JPH0965662A - パワーモジュール - Google Patents
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力用半導体素子を用いた装置の小形化,低
コスト化を図る。 【解決手段】 従来の電力用半導体素子を用いた装置の
ように、そこに流れる電流を検出するための電流センサ
を外付けとするのではなく、パワーモジュール1a,1
b,1c(3相の場合)の内部にCTu,CTv,CT
wの如く設けることで、電力変換器(装置)全体を小形
にしコストダウンを図る。
コスト化を図る。 【解決手段】 従来の電力用半導体素子を用いた装置の
ように、そこに流れる電流を検出するための電流センサ
を外付けとするのではなく、パワーモジュール1a,1
b,1c(3相の場合)の内部にCTu,CTv,CT
wの如く設けることで、電力変換器(装置)全体を小形
にしコストダウンを図る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、直流電力と直流
または交流電力相互の変換が可能な電力変換器のパワー
モジュールの構成に関する。
または交流電力相互の変換が可能な電力変換器のパワー
モジュールの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】図7はパワーモジュールの従来例を示す
構成図である。従来のパワーモジュールは図7(a),
(b)に示すように、冷却体11と、絶縁体12と、こ
の絶縁体12の上に形成された銅パターン13a〜13
dと、この銅パターン13a〜13dの上に実装される
パワートランジスタチップ14a,14bと、ダイオー
ドチップ15a,15bと、ケース18および端子台1
9b〜19dなどからなっている。端子台19b〜19
dは、銅パターン13a〜13dの斜線部のパッド
(P:正極,N:負極,OUT:出力と記入されている
部分)と接続されている。
構成図である。従来のパワーモジュールは図7(a),
(b)に示すように、冷却体11と、絶縁体12と、こ
の絶縁体12の上に形成された銅パターン13a〜13
dと、この銅パターン13a〜13dの上に実装される
パワートランジスタチップ14a,14bと、ダイオー
ドチップ15a,15bと、ケース18および端子台1
9b〜19dなどからなっている。端子台19b〜19
dは、銅パターン13a〜13dの斜線部のパッド
(P:正極,N:負極,OUT:出力と記入されている
部分)と接続されている。
【0003】図8はインバータのような直流/交流変換
器の1例を示すもので、図7の如きパワーモジュール1
a〜1cと、電流センサ2a〜2cと、端子台3と、バ
ー配線4a〜4eと、冷却フィン5とから構成される。
このように、従来の変換器では交流側の出力電流を検出
するため、パワーモジュール1a〜1cの出力端子か
ら、一度バー配線4c〜4eを経由して電流センサ2a
〜2cを通過した後、再び端子台3へと接続されてい
る。
器の1例を示すもので、図7の如きパワーモジュール1
a〜1cと、電流センサ2a〜2cと、端子台3と、バ
ー配線4a〜4eと、冷却フィン5とから構成される。
このように、従来の変換器では交流側の出力電流を検出
するため、パワーモジュール1a〜1cの出力端子か
ら、一度バー配線4c〜4eを経由して電流センサ2a
〜2cを通過した後、再び端子台3へと接続されてい
る。
【0004】図9はパワーモジュールおよび変換器の各
例を示す回路図である。すなわち、同図(a)のように
パワーモジュールをIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ)の如きパワートランジスタT1,T2と
ダイオードD1,D2との逆並列回路の2個組で構成
し、これを同図(b)のように3相構成(6個組)とし
てインバータのような変換器とした例を示している。
例を示す回路図である。すなわち、同図(a)のように
パワーモジュールをIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ)の如きパワートランジスタT1,T2と
ダイオードD1,D2との逆並列回路の2個組で構成
し、これを同図(b)のように3相構成(6個組)とし
てインバータのような変換器とした例を示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、従来の変換
器では、パワーモジュールの端子台から変換器の端子台
までの間が、電流センサを通過させるためにだけ設けら
れることになり、寸法が大きくなってコスト高になると
いう問題がある。したがって、この発明の課題は、装置
の小型化と低コスト化とを図ることにある。
器では、パワーモジュールの端子台から変換器の端子台
までの間が、電流センサを通過させるためにだけ設けら
れることになり、寸法が大きくなってコスト高になると
いう問題がある。したがって、この発明の課題は、装置
の小型化と低コスト化とを図ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、電流センサをパワーモジュールの中に入れて一
体化することにより、パワーモジールの出力端子を直流
と交流の相互変換が可能な変換器一般の出力端子として
そのまま使用できるようにし、バー配線を不要とする。
その結果、寸法を小さくでき低コスト化を図ることがで
きる。また、電流センサとしてはシャント抵抗を用い、
モジールの冷却体の上におくことで、特に電流センサの
小形化と低コスト化を図る。また、シャント抵抗をモジ
ールの冷却体の絶縁体の上に直接形成することで、より
小形化と低コスト化を図る。さらに、電流センサとして
はシャント抵抗を用いた場合は、シャント抵抗出力を絶
縁する絶縁アンプを内蔵することにより、ノイズの影響
を受け難くする。
るため、電流センサをパワーモジュールの中に入れて一
体化することにより、パワーモジールの出力端子を直流
と交流の相互変換が可能な変換器一般の出力端子として
そのまま使用できるようにし、バー配線を不要とする。
その結果、寸法を小さくでき低コスト化を図ることがで
きる。また、電流センサとしてはシャント抵抗を用い、
モジールの冷却体の上におくことで、特に電流センサの
小形化と低コスト化を図る。また、シャント抵抗をモジ
ールの冷却体の絶縁体の上に直接形成することで、より
小形化と低コスト化を図る。さらに、電流センサとして
はシャント抵抗を用いた場合は、シャント抵抗出力を絶
縁する絶縁アンプを内蔵することにより、ノイズの影響
を受け難くする。
【0007】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の第1の実施の形
態を示す構成図である。すなわち、この発明によるパワ
ーモジールは、電流検出器としての電流センサ16を端
子台19dの前段に挿入し、その電流検出信号を端子1
9a(CT)に出力するようにした点が特徴である。か
かるパワーモジールを用いた変換器の例を図2に示す
が、これは図8に示すものと比べれば明らかなように、
バー配線4c〜4eと端子台3を省略できることが分か
る。
態を示す構成図である。すなわち、この発明によるパワ
ーモジールは、電流検出器としての電流センサ16を端
子台19dの前段に挿入し、その電流検出信号を端子1
9a(CT)に出力するようにした点が特徴である。か
かるパワーモジールを用いた変換器の例を図2に示す
が、これは図8に示すものと比べれば明らかなように、
バー配線4c〜4eと端子台3を省略できることが分か
る。
【0008】図3はこの発明の第2の実施の形態を示す
構成図である。この例は、電流センサとしてシャント抵
抗16を用いた点が特徴である。このシャント抵抗16
は大電流が流れるときは発熱が問題となるが、これをパ
ワーモジールの冷却体11の上に搭載することにより、
放熱効率を飛躍的に向上させ、シャント抵抗を小型化す
るものである。
構成図である。この例は、電流センサとしてシャント抵
抗16を用いた点が特徴である。このシャント抵抗16
は大電流が流れるときは発熱が問題となるが、これをパ
ワーモジールの冷却体11の上に搭載することにより、
放熱効率を飛躍的に向上させ、シャント抵抗を小型化す
るものである。
【0009】図4はこの発明の第3の実施の形態を示す
構成図である。これは、図3に示すものに対し、さらに
アイソレーションアンプ17を付加して構成した点が特
徴である。すなわち、出力電流の検出は、通常は電位絶
縁して行なわれ、また、シャント抵抗の出力電圧は微小
であるのが普通である。このため、微小信号をパワーモ
ジール外に引き出して電位絶縁するようにすると、その
間で信号がノイズの影響を受け易くなってしまう。そこ
で、この例のようにアイソレーションアンプ17をパワ
ーモジールに内蔵させることで、微小信号の部分を最短
距離にすることができる。また、モジールから引き出さ
れたところでは、すでに電位絶縁されているため、信号
パターンの絶縁距離等を考慮する必要は無い。
構成図である。これは、図3に示すものに対し、さらに
アイソレーションアンプ17を付加して構成した点が特
徴である。すなわち、出力電流の検出は、通常は電位絶
縁して行なわれ、また、シャント抵抗の出力電圧は微小
であるのが普通である。このため、微小信号をパワーモ
ジール外に引き出して電位絶縁するようにすると、その
間で信号がノイズの影響を受け易くなってしまう。そこ
で、この例のようにアイソレーションアンプ17をパワ
ーモジールに内蔵させることで、微小信号の部分を最短
距離にすることができる。また、モジールから引き出さ
れたところでは、すでに電位絶縁されているため、信号
パターンの絶縁距離等を考慮する必要は無い。
【0010】図5にシャント抵抗の具体例を示す。16
1は銅ベース、162は絶縁体、163は電極、164
はシャント抵抗をそれぞれ示している。ここでは、シャ
ント抵抗164の放熱を良くするために、絶縁体162
を間にはさんで銅ベース161に載せるようにしてい
る。また、モジールへの実装時には、この銅ベース16
1がモジールの銅パターン13c,13dへ半田付けさ
れる。このように構成する理由は、シャント抵抗が薄膜
となるため、銅ベースの上に絶縁して形成する必要があ
ることによる。
1は銅ベース、162は絶縁体、163は電極、164
はシャント抵抗をそれぞれ示している。ここでは、シャ
ント抵抗164の放熱を良くするために、絶縁体162
を間にはさんで銅ベース161に載せるようにしてい
る。また、モジールへの実装時には、この銅ベース16
1がモジールの銅パターン13c,13dへ半田付けさ
れる。このように構成する理由は、シャント抵抗が薄膜
となるため、銅ベースの上に絶縁して形成する必要があ
ることによる。
【0011】しかし、モジールに実装した状態で見る
と、2つの絶縁体は明らかに重複している。そこで、図
6のように、シャント抵抗164をモジールの絶縁体1
2の上に直接形成するようにする。こうすれば、機械的
強度不足を補いつつ、図5のような銅ベース161およ
び絶縁体162を不要とすることができる。その結果、
コストダウンだけでなく、冷却体11までの熱抵抗が下
がるため、より一層の小形化が可能となる。
と、2つの絶縁体は明らかに重複している。そこで、図
6のように、シャント抵抗164をモジールの絶縁体1
2の上に直接形成するようにする。こうすれば、機械的
強度不足を補いつつ、図5のような銅ベース161およ
び絶縁体162を不要とすることができる。その結果、
コストダウンだけでなく、冷却体11までの熱抵抗が下
がるため、より一層の小形化が可能となる。
【0012】以上では、主として2個組パワーモジール
について説明したが、この発明は6個組パワーモジール
(図2または図8に示すようなパワーモジール1a,1
b,1cを組にしたもの)についても、同様にして適用
することができる。また、パワートランジスタの代わり
に、MOSFETなどの電力用半導体素子を用いること
ができるのは言う迄もない。さらに、変換器はPWMコ
ンバータを含む順変換器でも、インバータのような逆変
換器でも良いのも勿論である。
について説明したが、この発明は6個組パワーモジール
(図2または図8に示すようなパワーモジール1a,1
b,1cを組にしたもの)についても、同様にして適用
することができる。また、パワートランジスタの代わり
に、MOSFETなどの電力用半導体素子を用いること
ができるのは言う迄もない。さらに、変換器はPWMコ
ンバータを含む順変換器でも、インバータのような逆変
換器でも良いのも勿論である。
【0013】
【発明の効果】この発明によれば、電流センサをパワー
モジュール内に内蔵させるようにしているため、モジュ
ールの出力端子を直接変換器出力端子として使用できる
ので、変換器の構成が簡単となりコストダウンができ、
小形にできる。また、電流センサとしてシャント抵抗を
使用し、モジュール上に実装して冷却することで、シャ
ント抵抗の特に小形化が可能となり、さらにアイソレー
ションアンプを内蔵させることで、ノイズの影響を受け
難くすることができる。加えて、シャント抵抗をモジュ
ールの絶縁体の上に直接形成することで、より低コスト
となり、しかも低熱抵抗とすることができるため、一層
の小型化が可能となる。
モジュール内に内蔵させるようにしているため、モジュ
ールの出力端子を直接変換器出力端子として使用できる
ので、変換器の構成が簡単となりコストダウンができ、
小形にできる。また、電流センサとしてシャント抵抗を
使用し、モジュール上に実装して冷却することで、シャ
ント抵抗の特に小形化が可能となり、さらにアイソレー
ションアンプを内蔵させることで、ノイズの影響を受け
難くすることができる。加えて、シャント抵抗をモジュ
ールの絶縁体の上に直接形成することで、より低コスト
となり、しかも低熱抵抗とすることができるため、一層
の小型化が可能となる。
【図1】この発明による第1の実施の形態を示す構成図
である。
である。
【図2】図1のモジュールを使用した変換器の例を示す
構成図である。
構成図である。
【図3】この発明による第2の実施の形態を示す構成図
である。
である。
【図4】この発明による第3の実施の形態を示す構成図
である。
である。
【図5】図3のシャント抵抗の具体例を示す構成図であ
る。
る。
【図6】図5の変形例を示す構成図である。
【図7】パワーモジュールの従来例を示す構成図であ
る。
る。
【図8】図7のモジュールを使用した変換器の例を示す
構成図である。
構成図である。
【図9】パワーモジュールおよび変換器の各例を示す回
路図である。
路図である。
1a〜1c…パワーモジュール、2a〜2c…電流セン
サ(電流検出器)、3,19…端子台、4a〜4c…バ
ー配線、5…冷却フィン、11…冷却体、12,162
…絶縁体、13a〜13d…銅パターン、14a,14
b…パワートランジスタチップ、15a,15b…ダイ
オードチップ、16…電流センサ、17…アイソレーシ
ョンアンプ、18…ケース、161…銅ベース、163
…電極、164…シャント抵抗。
サ(電流検出器)、3,19…端子台、4a〜4c…バ
ー配線、5…冷却フィン、11…冷却体、12,162
…絶縁体、13a〜13d…銅パターン、14a,14
b…パワートランジスタチップ、15a,15b…ダイ
オードチップ、16…電流センサ、17…アイソレーシ
ョンアンプ、18…ケース、161…銅ベース、163
…電極、164…シャント抵抗。
Claims (5)
- 【請求項1】 電力用半導体素子と、この電力用半導体
素子を流れる電流を検出する電流センサと、電力用半導
体素子を用いた装置の出力端子としての端子台とを一体
型にしたことを特徴とするパワーモジュール。 - 【請求項2】 電力用半導体素子と、この電力用半導体
素子を流れる電流を検出する電流センサと、電力用半導
体素子を用いた装置の出力端子としての端子台とを一体
型にし、直流電源と可変電圧・可変周波数の交流とを相
互に変換する変換器の構成要素として用いることを特徴
とするパワーモジュール。 - 【請求項3】 前記電流センサとしてシャント抵抗を用
い、このシャント抵抗を冷却体の上に配置することを特
徴とする請求項1または2のいずれかに記載のパワーモ
ジュール。 - 【請求項4】 前記シャント抵抗の出力電圧を絶縁する
絶縁アンプを内蔵することを特徴とする請求項3に記載
のパワーモジュール。 - 【請求項5】 前記シャント抵抗をパワーモジュールの
冷却体の絶縁体の上に直接形成することを特徴とする請
求項3に記載のパワーモジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7218436A JPH0965662A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | パワーモジュール |
DE19633542A DE19633542A1 (de) | 1995-08-28 | 1996-08-20 | Leistungsmodul |
GB9617939A GB2305028A (en) | 1995-08-28 | 1996-08-28 | Power module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7218436A JPH0965662A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | パワーモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0965662A true JPH0965662A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16719890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7218436A Pending JPH0965662A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | パワーモジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0965662A (ja) |
DE (1) | DE19633542A1 (ja) |
GB (1) | GB2305028A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003070230A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | シャント抵抗を備えた電力変換装置 |
WO2003032478A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-17 | Daikin Industries, Ltd. | Detecteur de courant de phase |
JP2003218318A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール、半導体パワーモジュールに用いる絶縁基板及び該絶縁基板の製造方法 |
JP2004201462A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Toyota Motor Corp | インバータ装置およびそれを用いた電動機一体インバータ装置 |
CN107580726A (zh) * | 2015-05-06 | 2018-01-12 | 西门子公司 | 功率模块及功率模块的制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018109803A1 (de) | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Leistungselektronikeinheit mit integriertem Stromsensor zur Ausbildung eines Moduls; sowie Antriebsstrang |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710193A (en) * | 1971-03-04 | 1973-01-09 | Lambda Electronics Corp | Hybrid regulated power supply having individual heat sinks for heat generative and heat sensitive components |
US4007401A (en) * | 1974-09-09 | 1977-02-08 | Westinghouse Electric Corporation | Current sensitive circuit protection system |
DE2724176B2 (de) * | 1977-05-27 | 1979-06-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Gleichstromversorgungssystem |
US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
JPH0834709B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路及びそれを使つた電動機制御装置 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP7218436A patent/JPH0965662A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-20 DE DE19633542A patent/DE19633542A1/de not_active Withdrawn
- 1996-08-28 GB GB9617939A patent/GB2305028A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003070230A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | シャント抵抗を備えた電力変換装置 |
WO2003032478A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-17 | Daikin Industries, Ltd. | Detecteur de courant de phase |
US7084601B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-08-01 | Daikin Industries, Ltd. | Phase current detector |
JP2003218318A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール、半導体パワーモジュールに用いる絶縁基板及び該絶縁基板の製造方法 |
JP2004201462A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Toyota Motor Corp | インバータ装置およびそれを用いた電動機一体インバータ装置 |
CN107580726A (zh) * | 2015-05-06 | 2018-01-12 | 西门子公司 | 功率模块及功率模块的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19633542A1 (de) | 1997-03-06 |
GB2305028A (en) | 1997-03-26 |
GB9617939D0 (en) | 1996-10-09 |
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