面にバイアス供給用の共通
電極を設け、他方の面に信号取り出し用の複数個の画素
電極を設け、さらにその上にプリント基板等と接続を得
るためのハンダバンプを設けた半導体放射線検出素子
は、例えば特開平３−１８８６８４で公開されている。
図４に従来のハンダバンプ付き半導体放射線検出素子を
示す（断面図）。化合物半導体結晶７の相対する２面に
共通電極６と個別電極５が形成されており、個別電極５
にはハンダバンプ３を設けてある。また、ハンダバンプ
３と化合物半導体結晶７の間にはパシベーション膜４１
が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４に示された半導体
放射線検出素子の構造において、ハンダバンプ３の形状
保持と半導体表面の保護の目的で形成されているパシベ
ーション膜４１には、ＳｉＯｘやＳｉＮｘを、真空蒸着
やＥＣＲプラズマＣＶＤ等によって成膜したものが使用
されている。これらの膜は、その材質、製法の両面か
ら、化合物半導体基板７や金属の画素電極５にとって、
あまり密着性が良いものではないことがわかっている。
放射線検出素子の構造において、ハンダバンプ３の形状
保持と半導体表面の保護の目的で形成されているパシベ
ーション膜４１には、ＳｉＯｘやＳｉＮｘを、真空蒸着
やＥＣＲプラズマＣＶＤ等によって成膜したものが使用
されている。これらの膜は、その材質、製法の両面か
ら、化合物半導体基板７や金属の画素電極５にとって、
あまり密着性が良いものではないことがわかっている。
【０００４】さらにその製造方法において、ハンダバン
プ３と画素電極５との接合部Ａとなるパシベーション膜
の開口部は、リフトオフ法によって形成している。リフ
トオフ法は、膜厚が厚くなるにつれて困難になるので、
半導体表面の保護効果と製造効率とは二律背反の関係に
あった。
プ３と画素電極５との接合部Ａとなるパシベーション膜
の開口部は、リフトオフ法によって形成している。リフ
トオフ法は、膜厚が厚くなるにつれて困難になるので、
半導体表面の保護効果と製造効率とは二律背反の関係に
あった。
【０００５】また、ハンダバンプ３が検出素子と接合し
ている部分は、画素電極５との接合部Ａのみであり、そ
の接合強度を高める目的で、画素電極５の材質はハンダ
との密着強度の高いものを選択しなければならないとい
う制限があった。
ている部分は、画素電極５との接合部Ａのみであり、そ
の接合強度を高める目的で、画素電極５の材質はハンダ
との密着強度の高いものを選択しなければならないとい
う制限があった。
【０００６】本発明の目的は、上述の課題を解決し、半
導体表面がよく保護され、ハンダバンプが検出素子と高
い接合強度で接合している半導体放射線検出素子を提供
することである。
導体表面がよく保護され、ハンダバンプが検出素子と高
い接合強度で接合している半導体放射線検出素子を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、半導体結晶の相対する２面に形成された
電極のうち少なくとも１面の電極は複数個である半導体
放射線検出素子において、この複数個の電極が形成され
た面上に、この複数個の電極の各々の一部分を除いて有
機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜が形成されていない
各電極の一部分の上にハンダバンプを形成した。
決するために、半導体結晶の相対する２面に形成された
電極のうち少なくとも１面の電極は複数個である半導体
放射線検出素子において、この複数個の電極が形成され
た面上に、この複数個の電極の各々の一部分を除いて有
機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜が形成されていない
各電極の一部分の上にハンダバンプを形成した。
【０００８】さらに別の解決手段として、半導体結晶の
相対する２面に形成された電極のうち少なくとも１面の
電極は複数個である半導体放射線検出素子において、前
記複数個の電極が形成された面上に、この複数個の電極
の各々の一部分を除いて有機絶縁膜を形成し、この有機
絶縁膜が形成されていない各電極の一部分の上とその周
囲の有機絶縁膜上に、１層または多層の金属膜を形成
し、その金属膜上にハンダバンプを形成した。
相対する２面に形成された電極のうち少なくとも１面の
電極は複数個である半導体放射線検出素子において、前
記複数個の電極が形成された面上に、この複数個の電極
の各々の一部分を除いて有機絶縁膜を形成し、この有機
絶縁膜が形成されていない各電極の一部分の上とその周
囲の有機絶縁膜上に、１層または多層の金属膜を形成
し、その金属膜上にハンダバンプを形成した。
【０００９】本発明では、パシベーション膜として、低
温焼成が可能で、多種の物質と密着性が良く、エッチン
グによりパターン形成が可能な、ポリイミド、ポリアミ
ド等の有機絶縁膜を用いる。その形成は、２００゜Ｃ〜
３００゜Ｃの比較的低温での焼成で可能であるので、高
温で変成するＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用
いた半導体放射線検出素子に適している。この有機絶縁
膜は、ハンダ以外の多種の物質と密着性が良く、耐薬液
性に優れていることと、エッチングによりパターン形成
ができるため、厚膜の形成が容易であることから、ハン
ダバンプの形状保持と素子表面の保護に優れた効果を示
す。
温焼成が可能で、多種の物質と密着性が良く、エッチン
グによりパターン形成が可能な、ポリイミド、ポリアミ
ド等の有機絶縁膜を用いる。その形成は、２００゜Ｃ〜
３００゜Ｃの比較的低温での焼成で可能であるので、高
温で変成するＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用
いた半導体放射線検出素子に適している。この有機絶縁
膜は、ハンダ以外の多種の物質と密着性が良く、耐薬液
性に優れていることと、エッチングによりパターン形成
ができるため、厚膜の形成が容易であることから、ハン
ダバンプの形状保持と素子表面の保護に優れた効果を示
す。
【００１０】さらに、ハンダバンプを、画素電極との接
合部だけでなく、有機絶縁膜上の、接合部の周囲部分に
も、密着性の高い金属膜を介して接合させることによ
り、ハンダバンプと検出素子との接合面積が増加しその
接合強度が格段に強くなる。この金属膜は、最上層がハ
ンダと密着性が良い金属で、最下層が有機絶縁膜および
画素電極と密着性の良い金属からなる多層膜であっても
よい。
合部だけでなく、有機絶縁膜上の、接合部の周囲部分に
も、密着性の高い金属膜を介して接合させることによ
り、ハンダバンプと検出素子との接合面積が増加しその
接合強度が格段に強くなる。この金属膜は、最上層がハ
ンダと密着性が良い金属で、最下層が有機絶縁膜および
画素電極と密着性の良い金属からなる多層膜であっても
よい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下、図
面に基づいて説明する。図１は、請求項１に記載された
発明の一実施の形態を示す図（断面図）である。半導体
結晶７の相対する２面の一方の面に共通電極６が形成さ
れ、他方の面に複数個の画素電極５が形成されている。
この画素電極５が形成されている面全体を被覆するよう
に有機絶縁膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの
部分にエッチングにより有機絶縁膜の開口部が形成され
る。この部分がハンダバンプとの接合部となる。さらに
その接合部Ａ上に、Ａｕ、Ａｌ等のメッキ電流供給用金
属膜４を介して、ハンダバンプ３が電気メッキにより形
成される。メッキ電流供給用金属膜４は、ハンダバンプ
３を形成した後に、接合部Ａの部分を除いてリフトオ
フ、エッチング等の方法で除去される。以上の工程にお
いて、パターン形成は、フォトレジスト塗布、プリベー
ク、パターン露光、現像からなるフォトリソグラフィの
手法により行われる。
面に基づいて説明する。図１は、請求項１に記載された
発明の一実施の形態を示す図（断面図）である。半導体
結晶７の相対する２面の一方の面に共通電極６が形成さ
れ、他方の面に複数個の画素電極５が形成されている。
この画素電極５が形成されている面全体を被覆するよう
に有機絶縁膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの
部分にエッチングにより有機絶縁膜の開口部が形成され
る。この部分がハンダバンプとの接合部となる。さらに
その接合部Ａ上に、Ａｕ、Ａｌ等のメッキ電流供給用金
属膜４を介して、ハンダバンプ３が電気メッキにより形
成される。メッキ電流供給用金属膜４は、ハンダバンプ
３を形成した後に、接合部Ａの部分を除いてリフトオ
フ、エッチング等の方法で除去される。以上の工程にお
いて、パターン形成は、フォトレジスト塗布、プリベー
ク、パターン露光、現像からなるフォトリソグラフィの
手法により行われる。
【００１２】また、電極５、６に用いる金属種は、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。メッキ電流供給用金属膜４も、Ａｕ、Ａ
ｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜であってもよ
い。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミドが用いら
れるが、これ以外のものでも焼成温度が３００゜Ｃ以下
で耐薬液性のものであればよい。
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。メッキ電流供給用金属膜４も、Ａｕ、Ａ
ｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜であってもよ
い。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミドが用いら
れるが、これ以外のものでも焼成温度が３００゜Ｃ以下
で耐薬液性のものであればよい。
【００１３】図２は、請求項２に記載された発明の一実
施の形態を示す図（断面図）である。半導体結晶７の相
対する２面の一方の面に共通電極６が形成され、他方の
面に複数個の画素電極５が形成されている。この画素電
極５が形成されている面全体を被覆するように有機絶縁
膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの部分にエッ
チングにより有機絶縁膜の開口部が形成される。この部
分がハンダバンプとの接合部となる。さらに接合部Ａと
その周囲部分Ｂ上に、Ａｌ、Ｎｉ等の接着用金属膜２が
形成される。さらにその接着用金属膜２上に、Ａｕ、Ａ
ｌ等のメッキ電流供給用金属膜４を介して、ハンダバン
プ３が電気メッキにより形成される。メッキ電流供給用
金属膜４は、ハンダバンプ３を形成した後に、接着用金
属膜２の部分を除いてリフトオフ、エッチング等の方法
で除去される。以上の工程において、パターン形成は、
フォトレジスト塗布、プリベーク、パターン露光、現像
からなるフォトリソグラフィの手法により行われる。
施の形態を示す図（断面図）である。半導体結晶７の相
対する２面の一方の面に共通電極６が形成され、他方の
面に複数個の画素電極５が形成されている。この画素電
極５が形成されている面全体を被覆するように有機絶縁
膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの部分にエッ
チングにより有機絶縁膜の開口部が形成される。この部
分がハンダバンプとの接合部となる。さらに接合部Ａと
その周囲部分Ｂ上に、Ａｌ、Ｎｉ等の接着用金属膜２が
形成される。さらにその接着用金属膜２上に、Ａｕ、Ａ
ｌ等のメッキ電流供給用金属膜４を介して、ハンダバン
プ３が電気メッキにより形成される。メッキ電流供給用
金属膜４は、ハンダバンプ３を形成した後に、接着用金
属膜２の部分を除いてリフトオフ、エッチング等の方法
で除去される。以上の工程において、パターン形成は、
フォトレジスト塗布、プリベーク、パターン露光、現像
からなるフォトリソグラフィの手法により行われる。
【００１４】また、電極５、６に用いる金属種は、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。接着用金属膜２の大きさ（Ａ＋Ｂ）は、
互いに隣接している電極間で接触しなければ如何ほどで
もよい。材質もＡｌ、Ｎｉに限定されず、ハンダと有機
絶縁膜１および画素電極５の金属すべてに密着性の良い
金属であればよい。メッキ電流供給用金属４も、Ａｕ、
Ａｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜であってもよ
い。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミドが用いら
れるが、これ以外のものでも焼成温度が３００゜Ｃ以下
で耐薬液性のものであればよい。
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。接着用金属膜２の大きさ（Ａ＋Ｂ）は、
互いに隣接している電極間で接触しなければ如何ほどで
もよい。材質もＡｌ、Ｎｉに限定されず、ハンダと有機
絶縁膜１および画素電極５の金属すべてに密着性の良い
金属であればよい。メッキ電流供給用金属４も、Ａｕ、
Ａｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜であってもよ
い。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミドが用いら
れるが、これ以外のものでも焼成温度が３００゜Ｃ以下
で耐薬液性のものであればよい。
【００１５】図３は、請求項２に記載された発明の他の
実施の形態を示す図（断面図）である。半導体結晶７の
相対する２面の一方の面に共通電極６が形成され、他方
の面に複数個の画素電極５が形成されている。この画素
電極５が形成されている面全体を被覆するように有機絶
縁膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの部分にエ
ッチングにより開口部が形成される。この部分がハンダ
バンプとの接合部となる。さらに接合部Ａとその周囲部
分Ｂ上に、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｎｉ等の多層の接着用金属膜２
１＋２２＋２３が形成される。さらにその接着用金属膜
の最上層２１の上に、Ａｕ、Ａｌ等のメッキ電流供給用
金属膜４を介して、ハンダバンプ３が電気メッキにより
形成される。メッキ電流供給用金属膜４は、ハンダバン
プ３を形成した後に、接着用金属膜２１＋２２＋２３の
部分を除いてリフトオフ、エッチング等の方法で除去さ
れる。以上の工程において、パターン形成は、フォトレ
ジスト塗布、プリベーク、パターン露光、現像からなる
フォトリソグラフィの手法により行われる。
実施の形態を示す図（断面図）である。半導体結晶７の
相対する２面の一方の面に共通電極６が形成され、他方
の面に複数個の画素電極５が形成されている。この画素
電極５が形成されている面全体を被覆するように有機絶
縁膜１が形成され、各画素電極５の中央部Ａの部分にエ
ッチングにより開口部が形成される。この部分がハンダ
バンプとの接合部となる。さらに接合部Ａとその周囲部
分Ｂ上に、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｎｉ等の多層の接着用金属膜２
１＋２２＋２３が形成される。さらにその接着用金属膜
の最上層２１の上に、Ａｕ、Ａｌ等のメッキ電流供給用
金属膜４を介して、ハンダバンプ３が電気メッキにより
形成される。メッキ電流供給用金属膜４は、ハンダバン
プ３を形成した後に、接着用金属膜２１＋２２＋２３の
部分を除いてリフトオフ、エッチング等の方法で除去さ
れる。以上の工程において、パターン形成は、フォトレ
ジスト塗布、プリベーク、パターン露光、現像からなる
フォトリソグラフィの手法により行われる。
【００１６】また、電極５、６に用いる金属種は、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。接着用金属膜２１＋２２＋２３の大きさ
（Ａ＋Ｂ）は、互いに隣接している電極間で接触しなけ
れば如何ほどでもよい。材質も最上層２１がハンダと密
着性が良く、最下層２３が有機絶縁膜１および画素電極
５の金属と密着性が良ければ、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｎｉに限ら
ず、Ａｕ＋Ｐｔ＋Ｔｉ、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｃｒ等の多層膜で
あっても構わない。中間層２２は、最上層２１の金属と
最下層２３の金属との密着性が良くないときにはさむ金
属であるので、多層膜であってもよく、また中間層２２
がなくてもよい場合もある。メッキ電流供給用金属４
も、Ａｕ、Ａｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜で
あってもよい。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミ
ドが用いられるが、これ以外のものでも焼成温度が３０
０゜Ｃ以下で耐薬液性のものであればよい。
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ等が用いられ、特別に限定される
ものではない。接着用金属膜２１＋２２＋２３の大きさ
（Ａ＋Ｂ）は、互いに隣接している電極間で接触しなけ
れば如何ほどでもよい。材質も最上層２１がハンダと密
着性が良く、最下層２３が有機絶縁膜１および画素電極
５の金属と密着性が良ければ、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｎｉに限ら
ず、Ａｕ＋Ｐｔ＋Ｔｉ、Ａｕ＋Ｃｕ＋Ｃｒ等の多層膜で
あっても構わない。中間層２２は、最上層２１の金属と
最下層２３の金属との密着性が良くないときにはさむ金
属であるので、多層膜であってもよく、また中間層２２
がなくてもよい場合もある。メッキ電流供給用金属４
も、Ａｕ、Ａｌに限定されず、Ａｕ＋Ｎｉ等の多層膜で
あってもよい。有機絶縁膜１は、ポリイミド、ポリアミ
ドが用いられるが、これ以外のものでも焼成温度が３０
０゜Ｃ以下で耐薬液性のものであればよい。
【００１７】上記３つの実施の形態で使用される半導体
結晶７として、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ2 、ＣｄＺ
ｎＴｅ等の化合物半導体結晶が用いられる、これら以外
の化合物半導体結晶および有機半導体結晶、さらには単
体半導体結晶に対しても本発明は適用できるものであ
る。また、図１ないし図３は本発明の半導体放射線検出
素子の側面からみた断面図であるので、複数個の画素電
極５やハンダバンプ３等が１次元状に配列されているよ
うに見受けられるが、本発明は画素電極５などが２次元
状に配列されている場合も含むことは言うまでもない。
結晶７として、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ2 、ＣｄＺ
ｎＴｅ等の化合物半導体結晶が用いられる、これら以外
の化合物半導体結晶および有機半導体結晶、さらには単
体半導体結晶に対しても本発明は適用できるものであ
る。また、図１ないし図３は本発明の半導体放射線検出
素子の側面からみた断面図であるので、複数個の画素電
極５やハンダバンプ３等が１次元状に配列されているよ
うに見受けられるが、本発明は画素電極５などが２次元
状に配列されている場合も含むことは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】本発明の半導体放射線検出素子は、半導
体結晶とハンダバンプとの間に素子表面の保護の点で優
れた有機絶縁膜を形成し、強度の強いハンダバンプを有
しているので、半導体表面がよく保護され、特性の劣化
やハンダバンプの欠損などが起こりにくい。本発明の半
導体放射線検出素子を１次元状もしくは２次元状に多数
並べることで、劣化や画素欠け等のない優れた放射線画
像計測装置を実現することができる。
体結晶とハンダバンプとの間に素子表面の保護の点で優
れた有機絶縁膜を形成し、強度の強いハンダバンプを有
しているので、半導体表面がよく保護され、特性の劣化
やハンダバンプの欠損などが起こりにくい。本発明の半
導体放射線検出素子を１次元状もしくは２次元状に多数
並べることで、劣化や画素欠け等のない優れた放射線画
像計測装置を実現することができる。
【図１】請求項１に記載された発明の一実施の形態を示
す図（断面図）である。
す図（断面図）である。
【図２】請求項２に記載された発明の一実施の形態を示
す図（断面図）である。
す図（断面図）である。
【図３】請求項２に記載された発明の他の実施の形態を
示す図（断面図）である。
示す図（断面図）である。
【図４】従来のハンダバンプ付き放射線検出素子の構造
を示す図（断面図）である。
を示す図（断面図）である。
１…有機絶縁膜 ２…接着用金属膜 ３…ハンダバンプ ４…メッキ電流供給用金属膜 ５…画素電極 ６…共通電極 ７…半導体結晶 ２１…接着用金属膜上層 ２２…接着用金属膜中間層 ２３…接着用金属膜下層 ４１…パシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体結晶の相対する２面に形成された
電極のうち少なくとも１面の電極は複数個である半導体
放射線検出素子において、この複数個の電極が形成され
た面上に、この複数個の電極の各々の一部分を除いて有
機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜が形成されていない
各電極の一部分の上にハンダバンプを形成したことを特
徴とする半導体放射線検出素子。 - 【請求項２】 半導体結晶の相対する２面に形成された
電極のうち少なくとも１面の電極は複数個である半導体
放射線検出素子において、前記複数個の電極が形成され
た面上に、この複数個の電極の各々の一部分を除いて有
機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜が形成されていない
各電極の一部分の上とその周囲の有機絶縁膜上に、１層
または多層の金属膜を形成し、その金属膜上にハンダバ
ンプを形成したことを特徴とする半導体放射線検出素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234142A JPH0983007A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234142A JPH0983007A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体放射線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983007A true JPH0983007A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16966307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7234142A Withdrawn JPH0983007A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983007A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2319394A (en) * | 1996-12-27 | 1998-05-20 | Simage Oy | Bump-bonded semiconductor imaging device |
| JP2006504257A (ja) * | 2002-10-23 | 2006-02-02 | ゴールドパワー リミテッド | 半導体基板上における接点の形成 |
| JP2014529728A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-11-13 | アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャＡｌｍａ Ｍａｔｅｒ Ｓｔｕｄｉｏｒｕｍ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔａ Ｄｉ Ｂｏｌｏｇｎａ | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
| KR20150038341A (ko) * | 2012-07-31 | 2015-04-08 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | Ｘ-선 방사선 검출기 및 ｃｔ 시스템 |
| CN117894813A (zh) * | 2024-03-13 | 2024-04-16 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 光电探测器的制备方法 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP7234142A patent/JPH0983007A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2319394A (en) * | 1996-12-27 | 1998-05-20 | Simage Oy | Bump-bonded semiconductor imaging device |
| GB2319394B (en) * | 1996-12-27 | 1998-10-28 | Simage Oy | Bump-bonded semiconductor imaging device |
| US5952646A (en) * | 1996-12-27 | 1999-09-14 | Simage Oy | Low temperature bump-bonding semiconductor imaging device |
| JP2006504257A (ja) * | 2002-10-23 | 2006-02-02 | ゴールドパワー リミテッド | 半導体基板上における接点の形成 |
| USRE43948E1 (en) | 2002-10-23 | 2013-01-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Formation of contacts on semiconductor substrates |
| JP2014529728A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-11-13 | アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャＡｌｍａ Ｍａｔｅｒ Ｓｔｕｄｉｏｒｕｍ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔａ Ｄｉ Ｂｏｌｏｇｎａ | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
| KR20150038341A (ko) * | 2012-07-31 | 2015-04-08 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | Ｘ-선 방사선 검출기 및 ｃｔ 시스템 |
| US9400335B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray radiation detector and CT system |
| CN117894813A (zh) * | 2024-03-13 | 2024-04-16 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 光电探测器的制备方法 |
| CN117894813B (zh) * | 2024-03-13 | 2024-06-11 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 光电探测器的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3494948B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR101010374B1 (ko) | 전자 회로의 접속 구조와 그 접속 방법 | |
| TWI484532B (zh) | 晶圓之接合方法及接合部之構造 | |
| US8907407B2 (en) | Semiconductor device covered by front electrode layer and back electrode layer | |
| TW200540506A (en) | Electrooptical device and electronic equipment | |
| JP2006245098A (ja) | 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2006352430A (ja) | 圧電デバイスとその製造方法 | |
| JPWO2019004264A1 (ja) | 電子部品モジュール及びその製造方法 | |
| JPH0983007A (ja) | 半導体放射線検出素子 | |
| US4945240A (en) | Thermal imaging device | |
| JP2006504257A (ja) | 半導体基板上における接点の形成 | |
| TWI246733B (en) | Fabrication method of under bump metallurgy structure | |
| JP3370663B2 (ja) | 半導体放射線検出素子アレイおよびはんだバンプの作成方法 | |
| WO2010090188A1 (ja) | 輻射センサおよびその製造方法 | |
| KR100862379B1 (ko) | 표면탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH0983008A (ja) | 半導体放射線検出素子 | |
| WO2008032566A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur et procédé pour le fabriquer | |
| JP2008064516A (ja) | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 | |
| JP4371679B2 (ja) | 半導体集積装置及びその製造方法 | |
| US20100289149A1 (en) | Semiconductor component and assumbly with projecting electrode | |
| JP3874059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002043558A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH02205081A (ja) | 熱電装置の製造方法 | |
| JP6544440B2 (ja) | 半導体検出器 | |
| JPS62293763A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040203 |