JPH0960067A - Water equipment member having high drainage ability method for promoting water drainage and drying of water equipment member and method for preventing water scale - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To comfortably use water equipment and to limit water scale dirt by promoting water drainage and drying. SOLUTION: A water equipment member having a high drainage ability is provided with a base material and a surface layer including an optical semiconductor formed on the base material. The member surface receives an exciting light from the optical semiconductor so as to have hydrophilicity of less than a contact angle 10 deg. with water and water stuck to the member surface is uniformly spread and quickly dried.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗面台やキッチン
のカウンター部や浴槽のエプロン部のような水回りに配
置される部材及びその排水・乾燥方法等に関する。特に
は、水の排水・乾燥が促進されて、気持ちよく使用でき
るとともに、水垢汚れを抑制できる高排水性水回り部材
等に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a member arranged around water such as a wash basin, a counter section of a kitchen and an apron section of a bathtub, and a drainage / drying method thereof. In particular, the present invention relates to a highly drainable water-surrounding member that promotes drainage and drying of water, can be used comfortably, and can prevent stains from water stains.

【０００２】洗面台のカウンター部には、従来より、マ
ーブライト（人工大理石）、大理石、みかげ石、ステン
レスなどが使用されている。また浴槽の代表的な材料と
しては、ホーロー、ＦＲＰ、アクリルなどが使用されて
いる。[0002] For the counter portion of the wash basin, Marbright (artificial marble), marble, granite, stainless steel, etc. have been conventionally used. As a typical material for the bathtub, enamel, FRP, acrylic, etc. are used.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記素材は充
分な親水性を有しないため、付着水滴が広がることもな
く、液滴状に成長する。そのため乾くまでに時間がかか
る。その間に、水滴中のカルシウムイオン等が、空中の
ＣＯ₂ と反応してＣａＣＯ₃ のような固形物が生じ、こ
れが水滴の周囲に沿ってカウンターに付いて水垢汚れと
なる。一旦水垢が付いてしまうと、そこに水滴が付着し
やすくなってさらに水垢が大きくなる。特に、青色のよ
うな濃い色のカウンターの場合、ＣａＣＯ₃ のような白
い水垢汚れはよく目立って洗面台の美感を損ねるので、
その対策を求める声が強い。However, since the above materials do not have sufficient hydrophilicity, the deposited water droplets do not spread and grow in the form of droplets. Therefore, it takes time to dry. In the meantime, calcium ions and the like in the water droplets react with CO _{2 in} the air to produce solid substances such as CaCO ₃ , which adhere to the counter along the circumference of the water droplets and become stains on the counter. Once the scale is attached, water droplets tend to adhere to it and the scale becomes even larger. In particular, in the case of a counter with a dark color such as blue, white scale stains such as CaCO ₃ are conspicuous and spoil the aesthetics of the washbasin.
There is a strong demand for such measures.

【０００４】また、洗面台で洗浄をした後は、すすぎの
水が完全に排水されることはなく、排水経路にかなりの
水が水滴となって残っている。この水滴が残っていると
汚らしく不快に感じる。この水滴を流すことによって表
面の清潔感を保つことが課題である。また洗面所等では
人が使用した後にカウンターが濡れていると、ネクタイ
や服を濡らしてしまうことがある。Further, after washing on the wash basin, the rinse water is not completely drained, and a considerable amount of water remains in the drainage path as water droplets. If this water drop remains, it feels dirty and uncomfortable. The issue is to keep the surface clean by flowing these water droplets. Also, in the bathroom, if the counter is wet after being used by a person, the tie or clothes may get wet.

【０００５】本発明は、水の排水・乾燥が促進されて、
気持ちよく使用できるとともに、水垢汚れを抑制できる
高排水性水回り部材等を提供することを目的とする。The present invention promotes drainage and drying of water,
It is an object of the present invention to provide a highly drainable water supply member and the like that can be comfortably used and can suppress stains on water stains.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の高排水性水回り部材は、基材と、この基材
上に形成された光半導体を含む表面層と、を備えた、水
回りに配置される部材であって； 該光半導体の励起光
を受けて該部材表面は水との接触角１０°未満の親水性
となり、 該部材表面に付着した水が一様に広がり速や
かに乾燥することを特徴とする。さらに、上記部材表面
が傾斜しており、該表面に落ちた水が速やかに流下排水
されると一層好ましい。In order to solve the above-mentioned problems, the highly drainable water supply member of the present invention comprises a base material and a surface layer containing an optical semiconductor formed on the base material. , A member arranged around water; upon receiving the excitation light of the optical semiconductor, the surface of the member becomes hydrophilic with a contact angle with water of less than 10 °, and water adhering to the surface of the member spreads uniformly. It is characterized by being dried quickly. Further, it is more preferable that the surface of the member is inclined, and the water dropped on the surface is quickly drained down.

【０００７】また、本発明の水回り部材の乾燥促進方法
は、基材と、この基材上に形成された光半導体を含む表
面層と、を備えた部材に該光半導体の励起光を照射する
ことにより該表面を水との接触角１０°未満の親水性と
なし、もって該部材表面に付着した水を一様に広がらせ
速やかに乾燥させることを特徴とする。さらに、水回り
部材を傾斜させて配置し、部材表面に落下した水を速や
かに流下排水することもできる。Further, in the method for promoting the drying of a water around member according to the present invention, a member provided with a base material and a surface layer containing an optical semiconductor formed on the base material is irradiated with excitation light of the optical semiconductor. By doing so, the surface is made hydrophilic with a contact angle with water of less than 10 °, so that the water adhering to the surface of the member is evenly spread and quickly dried. Further, the water supply member can be arranged so as to be inclined, and the water that has dropped onto the surface of the member can be swiftly drained down.

【０００８】本発明では、水回り部材の表面が親水化さ
れ水滴が水膜化されてしまうこと、水膜化されることに
より乾燥が速い。そのため、水滴中に雰囲気から水垢汚
れ源が混入しにくいので、水垢汚れが生じにくい。さら
に、水回り部材表面に傾斜面を設けると勾配の低い方へ
流して排水する効果が加わり、より快適さが増すととも
により充分に水垢汚れを防止できる。In the present invention, the surface of the water supply member is hydrophilized to form a water film of the water droplets, and the water film makes the film dry quickly. Therefore, the source of scale stains is less likely to be mixed into the droplets from the atmosphere, and scale stains are less likely to occur. Further, if an inclined surface is provided on the surface of the water handling member, the effect of draining the water by flowing it to a lower slope is added, and the comfort is further increased and the stains on the scale can be prevented more sufficiently.

【０００９】次に、親水性と光半導体との関係について
述べる。本発明者は、光半導体を光励起すると光半導体
の表面が高度に親水化されることを発見した。すなわ
ち、光半導性チタニアを紫外線で光励起したところ、水
との接触角が１０°以下、より詳しくは５°以下、特に
約０°になる程度に表面が高度に親水化されること、及
び、光の照射により高度の親水性が維持・回復されるこ
と、さらには特定条件下では一旦高度に親水化された状
態が３週間以上暗所にあっても維持されることを発見し
た。Next, the relationship between hydrophilicity and optical semiconductor will be described. The present inventor discovered that the surface of an optical semiconductor is highly hydrophilized when the optical semiconductor is photoexcited. That is, when the photo-semiconductive titania is photoexcited with ultraviolet rays, the surface is highly hydrophilized so that the contact angle with water is 10 ° or less, more specifically 5 ° or less, and particularly about 0 °, and It was discovered that irradiation with light maintains and restores a high degree of hydrophilicity, and that under certain conditions, a highly hydrophilized state is maintained even in a dark place for 3 weeks or longer.

【００１０】光半導体のバンドギャップエネルギーより
高いエネルギーの波長をもった光を充分な照度で充分な
時間照射すると、光半導体含有層の表面は超親水性を呈
するに至る。光半導体の光励起によって起こる表面の超
親水化現象は、現在のところ、必ずしも明確に説明する
ことはできない。光半導体による超親水化現象は、光半
導体の化学反応への応用に関する分野において従来知ら
れている光触媒的酸化還元反応による物質の光分解とは
必ずしも同じではないように見受けられる。この点に関
し、光触媒的酸化還元反応に関する従来の定説は、光励
起により電子−正孔対が生成し、生成した電子は表面酸
素を還元してスーパーオキサイドイオン（Ｏ₂ ^-）を生成
し、正孔は表面水酸基を酸化して水酸ラジカル（・Ｏ
Ｈ）を生成し、これらの高度に反応性の活性酸素種（Ｏ
₂ ^-や・ＯＨ）の酸化還元反応によって物質が分解される
というものであった。When light having a wavelength of energy higher than the band gap energy of the photosemiconductor is irradiated with sufficient illuminance for a sufficient time, the surface of the photosemiconductor-containing layer becomes superhydrophilic. At present, the surface superhydrophilization phenomenon caused by photoexcitation of an optical semiconductor cannot always be clearly explained. The superhydrophilization phenomenon by the photo-semiconductor does not seem to be the same as the photo-decomposition of a substance by the photocatalytic redox reaction conventionally known in the field relating to the application of the photo-semiconductor to the chemical reaction. In this regard, conventional dogma regarding the photocatalytic redox reaction is photoexcited by electron - hole pairs are generated, the generated electrons are superoxide ions by reducing surface oxygen (O ₂ ^-) to generate the hole Oxidize the hydroxyl groups on the surface to generate hydroxyl radicals (・ O
H) to produce these highly reactive reactive oxygen species (O
₂ ^- material by an oxidation-reduction reaction of and · OH) was intended that they are degraded.

【００１１】しかしながら、光半導体による超親水化現
象は、少なくとも２つの点において、物質の光触媒的分
解に関する従来の知見と合致しない。第一に、従来の定
説では、ルチルや酸化錫のような光半導体は、伝導体の
エネルギー準位が十分に高くないため、還元反応が進行
せず、その結果、伝導体に光励起された電子が過剰とな
り、光励起により生成した電子−正孔対が酸化還元反応
に関与することなく再結合すると考えられていた。これ
に対して、光半導体による親水化現象は、ルチルや酸化
錫のような光半導体でも起こることが確認された。However, the superhydrophilization phenomenon caused by the photo-semiconductor is inconsistent with the conventional knowledge about the photocatalytic decomposition of substances in at least two respects. First, according to the conventional theory, in photo semiconductors such as rutile and tin oxide, the energy level of the conductor is not sufficiently high, so the reduction reaction does not proceed, and as a result, the electrons photoexcited by the conductor are not excited. It was thought that the electron-hole pairs generated by photoexcitation recombine without participating in the redox reaction. On the other hand, it was confirmed that the hydrophilization phenomenon caused by the optical semiconductor also occurs in the optical semiconductors such as rutile and tin oxide.

【００１２】第二に、従来、光触媒性酸化還元反応によ
る物質の分解は光半導体層の膜厚が少なくとも１００nm
以上でないと起こらないと考えられている。これに対し
て、光半導体による超親水化は、光触媒含有層の膜厚が
数nmのオーダーでも起こることが観察された。Secondly, conventionally, the decomposition of a substance by a photocatalytic oxidation-reduction reaction is performed when the film thickness of the photosemiconductor layer is at least 100 nm
It is thought that it will not happen unless it is above. On the other hand, it was observed that the superhydrophilization by the photo-semiconductor occurs even when the film thickness of the photocatalyst containing layer is on the order of several nm.

【００１３】したがって、明確には結論できないが、光
半導体による超親水化現象は、光触媒的酸化還元反応に
よる物質の光分解とはやや異なる現象であると考えられ
る。しかしながら、光半導体のバンドギャップエネルギ
ーより高いエネルギーの光を照射しなければ表面の超親
水化は起こらないことが確認された。おそらくは、光半
導体の励起により生成した伝導電子と正孔によって光半
導体含有層の表面に極性が付与され水が水酸基（ＯＨ
^- ）の形で化学吸着され、さらにその上に物理吸着水層
が形成されて、表面が超親水性になると考えられる。Therefore, although it cannot be clearly concluded, it is considered that the superhydrophilization phenomenon by the photo-semiconductor is a phenomenon slightly different from the photodecomposition of the substance by the photocatalytic redox reaction. However, it was confirmed that superhydrophilization of the surface does not occur unless light having an energy higher than the band gap energy of the optical semiconductor is irradiated. Probably, the conduction electrons and holes generated by the excitation of the photo-semiconductor impart polarities to the surface of the photo-semiconductor-containing layer, and water becomes a hydroxyl group (OH
^It is thought that the surface becomes superhydrophilic by chemical adsorption in the form of-), and a physically adsorbed water layer is formed on it.

【００１４】光励起により光半導体含有層の表面が一旦
高度に親水化されたならば、基材を暗所に保持しても、
表面の親水性はある程度の期間持続する。時間の経過に
伴い表面水酸基に汚染物質が吸着され、表面が次第に超
親水性を失った時には、再び光励起すれば超親水性は回
復する。Once the surface of the photosemiconductor-containing layer has been made highly hydrophilic by photoexcitation, even if the substrate is kept in a dark place,
The hydrophilicity of the surface lasts for some time. When the contaminant is adsorbed on the surface hydroxyl groups with the passage of time and the surface gradually loses the superhydrophilic property, the superhydrophilic property is restored by photoexcitation again.

【００１５】光半導体含有層を最初に親水化するために
は、光半導体のバンドギャップエネルギーより高いエネ
ルギーの波長をもった任意の光源を利用することができ
る。チタニアのように光励起波長が紫外線領域に位置す
る光半導体の場合には、光半導体含有層で被覆された基
材に太陽光が当たるような条件では、太陽光に含まれる
紫外線を好適に利用することができる。屋内や夜間に
は、人工光源により光半導体を光励起することができ
る。後述するように、光半導体含有層がシリカ配合チタ
ニアからなる場合には、蛍光灯に含まれる微弱な紫外線
でも容易に親水化することができる。In order to first hydrophilize the photosemiconductor-containing layer, any light source having a wavelength higher than the bandgap energy of the photosemiconductor can be used. In the case of an optical semiconductor in which the photoexcitation wavelength is located in the ultraviolet region such as titania, under the condition that sunlight hits the substrate coated with the optical semiconductor-containing layer, the ultraviolet rays contained in the sunlight are preferably used. be able to. An optical semiconductor can be optically excited by an artificial light source indoors or at night. As will be described later, when the optical-semiconductor-containing layer is made of silica-containing titania, it can be easily made hydrophilic even with weak ultraviolet rays contained in a fluorescent lamp.

【００１６】光半導体含有層の表面が一旦超親水化され
た後には、比較的微弱な光によって超親水性を維持し、
或いは、回復させることができる。例えば、チタニアの
場合には、親水性の維持と回復は、蛍光灯のような室内
照明灯に含まれる微弱な紫外線でも充分に行うことがで
きる。After the surface of the photo-semiconductor-containing layer is once made super-hydrophilic, the super-hydrophilic property is maintained by relatively weak light,
Alternatively, it can be restored. For example, in the case of titania, the hydrophilicity can be sufficiently maintained and restored even with weak ultraviolet rays contained in an interior illumination lamp such as a fluorescent lamp.

【００１７】光半導体含有層は非常に薄くしても親水性
を発現し、特に金属酸化物からなる光触媒半導体材料は
充分な硬度を有するので、光半導体含有層は充分な耐久
性と耐摩耗性を有する。The photo-semiconductor-containing layer exhibits hydrophilicity even when it is very thin, and since the photocatalytic semiconductor material composed of a metal oxide has sufficient hardness, the photo-semiconductor-containing layer has sufficient durability and abrasion resistance. Have.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】基材 本発明においては、基材は、例えば、金属、セラミック
ス、ガラス、プラスチックス、木、石、セメント、コン
クリート、それらの組合せ、それらの積層体、及びそれ
らへの塗装を含む。基材の表面は光半導体含有層により
被覆される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Substrate In the present invention, the substrate is, for example, metal, ceramics, glass, plastics, wood, stone, cement, concrete, combinations thereof, laminates thereof, and Including painting. The surface of the base material is covered with the optical semiconductor-containing layer.

【００１９】基材がプラスチックスのような非耐熱性の
材料で形成されている場合や基材が塗料で塗装されてい
る場合には、後述するように光半導体を含有する耐光酸
化性塗料を表面に塗布し硬化させることにより、光半導
体含有層を形成することができる。When the base material is made of a non-heat resistant material such as plastics or when the base material is coated with a paint, a photo-oxidation resistant paint containing an optical semiconductor is used as described later. The optical semiconductor-containing layer can be formed by applying it to the surface and curing it.

【００２０】光半導体 本発明において使用する光半導体としては、チタニア
（ＴｉＯ₂ ）が最も好ましい。チタニアは、無害であ
り、化学的に安定であり、かつ、安価に入手可能であ
る。さらに、チタニアはバンドギャップエネルギーが高
く、従って、光励起には紫外線を必要とし、光励起の過
程で可視光を吸収しないので、補色成分による発色が起
こらない。 Optical Semiconductor The optical semiconductor used in the present invention is most preferably titania (TiO ₂ ). Titania is harmless, chemically stable, and available at low cost. Furthermore, since titania has a high band gap energy and therefore requires ultraviolet light for photoexcitation and does not absorb visible light in the process of photoexcitation, color development by a complementary color component does not occur.

【００２１】チタニアとしてはアナターゼとルチルのい
ずれも使用することができる。アナターゼ型チタニアの
利点は、非常に細かな微粒子を分散させたゾルを市場で
容易に入手することができ、非常に薄い薄膜を容易に形
成することができることである。ルチル型チタニアはア
ナターゼ型よりも伝導帯準位が低いが、光半導体による
親水化の目的に使用することができる。基材をチタニア
からなる光半導体含有層で被覆し、チタニアを紫外線に
よって光励起すると、水が水酸基（ＯＨ^- ）の形で表面
に化学吸着され、さらにその上に物理吸着水層が形成さ
れて、その結果、表面が親水性になると考えられる。As titania, both anatase and rutile can be used. The advantage of the anatase type titania is that a sol in which very fine particles are dispersed can be easily obtained on the market, and a very thin thin film can be easily formed. Rutile-type titania has a lower conduction band level than anatase-type titania, but can be used for the purpose of hydrophilization by an optical semiconductor. The substrate coated with the optical semiconductor-containing layer made of titania, the titania photoexcited by UV light, water is a hydroxyl group (OH ^-) are chemisorbed on the surface in the form of, formed more physically adsorbed water layer thereon, As a result, it is considered that the surface becomes hydrophilic.

【００２２】本発明の使用可能な他の光半導体として
は、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、ＳｒＴｉＯ₃、ＷＯ₃ 、Ｂｉ₂
Ｏ₃ 、Ｆｅ₂ Ｏ₃ のような金属酸化物がある。これらの
金属酸化物は、チタニアと同様に、表面に金属元素と酸
素が存在するので、表面水酸基（ＯＨ^- ）を吸着しやす
いと考えられる。また、光半導体の粒子をシリカ等の光
半導体でない金属酸化物と混合してもよい。特に、シリ
カ又は酸化錫に光半導体を配合した場合には、表面を高
度に親水化することができる。Other optical semiconductors that can be used in the present invention include ZnO, SnO ₂ , SrTiO ₃ , WO ₃ and Bi _2.
There are metal oxides such as O ₃ and Fe ₂ O ₃ . It is considered that these metal oxides are likely to adsorb the surface hydroxyl group (OH ⁻ ) because the metal element and oxygen are present on the surface similarly to titania. Also, particles of an optical semiconductor may be mixed with a metal oxide that is not an optical semiconductor, such as silica. In particular, when an optical semiconductor is mixed with silica or tin oxide, the surface can be highly hydrophilized.

【００２３】そのようなシリカ配合チタニアからなる光
半導体層の作製方法の一例として、無定型シリカの前駆
体（例えば、テトラエトキシシラン、テトライソプロポ
キシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトラブト
キシシラン、テトラメトキシシラン、等のテトラアルコ
キシシラン；それらの加水分解物であるシラノール；又
は平均分子量３，０００以下のポリシロキサン）と結晶
性チタニアゾルとの混合物を基材の表面に塗布し、必要
に応じて加水分解させてシラノールを形成した後、室温
又は必要に応じて加熱してシラノールを脱水縮重合に付
すことにより、チタニアが無定型シリカで結着された光
半導体層を形成する。As an example of the method for producing an optical semiconductor layer made of such a silica-containing titania, a precursor of amorphous silica (eg, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetrabutoxysilane, tetra A mixture of tetraalkoxysilane such as methoxysilane; silanol which is a hydrolyzate thereof; or polysiloxane having an average molecular weight of 3,000 or less) and crystalline titania sol is applied to the surface of the substrate, and hydrolyzed as necessary. After decomposing to form silanol, the silanol is subjected to dehydration polycondensation by heating at room temperature or if necessary, to form an optical semiconductor layer in which titania is bound with amorphous silica.

【００２４】無定形チタニアの焼成による光触媒層の形
成 基材が金属、セラミックス、ガラスのような耐熱性の材
料で形成されている場合には、水との接触角が０°にな
る程度の高度の親水性を呈する耐摩耗性に優れた光半導
体含有層を形成する好ましいやり方の１つは、先ず基材
の表面を無定形チタニアで被覆し、次いで焼成により無
定形チタニアを結晶性チタニア（アナターゼ又はルチ
ル）に相変化させることである。無定形チタニアの形成
には、次のいずれかの方法を採用することができる。 Shape of photocatalyst layer by firing of amorphous titania
Light forming substrate is a metal, ceramic, if it is formed of a heat resistant material such as glass, which is excellent in wear resistance exhibiting a high degree of hydrophilicity to the extent that the contact angle with water becomes 0 ° One of the preferred ways of forming the semiconductor-containing layer is to first coat the surface of the substrate with amorphous titania and then phase change the amorphous titania to crystalline titania (anatase or rutile) by firing. Any of the following methods can be adopted for forming amorphous titania.

【００２５】（１）有機チタン化合物の加水分解と脱水
縮重合 チタンのアルコキシド、例えば、テトラエトキシチタ
ン、テトライソプロポキシチタン、テトラｎ−プロポキ
シチタン、テトラブトキシチタン、テトラメトキシチタ
ン、に塩酸又はエチルアミンのような加水分解抑制剤を
添加し、エタノールやプロパノールのようなアルコール
で希釈した後、部分的に加水分解を進行させながら又は
完全に加水分解を進行させた後、混合物をスプレーコー
ティング、フローコーティング、スピンコーティング、
ディップコーティング、ロールコーティングその他のコ
ーティング法により、基材の表面に塗布し、常温から２
００℃の温度で乾燥させる。乾燥により、チタンのアル
コキシドの加水分解が完遂して水酸化チタンが生成し、
水酸化チタンの脱水縮重合により無定形チタニアの層が
基材の表面に形成される。チタンのアルコキシドに代え
て、チタンのキレート又はチタンのアセテートのような
他の有機チタン化合物を用いてもよい。(1) Hydrolysis and Dehydration Polycondensation of Organic Titanium Compounds Titanium alkoxides such as tetraethoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra n-propoxy titanium, tetrabutoxy titanium, tetramethoxy titanium, hydrochloric acid or ethyl amine. After adding such a hydrolysis inhibitor and diluting it with an alcohol such as ethanol or propanol, the mixture is spray-coated, flow-coated, while the hydrolysis is partially or completely progressed. Spin coating,
Apply dip coating, roll coating, or other coating method to the surface of the substrate, and
Dry at a temperature of 00 ° C. Drying completes the hydrolysis of titanium alkoxide to produce titanium hydroxide,
A layer of amorphous titania is formed on the surface of the substrate by dehydration polycondensation of titanium hydroxide. Instead of titanium alkoxide, other organotitanium compounds such as titanium chelate or titanium acetate may be used.

【００２６】（２）無機チタン化合物による無定形チタ
ニアの形成 無機チタン化合物、例えば、ＴｉＣｌ₄ 又はＴｉ（ＳＯ
₄)₂ の酸性水溶液をスプレーコーティング、フローコー
ティング、スピンコーティング、ディップコーティン
グ、ロールコーティングにより、基材の表面に塗布す
る。次いで無機チタン化合物を約１００〜２００℃の温
度で乾燥させることにより加水分解と脱水縮重合に付
し、無定形チタニアの層を基材の表面に形成する。或い
は ＴｉＣｌ₄の化学蒸着により基材の表面に無定形チ
タニアさせてもよい。(2) Formation of amorphous titania from an inorganic titanium compound An inorganic titanium compound such as TiCl ₄ or Ti (SO
₄ ) Apply the acidic aqueous solution of ₂ to the surface of the substrate by spray coating, flow coating, spin coating, dip coating, or roll coating. Then, the inorganic titanium compound is subjected to hydrolysis and dehydration polycondensation by drying at a temperature of about 100 to 200 ° C. to form a layer of amorphous titania on the surface of the substrate. Alternatively, amorphous titania may be applied to the surface of the substrate by chemical vapor deposition of TiCl ₄ .

【００２７】（３）スパッタリングによる無定形チタニ
アの形成 金属チタンのターゲットに酸化雰囲気で電子ビームを照
射することにより基材の表面に無定形チタニアを被着す
る。(3) Formation of amorphous titania by sputtering Amorphous titania is deposited on the surface of a substrate by irradiating a target of metallic titanium with an electron beam in an oxidizing atmosphere.

【００２８】（４）焼成温度 無定形チタニアの焼成は少なくともアナターゼの結晶化
温度以上の温度で行う。４００〜５００℃以上の温度で
焼成すれば、無定形チタニアをアナターゼ型チタニアに
変換させることができる。６００〜７００℃以上の温度
で焼成すれば、無定形チタニアをルチル型チタニアに変
換させることができる。(4) Firing Temperature Amorphous titania is fired at a temperature of at least the crystallization temperature of anatase. By firing at a temperature of 400 to 500 ° C. or higher, amorphous titania can be converted to anatase type titania. By firing at a temperature of 600 to 700 ° C. or higher, amorphous titania can be converted to rutile type titania.

【００２９】シリカ配合チタニアからなる光触媒層 水との接触角が０°になる程度の高度の親水性を呈する
耐摩耗性に優れた光半導体含有層を形成する他の好まし
いやり方は、チタニアとシリカとの混合物からなる光半
導体含有層を基材の表面に形成することである。チタニ
アとシリカとの合計に対するシリカの割合は、５〜９０
モル％、好ましくは１０〜７０モル％、より好ましくは
１０〜５０モル％にすることができる。シリカ配合チタ
ニアからなる光半導体含有層の形成には、次のいずれか
の方法を採用することができる。 Photocatalyst layer made of silica-containing titania Another preferable method for forming a photo-semiconductor-containing layer having a high degree of hydrophilicity such that the contact angle with water is 0 ° and having excellent wear resistance is titania and silica. Is to form an optical semiconductor-containing layer made of a mixture thereof with the surface of the base material. The ratio of silica to the total of titania and silica is 5-90.
Mol%, preferably 10 to 70 mol%, more preferably 10 to 50 mol%. Any of the following methods can be adopted to form the optical semiconductor-containing layer made of silica-containing titania.

【００３０】（１）アナターゼ型又はルチル型チタニア
の粒子とシリカの粒子とを含む懸濁液を基材の表面に塗
布し、基材の軟化点以下の温度で焼結する。 （２）無定形シリカの前駆体（例えば、テトラエトキシ
シラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−プロ
ポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラメトキシ
シラン、等のテトラアルコキシシラン；それらの加水分
解物であるシラノール；又は平均分子量３，０００以下
のポリシロキサン）と結晶性チタニアゾルとの混合物を
基材の表面に塗布し、必要に応じて加水分解させてシラ
ノールを形成した後、約１００℃以上の温度で加熱して
シラノールを脱水縮重合に付すことにより、チタニアが
無定形シリカで結着された光半導体含有層を形成する。
特に、シラノールの脱水縮重合温度を約２００℃以上の
温度で行えば、シラノールの重合度を増し、光半導体含
有層の耐アルカリ性能を向上させることができる。(1) A suspension containing particles of anatase-type or rutile-type titania and silica particles is applied to the surface of a base material and sintered at a temperature not higher than the softening point of the base material. (2) Amorphous silica precursor (for example, tetraalkoxysilane such as tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetrabutoxysilane, tetramethoxysilane, etc .; silanol which is a hydrolyzate thereof; Alternatively, a mixture of polysiloxane having an average molecular weight of 3,000 or less) and crystalline titania sol is applied to the surface of the base material, and if necessary, hydrolyzed to form silanol, and then heated at a temperature of about 100 ° C. or higher. By subjecting silanol to dehydration polycondensation, an optical semiconductor-containing layer in which titania is bound with amorphous silica is formed.
In particular, when the dehydration condensation polymerization temperature of silanol is carried out at a temperature of about 200 ° C. or higher, the degree of polymerization of silanol can be increased and the alkali resistance performance of the photosemiconductor-containing layer can be improved.

【００３１】（３）無定形チタニアの前駆体（チタンの
アルコキシド、キレート、又はアセテートのような有機
チタン化合物、又はＴｉＣｌ₄ 又はＴｉ（ＳＯ₄)₂ のよ
うな無機チタン化合物）の溶液にシリカの粒子を分散さ
せてなる懸濁液を基材の表面に塗布し、チタン化合物を
常温から２００℃の温度で加水分解と脱水縮重合に付す
ことにより、シリカ粒子が分散された無定形チタニアの
薄膜を形成する。次いで、チタニアの結晶化温度以上の
温度、かつ、基材の軟化点以下の温度に加熱することに
より、無定形チタニアを結晶性チタニアに相変化させ
る。(3) Amorphous titania precursor (organic titanium compound such as titanium alkoxide, chelate or acetate, or inorganic titanium compound such as TiCl ₄ or Ti (SO ₄ ) ₂ ) is dissolved in a solution of silica. Amorphous titania thin film in which silica particles are dispersed by applying a suspension of particles dispersed on the surface of a substrate and subjecting a titanium compound to hydrolysis and dehydration polycondensation at a temperature from room temperature to 200 ° C. To form. Then, the amorphous titania is phase-changed into crystalline titania by heating the titania to a temperature above the crystallization temperature and below the softening point of the substrate.

【００３２】（４）無定形チタニアの前駆体（チタンの
アルコキシド、キレート、又はアセテートのような有機
チタン化合物、又はＴｉＣｌ₄ 又はＴｉ（ＳＯ₄)₂ のよ
うな無機チタン化合物）の溶液に無定形シリカの前駆体
（例えば、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキ
シシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトラブトキ
シシラン、テトラメトキシシラン、等のテトラアルコキ
シシラン；それらの加水分解物であるシラノール；又は
平均分子量３，０００以下のポリシロキサン）を混合
し、基材の表面に塗布する。次いで、これらの前駆体を
加水分解と脱水縮重合に付すことにより、無定形チタニ
アと無定形シリカの混合物からなる薄膜を形成する。次
いで、チタニアの結晶化温度以上の温度、かつ、基材の
軟化点以下の温度に加熱することにより、無定形チタニ
アを結晶性チタニアに相変化させる。(4) Amorphous in a solution of a precursor of amorphous titania (organic titanium compound such as titanium alkoxide, chelate or acetate, or inorganic titanium compound such as TiCl ₄ or Ti (SO ₄ ) ₂ ). Precursors of silica (eg, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetrabutoxysilane, tetramethoxysilane, and other tetraalkoxysilanes; silanols that are hydrolysates thereof; or average molecular weight 3, 000 or less polysiloxane) is mixed and applied to the surface of the base material. Then, these precursors are subjected to hydrolysis and dehydration polycondensation to form a thin film composed of a mixture of amorphous titania and amorphous silica. Then, the amorphous titania is phase-changed into crystalline titania by heating the titania to a temperature above the crystallization temperature and below the softening point of the substrate.

【００３３】酸化錫配合チタニアからなる光半導体層 水との接触角が０°になる程度の高度の親水性を呈する
耐摩耗性に優れた光半導体含有層を形成する更に他の好
ましいやり方は、チタニアと酸化錫との混合物からなる
光半導体含有層を基材の表面に形成することである。チ
タニアと酸化錫との合計に対する酸化錫の割合は、１〜
９５重量％、好ましくは１〜５０重量％にすることがで
きる。酸化錫配合チタニアからなる光半導体含有層の形
成には、次のいずれかの方法を採用することができる。Still another preferred method for forming a photo-semiconductor-containing layer having a high degree of hydrophilicity such that the contact angle with water of the photo-semiconductor layer made of titania containing tin oxide is 0 ° and having excellent wear resistance is as follows. That is, an optical semiconductor-containing layer made of a mixture of titania and tin oxide is formed on the surface of the base material. The ratio of tin oxide to the total of titania and tin oxide is 1 to
It can be 95% by weight, preferably 1 to 50% by weight. Any of the following methods can be adopted for forming the optical semiconductor-containing layer made of tin oxide-containing titania.

【００３４】（１）アナターゼ型又はルチル型チタニア
の粒子と酸化錫の粒子とを含む懸濁液を基材の表面に塗
布し、基材の軟化点以下の温度で焼結する。 （２）無定形チタニアの前駆体（チタンのアルコキシ
ド、キレート、又はアセテートのような有機チタン化合
物、又はＴｉＣｌ₄ 又はＴｉ（ＳＯ₄)₂ のような無機チ
タン化合物）の溶液に酸化錫の粒子を分散させてなる懸
濁液を基材の表面に塗布し、チタン化合物を常温から２
００℃の温度で加水分解と脱水縮重合に付すことによ
り、酸化錫粒子が分散された無定形チタニアの薄膜を形
成する。次いで、チタニアの結晶化温度以上の温度、か
つ、基材の軟化点以下の温度に加熱することにより、無
定形チタニアを結晶性チタニアに相変化させる。(1) A suspension containing particles of anatase type or rutile type titania and particles of tin oxide is applied to the surface of a base material and sintered at a temperature below the softening point of the base material. (2) Tin oxide particles are added to a solution of an amorphous titania precursor (organic titanium compound such as titanium alkoxide, chelate, or acetate, or an inorganic titanium compound such as TiCl ₄ or Ti (SO ₄ ) ₂ ). Apply the dispersed suspension to the surface of the base material and apply the titanium compound from room temperature to 2
By subjecting to hydrolysis and dehydration polycondensation at a temperature of 00 ° C., a thin film of amorphous titania in which tin oxide particles are dispersed is formed. Then, the amorphous titania is phase-changed into crystalline titania by heating the titania to a temperature above the crystallization temperature and below the softening point of the substrate.

【００３５】光半導体含有シリコーン塗料 水との接触角が０°になる程度の高度の親水性を呈する
光半導体層を形成する更に他の好ましいやり方は、未硬
化の若しくは部分的に硬化したシリコーン（オルガノポ
リシロキサン）又はシリコーンの前駆体からなる塗膜形
成要素に光半導体の粒子を分散させてなる組成物を用い
ることである。この組成物を基材の表面に塗布し、塗膜
形成要素を硬化させた後、光半導体を光励起すると、シ
リコーン分子のケイ素原子に結合した有機基は光半導体
の作用により水酸基に置換され、光半導体含有層の表面
は超親水化される。Still another preferred method of forming a photosemiconductor layer exhibiting a high degree of hydrophilicity such that the contact angle with water of the silicone coating containing photosemiconductor is 0 ° is uncured or partially cured silicone ( It is to use a composition in which photo-semiconductor particles are dispersed in a film-forming element composed of an organopolysiloxane) or a silicone precursor. When this composition is applied to the surface of a base material and the film-forming element is cured, and then the photo-semiconductor is photoexcited, the organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is replaced with a hydroxyl group by the action of the photo-semiconductor, The surface of the semiconductor-containing layer is made superhydrophilic.

【００３６】このやり方には、幾つかの利点がある。光
半導体含有シリコーン塗料は常温又は比較的低温で硬化
させることができるので、プラスチックスや有機物のよ
うな非耐熱性の材料にも適用することができる。光半導
体を含有したこのコーティング組成物は、表面の親水化
を要する既存の基材に、ディッピング、刷毛塗り、スプ
レーコーティング、ロールコーティング等により必要に
応じ何時でも塗布することができる。光半導体の光励起
による親水化は、太陽光のような光源でも容易に行うこ
とができる。There are several advantages to this approach. Since the photo-semiconductor-containing silicone coating can be cured at room temperature or a relatively low temperature, it can be applied to non-heat resistant materials such as plastics and organic materials. This coating composition containing an optical semiconductor can be applied to an existing base material whose surface needs to be hydrophilized by dipping, brush coating, spray coating, roll coating or the like at any time, if necessary. Hydrophilization of an optical semiconductor by photoexcitation can be easily performed with a light source such as sunlight.

【００３７】さらに、鋼板のような塑性加工可能な基材
に塗膜を形成した場合には、塗膜を硬化させた後、光励
起する前に、鋼板を必要に応じ容易に塑性加工すること
ができる。光励起前には、シリコーン分子のケイ素原子
には有機基が結合しており、従って塗膜は充分な可撓性
を備えているので、塗膜を損傷させることなく容易に鋼
板を塑性加工することができる。塑性加工後には、光半
導体を光励起すればシリコーン分子のケイ素原子に結合
した有機基は光半導体作用により水酸基に置換され、塗
膜の表面は超親水化される。Further, when a coating film is formed on a plastically workable base material such as a steel plate, it is possible to easily plastically process the steel plate as needed after curing the coating film and before photoexcitation. it can. Before photo-excitation, the organic group is bonded to the silicon atom of the silicone molecule, so the coating film has sufficient flexibility, so it is possible to easily plastically process the steel sheet without damaging the coating film. You can After the plastic working, when the photo-semiconductor is photoexcited, the organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is replaced with the hydroxyl group by the photo-semiconductor action, and the surface of the coating film is made superhydrophilic.

【００３８】光半導体含有シリコーン組成物はシロキサ
ン結合を有するので、光半導体（光半導体）の光酸化作
用に対する充分な対抗性を有する。光半導体含有シリコ
ーン塗料からなる光半導体含有層の更に他の利点は、表
面が一旦超親水化された後には、暗所に保持しても長期
間親水性を維持し、かつ、蛍光灯のような室内照明灯の
光でも親水性を回復することである。Since the photo-semiconductor-containing silicone composition has a siloxane bond, it has sufficient resistance to the photo-oxidation action of the photo-semiconductor (photo-semiconductor). Still another advantage of the photo-semiconductor-containing layer made of a photo-semiconductor-containing silicone coating is that after the surface is once made super-hydrophilic, it retains its hydrophilicity for a long period of time even if it is kept in a dark place, and like a fluorescent lamp. It is to recover the hydrophilicity even with the light of the interior lighting.

【００３９】塗膜形成要素としては、メチルトリクロル
シラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシ
シラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプ
ロポキシシラン、メチルトリｔ−ブトキシシラン；エチ
ルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチル
トリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリイソプロポキシシラン、エチルトリｔ−ブトキシ
シラン；ｎ−プロピルトリクロルシラン、ｎ−プロピル
トリブロムシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、
ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリイ
ソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリｔ−ブトキシシ
ラン；ｎ−ヘキシルトリクロルシラン、ｎ−ヘキシルト
リブロムシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ
−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリイソ
プロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリｔ−ブトキシシラ
ン；ｎ−デシルトリクロルシラン、ｎ−デシルトリブロ
ムシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシル
トリエトキシシラン、ｎ−デシルトリイソプロポキシシ
ラン、ｎ−デシルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−オクタ
デシルトリクロルシラン、ｎ−オクタデシルトリブロム
シラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オ
クタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ
イソプロポキシシラン、ｎ−オクタデシルトリｔ−ブト
キシシラン；フェニルトリクロルシラン、フェニルトリ
ブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラ
ン、フェニルトリｔ−ブトキシシラン；テトラクロルシ
ラン、テトラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テ
トラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキ
シジエトキシシラン；ジメチルジクロルシラン、ジメチ
ルジブロムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン；ジフェニルジクロルシラン、ジフ
ェニルジブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、
ジフェニルジエトキシシラン；フェニルメチルジクロル
シラン、フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチ
ルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラ
ン；トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラ
ン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシ
ラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリｔ−ブト
キシヒドロシラン；ビニルトリクロルシラン、ビニルト
リブロムシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、
ビニルトリｔ−ブトキシシラン；トリフルオロプロピル
トリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシ
ラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリ
フルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプ
ロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピ
ルトリｔ−ブトキシシラン；γ−グリシドキシプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメ
チルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリｔ−ブトキシ
シラン；γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジエト
キシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシ
シラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリイソプロポ
キシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリｔ−ブ
トキシシラン；γ−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソ
プロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリｔ−ブトキ
シシラン；γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリｔ−ブトキシシラン；β−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキ
シシラン；及び、それらの部分加水分解物；及びそれら
の混合物を使用することができる。As the coating film forming element, methyltrichlorosilane, methyltribromosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltri-t-butoxysilane; ethyltrichlorosilane, ethyltribromosilane, Ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltrit-butoxysilane; n-propyltrichlorosilane, n-propyltribromosilane, n-propyltrimethoxysilane,
n-propyltriethoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-t-butoxysilane; n-hexyltrichlorosilane, n-hexyltribromosilane, n-hexyltrimethoxysilane, n
-Hexyltriethoxysilane, n-hexyltriisopropoxysilane, n-hexyltrit-butoxysilane; n-decyltrichlorosilane, n-decyltribromosilane, n-decyltrimethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n -Decyltriisopropoxysilane, n-decyltri-t-butoxysilane; n-octadecyltrichlorosilane, n-octadecyltribromosilane, n-octadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, n-octadecyltriisopropoxysilane, n-octadecyltri-t-butoxysilane; phenyltrichlorosilane, phenyltribromosilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltriisopropoxysilane, phenyltrisilane -Butoxysilane; tetrachlorosilane, tetrabromosilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, dimethoxydiethoxysilane; dimethyldichlorosilane, dimethyldibromosilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane; diphenyldisilane Chlorosilane, diphenyldibromosilane, diphenyldimethoxysilane,
Diphenyldiethoxysilane; phenylmethyldichlorosilane, phenylmethyldibromosilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane; trichlorohydrosilane, tribromohydrosilane, trimethoxyhydrosilane, triethoxyhydrosilane, triisopropoxyhydrosilane, tri-t -Butoxyhydrosilane; vinyltrichlorosilane, vinyltribromosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriisopropoxysilane,
Vinyltri-t-butoxysilane; trifluoropropyltrichlorosilane, trifluoropropyltribromosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, trifluoropropyltrit-butoxysilane; γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriisopropoxy Silane, γ-glycidoxypropyltri-t-butoxysilane; γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryl Riloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriisopropoxysilane, γ-methacryloxypropyltri-t-butoxysilane; γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ- Aminopropylmethyldiethoxysilane, γ
-Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriisopropoxysilane, γ-aminopropyltri-t-butoxysilane; γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldiethoxysilane , Γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-
Mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltriisopropoxysilane, γ-mercaptopropyltri-t-butoxysilane; β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β-
(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane; and their partial hydrolysates; and mixtures thereof can be used.

【００４０】シリコーン塗膜の良好な硬度と平滑性を確
保するためには、３次元架橋型シロキサンを１０モル％
以上含有させるのが好ましい。さらに、良好な硬度と平
滑性を確保しながら塗膜の充分な可撓性を提供するため
には、２次元架橋型シロキサンを６０モル％以下含有さ
せるのが好ましい。また、シリコーン分子のケイ素原子
に結合した有機基が光励起により水酸基に置換される速
度を速めるには、シリコーン分子のケイ素原子に結合す
る有機基がｎ−プロピル基若しくはフェニル基からなる
シリコーンを使用するのが好ましい。シロキサン結合を
有するシリコーンに替えて、シラザン結合を有するオル
ガノポリシラザン化合物を使用することも可能である。In order to ensure good hardness and smoothness of the silicone coating, 10 mol% of three-dimensional cross-linking siloxane is used.
It is preferable to contain the above. Further, in order to provide sufficient flexibility of the coating film while ensuring good hardness and smoothness, it is preferable to contain the two-dimensional crosslinked siloxane in an amount of 60 mol% or less. Further, in order to increase the rate at which the organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is replaced with a hydroxyl group by photoexcitation, use a silicone in which the organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is an n-propyl group or a phenyl group. Is preferred. Instead of the silicone having a siloxane bond, an organopolysilazane compound having a silazane bond can be used.

【００４１】抗菌増強剤の添加 光半導体含有層にはＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎのような金属をド
ーピングすることができる。光半導体にＡｇ、Ｃｕ、又
はＺｎをドーピングするためには、光半導体粒子の懸濁
液にこれらの金属の可溶性塩を添加し、得られた溶液を
用いて光半導体含有層を形成することができる。或い
は、光半導体含有層を形成後、これらの金属の可溶性塩
を塗布し、光照射により光還元析出させてもよい。 Addition of antibacterial enhancer The photo-semiconductor-containing layer can be doped with a metal such as Ag, Cu or Zn. In order to dope an optical semiconductor with Ag, Cu, or Zn, soluble salts of these metals are added to a suspension of optical semiconductor particles, and the resulting solution is used to form an optical semiconductor-containing layer. it can. Alternatively, after forming the photo-semiconductor-containing layer, soluble salts of these metals may be applied and photo-reduced to be precipitated by light irradiation.

【００４２】Ａｇ、Ｃｕ、又はＺｎでドーピングされた
光半導体含有層は、表面に付着した細菌を死滅させるこ
とができる。さらに、この光半導体含有層は、黴、藻、
苔のような微生物の成長を抑制する。従って、部材の表
面を長期間にわたって清浄に維持することができる。The photo-semiconductor-containing layer doped with Ag, Cu, or Zn can kill bacteria attached to the surface. Further, this optical semiconductor-containing layer is a mold, algae,
Inhibits the growth of moss-like microorganisms. Therefore, the surface of the member can be kept clean for a long period of time.

【００４３】光活性増強剤の添加 光半導体含有層には、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒ
ｕ、Ｏｓ、Ｉｒのような白金族金属をドーピングするこ
とができる。これらの金属も、同様に、光還元析出や可
溶性塩の添加により光半導体にドーピングすることがで
きる。光半導体を白金族金属でドーピングすると、光半
導体の酸化還元活性を増強させることができ、表面に付
着した汚染物質を分解することができる。 Addition of photoactivity enhancer The photo-semiconductor-containing layer is further provided with Pt, Pd, Rh and R.
It can be doped with platinum group metals such as u, Os, Ir. Similarly, these metals can be doped into the optical semiconductor by photoreduction precipitation or addition of a soluble salt. When the optical semiconductor is doped with a platinum group metal, the redox activity of the optical semiconductor can be enhanced, and contaminants attached to the surface can be decomposed.

【００４４】光励起・紫外線照射 本発明においては、チタニアのように高いバンドギャッ
プエネルギーを有し紫外線によってのみ光励起される光
半導体で光半導体含有層を形成するのが好ましい。そう
すれば、可視光が光半導体含有層に吸収されることがな
く、部材が補色成分によって発色することがない。アナ
ターゼ型チタニアは波長３８７nm以下、ルチル型チタニ
アは４３１nm以下、酸化錫は３４４nm以下、酸化亜鉛は
３８７nm以下の紫外線で光励起することができる。 Photoexcitation / Ultraviolet Irradiation In the present invention, it is preferable to form the photosemiconductor-containing layer from an optical semiconductor such as titania which has a high band gap energy and is photoexcited only by ultraviolet rays. By doing so, visible light is not absorbed by the optical semiconductor-containing layer, and the member does not develop color due to the complementary color component. Anatase-type titania can be photoexcited with ultraviolet rays having a wavelength of 387 nm or less, rutile-type titania of 431 nm or less, tin oxide of 344 nm or less, and zinc oxide of 387 nm or less.

【００４５】紫外線光源としては、蛍光灯、白熱電灯、
メタルハライドランプ、水銀ランプのような室内照明灯
を使用することができる。太陽光にさらされる条件で
は、有利なことに太陽光に含まれる紫外線により光半導
体は自然に光励起される。As the ultraviolet light source, a fluorescent lamp, an incandescent lamp,
Interior lighting such as metal halide lamps and mercury lamps can be used. Under the conditions of exposure to sunlight, the photosemiconductor is naturally spontaneously photoexcited by the ultraviolet rays contained in sunlight.

【００４６】光励起は、表面の水との接触角が約１０°
以下、好ましくは約５°以下、特に約０°になるまで行
い、或いは行わせることができる。一般には、０．００
１mW/cm²の紫外線照度で光励起すれば、数日で水との接
触角が約０°になるまで超親水化することができる。地
表に降り注ぐ太陽光に含まれる紫外線の照度は約０．１
〜１mW/cm²であるから、太陽光にさらせばより短時間で
表面を超親水化することができる。Photoexcitation has a contact angle of about 10 ° with water on the surface.
The following can be performed or can be performed until the temperature is preferably about 5 ° or less, particularly about 0 °. In general, 0.00
Photoexcitation with an ultraviolet illuminance of 1 mW / cm ² enables superhydrophilicity until the contact angle with water becomes about 0 ° in a few days. The illuminance of ultraviolet rays contained in the sunlight falling on the surface of the earth is about 0.1.
Since it is ~ 1 mW / cm ² , the surface can be made superhydrophilic in a shorter time by exposing it to sunlight.

【００４７】光半導体含有層がチタニア含有シリコーン
で形成されている場合には、シリコーン分子のケイ素原
子に結合した表面有機基が充分な量だけ水酸基に置換さ
れるに充分な照度で光触媒を光励起するのが好ましい。
このための最も有利な方法は、太陽光を利用することで
ある。表面が一旦高度に親水化された後は、親水性は夜
間でも持続する。再び太陽光にさらされる度に親水性は
回復され、維持される。When the photo-semiconductor-containing layer is formed of titania-containing silicone, the photocatalyst is photoexcited with sufficient illuminance so that the surface organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is replaced with a hydroxyl group in a sufficient amount. Is preferred.
The most advantageous way to do this is to use sunlight. Once the surface is highly hydrophilized, the hydrophilicity persists at night. Each time it is exposed to sunlight again, the hydrophilicity is restored and maintained.

【００４８】本発明の部材を使用者に提供するに際して
は、部材を予め超親水化しておくことが望ましい。When the member of the present invention is provided to the user, it is desirable that the member is previously made superhydrophilic.

【００４９】本発明においては、基材が特にアクリル等
のプラスチック素材の場合には、基材を光半導体の光触
媒作用による光酸化還元反応から保護するための保護処
置が施されていることが好ましい。そのような処置の一
形態として、弱酸化還元性親水化機能を光半導体含有層
に持たせるものがある。このような考え方は、光半導体
による部材表面の親水化現象と、光半導体による光酸化
還元反応とが基本的に異なる現象であるという発見に基
づくものである。この発見に基づいて、本発明者は光半
導体薄膜の設計上光酸化還元反応はほとんど示さない
が、親水化現象を示す構成が存在することを見出したの
である。In the present invention, when the base material is a plastic material such as acrylic, it is preferable that a protection treatment is applied to protect the base material from the photooxidation-reduction reaction due to the photocatalytic action of the optical semiconductor. . As one form of such treatment, there is one in which the photo-semiconductor-containing layer has a weak redox hydrophilic property. Such an idea is based on the discovery that the phenomenon of hydrophilization of the surface of a member by an optical semiconductor and the photo-oxidation / reduction reaction by an optical semiconductor are basically different phenomena. Based on this finding, the present inventor has found out that there is a structure exhibiting a hydrophilization phenomenon, although the photo-semiconductor thin film shows almost no photo-oxidation-reduction reaction due to its design.

【００５０】弱酸化還元性親水化の第一態様は、光半導
体の伝導帯のエネルギー準位を、水素生成準位を０ｅＶ
とした場合に、正の値に位置するようにすることであ
る。光酸化還元反応に関する従来の定説は、光励起によ
り伝導電子−正孔対が生成し、次いで生成した伝導電子
による還元反応と正孔による酸化反応が同時に促進され
て進行するというものであった。従って、光半導体の伝
導帯のエネルギー準位の下端が負側に充分高くない酸化
錫やルチルは、伝導電子による還元反応が進行しにく
く、正孔による酸化反応のみが促進されやすい構造であ
るが、このような構造では伝導電子が過剰となり、光励
起により生成した電子−正孔対が酸化還元反応に関与す
ることなく再結合するため、実際には酸化反応も還元反
応もほとんど生じない。しかしながら、光励起による親
水化現象は進行するのである。In the first mode of weak redox hydrophilicity, the energy level of the conduction band of the optical semiconductor and the hydrogen generation level are 0 eV.
Then, it is to be located at a positive value. The conventional theory regarding the photooxidation / reduction reaction is that a conduction electron-hole pair is generated by photoexcitation, and then the reduction reaction by the conduction electron and the oxidation reaction by the hole are simultaneously promoted and proceed. Therefore, tin oxide and rutile, whose lower end of the energy level of the conduction band of the optical semiconductor is not sufficiently high on the negative side, have a structure in which the reduction reaction by conduction electrons is difficult to proceed and only the oxidation reaction by holes is easily promoted. In such a structure, the conduction electrons become excessive, and the electron-hole pairs generated by photoexcitation recombine without participating in the redox reaction, so that an oxidation reaction and a reduction reaction hardly occur in practice. However, the hydrophilization phenomenon by photoexcitation progresses.

【００５１】光半導体の光酸化還元反応が有機物の分解
に利用される場合、その分解反応は環境中の水や酸素を
利用して行われる。すなわち、光励起により生成した伝
導電子は酸素を還元してスーパーオキサイドイオン（Ｏ
₂ ^-）を生成し、正孔は水酸基を酸化して水酸ラジカル
（・ＯＨ）を生成し、これらの高度に反応性の活性酸素
種（Ｏ₂ ^-や・ＯＨ）の酸化還元反応により有機物が分解
される。従って、有機物を有効に光酸化還元分解するた
めには、正孔を生成する価電子帯上端のエネルギー準位
が水酸基が電子を放出する酸素生成準位（＋０．８２ｅ
Ｖ）より正側に位置し、かつ伝導電子が生成する伝導帯
下端のエネルギー準位が水素が電子を放出して酸素側に
供与する水素生成準位（０ｅＶ）より負側に位置させれ
ばよいことになる。故に、逆に、有機物を有効に光酸化
還元分解させないためには、価電子帯上端のエネルギ
ー準位を酸素生成準位（＋０．８２ｅＶ）より負側に位
置させるか、あるいは伝導帯下端のエネルギー準位を
水素生成準位（０ｅＶ）より正側に位置させればよいこ
とになる。When the photo-oxidation / reduction reaction of an optical semiconductor is used for decomposing an organic substance, the decomposition reaction is carried out by utilizing water and oxygen in the environment. That is, the conduction electrons generated by photoexcitation reduce oxygen to generate superoxide ions (O
₂ ^-) to generate the hole is to oxidize the hydroxyl group to generate a hydroxyl radical (· OH), these highly reactive oxygen species (O ₂ ^- organics by oxidation-reduction reaction of and · OH) Is decomposed. Therefore, in order to effectively photooxidatively decompose an organic substance, the energy level at the upper end of the valence band for generating holes is the oxygen generation level (+ 0.82e) at which the hydroxyl group emits electrons.
V) is located on the positive side, and the energy level at the bottom of the conduction band generated by conduction electrons is located on the negative side from the hydrogen generation level (0 eV) at which hydrogen emits electrons to donate to the oxygen side. It will be good. Therefore, conversely, in order to prevent the photooxidation / reduction decomposition of organic matter effectively, the energy level at the upper end of the valence band should be set to the negative side of the oxygen production level (+0.82 eV), or the energy at the lower end of the conduction band should be set. It suffices to position the level on the positive side of the hydrogen generation level (0 eV).

【００５２】光半導体の光酸化還元反応が水中の金属イ
オンの析出に利用される場合には、光励起により生成し
た伝導電子により金属イオンが還元析出される（同時に
正孔は水中の水酸基を酸化して水酸ラジカル（・ＯＨ）
を生成すると考えられる。）。従って、例えば鉄イオン
を水中から有効に析出除去するためには、伝導電子が生
成する伝導帯下端のエネルギー準位が鉄生成準位（−
０．４４ｅＶ）より負側に位置する必要がある。故に、
逆に、金属イオンを水中から析出させないためには、伝
導帯下端のエネルギー準位を金属生成準位より正側に位
置させればよいことになる。貴金属を除外すれば金属の
生成準位は水素生成準位より負側にあるので、結局、伝
導帯下端のエネルギー準位を水素生成準位（０ｅＶ）よ
り正側に位置させればよいことになる。これに使用可能
な伝導帯のエネルギー準位の下端が水素生成準位を０ｅ
Ｖとした場合に正の値に位置する光半導体としては、酸
化錫、三酸化タングステン、三酸化二ビスマス、酸化第
二鉄、ルチル型酸化チタン等の金属酸化物が挙げられ
る。When the photo-redox reaction of an optical semiconductor is used for the deposition of metal ions in water, the conduction electrons generated by photoexcitation cause the reduction and deposition of metal ions (at the same time, holes oxidize hydroxyl groups in water). Hydroxyl radical (・ OH)
Is considered to generate. ). Therefore, for example, in order to effectively remove iron ions from water, the energy level at the bottom of the conduction band generated by conduction electrons is the iron generation level (−
It must be located on the negative side of 0.44 eV). Therefore,
On the contrary, in order to prevent the metal ions from precipitating from water, the energy level at the lower end of the conduction band should be located on the positive side of the metal production level. Excluding noble metals, the production level of metal is on the negative side of the hydrogen production level, so in the end, the energy level at the bottom of the conduction band should be located on the positive side of the hydrogen production level (0 eV). Become. The lower end of the energy level of the conduction band that can be used for this is 0e for the hydrogen generation level.
Examples of the optical semiconductor having a positive value when V is a metal oxide such as tin oxide, tungsten trioxide, dibismuth trioxide, ferric oxide, and rutile-type titanium oxide.

【００５３】以上のことから、樹脂の分解、水中溶存金
属イオンの析出を抑えつつ、光親水化させる１つの方法
として、光半導体の伝導帯のエネルギー準位を、水素生
成準位を０ｅＶとした場合に、正の値に位置する方法が
あることがわかる。From the above, as one method of photohydrophilization while suppressing the decomposition of resin and the precipitation of metal ions dissolved in water, the energy level of the conduction band of the optical semiconductor is set to 0 eV for the hydrogen generation level. It turns out that there is a way to position it in a positive value.

【００５４】弱酸化還元性親水化の第二態様は、基材表
面に光半導体と光半導体でない親水性物質を含有させた
層を形成し、かつ、光半導体はほとんど外気に接してい
ない状態にする。このような状態では光半導体の光励起
により生成した伝導電子及び正孔のうちのほとんどは表
面まで拡散せず、水、酸素、金属イオン等の表面反応種
と接触する確率が激減し、故に光酸化還元反応は抑制さ
れる。そして、励起光照度１mW/cm²以下で、かつ充分な
耐摩耗性を発揮しうる程度に、膜厚が薄い及び／又は光
半導体粒子含有率が低い塗膜において生成する伝導電子
及び正孔量のもとではほとんど光酸化還元反応は生じな
い程度まで抑制可能となる。にも拘らず、光親水化反応
は進行するのである。In the second mode of weak redox hydrophilicity, a layer containing a photo-semiconductor and a hydrophilic substance other than the photo-semiconductor is formed on the surface of the base material, and the photo-semiconductor is in a state in which the photo-semiconductor is not in contact with the outside air. To do. In such a state, most of the conduction electrons and holes generated by photoexcitation of the photo-semiconductor do not diffuse to the surface, and the probability of contact with surface reactive species such as water, oxygen and metal ions is drastically reduced. The reduction reaction is suppressed. The amount of conduction electrons and holes generated in a coating film having a thin film thickness and / or a low photo-semiconductor particle content is sufficient to exhibit sufficient abrasion resistance with an excitation light illuminance of 1 mW / cm ² or less. Originally, it can be suppressed to such an extent that the photo-redox reaction hardly occurs. Nevertheless, the photohydrophilization reaction proceeds.

【００５５】弱酸化還元性親水化の第三態様は、基材表
面に光半導体と光半導体の光酸化還元反応を阻害する物
質を含有させた層を形成する。その機構は明らかではな
いが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミナ、ジ
ルコニア、シリカ、酸化アンチモン、無定型酸化チタ
ン、アルミニウム、マンガン等は光半導体による光酸化
還元性能を弱める（「酸化チタン」、技報堂（199
1））。そして、励起光照度１mW/cm²以下で、かつ充分
な耐摩耗性を発揮しうる程度に膜厚が薄い及び／又は光
半導体粒子含有率が低い塗膜において生成する伝導電子
及び正孔量のもとではほとんど光酸化還元反応は生じな
い程度まで抑制可能となる。しかし、層中にこれら物質
が含有されても光親水化反応は進行するのである。In the third mode of weak redox hydrophilicity, an optical semiconductor and a layer containing a substance that inhibits the photoredox reaction of the optical semiconductor are formed on the surface of the base material. Although the mechanism is not clear, alkali metal, alkaline earth metal, alumina, zirconia, silica, antimony oxide, amorphous titanium oxide, aluminum, manganese, etc. weaken the photooxidation / reduction performance of the optical semiconductor (“titanium oxide”, Gihodo (199
1)). Also, the amount of conduction electrons and holes generated in a coating film having an excitation light illuminance of 1 mW / cm ² or less and a thickness that is thin enough to exhibit sufficient abrasion resistance and / or a low content of optical semiconductor particles. With, it becomes possible to suppress photooxidation reduction reaction to the extent that it hardly occurs. However, the photohydrophilization reaction proceeds even if these substances are contained in the layer.

【００５６】弱酸化還元性親水化の第二、第三態様で
は、膜厚は薄い方が好ましい。好ましくは１μm 以下、
より好ましくは０．２μm 以下がよい。そうすれば、基
材に固定される光半導体の絶対量を低減することがで
き、より光酸化還元性を低めることができる。また耐摩
耗性も向上する。さらに特に０．２μm 以下では、光半
導体を含有する薄膜の透明性を確保しやすく、下地の意
匠性や透明性を維持できる。In the second and third modes of weak redox hydrophilicity, it is preferable that the film thickness is thin. Preferably 1 μm or less,
More preferably, it is 0.2 μm or less. Then, the absolute amount of the optical semiconductor fixed on the base material can be reduced, and the photo-oxidation / reduction property can be further reduced. Also, the wear resistance is improved. Further, particularly when the thickness is 0.2 μm or less, it is easy to secure the transparency of the thin film containing an optical semiconductor, and the design and transparency of the base can be maintained.

【００５７】弱酸化還元性親水化の第二態様では、光半
導体含有量は、光半導体含有層に対して好ましくは５〜
８０重量％、より好ましくは１０〜５０重量％程度にす
るのがよい。光半導体含有量が少ない程光酸化還元性を
低めることができるからである。ただし、光親水化現象
も光半導体の光励起現象に基づいた現象なので約５％以
上は含有されている必要はある。In the second mode of weak redox hydrophilicity, the photo-semiconductor content is preferably 5 to 5 with respect to the photo-semiconductor-containing layer.
The amount is preferably 80% by weight, more preferably 10 to 50% by weight. This is because the photooxidation / reduction property can be lowered as the content of the optical semiconductor is reduced. However, since the photohydrophilization phenomenon is also a phenomenon based on the photoexcitation phenomenon of the optical semiconductor, it is necessary to contain about 5% or more.

【００５８】弱酸化還元性親水化の第二、第三態様で
は、励起波長以下の波長光の照度は、好ましくは０．０
００１〜１mW/cm²、より好ましくは０．００１〜１mW/c
m²程度がよい。励起波長以下の波長光の照度が低い程、
生成する電子−正孔対の量が減少するので光酸化還元性
を低めることができるからである。ただし、光親水化現
象も光半導体の光励起現象に基づいた現象なので約０．
０００１mW/cm²以上の励起光照度を要する。In the second and third modes of weak redox hydrophilicity, the illuminance of light having a wavelength shorter than the excitation wavelength is preferably 0.0
001 to 1 mW / cm ² , more preferably 0.001 to 1 mW / c
About m ² is good. The lower the illuminance of wavelength light below the excitation wavelength,
This is because the amount of generated electron-hole pairs is reduced, so that the photoredox property can be lowered. However, since the photohydrophilization phenomenon is also a phenomenon based on the photoexcitation phenomenon of an optical semiconductor, it is about 0.
Excitation light illuminance of 0001 mW / cm ² or more is required.

【００５９】本発明において基材と光半導体含有層との
間に中間層を設けてもよい。それにより基材との密着性
が増加し、耐摩耗性が向上する。In the present invention, an intermediate layer may be provided between the base material and the photosemiconductor-containing layer. This increases the adhesion to the base material and improves the wear resistance.

【００６０】本発明の高排水性水回り部材の適用される
例としては、キッチン又は洗面台のカウンター部や浴槽
のエプロン部を挙げることができる。これらの部材に傾
斜を付ける形態はどのようなものであってもよい。例え
ば浴槽エプロン部を凸状としたり、ボウルに向かって求
芯的に傾斜した洗面台カウンター部等も考えられる。As an example to which the high drainage water-surrounding member of the present invention is applied, a counter part of a kitchen or a washbasin and an apron part of a bathtub can be cited. Any form may be used to incline these members. For example, a bathtub apron part may be convex, or a washbasin counter part may be centripetally inclined toward the bowl.

【００６１】[0061]

【実施例】以下の４種類の平板状の試料を準備した。そ
れぞれの寸法は１０cm×１０cmとした。 比較例１（マーブライト）：ＴＯＴＯ製マーブライ
トカウンター（ＭＬ３２Ｋ７Ｇ６２）を用意し、切断後
清浄、乾燥して供試した。EXAMPLES The following four types of flat plate-shaped samples were prepared. Each dimension was 10 cm × 10 cm. Comparative Example 1 (Marbright): A Marbright counter (ML32K7G62) manufactured by TOTO was prepared, and after cutting, it was cleaned and dried for testing.

【００６２】実施例１、ステンレス板にコーティングし
た実施例：シリカゲル（日本合成ゴム社製のグラスカ
Ａ）中のシリカゾル重量とトリメトキシメチルシラン
（日本合成ゴム社製のグラスカＢ）重量が３：１となる
ように混合した液状物を１０ｃｍ角のステンレス基板に
塗布した。その後、１５０℃で加熱固化し、膜厚５μｍ
の樹脂層を形成した。アナターゼ型酸化チタンゾル（日
産化学社製、ＴＡ−１５、溶質濃度１０重量％）に上記
シリカゾルを添加し、エタノールで希釈後、上記トリメ
トキシメチルシランを添加した溶液を上記樹脂層の上に
塗布した。その後、１５０℃で加熱固化し、０．１μｍ
の膜厚の混合層を形成した。ここで、シリカとトリメト
キシメチルシランから生成したシリコーン樹脂の固形分
重量（樹脂重量）と酸化チタン固形分重量の和に対する
酸化チタン固形分重量の比率は５０％とした。Example 1, Example coated on stainless steel plate: Silica sol weight in silica gel (Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd. Glasca A) and trimethoxymethylsilane (Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd. Glasca B) weight were 3: 1. The liquid material mixed so that the above was applied to a 10 cm square stainless steel substrate. Then, it is heated and solidified at 150 ° C., and the film thickness is 5 μm.
Was formed. The above silica sol was added to anatase type titanium oxide sol (TA-15, solute concentration 10% by weight, manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.), diluted with ethanol, and then a solution containing the above trimethoxymethylsilane was applied onto the above resin layer. . After that, it is heated and solidified at 150 ° C., and 0.1 μm
A mixed layer having a film thickness of Here, the ratio of the titanium oxide solid content weight to the sum of the solid content weight (resin weight) of the silicone resin produced from silica and trimethoxymethylsilane and the titanium oxide solid content weight was 50%.

【００６３】上記の試料を用いて排水・乾燥性能の試験
を行った。まず各試料を風の無い、室内に、１．２°
（１／５２）傾けて置いた。それら試料に同じ強さの水
シャワーをかけた。各試料に付着している水の質量をシ
ャワーをかけた直後と、それから３分後とについて計測
した。A drainage / drying performance test was conducted using the above samples. First, place each sample at 1.2 ° in a room without wind.
(1/52) Tilt and put. The samples were subjected to a water shower of the same strength. The mass of water adhering to each sample was measured immediately after showering and 3 minutes after that.

【００６４】その結果、比較例では、シャワー直後の付
着水量（試料面積１００cm² ）が５ｇで、３分後が４．
５ｇであった。一方、実施例では、それぞれ１ｇと０．
２ｇであった。これを見ると、シャワー直後の付着水量
が、実施例は比較例の１／５ときわめて少なく、実施例
の試料の排水性の良さを示している。また、３分間の乾
燥量は、比較例の５−４．５＝０．５ｇに対して、実施
例では１−０．２＝０．８ｇと、実施例では絶対的な水
量が少ないにもかかわらず乾燥量は多かった。これは、
実施例の試料の乾燥性の良さを示している。３分後の試
料表面残存水量は、比較例の４．５ｇに対して実施例は
０．２ｇであり、水残りによる不便・不快感には格段の
違いがあった。As a result, in the comparative example, the amount of adhering water immediately after the shower (sample area 100 cm ² ) was 5 g, and after 3 minutes it was 4.
It was 5 g. On the other hand, in the examples, 1 g and 0.
2 g. When this is seen, the amount of water adhered immediately after the shower is 1/5 that of the comparative example, which is extremely small, indicating that the samples of the example have good drainage properties. Further, the dry amount for 3 minutes was 5-4.5 = 0.5 g in the comparative example, and 1-0.2 = 0.8 g in the example, and thus the absolute water amount was small in the example. Nevertheless, the dry amount was large. this is,
It shows the good dryness of the samples of the examples. The amount of water remaining on the surface of the sample after 3 minutes was 0.2 g in the example compared with 4.5 g in the comparative example, and there was a marked difference in inconvenience and discomfort due to residual water.

【００６５】上記比較例の試料の表面が完全に乾いた跡
には、明瞭な水垢汚れが何カ所も観察されたが、実施例
の試料の表面には水垢汚れは観察されなかった。In the traces where the surface of the sample of the above Comparative Example was completely dried, clear stains of water stain were observed at several places, but no stain of water stain was observed on the surface of the sample of Example.

【００６６】[0066]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、水回り部材の表面が親水化され水滴が水膜化され
てしまうことにより乾燥が速い。そのため、水滴中に雰
囲気から水垢汚れ源が混入しにくいので、水垢汚れが生
じにくい。さらに、水回り部材表面に傾斜面を設けると
勾配の低い方へ流して排水する効果が加わり、より快適
さが増すとともにより充分に水垢汚れを防止できる。つ
まるところ、水回り部材がサラッとしてきれいな状態に
保たれるので使用者に与える爽快感は多大なものがあ
る。As is apparent from the above description, in the present invention, the surface of the water-surrounding member is made hydrophilic and the water droplets become a water film, so that the drying is fast. Therefore, the source of scale stains is less likely to be mixed into the droplets from the atmosphere, and scale stains are less likely to occur. Further, if an inclined surface is provided on the surface of the water handling member, the effect of draining the water by flowing it to a lower slope is added, and the comfort is further increased and the stains on the scale can be prevented more sufficiently. After all, since the water supply member is kept in a smooth and clean state, the user feels a great feeling of refreshment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０８Ｊ 7/04 Ｃ０８Ｊ 7/04 Ｔ (72)発明者 千国 真 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内 (72)発明者 渡部 俊也 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内 (72)発明者 北村 厚 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification number Reference number within the agency FI technical display location // C08J 7/04 C08J 7/04 T (72) Inventor Chikuni Makoto Ogurakita, Kitakyushu City, Fukuoka Prefecture 2-1-1 Nakashima, Totoki Co., Ltd. (72) Inventor Toshiya Watanabe 2-1-1 Nakajima, Kokurakita-ku, Kitakyushu City, Fukuoka Prefecture (72) Inventor Atsushi Kitamura Fukuoka 2-1-1 Nakajima, Kokurakita-ku, Kitakyushu City Totoki Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基材と、この基材上に形成された光半導
体を含む表面層と、を備えた、水回りに配置される部材
であって；該光半導体の励起光を受けて該部材表面は水
との接触角１０°未満の親水性となり、該部材表面に付
着した水が一様に広がり速やかに乾燥することを特徴と
する高排水性水回り部材。1. A member disposed around water, comprising a base material and a surface layer containing an optical semiconductor formed on the base material; A highly drainable water-surrounding member, wherein the surface of the member becomes hydrophilic with a contact angle with water of less than 10 °, and water adhering to the surface of the member uniformly spreads and dries quickly. 【請求項２】 さらに、上記部材表面が傾斜しており、
該表面に落ちた水が速やかに流下排水される請求項１記
載の高排水性水回り部材。2. The surface of the member is further inclined,
The highly drainable water supply member according to claim 1, wherein the water dropped on the surface is quickly drained down. 【請求項３】 上記傾斜の勾配が１／５０以上である請
求項２記載の高排水性水回り部材。3. The highly drainable water-surrounding member according to claim 2, wherein the inclination is 1/50 or more. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載の高排水
性水回り部材からなるキッチン又は洗面台のカウンター
部。4. A counter part of a kitchen or a wash basin, which comprises the high-drainage water-surrounding member according to any one of claims 1 to 3. 【請求項５】 請求項１〜３いずれか１項記載の高排水
性水回り部材からなる浴槽のエプロン部。5. An apron part of a bathtub comprising the highly drainable water-surrounding member according to any one of claims 1 to 3. 【請求項６】 上記速やかな乾燥・排水に伴って水垢汚
れの発生が抑制される請求項１〜５記載の水回り部材、
カウンター部又はエプロン部。6. The water supply member according to claim 1, wherein generation of scale stains is suppressed along with the rapid drying and drainage.
Counter section or apron section. 【請求項７】 基材と、この基材上に形成された光半導
体を含む表面層と、を備えた部材に、 該光半導体の励
起光を照射することにより該表面を水との接触角１０°
未満の親水性となし、もって該部材表面に付着した水を
一様に広がらせ速やかに乾燥させることを特徴とする水
回り部材の乾燥促進方法。7. A member provided with a base material and a surface layer containing an optical semiconductor formed on the base material is irradiated with excitation light of the optical semiconductor to contact the surface with water. 10 °
A method of accelerating the drying of a water-surrounding member, which is characterized by having less hydrophilicity, and by which water adhering to the surface of the member is uniformly spread and dried quickly. 【請求項８】 基材と、この基材上に形成された光半導
体を含む表面層と、を備えた部材を傾斜させて配置し、 部材に該光半導体の励起光を照射することにより該表面
を水との接触角１０°未満の親水性となし、もって該部
材表面に落下した水を速やかに流下排水とともに該表面
に付着した水を一様に広がらせ速やかに乾燥させること
を特徴とする水回り部材の排水・乾燥促進方法。8. A member provided with a base material and a surface layer containing an optical semiconductor formed on the base material is arranged at an angle, and the member is irradiated with excitation light of the optical semiconductor. The surface is made hydrophilic with a contact angle with water of less than 10 °, so that the water that has dropped onto the surface of the member can be swiftly drained and the water that has adhered to the surface can be spread evenly and dried quickly. A method for promoting drainage and drying of water supply components. 【請求項９】 上記速やかな乾燥・排水に伴って水垢汚
れの発生を抑制する請求項７又は８記載の水回り部材の
排水・乾燥促進方法。9. The drainage / drying promoting method for a water handling member according to claim 7, wherein generation of scale stains is suppressed in association with the rapid drying / draining.