JPH0955403A

JPH0955403A - 半導体素子用キャリアテープ

Info

Publication number: JPH0955403A
Application number: JP22608995A
Authority: JP
Inventors: Rikiya Yamashita; 力也山下
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-08-11
Filing date: 1995-08-11
Publication date: 1997-02-25

Abstract

(57)【要約】【目的】金属リード部とプラスチック成形品よりなる
半導体素子を収納し、搬送供給するキャリアテープにお
いて、送り孔のピッチが安定し、ポケット部の強度があ
り、搬送時の衝撃によっても半導体素子を安定して遊嵌
し、充分な帯電防止機能をもち、カバーテープを剥離す
るときにも剥離帯電がなく、半導体素子を安定して装着
できるキャリアテープを提供する。【解決手段】搬送用送り孔２１と、開口部２２とを設け
た帯状基材２に別加工で形成したポケット１を接着した
プラスチック帯状成型品１０にあって、該ポケット１に
設けた台座３に載置する半導体素子６の金属リード部６
１が該ポケット１とは接触しないように半導体素子の移
動を制限するガイド部４をポケットの側壁３７より立ち
上げ、そして、その表面抵抗率が１０¹²Ω／□より大き
くないように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は家電製品、電子機器
に、装着する半導体素子を、収納、供給する半導体素子
用キャリアテープに関し輸送、供給そして装着時におけ
る半導体素子の機械的破壊と静電気による破損を防止す
るキャリアテープに属する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体素子
を収納するポケットの台座あるいは台座の上部周辺部の
加工寸法精度がよく、その部分に所望の厚さをもち、保
形性があり、衝撃によっても半導体素子を破損すること
もなく安定して供給できるばかりでなく、また、台座孔
や送り孔を安定した大きさ、ピッチで成形し充分な帯電
防止機能をもち、更にポケットと送り孔との位置精度が
よく、カバーテープをヒートシールする部分などのプラ
スチックシート表面に凹凸がなく安定した条件でヒート
シールでき、シール強度も安定した巻取りができ、そし
てカバーテープを剥離するときにも剥離帯電がなく、キ
ャリアテープに充填した半導体素子を安定して装着でき
る半導体素子用キャリアテープの提供を目的としてい
る。

【０００３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体素子用キャリアテープにおいて
は、金属リード部とプラスチック成形部分よりなる半導
体素子を収納するための部品ポケットと、少なくとも片
側に搬送用送り孔とを等間隔に設けたプラスチック帯状
基材に、該ポケットを覆いヒートシールするヒートシー
ラント層をもつカバーテープからなる半導体素子用キャ
リアテープにおいて、該部品ポケット部の半導体素子と
接触する近傍の表面抵抗率又は体積抵抗率が、２３℃、
相対湿度９０％の条件で１０¹²Ω／□より大きくなく、
かつ、該ポケットには、半導体素子の金属リード部分が
ポケットの底部及び側壁と接触しないように半導体素子
を支える台座と、ポケットの側壁より立ち上がり、金属
リード部とは接触せず半導体素子の移動を制限するガイ
ド部をもち、前記カバーテープのシーラント層の表面
は、表面抵抗率が、２３℃、相対湿度９０％下にいて、
１０¹²Ω／□より大きくない半導体素子用キャリアテー
プである。また、前記ガイド部が、板状又は棒状に設け
たものであることを特徴とする請求項１記載の半導体素
子用キャリアテープである。そして、該部品ポケットの
台座中央近傍に半導体素子に、凹状の空気溜を設けた半
導体素子用キャリアテープである。また、プラスチック
帯状成形品の基材が、厚さ０．１〜０．８ｍｍのプラス
チックシートに搬送用送り孔と同一工程で成形された部
品ポケット用開口部に射出成形で形成される部品ポケッ
トが、ポケットの側壁より台座方向に対して板状又は、
棒状のガイド部をもつ半導体素子用キャリアテープであ
る。また、部品ポケット用開口部及び搬送用送り孔とを
等間隔に設けた厚さ０．１〜０．８ｍｍの帯状基材のポ
ケット用開口部に射出成形法による部品ポケットを設け
られた半導体素子用キャリアテープである。更に、上記
プラスチック帯状成形品の基材が、熱可塑性樹脂と酸化
錫、酸化インジウム、酸化亜鉛に導電処理を施した粒径
０．０１〜１μｍの導電性微粉末又は導電性カーボン及
び界面活性剤からなり、該導電性微粉末、又は導電性カ
ーボン及び界面活性剤が、熱可塑性樹脂１００部に対し
１〜３００重量％含む半導体素子用キャリアテープであ
る。また、上記プラスチック帯状成形品の基材が、酸化
錫、酸化インジウム、酸化亜鉛に導電処理を施した粒径
０．０１〜１μｍの導電性微粉末又は導電性カーボン及
び界面活性剤を樹脂ワニスに分散調整した導電性塗布剤
を少なくとも一方の側に塗布して設けられた半導体素子
用キャリアテープである。そして、上記プラスチック帯
状成形品の基材が２層以上の積層物であり、少なくとも
その半導体素子と接触する内面層の体積抵抗率が、２３
℃、相対湿度９０％下にて、１０¹²Ω／□より大きくな
い半導体素子用キャリアテープである。また、上記部品
ポケットが、熱可塑性樹脂と酸化錫、酸化インジウム、
酸化亜鉛等の金属酸化物に導電処理を施した粒径０．０
１〜１μｍの導電性微粉末又は導電性カーボン及び界面
活性剤からなり、該導電性微粉末又は導電性カーボン及
び界面活性剤が熱可塑性樹脂１００部に対し１〜３００
重量％含む射出成形品である半導体素子用キャリアテー
プである。また、上記部品ポケットの少なくとも片面
が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛の金属酸化物に
導電処理を施した粒径０．０１〜１μｍの導電性微粉末
又は導電性カーボン及び界面活性剤を樹脂ワニスに分散
調整した導電性塗布剤を少なくとも一方の側に設けられ
た半導体素子用キャリアテープである。

【０００４】

【作用】本発明の半導体素子用キャリアテープは、常温
のプラスチックシートに同一工程で、送り孔及びポケッ
ト用の開口部を形成したプラスチック製帯状基材に、接
着できる成形品を射出成形して作成したポケットを設け
て形成するものである。したがって、形状安定性のある
ポケットと、寸法安定性がある帯状基材シートとの可撓
性とを兼ね備えたキャリアテープであり、巻取りにする
ことができる。すなわち、ポケットは射出成形品である
ため、ポケットの側壁、ポケットの凹部、台座、ガイド
部の寸法精度、厚み精度が安定したものである。そして
衝撃による台座、ガイド部及びポケットの側壁の変形、
曲がりなどを無くすることができる。そして、台座に収
容する半導体素子は、安定して、移送中にも遊嵌範囲
が、ガイド部で規制されて、摩擦による静電気の発生
や、破損を防止するものである。（なお、本明細書で
は、半導体素子がガイド部で規制される移動範囲を、遊
嵌範囲と記載する。）

【０００５】

【従来の技術】従来の半導体素子用キャリアテープは、
プラスチックシートを熱成形法（加圧成形法、真空成形
法あるいは圧空成形法）により部品収納用ポケット、台
座、台座周辺の凸部や搬送用送り孔を設け、長尺巻取り
状態にて使用されている。ＩＣ、あるいはＬＳＩ用のキ
ャリアテープの場合は、移送するとき半導体素子とキャ
リアテープとの摩擦あるいは接触により発生する静電気
で回路が短絡したり、ポケットの側壁との接触により金
属リード部の機械的破損を防ぐために、ポケットと半導
体素子の底部との接触を防止するために、台座あるいは
リブ状のものを設けて半導体素子を固定するように構成
されていた。

【０００６】キャリアテープの成形は、熱成形による方
法、すなわちシートを加熱した後、金型内で部品ポケッ
トを加圧成形法、真空成形法あるいは圧空成形法で行わ
れていた。また、台座孔、送り孔の加工は、シートの加
熱前、金型内で部品用ポケットとの同時加工、ポケット
加工後などのいずれかの方法で形成されていた。また
は、射出成形法により台座をもつキャリアテープを製造
することも検討されてはいる。

【０００７】しかしながら、熱成形によるキャリアテー
プは、延伸率が大きいためシートの賦型性に限界があ
り、ポケットの側壁、台座あるいは台座の上部周辺部の
成形で孔があいたり、賦型性に限界があるためポケット
の台座あるいは台座の上部周辺部の加工寸法精度が劣っ
たり、その部分の厚さが薄くなることがある。したがっ
て、保形性が劣り衝撃によって変形や破損を起こしやす
く部品を所定の位置に保持することが困難であるという
問題点があった。

【０００８】また、台座孔や送り孔をシートに設けた
後、ポケットを熱成形する加工は、加熱によるシートの
収縮、膨張による孔径のバラツキ、孔と孔とのピッチの
バラツキや送り孔とポケットの寸法変化を発生し易く、
そのようなキャリアテープで部品を装着するときは、送
りの位置精度、タイミングがずれて安定搬送ができない
という問題点があった。

【０００９】加熱シートの金型内での加工は、成形品が
小さい場合、ポケットと孔の距離が短くなり、機械加工
法で金型を製作する場合、緻密な加工精度、硬度が高い
金型材料が必要になり金型コストが上昇するという問題
点があった。ポケットを形成した後の孔あけは、送り孔
とポケットの位置を決めることが難しく、孔の位置が変
動し易く、位置精度が安定しないため、そのようなキャ
リアテープに半導体素子を組み込んで部品を装着すると
きは、送りの位置精度タイミングがずれて安定搬送がで
きず基板の実装で位置がずれて装着されるという問題点
があった。

【００１０】加熱シートを金型内に送り成形する加熱成
形は、サイクル間で金型の型締め跡がキャリアテープの
表面に凹凸模様を形成されることがある。この凹凸模様
にカバーテープがヒートシールされる場合、ヒートシー
ル圧力の違いからシール強度が異なり、剥離強度ムラを
生じ、著しいときは、剥離するとき充填してある部品が
飛び出したりするという問題点があった。

【００１１】半導体素子は電気回路を樹脂で包埋した構
造であり、半導体素子とキャリアテープであるプラスチ
ックとが接触し摩擦したときは、静電気を発生し、その
静電気により電気回路が短絡して破損するという問題点
があった。あるいは、カバーテープを剥離するときに発
生する静電気（剥離帯電）により電気回路が短絡して破
損するという問題点があった。

【００１２】射出成形法によるキャリアテープの製造
は、射出成形用樹脂の特性や、金型の構造から厚さが
０．１ｍｍ以下のものの成形が困難である。また、射出
成形用樹脂の特性から射出成形法で製造したプラスチッ
ク帯状成形品に半導体素子を充填して、カバーテープで
ヒートシールしたものは、ポケット間の屈曲性が劣り、
巻取り状にした場合には折れ易いため装着に使用できる
巻取り化ができないという問題点があった。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の半導体素子用キャリアテ
ープは、図１（Ｂ）に示すように、送り孔２１、ポケッ
ト用の開口部２２を設けた帯状基材２と、射出成形で作
成したポケット１とを接着部１６で一体に接合したプラ
スチック帯状成形品１０よりなるキャリアテープであ
る。そして該ポケット１には、台座３とポケット１の側
壁３７より立ち上がり、金属リード部６１と接触しない
ように、半導体素子の遊嵌範囲を規定するガイド部４と
をもつものである。半導体素子６は、図１（Ｃ）、
（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように台座３に、金属リード部
６１をポケットの凹部１２に宙づり状態に載置し、ガイ
ド４で所定位置に遊嵌させて、カバーテープ７で密封す
るものである。

【００１４】帯状基材２は、製膜適性、孔加工性、及び
ポケット１の成形樹脂、カバーテープ７とのヒートシー
ル性を勘案して選択されるものである。具体的にはポリ
プロピレン、ポリエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重
合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アク
リル酸エステル共重合体、アイオノマー、エチレン・酢
酸ビニル共重合体ケン化物、ポリ塩化ビニル、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂な
どや、これらの混合物が用いられる。そして、必要に応
じて、粘着付与剤、ワックス、無機、有機の充填剤、滑
剤などを添加することができる。その厚さは、材質にも
よるが０．１〜０．８ｍｍ好ましくは、０．１〜０．６
ｍｍの延伸あるいは未延伸のシートである。０．１ｍｍ
以下の厚さでは、キャリアテープの剛性が弱く、張力を
かけ、高速で搬送したときに切断したり、半導体素子を
充填したとき半導体素子の荷重で撓んだりして搬送適性
に欠けることがあり、また０．８ｍｍ以上になると剛性
が強過ぎて可撓性を失い、長尺の巻取り化ができなくな
る。シートの巾は、キャリアテープの巾により決定され
るが、３００ｍｍ巾程度の多列でポケット用の開口部を
設けてポケット１を付加形成した後、所望の列にスリッ
ターを行う。

【００１５】帯状基材の帯電処理は、帯電防止剤を基材
樹脂に練り込んだり、成膜シートの表面あるいは射出成
形したポケットの表面に塗布により行うことができる。
帯電防止剤としては次のものが挙げられる。ケッチェンブラック、アセチレンブラック、ファーネ
ストブラックなどの粒子径０．０２〜０．１５０μｍ、
表面積４０ｍ²／ｇ以上の導電性カーボン。酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などの金属酸化
物、金属硫化物、硫酸塩にドーピングなどの導電処理を
施した一次粒子系０．０１〜１μｍの導電性微粉末。銅、鉄、アルミニウム、ニッケル、金などの粒子径
０．０１〜１０μｍの繊維状又は粉末状の金属を主体と
する導電性微粉末。アニオン系、カチオン系、非イオン系、両性イオン系
の界面活性剤。脂肪酸誘導体、４官能性珪素部分加水分解物、ビス−
アンモニウム系有機半導体。上記帯電防止剤のなかから、金属酸化物、界面活性剤あ
るいは導電性カーボンが、静電気除去特性、半導体素子
に対する非汚染性の点から好ましいものである。

【００１６】帯電防止剤による処理は、製膜工程で樹脂
に混入する練り込み方式、あるいは製膜されたシートに
塗布することで行われる。練り込み方式は、樹脂１００
重量部に対し、帯電防止剤を１〜３００重量％の添加、
特に５〜５０重量％添加することが好ましい。帯電防止
剤が１重量％未満である場合その表面抵抗率が、２３
℃、相対湿度９０％で１０¹³Ω／□以上（以下、表面抵
抗率の測定は２３℃、相対湿度９０％で行った数値を記
載する）、２３℃、相対湿度１５％における５０００Ｖ
から５００Ｖに減衰するまでの減衰時間（電荷減衰時
間）が、で５秒以上であり（以下電荷減衰時間の測定は
上記の条件で行った数値を記載する）、静電気の除去効
果が充分ではなく、半導体素子とポケットとの接触など
で発生した静電気や、カバーテープを剥離したときの静
電気により電子部品の回路が、短絡、破損することがあ
る。また、帯電防止剤が３００重量％を超える場合、製
膜時の溶融粘度が上昇して流動性が低下するのみなら
ず、製膜した場合も脆くなり必要な強度を保つことがで
きない。

【００１７】塗布方式に用いる塗布液は、バインダーと
して合成樹脂を主として、溶解あるいは分散したワニス
に、帯電防止剤を分散して調整する。バインダーは、ポ
リエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、塩化ビニル
・酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、メチル
セルロース、エチルセルロース、エチレン・酢酸ビニル
共重合体、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂ワニス、ポ
リカーボネートなどや、これらの変性物、混合したもの
あるいは、熱硬化、又は電離放射線硬化型樹脂であるア
クリレート、シリコーンを使用することもできる。バイ
ンダーを、溶解あるいは分散する溶剤は、通常のエステ
ル、炭化水素、ケトン、アルコールの有機溶剤のみなら
ず、水を用いた溶液又は分散体として使用される。バイ
ンダー１００重量部に対する帯電防止剤の添加量は、１
〜３００重量％、特に５〜１５０重量％添加することが
好ましい。帯電防止剤が１重量％未満である場合、表面
抵抗率が１０¹³Ω／□以上、また、電荷減衰時間が５秒
以上であり、静電気の除去効果が充分ではなく、電子部
品の回路が、短絡、破損することがある。また、帯電防
止剤が１００重量％を超える場合、塗布膜の接着、強度
が低下し、塗布膜の脱落することがある。塗布膜の厚さ
は、表面抵抗率が１０¹²Ω以下／□以下となるように適
宜設定できるものであるが、コスト、塗布機より限定さ
れるもので、０．１〜１００μｍ、好ましくは１〜５０
μｍである。また、塗布膜の基材に対する接着が強固で
ない場合は、基材の塗布面にウレタン系、イソシアネー
ト系、ポリエチレンイミン系などをプライマーとして使
用することもできる。

【００１８】上記の帯状基材は、単層又は２層以上の多
層積層物で構成することができる。多層化は、コスト、
基材の機械的特性（伸び、剛性、屈曲性、引っ張り強
度、引裂き強度など）、熱的特性（耐熱性、耐寒性、軟
化温度など）、環境的特性（耐薬品性、耐溶剤性、耐水
性、耐放射線性、耐光性、廃棄性など）、ガス透過特性
（酸素バリアー性、水蒸気透過性、無機あるいは有機ガ
スバリアー性など）、吸水特性などを考慮して構成を選
択することができる。

【００１９】多層積層物を構成する材料は、熱可塑性樹
脂であるポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、
塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、セルロース誘導体、
エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸
共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、ア
イオノマー、ポリビニールアルコール、エチレン・酢酸
ビニル共重合体ケン化物、アクリル系樹脂、シリコーン
樹脂、ポリカーボネートのみならず、不飽和ポリエステ
ル、熱硬化性樹脂、又は電離放射線硬化型樹脂であるア
クリレート、シリコーンの他にセロファンなどのフィル
ムを使用することもできる。多層積層物は、上記の材料
による単層シートの積層、又は塗布して得られるもので
ある。そして、シートの少なくともいずれか１層あるい
は、塗布膜に帯電防止剤を含ませた層を１層組み合わせ
て構成することができる。

【００２０】多層積層物に含む導電性をもつ層の表面抵
抗率は、電荷減衰時間が５秒以下であることが好まし
い。表面抵抗率が１０¹²Ω／□、電荷減衰時間が５秒を
超える場合は、静電気の除去効果が充分ではなく、電子
部品の回路が、短絡、破損することがある。多層積層物
を構成する単位層の厚さは、０．１〜６００μｍが好ま
しく、０．１μｍ以下では構成した層の特性を得ること
ができず、６００μｍ以上の場合は、プラスチック帯状
基材の可撓性を損ない巻取りとすることが困難となる。

【００２１】プラスチック帯状基材は、公知の方法で製
膜することができる。例えば、Ｔダイス法、サーキュラ
ダイス法、溶剤溶融流延法、カレンダー法などの延伸又
は未延伸で製膜を行う。多層積層物は、２層以上のフィ
ルム又はシートの、熱ラミネーション、ホットメルト接
着剤や、イソシアネート系接着剤によるドライラミネー
ション法、あるいは、イソシアネート系、イミン系プラ
イマー層に熱可塑性樹脂をＴダイ法により溶融押出しコ
ーティング法、共押出し製膜法など通常の方法で得るこ
とができる。

【００２２】塗布による製膜法としては、グラビア版、
又は斜線版などによるダイレクトあるいはリバースコー
ティング、ロールコーティング、コンマーコーティン
グ、エアナイフコーティングなどの他にシルク印刷法、
転写印刷法、ドライオフセット印刷法、パッド印刷方法
などの公知の塗布、印刷方法を用いることができる。

【００２３】射出成形法により形成するポケットは、帯
状基材の構成要素であるプラスチックと熱融着する材料
から、コスト、成形性、機械的特性を考慮して選択する
ことが好ましく、例えば、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、塩化ビニル・酢酸ビニ
ル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン
・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル
共重合体、アイオノマー、ポリビニールアルコール、エ
チレン・酢酸ビニル共重合体ケン化物などが用いられ
る。そして、必要に応じて、ワックス、無機、有機の充
填剤、滑剤などを添加することができる。ポケットと、
プラスチック帯状基材とを嵌合により固定する場合は、
熱溶着できる材料以外からも自由に選択することができ
る。ポケットの厚さは、充填する半導体素子の形状、重
量によって決定されるものであり必要以上の厚さは避け
るべきであり、最大で３ｍｍである。

【００２４】射出成形法に用いる樹脂の帯電処理は、帯
電防止剤の練り込みや、成型品の表面に塗布により行う
ことができる。練り込みに使用される帯電防止剤は、プ
ラスチック帯状基材と同様なものを使用することができ
次のものが挙げられる。ケッチェンブラック、アセチレンブラック、ファーネ
ストブラックなどの粒子径０．０２〜０．１５μｍ、表
面積４０ｍ²／ｇ以上の導電性カーボン。酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などの金属酸化
物、金属硫化物、硫酸塩にドーピングなどの導電処理を
施した一次粒子系０．０１〜１μｍの導電性微粉末。銅、鉄、アルミニウム、ニッケル、金などの粒子径
０．０１〜１０μｍの繊維状又は粉末状の金属を主体と
する導電性微粉末。アニオン系、カチオン系、非イオン系、両性イオン系
の界面活性剤。脂肪酸誘導体、４官能性珪素部分加水分解物、ビスー
アンモニウム系有機半導体。上記帯電防止剤のなかから、金属酸化物、界面活性剤あ
るいは導電性カーボンが、静電気除去特性、半導体素子
に対する非汚染性の点から好ましいものである。

【００２５】帯電防止剤による処理は、射出成形工程で
混入する練り込み方式、あるいは製膜されたシートに塗
布することで行われる。練り込み方式は、樹脂１００重
量部に対し、帯電防止剤を１〜３─０重量％の添加、特
に５〜５０重量％添加することが好ましい。帯電防止剤
が１重量％未満である場合、表面抵抗率が１０¹³Ω／□
以上、減衰時間（電荷減衰時間）が５秒以上であり、静
電気の除去効果が充分ではなく、半導体素子とポケット
との接触、あるいはカバーテープを剥離するときに発生
する静電気で電子部品の回路が、短絡、破損することが
ある。また、帯電防止剤が３００重量％を超える場合、
射出成形時の溶融粘度が上昇して流動性が低下するのみ
ならず、射出成形物も脆くなり必要な強度を保つことが
できない。

【００２６】ポケットの塗布液は、バインダーとして合
成樹脂を主として、溶解あるいは分散したワニスに、帯
電防止剤を加えて作成される。バインダーは、ポリエス
テル、ポリウレタン、ポリスチレン、塩化ビニル・酢酸
ビニル系共重合体、セルロース誘導体、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂ワニ
ス、ポリカーボネートなどや、これらの変性物、混合し
たものあるいは、熱硬化、又は電離放射線硬化型樹脂で
あるアクリレート、シリコーンを使用することもでき
る。バインダーを、溶解あるいは分散する溶剤は、通常
のエステル、炭化水素、ケトン、アルコールの有機溶剤
のみならず、水を用いた溶液又は分散体として使用され
る。バインダー１００重量部に対する帯電防止剤の添加
量は、１〜３００重量％、特に５〜５０重量％添加する
ことが好ましい。帯電防止剤が１重量％未満である場
合、表面抵抗率が１０¹³Ω／□以上、電荷減衰時間が５
秒以上であり、静電気の除去効果が充分ではなく、電子
部品の回路が、短絡、破損することがある。また、帯電
防止剤が３００重量％を超える場合、塗布膜の接着、強
度が低下し、塗布膜の脱落することがある。塗布膜の厚
さは、表面抵抗率が１０¹²Ω／□以下となるように適宜
設定できるものであるが、コスト、塗布機より限定され
るもので、０．１〜１００μｍ、好ましくは２〜５０μ
ｍである。また、塗布方法としては、スプレー塗装など
の他にシルク印刷法、転写印刷法、ドライオフセット印
刷法、パッド印刷方法などの公知の塗布、印刷方法が成
形品の場合は有効である。

【００２７】帯状基材２に射出成形で形成するポケット
の接着方法は公知の方法により適宜選定できる。好まし
くは、予め射出成形法で形成したポケットを、帯状基材
に設けたポケット用開口部の接着部に、超音波接着法、
高周波接着法、ヒートシール法などや、接着剤、溶剤に
よる化学的接着法、嵌合などの物理的接着法を用いて固
定する。あるいは、予めポケット用開口部を設けた帯状
基材を射出成形用金型に装着し、ポケットを形成すると
同時に接着部で溶融接着する方法が用いられる。

【００２８】本発明の、帯状成型品に使用するカバーテ
ープは、従来より使用されている、基材シートに、帯状
基材ヘの接着シール層として、感熱シール接着剤層、粘
着シール型接着剤層、電離放射線硬化型シール接着剤
層、マイクロカプセル型シール接着剤層を設けたものが
使用できる。特に好ましい接着剤層は、感熱接着性のヒ
ートシーラント層を設けたものである。カバーテープの
基本的層構成は次のようなものが例示される。基材シート／接着剤層／中間層／ヒートシーラント層基材シート／接着剤層／中間層／接着剤層／二軸延伸
フィルム層／ヒートシーラント層基材シート／ヒートシーラント層基材シートは、ポリエステル、ポリプロピレン、ナイロ
ンなどの一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルム、未延伸
フィルムの他、合成紙を使用することができる。中間層
は、ポリオレフィン、ポリスチレン、エチレン・酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレ
ン・アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー、ポリ
エステル及びこれらの変性物又は混合物がある。

【００２９】ヒートシーラント層は、ポリウレタン、ポ
リエステル、アクリル系樹脂、塩化ビニル・酢酸ビニル
共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・
アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共
重合体、アイオノマー、シリコーンなどから適宜に選択
できる。そして、カバーテープに帯電防止性をもたせる
ために、構成する層のうち少なくとも一層に、前記のプ
ラスチック帯状基材と同様の帯電防止剤を加える。更
に、ヒートシーラント層の表面に、界面活性剤、ビスア
ンモニウム系有機半導体層を形成することもできる。カ
バーテープの剥離形態には、次のようなものがあるが、
望ましくは、層間剥離をして、その剥離強度が１００〜
１０００ｇ／１５ｍｍ巾で、剥離時の最大値と最小値と
の差が５０ｇ／２ｍｍ巾未満にすることが望ましい。ヒートシーラント層と、プラスチック帯状基材との間
で剥離する界面剥離型。ヒートシーラント層内部で破壊剥離する凝集破壊型。ヒートシーラント層と、中間層あるいは二軸延伸フィ
ルム層との間で剥離する層間剥離型。

【００３０】本発明の半導体素子用キャリアテープの製
造方法について図面を参照にして説明する。図１（Ｂ）
に示す送り孔２１と、プラスチック成形品であるポケッ
トを設ける開口部は２２は、プラスチック帯状基材２に
プレス、金型によるパンチングによる方法や、トムソン
刃又はカッター刃、レーザー加工などにより巻取り状で
行う。次いで、巻取りの供給及び巻上げユニットを設け
た公知の射出成形機の供給ユニットに、送り孔２１と、
ポケット用開口部２２を設けたプラスチックの帯状基材
２を射出成形機に挿入し、送り孔２１あるいは／及びポ
ケット用開口部２２で位置決めを行い、キヤビテイに溶
融樹脂を射出注入してプラスチック帯状基材２に、ポケ
ット１を成形して図１（Ａ）に示すように帯状基材２の
開口部２２の端部とポケットの上部で、帯状基材とポケ
ットとを接着部１６で融着して帯状成形品１０構成す
る。このとき、成形用の樹脂が帯状基材２のカバーシー
トとの接着面に付着しないように留意する。そして、所
望の列にスリッターをして巻上げて帯状成型品１０の巻
取りを構成する。また、帯状基材１０に、キャビテイと
コアから構成させるプレス金型により、送り孔２１及び
ポケット用開口部２２を設け、その工程と連続して、射
出成形を行い帯状成型品１０を構成することもできる。

【００３１】射出成形法で形成するポケット１は、図２
に示すように、半導体素子６を載置する台座３、金属リ
ード部６１をポケット１の凹部１２に宙づり状態にて収
容できるものである。そして、金属リード部６１の曲が
り、折れ、欠けを防止するためポケットの側壁３７よ
り、台座３の方向に向けて、板状あるいは棒状のガイド
部４を形成する。ポケット１は、半導体素子の金属リー
ド部６１がポケットの側壁３７及び台座３と接触しない
空隔１２をもつものである。そして図２（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）に示すようにポケットの側壁に形成する板状
あるいは棒状のガイド部４１、４２、及び４３は、半導
体素子６を図３に示す半導体素子の収納位置の収納時の
遊嵌範囲６３である図３に示す寸法Ａの範囲に移動を規
制して、金属リード部６１と側壁３７とは接触させない
ものである。

【００３２】そして、図３に示す、半導体素子の収納時
の遊嵌可能範囲の寸法Ａは、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ
以下とし、半導体素子のコーナーを保持するガイドＢの
寸法は、０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下が好ましい。
そして、Ｂが形成する半導体素子のコーナーを支える角
度θは、９０±３０°の範囲にあるものが好ましい。遊
嵌範囲の寸法Ａは、３．０ｍｍを超える以上の場合
は、半導体素子の移動範囲の変化が大きく、半導体素子
を電子部品の所定位置に設置できないことがあり、また
ポケットのサイズを必要以上に大きくなる。そして０．
５ｍｍ未満の場合は、半導体素子をポケットに収納する
とき位置制御が難しく、ガイド部４１、４２又は４３と
半導体素子が接触して脱落することがある。ガイドＢの
寸法は、５．０ｍｍを超える場合は、半導体素子を収納
するときに所定位置に収納できず脱落したり、半導体素
子を電子部品に設置するときに取り出し難く所定位置に
設置できないことがある。また、ガイドＢが形成する半
導体素子のコーナーを支える角度θは、１２０°を超え
る場合は、半導体素子のコーナーを保持する位置の変化
が大きく、半導体素子を電子部品の所定位置に設置でき
ないことがあり、６０°未満の場合は、半導体素子を収
納するときに所定位置に収納できず脱落したり、半導体
素子を電子部品に設置するときに取り出し難く所定位置
に設置できないことがある。また、ガイドの巾Ｃは、ガ
イドの強度を保つ最低の巾で設けることが好ましく、特
に指定するものではない。

【００３３】図２（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）に示す半導
体素子の金属リード部６１の先端とポケットの側壁３７
との間隙距離は、半導体素子の金属リード部６１の寸法
に併せて設定するものである。側壁３７と金属リード部
６１の先端よりの距離は０．５〜２０ｍｍ、好ましくは
２〜１０ｍｍである。

【００３４】図３に示す、ガイド部４の断面形状は特に
規定はしないが、半導体素子の移動に伴う抵抗に耐える
ものならば特に問うものではなく、円柱、四角柱以上の
多角柱で、ガイドの寸法Ｂが、前記０．５〜５．０ｍｍ
の範囲にあればよい。

【００３５】ガイド部４は、半導体素子を輸送、供給中
にポケットの側壁３７に接触することによる金属リード
部分の曲がり、折れ欠損などを防止するため、ポケット
部の側壁より立ち上げ、半導体素子のコーナー部や側面
よりガイドして遊嵌の範囲を制限するものである。

【００３６】ガイド部の設置形態は、図２（Ｂ）に示す
コーナー型板状ガイド部４１、図２（Ｃ）に示すコーナ
ー型棒状ガイド部４２や、図２（Ｄ）に示す側壁型板状
ガイド部４３のようなガイド部と側壁とが一体化した形
状のものである。

【００３７】また、ガイド部は、図４（Ａ）に示すポケ
ットの底部３３及び側壁３７から設ける側底部形成型ガ
イド部４６、図４（Ｂ）に示すポケットの側壁３７から
設ける側部形成型ガイド部４７、図４（Ｃ）に示すポケ
ットの側壁３７から設け、かつ厚さを半導体素子とほぼ
同一の厚さにした側部中厚型ガイド部４８や、図４
（Ｄ）に示すポケットの側壁３７から設け、かつ厚さを
半導体素子より薄くした側部薄型ガイド部４９に作成す
ることができる。

【００３８】キャリアテープに収納した半導体素子は、
その搬送中に飛び跳ねたり、傾斜、回転などの移動によ
り、金属リード部６１が側壁３７、底部３３あるいは台
座３と接触して欠損することがある。また、摩擦により
発生する静電気電荷量は、仕事関数（接触回数、摩擦回
数、圧力、接触面積など）に比例するものである。した
がって、摩擦回数、接触回数及び接触圧力が同じである
ならば、半導体素子と台座との接触面積が大きい場合
に、静電気の発生量が大きくなり、ゴミの侵入及び金属
リード部へのゴミの付着による半導体素子の機能妨害
や、発生した静電気負荷による電気回路が短絡し、半導
体素子の機能を失うこととなる。

【００３９】発生する静電気量を少なくするためには、
接触面積を少なくすることが有効である。接触面積を少
なくするため、空気層の発生を防止する方法としては、
図７に示す台座３に半導体素子と接触しない部分となる
凹部５を設けたり、更に、図５に示す台座３に台座孔３
１を設けて脱気したりすることが好ましい。

【００４０】具体的に台座孔３１を形成するには次の方
法が有効である。半導体素子を収納するときに金属リード部６１が、側
壁３７、台座３、底部３３と接触しないように収納させ
るための孔として、図５に示す貫通した台座孔３１を台
座３の中央部に設けて空気を逃がす方法。図６に示すように空気の流路型空気溜５１を台座３の
中央方向に放射線状に形成する方法。図７に示す台座の中央部近傍に凹部５を形成して空気
溜５２を設ける方法。この場合、空気溜５２を図に示す
よう中心部に向かって、更に深くなるように傾斜させて
空気溜凹部５２ｂを設けることにより効果的である。そ
の追加した凹部の段差深さ５２ｈは、０．０５〜１０ｍ
ｍ、好ましくは０．１〜５ｍｍである。段差深さ５２ｈ
が０．５ｍｍより小さい場合は空気層を溜める効果が少
なく、また５ｍｍを超えるとポケットが深くなるため、
成形材料が多くなり、コスト面とポケット全体の側壁３
７が大きくかつ深くなり、帯状成型品の巻取りが困難に
なるという問題を発生する。図８に示すように台座表面をマット加工して空気の流
路である粗面型空気溜５３を設ける方法。マット加工は、粗さ曲線において中心線平均粗さが１．
０ｍｍ以下、最大高さが２．０ｍｍ以下であり、うねり
曲線においては、中心線うねりが１．０ｍｍ以下、最大
うねりが２．０ｍｍ以下が好ましい。台座の面に図９に示す凸部５４ａ、凹部５４ｂよりな
る凹凸溝状の空気溜５４を形成する方法。

【００４１】上記、及びに示す凹部型空気溜５
２、流路型空気溜５１、凹凸溝による空気溜５４は、半
導体素子６と台座３との接触部６６の面積も小さくな
り、発生する静電気電荷量が小さく、ゴミの混入を防止
するととものに、半導体回路の機能を保護する上でも効
果がある。また、台座孔３１、粗面型空気溜５３と、流
路型空気溜５１、凹部型空気溜５２、凹凸溝による空気
溜５４などを適宜組み合わせることにより相乗効果を奏
するものである。例えば、 (a) 台座孔３１と流路型空気溜５１とを組み合わせた図
１０に示す台座３。 (b) 台座孔３１と凹部型空気溜５２とを組み合わせた図
１１に示す台座３。 (c) 台座孔３１と粗面型空気溜５３とを組み合わせた図
１２に示す台座３。 (d) 台座孔３１と凹部型空気溜５２及び粗面型空気溜５
３とを組み合わせた図１３に示す台座３。 (e) 台座孔３１と流路型空気溜５１とを組み合わせた図
１４に示す台座３。 (f) 台座孔３１と凹凸型空気溜５４とを組み合わせた図
１５に示す台座３。 (g) 台座孔３１と凹部型空気溜５２及び流路型空気溜５
１とを組み合わせた図１６に示す台座３。 (h) 台座孔３１と粗面型空気溜５３及び凹凸型空気溜５
４とを組み合わせた図１７に示す台座３。

【００４２】

【効果】本発明の半導体素子用キャリアテープは、導電
性微粉末の練り込みのみならず、塗布することによりで
きる生産性のよいものである。本発明の半導体素子用キ
ャリアテープは、常温のプラスチックシートに同一工程
で、送り孔及びポケット用開口部を形成したプラスチッ
ク帯状基材と、成形精度がよい射出成形されたポケット
とを複合して構成されている。したがって、形状安定性
のあるポケットと、寸法安定性があるシートとの可撓性
を兼ね備えたキャリアテープの巻取りを構成できる。そ
して、ポケットに形成する半導体素子を載置する凸状の
台座は、形状を自由に形成できる。そして、本発明の半
導体素子用キャリアテープは、常温のプラスチックシー
トに同一工程で、送り孔及びポケット用開口部を形成し
たプラスチックを含む帯状基材に、同成形品と熱溶融接
着できる射出成形樹脂を用いて、ポケットを設けて形成
するものである。したがって、形状安定性のあるポケッ
トと、寸法安定性がある帯状基材シートとの可撓性とを
兼ね備えたキャリアテープであり、巻取りにすることが
できる。すなわち、ポケットは射出成形品であるため、
ポケットの側壁、ポケットの凹部、台座、ガイド部の寸
法精度、厚み精度が安定したものである。そして衝撃に
よる台座、ガイド部及びポケットの側壁の変形、曲がり
を無くすることができる。そして、台座に収容する半導
体素子は、安定して、移送中にもその遊嵌範囲が規制さ
れて、摩擦による静電気の発生や、破損を防止するもの
である。ポケットの側壁より設けたガイド部は、半導体
素子の収納範囲を規制して遊嵌し、静電気や金属リード
部と側壁との接触などによる半導体素子の損傷を防止す
る効果を奏する。そして、射出成形で形成される台座孔
の位置精度及び、常温のプラスチックシートに行われる
送り孔の加工は、孔の寸法、ピッチの精度ともに安定し
たものである。常温加工した帯状基材と、カバーテープ
とのヒートシールは、表面に凹凸模様がなく剥離強度を
安定させる効果を奏する。キャリアテープは、導電性微
粉末の練り込みのみならず、塗布することによりできる
生産性のよいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）帯状基材の平面を示す概念図である。（Ｂ）帯状成型品の平面を示す斜視図である。（Ｃ）半導体素子を収納した帯状成型品の平面を示す概
念図である。（Ｄ）半導体素子を収納した帯状成型品のＸ−Ｘ断面を
示す概念図である。（Ｅ）半導体素子を収納した帯状成型品のＹ−Ｙ断面を
示す概念図である。

【図２】（Ａ）ガイド部で遊嵌した半導体素子の収納状
態を示す断面概念図である。（Ｂ）コーナー型板状ガイド部と遊嵌位置を示す平面図
である。（Ｃ）コーナー型棒状ガイド部と遊嵌位置を示す平面図
である。（Ｄ）辺部に設けた側壁型ガイド部と遊嵌位置を示す平
面図である。

【図３】ポケットとガイド部との寸法関係を示す平面図
である。

【図４】（Ａ）側底部成形型ガイド部の断面を示す概念
図である。（Ｂ）側部成形型ガイド部の断面を示す概念図である。（Ｃ）側部中厚型ガイド部の断面を示す概念図である。（Ｄ）側部小厚型ガイド部の断面を示す概念図である。

【図５】（Ａ）台座に設けた凹部型空気溜を説明する断
面の概念図である。（Ａ）台座に設けた凹部型空気溜を説明する平面の概念
図である。

【図６】（Ａ）流路型空気溜を設けた台座を示す断面の
概念図である。（Ｂ）上記形状による空気抜け部の平面形状を示す概念
図である。

【図７】（Ａ）凹部型空気溜を設けた台座を示す断面の
概念図である。（Ｂ）上記形状による空気溜の平面形状を示す概念図で
ある。

【図８】（Ａ）粗面型空気溜を設けた台座を示す断面の
概念図である。（Ｂ）上記形状による空気溜の平面形状を示す概念図で
ある。

【図９】（Ａ）凹凸型空気溜を設けた台座を示す断面の
概念図である。（Ｂ）上記形状の空気溜の平面形状を示す概念図であ
る。

【図１０】台座孔と流路型空気溜を複合した台座を示す
断面の概念図である。

【図１１】台座孔と凹部型空気溜を複合した台座を示す
断面の概念図である。

【図１２】台座孔と粗面型空気溜を複合した台座を示す
断面の概念図である。

【図１３】台座孔と粗面型空気溜及び凹部型空気溜とを
複合した台座を示す断面の概念図である。

【図１４】台座孔と粗面型空気溜及び流路型空気溜とを
複合した台座を示す断面の概念図である。

【図１５】台座孔と凹凸型空気溜とを複合した台座を示
す断面の概念図である。

【図１６】台座孔と流路型空気溜及び凹部型空気溜とを
複合した台座を示す断面の概念図である。

【図１７】台座孔と粗面我空気溜及び凹凸型空気溜とを
複合した台座を示す断面の概念図である。

【符号の説明】

１ポケット１０プラスチック帯状成型品１２ポケットの凹部１６接着部２帯状基材２１送り孔２２開口部３台座３１台座孔３３底部３６素子収納遊嵌位置３７側壁４ガイド部４１コーナー型板状ガイド部４２コーナー型棒状ガイド部４３側壁型板紙状ガイド部４６側底部形成型ガイド部４７側部形成型ガイド部４８側部中厚型ガイド部４９側部薄型ガイド部５凹部５１流路型空気溜５２凹部型空気溜５２ｂ空気溜の凹部５２ｈ段差５３粗面型脱気部５４凹凸型空気溜５４ａ凸部５４ｂ凹部６半導体素子６１金属リード部６３遊嵌範囲７カバーテープＡ遊嵌距離Ｂコーナーを保持するガイドＣガイドの巾 θ ガイド受け部の角度

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【手続補正書】

【提出日】平成７年１２月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図５】（Ａ）台座に設けた凹部型空気溜を説明す
る断面の概略図である。（Ｂ）台座に設けた凹部型空気溜を説明する平面の概略
図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属リード部とプラスチック成形部分よ
りなる半導体素子を収納するための部品ポケットと、少
なくとも片側に搬送用送り孔とを等間隔に設けたプラス
チック帯状基材に、該ポケットを覆いヒートシールする
ヒートシーラント層をもつカバーテープからなる半導体
素子用キャリアテープにおいて、該部品ポケット部の半
導体素子と接触する近傍の表面抵抗率又は体積抵抗率
が、２３℃、相対湿度９０％の条件で１０¹²Ω／□より
大きくなく、かつ、該ポケットには、半導体素子の金属
リード部分がポケットの底部及び側壁と接触しないよう
に半導体素子を支える台座と、ポケットの側壁より立ち
上がり、金属リード部とは接触せず半導体素子の移動を
制限するガイド部をもち、前記カバーテープのヒートシ
ーラント層の表面は、表面抵抗率が、２３℃、相対湿度
９０％下にて、１０¹²Ω／□より大きくないことを特徴
とする半導体素子用キャリアテープ。
【請求項２】前記ガイド部が、板状又は棒状に設けた
ものであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子
用キャリアテープ。
【請求項３】該部品ポケットの台座中央近傍に半導体
素子に、凹状の空気溜を設けたものであることを特徴と
する請求項１及び２記載の半導体素子用キャリアテー
プ。
【請求項４】プラスチック帯状成形品の基材が、厚さ
０．１〜０．８ｍｍのプラスチックシートに搬送用送り
孔と同一工程で成形された部品ポケット用開口部に射出
成形で形成される部品ポケットがポケットの側壁より台
座方向に対して板状又は、棒状のガイド部をもつもので
あることを特徴とする半導体素子用キャリアテープ。
【請求項５】部品ポケット用開口部及び搬送用送り孔
とを等間隔に設けた厚さ０．１〜０．８ｍｍの帯状基材
のポケット用開口部に射出成形法による部品ポケットを
設けられたものであることを特徴とする請求項１、２及
び３記載の半導体素子用キャリアテープ。
【請求項６】上記プラスチック帯状成形品の基材が、
熱可塑性樹脂と酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛に導
電処理を施した粒径０．０１〜１μｍの導電性微粉末又
は導電性カーボン及び界面活性剤からなり、該導電性微
粉末、導電性カーボン、界面活性剤が、熱可塑性樹脂１
００部に対し１〜３００重量％含むことを特徴とする請
求項１記載の半導体素子用キャリアテープ。
【請求項７】上記プラスチック帯状成形品の基材が、
酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛に導電処理を施した
粒径０．０１〜１μｍの導電性微粉末又は導電性カーボ
ン及び界面活性剤を樹脂ワニスに分散調整した導電性塗
布剤を少なくとも一方の側に塗布して設けられたもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体素子用キャ
リアテープ。
【請求項８】上記プラスチック帯状成形品の基材が、
２層以上の積層物であり、少なくともその半導体素子と
接触する内面層の体積抵抗率が、２３℃、相対湿度９０
％下にて、１０¹²Ω／□より大きくないことを特徴とす
る請求項１記載の半導体素子用キャリアテープ。
【請求項９】上記部品ポケットが、熱可塑性樹脂と酸
化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛等の金属酸化物に導電
処理を施した粒径０．０１〜１μｍの導電性微粉末又は
導電性カーボン及び界面活性剤からなり、該導電性微粉
末、導電性カーボン、界面活性剤が熱可塑性樹脂１００
部に対し１〜３００重量％含む射出成形品であることを
特徴とする請求項１、２及び３記載の半導体素子用キャ
リアテープ。
【請求項１０】上記部品ポケットの少なくとも片面
が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛の金属酸化物に
導電処理を施した粒径０．０１〜１μｍの導電性微粉末
又は導電性カーボン及び界面活性剤を樹脂ワニスに分散
調整した導電性塗布剤を少なくとも一方の側に設けられ
たものであることを特徴とする請求項１記載の半導体素
子用キャリアテープ。