JPH0936024A - 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 - Google Patents
走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法Info
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- JPH0936024A JPH0936024A JP7187171A JP18717195A JPH0936024A JP H0936024 A JPH0936024 A JP H0936024A JP 7187171 A JP7187171 A JP 7187171A JP 18717195 A JP18717195 A JP 18717195A JP H0936024 A JPH0936024 A JP H0936024A
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
系に対し同期させて走査することにより露光する走査型
露光装置のマスクとウエハの位置合わせを容易にする。 【構成】 マスクステージ上に固設された第1基準プレ
ートと、ウエハステージ上に固設された第2基準プレー
トと、少なくともマスク、ウエハステージの一方を走査
させて前記第1、第2基準プレートのそれぞれに形成さ
れた位置合わせマークの相対的位置関係を検出して、前
記マスク、ウエハステージの走査方向を検出する検出手
段とを有する。
Description
用いられる露光装置、特にフォトマスクパタ−ンをウエ
ハ上に投影して転写する投影露光装置に関するものであ
り、なかでもフォトマスクパタ−ンをウエハ上に投影露
光する際、マスクとウエハとを投影光学系に対して同期
して走査する走査露光装置・方法に最適なものである。
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮小投
影露光装置、通称ステッパ−が主流であり、更なる解像
力向上にむけて光学系の開口数(NA)の拡大や、露光
波長の短波長化が図られている。
走査露光装置を改良し、投影光学系に屈折素子を組み込
んで、反射素子と屈折素子とを組み合わせたもの、ある
いは屈折素子のみで構成した縮小投影光学系を用いて、
マスクステ−ジと感光基板のステ−ジ(ウエハステー
ジ)との両方を縮小倍率に応じた速度比で同期走査する
走査露光装置も注目されている。
原画が描かれているマスク1はマスクステージ4で支持
され、感光基板であるウエハ3はウエハステージ5で支
持されている。マスク1とウエハ3は投影光学系2を介
して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明
系からの図中Y方向に伸びるスリット状露光光6がマス
ク1を照明し投影露光系2の投影倍率に比した大きさで
ウエハ3に結像せしめられる。走査露光は、このスリッ
ト状露光光6言い換えれば投影光学系2に対してマスク
ステージ4とウエハステージ5の双方を光学倍率に応じ
た速度比でX方向に動かしてマスク1とウエハ3を走査
することにより行われマスク3上のデバイスパターン2
1全面をウエハ3上の転写領域に転写する。
には、マスク1とウエハ3を常に正確に整合しながら走
査することが必要となる。その為、 1.マスクステージとウエハステージの軸合わせ、及び位
置合わせ 2.描画位置とアライメント位置の距離の検出(ベースラ
イン補正) を行わなければならない。
すなわち、図10のごとくマスク1上にアライメントマ
ーク41を複数個配置し、ウエハステージ上のこれに対
応する位置にもアライメントマーク42を配置してお
く。両ステージを駆動しそれぞれの位置でマスク及びウ
エハのアライメントマークを観察顕微鏡7で検出し、マ
スクとウエハステージの位置誤差を計測する。これによ
って、マスクの走りに対し、ウエハステージの走りが一
致するように補正がなされる。
後、描画中心位置とアライメント検出系による検出位置
との距離を測定することによりベースライン補正がなさ
れる。
誤差を無くす為、基準マスクを設けこれ一枚を使用する
ことが精度上望ましい。
ロードしなければならずスループットに影響する。 (イ)マスク管理が負荷になる。 などの問題点が生じた。
クをパターニングする方法が取られた。しかしながら、 (ア)複数のマーク専用エリアを必要とする。 (イ)マスクを装置にロードする度に上記1.、2.の補正
が必要となりスループットに影響する。 等の問題点が生じた。
決するための本発明の走査型露光装置のある形態は、第
1物体を載置して移動する第1可動ステージと、第2物
体を載置して移動する第2可動ステージとを有し、前記
第1、第2可動ステージを投影光学系に対し同期させて
走査させるとともに前記投影光学系を介して前記第1物
体上のパターンを前記第2物体上に投影する走査型露光
装置において、前記第1可動ステージ上に固設された第
1基準プレートと、前記第2可動ステージ上に固設され
た第2基準プレートと、少なくとも前記第1、第2可動
ステージの一方を走査させて前記第1、第2基準プレー
トのそれぞれに形成された位置合わせマークの相対的位
置関係を検出して、前記第1もしくは第2可動ステージ
の走査方向を検出する検出手段とを有することを特徴と
する。
態は、少なくとも一方には走査方向に配列された複数の
位置合わせマークが形成されていることを特徴とする。
光学系を介して前記位置合わせマークの一方を観察する
観察手段を有することを特徴とする。
上には位置合わせマークが形成されており、該第1物体
上の位置合わせマークと前記第1の基準プレート位置合
わせマークとの相対的位置関係を検出する手段を有する
ことを特徴とする。
は、第1物体を載置して移動する第1可動ステージと、
第2物体を載置して移動する第2可動ステージとを有
し、前記第1、第2可動ステージを投影光学系に対し同
期させて走査させるとともに前記投影光学系を介して前
記第1物体及び第2物体の一方に形成されたパターンを
他方に投影する走査型露光方法において、前記第1可動
ステージ上に固設された第1基準プレートの第1位置合
わせマークと前記第2可動ステージ上に固設された第2
基準プレートの位置合わせマークとの相対的位置関係を
検出する第1検出工程と、前記第1可動ステージを走査
露光方向に移動せしめ、前記第1基準プレート上であっ
て前記第1の位置合わせマークに対して前記走査露光方
向に位置する第2の位置合わせマークと前記第2基準プ
レートの位置合わせマークとの相対的位置関係を検出す
る第2検出工程と、前記第1、第2検出工程からの検出
結果に基づいて前記第1もしくは第2可動ステージの走
査方向を検出する工程とを有することを特徴とする。
記パターンが形成されているとともに、位置合わせマー
クが形成されており、前記第1物体の位置合わせマーク
と前記第1基準プレートの位置合わせマークとの相対的
位置関係を検出する第3の検出工程を有することを特徴
とする。
の検出結果に基づいて前記第1物体を走査すべき方向
と、第1可動ステージの走査方向とを一致させる工程と
を有することを特徴とする。
は、第1物体を載置して移動する第1可動ステージと、
第2物体を載置して移動する第2可動ステージとを有
し、前記第1、第2可動ステージを投影光学系に対し同
期させて走査させるとともに前記投影光学系を介して前
記第1物体上のパターンを前記第2物体上に投影する走
査型露光装置において、前記第1可動ステージ上に固設
された第1基準プレートと、前記投影光学系を保持する
保持部材上に固設された第2基準プレートと、前記第1
可動ステージを走査させて前記第1,第2基準プレート
のそれぞれに形成された位置合わせマークの相対的位置
関係を検出して、前記第1可動ステージの走査方向を検
出する検出手段とを有することを特徴とする。
の、走査方向に配列された複数の位置合わせマークが形
成されていることを特徴とする請求項8の走査型露光装
置。
は、第1物体を載置して移動する第1可動ステージと、
第2物体を載置して移動する第2可動ステージとを有
し、前記第1、第2可動ステージを投影光学系に対し同
期させて走査させるとともに前記投影光学系を介して前
記第1物体上に形成されたパターンを第2物体に投影す
る走査型露光方法において、前記第1可動ステージ上に
固設された第1基準プレートの第1位置合わせマークと
前記投影光学系を保持する保持部材上に固設された第2
基準プレートの位置合わせマークとの相対的位置関係を
検出する第1検出工程と、前記第1可動ステージを走査
露光方向に移動せしめ、前記第1基準プレート上であっ
て前記第1の位置合わせマークに対して前記走査露光方
向に位置する第2の位置合わせマークと前記第2基準プ
レートの位置合わせマークとの相対的位置関係を検出す
る第2検出工程と、前記第1、第2検出工程からの検出
結果に基づいて前記第1もしくは第2可動ステージの走
査方向を検出する工程とを有することを特徴とする。
せマークが形成されており、前記第1物体の位置合わせ
マークと前記第1基準プレートの第1、第2位置合わせ
マーク及び前記第2基準プレートの位置合わせマークの
少なくとも一つとの相対的位置関係を検出する第3の検
出工程を有することを特徴とする。
て詳細に説明する.図1は本発明による走査型露光装置
の実施例1である。図11にそのフローを、図12にそ
のフローの説明図を示す。
1は、レーザー干渉計80と駆動制御手段103によっ
て、XY方向に駆動制御されるマスクステージ4に載置
され、そしてマスクステージ4は、不図示の装置本体に
支持されている。感光基板であるウエハ3は、レーザー
干渉計81と駆動制御手段103によって、XY方向に
駆動制御されるウエハステージ5に載置され、そしてウ
エハステージ5は、不図示の装置本体に支持されてい
る。このマスク1とウエハ3は投影光学系2を介して光
学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明系から
の図中Y方向に伸びるスリット状露光光6がマスク1を
照明し、投影露光系2の投影倍率に比した大きさでウエ
ハ3に結像せしめられる。走査露光は、このスリット状
露光光6に対してマスクステージ4とウエハステージ5
の双方を光学倍率に応じた速度比でX方向に動かしてマ
スク1とウエハ3を走査することにより行われ、マスク
3上のデバイスパターン21全面をウエハ3上の転写領
域(パターン領域)22に転写する。
ウエハステージ5の基準座標系を以下のごとく設定す
る。
ト10、11(マスク基準プレート)が固設して配置し
てある。一方ウエハステージ5上には図3に示すプレー
ト12(ウエハ基準プレート)が固設して配置してあ
る。
ク50、51が形成してあり、この位置に対応してウエ
ハ基準プレート12にはマーク60、61が形成してあ
る。
0、51はマスク1のパターン描画面と同じ高さに配置
してある。
0又は61を投影光学系2の下の観察位置(露光位置)
へ駆動し静止する。マスクステージ4を走査露光時と同
じように走査し、ウエハ基準プレート12上のマーク6
0又は61に対するマーク50、51のそれぞれの相対
的位置ずれを、観察顕微鏡7で光電的に観察し得られた
信号をマーク検出手段101で処理し各々の相対的位置
関係情報を演算処理回路102へ送る。
より決定される方向(マーク50(a)とマーク51
(a)もしくは、マーク50(b)とマーク51(b)
とを結ぶ直線の方向)とマスクステージ4のX方向の走
り(走査方向)のずれが検出される。そして、そのずれ
は演算処理回路102に記憶させ、マスクステージを走
査させる際、記憶されたずれの信号を得て、駆動制御手
段103はマスク基準プレート10、11により決定さ
れる方向とマスクステージ4のX方向の走りの方向を一
致させる。……………(図11(a)、図12(a))
5のX方向の走りの合わせとウエハステージ5のX方向
の走りとY方向の走りとの直交度の合わせを行う。マス
ク基準プレート上に配置したバーニアマーク70と71
を含む領域を露光し、このマークが互いにXステップお
よびYステップすることにより重ね焼きされる様にマス
クステージ4およびウエハステージ5を駆動する。
ことにより、マスクステージ4とウエハステージ5のX
方向の走りのずれとウエハステージ5のX方向の走りと
Y方向の走りとの直交度のずれが算出され演算処理回路
102に記憶させる。記憶されたずれの信号を得て、駆
動制御手段103は、マスクステージ4とウエハステー
ジ5の走査露光の際の走りの方向を一致させるととも
に、ウエハステージ5のYの走りとX方向の走りとを直
交させる。即ちマスクステージ4とウエハステージ5の
基準座標系が設定されたことになる。……………(図1
1(b)、図12(b))
化、外的要因等による基準座標の経時変化を以下の通り
補正する。
のマーク60又は61を投影光学系2の下の観察位置
(露光位置)へ駆動し静止する。マスクステージ4を走
査し、ウエハ基準プレート12上のマーク60又は61
に対するマーク50、51のそれぞれの相対的位置ずれ
を、観察顕微鏡7で光電的に観察し得られた信号をマー
ク検出手段101で処理し各々の相対的位置関係情報を
演算処理回路102へ送る。
より決定される方向(マーク50(a)とマーク51
(a)もしくは、マーク50(b)とマーク51(b)
とを結ぶ直線の方向)とマスクステージ4のX方向の走
りのずれが検出される。そして、そのずれは演算処理回
路102に記憶させ、マスクステージを走査させる際、
記憶されたずれの信号を得て、駆動制御手段103は基
準プレート10、11により決定される方向とマスクス
テージ4のX方向の走りの方向を一致させる。…………
…(図11(c)、図12(c))
ート10、又は11を露光位置に固定し、マーク50、
又は51に対するウエハ基準プレート上のマーク60と
61それぞれをウエハステージ5を所定量駆動し観察顕
微鏡7で観察、マスク基準プレート上のマークとウエハ
基準プレート上のマークとの相対的位置関係情報(位置
ずれ)を検出する。
定される方向(マーク60(a)とマーク61(a)も
しくは、マーク60(b)とマーク61(b)とを結ぶ
直線の方向)とウエハステージ5のX方向の走りのずれ
が計測される。……………(図11(d)、図12
(d))
ジ5を駆動し、マスク基準プレート10上のマーク50
とウエハ基準プレート12上のマーク60を観察、相対
的位置関係(位置ずれ)を検出する。両ステージを駆動
し同じくマスク基準プレート11上のマーク51ウエハ
基準プレート12上のマーク61を観察、相対的位置関
係(位置ずれ)を検出する。
方向の走りとウエハ基準プレート12により決定される
方向とのずれと上記で求めたウエハステージ5のX方向
の走り(マスク基準プレート10、11より決定される
方向と一致している)とウエハ基準プレート12より決
定される方向とのずれとからマスクステージ4のX方向
の走りに対するウエハステージ5のX方向の走りのずれ
が算出される。その算出結果に基づいて、駆動制御手段
103はマスクステージ4のX方向の走りに対するウエ
ハステージ5のX方向の走りを一致させて駆動させる。
もちろんウエハステージ5ののX方向の走りを変更した
ら、それと直交するY方向の走りも変更して直交度を補
正する。よって、基準座表系の経時変化が補正されたこ
とになる。ここでは、一旦、基準プレート10、11に
より決定される方向とマスクステージ4のX方向の走り
の方向を一致させたが、(1)基準プレート10、11
により決定される方向とマスクステージ4のX方向の走
りとのずれ、(2)マスクステージ4のX方向の走りと
ウエハ基準プレート12により決定される方向とのず
れ、(3)マスク基準プレート10、11より決定され
る方向ととウエハ基準プレート12より決定される方向
とのずれ、を用いて、マスクステージ4のX方向の走り
に対するウエハステージ5のX方向の走りのずれが算出
しても構わない。……………(図11(e)、図12
(e))
クステージ4とウエハステージ5との走査時の位置合わ
せがなされる。
1の位置合わせする。
アライメントマーク40(a),40(b)を観察顕微
鏡8で観察し、それぞれのマーク位置を検出する。マス
クステージ4を駆動しマスク1上に配置したマスクアラ
イメントマーク42(a),42(b)を観察顕微鏡8
で観察し、それぞれのマーク位置を検出する。
計80より求め、両マークの位置情報と合わせ演算処理
回路102にてマスク1と基準プレート10との相対的
位置関係(位置ずれ量)が算出される。その算出結果に
マスク1の走査すべき方向とマスクステージ6の走りと
を一致させる。即ちマスクステージ6に対しマスク1を
回転させる。または、マスクステージ6の走りをマスク
1の走査すべき方向とマスクステージ6の走りとを一致
させるように駆動制御手段103によってマスクステー
ジ6の走りを制御しても良い。この場合は、それに対応
してウエハステージ5の走りも変更して制御する。
位置合わせを行う。
の検出位置の距離(ベースラインと称す)を求める為、
ステージ基準プレート12上のマーク55を露光描画中
心に駆動し、この位置から同じマーク55をオフアクシ
ス顕微鏡31の下へ駆動しマーク位置を検出する。
クシス顕微鏡31の検出位置が求められる。そしてウエ
ハ3の位置合わせをグローバルアライメント法で行う。
るチップを複数個抽出しこの中のアライメントマークを
オフアクシス顕微鏡31で検出する。各マークの検出位
置と、レーザー干渉計81により計測されたウエハステ
ージの駆動量とから、ウエハ3の位置が演算処理回路1
02にて算出される。
クステージ4、ウエハステージ5を位置合わせし、各ス
テージに対しマスク1、ウエハ3を位置合わせすること
により露光を開始する。
す。そのフローを図13に、そのフローの説明図を図1
4に示す。基準プレート10、11及びステージ基準プ
レート12上にアライメントマークを図5、6のごとく
配置したものである。
に配置した。
(d)(e)のウエハステージ補正が一度にできる。
なく、マスクステージ4を駆動するだけでマスク基準プ
レート上のマーク40とウエハ基準プレート上のマーク
60及びマスクアライメントマーク40、42を検出で
きる。
ループットが実現できる。
顕微鏡31にて観察したが本例実施では、投影光学系2
を介して観察するTTL顕微鏡32で検出している。こ
れにより温度や気圧等の環境変化に対して騙されること
の無いウエハ検出が可能となる。
り補正を全面で行えるように、ステージ基準プレート1
2をウエハステージの複数箇所に配置した。
す。
を投影光学系2を保持する保持部材である鏡筒に基準プ
レートを固設し、その基準プレート上に配置したマーク
75を用いて行うようにしたものである。
スク基準プレート10上のマーク50を観察し位置を検
出、同様にマスクステージ4を駆動し鏡筒のマーク75
とマスク基準プレート11上のマーク51の位置を検出
する。これからマスクステージ4のX及びY方向の走り
の補正がなされる。ウエハステージの走り補正、及びマ
スクの位置合わせは、実施例1と同じである。
に配置したことで、マスクステージ4の走り補正の為に
ウエハステージ5を駆動させる必要がなく、また観察顕
微鏡9を固定して計測できるので精度も向上する。
す。
合わせも投影光学系2の鏡筒に配置したマーク75を用
いるようにしたものである。
後、観察顕微鏡9で鏡筒のマーク75とマスクアライメ
ントマーク42(a)(b)を観察、位置を検出し、マ
スク1のマスクステージ4に対する位置合わせを行う。
したがって、図9に示すようにマスクアライメント用の
マークは必要なくなる。
ーク75に対し、固定の観察顕微鏡9で検出でき精度が
向上する。さらにマスクステージ4の走り補正をウエハ
ステージ5を駆動しないで行う為スループットも向上で
きる。
を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
テージ上にマスク基準プレートを配置し、ウエハステー
ジ上のウエハ基準プレートとを検出することにより、基
準マスク等が無くても、マスクとウエハの位置合わせが
可能となった。
側) 42 マスクアライメントマーク(マスク側) 50、51 アライメントマーク(基準プレート側) 55 オフアクシスアライメントマーク(ステージ基準
プレート側) 60、61 アライメントマーク(ステージ基準プレー
ト側) 80、81 レーザー干渉計 101 マーク検出手段 102 演算処理回路 103 駆動制御回路
Claims (15)
- 【請求項1】 第1物体を載置して移動する第1可動ス
テージと、第2物体を載置して移動する第2可動ステー
ジとを有し、前記第1、第2可動ステージを投影光学系
に対し同期させて走査させるとともに前記投影光学系を
介して前記第1物体上のパターンを前記第2物体上に投
影する走査型露光装置において、 前記第1可動ステージ上に固設された第1基準プレート
と;前記第2可動ステージ上に固設された第2基準プレ
ートと;少なくとも前記第1、第2可動ステージの一方
を走査させて前記第1,第2基準プレートのそれぞれに
形成された位置合わせマークの相対的位置関係を検出し
て、前記第1もしくは第2可動ステージの走査方向を検
出する検出手段とを有することを特徴とする走査型露光
装置。 - 【請求項2】 前記第1,第2基準プレートの少なくと
も一方には走査方向に配列された複数の位置合わせマー
クが形成されていることを特徴とする請求項1の走査型
露光装置。 - 【請求項3】 前記検出手段は、前記投影光学系を介し
て前記位置合わせマークの一方を観察する観察手段を有
することを特徴とする請求項1の走査型露光装置。 - 【請求項4】 前記第1物体上には位置合わせマークが
形成されており,該第1物体上の位置合わせマークと前
記第1の基準プレート位置合わせマークとの相対的位置
関係を検出する手段を有することを特徴とする請求項1
の走査型露光装置。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の走査型露光装置を用い
たことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項6】 第1物体を載置して移動する第1可動ス
テージと、第2物体を載置して移動する第2可動ステー
ジとを有し、前記第1、第2可動ステージを投影光学系
に対し同期させて走査させるとともに前記投影光学系を
介して前記第1物体及び第2物体の一方に形成されたパ
ターンを他方に投影する走査型露光方法において、 前記第1可動ステージ上に固設された第1基準プレート
の第1位置合わせマークと前記第2可動ステージ上に固
設された第2基準プレートの位置合わせマークとの相対
的位置関係を検出する第1検出工程と;前記第1可動ス
テージを走査露光方向に移動せしめ、前記第1基準プレ
ート上であって前記第1の位置合わせマークに対して前
記走査露光方向に位置する第2の位置合わせマークと前
記第2基準プレートの位置合わせマークとの相対的位置
関係を検出する第2検出工程と;前記第1、第2検出工
程からの検出結果に基づいて前記第1もしくは第2可動
ステージの走査方向を検出する工程とを有することを特
徴とする走査型露光方法。 - 【請求項7】 前記第1物体に前記パターンが形成され
ているとともに、位置合わせマークが形成されており、
前記第1物体の位置合わせマークと前記第1基準プレー
トの第1、第2位置合わせマークの少なくとも一方との
相対的位置関係を検出する第3の検出工程を有すること
を特徴とする請求項5の走査型露光方法。 - 【請求項8】 前記第1、第2、第3検出工程からの検
出結果に基づいて前記第1物体を走査すべき方向と、第
1可動ステージの走査方向とを一致させる工程とを有す
ることを特徴とする請求項6の走査型露光方法。 - 【請求項9】 請求項6乃至8の走査型露光方法を用い
たことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項10】 第1物体を載置して移動する第1可動
ステージと、第2物体を載置して移動する第2可動ステ
ージとを有し、前記第1、第2可動ステージを投影光学
系に対し同期させて走査させるとともに前記投影光学系
を介して前記第1物体上のパターンを前記第2物体上に
投影する走査型露光装置において、 前記第1可動ステージ上に固設された第1基準プレート
と;前記投影光学系を保持する保持部材上に固設された
第2基準プレートと;前記第1可動ステージを走査させ
て前記第1,第2基準プレートのそれぞれに形成された
位置合わせマークの相対的位置関係を検出して、前記第
1可動ステージの走査方向を検出する検出手段とを有す
ることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項11】 前記第1基準プレートは走査方向に配
列された複数の位置合わせマークが形成されていること
を特徴とする請求項8の走査型露光装置。 - 【請求項12】 請求項10乃び11の走査型露光装置
を用いたことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項13】 第1物体を載置して移動する第1可動
ステージと、第2物体を載置して移動する第2可動ステ
ージとを有し、前記第1、第2可動ステージを投影光学
系に対し同期させて走査させるとともに前記投影光学系
を介して前記第1物体上に形成されたパターンを第2物
体に投影する走査型露光方法において、 前記第1可動ステージ上に固設された第1基準プレート
の第1位置合わせマークと前記投影光学系を保持する保
持部材上に固設された第2基準プレートの位置合わせマ
ークとの相対的位置関係を検出する第1検出工程と;前
記第1可動ステージを走査露光方向に移動せしめ、前記
第1基準プレート上であって前記第1の位置合わせマー
クに対して前記走査露光方向に位置する第2の位置合わ
せマークと前記第2基準プレートの位置合わせマークと
の相対的位置関係を検出する第2検出工程と;前記第
1、第2検出工程からの検出結果に基づいて前記第1も
しくは第2可動ステージの走査方向を検出する工程とを
有することを特徴とする走査型露光方法。 - 【請求項14】 前記第1物体に位置合わせマークが形
成されており、前記第1物体の位置合わせマークと前記
第1基準プレートの第1、第2位置合わせマーク及び前
記第2基準プレートの位置合わせマークの少なくとも一
つとの相対的位置関係を検出する第3の検出工程を有す
ることを特徴とする請求項10の走査型露光方法。 - 【請求項15】 請求項13及び14の走査型露光方法
を用いたことを特徴とするデバイスの製造方法。
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DE69627584T DE69627584T2 (de) | 1995-07-24 | 1996-07-23 | Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007081421A (ja) * | 2006-10-31 | 2007-03-29 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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1995
- 1995-07-24 JP JP18717195A patent/JP3507205B2/ja not_active Expired - Fee Related
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