JPH0948677A - 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 - Google Patents
金属−セラミックス複合基板及びその製造法Info
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Abstract
ワーモジュール用金属−セラミックス複合基板及びその
製造法を得るにある。 【解決手段】 異形断面を有する金属板の上にセラミッ
クス基板と、回路形状に形成した金属板とを順次に直接
に又はろう材を介して積層し、これらの積層体を接合炉
中で加熱処理することによってセラミックス基板と上下
の金属板とを接合せしめた金属−セラミックス複合基板
及びその製造法。上記回路形状に形成した金属板と、金
属板をエッチング処理して得る金属−セラミックス複合
基板及びその製造法。
Description
の基板として用いる金属−セラミックス複合基板及びそ
の製造法に関し更に詳しくは従来のヒートシンク体を不
用とするベース一体型の複合基板に関するものである。
しては、古くはアルミナセラミックスグリーンシートの
表面にモリブデンやタングステンなどの有機バインダー
を含んだ金属ペーストを印刷し、雰囲気炉中で加熱して
メタライズさせて回路を形成していた。
ンダ付けを行ないNiメッキモリブデンやタングステン
などのスペーサーを付加し、Niメッキを順次行なって
最後にSiチップを載せる方法がとられていた。
は特殊な雰囲気や特定温度下において、セラミックス基
板(アルミナ)と金属板(銅板)とが直接接合できるこ
とが見出された(特公平4−55148号)。
ム材の場合には、この基板の表面を改質して直接接合す
る方法や、あるいはろう材を塗布して金属板を接合する
方法が採用され、現在のパワーモジュール基板の製造法
として多く活用されている。
いずれのパワーモジュール基板も、放熱板(下面)側に
アルミニウム板等のヒートシンク体を接合することによ
って実際の電気部品として使用しているのが現状であっ
た。
ワーモジュール基板は、構造上の問題からヒートシンク
体と接合せざるを得なく、最終的にコスト上昇の要因と
なっていた。
ヒートシンク体を用いない等の新しい基板の開発が求め
られているが、本発明はこの課題を解決することを目的
とする。
を解決するために鋭意研究したところ、従来の放熱板と
接合するヒートシンク体とを併せた金属体を用いること
で上記課題を解消できることを見出し本発明を提供する
ことができた。
異形断面を有する金属板と、底面が該金属板と接合する
セラミックス基板と、該基板上に形成された回路とから
構成されて成ることを特徴とする金属−セラミックス複
合基板に関する。
凹部に回路形状に形成した金属板を搭載したセラミック
ス基板を配置して積層体と成る第1工程;得られたこれ
らの積層体を接合炉中で加熱処理することによってセラ
ミックス基板と上下の金属板とを接合せしめた複合基板
を得る第2工程;とから成ることを特徴とし、更に、上
記積層体は、直接又はろう材を介して異形断面を有する
金属板、セラミックス基板、回路用金属板と順次積層さ
れている金属−セラミックス複合基板に関するものであ
る。
異形断面を有する金属板と、セラミックス基板と、回路
形成用金属板とを直接に、或いはろう材を介して順次重
ねて積層体と成す第1工程;得られたこれらの積層体を
接合炉中で加熱処理することによってセラミックス基板
と上下の金属板とを接合せしめた複合基板を得る第2工
程;得られた複合基板上の金属板をエッチング処理する
ことによって所望の回路パターンを形成する第3工程;
とから成ることを特徴とする金属−セラミックス複合基
板の製造法に関するものである。
ルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素、ジルコニア等の
セラミックス基板やガラス等であり、この場合、高強度
の素材であればなお好ましい。
板、アルミニウム板等の金属板であるが、本発明におい
ては一例として銅板を用いる。先ず上部の銅板としては
あらかじめ回路状に形成した銅板を用いる場合と、セラ
ミックス基板と同等の大きさの銅板を接合して、後工程
で所望の回路をエッチング処理することによって得る手
段とがある。
形断面を有する銅板としては中央部が凹状となってお
り、この部分にセラミックス基板を嵌合できる構造で両
側端部には他の部品と接合するための複数個のネジ穴を
設けている。
クス基板、回路形成用銅板と順次重ねて積層体とする
が、直接接合法でこれらの複合体を得る場合には、用い
るセラミックス基板としてはアルミナ基板が好ましい
(第1工程)。
には、窒化アルミニウム基板や炭化珪素基板が好まし
く、ろう材の種類としては銀ろう材、活性金属ろう材等
市販のろう材を使用できる。
積層体を接合炉中で加熱処理することで上下の金属板
(銅板)と接合せしめる(第2工程)が、この場合、加
熱処理は用いるセラミックス基板によってその処理条件
が異なる。
基板を用いる場合には窒素雰囲気中で1060〜106
4℃の温度で加熱処理して直接接合するが、窒化アルミ
ニウム基板を用いる場合には、ろう材を介して接合させ
るため、例えば850℃前後で加熱処理することによっ
て金属−セラミックス複合基板を得る。
所望の回路をエッチング処理して形成する(第3工程)
が、この場合、下板に用いる異形断面を有する銅板の両
側面部分、あるいは全面をあらかじめドブ付けメッキ処
理を施して、上記エッチング処理によって浸漬されない
ようにする必要がある。
ックス複合基板及びその製造法について詳細に説明す
る。
mmで、中央部の厚みが0.1mmである異形断面を有
する銅板1の中央部に20mm×50mm×0.635
mmのアルミナ基板2を嵌合し、更に、該基板2上に厚
さ0.3mmの回路状銅板3,3´を配置して得た積層
体をこれらの位置がずれないようにして接合炉中に挿入
した。
囲気下、酸素濃度を150ppm±5ppmに安定さ
せ、炉内の圧力を1.5気圧とし温度を上昇させて10
60℃に達した後、1064℃まで昇温して冷却した
が、この時1060℃以上の温度に5分間保持した。
ろ図2に示すようにアルミナ基板は上下の銅板と直接接
合された複合体となっており最終的に回路面上に所定の
部品等を配置した後ネジ止めすることによってヒートシ
ンク体を不用とするパワーモジュール体を得た。
にAg−Cu−Tiから成る金属活性ろう材4を塗布
し、その上に20mm×50mm×0.635mmのA
lN基板2を嵌合し、更に厚さ0.3mmの回路状銅板
3,3´を上記ろう材を介して積層し、これらの積層体
の位置がずれないようにして接合炉中に挿入した。
0-4Torrの真空中、最高温度850℃で20分間熱
処理を施して、これらAlN基板と上下の銅板とを接合
した図2に示すと同様の接合体を得た。
に金属活性ろう材5を塗布し、この中央部以外をドブ付
けメッキ処理した異形断面銅板1を下板として用い、図
3に示すように該下板1上に20mm×50mm×0.
635mmのアルミナ基板2、更に、その上に同形状で
厚さ0.3mmの回路形成用銅板5を積層した積層体を
位置ずれしないようにして接合炉中に挿入した。
同一にして処理したところ、アルミナ基板2を介して上
下の銅板としっかり接合することが確認できた。更に図
4に示す様に回路形成用銅板5上に回路状に形成したレ
ジスト6をスクリーン印刷し、遮光処理を施した。
液で処理することにより、図2に示すと同様の回路を有
する複合体を得、実施例1と同様の図5に示すパワーモ
ジュール体を得た。
断面銅板を用い、該銅板の中央部上にAg−Cu−Ti
(3%)の活性金属ろう材を塗布し、その上に20mm
×50mm×0.635mmのAlN基板を、更に、該
基板上に所定回路形状に上記ろう材を塗布した上に20
mm×50mm×0.3mmの銅板を積層して接合炉中
に挿入した。
同一にして処理して得た複合体の上部銅板上に、図4に
示すと同様に回路パターンをエンチングレジストで形成
した後、塩化第二鉄溶液でエッチング処理して銅の不要
部分を除去してからエッチングレジスト膜を除去し、図
5に示すような銅回路を有するAlN基板を得た。
様に他の部品をネジで結合することによって、従来のヒ
ートシンク体を不要とする新規なパワーモジュール体を
得ることができた。
従来のようにヒートシンク体をこれらの複合体に付ける
こともなく、他の部品をネジ止めで結合できることから
形状を小さく、且つ、安価に製造できる等の効果を有す
るものである。
合基板の製造工程を示す斜視図である。
ス複合基板の斜視図である。
合基板の製造工程を示す斜視図である。
ーンに印刷した状態を示す斜視図である。
ス複合基板の斜視図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 異形断面を有する金属板と、底面が該金
属板と接合するセラミックス基板と、該基板上に形成さ
れた回路とから構成されて成ることを特徴とする金属−
セラミックス複合基板。 - 【請求項2】 異形断面を有する金属板の凹部に、回路
形状に形成した金属板を搭載したセラミックス基板を配
置して積層体と成す第1工程;得られたこれらの積層体
を接合炉中で加熱処理することによってセラミックス基
板と上下の金属板とを接合せしめた複合基板を得る第2
工程;とから成ることを特徴とする金属−セラミックス
複合基板の製造法。 - 【請求項3】 上記積層体は、直接に又はろう材を介し
て異形断面を有する金属板、セラミックス基板、回路用
金属板と順次積層されることを特徴とする請求項2記載
の金属−セラミックス複合基板の製造法。 - 【請求項4】 予め、めっき処理を施した異形断面を有
する金属板と、セラミックス基板と、回路形成用金属板
とを直接にあるいはろう材を介して順次重ねて積層体と
成す第1工程;得られたこれらの積層体を接合炉中で加
熱処理することによってセラミックス基板と上下の金属
板とを接合せしめた複合基板を得る第2工程;得られた
複合基板上の金属板をエッチング処理することによって
所望の回路パターンを形成する第3工程;とから成るこ
とを特徴とする金属−セラミックス複合基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21829895A JP3635379B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 金属−セラミックス複合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0948677A true JPH0948677A (ja) | 1997-02-18 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP21829895A Expired - Fee Related JP3635379B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 金属−セラミックス複合基板 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129577A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
DE102004022118A1 (de) * | 2004-05-05 | 2005-11-24 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Anordnung zur Kühlung einer Elektronikeinheit sowie Herstellung einer solchen Anordnung |
CN102950831A (zh) * | 2011-08-23 | 2013-03-06 | 甄海威 | 陶瓷、铝、多孔铜的复合材料 |
WO2014170997A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 株式会社 日立製作所 | パワーモジュール及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP21829895A patent/JP3635379B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN102950831A (zh) * | 2011-08-23 | 2013-03-06 | 甄海威 | 陶瓷、铝、多孔铜的复合材料 |
CN102950831B (zh) * | 2011-08-23 | 2015-05-06 | 甄海威 | 陶瓷、铝、多孔铜的复合材料 |
WO2014170997A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 株式会社 日立製作所 | パワーモジュール及びその製造方法 |
JPWO2014170997A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-02-16 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュール及びその製造方法 |
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