JPH0933626A - Ｓｑｕｉｄ素子 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ素子Info
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- JPH0933626A JPH0933626A JP7187529A JP18752995A JPH0933626A JP H0933626 A JPH0933626 A JP H0933626A JP 7187529 A JP7187529 A JP 7187529A JP 18752995 A JP18752995 A JP 18752995A JP H0933626 A JPH0933626 A JP H0933626A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁束電圧変換率を高めたＳＱＵＩＤ素子を得
る。 【解決手段】 バイアス電流が供給される超伝導ループ
１の両電流経路に互いに異なる数のジョセフソン接合２
を設けた。
る。 【解決手段】 バイアス電流が供給される超伝導ループ
１の両電流経路に互いに異なる数のジョセフソン接合２
を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はＳＱＵＩＤ（Ｓｕ
ｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＱＵａｎｔｕｍＩｎｔｅ
ｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）素子に関し、さらに
詳細にいえば、バイアス電流が供給される超伝導ループ
の各電流経路にそれぞれジョセフソン接合が設けられて
なるＳＱＵＩＤ素子に関する。
ｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＱＵａｎｔｕｍＩｎｔｅ
ｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）素子に関し、さらに
詳細にいえば、バイアス電流が供給される超伝導ループ
の各電流経路にそれぞれジョセフソン接合が設けられて
なるＳＱＵＩＤ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、バイアス電流が供給される超
伝導ループの両電流経路にそれぞれ１つずつのジョセフ
ソン接合を設けてなる構成のＳＱＵＩＤ素子、いわゆる
ｄｃ−ＳＱＵＩＤ素子が知られており、近年の薄膜技術
の進歩に伴なって特性が揃った１対のジョセフソン接合
を得ることができるようになったので、ｄｃ−ＳＱＵＩ
Ｄが種々の分野で適用されるようになってきている。
伝導ループの両電流経路にそれぞれ１つずつのジョセフ
ソン接合を設けてなる構成のＳＱＵＩＤ素子、いわゆる
ｄｃ−ＳＱＵＩＤ素子が知られており、近年の薄膜技術
の進歩に伴なって特性が揃った１対のジョセフソン接合
を得ることができるようになったので、ｄｃ−ＳＱＵＩ
Ｄが種々の分野で適用されるようになってきている。
【０００３】ｄｃ−ＳＱＵＩＤは極めて微弱な磁束を検
出することができるので、生体磁場などを検出するため
に使用されることが多い。このようなｄｃ−ＳＱＵＩＤ
においては磁束電圧変換率が重要なパラメータであり、
磁束電圧変換率が大きいｄｃ−ＳＱＵＩＤを用いれば、
ｄｃ−ＳＱＵＩＤに印加される磁束に対して大きな出力
電圧を得ることができ、磁束計として用いた場合に、よ
り感度のよい磁束計を得ることができる。
出することができるので、生体磁場などを検出するため
に使用されることが多い。このようなｄｃ−ＳＱＵＩＤ
においては磁束電圧変換率が重要なパラメータであり、
磁束電圧変換率が大きいｄｃ−ＳＱＵＩＤを用いれば、
ｄｃ−ＳＱＵＩＤに印加される磁束に対して大きな出力
電圧を得ることができ、磁束計として用いた場合に、よ
り感度のよい磁束計を得ることができる。
【０００４】ここで、ｄｃ−ＳＱＵＩＤの磁束電圧変換
率は、ｄｃ−ＳＱＵＩＤからの出力電圧を増幅した後に
復調して積分し、積分信号を電流信号に変換して変調用
の電流と重畳してモジュレーションコイルに供給し、モ
ジュレーションコイルにより発生される磁束を超伝導ル
ープに供給して、ピックアップコイルにより検出され、
インプットコイルにより超伝導ループに供給される磁束
の変化を補償することにより、超伝導ループに供給され
る磁束を一定値に保持し続ける回路（磁束ロックループ
回路であり、以下、ＦＬＬ回路と略称する）を用いて磁
場測定を行う場合には、ｄｃ−ＳＱＵＩＤの基礎特性の
１つであるΦ−Ｖ特性（入力磁束−出力電圧特性）の傾
きの最大値により定まる（図８参照）。すなわち、得ら
れたジョセフソン接合の特性によってｄｃ−ＳＱＵＩＤ
の磁束電圧変換率が定まってしまう。
率は、ｄｃ−ＳＱＵＩＤからの出力電圧を増幅した後に
復調して積分し、積分信号を電流信号に変換して変調用
の電流と重畳してモジュレーションコイルに供給し、モ
ジュレーションコイルにより発生される磁束を超伝導ル
ープに供給して、ピックアップコイルにより検出され、
インプットコイルにより超伝導ループに供給される磁束
の変化を補償することにより、超伝導ループに供給され
る磁束を一定値に保持し続ける回路（磁束ロックループ
回路であり、以下、ＦＬＬ回路と略称する）を用いて磁
場測定を行う場合には、ｄｃ−ＳＱＵＩＤの基礎特性の
１つであるΦ−Ｖ特性（入力磁束−出力電圧特性）の傾
きの最大値により定まる（図８参照）。すなわち、得ら
れたジョセフソン接合の特性によってｄｃ−ＳＱＵＩＤ
の磁束電圧変換率が定まってしまう。
【０００５】このような点を考慮して、出力電圧を２倍
にすることができるＳＱＵＩＤ素子として、バイアス電
流が供給される超伝導ループの両電流経路に２つずつの
ジョセフソン接合を互に直列に設けてなるものが提案さ
れている｛「４つの接合をもつＳＱＵＩＤの感度解
析」、鈴木晃治朗、岡部洋一、Ｖｏｌ．５ Ｎｏ．１
１９９２．６（第７回日本生体磁気学会大会論文集）参
照｝。
にすることができるＳＱＵＩＤ素子として、バイアス電
流が供給される超伝導ループの両電流経路に２つずつの
ジョセフソン接合を互に直列に設けてなるものが提案さ
れている｛「４つの接合をもつＳＱＵＩＤの感度解
析」、鈴木晃治朗、岡部洋一、Ｖｏｌ．５ Ｎｏ．１
１９９２．６（第７回日本生体磁気学会大会論文集）参
照｝。
【０００６】この構成を採用することにより、ＳＱＵＩ
Ｄとしての感度が上昇する可能性があると思われてい
る。
Ｄとしての感度が上昇する可能性があると思われてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、バイアス電流
が供給される超伝導ループの両電流経路に２つずつのジ
ョセフソン接合を互に直列に設けてなるものを採用した
場合には、Φ−Ｖ特性の出力電圧の最大値が約２倍にな
るが、出力電圧の最小値も大きくなり、しかも出力電圧
の最小値が０よりも大きくなってしまう（図９参照）。
この結果、Φ−Ｖ特性の傾きの最大値は減少してしま
い、ｄｃ−ＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率がかえって小さ
くなってしまう。この点についてさらに詳細に説明す
る。
が供給される超伝導ループの両電流経路に２つずつのジ
ョセフソン接合を互に直列に設けてなるものを採用した
場合には、Φ−Ｖ特性の出力電圧の最大値が約２倍にな
るが、出力電圧の最小値も大きくなり、しかも出力電圧
の最小値が０よりも大きくなってしまう（図９参照）。
この結果、Φ−Ｖ特性の傾きの最大値は減少してしま
い、ｄｃ−ＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率がかえって小さ
くなってしまう。この点についてさらに詳細に説明す
る。
【０００８】バイアス電流が供給される超伝導ループの
各電流経路にそれぞれ１つずつのジョセフソン接合を設
けてあるとともに、ダンピング抵抗を設けてなるＳＱＵ
ＩＤ素子の等価回路（図１０参照）は、数１から数３を
満足することが知られている。なお、Φｅｘは入力磁
束、Φ０は磁束量子、ＮはΦ−Ｖ特性のモードを示す自
然数、Ｖｉは接合電位差、Ｉｉは接合電流、θは位相、
Ｒｓはシャント抵抗、Ｃは静電容量、ｉ＝１，２であ
る。また、数１がフラクソイド量子化条件の式である。
各電流経路にそれぞれ１つずつのジョセフソン接合を設
けてあるとともに、ダンピング抵抗を設けてなるＳＱＵ
ＩＤ素子の等価回路（図１０参照）は、数１から数３を
満足することが知られている。なお、Φｅｘは入力磁
束、Φ０は磁束量子、ＮはΦ−Ｖ特性のモードを示す自
然数、Ｖｉは接合電位差、Ｉｉは接合電流、θは位相、
Ｒｓはシャント抵抗、Ｃは静電容量、ｉ＝１，２であ
る。また、数１がフラクソイド量子化条件の式である。
【０００９】
【数１】
【００１０】
【数２】
【００１１】
【数３】
【００１２】ここで、超伝導ループの各電流経路に２つ
ずつのジョセフソン接合を設けた場合には、数１のフラ
クソイド量子化条件の式に代えて数４のフラクソイド量
子化条件の式を満足することになる。
ずつのジョセフソン接合を設けた場合には、数１のフラ
クソイド量子化条件の式に代えて数４のフラクソイド量
子化条件の式を満足することになる。
【００１３】
【数４】
【００１４】また、数１、数４のフラクソイド量子化条
件の式は数５、数６のように変形される。
件の式は数５、数６のように変形される。
【００１５】
【数５】
【００１６】
【数６】
【００１７】数５と数６とを比較すれば、ジョセフソン
接合が２つずつの場合について、次のことが分かる。 （１） 右辺はインダクタンスが１／２になっている他
は等しい。 （２） 入力磁束の右辺に対する寄与が１／２になって
いる。すなわち、Φ−Ｖ特性上の１つのモードは、入力
磁束に対してΦ０周期ではなく、２Φ０周期で変化す
る。
接合が２つずつの場合について、次のことが分かる。 （１） 右辺はインダクタンスが１／２になっている他
は等しい。 （２） 入力磁束の右辺に対する寄与が１／２になって
いる。すなわち、Φ−Ｖ特性上の１つのモードは、入力
磁束に対してΦ０周期ではなく、２Φ０周期で変化す
る。
【００１８】（３） モード間の遷移は、入力磁束に対
してΦ０周期で行われる。 上記（２）、（３）から、理論上のΦ−Ｖ特性は図１１
に示すように、入力磁束に対して２値の電圧をとること
になるが、実際上は電圧が高い方が安定であるから、Φ
−Ｖ特性は図９に示すようになってしまう。なお、
（１）に示すインダクタンスの影響は、電圧の大きさが
大きくなる方向に働くだけであり、モードの周期、モー
ド間遷移周期には影響を及ぼさない。
してΦ０周期で行われる。 上記（２）、（３）から、理論上のΦ−Ｖ特性は図１１
に示すように、入力磁束に対して２値の電圧をとること
になるが、実際上は電圧が高い方が安定であるから、Φ
−Ｖ特性は図９に示すようになってしまう。なお、
（１）に示すインダクタンスの影響は、電圧の大きさが
大きくなる方向に働くだけであり、モードの周期、モー
ド間遷移周期には影響を及ぼさない。
【００１９】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、ジョセフソン接合の特性を変更すること
なく、磁束電圧変換率を向上させることができるＳＱＵ
ＩＤ素子を提供することを目的としている。
たものであり、ジョセフソン接合の特性を変更すること
なく、磁束電圧変換率を向上させることができるＳＱＵ
ＩＤ素子を提供することを目的としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１のＳＱＵＩＤ素
子は、バイアス電流が供給される超伝導ループの、一方
の電流経路と他方の電流経路にそれぞれジョセフソン接
合が設けられてあるとともに、一方の電流経路に設けら
れるジョセフソン接合の数が、他方の一方の電流経路に
設けられるジョセフソン接合の数と異なる数に設定され
てあり、しかも、超伝導ループのループインダクタンス
と並列にバイパス抵抗が設けられてある。 請求項２の
ＳＱＵＩＤ素子は、両電流経路に設けられるジョセフソ
ン接合の数を公約数を持たない数に設定したものであ
る。
子は、バイアス電流が供給される超伝導ループの、一方
の電流経路と他方の電流経路にそれぞれジョセフソン接
合が設けられてあるとともに、一方の電流経路に設けら
れるジョセフソン接合の数が、他方の一方の電流経路に
設けられるジョセフソン接合の数と異なる数に設定され
てあり、しかも、超伝導ループのループインダクタンス
と並列にバイパス抵抗が設けられてある。 請求項２の
ＳＱＵＩＤ素子は、両電流経路に設けられるジョセフソ
ン接合の数を公約数を持たない数に設定したものであ
る。
【００２１】請求項３のＳＱＵＩＤ素子は、両電流経路
に設けられるジョセフソン接合の数の差を１に設定した
ものである。
に設けられるジョセフソン接合の数の差を１に設定した
ものである。
【００２２】
【作用】請求項１のＳＱＵＩＤ素子であれば、バイアス
電流が供給される超伝導ループの、一方の電流経路と他
方の電流経路にそれぞれジョセフソン接合が設けられて
あるとともに、一方の電流経路に設けられるジョセフソ
ン接合の数が、他方の一方の電流経路に設けられるジョ
セフソン接合の数と異なる数に設定されてあり、しか
も、超伝導ループのループインダクタンスと並列にバイ
パス抵抗が設けられてあるので、Φ−Ｖ特性の出力電圧
の最大値をジョセフソン接合の数を異ならせたことに伴
なって大きくすることができ、しかも、出力電圧の最小
値の増加を防止することができる。この結果、Φ−Ｖ特
性の傾きの最大値を大きくすることができ、ＳＱＵＩＤ
素子の磁束電圧変換率を簡単に向上させることができ
る。
電流が供給される超伝導ループの、一方の電流経路と他
方の電流経路にそれぞれジョセフソン接合が設けられて
あるとともに、一方の電流経路に設けられるジョセフソ
ン接合の数が、他方の一方の電流経路に設けられるジョ
セフソン接合の数と異なる数に設定されてあり、しか
も、超伝導ループのループインダクタンスと並列にバイ
パス抵抗が設けられてあるので、Φ−Ｖ特性の出力電圧
の最大値をジョセフソン接合の数を異ならせたことに伴
なって大きくすることができ、しかも、出力電圧の最小
値の増加を防止することができる。この結果、Φ−Ｖ特
性の傾きの最大値を大きくすることができ、ＳＱＵＩＤ
素子の磁束電圧変換率を簡単に向上させることができ
る。
【００２３】請求項２のＳＱＵＩＤ素子であれば、両電
流経路に設けられるジョセフソン接合の数を公約数を持
たない数に設定しているので、請求項１と同様の作用を
達成することができる。請求項３のＳＱＵＩＤ素子であ
れば、両電流経路に設けられるジョセフソン接合の数の
差を１に設定しているので、ジョセフソン接合の数の差
を２以上に設定する場合と比較してＳＱＵＩＤ素子の磁
束電圧変換率を高めることができる。
流経路に設けられるジョセフソン接合の数を公約数を持
たない数に設定しているので、請求項１と同様の作用を
達成することができる。請求項３のＳＱＵＩＤ素子であ
れば、両電流経路に設けられるジョセフソン接合の数の
差を１に設定しているので、ジョセフソン接合の数の差
を２以上に設定する場合と比較してＳＱＵＩＤ素子の磁
束電圧変換率を高めることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、実施態様を示す添付図面に
よってこの発明の実施態様を詳細に説明する。図１はこ
の発明のＳＱＵＩＤ素子の一実施態様を示す等価回路図
である。このＳＱＵＩＤ素子が従来のＳＱＵＩＤ素子と
異なる点は、超伝導ループ１の一方の電流経路に２つの
ジョセフソン接合２が直列状に設けられているととも
に、他方の電流経路に１つのジョセフソン接合２が設け
られている点のみである。なお、３は超伝導ループ１の
ループインダクタンスであり、４はループインダクタン
ス３と並列に設けられたバイパス抵抗であり、Ｉｂはバ
イアス電流であり、Ｉｃは両ループインダクタンス３を
同じ方向に流れる電流である。
よってこの発明の実施態様を詳細に説明する。図１はこ
の発明のＳＱＵＩＤ素子の一実施態様を示す等価回路図
である。このＳＱＵＩＤ素子が従来のＳＱＵＩＤ素子と
異なる点は、超伝導ループ１の一方の電流経路に２つの
ジョセフソン接合２が直列状に設けられているととも
に、他方の電流経路に１つのジョセフソン接合２が設け
られている点のみである。なお、３は超伝導ループ１の
ループインダクタンスであり、４はループインダクタン
ス３と並列に設けられたバイパス抵抗であり、Ｉｂはバ
イアス電流であり、Ｉｃは両ループインダクタンス３を
同じ方向に流れる電流である。
【００２５】図２は図１のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性
を示す図、図３はジョセフソン接合を超伝導ループの各
電流経路に１つずつ有している従来のｄｃ−ＳＱＵＩＤ
素子のΦ−Ｖ特性を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０
に設定した状態における出力電圧の最大値は、図２の場
合の方が図３の場合よりも大きいことが分かる。もちろ
ん、出力電圧の最小値は、図２の場合も図３の場合も共
に０であることが分かる。したがって、図２の方がΦ−
Ｖ特性の傾きの最大値も大きく、図１の構成のＳＱＵＩ
Ｄ素子を採用することにより磁束電圧変換率を高めるこ
とができる。なお、図２、図３において横軸は、入力磁
束Φｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。
を示す図、図３はジョセフソン接合を超伝導ループの各
電流経路に１つずつ有している従来のｄｃ−ＳＱＵＩＤ
素子のΦ−Ｖ特性を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０
に設定した状態における出力電圧の最大値は、図２の場
合の方が図３の場合よりも大きいことが分かる。もちろ
ん、出力電圧の最小値は、図２の場合も図３の場合も共
に０であることが分かる。したがって、図２の方がΦ−
Ｖ特性の傾きの最大値も大きく、図１の構成のＳＱＵＩ
Ｄ素子を採用することにより磁束電圧変換率を高めるこ
とができる。なお、図２、図３において横軸は、入力磁
束Φｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。
【００２６】
【発明の実施の形態】図４はこの発明のＳＱＵＩＤ素子
の他の実施態様を示す等価回路図である。このＳＱＵＩ
Ｄ素子が図１のＳＱＵＩＤ素子と異なる点は、超伝導ル
ープ１の一方の電流経路に３つのジョセフソン接合を直
列状に設けているとともに、他方の電流経路に２つのジ
ョセフソン接合を直列状に設けている点のみである。
の他の実施態様を示す等価回路図である。このＳＱＵＩ
Ｄ素子が図１のＳＱＵＩＤ素子と異なる点は、超伝導ル
ープ１の一方の電流経路に３つのジョセフソン接合を直
列状に設けているとともに、他方の電流経路に２つのジ
ョセフソン接合を直列状に設けている点のみである。
【００２７】図５は図４のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性
を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０に設定した状態に
おける出力電圧の最大値は、図２の場合よりも大きいこ
とが分かる。もちろん、出力電圧の最小値は０であるこ
とが分かる。したがって、図５の方が図２よりもΦ−Ｖ
特性の傾きの最大値が大きく、図４の構成のＳＱＵＩＤ
素子を採用することにより磁束電圧変換率を一層高める
ことができる。なお、図５において横軸は、入力磁束Φ
ｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。
を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０に設定した状態に
おける出力電圧の最大値は、図２の場合よりも大きいこ
とが分かる。もちろん、出力電圧の最小値は０であるこ
とが分かる。したがって、図５の方が図２よりもΦ−Ｖ
特性の傾きの最大値が大きく、図４の構成のＳＱＵＩＤ
素子を採用することにより磁束電圧変換率を一層高める
ことができる。なお、図５において横軸は、入力磁束Φ
ｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。
【００２８】
【発明の実施の形態】図６はこの発明のＳＱＵＩＤ素子
の他の実施態様を示す等価回路図である。このＳＱＵＩ
Ｄ素子が図１のＳＱＵＩＤ素子と異なる点は、超伝導ル
ープ１の一方の電流経路に３つのジョセフソン接合を直
列状に設けているとともに、他方の電流経路に１つのジ
ョセフソン接合を直列状に設けている点のみである。
の他の実施態様を示す等価回路図である。このＳＱＵＩ
Ｄ素子が図１のＳＱＵＩＤ素子と異なる点は、超伝導ル
ープ１の一方の電流経路に３つのジョセフソン接合を直
列状に設けているとともに、他方の電流経路に１つのジ
ョセフソン接合を直列状に設けている点のみである。
【００２９】図７は図６のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性
を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０に設定した状態に
おける出力電圧の最大値は、図２の場合よりも大きいこ
とが分かる。もちろん、出力電圧の最小値は０であるこ
とが分かる。したがって、図７の方が図２よりもΦ−Ｖ
特性の傾きの最大値が大きく、図６の構成のＳＱＵＩＤ
素子を採用することにより磁束電圧変換率を一層高める
ことができる。なお、図５において横軸は、入力磁束Φ
ｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。ただし、図７よ
りも図５の方がΦ−Ｖ特性の傾きの最大値が大きいので
あるから、この実施態様よりも、図４の実施態様の方が
好ましい。
を示す図であり、Ｉｂ／Ｉｃ＝１．０に設定した状態に
おける出力電圧の最大値は、図２の場合よりも大きいこ
とが分かる。もちろん、出力電圧の最小値は０であるこ
とが分かる。したがって、図７の方が図２よりもΦ−Ｖ
特性の傾きの最大値が大きく、図６の構成のＳＱＵＩＤ
素子を採用することにより磁束電圧変換率を一層高める
ことができる。なお、図５において横軸は、入力磁束Φ
ｉｎの磁束量子Φ０に対する比である。ただし、図７よ
りも図５の方がΦ−Ｖ特性の傾きの最大値が大きいので
あるから、この実施態様よりも、図４の実施態様の方が
好ましい。
【００３０】
【発明の効果】請求項１の発明は、Φ−Ｖ特性の出力電
圧の最大値をジョセフソン接合の数を異ならせたことに
伴なって大きくすることができ、しかも、出力電圧の最
小値の増加を防止することができ、ひいては、Φ−Ｖ特
性の傾きの最大値を大きくすることができ、ＳＱＵＩＤ
素子の磁束電圧変換率を簡単に向上させることができる
という特有の効果を奏する。
圧の最大値をジョセフソン接合の数を異ならせたことに
伴なって大きくすることができ、しかも、出力電圧の最
小値の増加を防止することができ、ひいては、Φ−Ｖ特
性の傾きの最大値を大きくすることができ、ＳＱＵＩＤ
素子の磁束電圧変換率を簡単に向上させることができる
という特有の効果を奏する。
【００３１】請求項２の発明は、Φ−Ｖ特性の出力電圧
の最大値をジョセフソン接合の数を公約数を持たない数
に設定したことに伴なって大きくすることができ、しか
も、出力電圧の最小値の増加を防止することができ、ひ
いては、Φ−Ｖ特性の傾きの最大値を大きくすることが
でき、ＳＱＵＩＤ素子の磁束電圧変換率を簡単に向上さ
せることができるという特有の効果を奏する。
の最大値をジョセフソン接合の数を公約数を持たない数
に設定したことに伴なって大きくすることができ、しか
も、出力電圧の最小値の増加を防止することができ、ひ
いては、Φ−Ｖ特性の傾きの最大値を大きくすることが
でき、ＳＱＵＩＤ素子の磁束電圧変換率を簡単に向上さ
せることができるという特有の効果を奏する。
【００３２】請求項３の発明は、ジョセフソン接合の数
の差を２以上に設定する場合と比較してＳＱＵＩＤ素子
の磁束電圧変換率を高めることができるとう特有の効果
を奏する。
の差を２以上に設定する場合と比較してＳＱＵＩＤ素子
の磁束電圧変換率を高めることができるとう特有の効果
を奏する。
【図１】この発明のＳＱＵＩＤ素子の一実施態様を示す
等価回路図である。
等価回路図である。
【図２】図１のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性を示す図で
ある。
ある。
【図３】ジョセフソン接合を超伝導ループの各電流経路
に１つずつ有している従来のｄｃ−ＳＱＵＩＤ素子のΦ
−Ｖ特性を示す図である。
に１つずつ有している従来のｄｃ−ＳＱＵＩＤ素子のΦ
−Ｖ特性を示す図である。
【図４】この発明のＳＱＵＩＤ素子の他の実施態様を示
す等価回路図である。
す等価回路図である。
【図５】図４のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性を示す図で
ある。
ある。
【図６】この発明のＳＱＵＩＤ素子のさらに他の実施態
様を示す等価回路図である。
様を示す等価回路図である。
【図７】図６のＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性を示す図で
ある。
ある。
【図８】ｄｃ−ＳＱＵＩＤ素子のΦ−Ｖ特性およびその
傾きの最大値を示す図である。
傾きの最大値を示す図である。
【図９】超伝導ループの各電流経路に２つずつのジョセ
フソン接合を設けた場合のΦ−Ｖ特性を示す図である。
フソン接合を設けた場合のΦ−Ｖ特性を示す図である。
【図１０】超伝導ループの各電流経路に１つずつのジョ
セフソン接合を有するｄｃ−ＳＱＵＩＤの等価回路を示
す図である。
セフソン接合を有するｄｃ−ＳＱＵＩＤの等価回路を示
す図である。
【図１１】超伝導ループの各電流経路に２つずつのジョ
セフソン接合を有するｄｃ−ＳＱＵＩＤの理論上のΦ−
Ｖ特性を示す図である。
セフソン接合を有するｄｃ−ＳＱＵＩＤの理論上のΦ−
Ｖ特性を示す図である。
１ 超伝導ループ ２ ジョセフソン接合 ３ ループインダクタンス ４ バイパス抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 バイアス電流が供給される超伝導ループ
（１）の、一方の電流経路と他方の電流経路にそれぞれ
ジョセフソン接合（２）が設けられてあるとともに、一
方の電流経路に設けられるジョセフソン接合（２）の数
が、他方の一方の電流経路に設けられるジョセフソン接
合（２）の数と異なる数に設定されてあり、しかも、超
伝導ループ（１）のループインダクタンス（３）と並列
にバイパス抵抗（４）が設けられてあることを特徴とす
るＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項２】 両電流経路に設けられるジョセフソン接
合（２）の数が、公約数を持たない数に設定されてある
請求項１に記載のＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項３】 両電流経路に設けられるジョセフソン接
合（２）の数の差が１である請求項１に記載のＳＱＵＩ
Ｄ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187529A JPH0933626A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187529A JPH0933626A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933626A true JPH0933626A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16207688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7187529A Pending JPH0933626A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0933626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010028183A3 (en) * | 2008-09-03 | 2010-07-01 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US11797874B2 (en) | 2018-02-28 | 2023-10-24 | 1372934 B.C. Ltd. | Error reduction and, or, correction in analog computing including quantum processor-based computing |
-
1995
- 1995-07-24 JP JP7187529A patent/JPH0933626A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010028183A3 (en) * | 2008-09-03 | 2010-07-01 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US8536566B2 (en) | 2008-09-03 | 2013-09-17 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US9152923B2 (en) | 2008-09-03 | 2015-10-06 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US9607270B2 (en) | 2008-09-03 | 2017-03-28 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US10290798B2 (en) | 2008-09-03 | 2019-05-14 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US11031537B2 (en) | 2008-09-03 | 2021-06-08 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US12035640B2 (en) | 2008-09-03 | 2024-07-09 | 1372934 B. C. Ltd. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US11797874B2 (en) | 2018-02-28 | 2023-10-24 | 1372934 B.C. Ltd. | Error reduction and, or, correction in analog computing including quantum processor-based computing |
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