JPH0951071A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH0951071A JPH0951071A JP7201987A JP20198795A JPH0951071A JP H0951071 A JPH0951071 A JP H0951071A JP 7201987 A JP7201987 A JP 7201987A JP 20198795 A JP20198795 A JP 20198795A JP H0951071 A JPH0951071 A JP H0951071A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シールド効果が高く製造コストの低減が達成
できる高周波パワーモジュールを提供する。 【構成】 接地電位に接続されるフランジの表面に電子
部品と電子部品を搭載した回路基板を固定してなること
を特徴とする混成集積回路装置であって、混成集積回路
装置の実装時下面となるフランジ面に電子部品および電
子部品を搭載した回路基板が搭載されている。前記フラ
ンジの接地電位に接続される部分は表面実装型構造の面
付けフィンを形成している。前記電子部品は複数の高周
波ＭＯＳＦＥＴからなり、多段に接続されて高周波パワ
ーモジュールが構成されている。
できる高周波パワーモジュールを提供する。 【構成】 接地電位に接続されるフランジの表面に電子
部品と電子部品を搭載した回路基板を固定してなること
を特徴とする混成集積回路装置であって、混成集積回路
装置の実装時下面となるフランジ面に電子部品および電
子部品を搭載した回路基板が搭載されている。前記フラ
ンジの接地電位に接続される部分は表面実装型構造の面
付けフィンを形成している。前記電子部品は複数の高周
波ＭＯＳＦＥＴからなり、多段に接続されて高周波パワ
ーモジュールが構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波パワーモジュール
等混成集積回路装置に関し、特にセルラー電話機の送信
部に用いる高周波電力増幅器に適用して有効な技術に関
する。
等混成集積回路装置に関し、特にセルラー電話機の送信
部に用いる高周波電力増幅器に適用して有効な技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高周波パワーモジュールは、自動車電
話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されてい
る。高周波パワーモジュールについては、日立評論社発
行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12
〜Ｐ26に記載されている。この高周波パワーモジュール
（高周波電力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュール）は、パ
ワーＭＯＳＦＥＴを三段に組み込み、出力の向上を図っ
ている。
話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されてい
る。高周波パワーモジュールについては、日立評論社発
行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12
〜Ｐ26に記載されている。この高周波パワーモジュール
（高周波電力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュール）は、パ
ワーＭＯＳＦＥＴを三段に組み込み、出力の向上を図っ
ている。
【０００３】前記文献には、各種のパッケージ（封止）
形態の高周波パワーモジュールが紹介されている。携帯
用電話に組み込まれる高周波パワーモジュールは、小型
化のために金属カバーと表面実装外形が採用されてい
る。
形態の高周波パワーモジュールが紹介されている。携帯
用電話に組み込まれる高周波パワーモジュールは、小型
化のために金属カバーと表面実装外形が採用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波パワーモ
ジュールは接地電位に接続される放熱用のフランジと金
属カバーの嵌合を強固にして所望のシールド効果を得る
ためには、嵌合部分の加工精度を高くしなければならな
いという問題があった。すなわち、フランジと金属カバ
ーとの嵌合部分の嵌合状態が悪いと、所望のシールド効
果（電気遮蔽効果）が得られない場合があることが判明
した。
ジュールは接地電位に接続される放熱用のフランジと金
属カバーの嵌合を強固にして所望のシールド効果を得る
ためには、嵌合部分の加工精度を高くしなければならな
いという問題があった。すなわち、フランジと金属カバ
ーとの嵌合部分の嵌合状態が悪いと、所望のシールド効
果（電気遮蔽効果）が得られない場合があることが判明
した。
【０００５】また、前記加工精度を向上させるために
は、高精度の金型を用意したり、成形品検査を行った
り、あるいは高精度に耐え得る材料等を準備しなければ
ならないという問題があり、製品コストの低減を妨げて
いた。
は、高精度の金型を用意したり、成形品検査を行った
り、あるいは高精度に耐え得る材料等を準備しなければ
ならないという問題があり、製品コストの低減を妨げて
いた。
【０００６】本発明の目的は、シールド効果が高く製造
コストの低減が達成できる混成集積回路装置を提供する
ことにある。
コストの低減が達成できる混成集積回路装置を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の他の目的は、シールド効果が高く
製造コストの低減が達成できる高周波パワーモジュール
を提供することにある。
製造コストの低減が達成できる高周波パワーモジュール
を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１０】（１）接地電位に接続されるフランジの表
面に電子部品と電子部品を搭載した回路基板を固定して
なることを特徴とする混成集積回路装置であって、混成
集積回路装置の実装時下面となるフランジ面に電子部品
および電子部品を搭載した回路基板が搭載されている。
前記フランジの接地電位に接続される部分は表面実装型
構造の面付けフィンを形成している。前記電子部品は複
数の高周波ＭＯＳＦＥＴからなり多段に接続されて高周
波パワーモジュールが構成されている。
面に電子部品と電子部品を搭載した回路基板を固定して
なることを特徴とする混成集積回路装置であって、混成
集積回路装置の実装時下面となるフランジ面に電子部品
および電子部品を搭載した回路基板が搭載されている。
前記フランジの接地電位に接続される部分は表面実装型
構造の面付けフィンを形成している。前記電子部品は複
数の高周波ＭＯＳＦＥＴからなり多段に接続されて高周
波パワーモジュールが構成されている。
【００１１】（２）前記手段（１）の構成において、前
記高周波ＭＯＳＦＥＴおよび電子部品を搭載した回路基
板は樹脂で覆われ、前記樹脂の表面は前記フランジにま
で延在する導電塗料で覆われている。
記高周波ＭＯＳＦＥＴおよび電子部品を搭載した回路基
板は樹脂で覆われ、前記樹脂の表面は前記フランジにま
で延在する導電塗料で覆われている。
【００１２】
【作用】前記（１）の手段によれば、（ａ）接地電位に
接続されるフランジの下面に電子部品および電子部品を
搭載した回路基板が搭載されていることから、シールド
が確実となる。
接続されるフランジの下面に電子部品および電子部品を
搭載した回路基板が搭載されていることから、シールド
が確実となる。
【００１３】（ｂ）従来必要としたシールドおよび電子
部品等の保護のための金属カバーが不要となり、組立工
数が低減される。
部品等の保護のための金属カバーが不要となり、組立工
数が低減される。
【００１４】（ｃ）製造コストの高い金属カバーが不要
となることと、組立工数の低減から混成集積回路装置
（高周波パワーモジュール）の製造コストが安価とな
る。
となることと、組立工数の低減から混成集積回路装置
（高周波パワーモジュール）の製造コストが安価とな
る。
【００１５】（ｄ）フランジの下面に電子部品および電
子部品を搭載した回路基板を搭載したことから、フラン
ジの高さを低くでき、高周波パワーモジュールの薄型化
が達成できる。
子部品を搭載した回路基板を搭載したことから、フラン
ジの高さを低くでき、高周波パワーモジュールの薄型化
が達成できる。
【００１６】前記（２）の手段によれば、高周波ＭＯＳ
ＦＥＴおよび電子部品は、シールド体となるフランジお
よび導電塗料で挟まれるため、シールド効果はより高い
ものとなり、高周波パワーモジュールの電気特性が安定
する。
ＦＥＴおよび電子部品は、シールド体となるフランジお
よび導電塗料で挟まれるため、シールド効果はより高い
ものとなり、高周波パワーモジュールの電気特性が安定
する。
【００１７】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による高周波パワ
ーモジュール（混成集積回路装置）を示す模式的平面
図、図２は本実施例による高周波パワーモジュールの断
面図、図３は同じく高周波パワーモジュールの側面図、
図４は同じく断面図、図５は高周波パワーモジュールの
等価回路図、図６は高周波パワーモジュールの実装状態
を示す模式的断面図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例による高周波パワ
ーモジュール（混成集積回路装置）を示す模式的平面
図、図２は本実施例による高周波パワーモジュールの断
面図、図３は同じく高周波パワーモジュールの側面図、
図４は同じく断面図、図５は高周波パワーモジュールの
等価回路図、図６は高周波パワーモジュールの実装状態
を示す模式的断面図である。
【００１８】本実施例の高周波パワーモジュール（混成
集積回路装置）１は、図１乃至図４に示すように、熱伝
導性の良好な金属で形成された放熱用のフランジ２を有
している。前記フランジ２は矩形の平坦部２ａと、平坦
部２ａの両端に下方に屈曲して延在する脚部２ｂと、両
脚部２ｂから水平方向に外側に張り出した面付けフィン
２ｃとからなっている。
集積回路装置）１は、図１乃至図４に示すように、熱伝
導性の良好な金属で形成された放熱用のフランジ２を有
している。前記フランジ２は矩形の平坦部２ａと、平坦
部２ａの両端に下方に屈曲して延在する脚部２ｂと、両
脚部２ｂから水平方向に外側に張り出した面付けフィン
２ｃとからなっている。
【００１９】前記面付けフィン２ｃは、図６に示すよう
に、高周波パワーモジュール１の実装時、配線基板２０
の配線２１に半田２２を介して接続される。面付けフィ
ン２ｃが接続される配線２１はグランド配線となる。し
たがって、前記フランジ２は接地電位に接続されるもの
となり、シールド体となるとともに、後述する高周波Ｍ
ＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃ、チップ抵抗１０、チップ
コンデンサ１１等を覆う保護体ともなる。
に、高周波パワーモジュール１の実装時、配線基板２０
の配線２１に半田２２を介して接続される。面付けフィ
ン２ｃが接続される配線２１はグランド配線となる。し
たがって、前記フランジ２は接地電位に接続されるもの
となり、シールド体となるとともに、後述する高周波Ｍ
ＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃ、チップ抵抗１０、チップ
コンデンサ１１等を覆う保護体ともなる。
【００２０】前記フランジ２の下面には半田３を介して
回路基板４が固定されている。回路基板４の固定面側
は、銅箔１７が取り付けられている。
回路基板４が固定されている。回路基板４の固定面側
は、銅箔１７が取り付けられている。
【００２１】前記回路基板４には、３か所に亘って貫通
穴５が設けられている。そして、この貫通穴５部分のフ
ランジ２面には、それぞれ放熱板６を介して高周波ＭＯ
ＳＦＥＴ（電子部品）７ａ，７ｂ，７ｃが固定されてい
る。固定は前記半田３による。各高周波ＭＯＳＦＥＴ７
ａ，７ｂ，７ｃの各電極と、回路基板４の所定の配線８
とはワイヤ９を介して電気的に接続されている。
穴５が設けられている。そして、この貫通穴５部分のフ
ランジ２面には、それぞれ放熱板６を介して高周波ＭＯ
ＳＦＥＴ（電子部品）７ａ，７ｂ，７ｃが固定されてい
る。固定は前記半田３による。各高周波ＭＯＳＦＥＴ７
ａ，７ｂ，７ｃの各電極と、回路基板４の所定の配線８
とはワイヤ９を介して電気的に接続されている。
【００２２】前記高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃ
およびワイヤ９は、樹脂の塗布・硬化処理によって形成
されたオーバコート膜１５で覆われている。
およびワイヤ９は、樹脂の塗布・硬化処理によって形成
されたオーバコート膜１５で覆われている。
【００２３】前記回路基板４には、チップ抵抗１０やチ
ップコンデンサ１１等の電子部品が搭載されている。
ップコンデンサ１１等の電子部品が搭載されている。
【００２４】本実施例の高周波パワーモジュール１は、
図５に示すように、高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７
ｃを３段に接続した高周波パワーモジュールを形成して
いる。図５の等価回路からわかるように、外部端子（リ
ード）は入力端子，電力制御（ゲインコントロール）端
子，電源端子，出力端子となる。リード１２は、図４に
示すように回路基板４の配線８に固定されている。リー
ド１２は表面実装構造となっている。リード１２配列
は、図１に示すように、左から右に向かって入力端子
（ＰIN），ゲインコントロール端子（ＶAPC ），電源端
子（ＶDD），出力端子（ＰOUT ）となっている。
図５に示すように、高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７
ｃを３段に接続した高周波パワーモジュールを形成して
いる。図５の等価回路からわかるように、外部端子（リ
ード）は入力端子，電力制御（ゲインコントロール）端
子，電源端子，出力端子となる。リード１２は、図４に
示すように回路基板４の配線８に固定されている。リー
ド１２は表面実装構造となっている。リード１２配列
は、図１に示すように、左から右に向かって入力端子
（ＰIN），ゲインコントロール端子（ＶAPC ），電源端
子（ＶDD），出力端子（ＰOUT ）となっている。
【００２５】つぎに、このような高周波パワーモジュー
ル１の実装状態について説明する。図６は、たとえば、
携帯用電話の配線基板２０に実装した例である。配線基
板２０の配線２１に高周波パワーモジュール１のリード
１２および面付けフィン２ｃを位置決めし、半田２２で
接続する。
ル１の実装状態について説明する。図６は、たとえば、
携帯用電話の配線基板２０に実装した例である。配線基
板２０の配線２１に高周波パワーモジュール１のリード
１２および面付けフィン２ｃを位置決めし、半田２２で
接続する。
【００２６】本実施例の高周波パワーモジュールは以下
の効果を有する。
の効果を有する。
【００２７】（１）接地電位に接続されるフランジ２の
下面に高周波ＭＯＳＦＥＴ（電子部品）７ａ，７ｂ，７
ｃおよびチップ抵抗１０やチップコンデンサ１１を搭載
した回路基板４が搭載されていることから、シールドが
確実となる。
下面に高周波ＭＯＳＦＥＴ（電子部品）７ａ，７ｂ，７
ｃおよびチップ抵抗１０やチップコンデンサ１１を搭載
した回路基板４が搭載されていることから、シールドが
確実となる。
【００２８】（２）従来必要としたシールドおよび電子
部品等の保護のための金属カバーが不要となり、組立工
数が低減される。
部品等の保護のための金属カバーが不要となり、組立工
数が低減される。
【００２９】（３）製造コストの高い金属カバーが不要
となることと、組立工数の低減から高周波パワーモジュ
ール１の製造コストが安価となる。
となることと、組立工数の低減から高周波パワーモジュ
ール１の製造コストが安価となる。
【００３０】（４）フランジ２の下面に高周波ＭＯＳＦ
ＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃやチップ抵抗１０，チップコンデ
ンサ１１を搭載した回路基板４を搭載したことから、従
来必要としたキャップが不要となり、フランジの高さを
低くでき、高周波パワーモジュール１の薄型化が達成で
きる。
ＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃやチップ抵抗１０，チップコンデ
ンサ１１を搭載した回路基板４を搭載したことから、従
来必要としたキャップが不要となり、フランジの高さを
低くでき、高周波パワーモジュール１の薄型化が達成で
きる。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図７に示すように、面付けフィン２ｃを設けることなく
脚部２ｂの延長部分に部分的に面付けリード３０を設
け、バットリード構造としてもよい。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図７に示すように、面付けフィン２ｃを設けることなく
脚部２ｂの延長部分に部分的に面付けリード３０を設
け、バットリード構造としてもよい。
【００３２】また、高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７
ｃ、チップ抵抗１０、チップコンデンサ１１等の電子部
品および回路基板４全体を樹脂（樹脂層）３１で覆うと
ともに、前記樹脂層３１の表面は前記フランジ２の脚部
２ｂにまで延在する導電塗料３２で覆われた構造とし、
これによってシールド効果をより高いものとしてもよ
い。すなわち、高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃ、
チップ抵抗１０、チップコンデンサ１１は、シールド体
となるフランジおよび導電塗料で挟まれるため、シール
ド効果はより高いものとなり、高周波パワーモジュール
の電気特性が安定する。
ｃ、チップ抵抗１０、チップコンデンサ１１等の電子部
品および回路基板４全体を樹脂（樹脂層）３１で覆うと
ともに、前記樹脂層３１の表面は前記フランジ２の脚部
２ｂにまで延在する導電塗料３２で覆われた構造とし、
これによってシールド効果をより高いものとしてもよ
い。すなわち、高周波ＭＯＳＦＥＴ７ａ，７ｂ，７ｃ、
チップ抵抗１０、チップコンデンサ１１は、シールド体
となるフランジおよび導電塗料で挟まれるため、シール
ド効果はより高いものとなり、高周波パワーモジュール
の電気特性が安定する。
【００３３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である高周波
パワーモジュールに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、混成集積回
路装置の製造技術などに適用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野である高周波
パワーモジュールに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、混成集積回
路装置の製造技術などに適用できる。
【００３４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３５】（１）接地電位に接続されるフランジの下
面に高周波ＭＯＳＦＥＴ、チップ抵抗やチップコンデン
サを搭載した回路基板が搭載されていることから、シー
ルドが確実となるとともに、従来必要としたシールドお
よび電子部品等の保護のための金属カバーが不要とな
り、組立工数の低減や製造コストの低減が達成できる。
また、従来必要としたキャップが不要となり、フランジ
の高さを低くでき、高周波パワーモジュールの薄型化が
達成できる。
面に高周波ＭＯＳＦＥＴ、チップ抵抗やチップコンデン
サを搭載した回路基板が搭載されていることから、シー
ルドが確実となるとともに、従来必要としたシールドお
よび電子部品等の保護のための金属カバーが不要とな
り、組立工数の低減や製造コストの低減が達成できる。
また、従来必要としたキャップが不要となり、フランジ
の高さを低くでき、高周波パワーモジュールの薄型化が
達成できる。
【図１】本発明の一実施例による高周波パワーモジュー
ルを示す模式的平面図である。
ルを示す模式的平面図である。
【図２】本実施例による高周波パワーモジュールの断面
図である。
図である。
【図３】本実施例による高周波パワーモジュールの側面
図である。
図である。
【図４】本実施例による高周波パワーモジュールの断面
図である。
図である。
【図５】本実施例による高周波パワーモジュールの等価
回路図である。
回路図である。
【図６】本実施例による高周波パワーモジュールの実装
状態を示す模式的断面図である。
状態を示す模式的断面図である。
【図７】本発明の他の実施例である高周波パワーモジュ
ールを示す断面図である。
ールを示す断面図である。
１…高周波パワーモジュール、２…フランジ、２ａ…平
坦部、２ｂ…脚部、２ｃ…面付けフィン、３…半田、４
…回路基板、５…貫通穴、６…放熱板、７ａ，７ｂ，７
ｃ…高周波ＭＯＳＦＥＴ、８…配線、９…ワイヤ、１０
…チップ抵抗、１１…チップコンデンサ、１２…リー
ド、１５…オーバコート膜、１７…銅箔、２０…配線基
板、２１…配線、２２…半田、３０…リード、３１…樹
脂層、３２…導電塗料。
坦部、２ｂ…脚部、２ｃ…面付けフィン、３…半田、４
…回路基板、５…貫通穴、６…放熱板、７ａ，７ｂ，７
ｃ…高周波ＭＯＳＦＥＴ、８…配線、９…ワイヤ、１０
…チップ抵抗、１１…チップコンデンサ、１２…リー
ド、１５…オーバコート膜、１７…銅箔、２０…配線基
板、２１…配線、２２…半田、３０…リード、３１…樹
脂層、３２…導電塗料。
Claims (4)
- 【請求項１】 接地電位に接続されるフランジの表面に
電子部品と電子部品を搭載した回路基板を固定してなる
ことを特徴とする混成集積回路装置であって、混成集積
回路装置の実装時下面となるフランジ面に電子部品およ
び電子部品を搭載した回路基板が搭載されていることを
特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記フランジの接地電位に接続される部
分は表面実装型構造の面付けフィンを形成していること
を特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記電子部品は複数の高周波ＭＯＳＦＥ
Ｔからなり多段に接続されて高周波パワーモジュールが
構成されていることを特徴とする請求項１または請求項
２記載の混成集積回路装置。 - 【請求項４】 前記高周波ＭＯＳＦＥＴおよび回路基板
は樹脂で覆われ、前記樹脂の表面は前記フランジにまで
延在する導電塗料で覆われていることを特徴とする請求
項１乃至請求項３のいずれか１項記載の混成集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201987A JPH0951071A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201987A JPH0951071A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951071A true JPH0951071A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16450070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7201987A Pending JPH0951071A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0951071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245226A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP7201987A patent/JPH0951071A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245226A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4659488B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-03-30 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
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