JPH098175A - 多層プリント基板のボンディング用棚形成方法 - Google Patents
多層プリント基板のボンディング用棚形成方法Info
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- JPH098175A JPH098175A JP7171391A JP17139195A JPH098175A JP H098175 A JPH098175 A JP H098175A JP 7171391 A JP7171391 A JP 7171391A JP 17139195 A JP17139195 A JP 17139195A JP H098175 A JPH098175 A JP H098175A
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多段のボンディング棚付きプリント基板を容易
に製造可能とし、半導体チップ等を搭載するプリント配
線板を高精度・低コストで製造できるようにし、もって
それを利用したボンディング棚付きピングリッドアレイ
用プリント基板や、ボールグリッドアレイ用プリント基
板も高精度・低コストで製造可能とする。 【構成】多層プリント基板のボンディング用棚形成方法
であり、内部に回路7を形成した多層プリント基板にお
いて、多層構造の内部に予めボンディング用端子15を
形成しておき、その後に内層2の端子15の上部にある
樹脂層8を除去し開口することにより、端子15が露出
したボンディング用棚12を形成するようにしたもの。
に製造可能とし、半導体チップ等を搭載するプリント配
線板を高精度・低コストで製造できるようにし、もって
それを利用したボンディング棚付きピングリッドアレイ
用プリント基板や、ボールグリッドアレイ用プリント基
板も高精度・低コストで製造可能とする。 【構成】多層プリント基板のボンディング用棚形成方法
であり、内部に回路7を形成した多層プリント基板にお
いて、多層構造の内部に予めボンディング用端子15を
形成しておき、その後に内層2の端子15の上部にある
樹脂層8を除去し開口することにより、端子15が露出
したボンディング用棚12を形成するようにしたもの。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層構造のプリント基
板の回路端子即ちボンディング端子を、半導体チップ等
の電子部品(以下半導体チップ等という)とワイヤーボ
ンディングするため、内層のボンディング端子が露出し
たボンディング用棚を形成する方法に関する。
板の回路端子即ちボンディング端子を、半導体チップ等
の電子部品(以下半導体チップ等という)とワイヤーボ
ンディングするため、内層のボンディング端子が露出し
たボンディング用棚を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、プリント基板の多様化・高級化に
伴い、プリント基板を多層化してその一部を開口し、該
開口部に半導体チップ等を搭載して、プリント基板との
間でワイヤーボンディングする実装方法が増加してい
る。特にマルチチップモジュール、ボールグリッドアレ
イ、放熱フラットバック等のパッケージでは、これら半
導体チップ等とプリント基板とをワイヤーボンディング
することが多い。
伴い、プリント基板を多層化してその一部を開口し、該
開口部に半導体チップ等を搭載して、プリント基板との
間でワイヤーボンディングする実装方法が増加してい
る。特にマルチチップモジュール、ボールグリッドアレ
イ、放熱フラットバック等のパッケージでは、これら半
導体チップ等とプリント基板とをワイヤーボンディング
することが多い。
【0003】さらに、半導体チップ等が高密度化・多ピ
ン化したことにより、これらと接続するボンディング用
ワイヤーの必要本数も増加するので、プリント基板の1
面だけではボンディング端子の本数を充分に確保できな
い。そこで、プリント基板も高密度化・多層化する必要
があり、各層でボンディング端子が露出する階段状のボ
ンディング用棚を形成することが行われてきた。例え
ば、米国特許第5235211号で、先行技術を示す図
1に描かれているのがこれである。
ン化したことにより、これらと接続するボンディング用
ワイヤーの必要本数も増加するので、プリント基板の1
面だけではボンディング端子の本数を充分に確保できな
い。そこで、プリント基板も高密度化・多層化する必要
があり、各層でボンディング端子が露出する階段状のボ
ンディング用棚を形成することが行われてきた。例え
ば、米国特許第5235211号で、先行技術を示す図
1に描かれているのがこれである。
【0004】そして、プリント基板にボンディング用棚
を形成する従来手段は、例えば特公平2−5014号公
報に示されている。イ)その1つは、同公報で従来例を
示す第2図AとBに描かれているものであり、これを簡
略化して示すと本願の図9ないし図13の如くになる。
を形成する従来手段は、例えば特公平2−5014号公
報に示されている。イ)その1つは、同公報で従来例を
示す第2図AとBに描かれているものであり、これを簡
略化して示すと本願の図9ないし図13の如くになる。
【0005】即ち、回路27が形成された基材26の基
板25と、それ以外に予め、大きさが異なる開口30,
31が形成され、かつ回路32,33を形成されたた複
数枚の基材28,29─を用意し、上記基板25上に開
口30,31の小さい基材28から順次、接着シートま
たはプリプレグ34により貼り付けて積層・多層化す
る。これで中央部寄りに、開口が階段状となって形成さ
れるので、最下段の開口をキャビティ部にして、各開口
30,31周辺の各段部をボンディング端子37,38
が露出したボンディング用棚35,36が形成される。
なお各回路27,28,28はスルホール又はブライン
ドヴィアホール(図示略)で導通される。
板25と、それ以外に予め、大きさが異なる開口30,
31が形成され、かつ回路32,33を形成されたた複
数枚の基材28,29─を用意し、上記基板25上に開
口30,31の小さい基材28から順次、接着シートま
たはプリプレグ34により貼り付けて積層・多層化す
る。これで中央部寄りに、開口が階段状となって形成さ
れるので、最下段の開口をキャビティ部にして、各開口
30,31周辺の各段部をボンディング端子37,38
が露出したボンディング用棚35,36が形成される。
なお各回路27,28,28はスルホール又はブライン
ドヴィアホール(図示略)で導通される。
【0006】ロ)また、上記特公平2−5014号公報
に記載の発明は、上記イ)との相違点を中心に述べる
と、上記イ)と同様な基板の上に複数枚の基材を積層し
多層化するとともに、該基材上面に開口の無い上基材を
積層して内部を密閉し、積層されたこれら基材にスルホ
ールとメッキを施し、最後に上基材に開口を形成するよ
うにしたものである。
に記載の発明は、上記イ)との相違点を中心に述べる
と、上記イ)と同様な基板の上に複数枚の基材を積層し
多層化するとともに、該基材上面に開口の無い上基材を
積層して内部を密閉し、積層されたこれら基材にスルホ
ールとメッキを施し、最後に上基材に開口を形成するよ
うにしたものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ボンディング用棚を形成する手段の内、イ)で述べたも
のは、スルホールに無電解銅メッキ等を施す際に、基板
上の銅箔やボンディング用棚のボンディング端子、さら
にはボンディング棚の壁面や回路の絶縁物等にメッキが
析出してしまう、という問題点があった。
ボンディング用棚を形成する手段の内、イ)で述べたも
のは、スルホールに無電解銅メッキ等を施す際に、基板
上の銅箔やボンディング用棚のボンディング端子、さら
にはボンディング棚の壁面や回路の絶縁物等にメッキが
析出してしまう、という問題点があった。
【0008】他方、ロ)で述べたものは、最後に上板に
開口を形成するので、不要な無電解メッキが基板上の銅
箔やボンディング端子に付着するのを阻止できる。しか
し上記イ)と同様に、各基材を貼り付けるのに、接着シ
ートやプリプレグを用いて、高圧プレスで圧着・熱キュ
アされているため、次のような問題点が残っている。
開口を形成するので、不要な無電解メッキが基板上の銅
箔やボンディング端子に付着するのを阻止できる。しか
し上記イ)と同様に、各基材を貼り付けるのに、接着シ
ートやプリプレグを用いて、高圧プレスで圧着・熱キュ
アされているため、次のような問題点が残っている。
【0009】a)上記接着シートやプリプレグが、高圧
プレスで圧着・熱キュアする際に樹脂が各段部で開口側
へ滲み出てきて、ボンディング端子の接触不良の原因と
なる場合がある。 b)樹脂の滲み出しを避けるため圧着時の圧力を下げる
と、樹脂のフローが不十分となり、各層間の回路を埋め
るだけ行きわたらず、品質上・信頼性に問題が生じる場
合がある。 c)また予め回路や開口を形成した各基材を積層・多層
化するので、貼り付ける際に高い位置精度が要求され、
位置決めピン等を用いて積層しているが、導体チップ等
やプリント基板が高密度化し、更に厳しい位置精度が要
求されるようになり、必要な位置精度を得られず、歩留
りが低下してきている。
プレスで圧着・熱キュアする際に樹脂が各段部で開口側
へ滲み出てきて、ボンディング端子の接触不良の原因と
なる場合がある。 b)樹脂の滲み出しを避けるため圧着時の圧力を下げる
と、樹脂のフローが不十分となり、各層間の回路を埋め
るだけ行きわたらず、品質上・信頼性に問題が生じる場
合がある。 c)また予め回路や開口を形成した各基材を積層・多層
化するので、貼り付ける際に高い位置精度が要求され、
位置決めピン等を用いて積層しているが、導体チップ等
やプリント基板が高密度化し、更に厳しい位置精度が要
求されるようになり、必要な位置精度を得られず、歩留
りが低下してきている。
【0010】本発明は、上記従来の多層プリント基板の
ボンディング用棚形成方法がもつ問題点を解決しようと
するものである。即ち本発明の目的は、多段のワイヤー
ボンディング棚を有するプリント基板を容易に製造可能
とし、半導体チップ等を搭載するプリント基板を高精度
・低コストで製造できるようにし、もって多段ボンディ
ング用棚を有するピングリッドアレイ用プリント基板
や、ボールグリッドアレイ用プリント基板をも高精度・
低コストで製造できるようにすることにある。
ボンディング用棚形成方法がもつ問題点を解決しようと
するものである。即ち本発明の目的は、多段のワイヤー
ボンディング棚を有するプリント基板を容易に製造可能
とし、半導体チップ等を搭載するプリント基板を高精度
・低コストで製造できるようにし、もって多段ボンディ
ング用棚を有するピングリッドアレイ用プリント基板
や、ボールグリッドアレイ用プリント基板をも高精度・
低コストで製造できるようにすることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層プリン
ト基板のボンディング用棚形成方法は、内部に回路7─
を形成した多層プリント基板において、多層構造の内部
に予めボンディング用端子15─を形成しておき、その
後に内層2─の端子15─の上部にある樹脂層8─を除
去し開口することにより、端子15─が露出したボンデ
ィング用棚12─を形成するようにしたものである。
ト基板のボンディング用棚形成方法は、内部に回路7─
を形成した多層プリント基板において、多層構造の内部
に予めボンディング用端子15─を形成しておき、その
後に内層2─の端子15─の上部にある樹脂層8─を除
去し開口することにより、端子15─が露出したボンデ
ィング用棚12─を形成するようにしたものである。
【0012】上記構成において、多層は図示実施例の3
層構造に限らず、2層でも4層以上としてもよい。また
多層化は、基板1上に順次各層2─を形成し積層しても
よいし(ビルドアップ法)、あるいはプリプレグ等を用
いて従来の多層板の形成法により予め積層形成してもよ
い。
層構造に限らず、2層でも4層以上としてもよい。また
多層化は、基板1上に順次各層2─を形成し積層しても
よいし(ビルドアップ法)、あるいはプリプレグ等を用
いて従来の多層板の形成法により予め積層形成してもよ
い。
【0013】内層2の樹脂層8─は後の除去を容易にす
るため、ガラス繊維を含まず有機繊維を含む繊維−樹脂
複合体とすることが望ましい。しかしこれに限らず、各
種熱硬化性・熱可塑性の樹脂の単体又は複合体を用いた
ものでも良く、フィルム状やシート状としてもよい。さ
らにこれらの樹脂には、後の除去工程に支承のない程度
で、無機質の充填材を含むことができる。
るため、ガラス繊維を含まず有機繊維を含む繊維−樹脂
複合体とすることが望ましい。しかしこれに限らず、各
種熱硬化性・熱可塑性の樹脂の単体又は複合体を用いた
ものでも良く、フィルム状やシート状としてもよい。さ
らにこれらの樹脂には、後の除去工程に支承のない程度
で、無機質の充填材を含むことができる。
【0014】樹脂層8─の形成は、例えば樹脂の塗付・
積層・コーティング・貼り合わせ等によればよい。積層
の場合の回路7─の形成は、上面へ銅箔を同時に積層す
ればよいが、他の場合は後のメッキや貼り付けによって
導通層を形成してもよい。
積層・コーティング・貼り合わせ等によればよい。積層
の場合の回路7─の形成は、上面へ銅箔を同時に積層す
ればよいが、他の場合は後のメッキや貼り付けによって
導通層を形成してもよい。
【0015】多層化後に内層2─のボンディング端子1
5─の上部の樹脂層8─を除去し、相対位置のボンディ
ング端子15─との間に開口10─を形成するするが、
この樹脂層8─の除去・開口方法は、例えば機械加工、
化学エッチング、レーザー加工あるいはプラズマ加工等
で行えばよい。基板1にも開口を設ける場合は、その一
部を上記方法によって除去してもよいが、それほど精度
を要求されないので、切削やパンチング加工で行っても
よい。
5─の上部の樹脂層8─を除去し、相対位置のボンディ
ング端子15─との間に開口10─を形成するするが、
この樹脂層8─の除去・開口方法は、例えば機械加工、
化学エッチング、レーザー加工あるいはプラズマ加工等
で行えばよい。基板1にも開口を設ける場合は、その一
部を上記方法によって除去してもよいが、それほど精度
を要求されないので、切削やパンチング加工で行っても
よい。
【0016】ボンディング端子15─の上部の樹脂層8
─を除去し開口10─が形成されることで、該ボンディ
ング端子15が露出したボンディング用棚12─が形成
される。
─を除去し開口10─が形成されることで、該ボンディ
ング端子15が露出したボンディング用棚12─が形成
される。
【0017】図において、4は基板1の基材で、5はそ
の上面の回路、6は内層2の樹脂層で、7はその上面の
回路、8は上層3の樹脂層を示す。9はその上面の銅箔
で、後に回路やボンディング端子16が形成されるもの
を示すが、樹脂の除去をエッチング等で行う場合は、除
去が完了するまでの間、これは銅箔のまま残され、マス
キング材として使用することができる。この場合には、
ボンディング用棚7や最下段の銅箔5は、エッチングが
それより下へ行かぬためのマスクング材ともなる。レー
ザーやプラズマ加工でエッチングするする場合にその作
用が著しい。また、これらの棚を形成すべく樹脂を取り
除いた後、ボンディング用棚等の仕上げのため、金メッ
キ等を施せばよい。10,11は樹脂層8─を除去して
生じる開口を示す。なお最下段の開口は後に半導体チッ
プ13等を搭載するキャビティ部とすることができ、こ
のため最後にパンチング等で開口してもよい。
の上面の回路、6は内層2の樹脂層で、7はその上面の
回路、8は上層3の樹脂層を示す。9はその上面の銅箔
で、後に回路やボンディング端子16が形成されるもの
を示すが、樹脂の除去をエッチング等で行う場合は、除
去が完了するまでの間、これは銅箔のまま残され、マス
キング材として使用することができる。この場合には、
ボンディング用棚7や最下段の銅箔5は、エッチングが
それより下へ行かぬためのマスクング材ともなる。レー
ザーやプラズマ加工でエッチングするする場合にその作
用が著しい。また、これらの棚を形成すべく樹脂を取り
除いた後、ボンディング用棚等の仕上げのため、金メッ
キ等を施せばよい。10,11は樹脂層8─を除去して
生じる開口を示す。なお最下段の開口は後に半導体チッ
プ13等を搭載するキャビティ部とすることができ、こ
のため最後にパンチング等で開口してもよい。
【0018】
【作用】本発明に係る多層プリント基板のボンディング
用棚形成方法は、上記の如く内部に回路7─を形成した
多層プリント基板において、多層構造の内部に予めボン
ディング用端子15─を形成しておき、その後に内層2
の端子15─の上部にある樹脂層8─を除去して開口す
ることにより、端子15─が露出したボンディング用棚
12─を形成するようにしたものである。
用棚形成方法は、上記の如く内部に回路7─を形成した
多層プリント基板において、多層構造の内部に予めボン
ディング用端子15─を形成しておき、その後に内層2
の端子15─の上部にある樹脂層8─を除去して開口す
ることにより、端子15─が露出したボンディング用棚
12─を形成するようにしたものである。
【0019】そのため、従来のものが予め透孔を形成し
た各層を、プリプレグや接着シートを間に加熱・加圧し
て積層化するのと異なり、樹脂が各段部で開口10─側
へ滲み出して、ボンディング端子15─の接触不良を生
じるようなことが無くなる。
た各層を、プリプレグや接着シートを間に加熱・加圧し
て積層化するのと異なり、樹脂が各段部で開口10─側
へ滲み出して、ボンディング端子15─の接触不良を生
じるようなことが無くなる。
【0020】また、従来のように樹脂の滲み出しを避け
るため圧着時の圧力を下げる必要もないので、樹脂はフ
ローが充分に行われ各回路5,7─を埋めるだけ充分に
行き渡り、品質上・信頼性の高いものが得られる。
るため圧着時の圧力を下げる必要もないので、樹脂はフ
ローが充分に行われ各回路5,7─を埋めるだけ充分に
行き渡り、品質上・信頼性の高いものが得られる。
【0021】更に、従来の回路や開口を予め形成し基材
等を積層・多層化するのと異なり、内層2─のボンディ
ング端子15の上部の部脂層8─を除去して開口10─
を形成するため、積層・多層化時の位置決め・位置精度
で苦労する必要が無くなり、製造が容易で歩留りも向上
し、コスト低減をもたらしている。
等を積層・多層化するのと異なり、内層2─のボンディ
ング端子15の上部の部脂層8─を除去して開口10─
を形成するため、積層・多層化時の位置決め・位置精度
で苦労する必要が無くなり、製造が容易で歩留りも向上
し、コスト低減をもたらしている。
【0022】なお、樹脂層8─として、上記の如く有機
繊維を含む繊維−樹脂複合体を用いるのが望ましいが、
有機繊維としてアラミド繊維を用いた場合には、樹脂と
の接着性がより良くなる。特にポリパラフェニレンオキ
シジフェニルエーテルアミド繊維を用いた場合には、高
純度でかつ樹脂との接着性が一層優れたものが形成され
る。
繊維を含む繊維−樹脂複合体を用いるのが望ましいが、
有機繊維としてアラミド繊維を用いた場合には、樹脂と
の接着性がより良くなる。特にポリパラフェニレンオキ
シジフェニルエーテルアミド繊維を用いた場合には、高
純度でかつ樹脂との接着性が一層優れたものが形成され
る。
【0023】樹脂層8─を除去・開口するには、上記の
如く例えば機械加工、化学エッチング、レーザー加工あ
るいはプラズマ加工等を用いればよいが、化学エッチン
グ、レーザー加工あるいはプラズマ加工なら高精度に開
口10─が形成される。特にレーザー加工として、エキ
シマレーザーや、炭酸ガスレーザーの中でもインパクト
レーザーと称される高エネルギーレーザーを用いた場合
は、開口10─の加工深さの制御が容易となり、壁面の
損傷も少なく一層高精度に仕上がる。
如く例えば機械加工、化学エッチング、レーザー加工あ
るいはプラズマ加工等を用いればよいが、化学エッチン
グ、レーザー加工あるいはプラズマ加工なら高精度に開
口10─が形成される。特にレーザー加工として、エキ
シマレーザーや、炭酸ガスレーザーの中でもインパクト
レーザーと称される高エネルギーレーザーを用いた場合
は、開口10─の加工深さの制御が容易となり、壁面の
損傷も少なく一層高精度に仕上がる。
【0024】
【実施例】図1ないし図5は、上記本発明に係る多層プ
リント基板のボンディング用棚形成方法の実施例であ
り、基板1を含む3層構造のものを示している。
リント基板のボンディング用棚形成方法の実施例であ
り、基板1を含む3層構造のものを示している。
【0025】このプリント基板は、回路5付き基材4の
基板1と、樹脂層6に回路7およびボンディング端子1
5を形成された内層2と、同様に樹脂層8に後に回路や
ボンディング端子16が形成される上層3とからなり
(図1参照)、それらが積層・多層化されている(図2
参照)。上記の回路形成は、積層・多層化の前でなくそ
の後にパターンエッチングで形成してもよく、また通常
のサブトラクト法あるいはアディティブ法で行えばよい
が、後でメッキや貼り付けにより銅からなる導電層を形
成してもよい。
基板1と、樹脂層6に回路7およびボンディング端子1
5を形成された内層2と、同様に樹脂層8に後に回路や
ボンディング端子16が形成される上層3とからなり
(図1参照)、それらが積層・多層化されている(図2
参照)。上記の回路形成は、積層・多層化の前でなくそ
の後にパターンエッチングで形成してもよく、また通常
のサブトラクト法あるいはアディティブ法で行えばよい
が、後でメッキや貼り付けにより銅からなる導電層を形
成してもよい。
【0026】上記内層2のボンディング端子15上部の
樹脂層8、即ち上層3の樹脂層8や、内層2の樹脂層6
は、ガラス繊維を含まず有機繊維を含む繊維−樹脂複合
体とすることが望ましい。有機繊維としてはアラミド繊
維、ポリベンツイミダゾール繊維、ポリエーテルエーテ
ルケトン繊維、あるいはポリエステル繊維等が使用でき
る。しかし、樹脂との接着性の良さからアラミド繊維が
望ましく、更に高純度と樹脂との接着性から、ポリパラ
フェニレンオキシジフェニルエーテルアミド繊維を用い
るのが最適である。
樹脂層8、即ち上層3の樹脂層8や、内層2の樹脂層6
は、ガラス繊維を含まず有機繊維を含む繊維−樹脂複合
体とすることが望ましい。有機繊維としてはアラミド繊
維、ポリベンツイミダゾール繊維、ポリエーテルエーテ
ルケトン繊維、あるいはポリエステル繊維等が使用でき
る。しかし、樹脂との接着性の良さからアラミド繊維が
望ましく、更に高純度と樹脂との接着性から、ポリパラ
フェニレンオキシジフェニルエーテルアミド繊維を用い
るのが最適である。
【0027】また該樹脂層8,6は、上記と異なり繊維
を含まぬ構造で、例えばフィルム状やシート状のものと
してもよく、各種の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の単
体、あるいはそれらの複合体としたものでもよい。この
場合の樹脂の組成としては、例えばエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂あるいはポリシラン樹脂等を用いればよい。
を含まぬ構造で、例えばフィルム状やシート状のものと
してもよく、各種の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の単
体、あるいはそれらの複合体としたものでもよい。この
場合の樹脂の組成としては、例えばエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂あるいはポリシラン樹脂等を用いればよい。
【0028】上記の如く積層・多層化した後に、内層2
のボンディング端子15上部の樹脂層8─を除去し開口
する。ここでは、続いて内層2の樹脂層6も、該ボンデ
ィング端子15より中央寄り部分を除去して開口する。
この場合に上段の層の樹脂層ほど大きい面積で除去・開
口し、上・下の開口11,10の周辺部が階段状に形成
しておく。なお内層2の樹脂層6の除去で生じた開口1
0は、後にここでは半導体チップ等13を搭載するキャ
ビティ部になる。
のボンディング端子15上部の樹脂層8─を除去し開口
する。ここでは、続いて内層2の樹脂層6も、該ボンデ
ィング端子15より中央寄り部分を除去して開口する。
この場合に上段の層の樹脂層ほど大きい面積で除去・開
口し、上・下の開口11,10の周辺部が階段状に形成
しておく。なお内層2の樹脂層6の除去で生じた開口1
0は、後にここでは半導体チップ等13を搭載するキャ
ビティ部になる。
【0029】上記樹脂層8,6の除去し開口する手段
は、例えば切削やパンチング等の機械加工、化学エッチ
ング、あるいはレーザー加工やプラズマ加工で行うこと
ができるが、化学エッチングやレーザー加工あるいはプ
ラズマ加工等によれば、精度の高い加工を行える。レー
ザー加工としては、エキシマレーザー、YAG(イット
リウム・アルミニウム・ガーネット)レーザー、炭酸ガ
スレーザー等が用いられるが、特に加工深さの制御や壁
面の損傷を小さくする上から、エキシマレーザーまたは
炭酸ガスレーザーでインパクトレーザーと称される高エ
ネルギーレーザーを用いるのが最適である。この場合
も、化学エッチングと同様に通常のマスキング法を採用
して行うのがよい。
は、例えば切削やパンチング等の機械加工、化学エッチ
ング、あるいはレーザー加工やプラズマ加工で行うこと
ができるが、化学エッチングやレーザー加工あるいはプ
ラズマ加工等によれば、精度の高い加工を行える。レー
ザー加工としては、エキシマレーザー、YAG(イット
リウム・アルミニウム・ガーネット)レーザー、炭酸ガ
スレーザー等が用いられるが、特に加工深さの制御や壁
面の損傷を小さくする上から、エキシマレーザーまたは
炭酸ガスレーザーでインパクトレーザーと称される高エ
ネルギーレーザーを用いるのが最適である。この場合
も、化学エッチングと同様に通常のマスキング法を採用
して行うのがよい。
【0030】上記内層2のボンディング端子15上部の
樹脂層8の除去・開口により、内層2のボンディング端
子15が露出したボンディング用12が形成されること
になり、ボンディング用棚付きの多層プリント基板が形
成される。その後は、上層3の銅箔9にも回路およびボ
ンディング端子16を形成するとともに、図6で示す如
く、半導体チップ等13を搭載し、露出したボンディン
グ用端子15,16と、半導体チップ等13の端子部と
の間でワイヤー17によるボンディングをし、封止樹脂
18を充填すればよい。
樹脂層8の除去・開口により、内層2のボンディング端
子15が露出したボンディング用12が形成されること
になり、ボンディング用棚付きの多層プリント基板が形
成される。その後は、上層3の銅箔9にも回路およびボ
ンディング端子16を形成するとともに、図6で示す如
く、半導体チップ等13を搭載し、露出したボンディン
グ用端子15,16と、半導体チップ等13の端子部と
の間でワイヤー17によるボンディングをし、封止樹脂
18を充填すればよい。
【0031】次に、図6ないし図8は、上記本発明に係
る多層プリント基板のボンディング用棚形成方法を応用
した実施例を示す。ここでも、基板を含めると3層構造
になるもので説明する。
る多層プリント基板のボンディング用棚形成方法を応用
した実施例を示す。ここでも、基板を含めると3層構造
になるもので説明する。
【0032】ここで用いる多層プリント基板も、上記本
発明の第1で説明したのと同様のもので、回路5付き基
材4の基板1と、樹脂層6に回路7およびボンディング
端子15を形成された内層2と、同様に樹脂層8に後に
回路やボンディング端子16が形成される上層3とから
なり、それらが積層・多層化したものである(上記図1
・図2参照)。
発明の第1で説明したのと同様のもので、回路5付き基
材4の基板1と、樹脂層6に回路7およびボンディング
端子15を形成された内層2と、同様に樹脂層8に後に
回路やボンディング端子16が形成される上層3とから
なり、それらが積層・多層化したものである(上記図1
・図2参照)。
【0033】この場合も、上記の如く積層・多層化した
後に、内層2のボンディング端子15上部の樹脂層8を
除去し開口11を形成することで、内層2のボンディン
グ端子15が露出したボンディング用棚12が形成され
る。この樹脂層8を除去・開口する手段は上記と同様で
よい。ここでは続いて、内層2の樹脂層6をそのボンデ
ィング端子15より中央寄り部分で除去し、開口10を
形成するとともに、更に基板1に内層2の開口10より
やや小さい開口19を形成する(図6参照)。
後に、内層2のボンディング端子15上部の樹脂層8を
除去し開口11を形成することで、内層2のボンディン
グ端子15が露出したボンディング用棚12が形成され
る。この樹脂層8を除去・開口する手段は上記と同様で
よい。ここでは続いて、内層2の樹脂層6をそのボンデ
ィング端子15より中央寄り部分で除去し、開口10を
形成するとともに、更に基板1に内層2の開口10より
やや小さい開口19を形成する(図6参照)。
【0034】上記樹脂層8,6の除去・開口は、先の実
施例で示したのと同様の手段で行えばよいが、基板1に
開口19を形成するには、上記ほどの精度は要求されな
いので、切削やパンチング等の機械加工でもよい。上記
開口10,11,19の周辺部は階段状に形成されてお
り、最下段の開口19は後に半導体チップ等13を搭載
するキャビティ部になる。
施例で示したのと同様の手段で行えばよいが、基板1に
開口19を形成するには、上記ほどの精度は要求されな
いので、切削やパンチング等の機械加工でもよい。上記
開口10,11,19の周辺部は階段状に形成されてお
り、最下段の開口19は後に半導体チップ等13を搭載
するキャビティ部になる。
【0035】その後、上層3の銅箔9に回路とボンディ
ング端子16、基板1にボンディング端子22を各々形
成するとともに、基板1の裏面から他の基材、例えば有
機材製、セラミック製あるいは金属製等の基材を貼り付
ける。ここでは放熱性のよい銅合金板14を貼り付けて
ある(図7参照)。
ング端子16、基板1にボンディング端子22を各々形
成するとともに、基板1の裏面から他の基材、例えば有
機材製、セラミック製あるいは金属製等の基材を貼り付
ける。ここでは放熱性のよい銅合金板14を貼り付けて
ある(図7参照)。
【0036】そして上記基板1の開口19内で銅合金板
14上に、半導体チップ等13が搭載し、上記と同様に
各ボンディング端子15,16,20と半導体チップ等
13の端子部とをワイヤーボンディングした後、半導体
チップ等13の周辺を封止樹脂18で充填する。さら
に、上層3に半田パッドに半田ボール21を装着して、
キャビティダウンボールグリッドアレイが形成される。
14上に、半導体チップ等13が搭載し、上記と同様に
各ボンディング端子15,16,20と半導体チップ等
13の端子部とをワイヤーボンディングした後、半導体
チップ等13の周辺を封止樹脂18で充填する。さら
に、上層3に半田パッドに半田ボール21を装着して、
キャビティダウンボールグリッドアレイが形成される。
【0037】
【発明の効果】以上で明らかなように、本発明に係る多
層プリント基板のボンディング用棚形成方法は、ボンデ
ィング棚付のプリント基板を容易・高精度・低コストに
製造できるようになり、その結果それを用いたピングリ
ッドアレイ用プリント基板・ボールグリッドアレイ用プ
リント基板等を容易・高精度・低コストに製造できるよ
うになる。
層プリント基板のボンディング用棚形成方法は、ボンデ
ィング棚付のプリント基板を容易・高精度・低コストに
製造できるようになり、その結果それを用いたピングリ
ッドアレイ用プリント基板・ボールグリッドアレイ用プ
リント基板等を容易・高精度・低コストに製造できるよ
うになる。
【0038】即ち、従来のこの種のプリント基板の製造
方法では、予め透孔を設けた基板をプリプレグや熱硬化
性接着シートで高熱・圧着していたため、その際の樹脂
の滲み出して、ボンディング用棚のボンディング端子の
接触不良となったり、樹脂の滲み出しはないが、樹脂の
フローが不十分で回路間を埋めきれず、品質上・信頼性
に問題が生じたり、予め回路や透孔を形成した基板を積
層・多層化するので、半導体チップ等やプリント基板が
高密度化すると、必要な位置精度を得られず歩留りが低
下したりした。
方法では、予め透孔を設けた基板をプリプレグや熱硬化
性接着シートで高熱・圧着していたため、その際の樹脂
の滲み出して、ボンディング用棚のボンディング端子の
接触不良となったり、樹脂の滲み出しはないが、樹脂の
フローが不十分で回路間を埋めきれず、品質上・信頼性
に問題が生じたり、予め回路や透孔を形成した基板を積
層・多層化するので、半導体チップ等やプリント基板が
高密度化すると、必要な位置精度を得られず歩留りが低
下したりした。
【0039】これに対して、本発明に係る多層プリント
基板のボンディング用棚形成方法では、多層構造の内部
に予めボンディング用端子を形成しておき、その後に内
層の端子の上部にある樹脂層を除去し開口することによ
り、端子が露出したボンディング用棚を形成するもので
ある。
基板のボンディング用棚形成方法では、多層構造の内部
に予めボンディング用端子を形成しておき、その後に内
層の端子の上部にある樹脂層を除去し開口することによ
り、端子が露出したボンディング用棚を形成するもので
ある。
【0040】そのため、従来のものとことなり、積層・
多層化時に樹脂が各段部で開口側へ滲み出したり、ボン
ディング端子が接触不良を生じたなするようなことを無
くすことができる。
多層化時に樹脂が各段部で開口側へ滲み出したり、ボン
ディング端子が接触不良を生じたなするようなことを無
くすことができる。
【0041】また、従来のように樹脂の滲み出しを避け
るため圧着時の圧力を下げる必要もないので、樹脂のフ
ローは充分に行われて各回路間を埋めることができ、品
質上・信頼性の高いものを得ることができる。
るため圧着時の圧力を下げる必要もないので、樹脂のフ
ローは充分に行われて各回路間を埋めることができ、品
質上・信頼性の高いものを得ることができる。
【0042】更に、従来の予め回路や透孔を形成したも
のを積層・多層化するのと異なり、積層後に回路を形成
し、多層化後に樹脂を除去して開口を形成するので、積
層・多層化時の位置決め・位置精度で苦労することが無
くなり、製造が容易で歩留りも向上し、コストを低減す
ることができる。
のを積層・多層化するのと異なり、積層後に回路を形成
し、多層化後に樹脂を除去して開口を形成するので、積
層・多層化時の位置決め・位置精度で苦労することが無
くなり、製造が容易で歩留りも向上し、コストを低減す
ることができる。
【0043】なお、樹脂層として有機繊維を含む繊維−
樹脂複合体、特に有機繊維としてアラミド繊維を用いた
場合には、樹脂との接着性が良いものになる。更にポリ
パラフェニレンオキシジフェニルエーテルアミド繊維を
用いた場合には、高純度でかつ樹脂との接着性が一層優
れた高品質なプリント基板が形成できる。
樹脂複合体、特に有機繊維としてアラミド繊維を用いた
場合には、樹脂との接着性が良いものになる。更にポリ
パラフェニレンオキシジフェニルエーテルアミド繊維を
用いた場合には、高純度でかつ樹脂との接着性が一層優
れた高品質なプリント基板が形成できる。
【0044】また積層・多層化後の樹脂の除去に、化学
エッチング、レーザー加工あるいはプラズマ加工等を用
いた場合にば、高精度に開口が形成できる。特にレーザ
ー加工として、エキシマレーザーや炭酸ガスレーザーの
内、インパクトレーザーと称される高エネルギーレーザ
ーを用いた場合にば、加工深さや開口の壁面等が一層高
精度に仕上げることができる。
エッチング、レーザー加工あるいはプラズマ加工等を用
いた場合にば、高精度に開口が形成できる。特にレーザ
ー加工として、エキシマレーザーや炭酸ガスレーザーの
内、インパクトレーザーと称される高エネルギーレーザ
ーを用いた場合にば、加工深さや開口の壁面等が一層高
精度に仕上げることができる。
【図1】本発明の実施例で用いた多層プリント基板の一
部の分解拡大縦断面図である。
部の分解拡大縦断面図である。
【図2】図1で示した多層プリント基板の拡大縦断面図
である。
である。
【図3】内層のボンディング端子上部の樹脂層を除去し
開口した状態の拡大縦断面図である。
開口した状態の拡大縦断面図である。
【図4】内層のボンディング端子の中央寄り部分の樹脂
層を除去し開口した状態の拡大縦断面図である。
層を除去し開口した状態の拡大縦断面図である。
【図5】図4で示したものに半導体チップを搭載し、ワ
イヤーボンディング後に樹脂封止した状態の拡大縦断面
図である。
イヤーボンディング後に樹脂封止した状態の拡大縦断面
図である。
【図6】本発明を応用した実施例で、基板にも開口を設
けた状態の拡大縦断面図である。
けた状態の拡大縦断面図である。
【図7】図6で示したものに他の基材を貼り付けた状態
の拡大縦断面図である。
の拡大縦断面図である。
【図8】図7で示したものに半導体チップを搭載し、ワ
イヤーボンディング後に樹脂封止し、ハンダボールを装
着した状態の拡大縦断面図である。
イヤーボンディング後に樹脂封止し、ハンダボールを装
着した状態の拡大縦断面図である。
【図9】従来手段で用いる基板の一部の拡大縦断面図で
ある。
ある。
【図10】従来手段で用いる内層としての基材の一部の
拡大縦断面図である。
拡大縦断面図である。
【図11】図1で示した基板に、図2で示した内層を貼
り付けた状態の拡大縦断面図である。
り付けた状態の拡大縦断面図である。
【図12】従来手段で用いる上層としての基材の一部の
拡大縦断面図である。
拡大縦断面図である。
【図13】図11で示したものに図12で示した外層を
貼り付けた状態の拡大縦断面図である。
貼り付けた状態の拡大縦断面図である。
1−基板 11−開口 21−
半田ボール 2−内層 12−ボンディング用棚 3−上層 13−半導体チップ等 4−基材 14−基材 5−回路 15−ボンディング端子 6−樹脂層 16−ボンディング端子 7−回路 17−ワイヤー 8−樹脂層 18−封止樹脂 9−銅箔 19−開口 10−開口 20−ボンディング端子
半田ボール 2−内層 12−ボンディング用棚 3−上層 13−半導体チップ等 4−基材 14−基材 5−回路 15−ボンディング端子 6−樹脂層 16−ボンディング端子 7−回路 17−ワイヤー 8−樹脂層 18−封止樹脂 9−銅箔 19−開口 10−開口 20−ボンディング端子
Claims (7)
- 【請求項1】内部に回路を形成した多層プリント基板に
おいて、多層構造の内部に予めボンディング用端子を形
成しておき、その後に内層の端子の上部にある樹脂層を
除去し開口することにより、端子が露出したボンディン
グ用棚を形成することを特徴とする、多層プリント基板
のボンディング用棚形成方法。 - 【請求項2】内層の樹脂層が有機繊維を含むようにし
た、請求項1に記載の多層プリント基板のボンディング
用棚形成方法。 - 【請求項3】樹脂層がアラミド繊維を含むようにした、
請求項1,2に記載の多層プリント基板のボンディング
用棚形成方法。 - 【請求項4】樹脂層がフィルムまたはシートからなる、
請求項1に記載の多層プリント基板のボンディング用棚
形成方法。 - 【請求項5】内層の樹脂層の除去を、化学エッチングで
行うようにした、請求項1に記載の多層プリント基板の
ボンディング用棚形成方法。 - 【請求項6】内層の樹脂層の除去を、レーザー加工で行
うようにした、請求項1に記載の多層プリント基板のボ
ンディング用棚形成方法。 - 【請求項7】内層の樹脂層の除去を、プラズマ加工で行
うようにした、請求項1に記載の多層プリント基板のボ
ンディング用棚形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7171391A JPH098175A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 多層プリント基板のボンディング用棚形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7171391A JPH098175A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 多層プリント基板のボンディング用棚形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098175A true JPH098175A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15922299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7171391A Pending JPH098175A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 多層プリント基板のボンディング用棚形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH098175A (ja) |
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-
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- 1995-06-14 JP JP7171391A patent/JPH098175A/ja active Pending
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