JPH0935991A - ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法 - Google Patents
ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法Info
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- JPH0935991A JPH0935991A JP18941595A JP18941595A JPH0935991A JP H0935991 A JPH0935991 A JP H0935991A JP 18941595 A JP18941595 A JP 18941595A JP 18941595 A JP18941595 A JP 18941595A JP H0935991 A JPH0935991 A JP H0935991A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 簡単な構造においてヒューズ機能を発揮し、
過電流発生時の誘電体の破損を確実に防止できるチップ
型のヒューズ機能付コンデンサを提供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、絶縁基板上に形成され、
過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金属有
機物ペーストによる薄膜２と、金属有機物ペーストによ
る薄膜の一端を被覆するように形成され、ペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体３と、厚膜誘電体３上及び金
属有機物ペーストによる薄膜２の他端上の各々に形成さ
れる表電極４と、露出状態にある金属有機物ペーストに
よる薄膜及び厚膜誘電体を被覆するように形成される絶
縁保護膜５と、絶縁基板の両端面及び絶縁基板の端部に
形成された各表電極の少なくとも一部を被覆するように
形成される端面電極６と、露出状態にある各端面電極６
及び各表電極４を被覆するように形成される鍍金膜７と
を備えてなる。
過電流発生時の誘電体の破損を確実に防止できるチップ
型のヒューズ機能付コンデンサを提供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、絶縁基板上に形成され、
過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金属有
機物ペーストによる薄膜２と、金属有機物ペーストによ
る薄膜の一端を被覆するように形成され、ペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体３と、厚膜誘電体３上及び金
属有機物ペーストによる薄膜２の他端上の各々に形成さ
れる表電極４と、露出状態にある金属有機物ペーストに
よる薄膜及び厚膜誘電体を被覆するように形成される絶
縁保護膜５と、絶縁基板の両端面及び絶縁基板の端部に
形成された各表電極の少なくとも一部を被覆するように
形成される端面電極６と、露出状態にある各端面電極６
及び各表電極４を被覆するように形成される鍍金膜７と
を備えてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヒューズ機能付コン
デンサ、更に詳細には簡単な構造においてヒューズ機能
を発揮し、過電流発生時の誘電体の破損を確実に防止す
ることができるチップ型のヒューズ機能付コンデンサ、
及びその製造方法に関する。
デンサ、更に詳細には簡単な構造においてヒューズ機能
を発揮し、過電流発生時の誘電体の破損を確実に防止す
ることができるチップ型のヒューズ機能付コンデンサ、
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、回路等に組み込まれたコンデン
サの破損要因としては耐圧不良等による短絡が知られて
いる。また、そのコンデンサを組み込んだ回路全体、或
いはこの回路に組み込まれた他の電子部品が、上述した
ようなコンデンサの破損に伴って更に破損してしまうこ
とがある。
サの破損要因としては耐圧不良等による短絡が知られて
いる。また、そのコンデンサを組み込んだ回路全体、或
いはこの回路に組み込まれた他の電子部品が、上述した
ようなコンデンサの破損に伴って更に破損してしまうこ
とがある。
【０００３】これら不具合を解決する技術として、コン
デンサに直列にヒューズ素子を接続した部品など、種々
のヒューズ機能付コンデンサが提案されている。
デンサに直列にヒューズ素子を接続した部品など、種々
のヒューズ機能付コンデンサが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ヒューズ機能付コンデンサは、積層コンデンサ、或いは
アルミ電解コンデンサに別途準備された線状又は箔状の
ヒューズ機能を有する金属部材を直接接続するといった
構造、及び製造方法であるため、製造工程が煩雑であ
り、これに伴ってコストも高くなってしまうといった問
題があった。
ヒューズ機能付コンデンサは、積層コンデンサ、或いは
アルミ電解コンデンサに別途準備された線状又は箔状の
ヒューズ機能を有する金属部材を直接接続するといった
構造、及び製造方法であるため、製造工程が煩雑であ
り、これに伴ってコストも高くなってしまうといった問
題があった。
【０００５】また、外付けした金属部材や、その取付部
分を保護するために、当該部品全体をケースに封入した
り、或いは外装樹脂によって被覆したりする必要がある
ため、チップ部品として用いる形態としては好ましくな
かった。
分を保護するために、当該部品全体をケースに封入した
り、或いは外装樹脂によって被覆したりする必要がある
ため、チップ部品として用いる形態としては好ましくな
かった。
【０００６】本発明は上述の従来の技術の欠点に着目
し、これを解決せんとしたものであり、その目的は、簡
単な構造においてヒューズ機能を発揮し、過電流発生時
の誘電体の破損を確実に防止することができるチップ型
のヒューズ機能付コンデンサを提供することにある。
し、これを解決せんとしたものであり、その目的は、簡
単な構造においてヒューズ機能を発揮し、過電流発生時
の誘電体の破損を確実に防止することができるチップ型
のヒューズ機能付コンデンサを提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、簡単な構造において
ヒューズ機能を発揮することができるチップ型のヒュー
ズ機能付コンデンサを、効率よく製造することができる
製造方法を提供することにある。
ヒューズ機能を発揮することができるチップ型のヒュー
ズ機能付コンデンサを、効率よく製造することができる
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的に鑑
みてなされたものであり、その要旨とするところは、絶
縁基板と、該絶縁基板上に形成され、過電流発生時にお
ける速断し得る溶断部（ヒューズ素子部）を有する金属
有機物ペーストによる薄膜と、該金属有機物ペーストに
よる薄膜の一端を被覆するように形成され、ペロブスカ
イト構造を有する厚膜誘電体と、該厚膜誘電体上及び前
記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の各々に形成
される表電極と、露出状態にある前記金属有機物ペース
トによる薄膜及び前記厚膜誘電体を被覆するように形成
される絶縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面及び絶縁基
板の端部に形成された前記各表電極の少なくとも一部を
被覆するように形成される端面電極と、露出状態にある
各端面電極及び各表電極を被覆するように形成される鍍
金膜と、を備えてなることを特徴とするヒューズ機能付
コンデンサにある。
みてなされたものであり、その要旨とするところは、絶
縁基板と、該絶縁基板上に形成され、過電流発生時にお
ける速断し得る溶断部（ヒューズ素子部）を有する金属
有機物ペーストによる薄膜と、該金属有機物ペーストに
よる薄膜の一端を被覆するように形成され、ペロブスカ
イト構造を有する厚膜誘電体と、該厚膜誘電体上及び前
記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の各々に形成
される表電極と、露出状態にある前記金属有機物ペース
トによる薄膜及び前記厚膜誘電体を被覆するように形成
される絶縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面及び絶縁基
板の端部に形成された前記各表電極の少なくとも一部を
被覆するように形成される端面電極と、露出状態にある
各端面電極及び各表電極を被覆するように形成される鍍
金膜と、を備えてなることを特徴とするヒューズ機能付
コンデンサにある。
【０００９】本発明の他の要旨は、絶縁基板と、該絶縁
基板上に形成され、過電流発生時における速断し得る溶
断部を有する金属有機物ペーストによる薄膜と、該金属
有機物ペーストによる薄膜の一端を被覆するようにゾル
−ゲル法によって形成される薄膜誘電体と、該薄膜誘電
体上及び前記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の
各々に形成される表電極と、露出状態にある前記金属有
機物ペーストによる薄膜及び前記薄膜誘電体を被覆する
ように形成される絶縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面
及び絶縁基板の端部に形成された前記各表電極の少なく
とも一部を被覆するように形成される端面電極と、露出
状態にある各端面電極及び各表電極を被覆するように形
成される鍍金膜と、を備えてなることを特徴とするヒュ
ーズ機能付コンデンサにある。
基板上に形成され、過電流発生時における速断し得る溶
断部を有する金属有機物ペーストによる薄膜と、該金属
有機物ペーストによる薄膜の一端を被覆するようにゾル
−ゲル法によって形成される薄膜誘電体と、該薄膜誘電
体上及び前記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の
各々に形成される表電極と、露出状態にある前記金属有
機物ペーストによる薄膜及び前記薄膜誘電体を被覆する
ように形成される絶縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面
及び絶縁基板の端部に形成された前記各表電極の少なく
とも一部を被覆するように形成される端面電極と、露出
状態にある各端面電極及び各表電極を被覆するように形
成される鍍金膜と、を備えてなることを特徴とするヒュ
ーズ機能付コンデンサにある。
【００１０】また、本発明の更に他の要旨は、絶縁基板
上に過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金
属有機物ペーストによる薄膜を形成する工程と、金属有
機物ペーストによる薄膜の一端を被覆するようにペロブ
スカイト構造を有する厚膜誘電体を形成、或いはゾル−
ゲル法によって薄膜誘電体を形成する工程と、誘電体上
及び前記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の各々
に表電極を形成する工程と、露出状態にある前記金属有
機物ペーストによる薄膜及び前記誘電体を被覆するよう
に絶縁保護膜を形成する工程と、前記絶縁基板の両端面
及び絶縁基板の端部に形成された前記各表電極の少なく
とも一部を被覆するように端面電極を形成する工程と、
露出状態にある各端面電極及び各表電極を被覆するよう
に鍍金膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするヒ
ューズ機能付コンデンサの製造方法にある。
上に過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金
属有機物ペーストによる薄膜を形成する工程と、金属有
機物ペーストによる薄膜の一端を被覆するようにペロブ
スカイト構造を有する厚膜誘電体を形成、或いはゾル−
ゲル法によって薄膜誘電体を形成する工程と、誘電体上
及び前記金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の各々
に表電極を形成する工程と、露出状態にある前記金属有
機物ペーストによる薄膜及び前記誘電体を被覆するよう
に絶縁保護膜を形成する工程と、前記絶縁基板の両端面
及び絶縁基板の端部に形成された前記各表電極の少なく
とも一部を被覆するように端面電極を形成する工程と、
露出状態にある各端面電極及び各表電極を被覆するよう
に鍍金膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするヒ
ューズ機能付コンデンサの製造方法にある。
【００１１】これらの態様によれば、同一基板上におい
て、ヒューズ素子部と誘電体とを積層状に配置形成する
ことにより構造を簡略化したので、これによって全体を
小型化、及び軽量化することができると共に、ヒューズ
機能を発揮して過電流発生時のコンデンサの破損を確実
に防止することができる。また、従来のようなヒューズ
素子の接続など煩雑な作業をする必要がないので、生産
性を向上させることができ、これに伴って当該ヒューズ
機能付コンデンサの低廉化を可能にするといった顕著な
効果を奏する。
て、ヒューズ素子部と誘電体とを積層状に配置形成する
ことにより構造を簡略化したので、これによって全体を
小型化、及び軽量化することができると共に、ヒューズ
機能を発揮して過電流発生時のコンデンサの破損を確実
に防止することができる。また、従来のようなヒューズ
素子の接続など煩雑な作業をする必要がないので、生産
性を向上させることができ、これに伴って当該ヒューズ
機能付コンデンサの低廉化を可能にするといった顕著な
効果を奏する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明においては、略１〜５
［Ａ］で溶断時間１秒以内で溶断させるためにヒューズ
素子として金属有機物ペーストによる薄膜を採用し、こ
の金属有機物ペーストとしては、金、銀、白金、ロジウ
ム、パラジウム等の金属のうち少なくとも１種を含む金
属有機物ペーストを用いことができる。この金属有機物
ペーストからなる薄膜を絶縁基板上にスクリーン印刷
法、スピンナー法、ディップ法等（尚、スクリーン印刷
法、及びディップ法は後でパターン化するためにフォト
エッチングが必要）によって塗布した後、焼成し、これ
をトリミング等することによって、過電流発生時に溶断
するためのヒューズ素子としての機能を果たす溶断部を
形成する。また金属有機物ペーストによる薄膜は、導体
パターンとしての機能をも果たす。上記溶断部は、その
電流通路を狭めるように、適当な設定値（溶断基準）に
従って形成することができ、これによって溶断特性にお
ける速断性を確保することができる。尚、金属有機物ペ
ーストによる薄膜の膜厚は、具体的には０．１〜１μ
ｍ、特に０．５〜１μｍにすることによって、スクリー
ン条件によっても溶断特性を調節することができる。
［Ａ］で溶断時間１秒以内で溶断させるためにヒューズ
素子として金属有機物ペーストによる薄膜を採用し、こ
の金属有機物ペーストとしては、金、銀、白金、ロジウ
ム、パラジウム等の金属のうち少なくとも１種を含む金
属有機物ペーストを用いことができる。この金属有機物
ペーストからなる薄膜を絶縁基板上にスクリーン印刷
法、スピンナー法、ディップ法等（尚、スクリーン印刷
法、及びディップ法は後でパターン化するためにフォト
エッチングが必要）によって塗布した後、焼成し、これ
をトリミング等することによって、過電流発生時に溶断
するためのヒューズ素子としての機能を果たす溶断部を
形成する。また金属有機物ペーストによる薄膜は、導体
パターンとしての機能をも果たす。上記溶断部は、その
電流通路を狭めるように、適当な設定値（溶断基準）に
従って形成することができ、これによって溶断特性にお
ける速断性を確保することができる。尚、金属有機物ペ
ーストによる薄膜の膜厚は、具体的には０．１〜１μ
ｍ、特に０．５〜１μｍにすることによって、スクリー
ン条件によっても溶断特性を調節することができる。
【００１３】厚膜誘電体（例えば５〜１５μｍ）の形成
は、ペロブスカイト（perovskite structure）構造を有
する誘電体材料、例えばチタン酸バリウム粉、複合ペロ
ブスカイト化合物であるＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3 や
Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）Ｏ3 等の適当な誘電体材料、ガラ
ス粉、ビヒクル粉等を混練したものを用い、これをスク
リーン印刷法、グリーンシート法等によって塗布し、焼
成する。この膜厚は、コンデンサの容量を上げるために
は薄いほど良いが、本厚膜材料の耐電圧を向上するため
に、５〜１５μｍとすることが望ましい。ここで、ペロ
ブスカイト構造とは、イオン半径の大きい陽イオンが格
子の頂点にイオン半径の小さい陽イオンが体心に酸素イ
オンが面心にそれぞれ位置した構造をいう。
は、ペロブスカイト（perovskite structure）構造を有
する誘電体材料、例えばチタン酸バリウム粉、複合ペロ
ブスカイト化合物であるＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3 や
Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）Ｏ3 等の適当な誘電体材料、ガラ
ス粉、ビヒクル粉等を混練したものを用い、これをスク
リーン印刷法、グリーンシート法等によって塗布し、焼
成する。この膜厚は、コンデンサの容量を上げるために
は薄いほど良いが、本厚膜材料の耐電圧を向上するため
に、５〜１５μｍとすることが望ましい。ここで、ペロ
ブスカイト構造とは、イオン半径の大きい陽イオンが格
子の頂点にイオン半径の小さい陽イオンが体心に酸素イ
オンが面心にそれぞれ位置した構造をいう。
【００１４】他方、薄膜誘電体（例えば０．０１〜１μ
ｍ）を形成する場合には、上述したような誘電体材料を
用い、ゾル−ゲル法によって薄膜誘電体を塗布した後、
焼成する。また、この誘電体は高温焼成され（例えば６
５０℃）、膜構造の観点から緻密であり、かつ本材料と
してガラス粉等を含まないことにより、薄膜で耐電圧を
向上できるため、膜厚を厚くすることなくコンデンサの
容量を高くすることができる。本材料としてガラス粉等
を含まないこと等により耐電圧が高いので膜厚を薄く
し、コンデンサの容量を高くするために、０．０１〜１
μｍとすることが望ましい。ここでゾル−ゲル法とは、
金属アルコキシド材料をスピンコート法により塗布し乾
燥、仮焼成、本焼成へとゾルからゲル状態を経て薄膜を
形成する方法をいう。
ｍ）を形成する場合には、上述したような誘電体材料を
用い、ゾル−ゲル法によって薄膜誘電体を塗布した後、
焼成する。また、この誘電体は高温焼成され（例えば６
５０℃）、膜構造の観点から緻密であり、かつ本材料と
してガラス粉等を含まないことにより、薄膜で耐電圧を
向上できるため、膜厚を厚くすることなくコンデンサの
容量を高くすることができる。本材料としてガラス粉等
を含まないこと等により耐電圧が高いので膜厚を薄く
し、コンデンサの容量を高くするために、０．０１〜１
μｍとすることが望ましい。ここでゾル−ゲル法とは、
金属アルコキシド材料をスピンコート法により塗布し乾
燥、仮焼成、本焼成へとゾルからゲル状態を経て薄膜を
形成する方法をいう。
【００１５】本発明では、高誘電率で、かつ高耐熱性を
有するコンデンサ部にするために誘電体としてプラズマ
重合法による有機誘電材料とせず、上述のペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体、或いはゾル−ゲル法によっ
て形成する無機薄膜誘電体を採用する。
有するコンデンサ部にするために誘電体としてプラズマ
重合法による有機誘電材料とせず、上述のペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体、或いはゾル−ゲル法によっ
て形成する無機薄膜誘電体を採用する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１７】図１は本発明の実施例を示す縦断面図、図
２（ａ）〜（ｅ）は図１のヒューズ機能付コンデンサの
製造方法を概略平面図にて示す工程図である。
２（ａ）〜（ｅ）は図１のヒューズ機能付コンデンサの
製造方法を概略平面図にて示す工程図である。
【００１８】図１及び図２に示す本発明のヒューズ機能
付コンデンサは、絶縁基板１と、該絶縁基板１上に形成
され、過電流発生時において速断し得る溶断部を有する
金属有機物ペーストによる薄膜２と、該金属ペースト薄
膜２の一端上に形成され、ペロブスカイト構造を有する
厚膜誘電体３と、該厚膜誘電体３上及び前記金属ペース
ト薄膜２の他端上の各々に形成された表電極４と、露出
状態にある前記金属有機物ペーストによる薄膜及び前記
厚膜誘電体を被覆するように形成された絶縁保護膜５
と、前記絶縁基板５の両端面及び絶縁基板１の端部に形
成した前記各表電極４の少なくとも一部を被覆するよう
に形成された端面電極６と、露出状態にある各端面電極
６及び各表電極４を被覆するように形成された鍍金膜７
とによって構成される。
付コンデンサは、絶縁基板１と、該絶縁基板１上に形成
され、過電流発生時において速断し得る溶断部を有する
金属有機物ペーストによる薄膜２と、該金属ペースト薄
膜２の一端上に形成され、ペロブスカイト構造を有する
厚膜誘電体３と、該厚膜誘電体３上及び前記金属ペース
ト薄膜２の他端上の各々に形成された表電極４と、露出
状態にある前記金属有機物ペーストによる薄膜及び前記
厚膜誘電体を被覆するように形成された絶縁保護膜５
と、前記絶縁基板５の両端面及び絶縁基板１の端部に形
成した前記各表電極４の少なくとも一部を被覆するよう
に形成された端面電極６と、露出状態にある各端面電極
６及び各表電極４を被覆するように形成された鍍金膜７
とによって構成される。
【００１９】このヒューズ機能付コンデンサは、図２
（ａ）〜（ｅ）に示すように、先ず金属有機物ペースト
による薄膜２をスクリーン印刷法によって絶縁基板１上
に塗布して焼成すると共に、溶断部２ａ（いわゆるヒュ
ーズ素子部）をトリミングにより形成する（図２
（ａ））。次いで、ペロブスカイト構造を有する厚膜誘
電体３をスクリーン印刷法によって金属有機物ペースト
による薄膜２の一端上に塗布して焼成し（図２
（ｂ））、更に表電極４をスクリーン印刷法によって上
述したように塗布して焼成する（図２（ｃ））。そし
て、金属有機物ペーストによる薄膜２及びペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体３の露出部分を絶縁保護膜５
（ガラス膜）によって被覆すると共に、端面電極６を形
成し（図２（ｄ））、最後に鍍金膜７を形成して完成す
る（図２（ｅ））。ここでは厚膜誘電体３の形成配置位
置に金属有機物ペーストによる薄膜２が既に形成されて
おり、この部分が当該厚膜誘電体３の下地電極に相当す
ることになる。尚、この下地電極に相当する部分は、金
属有機物ペーストとは異なる他の材料によって別途形成
することもできる。
（ａ）〜（ｅ）に示すように、先ず金属有機物ペースト
による薄膜２をスクリーン印刷法によって絶縁基板１上
に塗布して焼成すると共に、溶断部２ａ（いわゆるヒュ
ーズ素子部）をトリミングにより形成する（図２
（ａ））。次いで、ペロブスカイト構造を有する厚膜誘
電体３をスクリーン印刷法によって金属有機物ペースト
による薄膜２の一端上に塗布して焼成し（図２
（ｂ））、更に表電極４をスクリーン印刷法によって上
述したように塗布して焼成する（図２（ｃ））。そし
て、金属有機物ペーストによる薄膜２及びペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体３の露出部分を絶縁保護膜５
（ガラス膜）によって被覆すると共に、端面電極６を形
成し（図２（ｄ））、最後に鍍金膜７を形成して完成す
る（図２（ｅ））。ここでは厚膜誘電体３の形成配置位
置に金属有機物ペーストによる薄膜２が既に形成されて
おり、この部分が当該厚膜誘電体３の下地電極に相当す
ることになる。尚、この下地電極に相当する部分は、金
属有機物ペーストとは異なる他の材料によって別途形成
することもできる。
【００２０】また、本発明のヒューズ機能付コンデンサ
の他の態様としては、上述したペロブスカイト構造を有
する厚膜誘電体３の代わりに、ゾル−ゲル法によって形
成する薄膜誘電体を採用してもよい。具体的には、金属
有機物ペーストによる薄膜２の一端上に金属アルコキシ
ド材料をスピンコート法によって塗布し、乾燥（例えば
１５０℃で５分間）、仮焼成（４００℃で１０分間）、
更に本焼成（６５０℃で１時間）をし、この作業を２〜
３回繰り返して施し、所定の膜厚にし、フォトエッチン
グ法等でパターン化する。他の作業或いは工程の内容
は、上述と同様であり、重複説明を避ける。
の他の態様としては、上述したペロブスカイト構造を有
する厚膜誘電体３の代わりに、ゾル−ゲル法によって形
成する薄膜誘電体を採用してもよい。具体的には、金属
有機物ペーストによる薄膜２の一端上に金属アルコキシ
ド材料をスピンコート法によって塗布し、乾燥（例えば
１５０℃で５分間）、仮焼成（４００℃で１０分間）、
更に本焼成（６５０℃で１時間）をし、この作業を２〜
３回繰り返して施し、所定の膜厚にし、フォトエッチン
グ法等でパターン化する。他の作業或いは工程の内容
は、上述と同様であり、重複説明を避ける。
【００２１】
【発明の効果】本発明のヒューズ機能付コンデンサ、及
びその製造方法では、ヒューズ素子に相当する溶断を有
する金属有機物ペーストと、ペロブスカイト構造を有す
る厚膜誘電体或いはゾル−ゲル法により形成される薄膜
誘電体とを、同一絶縁基板上に積層状に配置形成するこ
とにより構造を簡略化したので、これによって全体を小
型化、及び軽量化することができると共に、ヒューズ機
能を発揮して過電流発生時の誘電体（コンデンサ）の破
損を確実に防止することができる。また、従来のような
ヒューズ素子の接続など煩雑な作業をする必要がないの
で、生産性を向上させることができ、これに伴って当該
ヒューズ機能付コンデンサの低廉化を可能にするといっ
た顕著な効果を奏する。
びその製造方法では、ヒューズ素子に相当する溶断を有
する金属有機物ペーストと、ペロブスカイト構造を有す
る厚膜誘電体或いはゾル−ゲル法により形成される薄膜
誘電体とを、同一絶縁基板上に積層状に配置形成するこ
とにより構造を簡略化したので、これによって全体を小
型化、及び軽量化することができると共に、ヒューズ機
能を発揮して過電流発生時の誘電体（コンデンサ）の破
損を確実に防止することができる。また、従来のような
ヒューズ素子の接続など煩雑な作業をする必要がないの
で、生産性を向上させることができ、これに伴って当該
ヒューズ機能付コンデンサの低廉化を可能にするといっ
た顕著な効果を奏する。
【図１】本発明の実施例を示す概略縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は図１のヒューズ機能付コンデ
ンサの製造方法を概略平面図にて示す工程図である。
ンサの製造方法を概略平面図にて示す工程図である。
１ 絶縁基板 ２ 金属有機物ペーストによる薄膜 ３ 厚膜誘電体 ４ 表電極 ５ 絶縁保護膜 ６ 端面電極 ７ 鍍金膜
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成され、
過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金属有
機物ペーストによる薄膜と、該金属有機物ペーストによ
る薄膜の一端を被覆するように形成され、ペロブスカイ
ト構造を有する厚膜誘電体と、該厚膜誘電体上及び前記
金属有機物ペーストによる薄膜の他端上の各々に形成さ
れる表電極と、露出状態にある前記金属有機物ペースト
による薄膜及び前記厚膜誘電体を被覆するように形成さ
れる絶縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面及び絶縁基板
の端部に形成された前記各表電極の少なくとも一部を被
覆するように形成される端面電極と、露出状態にある各
端面電極及び各表電極を被覆するように形成される鍍金
膜と、を備えてなることを特徴とするヒューズ機能付コ
ンデンサ。 - 【請求項２】 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成され、
過電流発生時における速断し得る溶断部を有する金属有
機物ペーストによる薄膜と、該金属有機物ペーストによ
る薄膜の一端を被覆するようにゾル−ゲル法によって形
成される薄膜誘電体と、該薄膜誘電体上及び前記金属有
機物ペーストによる薄膜の他端上の各々に形成される表
電極と、露出状態にある前記金属有機物ペーストによる
薄膜及び前記薄膜誘電体を被覆するように形成される絶
縁保護膜と、前記絶縁基板の両端面及び絶縁基板の端部
に形成された前記各表電極の少なくとも一部を被覆する
ように形成される端面電極と、露出状態にある各端面電
極及び各表電極を被覆するように形成される鍍金膜と、
を備えてなることを特徴とするヒューズ機能付コンデン
サ。 - 【請求項３】 絶縁基板上に過電流発生時における速断
し得る溶断部を有する金属有機物ペーストによる薄膜を
形成する工程と、金属有機物ペーストによる薄膜の一端
を被覆するようにペロブスカイト構造を有する厚膜誘電
体を形成、或いはゾル−ゲル法によって薄膜誘電体を形
成する工程と、誘電体上及び前記金属有機物ペーストに
よる薄膜の他端上の各々に表電極を形成する工程と、露
出状態にある前記金属有機物ペーストによる薄膜及び前
記誘電体を被覆するように絶縁保護膜を形成する工程
と、前記絶縁基板の両端面及び絶縁基板の端部に形成さ
れた前記各表電極の少なくとも一部を被覆するように端
面電極を形成する工程と、露出状態にある各端面電極及
び各表電極を被覆するように鍍金膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするヒューズ機能付コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941595A JP2739453B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941595A JP2739453B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935991A true JPH0935991A (ja) | 1997-02-07 |
| JP2739453B2 JP2739453B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=16240892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18941595A Expired - Lifetime JP2739453B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739453B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007027975A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Kemet Electronics Corporation | High esr or fused ceramic chip capacitor |
| CN106340382A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-18 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种防爆金属化薄膜 |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP18941595A patent/JP2739453B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007027975A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Kemet Electronics Corporation | High esr or fused ceramic chip capacitor |
| CN106340382A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-18 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种防爆金属化薄膜 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2739453B2 (ja) | 1998-04-15 |
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