JPH0955350A - 露光方法および露光装置 - Google Patents

露光方法および露光装置

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JPH0955350A
JPH0955350A JP7207237A JP20723795A JPH0955350A JP H0955350 A JPH0955350 A JP H0955350A JP 7207237 A JP7207237 A JP 7207237A JP 20723795 A JP20723795 A JP 20723795A JP H0955350 A JPH0955350 A JP H0955350A
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JP
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filter
light
exposure
intensity distribution
mask
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JP7207237A
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English (en)
Inventor
Hideo Shimizu
秀夫 清水
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH0955350A publication Critical patent/JPH0955350A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特殊なフィルターを用いることなく、比較的
単純なフィルターを用いて任意の光源形状を得ることが
できる露光方法および露光装置を提供すること。 【解決手段】 1回の露光時間内に、露光用光を第1フ
ィルター52に通してマスクに照射する工程と、前記第
1フィルター52と異なる光透過率分布の第2フィルタ
ー54に露光用光を通してマスクに照射する工程とを少
なくとも有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体基
板の表面に微細パターンを形成するための露光方法と露
光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体集積回路の研究開発におい
て、サブハーフミクロン領域のデザインルールのデバイ
スが研究開発されている。これらデバイス開発において
は、フォトリソグラフィー技術が必須である。このフォ
トリソグラフィー技術に使用されている露光装置、いわ
ゆる縮小投影露光装置の解像性能が、半導体デバイスの
研究開発の成否、および量産の可否を左右しているとい
っても過言ではない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような露光装置に
おいて、半導体露光装置の光源とマスクとの間に光透過
率を制御するフィルターを設け、通常は光強度分布がガ
ウス分布となっている光源を種々に変化させ、解像度や
焦点深度を改善する、いわゆる変形照明法が注目を集め
ている。
【0004】たとえば図1に示すように、透過率0の円
盤2に、4箇所の円形の開口部4が形成してある単純な
フィルターが用いられ、変形照明を実現している。とこ
ろが、従来のフィルターを用いた変形照明法では、特定
のパターンのみにしか効果がなく、ある種のパターンに
はむしろ悪影響があると言うことで、実用化という観点
から各種光源が提案されている。
【0005】たとえば強度差がないフラットな強度分布
の光源や、光に位相差を持たせるフィルターが設けられ
た光源が提案されている。このような光源を作成するた
めに、従来では、複雑な形状のフィルターや、部分的に
透過率が異なる、いわゆるハーフトーン型フィルターな
どが用いられている。しかしながら、このようなフィル
ターは作成が困難であり、光源の強度均一性の悪化をも
たらし、結果として良好なパターンを形成できないおそ
れがある。
【0006】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、特殊なフィルターを用いることなく、比較的単純な
フィルターを用いて任意の光源形状を得ることができる
露光方法および露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る第1の露光方法は、1回の露光時間内
に、露光用光を第1フィルターに通してマスクに照射す
る工程と、前記第1フィルターと異なる光透過率分布の
第2フィルターに露光用光を通してマスクに照射する工
程とを少なくとも有する。
【0008】本発明の第2の露光方法は、1回の露光時
間内に、露光用光を第1フィルターに通してマスクに照
射する工程と、前記第1フィルターを通さないで露光用
光をマスクに照射する工程とを少なくとも有する。本発
明に係る露光装置は、光源とマスクとの間の光路に移動
自在に配置され、露光用光の光強度分布を変化させる第
1フィルターと、1回の露光時間内に、前記第1フィル
ターが前記光路を横切る位置と、横切らない位置とに切
り換える高速切り替え手段とを有する。
【0009】本発明に係る露光装置は、第1フィルター
と異なる透過率分布を持ち、露光用光の光強度分布を変
化させる第2フィルターをさらに有し、前記高速切り替
え手段により、1回の露光時間内で、前記光路に差し込
まれるフィルターを、前記第1フィルターと第2フィル
ターとに切り換えることが好ましい。さらに本発明に係
る露光装置では、1回の露光時間内で切り換えられる複
数のフィルターとしては、第1フィルターおよび第2フ
ィルター以外に、トータルで3枚以上のフィルターであ
っても良い。
【0010】前記高速切り替え手段としては、特に限定
されないが、複数のフィルターが周方向に沿って形成さ
れた回転円盤や、2以上のフィルターがスライド移動方
向に沿って形成してあるスライド盤などを例示すること
ができる。本発明に係る露光装置を用いた露光方法で
は、一つ一つのフィルターは比較的単純形状である。本
発明では、1回の露光時間内で、透過率分布が異なるフ
ィルターを高速で切り換える。または、1回の露光時間
内で、ある種のフィルターを通して露光を行う場合と、
そのフィルターを通さないで露光を行う場合とに高速で
切り換える。たとえば1回のトータルの露光時間をTと
すれば、最初の0.2Tの時間では、第1フィルターを
通した露光を行い、残りの0.8Tの時間では、第2フ
ィルターを通した露光を行う。第1フィルターの透過率
分布と、第2フィルターの透過率分布とは、相互に相違
する。すなわち、最初の0.2T時間で得られる光源の
光強度分布と、次の0.8T時間で得られる光源の強度
分布とは相違する。
【0011】ホプキンスのパーシャルコヒーレント理論
によれば、これら光源の各点からくる光は互いに干渉せ
ず、足し合わせることにより、実際の光強度分布が得ら
れる。したがって、本発明では、複雑な形状のフィルタ
ーまたはハーフトーン型フィルターを用いることなく、
これらを用いた場合と等価な光強度分布を容易に得るこ
とができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る露光方法およ
び露光装置を、図面に示す実施形態に基づき、詳細に説
明する。実施例1 まず、露光装置の全体構成を図2に基づき説明する。
【0013】図2に示すように、この露光装置は、レー
ザ装置と、ステッパー装置とから成る。レーザ装置は、
エキシマレーザ30と、ドーズ量制御ユニット31と、
シフティングユニット33と、発射光学系34とで構成
される。ステッパー装置は、ビームスプリッタ35と、
プリズムユニット36と、ハエの目レンズ37と、マス
キングブレード38と、レチクル39と、プロジェクシ
ョンレンズ40とで構成される。エキシマレーザ30か
ら発射された露光用光は、前記種々の光学系を通して、
ハエの目レンズ37へ入射し、ハエの目レンズ37が二
次光源(有効光源)となる。その露光用光は、マスクパ
ターンが形成されたレチクル39を通し、ウェーハ41
面上に至り、レチクル39のパターンがウェーハ面上に
転写される。レチクル39としては、特に限定されず、
通常のクロムマスクまたは位相シフトマスクが用いられ
る。
【0014】ハエの目レンズ37は、複数(たとえば1
00個)のレンズの集合体であり、全体としての外径
は、通常5cm〜20cmである。本実施例では、有効
光源としてのハエの目レンズ37からレチクル39へ至
る露光用光の二次源光強度分布を改良するために、ハエ
の目レンズ37の光入射側または光出射側に、図3に示
すスライド移動式のフィルター切り替え装置50を配置
する。このフィルター切り替え装置50は、第1フィル
ター部52と第2フィルター部54とが形成してあるフ
ィルター本体51を有する。第1フィルター部52と第
2フィルター部54とは、相互に光透過率分布が相違し
ている。第1フィルター部52を通過した後の光の強度
分布は、図3(B)のカーブ52aのようになり、第2
フィルター部54を通過した後の光の強度分布は、図3
(B)のカーブ54aのようになる。すなわち、第1フ
ィルター部52では、中央部の透過率が高く、第2フィ
ルター部54では、その逆に、中央部の透過率が低い。
【0015】本実施例では、この2つのフィルター部5
2,54が形成してあるフィルター本体51を切り替え
装置によりスライド移動させ、たとえばトータルの露光
時間を1秒とした場合に、0.5秒間には、露光用光を
第1フィルター部52に通し、残りの0.5秒間には、
露光用光を第2フィルター部54に通して露光を行う。
このスライド移動は、スループットの向上の観点から、
瞬時に行うことが好ましい。
【0016】このように、1回の露光時間内で、露光用
光が透過するフィルター部を切り換えることで、ホプキ
ンスのパーシャルコヒーレント理論から、図3(B)に
示す光強度分布カーブ52aと、光強度分布カーブ54
aとを足し合わせた図3(C)に示す光強度分布が得ら
れる。この光強度分布は、たとえば図4に示すように、
中心部の透過率が数十%で、その周囲の透過率が0%
で、さらにその周囲の透過率が100%である単一のフ
ィルター56を用いて露光を行った場合と等価である。
【0017】なお、本実施例では、図3(C)に示す光
強度分布において、中心のピークと周辺のピークとの高
さの比は、露光用光が第1フィルター部52に通される
時間と、露光用光が第2フィルター部54に通される時
間との比を変化させることで自由に調節することができ
る。すなわち、本実施例では、比較的単純な形状のフィ
ルター部を2以上作成し、これらを切り換えて用いるこ
とで、複雑な形状のフィルターを用いた場合と同等の効
果を得ることができる。しかも、結果的に得られる図3
(C)に示す光強度分布において、光強度分布の各ピー
クの高さを自由に変更することができる。
【0018】図3(C)に示すように、周辺部の光を強
調しつつ、中央部での光を、ある程度残しておくこと
で、ガウス分布による通常露光や、変形照明などに比べ
てよりフラットな形状に近い光強度分布を持ち、特定パ
ターンに弱点を持たず、良好なパターンの解像を実現す
ることが期待される。
【0019】実施例2 本実施例では、前記実施例1で用いた図3に示すフィル
ター本体51の代わりに、図5(A)に示すフィルター
本体58と切り替え装置59とを用いた以外は、前記実
施例1と同様にして、露光を行う。切り替え装置59
は、実施例1と同様に、スライド式の切り替え装置であ
る。フィルター本体58には、第1フィルター部60
と、第2フィルター部62と、第3フィルター部64と
が形成してある。第1フィルター部60の光透過率分布
は、図3(B)に示す分布カーブ52aと同様である。
第2フィルター部62の光透過率分布は、比較的小さな
リング状に光透過率が高い領域が存在する分布である。
さらに、第3フィルター部64の光透過率分布は、比較
的大きなリング状に光透過率が高い領域が存在する分布
である。
【0020】1回の露光時間内で、これら三つのフィル
ター部に露光用光がスライド装置により切り替わって透
過することで、結果的に得られる光源の光強度分布は、
図5(B)に示す分布となる。本実施例においては、比
較的単純な形状のフィルター部を3以上作成し、これら
を切り換えて用いることで、複雑な形状のフィルターを
用いた場合と同等の効果を得ることができる。しかも、
結果的に得られる図5(B)に示す光強度分布におい
て、光強度分布の各ピークの高さを自由に変更すること
ができる。
【0021】しかも本実施例では、前記実施例1と同様
に、図5(B)に示すように、周辺部の光を強調しつ
つ、中央部での光を、ある程度残しておくことで、ガウ
ス分布による通常露光や、変形照明などに比べてよりフ
ラットな形状に近い光強度分布を持ち、特定パターンに
弱点を持たず、良好なパターンの解像を実現することが
期待される。
【0022】実施例3 本実施例では、結果的に得られる光源からの光強度分布
を変化させるための手段として、図6(A)に示す装置
を用いた以外は、前記実施例1と同様にして、露光を行
った。その他の構成は、前記実施例1と同様である。
【0023】本実施例では、図6(A)に示す回転ディ
スク式のフィルター切り換え装置90が、図2に示すハ
エの目レンズ37の光入射側または光出射側に配置して
ある。このフィルター切り換え装置90は、回転ディス
ク92と、これを駆動する回転駆動軸94とを有する。
回転ディスク92には、周方向に沿って光透過用開口部
95と、フィルター96と、その他のフィルターが形成
してある。フィルター96は、たとえば図7(A)に示
すように、外径を1.0とした場合に、その中央部の
0.5の範囲が遮光するようになっている。
【0024】一回のトータルな露光時間を1秒とした場
合に、最初の0.2秒では、図6(A)に示す開口部9
5に露光用光(図8に示す分布の光)を通し、その後、
瞬時に回転ディスク92を回転し、残りの0.8秒で
は、露光用光をフィルター96に通して露光を行う。そ
の結果、図9に示すように、一回の露光時間当りの有効
光源からの光強度分布は、図8に示す光強度分布と時間
との積と、図7(A)に示すフィルターを通した光強度
分布と時間との積との和の光強度分布に均等となる。
【0025】本実施例においては、図6(A)に示す開
口部95を通す時間と、フィルター96とを通す時間と
のバランスを調節することにより、結果的に照射される
光の光量分布(光強度分布に等価)の形状を変化させる
ことができる。本実施例においては、比較的単純な形状
のフィルターを通して露光する場合とフィルター無しで
露光する場合とを組み合わせることで、比較的複雑な形
状のフィルターにより得られる場合と同等な光源の光強
度分布を得ることができる。
【0026】したがって、本実施例においても、前記実
施例1と同様に、周辺部の光を強調しつつ、中央部での
光を、ある程度残しておくことで、特定パターンに弱点
を持たず、良好なパターンの解像を実現することが期待
される。実施例4 本実施例では、結果的に得られる光源からの光強度分布
を変化させるための手段として、図6(B)に示す装置
を用いた以外は、前記実施例1と同様にして、最適な光
源形状を検索した。その他の構成は、前記実施例1と同
様である。
【0027】本実施例では、フィルターを通さない状態
では、有効光源としてのハエの目レンズ37へ入射する
光の強度分布は、図8に示すようなフラットな光強度分
布であるとする。本実施例では、たとえば図6(B)に
示すスライド式のフィルター切り換え装置97が、図2
に示すハエの目レンズ37の光入射側または光出射側に
配置してある。このフィルター切り換え装置97は、複
数種類のフィルター96a〜96dを収容し、これらを
高速でスライド移動させることが可能なフィルター保持
体98を有する。フィルター96aは、たとえば図7
(A)に示すように、外径を1.0とした場合に、その
中央部の0.5の範囲が遮光するようになっている。ま
た、フィルター96bは、図7(B)に示すように、外
径を1.0とした場合に、幅0.35の十字状の範囲が
遮光するようになっている。
【0028】一回のトータルな露光時間を1秒とした場
合に、最初の0.2秒では、図6(B)に示す保持体9
8内に全てのフィルター96a〜96dを後退移動した
状態とし、露光用光をフィルターに通さない。その後、
瞬時にフィルター96aをスライド移動させ、0.3秒
では、露光用光をフィルター96aに通して露光を行
う。次に、図6(B)に示すフィルター96aを保持体
98内に瞬時にスライドさせて後退移動させ、同時に、
フィルター96bをスライドさせて前進移動させ、残り
の0.5秒では、露光用光をフィルター96bに通して
露光を行う。その結果、図10に示すように、一回の露
光時間当りの有効光源からの光強度分布は、図8に示す
光強度分布と時間との積と、図7(A)に示すフィルタ
ーを通した光強度分布と時間との積と、図7(B)に示
すフィルターを通した光強度分布と時間との積との和の
光強度分布に均等となる。
【0029】本実施例においては、図6(B)に示すフ
ィルター96a〜96dを通す時間と切り換える時点と
を調節することにより、結果的に照射される光の光量分
布(光強度分布に等価)の形状を変化させることができ
る。本実施例においては、比較的単純な形状の2種類の
フィルターを通して露光する場合と、フィルター無しで
露光する場合とを組み合わせることで、比較的複雑な形
状のフィルターにより得られる場合と同等な光源の光強
度分布を得ることができる。
【0030】したがって、本実施例においても、前記実
施例1と同様に、周辺部の光を強調しつつ、中央部での
光を、ある程度残しておくことで、特定パターンに弱点
を持たず、良好なパターンの解像を実現することが期待
される。実施例5 本実施例では、結果的に得られる光源からの光強度分布
を変化させるための手段として、図6(C)に示す装置
を用いた以外は、前記実施例1と同様にして、最適な光
源形状を検索した。その他の構成は、前記第1実施例と
同様である。
【0031】本実施例では、フィルターを通さない状態
では、有効光源としてのハエの目レンズ37へ入射する
光の強度分布は、図8に示すようなフラットな光強度分
布であるとする。本実施例では、たとえば図6(C)に
示す光シャッタ式光学材料100が、図2に示すハエの
目レンズ37の光入射側または光出射側に配置してあ
る。この光シャッタ式光学材料は、たとえばPLZT
(La添加のチタン酸ジルコン酸鉛)で構成され、基板
の少なくとも片面に複数の細電極を設け、電圧を印加す
ることにより、光の透過率が変化する材料である。光学
材料100の表面に設ける電極の形を工夫することで、
中心領域102と周辺領域104とを別々に制御可能と
し、電圧を印加することにより一瞬にして中央部102
のみを遮光状態にすることが可能である。
【0032】一回のトータルな露光時間を1秒とした場
合に、最初の0.2秒では、図6(C)に示す中央部1
02と周辺部104とを光透過状態とし、これらの領域
に露光用光を通す。その後、瞬時に中央部102の電極
にのみ電圧を印加し、中央部102を遮光状態とし、そ
の状態で露光用光を通す。その結果、前記実施例3と同
様な結果を得ることができる。
【0033】本実施例においては、光学材料100の表
面に形成する電極の形状、配置間隔および電圧印加条件
などを工夫することで、結果的に種々の光強度分布形状
を得ることができる。本実施例においては、光シャッタ
ーを用いることで、比較的複雑な形状のフィルターによ
り得られる場合と同等な光源の光強度分布を得ることが
できる。
【0034】したがって、本実施例においても、前記実
施例1と同様に、周辺部の光を強調しつつ、中央部での
光を、ある程度残しておくことで、特定パターンに弱点
を持たず、良好なパターンの解像を実現することが期待
される。実施例6 本実施例では、前記各実施例のいずれかの手段を採用す
ることにより、結果的に、図11に示す光強度分布の二
次光源を実現した。
【0035】なお、図11(A)は、光強度分布を数字
で示したものであり、*部が光強度のピーク部分を示
し、0〜9の数字は、ピーク部分を10とした場合の光
強度の割合を示し、中央部で低く周辺部で高い光強度分
布となっている。また、図11(B)は、図11(A)
に示す光強度分布を立体的に示したものである。
【0036】この光強度分布の有効光源と、位相シフト
マスクとを組み合わせて用いることにより、図12,1
3に示すように、密集パターンでの二次ピークによる解
像の問題を生じることなく、DOF(焦点深度)を拡大
することができることが確認された。
【0037】なお、図12では、(B)は、中心部で光
強度が低い有効光源とハーフトーン位相シフトマスクを
用いて、NAが0.45のKrFエキシマレーザーステ
ッパーにより、内径0.30μm のコンタクトホールパ
ターンを基板上に形成した例を示す。この実験では、レ
ジストとしては、化学増幅型ポジレジスト(WKR−P
T2)を用いた。コンタクトホールの内径と、それらの
間隔との比(デューテイ比)を1:3,1:1.5,
1:1と変化させたパターンについて、それぞれコンタ
クトホールパターンを形成した。SEM写真の結果を図
12(B)に示す。
【0038】また、比較のために、ハエの目レンズ上に
照射する光強度分布を図12(A)に示すガウス分布と
した以外は同様にして、3通りの条件でコンタクトホー
ルパターンを形成した。さらに、比較のために、有効光
源上に照射する光強度分布を輪帯照明の分布(中心部の
光強度を0)とした以外は同様にして、3通りの条件で
コンタクトホールパターンを形成した。SEM写真で観
察した結果を、図12(C)に示す。これらの実験結果
から、コンタクトホールの間隔が狭くなっても、中心部
で光強度が弱い分布の光源を持つ露光(図12(B),
(C))では、二次ピークがほとんど解像しないことが
確認された。
【0039】図13中のカーブBは、図12(B)に示
す光源形状を用い、孤立パターンを形成した場合の孔サ
イズとフォーカスとの関係を示し、曲線の幅が横に広い
ほどDOFが広い。また、図13中のカーブAは、図1
2(A)に示す光源形状を用い、孤立パターンを形成し
た場合の孔サイズとフォーカスとの関係を示す。さら
に、図13中のカーブCは、図12(C)に示す光源形
状を用い、孤立パターンを形成した場合の孔サイズとフ
ォーカスとの関係を示す。
【0040】本実施例(カーブB)では、従来の通常照
明の場合(カーブA)には及ばないものの、輪帯照明の
場合(カーブC)に比較して、DOFが広がることが確
認された。なお、本発明は、上述した実施形態に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。
【0041】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明では、
比較的単純な形状のフィルターを組み合わせて用いるこ
とで、複雑な形状のフィルターを用いた場合と同等の効
果を得ることができる。
【0042】しかも本発明では、周辺部の光を強調しつ
つ、中央部での光を、ある程度残しておくなどの自由な
光強度分布の光源を実現することができ、特定パターン
に弱点を持たず、良好なパターンの解像を実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来例に係る変形光源の一例を示す図である。
【図2】露光装置の全体構成を示す図である。
【図3】(A)〜(C)は本発明の実施例に係るフィル
ターと光強度分布との関係を示す図である。
【図4】図3(C)に示す分布を一枚のフィルターで実
現するためのフィルターの概略図である。
【図5】(A),(B)は本発明の他の実施例に係るフ
ィルターと光強度分布との関係を示す図である。
【図6】(A)〜(C)は光源の形状を変化させるため
の他の例を示す図である。
【図7】(A),(B)は実施例で用いるフィルターの
例を示す図である。
【図8】実施例で用いる光強度分布を示すである。
【図9】光強度分布の足し算を示す概念図である。
【図10】光強度分布の足し算を示す概念図である。
【図11】(A)は実施例での光量分布を数値で示す
図、(B)は光量分布を立体的に示す図である。
【図12】(A)〜(C)は光源の光強度分布による二
次パターンの影響を示すホールパターンのSEM写真で
ある。
【図13】本発明の実施例に係る方法により得られる光
源形状の場合には、DOFも向上することを示すグラフ
である。
【符号の説明】
35… ビームスプリッタ 36… プリズムユニット 37… ハエの目レンズ 39… レチクル 41… ウェーハ 50… 切り替え装置 51,59… フィルター本体 52,60… 第1フィルター部 54,62… 第2フィルター部 64… 第3フィルター部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 515D

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの露光用光をマスクに通し、そ
    のマスクに形成されたパターンを基板に転写する露光方
    法において、 1回の露光時間内に、露光用光を第1フィルターに通し
    てマスクに照射する工程と、前記第1フィルターと異な
    る光透過率分布の第2フィルターに露光用光を通してマ
    スクに照射する工程とを少なくとも有する露光方法。
  2. 【請求項2】 光源からの露光用光をマスクに通し、そ
    のマスクに形成されたパターンを基板に転写する露光方
    法において、 1回の露光時間内に、露光用光を第1フィルターに通し
    てマスクに照射する工程と、前記第1フィルターを通さ
    ないで露光用光をマスクに照射する工程とを少なくとも
    有する露光方法。
  3. 【請求項3】 光源からの露光用光をマスクに通し、そ
    のマスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装
    置において、 光源とマスクとの間の光路に移動自在に配置され、露光
    用光の光強度分布を変化させる第1フィルターと、 1回の露光時間内に、前記第1フィルターが前記光路を
    横切る位置と、横切らない位置とに切り換える高速切り
    替え手段とを有する露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1フィルターと異なる透過率分布
    を持ち、露光用光の光強度分布を変化させる第2フィル
    ターをさらに有し、 前記高速切り替え手段により、1回の露光時間内で、前
    記光路に差し込まれるフィルターを、前記第1フィルタ
    ーと第2フィルターとに切り換えることを特徴とする請
    求項3に記載の露光装置。
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