JPH0955418A - Wafer conveying device - Google Patents
Wafer conveying deviceInfo
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- JPH0955418A JPH0955418A JP20595895A JP20595895A JPH0955418A JP H0955418 A JPH0955418 A JP H0955418A JP 20595895 A JP20595895 A JP 20595895A JP 20595895 A JP20595895 A JP 20595895A JP H0955418 A JPH0955418 A JP H0955418A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ搬送装置
に係り、特に、ロボットのアーム等のようにウェーハに
処理を施すための処理装置の間を搬送するウェーハ搬送
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer apparatus, and more particularly, it relates to a wafer transfer apparatus for transferring between wafers such as a robot arm for processing a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５に示すように、ウェーハ１に処理を
施すために種々の処理装置２、３の間をウェーハ１を移
動することが行われている。図４および図５に示すよう
に、例えばウェーハ搬送装置としてロボット４が利用さ
れ、ロボット４のアーム５の先端に設けられたウェーハ
保持部６で処理装置２において処理されたウェーハ１を
把持し、次の処理を行う処理装置３までウェーハ１を搬
送し、ウェーハ保持部６は処理装置３においてウェーハ
１を保持を解除して所定の位置にウェーハ１を載置する
ようになっている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 5, in order to process a wafer 1, the wafer 1 is moved between various processing apparatuses 2 and 3. As shown in FIGS. 4 and 5, for example, a robot 4 is used as a wafer transfer device, and a wafer holder 6 provided at the tip of an arm 5 of the robot 4 holds the wafer 1 processed by the processing device 2, The wafer 1 is transferred to the processing apparatus 3 that performs the next processing, and the wafer holding unit 6 releases the holding of the wafer 1 in the processing apparatus 3 and places the wafer 1 at a predetermined position.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】処理装置２と処理装置
３の間をウェーハ１を移動する間に、処理装置２と処理
装置３の間のウェーハ１の移動経路に気密性がない場合
には、ウェーハ１の表面に空気中の粒子が付着しウェー
ハ１が汚染されるという問題があった。When the wafer 1 is moved between the processing apparatus 2 and the processing apparatus 3 and the movement path of the wafer 1 between the processing apparatus 2 and the processing apparatus 3 is not airtight, However, there is a problem that particles in the air adhere to the surface of the wafer 1 and the wafer 1 is contaminated.
【０００４】また、エッチング等の化学処理をされたウ
ェーハ１は、空気に触れて酸化するという問題があっ
た。Further, there is a problem that the wafer 1, which has been chemically treated by etching or the like, is oxidized by being exposed to air.
【０００５】また、例えばエッチング特性の均一化を図
るためにエッチング液の温度を一定に制御しながらエッ
チング処理をした場合であっても、ウェーハ１の移動中
にウェーハ１の表面温度が変化してしまい、処理結果に
ばらつきが生じ、例えば均一な膜厚を得られないという
問題があった。Even when the etching process is performed while controlling the temperature of the etching solution to be uniform in order to make the etching characteristics uniform, for example, the surface temperature of the wafer 1 changes during the movement of the wafer 1. However, there is a problem in that the processing results vary and, for example, a uniform film thickness cannot be obtained.
【０００６】また、ウェーハ１の移動中に空気中の静電
気がウェーハ１に帯電してしまい、例えばウェーハ１上
にパターンが形成されている場合には、この静電気によ
ってパターンがショートするという問題があった。Further, when the wafer 1 is moved, static electricity in the air is charged on the wafer 1 and, for example, when a pattern is formed on the wafer 1, the static electricity causes a short circuit of the pattern. It was
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
有する問題を解消し、ウェーハの表面に空気中の粒子が
付着しウェーハが汚染されたりせず、あるいはウェーハ
が空気に触れて酸化されたりせず、あるいはウェーハの
移動中にウェーハの表面温度が変化してしまい処理結果
にばらつきが生じたりせず、あるいはウェーハの移動中
に空気中の静電気がウェーハに帯電してしまうことを防
止できるウェーハ搬送装置を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, to prevent particles in the air from adhering to the surface of the wafer to contaminate the wafer, or to oxidize the wafer by touching the air. Wafer, or the wafer surface temperature changes while the wafer is moving so that there are no variations in the processing results, or it is possible to prevent static electricity in the air from charging the wafer while the wafer is moving. A transport device is provided.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ウェーハに処理を施すための処理装置の
間を搬送するウェーハ搬送装置であって、ウェーハを保
持するウェーハ保持部と、このウェーハ保持部と一体的
に移動し、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハの
近傍に不活性ガスを吐出するガス吐出部とを備えること
を特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention is a wafer transfer device for transferring between processing devices for processing a wafer, and a wafer holding part for holding the wafer. And a gas discharge part that moves integrally with the wafer holding part and discharges an inert gas in the vicinity of the wafer held by the wafer holding part.
【０００９】また、好適には、前記ガス吐出部は、不活
性ガス供給源に連通するガス供給管部と、前記ウェーハ
保持部に保持されたウェーハの側端面の近傍にあり不活
性ガスを吐出する吐出溝とを有する。Further, preferably, the gas discharge part is located near a gas supply pipe part communicating with an inert gas supply source and a side end surface of the wafer held by the wafer holding part, and discharges the inert gas. And a discharge groove for
【００１０】また、好適には、前記ガス供給管部に不活
性ガスの帯電を除去する帯電除去装置が連結されてい
る。Further, preferably, a charge removing device for removing the charge of the inert gas is connected to the gas supply pipe portion.
【００１１】また、好適には、前記ガス供給管部に不活
性ガスの温度を調節する温度調節装置が連結されてい
る。Further, preferably, a temperature adjusting device for adjusting the temperature of the inert gas is connected to the gas supply pipe portion.
【００１２】また、好適には、前記吐出溝は、前記ウェ
ーハ保持部に保持されたウェーハ平面に対して傾斜した
方向に不活性ガスを吐出する形状を有する。Also, preferably, the discharge groove has a shape for discharging an inert gas in a direction inclined with respect to a wafer plane held by the wafer holding portion.
【００１３】また、好適には、前記ガス吐出部は、不活
性ガス供給源に連通するガス供給管部と、前記ウェーハ
保持部に保持されたウェーハの側端面の近傍にあり不活
性ガスを吐出する吐出溝と、ウェーハの挟んで前記吐出
溝と対向する位置にあり前記吐出溝からウェーハに吐出
されたガスを吸引するガス吸引部とを有する。Further, preferably, the gas discharge part is located in the vicinity of a gas supply pipe part communicating with an inert gas supply source and a side end face of the wafer held by the wafer holding part, and discharges the inert gas. And a gas suction portion which is located at a position facing the discharge groove with the wafer sandwiched therebetween and which sucks gas discharged from the discharge groove to the wafer.
【００１４】ウェーハを処理装置の間を搬送する間、ガ
ス吐出部はウェーハ保持部に保持されたウェーハと一体
に移動し、ウェーハにはガス吐出部から不活性ガスが吐
出される。ウェーハは不活性ガスを吹き付けられるの
で、ウェーハの表面に空気中の粒子が付着しないように
でき、また空気に触れて酸化することを防止できる。During the transportation of the wafer between the processing devices, the gas discharge part moves integrally with the wafer held by the wafer holding part, and the inert gas is discharged from the gas discharge part to the wafer. Since the wafer is blown with an inert gas, particles in the air can be prevented from adhering to the surface of the wafer, and the wafer can be prevented from being oxidized by contact with the air.
【００１５】また吐出する不活性ガスの温度を制御する
ことにより、ウェーハの移動中にウェーハの表面温度が
変化してしまい処理結果にばらつきが生じることを防止
でき、例えば均一な膜厚を得られなくなることを防止で
きる。Further, by controlling the temperature of the inert gas to be discharged, it is possible to prevent the surface temperature of the wafer from changing during the movement of the wafer to cause variations in the processing results. For example, a uniform film thickness can be obtained. It can be prevented from running out.
【００１６】また、不活性ガスの静電気を除去してから
吐出することにより、ウェーハの移動中に空気中の静電
気がウェーハに帯電することを防止できる。By discharging the inert gas after removing the static electricity, it is possible to prevent the static electricity in the air from being charged on the wafer during the movement of the wafer.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施例について説明する。ウェーハ搬送装置としては、図
５に示すようにロボット４のアーム５を用いた場合を例
にして説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As the wafer transfer device, a case where the arm 5 of the robot 4 is used as shown in FIG. 5 will be described as an example.
【００１８】まず、図１を参照して本発明の第１実施例
について説明する。ロボット４のアーム５の先端部に
は、ウェーハ１を保持する平板状のウェーハ保持部１１
が設けられている。ウェーハ１はウェーハ保持部１１の
先端に形成された略半円周に渡る座ぐり部１２に載置さ
れるようになっている。なお、座ぐり部１２に換えてウ
ェーハ１が載置される平面状の凹部を形成してもよい。First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. At the tip of the arm 5 of the robot 4, a flat plate-shaped wafer holder 11 for holding the wafer 1 is provided.
Is provided. The wafer 1 is mounted on a spot facing portion 12 formed on the tip of a wafer holding portion 11 and extending over a substantially semicircle. Instead of the spot facing portion 12, a flat concave portion on which the wafer 1 is placed may be formed.
【００１９】ウェーハ保持部１１の内部には、アルゴン
等の不活性ガスを吐出するガス吐出部１３が内蔵されて
いる。ガス吐出部１３は、図示しない不活性ガス供給源
に連通するガス供給管部１４と、ガス供給管部１４の先
端部と連通する横広のバッファ部１４と、バッファ部１
４の下流位置にあり不活性ガスの流れ方向を揃えるため
の櫛歯状に配列された複数の吐出溝１５とを有する。Inside the wafer holding unit 11, a gas discharge unit 13 for discharging an inert gas such as argon is built in. The gas discharge part 13 includes a gas supply pipe part 14 that communicates with an inert gas supply source (not shown), a wide buffer part 14 that communicates with a tip part of the gas supply pipe part 14, and a buffer part 1.
4 and a plurality of ejection grooves 15 arranged in a comb shape for aligning the flow direction of the inert gas.
【００２０】複数の吐出溝１５の吐出孔１５ａは、ウェ
ーハ１の略半円状の側周端面に対面している。複数の吐
出溝１５はウェーハ１の表面側と裏面側を見込むように
２層に配列されている。The discharge holes 15a of the plurality of discharge grooves 15 face the substantially semicircular side peripheral end surface of the wafer 1. The plurality of ejection grooves 15 are arranged in two layers so that the front surface side and the back surface side of the wafer 1 are viewed.
【００２１】ガス供給管部１４には、不活性ガスの温度
を所定温度に温度制御するための温度調節装置２０が設
けられている。The gas supply pipe section 14 is provided with a temperature controller 20 for controlling the temperature of the inert gas to a predetermined temperature.
【００２２】また、ガス供給管部１４には、不活性ガス
の帯電を除去するための帯電除去装置２１が連結されて
いる。A charge removing device 21 for removing the charge of the inert gas is connected to the gas supply pipe portion 14.
【００２３】次に本実施例の作用について説明する。図
示しない不活性ガス供給源から供給される不活性ガスは
ガス供給管部１４を通り、途中で温度調節装置２０によ
り温度を所定温度に調整され、また帯電除去装置２１に
より不活性ガス中の静電気を除去され、バッファ部１４
に至る。バッファ部１４ではガス供給管部１４を通過し
てきたガスの流れ方向を一度蓄積し、次に配列された複
数の吐出溝１５の吐出孔１５ａからウェーハ１の側周端
面に向かって吐出される。吐出される不活性ガスは、ウ
ェーハ１の表面と裏面を覆うように分布する。Next, the operation of this embodiment will be described. The inert gas supplied from an inert gas supply source (not shown) passes through the gas supply pipe section 14, and is adjusted in temperature to a predetermined temperature by the temperature control device 20, and static electricity in the inert gas is removed by the charge removing device 21. Is removed, and the buffer unit 14
Leading to. In the buffer portion 14, the flow direction of the gas having passed through the gas supply pipe portion 14 is once accumulated and then discharged from the discharge holes 15a of the plurality of discharge grooves 15 arranged next to the side peripheral end surface of the wafer 1. The discharged inert gas is distributed so as to cover the front surface and the back surface of the wafer 1.
【００２４】ガス吐出部１３はウェーハ保持部１１に内
蔵されており、ガス吐出部１３はウェーハ保持部１１に
保持されたウェーハ１と一体に移動し、ウェーハ１を処
理装置２、３の間を搬送する間、ガス吐出部１３の吐出
溝１５から吐出された不活性ガスでウェーハ保持部１１
に保持されたウェーハ１を包むことができる。The gas ejection unit 13 is built in the wafer holding unit 11, and the gas ejection unit 13 moves integrally with the wafer 1 held by the wafer holding unit 11 to move the wafer 1 between the processing apparatuses 2 and 3. During transportation, the wafer holding part 11 is filled with the inert gas discharged from the discharge groove 15 of the gas discharge part 13.
The wafer 1 held by can be wrapped.
【００２５】本実施例の構成によれば、ガス吐出部１３
をウェーハ保持部１１と一体に移動するようにしたの
で、ウェーハ１を処理装置２、３の間を搬送する間にウ
ェーハ保持部１１に保持されたウェーハ１に不活性ガス
を吹き付けることが可能になり、ウェーハ１の表面に空
気中の粒子が付着しないようにでき、またウェーハ１が
酸化することを防止することができる。According to the configuration of this embodiment, the gas discharge part 13
Since the wafer 1 is moved integrally with the wafer holder 11, it is possible to blow an inert gas onto the wafer 1 held by the wafer holder 11 while the wafer 1 is transported between the processing apparatuses 2 and 3. Therefore, particles in the air can be prevented from adhering to the surface of the wafer 1, and the wafer 1 can be prevented from being oxidized.
【００２６】また、温度調節装置２０を設けたので、ウ
ェーハ１の移動中にウェーハ１の表面温度が変化してし
まい処理結果にばらつきが生じることを防止できる。こ
のことは、エッチング特性の均一化を図るためにエッチ
ング液の温度を一定に制御しながらエッチング処理をし
た場合などにおいて、ウェーハ１がエッチング液の入っ
た容器から取り上げられた後の移動中にもウェーハ１の
温度を一定に維持することができ、均一な膜厚を得るこ
とを可能にする。Further, since the temperature adjusting device 20 is provided, it is possible to prevent the surface temperature of the wafer 1 from changing during the movement of the wafer 1 to cause variations in the processing results. This means that when the etching process is performed while controlling the temperature of the etching solution to be uniform in order to make the etching characteristics uniform, the wafer 1 is also moved after being taken out of the container containing the etching solution. The temperature of the wafer 1 can be kept constant, and a uniform film thickness can be obtained.
【００２７】また、帯電除去装置２１を設けたので、不
活性ガスの静電気を除去してから吐出することにより、
ウェーハ１の移動中に空気中の静電気がウェーハに帯電
することを防止できる。Since the electrostatic charge removing device 21 is provided, the static electricity of the inert gas is removed and then discharged.
It is possible to prevent the static electricity in the air from being charged on the wafer during the movement of the wafer 1.
【００２８】次に、図２を参照して本発明の他の実施例
について説明する。本実施例では図２に示すように、ロ
ボット４のアーム５には図示しない不活性ガス供給源に
連通するガス供給管部２２とガスを排出するガス排出管
部２５が配設されている。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, as shown in FIG. 2, the arm 5 of the robot 4 is provided with a gas supply pipe portion 22 communicating with an inert gas supply source (not shown) and a gas discharge pipe portion 25 for discharging gas.
【００２９】ウェーハ保持部１１の内部には、ガス吐出
部２３と、ウェーハ１を間に対向する位置にガス吸引部
２４とが形成されている。Inside the wafer holding portion 11, a gas discharge portion 23 and a gas suction portion 24 are formed at positions facing the wafer 1 therebetween.
【００３０】ガス供給管部２２から送られてくる不活性
ガスはガス吐出部２３から吐出され、ウェーハ１は不活
性ガスによって吹き付けられ覆われており、ウェーハ１
に吹き付けられた後の不活性ガスはガス吸引部２４で吸
引され、ガス排出管部２５を通じて外部へ排出される。The inert gas sent from the gas supply pipe section 22 is discharged from the gas discharge section 23, and the wafer 1 is sprayed and covered with the inert gas.
The inert gas that has been blown onto the gas is sucked by the gas suction portion 24 and discharged to the outside through the gas discharge pipe portion 25.
【００３１】本実施例の構成によれば、ガス吐出部２３
とガス吸引部２４とが設けられたいるので、空気中に粒
子を飛散させたりクリーンルーム内の気流を乱れさせた
りすることを無くすることができる。例えば、図５にお
いて処理装置２の箱体中に複数のウェーハ１が配列され
ており、ある一枚のウェーハ１を洗浄処理するためにウ
ェーハ保持部１１で把持しようとウェーハ１に接近した
場合に洗浄済みの他のウェーハ１に対しても吐出するガ
スを吹き付けてしまうことは、洗浄済みの他のウェーハ
１に粒子等を付着させることにもなり、好ましいことで
はない。本実施例は、このような場合にも有効である。According to the configuration of this embodiment, the gas discharge part 23
Since the gas suction unit 24 and the gas suction unit 24 are provided, it is possible to prevent scattering of particles into the air and disturbance of the air flow in the clean room. For example, when a plurality of wafers 1 are arranged in the box of the processing apparatus 2 in FIG. 5 and the wafer 1 approaches the wafer 1 to be held by the wafer holding unit 11 in order to clean a certain one wafer 1, It is not preferable to spray the gas to be discharged onto the other cleaned wafers 1 as well because particles and the like may be attached to the other cleaned wafers 1. The present embodiment is also effective in such a case.
【００３２】次に、図３を参照して本発明のさらに他の
実施例について説明する。本実施例においては、ガス供
給管部１４には分岐管２６が連結されており、分岐管２
６の途中に温度調節装置２０が設けられており、ガス供
給管部１４と分岐管２６との接続部には切換バルブ２
７、２８が設けられている。切換バルブ２７、２８の間
のガス供給管部１４の部分には、帯電除去装置２１が接
続されている。Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, a branch pipe 26 is connected to the gas supply pipe portion 14, and the branch pipe 2
A temperature control device 20 is provided in the middle of 6, and a switching valve 2 is provided at a connection portion between the gas supply pipe portion 14 and the branch pipe 26.
7, 28 are provided. A charge removing device 21 is connected to a portion of the gas supply pipe portion 14 between the switching valves 27 and 28.
【００３３】また、吐出溝１５は、ウェーハ保持部１１
に保持されたウェーハ１の平面に対し傾斜して形成され
ており、吐出孔１５ａから吐出される不活性ガスはウェ
ーハ１の表面に直接的に吹き付けられないようになって
いる。Further, the discharge groove 15 is provided in the wafer holding portion 11
It is formed so as to be inclined with respect to the plane of the wafer 1 held by, so that the inert gas discharged from the discharge holes 15a cannot be directly blown onto the surface of the wafer 1.
【００３４】本実施例の構成によれば、分岐管２６と切
換バルブ２７、２８が設けたので、温度調節装置２０と
帯電除去装置２１とを互いに切換て単独に使用したり、
両者を一緒に使用したりすることができる。According to the structure of this embodiment, since the branch pipe 26 and the switching valves 27 and 28 are provided, the temperature adjusting device 20 and the charge removing device 21 can be used independently by switching between them.
Both can be used together.
【００３５】また、吐出溝１５がウェーハ１の平面に対
し傾斜して形成され、吐出孔１５ａから吐出される不活
性ガスがウェーハ１の表面に直接的に吹き付けられない
ようにしたので、例えば、レジスト液を塗布した直後の
ウェーハ１の表面に不活性ガスが吹き付けられて塗布ム
ラができることを防止することができる。Further, since the discharge groove 15 is formed to be inclined with respect to the plane of the wafer 1 so that the inert gas discharged from the discharge hole 15a is not directly blown onto the surface of the wafer 1, for example, It is possible to prevent uneven coating due to spraying of an inert gas on the surface of the wafer 1 immediately after coating the resist solution.
【００３６】なお、以上説明した実施例において、不活
性ガスは連続時間的に吐出されてもよく、あるいは、断
続的に吐出されてもよい。In the embodiment described above, the inert gas may be discharged continuously or intermittently.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、ウェーハ保持部に保持されたウェーハと一体に移
動するガス吐出部を設けたので、ウェーハを処理装置の
間を搬送する間にウェーハの表面に空気中の粒子が付着
しないようにでき、また空気に触れてウェーハが酸化す
ることを防止できる。As described above, according to the configuration of the present invention, since the gas discharge part that moves integrally with the wafer held by the wafer holding part is provided, the wafer is transferred between the processing devices. In addition, particles in the air can be prevented from adhering to the surface of the wafer, and the wafer can be prevented from being oxidized by being exposed to the air.
【００３８】また、温度調節装置を設け、吐出する不活
性ガスの温度を制御することにより、ウェーハの移動中
にウェーハの表面温度が変化してしまい処理結果にばら
つきが生じることを防止できる。Further, by providing the temperature adjusting device and controlling the temperature of the inert gas to be discharged, it is possible to prevent the surface temperature of the wafer from changing during the movement of the wafer and to prevent the processing results from varying.
【００３９】また、帯電除去装置を設け、不活性ガスの
静電気を除去してから吐出することにより、ウェーハの
移動中に空気中の静電気がウェーハに帯電することを防
止できる。Further, by providing a charge removing device to remove static electricity of the inert gas and then discharge the static electricity, it is possible to prevent the static electricity in the air from being charged on the wafer during the movement of the wafer.
【図１】本発明のウェーハ搬送装置の先端部の一実施例
を示す平面図（ａ）と、Ｘ−Ｘから見た縦断面図。FIG. 1 is a plan view (a) showing an embodiment of a tip end portion of a wafer transfer device of the present invention and a vertical cross-sectional view taken along line XX.
【図２】本発明の他の実施例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing another embodiment of the present invention.
【図３】本発明のさらに他の実施例を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing still another embodiment of the present invention.
【図４】従来のウェーハ搬送装置のウェーハ保持部を示
す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a wafer holder of a conventional wafer transfer device.
【図５】ウェーハ搬送装置としてロボットのアームを使
用し、ウェーハ搬送装置の使用状況を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a usage state of the wafer transfer device using a robot arm as the wafer transfer device.
１ ウェーハ ４ ロボット ５ アーム １１ ウェーハ保持部 １２ 座ぐり部 １３ ガス吐出部 １４ ガス供給管部 １５ 吐出溝 １５ａ 吐出孔 ２０ 温度調節装置 ２１ 帯電除去装置 ２２ ガス供給管部 ２３ ガス吐出部 ２４ ガス吸引部 ２５ ガス排出管部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 4 Robot 5 Arm 11 Wafer holding part 12 Counterbore part 13 Gas discharge part 14 Gas supply pipe part 15 Discharge groove 15a Discharge hole 20 Temperature control device 21 Charge removal device 22 Gas supply pipe part 23 Gas discharge part 24 Gas suction part 25 Gas exhaust pipe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布 谷 伸 仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝多摩川工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Nobuhi Futani Hitoshi Komukai Toshiba-cho, Kawasaki-shi, Kanagawa 1 Stock company Toshiba Tamagawa factory
Claims (6)
を搬送するウェーハ搬送装置であって、ウェーハを保持
するウェーハ保持部と、このウェーハ保持部と一体的に
移動し、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハの近
傍に不活性ガスを吐出するガス吐出部とを備えることを
特徴とするウェーハ搬送装置。1. A wafer transfer device for transferring between processing devices for processing a wafer, the wafer holding part holding a wafer, and the wafer holding part that moves integrally with the wafer holding part. And a gas discharge unit for discharging an inert gas in the vicinity of the wafer held by the wafer transfer apparatus.
通するガス供給管部と、前記ウェーハ保持部に保持され
たウェーハの側端面の近傍にあり不活性ガスを吐出する
吐出溝とを有することを特徴とする請求項１に記載のウ
ェーハ搬送装置。2. The gas discharge part includes a gas supply pipe part communicating with an inert gas supply source, and a discharge groove for discharging an inert gas in the vicinity of a side end surface of the wafer held by the wafer holding part. The wafer transfer apparatus according to claim 1, further comprising:
去する帯電除去装置が連結されていることを特徴とする
請求項２に記載のウェーハ搬送装置。3. The wafer transfer device according to claim 2, wherein a charge removing device for removing the charge of the inert gas is connected to the gas supply pipe portion.
節する温度調節装置が連結されていることを特徴とする
請求項２に記載のウェーハ搬送装置。4. The wafer transfer apparatus according to claim 2, wherein a temperature adjusting device for adjusting the temperature of the inert gas is connected to the gas supply pipe portion.
されたウェーハ平面に対して傾斜した方向に不活性ガス
を吐出する形状を有することを特徴とする請求項２に記
載のウェーハ搬送装置。5. The wafer transfer apparatus according to claim 2, wherein the discharge groove has a shape that discharges an inert gas in a direction inclined with respect to a plane of the wafer held by the wafer holder. .
通するガス供給管部と、前記ウェーハ保持部に保持され
たウェーハの側端面の近傍にあり不活性ガスを吐出する
吐出溝と、ウェーハを挟んで前記吐出溝と対向する位置
にあり前記吐出溝からウェーハに吐出されたガスを吸引
するガス吸引部とを有することを特徴とする請求項１に
記載のウェーハ搬送装置。6. The gas discharge part includes a gas supply pipe part communicating with an inert gas supply source, and a discharge groove for discharging an inert gas in the vicinity of a side end surface of the wafer held by the wafer holding part. 2. The wafer transfer apparatus according to claim 1, further comprising: a gas suction unit which is located at a position facing the discharge groove with the wafer sandwiched therebetween and which sucks gas discharged from the discharge groove to the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20595895A JPH0955418A (en) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Wafer conveying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20595895A JPH0955418A (en) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Wafer conveying device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955418A true JPH0955418A (en) | 1997-02-25 |
Family
ID=16515527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20595895A Withdrawn JPH0955418A (en) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Wafer conveying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955418A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045299A (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
| KR20120109421A (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-08 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | Systems and methods for inhibiting oxide growth in substrate handler vacuum chambers |
| JP2019110184A (en) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス | Handling arm, transfer device, and local cleaning device |
| CN109994403A (en) * | 2018-01-03 | 2019-07-09 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | The guard method of semiconductor manufacturing facility, air curtain device and semiconductor element |
| CN111324017A (en) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | Mask robot and mask transfer method |
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-
1995
- 1995-08-11 JP JP20595895A patent/JPH0955418A/en not_active Withdrawn
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| KR20200115179A (en) * | 2019-03-26 | 2020-10-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | Conveyance apparatus, conveyance method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method |
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