JPH0975651A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPH0975651A JPH0975651A JP7231719A JP23171995A JPH0975651A JP H0975651 A JPH0975651 A JP H0975651A JP 7231719 A JP7231719 A JP 7231719A JP 23171995 A JP23171995 A JP 23171995A JP H0975651 A JPH0975651 A JP H0975651A
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- pipe
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排ガス処理能力を向上することのできる排ガ
ス処理装置を得る。 【解決手段】 排ガスが第１のパイプ６を通じて供給さ
れる粉塵除去用のフィルター７と、そのフィルター７よ
りの排ガスが第２のパイプ８を通じて供給され、排ガス
を触媒に吸着させるリアクター１０とを備える排ガス処
理装置において、第１のパイプ６に排ガス処理のための
流体を噴出させるノズル４、５を設ける。
ス処理装置を得る。 【解決手段】 排ガスが第１のパイプ６を通じて供給さ
れる粉塵除去用のフィルター７と、そのフィルター７よ
りの排ガスが第２のパイプ８を通じて供給され、排ガス
を触媒に吸着させるリアクター１０とを備える排ガス処
理装置において、第１のパイプ６に排ガス処理のための
流体を噴出させるノズル４、５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は排ガス処理装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＣＶＤ（化学気相蒸着）装置よ
りの排ガスを処理する排ガス処理装置は、ＣＶＤ装置よ
りの排ガスがパイプを通じて供給されてエアーと混合さ
れるエアー混合装置と、そのエアー混合装置よりのエア
ーと混合された排ガスが供給されて粉塵が除去されるフ
ィルターと、そのフィルターよりの粉塵の除去されたエ
アーの混合された排ガスが供給されて、その排ガスが触
媒に吸着されるリアクターと、そのリアクターよりの除
害されたガスを空中に放出する換気ファンとから構成さ
れている。
りの排ガスを処理する排ガス処理装置は、ＣＶＤ装置よ
りの排ガスがパイプを通じて供給されてエアーと混合さ
れるエアー混合装置と、そのエアー混合装置よりのエア
ーと混合された排ガスが供給されて粉塵が除去されるフ
ィルターと、そのフィルターよりの粉塵の除去されたエ
アーの混合された排ガスが供給されて、その排ガスが触
媒に吸着されるリアクターと、そのリアクターよりの除
害されたガスを空中に放出する換気ファンとから構成さ
れている。
【０００３】かかる排ガス処理装置では、アンモニアガ
ス：ＮＨ3 （水溶性ガス）を主成分とし、シラン系ガス
（ＳｉＨ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2等）、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等
からなる排ガスを排ガス処理装置に供給して、エアー混
合装置によって、その内のＳｉＨ4 を酸素ガス：Ｏ2 と
反応させ、排ガスに含まれる粉塵（シラン系ガスと酸
素：Ｏ2 が反応して形成されたＳｉＯ2 の粉末等）をフ
ィルターで除去すると共に、排ガス中の主成分であるア
ンモニウムガス（水溶性ガス）や、シラン系ガス（Ｓｉ
Ｈ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等）等ががリアクターで触媒に吸
着せしめられる。
ス：ＮＨ3 （水溶性ガス）を主成分とし、シラン系ガス
（ＳｉＨ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2等）、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等
からなる排ガスを排ガス処理装置に供給して、エアー混
合装置によって、その内のＳｉＨ4 を酸素ガス：Ｏ2 と
反応させ、排ガスに含まれる粉塵（シラン系ガスと酸
素：Ｏ2 が反応して形成されたＳｉＯ2 の粉末等）をフ
ィルターで除去すると共に、排ガス中の主成分であるア
ンモニウムガス（水溶性ガス）や、シラン系ガス（Ｓｉ
Ｈ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等）等ががリアクターで触媒に吸
着せしめられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる排ガス処理装置
では、配管されているパイプを分解し、各部を真空掃除
機で掃除したり、水で洗浄したりして、内部の反応生成
物（ＳｉＨ4 とＯ2 とが反応したＳｉＯ2 ）を除去して
いたので、排ガス処理装置の保守が煩雑であると共に、
反応生成物の除去作業中は、排ガス処理装置を使うこと
ができず、頗る不便であった。
では、配管されているパイプを分解し、各部を真空掃除
機で掃除したり、水で洗浄したりして、内部の反応生成
物（ＳｉＨ4 とＯ2 とが反応したＳｉＯ2 ）を除去して
いたので、排ガス処理装置の保守が煩雑であると共に、
反応生成物の除去作業中は、排ガス処理装置を使うこと
ができず、頗る不便であった。
【０００５】又、かかる従来の排ガス処理装置では、配
管されているパイプ内部のクリーニングを行う前に、パ
イプ内部に残留するガスの置換を、残留ガスをエアー混
合器に供給することによって、エアーをパイプの内部に
送り込むようにしていたが、これは置換能力が低いた
め、置換に時間が掛かってしまう。尚、排ガス処理装置
を分解するときに、残留ガスがあると、人体に有害で危
険であるので、パイプ内部に残留するガスの置換を行
う。
管されているパイプ内部のクリーニングを行う前に、パ
イプ内部に残留するガスの置換を、残留ガスをエアー混
合器に供給することによって、エアーをパイプの内部に
送り込むようにしていたが、これは置換能力が低いた
め、置換に時間が掛かってしまう。尚、排ガス処理装置
を分解するときに、残留ガスがあると、人体に有害で危
険であるので、パイプ内部に残留するガスの置換を行
う。
【０００６】かかる点に鑑み、本発明は、排ガス処理能
力を向上することのできる排ガス処理装置を提案しよう
とするものである。
力を向上することのできる排ガス処理装置を提案しよう
とするものである。
【０００７】又、本発明は、反応生成物を自動的に除去
することのできる排ガス処理装置を提案しようとするも
のである。
することのできる排ガス処理装置を提案しようとするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、排ガス
が第１のパイプを通じて供給される粉塵除去用のフィル
ターと、そのフィルターよりの排ガスが第２のパイプを
通じて供給され、排ガスを触媒に吸着させるリアクター
とを備える排ガス処理装置において、第１のパイプに排
ガス処理のための流体を噴出させるノズルを設けたこと
を特徴とする排ガス処理装置である。
が第１のパイプを通じて供給される粉塵除去用のフィル
ターと、そのフィルターよりの排ガスが第２のパイプを
通じて供給され、排ガスを触媒に吸着させるリアクター
とを備える排ガス処理装置において、第１のパイプに排
ガス処理のための流体を噴出させるノズルを設けたこと
を特徴とする排ガス処理装置である。
【０００９】かかる第１の本発明によれば、排ガスがフ
ィルターに供給されることによって、排ガスに含まれる
粉塵が除去され、ノズルから噴出する流体によって、排
ガスが処理されると共に、その排ガスが更にリアクター
に供給されて触媒に吸着され、排ガス処理能力が向上す
る。
ィルターに供給されることによって、排ガスに含まれる
粉塵が除去され、ノズルから噴出する流体によって、排
ガスが処理されると共に、その排ガスが更にリアクター
に供給されて触媒に吸着され、排ガス処理能力が向上す
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、図１を参照して、本発明
の実施の形態を説明する。この実施の形態では、ＣＶＤ
（化学気相蒸着）装置からの排ガス（反応性ガスを含
む））、即ち、アンモニウムガス（水溶性ガス）を主成
分とし、シラン系ガス（ＳｉＨ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）、
ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等を含む排ガスが、パイプ２を通じ
て、エアー混合装置１に供給されて、パイプ３からのエ
アーと混合されて、排ガスの内ＳｉＨ4 が酸素ガスと反
応せしめられて、ＳｉＯ2 にされる。尚、このエアーの
代わりに、酸素ガスでも良い。
の実施の形態を説明する。この実施の形態では、ＣＶＤ
（化学気相蒸着）装置からの排ガス（反応性ガスを含
む））、即ち、アンモニウムガス（水溶性ガス）を主成
分とし、シラン系ガス（ＳｉＨ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）、
ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等を含む排ガスが、パイプ２を通じ
て、エアー混合装置１に供給されて、パイプ３からのエ
アーと混合されて、排ガスの内ＳｉＨ4 が酸素ガスと反
応せしめられて、ＳｉＯ2 にされる。尚、このエアーの
代わりに、酸素ガスでも良い。
【００１１】エアー混合装置１からのエアーの混合され
た排ガスは、パイプ６に供給される。そして、このパイ
プ６の途中に、その対称な位置に、ノズル４、５を設
け、そのノズル４、５からパイプ６内に、液体、ここで
は水を略均一に噴出させる。これによって、そのミスト
状の水に、排ガス中のアンモニアガスの大部分が吸収さ
れる。
た排ガスは、パイプ６に供給される。そして、このパイ
プ６の途中に、その対称な位置に、ノズル４、５を設
け、そのノズル４、５からパイプ６内に、液体、ここで
は水を略均一に噴出させる。これによって、そのミスト
状の水に、排ガス中のアンモニアガスの大部分が吸収さ
れる。
【００１２】パイプ６を通過した排ガスは、粉塵除去用
のフィルター７に供給されて、排ガス中に含まれる粉塵
（シラン系ガスと酸素：Ｏ2 が反応して形成されたＳｉ
Ｏ2の粉末等）が除去される。
のフィルター７に供給されて、排ガス中に含まれる粉塵
（シラン系ガスと酸素：Ｏ2 が反応して形成されたＳｉ
Ｏ2の粉末等）が除去される。
【００１３】フィルター７を通過した排ガスは、パイプ
８を通じて、リアクター１０に供給されて、残りのガ
ス、特に、水溶性ガス及びシラン系ガス等の反応性ガス
の大部分が、触媒、例えば、燐酸塩系の活性炭に吸着さ
れる。
８を通じて、リアクター１０に供給されて、残りのガ
ス、特に、水溶性ガス及びシラン系ガス等の反応性ガス
の大部分が、触媒、例えば、燐酸塩系の活性炭に吸着さ
れる。
【００１４】そして、リアクター１０から、排ガスを含
まないエアーが得られ、これがパイプ１２を通じて換気
ファン１１に供給されて、パイプ１３から除害されたガ
ス、即ち、エアーが大気中に放出される。
まないエアーが得られ、これがパイプ１２を通じて換気
ファン１１に供給されて、パイプ１３から除害されたガ
ス、即ち、エアーが大気中に放出される。
【００１５】一対のノズル４、５からパイプ６内に噴出
させる水を、粒子の小さいミスト状にするときは、上述
したように、アンモニウムガスの大部分が、そのミスト
状の水に吸着されるが、そのノズル４、５に送給する水
の圧力を低くして、一対のノズル４、５からパイプ６内
に噴出させる水を、粒子の大きなミスト状にするとき
は、パイプ６の内部に蓄積した反応生成物（例えば、Ｓ
ｉＯ2 ）に強制的に水を吸着させて軟化させることがで
きる。そして、パイプ８の途中には、ドレインコック９
が取付けられていて、ドレインコック９を開けることに
よって、反応生成物を含む水を排出できるように構成さ
れている。
させる水を、粒子の小さいミスト状にするときは、上述
したように、アンモニウムガスの大部分が、そのミスト
状の水に吸着されるが、そのノズル４、５に送給する水
の圧力を低くして、一対のノズル４、５からパイプ６内
に噴出させる水を、粒子の大きなミスト状にするとき
は、パイプ６の内部に蓄積した反応生成物（例えば、Ｓ
ｉＯ2 ）に強制的に水を吸着させて軟化させることがで
きる。そして、パイプ８の途中には、ドレインコック９
が取付けられていて、ドレインコック９を開けることに
よって、反応生成物を含む水を排出できるように構成さ
れている。
【００１６】更に、一対のノズル４、５に圧力の比較的
低い大量の温水を供給するときは、パイプ６及びパイプ
８内に蓄積した反応物を強力に洗い流して、開放された
ドレインコック９から外部に排出させることができる。
低い大量の温水を供給するときは、パイプ６及びパイプ
８内に蓄積した反応物を強力に洗い流して、開放された
ドレインコック９から外部に排出させることができる。
【００１７】尚、反応性ガスがＨＣｌ等の水溶性ガスで
ある場合も、上述のアンモニウムガスと同様に、一部が
パイプ６内でミスト状の水によって吸着され、残りの水
溶性ガスがリアクター１０の触媒によって吸着される。
ある場合も、上述のアンモニウムガスと同様に、一部が
パイプ６内でミスト状の水によって吸着され、残りの水
溶性ガスがリアクター１０の触媒によって吸着される。
【００１８】又、ノズル４、５からパイプ６内に気体、
ここでは、酸素を噴出させるようにすることにより、反
応性ガスがシラン系ガスである場合に、酸素がそのシラ
ン系ガスを酸化して粉末にする。この粉末はフィルター
７によって除去され、又、リアクター１０によって触媒
に吸着される。
ここでは、酸素を噴出させるようにすることにより、反
応性ガスがシラン系ガスである場合に、酸素がそのシラ
ン系ガスを酸化して粉末にする。この粉末はフィルター
７によって除去され、又、リアクター１０によって触媒
に吸着される。
【００１９】
【発明の効果】上述せる第１の本発明によれば、排ガス
が第１のパイプを通じて供給される粉塵除去用のフィル
ターと、そのフィルターよりの排ガスが第２のパイプを
通じて供給され、排ガスを触媒に吸着させるリアクター
とを備える排ガス処理装置において、第１のパイプに排
ガス処理のための流体を噴出させるノズルを設けたの
で、排ガス処理能力が向上すると共に、反応生成物を自
動的に除去することのできる排ガス処理装置を得ること
ができる。このため、配管されているパイプを分解し、
各部を真空掃除機で掃除したり、水で洗浄したりして、
内部の反応生成物を除去する必要がないので、保守が簡
単となり、又、反応生成物の除去のために、排ガス処理
装置を使えなくなることもなく、稼働率が高くなる。
が第１のパイプを通じて供給される粉塵除去用のフィル
ターと、そのフィルターよりの排ガスが第２のパイプを
通じて供給され、排ガスを触媒に吸着させるリアクター
とを備える排ガス処理装置において、第１のパイプに排
ガス処理のための流体を噴出させるノズルを設けたの
で、排ガス処理能力が向上すると共に、反応生成物を自
動的に除去することのできる排ガス処理装置を得ること
ができる。このため、配管されているパイプを分解し、
各部を真空掃除機で掃除したり、水で洗浄したりして、
内部の反応生成物を除去する必要がないので、保守が簡
単となり、又、反応生成物の除去のために、排ガス処理
装置を使えなくなることもなく、稼働率が高くなる。
【００２０】第２の本発明によれば、第１の本発明の排
ガス処理装置において、ノズルから液体を噴出させるよ
うにすると共に、第２のパイプに、液体を排出する排出
手段を設けたので、第１の本発明と同様の効果がある。
ガス処理装置において、ノズルから液体を噴出させるよ
うにすると共に、第２のパイプに、液体を排出する排出
手段を設けたので、第１の本発明と同様の効果がある。
【００２１】第３の本発明によれば、第２の本発明の排
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体を、
ミスト状にしたので、排ガスがその液体に吸着し易くな
り、それだけ排ガス処理能力が向上する。
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体を、
ミスト状にしたので、排ガスがその液体に吸着し易くな
り、それだけ排ガス処理能力が向上する。
【００２２】第４の本発明によれば、第２の本発明の排
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体は、
水にしたので、多種類の排ガス（反応性ガス）を吸着さ
せることができる。
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体は、
水にしたので、多種類の排ガス（反応性ガス）を吸着さ
せることができる。
【００２３】第５の本発明によれば、第２の本発明の排
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体を、
大量の温水にしたので、第１及び第２のパイプ内の反応
物を容易に洗い流すことができる。
ガス処理装置において、ノズルから噴出させる液体を、
大量の温水にしたので、第１及び第２のパイプ内の反応
物を容易に洗い流すことができる。
【００２４】第６の本発明によれば、第１の本発明の排
ガス装置において、ノズルから噴出する流体を、排ガス
の一部と反応する気体にしたので、排ガス処理能力を高
くすることができる。
ガス装置において、ノズルから噴出する流体を、排ガス
の一部と反応する気体にしたので、排ガス処理能力を高
くすることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示すブロック線図であ
る。
る。
１ エアー混合装置 ２ パイプ ３ パイプ ４ ノズル ５ ノズル ６ パイプ ７ フィルター ８ パイプ ９ ドレインコック １０ リアクター １１ 換気ファン １２ パイプ １３ パイプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｂ０１Ｄ 53/34 １２０Ａ Ｈ０１Ｌ 21/205 １３１
Claims (7)
- 【請求項１】 排ガスが第１のパイプを通じて供給され
る粉塵除去用のフィルターと、該フィルターよりの排ガ
スが第２のパイプを通じて供給され、上記排ガスを触媒
に吸着させるリアクターとを備える排ガス処理装置にお
いて、 上記第１のパイプに排ガス処理のための流体を噴出させ
るノズルを設けたことを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから液体を噴出させるようにすると共に、上
記第２のパイプに、上記液体を排出する排出手段を設け
たことを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから噴出させる液体は、ミスト状であること
を特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから噴出させる液体は、水であることを特徴
とする排ガス処理装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから噴出させる液体は、大量の温水であるこ
とを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから噴出させる流体は、排ガスの一部と反応
する気体であることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の排ガス処理装置におい
て、 上記ノズルから噴出させる気体は酸素であることを特徴
とする排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7231719A JPH0975651A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7231719A JPH0975651A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0975651A true JPH0975651A (ja) | 1997-03-25 |
Family
ID=16927956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7231719A Pending JPH0975651A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0975651A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066508A (en) * | 1997-06-06 | 2000-05-23 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| CN110484894A (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 尾气清理单元、尾气清理装置和气相沉积设备 |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP7231719A patent/JPH0975651A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066508A (en) * | 1997-06-06 | 2000-05-23 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US6319860B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-11-20 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US6521550B2 (en) | 1997-06-06 | 2003-02-18 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US6602808B2 (en) | 1997-06-06 | 2003-08-05 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US6723665B2 (en) | 1997-06-06 | 2004-04-20 | Renesas Technology Corp. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| US7300833B2 (en) | 2001-03-12 | 2007-11-27 | Renesas Technology Corp. | Process for producing semiconductor integrated circuit device |
| US7375013B2 (en) | 2001-03-12 | 2008-05-20 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| US7632744B2 (en) | 2001-03-12 | 2009-12-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| CN110484894A (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 尾气清理单元、尾气清理装置和气相沉积设备 |
| CN110484894B (zh) * | 2018-05-15 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 尾气清理单元、尾气清理装置和气相沉积设备 |
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