JPH0767524B2 - 排ガス処理方法および装置 - Google Patents
排ガス処理方法および装置Info
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- JPH0767524B2 JPH0767524B2 JP3054713A JP5471391A JPH0767524B2 JP H0767524 B2 JPH0767524 B2 JP H0767524B2 JP 3054713 A JP3054713 A JP 3054713A JP 5471391 A JP5471391 A JP 5471391A JP H0767524 B2 JPH0767524 B2 JP H0767524B2
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- gas
- cvd
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Treating Waste Gases (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶の製造な
どにＣＶＤ法を用いそれに伴い発生する排ガスを浄化し
て無害化する方法およびその装置に関するものである。
どにＣＶＤ法を用いそれに伴い発生する排ガスを浄化し
て無害化する方法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ排ガスは未反応のプロセスガスお
よびそれの分解により生成する有害成分が多量に含ま
れ、浄化する必要がある。また、クリーニング排ガスも
未反応クリーニングガスとクリーニングで生成するＳｉ
Ｆ4 などの有害ガスが含有され、浄化の必要がある。
よびそれの分解により生成する有害成分が多量に含ま
れ、浄化する必要がある。また、クリーニング排ガスも
未反応クリーニングガスとクリーニングで生成するＳｉ
Ｆ4 などの有害ガスが含有され、浄化の必要がある。
【０００３】従来、ＣＶＤ排ガスは湿式吸収法や乾式吸
着法などで処理されてきた。また、クリーニング排ガス
についてはＣＶＤ排ガスと同様な方法や接触分解法で処
理されてきた。
着法などで処理されてきた。また、クリーニング排ガス
についてはＣＶＤ排ガスと同様な方法や接触分解法で処
理されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】湿式吸収法は一般に有
害ガスの除去率が低い点が問題である。また、吸着法は
有害ガスの除去率は高いが、大量のガスのガスを処理す
ると破過が早く、ランニングコストが高くなることが問
題である。また、吸着材の処分にも問題がある。
害ガスの除去率が低い点が問題である。また、吸着法は
有害ガスの除去率は高いが、大量のガスのガスを処理す
ると破過が早く、ランニングコストが高くなることが問
題である。また、吸着材の処分にも問題がある。
【０００５】例えば、図３に示したような枚葉式ＣＶＤ
装置を使用した場合の排ガス処理方法を例に以下説明す
る。ＣＶＤ装置５にＣＶＤ時にはＣＶＤプロセスガス６
が導入され、処理後ＣＶＤ排ガスを７を排出する。一
方、クリーニング時にはクリーニングガス８が導入さ
れ、クリーニング排ガス９を排出する。これらＣＶＤ排
ガス７とクリーニング排ガス９は流入管２３によりＣＶ
Ｄ排ガス処理装置２４またはクリーニング排ガス処理装
置２５とバルブ２６、２７、真空ポンプ４を介して連絡
されており、適宜希釈Ｎ2 １１を添加されるものの両排
ガスは互いにＣＶＤ時とクリーニング時に混入しないよ
うにバルブ２６、２７の切替えを自動制御しなければな
らない構成を取っている。
装置を使用した場合の排ガス処理方法を例に以下説明す
る。ＣＶＤ装置５にＣＶＤ時にはＣＶＤプロセスガス６
が導入され、処理後ＣＶＤ排ガスを７を排出する。一
方、クリーニング時にはクリーニングガス８が導入さ
れ、クリーニング排ガス９を排出する。これらＣＶＤ排
ガス７とクリーニング排ガス９は流入管２３によりＣＶ
Ｄ排ガス処理装置２４またはクリーニング排ガス処理装
置２５とバルブ２６、２７、真空ポンプ４を介して連絡
されており、適宜希釈Ｎ2 １１を添加されるものの両排
ガスは互いにＣＶＤ時とクリーニング時に混入しないよ
うにバルブ２６、２７の切替えを自動制御しなければな
らない構成を取っている。
【０００６】従って、この場合、有害ガスの除去率が高
い吸着法でＣＶＤ排ガス７をＣＶＤ排ガス処理装置２４
で処理する場合は、バルブ２７を閉め、バルブ２６を開
とし、クリーニング排ガス９の処理はバルブ２６、２７
を前記と逆に切り換えて別な処理装置２５で処理（吸着
法、接触分解法）しなければならないため装置構成が複
雑でかつランニングコストが高いので経済的に不利であ
り、その上このような枚葉式ＣＶＤ装置ではＣＶＤ排ガ
スとクリーニング排ガスとが完全に分離されないために
除害効率が低下する問題がある。
い吸着法でＣＶＤ排ガス７をＣＶＤ排ガス処理装置２４
で処理する場合は、バルブ２７を閉め、バルブ２６を開
とし、クリーニング排ガス９の処理はバルブ２６、２７
を前記と逆に切り換えて別な処理装置２５で処理（吸着
法、接触分解法）しなければならないため装置構成が複
雑でかつランニングコストが高いので経済的に不利であ
り、その上このような枚葉式ＣＶＤ装置ではＣＶＤ排ガ
スとクリーニング排ガスとが完全に分離されないために
除害効率が低下する問題がある。
【０００７】本発明はランニングコストが低廉で、かつ
高い有害ガス除去率を有する処理方法および装置を供す
ることを目的とするものである。
高い有害ガス除去率を有する処理方法および装置を供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記および
に記載のものであり、これにより上記課題を解決でき
る。 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよび／または
該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガスを同一の経
路から反応部に導入する構成であって、かつ該排ガス、
不活性ガスおよび酸素含有ガスを内側から外側に同心状
に該反応部に導入し、ヒータにより加熱酸化分解処理す
ることを特徴とする排ガス処理方法。 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよび／または
該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガスを同一の経
路から反応部に導入する構成であって、かつ該排ガス流
入管、不活性ガス流入管および酸素含有ガス流入管の順
で内側から外側に同心状に構成したガス導入部および該
導入される排ガスをヒータにより加熱酸化分解処理する
装置からなることを特徴とする排ガス処理装置。
に記載のものであり、これにより上記課題を解決でき
る。 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよび／または
該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガスを同一の経
路から反応部に導入する構成であって、かつ該排ガス、
不活性ガスおよび酸素含有ガスを内側から外側に同心状
に該反応部に導入し、ヒータにより加熱酸化分解処理す
ることを特徴とする排ガス処理方法。 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよび／または
該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガスを同一の経
路から反応部に導入する構成であって、かつ該排ガス流
入管、不活性ガス流入管および酸素含有ガス流入管の順
で内側から外側に同心状に構成したガス導入部および該
導入される排ガスをヒータにより加熱酸化分解処理する
装置からなることを特徴とする排ガス処理装置。
【０００９】本発明は、排ガスがＣＶＤ装置からのＣＶ
Ｄ時の排ガス、即ちＣＶＤ原料の排ガス（以下、ＣＶＤ
排ガスという）、ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排
ガス、即ち、ＣＶＤ装置のクリーニングガス由来の排ガ
ス（以下、クリーニング排ガスという）はその混合比が
任意のものを同一の経路から反応部に導入する構成であ
って、かつ該排ガス、不活性ガスおよび酸素含有ガスを
内側から外側に同心状に該反応部に導入し、ヒータによ
り加熱酸化分解処理する。但し、該加熱酸化分解処理さ
れる排ガスは、ＣＶＤ排ガスのみでもクリーニング排ガ
スのみでもよい。即ち、本発明では、ＣＶＤ排ガスとク
リーニング排ガスの混合が積極的に許容できるため、言
い換えれば、ＣＶＤ排ガスにクリーニング排ガスが混在
することおよびその逆の混在を回避する手段を採用しな
くてすむものである。
Ｄ時の排ガス、即ちＣＶＤ原料の排ガス（以下、ＣＶＤ
排ガスという）、ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排
ガス、即ち、ＣＶＤ装置のクリーニングガス由来の排ガ
ス（以下、クリーニング排ガスという）はその混合比が
任意のものを同一の経路から反応部に導入する構成であ
って、かつ該排ガス、不活性ガスおよび酸素含有ガスを
内側から外側に同心状に該反応部に導入し、ヒータによ
り加熱酸化分解処理する。但し、該加熱酸化分解処理さ
れる排ガスは、ＣＶＤ排ガスのみでもクリーニング排ガ
スのみでもよい。即ち、本発明では、ＣＶＤ排ガスとク
リーニング排ガスの混合が積極的に許容できるため、言
い換えれば、ＣＶＤ排ガスにクリーニング排ガスが混在
することおよびその逆の混在を回避する手段を採用しな
くてすむものである。
【００１０】従って、従来のようにＣＶＤ排ガスとクリ
ーニング排ガスを分別する厳密な制御機構を用いる必要
はなく、導入手段の構成を大幅に簡素化できる。すなわ
ち、本発明はＣＶＤ排ガスとクリーニング排ガスとを同
一の経路を使用してバルブ制御なしに加熱酸化分解装置
に導入することができる。以下、ＣＶＤ排ガスおよびク
リーニング排ガスを総称する場合は単に排ガスと言う。
ーニング排ガスを分別する厳密な制御機構を用いる必要
はなく、導入手段の構成を大幅に簡素化できる。すなわ
ち、本発明はＣＶＤ排ガスとクリーニング排ガスとを同
一の経路を使用してバルブ制御なしに加熱酸化分解装置
に導入することができる。以下、ＣＶＤ排ガスおよびク
リーニング排ガスを総称する場合は単に排ガスと言う。
【００１１】本発明におけるＣＶＤ排ガスを与えるＣＶ
Ｄ原料、即ちプロセスガスとしては、公知のものが挙げ
られ、例示すれば、無機原料、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料、例えば、ＴＥＯ
Ｓ（テトラエトキシシラン）等があり、これらは１種以
上単独または組み合わせて用いられる。これらの排ガス
には、これらの未反応物あるいはその誘導体、反応分解
物、例えば、Ｈ2 、ＣＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ等のアルコー
ル、ＣＨ3 ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ2 Ｈ4 等の炭化水
素等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解され
ることにより、主として、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、Ｈ
2 ＯとＣＯ2 になる。ここで言う加熱酸化分解とは、分
解不能のものの単なる酸化、例えば、水素、金属等の単
体の酸化等をも包含することは明らかである。
Ｄ原料、即ちプロセスガスとしては、公知のものが挙げ
られ、例示すれば、無機原料、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料、例えば、ＴＥＯ
Ｓ（テトラエトキシシラン）等があり、これらは１種以
上単独または組み合わせて用いられる。これらの排ガス
には、これらの未反応物あるいはその誘導体、反応分解
物、例えば、Ｈ2 、ＣＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ等のアルコー
ル、ＣＨ3 ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ2 Ｈ4 等の炭化水
素等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解され
ることにより、主として、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、Ｈ
2 ＯとＣＯ2 になる。ここで言う加熱酸化分解とは、分
解不能のものの単なる酸化、例えば、水素、金属等の単
体の酸化等をも包含することは明らかである。
【００１２】本発明におけるクリーニング排ガスを与え
るクリーニングガスとしては、ＮＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 などが挙げられ、クリーニング排
ガスは、クリーニングガスとＣＶＤ装置内物質（未排気
のＣＶＤ処理済物質等）との反応物、例えば、Ｓｉ
Ｆ4 、クリーニングガス誘導体等、およびクリーニング
ガスとクリーニングガスにより物理的にクリーニングし
たＣＶＤ内物質等からなる。
るクリーニングガスとしては、ＮＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 などが挙げられ、クリーニング排
ガスは、クリーニングガスとＣＶＤ装置内物質（未排気
のＣＶＤ処理済物質等）との反応物、例えば、Ｓｉ
Ｆ4 、クリーニングガス誘導体等、およびクリーニング
ガスとクリーニングガスにより物理的にクリーニングし
たＣＶＤ内物質等からなる。
【００１３】本発明における加熱酸化分解処理の反応条
件、排ガスの反応部への導入条件は少なくとも前記本発
明の条件を満足する必要があり、それら条件は排ガスに
含有される酸化分解性化合物が効果的に加熱酸化分解さ
れるように調整される。酸素含有ガスは、例えば、空気
等として導入することが好ましい。また、不活性ガスと
しては窒素ガス等が挙げられる。本発明においては、窒
素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれらを包むような３
層状態で加熱酸化分解装置の反応部に導入される。従っ
て、本発明の排ガス処理装置は、加熱酸化分解装置にこ
れらのガス導入部として同心状に管を３層構造にしたも
のを配備する。
件、排ガスの反応部への導入条件は少なくとも前記本発
明の条件を満足する必要があり、それら条件は排ガスに
含有される酸化分解性化合物が効果的に加熱酸化分解さ
れるように調整される。酸素含有ガスは、例えば、空気
等として導入することが好ましい。また、不活性ガスと
しては窒素ガス等が挙げられる。本発明においては、窒
素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれらを包むような３
層状態で加熱酸化分解装置の反応部に導入される。従っ
て、本発明の排ガス処理装置は、加熱酸化分解装置にこ
れらのガス導入部として同心状に管を３層構造にしたも
のを配備する。
【００１４】また、本発明は排ガスを反応部に導入し、
ヒータにより加熱酸化分解処理するが、このヒータは温
度制御可能な加熱方式が望ましく、通常、反応部の壁内
に設けることができる。また、反応温度は、８００〜１
０００℃の範囲が好ましい。
ヒータにより加熱酸化分解処理するが、このヒータは温
度制御可能な加熱方式が望ましく、通常、反応部の壁内
に設けることができる。また、反応温度は、８００〜１
０００℃の範囲が好ましい。
【００１５】本発明において、加熱酸化分解処理された
排ガス（以下、処理ガスという）はその組成に応じて環
境に放出するか、更に他の任意の処理を加えることがで
きる。
排ガス（以下、処理ガスという）はその組成に応じて環
境に放出するか、更に他の任意の処理を加えることがで
きる。
【００１６】特に、本発明においては処理ガスを水と接
触させること、即ち、水洗処理に供することが好まし
く、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ2 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ4 等
の水溶性化合物等の可溶化による除去、処理ガスの冷却
等を行うことができる。この水洗処理の方法は任意であ
るが、噴霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
触させること、即ち、水洗処理に供することが好まし
く、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ2 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ4 等
の水溶性化合物等の可溶化による除去、処理ガスの冷却
等を行うことができる。この水洗処理の方法は任意であ
るが、噴霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
【００１７】この水洗処理された処理ガスは、環境に放
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出される。これら
排出手段は加熱酸化分解装置に設けることができる。
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出される。これら
排出手段は加熱酸化分解装置に設けることができる。
【００１８】本発明における加熱酸化分解方式は高温下
で排ガスを酸化分解するために短時間で処理ができるた
めにＣＶＤ排ガスが大量であっても除害効率が高く、ま
た、加熱のための電気、空気、窒素、冷却用水（洗浄水
を兼ねる）があれば効率よく処理できるので乾式吸着法
よりランニングコストが低廉である。
で排ガスを酸化分解するために短時間で処理ができるた
めにＣＶＤ排ガスが大量であっても除害効率が高く、ま
た、加熱のための電気、空気、窒素、冷却用水（洗浄水
を兼ねる）があれば効率よく処理できるので乾式吸着法
よりランニングコストが低廉である。
【００１９】また、クリーニングガスがＮＦ3 の場合は
加熱酸化分解部で大部分分解され、さらに水洗により分
解で生成するＦ2 およびＣＶＤ排ガス中のＳｉＦ4 等が
除去される。従って、完全に処理するには残留するＮＦ
3 を分解剤、固定化剤等の公知の手段で処理する必要が
あるが、その負荷が大幅に低減されてクリーニング排ガ
スを別途処理する場合と比較してランニングコストが低
下する。また、その他のクリーニングガスの場合、例え
ば、ＣｌＦ3 は水洗までで完全な処理ができる。
加熱酸化分解部で大部分分解され、さらに水洗により分
解で生成するＦ2 およびＣＶＤ排ガス中のＳｉＦ4 等が
除去される。従って、完全に処理するには残留するＮＦ
3 を分解剤、固定化剤等の公知の手段で処理する必要が
あるが、その負荷が大幅に低減されてクリーニング排ガ
スを別途処理する場合と比較してランニングコストが低
下する。また、その他のクリーニングガスの場合、例え
ば、ＣｌＦ3 は水洗までで完全な処理ができる。
【００２０】本発明は、上記処理工程が一連のものとし
て連続的かつ自動的に行われるようにかつ所望処理条件
を適宜選定できるように制御装置を具備することができ
る。この制御装置は、通常種々の検出装置、例えば、温
度、圧力、水位等のセンサーと連絡され、常に安全でし
かも最適処理が行えるように構成される。
て連続的かつ自動的に行われるようにかつ所望処理条件
を適宜選定できるように制御装置を具備することができ
る。この制御装置は、通常種々の検出装置、例えば、温
度、圧力、水位等のセンサーと連絡され、常に安全でし
かも最適処理が行えるように構成される。
【００２１】
【作用】本発明において、モノシランやジシランなどの
シラン系ガスを用いるＣＶＤ排ガスにはこれらの他に分
解生成物の水素が含有されている。また、ＮＨ3 や少量
のドープ剤（ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 、ｅｔｃ）が含有される
場合もある。ＴＥＯＳを用いるＣＶＤ排ガスにはＴＥＯ
Ｓの他にＣ2 Ｈ5 ＯＨ、ＣＨ3 ＣＨＯ、Ｃ2 Ｈ4 等の有
機物やＨ2 、ＣＯなどが含有されている。
シラン系ガスを用いるＣＶＤ排ガスにはこれらの他に分
解生成物の水素が含有されている。また、ＮＨ3 や少量
のドープ剤（ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 、ｅｔｃ）が含有される
場合もある。ＴＥＯＳを用いるＣＶＤ排ガスにはＴＥＯ
Ｓの他にＣ2 Ｈ5 ＯＨ、ＣＨ3 ＣＨＯ、Ｃ2 Ｈ4 等の有
機物やＨ2 、ＣＯなどが含有されている。
【００２２】本発明は、これらＣＶＤ排ガスをＮＦ3 等
のクリーニング排ガスを共存させて加熱酸化分解反応に
供することができる。ＮＨ3 を除いてこれらのガスは８
００℃以上にして酸素と接触させることにより、酸化分
解し、ＣＯ2 、水、ＳｉＯ2 等に無害化される。分解生
成物のＳｉＯ2 や分解されないＮＨ3 は水洗で除去され
る。反応温度を１０００℃以上にしても処理効率はそれ
ほど上昇しないこと、および１０００℃以上の高温では
ＮＨ3 の一部が酸化されてＮＯXが生成するので反応温
度は８００℃〜１０００℃の範囲にするのがよい。
のクリーニング排ガスを共存させて加熱酸化分解反応に
供することができる。ＮＨ3 を除いてこれらのガスは８
００℃以上にして酸素と接触させることにより、酸化分
解し、ＣＯ2 、水、ＳｉＯ2 等に無害化される。分解生
成物のＳｉＯ2 や分解されないＮＨ3 は水洗で除去され
る。反応温度を１０００℃以上にしても処理効率はそれ
ほど上昇しないこと、および１０００℃以上の高温では
ＮＨ3 の一部が酸化されてＮＯXが生成するので反応温
度は８００℃〜１０００℃の範囲にするのがよい。
【００２３】ＮＦ3 を用いるクリーニング排ガスは、Ｎ
Ｆ3 とＳｉＦ4 が含有されているが、加熱酸化分解でＮ
Ｆ3 の８０％以上が分解し、その分解生成物のＦ2 およ
びＳｉＦ4 は水洗部で１００％除去される。
Ｆ3 とＳｉＦ4 が含有されているが、加熱酸化分解でＮ
Ｆ3 の８０％以上が分解し、その分解生成物のＦ2 およ
びＳｉＦ4 は水洗部で１００％除去される。
【００２４】ＣｌＦ3 を用いるクリーニング排ガスは水
洗まででＳｉＦ4 とＣｌＦ3 が完全に除去される。この
様に、本発明は、ＣＶＤ排ガスとクリーニング排ガスが
混合した状態であっても上記作用は変化せず、枚葉式Ｃ
ＶＤ装置の排ガス処理には効果的である。
洗まででＳｉＦ4 とＣｌＦ3 が完全に除去される。この
様に、本発明は、ＣＶＤ排ガスとクリーニング排ガスが
混合した状態であっても上記作用は変化せず、枚葉式Ｃ
ＶＤ装置の排ガス処理には効果的である。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガス導入手段１と
導入された排ガスを処理する加熱酸化分解装置２からな
り、図２にその具体的構成を示した。排ガス導入手段１
は、排ガス流入管３と真空ポンプ４からなり、排ガス流
入管はＣＶＤ装置５と加熱酸化分解装置２に連絡され、
ポンプ４にてＣＶＤ装置内でＣＶＤプロセスガス６から
生じたＣＶＤ排ガス７（実線で示す）および／またはク
リーニングガス８の処理により生じたクリーニング排ガ
ス９（点線で示す）からなる排ガス１０を加熱酸化分解
装置２へ同一の排ガス流入管３にて導入する。従って、
ＣＶＤ処理時ではクリーニング時のクリーニング排ガス
が若干混在しても全く支障を生じない。その逆も同様で
ある。また、排ガス１０を所望により、希釈Ｎ2 １１等
で希釈してもよい。
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガス導入手段１と
導入された排ガスを処理する加熱酸化分解装置２からな
り、図２にその具体的構成を示した。排ガス導入手段１
は、排ガス流入管３と真空ポンプ４からなり、排ガス流
入管はＣＶＤ装置５と加熱酸化分解装置２に連絡され、
ポンプ４にてＣＶＤ装置内でＣＶＤプロセスガス６から
生じたＣＶＤ排ガス７（実線で示す）および／またはク
リーニングガス８の処理により生じたクリーニング排ガ
ス９（点線で示す）からなる排ガス１０を加熱酸化分解
装置２へ同一の排ガス流入管３にて導入する。従って、
ＣＶＤ処理時ではクリーニング時のクリーニング排ガス
が若干混在しても全く支障を生じない。その逆も同様で
ある。また、排ガス１０を所望により、希釈Ｎ2 １１等
で希釈してもよい。
【００２６】該排ガス１０は、加熱酸化分解装置２に導
入されるが、加熱酸化分解装置２は、排ガス流入管３、
窒素流入管１２および空気流入管１３を同心状に構成し
た３層構造のガス導入部１４と、ガス導入部から放出さ
れるこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するため
の熱源であるセラミックヒータ１５を外壁に有すると共
に熱電対１６、１７を配備した反応部１８と、反応部１
８にて加熱酸化分解生成物を含む処理ガスを冷却水１９
にて水洗処理するための水洗部２０、水洗排水を排出す
る排水管２１、処理ガスを排気する排気管２２とから構
成される。
入されるが、加熱酸化分解装置２は、排ガス流入管３、
窒素流入管１２および空気流入管１３を同心状に構成し
た３層構造のガス導入部１４と、ガス導入部から放出さ
れるこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するため
の熱源であるセラミックヒータ１５を外壁に有すると共
に熱電対１６、１７を配備した反応部１８と、反応部１
８にて加熱酸化分解生成物を含む処理ガスを冷却水１９
にて水洗処理するための水洗部２０、水洗排水を排出す
る排水管２１、処理ガスを排気する排気管２２とから構
成される。
【００２７】実施例−１ ＣＶＤのプロセスガスがＴＥＯＳ、クリーニングガスが
ＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理を図１および２
に示した排ガス処理装置にて処理し、排気管からの排ガ
ス組成を測定した。その結果を表１に示す。尚、処理条
件は、排ガス流量２０Ｌ（リットル）／分、窒素流量５
Ｌ／分、空気流量５Ｌ／分、反応部温度９００℃で行っ
た。
ＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理を図１および２
に示した排ガス処理装置にて処理し、排気管からの排ガ
ス組成を測定した。その結果を表１に示す。尚、処理条
件は、排ガス流量２０Ｌ（リットル）／分、窒素流量５
Ｌ／分、空気流量５Ｌ／分、反応部温度９００℃で行っ
た。
【００２８】
【表１】
【００２９】ＮＦ3 は８０％以上除去され、処理後のガ
ス中のＳｉＦ4 、Ｆ2 は１ｐｐｍ以下であった。 実施例−２ ＣＶＤのプロセスガスがＳｉＨ4 およびＮＨ3 、クリー
ニングガスがＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理を
実施例１と同様に行った。その結果を表２に示す。尚、
処理条件は、排ガス流量４０Ｌ／分、窒素流量５Ｌ／
分、空気流量５Ｌ／分、反応部温度９１０℃で行った。
ス中のＳｉＦ4 、Ｆ2 は１ｐｐｍ以下であった。 実施例−２ ＣＶＤのプロセスガスがＳｉＨ4 およびＮＨ3 、クリー
ニングガスがＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理を
実施例１と同様に行った。その結果を表２に示す。尚、
処理条件は、排ガス流量４０Ｌ／分、窒素流量５Ｌ／
分、空気流量５Ｌ／分、反応部温度９１０℃で行った。
【００３０】
【表２】
【００３１】実施例−３ ＣＶＤのプロセスガスがＳｉＨ4 、クリーニングガスが
ＣＦ4 の排ガス処理結果を表３に示す。尚、処理条件
は、ＣＶＤ排ガス流量５０Ｌ／分、クリーニング排ガス
流量２０Ｌ／分、窒素流量５Ｌ／分、空気流量５Ｌ／
分、反応部温度８６０℃で行った。
ＣＦ4 の排ガス処理結果を表３に示す。尚、処理条件
は、ＣＶＤ排ガス流量５０Ｌ／分、クリーニング排ガス
流量２０Ｌ／分、窒素流量５Ｌ／分、空気流量５Ｌ／
分、反応部温度８６０℃で行った。
【００３２】
【表３】
【００３３】クリーニング排ガスのＣＦ4 はほとんど除
去されないが、生成したＳｉＦ4 は水洗によりほぼ完全
に除去できたことがわかる。クリーニングガスを流さな
いときは加熱酸化分解装置のノズル付近にＳｉＯ2 の付
着が認められたが、クリーニングガスも処理するように
してからはＳｉＯ2 の付着がほとんどなくなった。
去されないが、生成したＳｉＦ4 は水洗によりほぼ完全
に除去できたことがわかる。クリーニングガスを流さな
いときは加熱酸化分解装置のノズル付近にＳｉＯ2 の付
着が認められたが、クリーニングガスも処理するように
してからはＳｉＯ2 の付着がほとんどなくなった。
【００３４】
【発明の効果】１つの装置でＣＶＤ排ガスもクリーニン
グ排ガスも処理できるためにバルブによる切替えが不要
となる。短時間のサイクルでＣＶＤとクリーニングが繰
り返される枚葉式ではバルブ切替えをする場合は自動化
する必要があるが、それが不要となるので配管工事費が
低減できる。
グ排ガスも処理できるためにバルブによる切替えが不要
となる。短時間のサイクルでＣＶＤとクリーニングが繰
り返される枚葉式ではバルブ切替えをする場合は自動化
する必要があるが、それが不要となるので配管工事費が
低減できる。
【００３５】枚葉式ではＣＶＤ排ガスとクリーニング排
ガスとが完全に分離できないために、バルブで切替えて
乾式処理を行うと除害効果が低下する場合があるが、常
に良好な処理状態を保てる。
ガスとが完全に分離できないために、バルブで切替えて
乾式処理を行うと除害効果が低下する場合があるが、常
に良好な処理状態を保てる。
【００３６】ＮＦ3 がクリーニングガスの場合はＮＦ3
が一部残留するために、後段でさらに処理する必要があ
るが、別個に処理する場合よりＮＦ3 負荷が低くなると
共にＳｉＦ4 などが除去されるためにランニングコスト
が低廉になる。他のクリーニングガスの場合は加熱酸化
分解装置だけで処理が完了し、従来法（乾式）よりラン
ニングコストが大幅に低減できる。
が一部残留するために、後段でさらに処理する必要があ
るが、別個に処理する場合よりＮＦ3 負荷が低くなると
共にＳｉＦ4 などが除去されるためにランニングコスト
が低廉になる。他のクリーニングガスの場合は加熱酸化
分解装置だけで処理が完了し、従来法（乾式）よりラン
ニングコストが大幅に低減できる。
【００３７】また、ＣＶＤ排ガスの処理により酸化分解
部の壁に少量のＳｉＯ2 粒子が付着する場合があるが、
クリーニング排ガスも処理することによりこれを除ける
効果もある。
部の壁に少量のＳｉＯ2 粒子が付着する場合があるが、
クリーニング排ガスも処理することによりこれを除ける
効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の排ガス処理装置の構成の一例を説明す
るための図である。
るための図である。
【図２】本発明に使用される加熱酸化分解装置の一例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】従来の排ガス処理装置の構成の一例を説明する
ための図である。
ための図である。
１ 排ガス導入手段 ２ 加熱酸化分解装置 ３ 排ガス流入管 ４ 真空ポンプ ５ ＣＶＤ装置 ６ ＣＶＤプロセスガス ７ ＣＶＤ排ガス ８ クリーニングガス ９ クリーニング排ガス 10 排ガス 11 希釈Ｎ2 12 Ｎ2 流入管 13 空気流入管 14 ガス導入部 15 セラミックヒータ 16 熱電対 17 熱電対 18 反応部 19 冷却水 20 水洗部 21 排水管 22 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/68 53/72 Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４ Ｃ １３４ Ａ １２８ ＺＡＢ (56)参考文献 特開 昭49−54268（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−279014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174928（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよ
び／または該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガス
を同一の経路から反応部に導入する構成であって、かつ
該排ガス、不活性ガスおよび酸素含有ガスを内側から外
側に同心状に該反応部に導入し、ヒータにより加熱酸化
分解処理することを特徴とする排ガス処理方法。 - 【請求項２】 ＣＶＤ装置からのＣＶＤ時の排ガスおよ
び／または該ＣＶＤ装置からのクリーニング時の排ガス
を同一の経路から反応部に導入する構成であって、かつ
該排ガス流入管、不活性ガス流入管および酸素含有ガス
流入管の順で内側から外側に同心状に構成したガス導入
部および該導入される排ガスをヒータにより加熱酸化分
解処理する装置からなることを特徴とする排ガス処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054713A JPH0767524B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 排ガス処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054713A JPH0767524B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 排ガス処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290525A JPH04290525A (ja) | 1992-10-15 |
| JPH0767524B2 true JPH0767524B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=12978448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054713A Expired - Fee Related JPH0767524B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 排ガス処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0767524B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763583B2 (ja) * | 1992-01-21 | 1995-07-12 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体排ガス除害方法とその装置 |
| JP2785745B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| JP2006150260A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造ラインにおける排ガス処理装置 |
| JP2011058033A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法 |
| JP6441660B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-12-19 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
| JP6472653B2 (ja) | 2014-03-17 | 2019-02-20 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
| CN115233187B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641292B2 (ja) * | 1972-09-30 | 1981-09-28 | ||
| FR2612606B1 (fr) * | 1987-03-18 | 1990-09-14 | Air Liquide | Procede et dispositif de destruction d'effluents gazeux toxiques |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054713A patent/JPH0767524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04290525A (ja) | 1992-10-15 |
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