JPH09326602A - 高周波フィルタ回路 - Google Patents
高周波フィルタ回路Info
- Publication number
- JPH09326602A JPH09326602A JP14161196A JP14161196A JPH09326602A JP H09326602 A JPH09326602 A JP H09326602A JP 14161196 A JP14161196 A JP 14161196A JP 14161196 A JP14161196 A JP 14161196A JP H09326602 A JPH09326602 A JP H09326602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip
- filter circuit
- line
- frequency filter
- slot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来例に比較して狭帯域な通過特性を有する
高周波フィルタ回路を提供する。 【解決手段】 第１のマイクロストリップ線路Ｌ１と第
２のマイクロストリップ線路Ｌ２とを、共振器を構成す
るスロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合してなる高周
波フィルタ回路において、第１のマイクロストリップ線
路Ｌ１と上記第２のマイクロストリップ線路Ｌ２とを別
の共振器Ｌｓを介して電磁的に結合した。また、第１の
マイクロストリップ線路Ｌ１と第２のマイクロストリッ
プ線路Ｌ２とを、共振器を構成するスロット線路Ｌ３を
介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回路におい
て、第１のマイクロストリップ線路Ｌ１に、別の第１の
共振器Ｌ４を電磁的に結合させるとともに、第２のマイ
クロストリップ線路Ｌ２に、別の第２の共振器Ｌ５を電
磁的に結合させた。
高周波フィルタ回路を提供する。 【解決手段】 第１のマイクロストリップ線路Ｌ１と第
２のマイクロストリップ線路Ｌ２とを、共振器を構成す
るスロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合してなる高周
波フィルタ回路において、第１のマイクロストリップ線
路Ｌ１と上記第２のマイクロストリップ線路Ｌ２とを別
の共振器Ｌｓを介して電磁的に結合した。また、第１の
マイクロストリップ線路Ｌ１と第２のマイクロストリッ
プ線路Ｌ２とを、共振器を構成するスロット線路Ｌ３を
介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回路におい
て、第１のマイクロストリップ線路Ｌ１に、別の第１の
共振器Ｌ４を電磁的に結合させるとともに、第２のマイ
クロストリップ線路Ｌ２に、別の第２の共振器Ｌ５を電
磁的に結合させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概ね８００ＭＨｚ
以上のマイクロ波、準ミリ波又はミリ波などの周波数帯
で用いられる高周波フィルタ回路に関する。
以上のマイクロ波、準ミリ波又はミリ波などの周波数帯
で用いられる高周波フィルタ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来技術文献１「角田紀久夫，
“マイクロ波帯移動通信のためのアンテナ給電系ハード
ウエアの検討”，ＡＴＲ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐ
ｏｒｔ，ＴＲ−０−００３３，ｐｐ．１０−１５，１９
９０年７月発行」において開示された従来例の高周波フ
ィルタ回路を示し、その等価回路を図６に示す。
“マイクロ波帯移動通信のためのアンテナ給電系ハード
ウエアの検討”，ＡＴＲ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐ
ｏｒｔ，ＴＲ−０−００３３，ｐｐ．１０−１５，１９
９０年７月発行」において開示された従来例の高周波フ
ィルタ回路を示し、その等価回路を図６に示す。
【０００３】図３において、誘電体基板１０上にマイク
ロストリップ導体１が形成された後、誘電体基板１０及
びマイクロストリップ導体１上に誘電体層１１が形成さ
れる。次いで、誘電体層１１上に、マイクロストリップ
導体１と立体的に直角に交差する矩形形状のスロット３
を有する平板形状の接地導体１２が形成された後、当該
接地導体１２上に誘電体層１３が形成される。さらに、
誘電体層１３上に、マイクロストリップ導体１の長手方
向と平行であって対向しかつスロット３と立体的に直角
に交差するように、マイクロストリップ導体２が形成さ
れる。ここで、誘電体層１１を挟設するマイクロストリ
ップ導体１と接地導体１２とによってマイクロストリッ
プ線路である伝送線路Ｌ１を構成し、マイクロストリッ
プ導体１の一端を入力端子Ｔ１としている。また、誘電
体層１３を挟設するマイクロストリップ導体２と接地導
体１２とによってマイクロストリップ線路である伝送線
路Ｌ２を構成し、マイクロストリップ導体２の一端を出
力端子Ｔ２としている。
ロストリップ導体１が形成された後、誘電体基板１０及
びマイクロストリップ導体１上に誘電体層１１が形成さ
れる。次いで、誘電体層１１上に、マイクロストリップ
導体１と立体的に直角に交差する矩形形状のスロット３
を有する平板形状の接地導体１２が形成された後、当該
接地導体１２上に誘電体層１３が形成される。さらに、
誘電体層１３上に、マイクロストリップ導体１の長手方
向と平行であって対向しかつスロット３と立体的に直角
に交差するように、マイクロストリップ導体２が形成さ
れる。ここで、誘電体層１１を挟設するマイクロストリ
ップ導体１と接地導体１２とによってマイクロストリッ
プ線路である伝送線路Ｌ１を構成し、マイクロストリッ
プ導体１の一端を入力端子Ｔ１としている。また、誘電
体層１３を挟設するマイクロストリップ導体２と接地導
体１２とによってマイクロストリップ線路である伝送線
路Ｌ２を構成し、マイクロストリップ導体２の一端を出
力端子Ｔ２としている。
【０００４】そして、伝送線路Ｌ１と伝送線路Ｌ２と
は、接地導体１２に形成されたスロット３が構成するス
ロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合している。ここ
で、マイクロストリップ導体１はスロット３の中心から
マイクロストリップ線路Ｌ１の管内波長λｍの１／４だ
け突出するように形成される一方、マイクロストリップ
導体２はスロット３の中心からマイクロストリップ線路
Ｌ２の管内波長λｍの１／４だけ突出するように形成さ
れる。そして、スロット３は、それが構成するスロット
線路Ｌ３の管内波長λｓの１／２の長さを有し、マイク
ロストリップ導体１，２との交差点からは、λｓ／４だ
けそれぞれ突出している。
は、接地導体１２に形成されたスロット３が構成するス
ロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合している。ここ
で、マイクロストリップ導体１はスロット３の中心から
マイクロストリップ線路Ｌ１の管内波長λｍの１／４だ
け突出するように形成される一方、マイクロストリップ
導体２はスロット３の中心からマイクロストリップ線路
Ｌ２の管内波長λｍの１／４だけ突出するように形成さ
れる。そして、スロット３は、それが構成するスロット
線路Ｌ３の管内波長λｓの１／２の長さを有し、マイク
ロストリップ導体１，２との交差点からは、λｓ／４だ
けそれぞれ突出している。
【０００５】以上のように構成された従来例の高周波フ
ィルタ回路においては、従来技術文献２「K.C.Gupta et
al,“MICROSTRIP LINES and SLOTLINES”,ARTECH, pp.
234-239」において開示されたマイクロストリップース
ロット変換回路を用いており、当該高周波フィルタ回路
は、多層構造の上下の層を用いて、マイクロストリップ
ースロット変換を縦方向に積み重ねることによって構成
されるフィルタ回路である。すなわち、マイクロストリ
ップ線路Ｌ１で構成される共振器と、マイクロストリッ
プ線路Ｌ２で構成される共振器とが、スロット線路Ｌ３
によって構成される共振器を介して結合されて、帯域通
過フィルタ回路を構成している。
ィルタ回路においては、従来技術文献２「K.C.Gupta et
al,“MICROSTRIP LINES and SLOTLINES”,ARTECH, pp.
234-239」において開示されたマイクロストリップース
ロット変換回路を用いており、当該高周波フィルタ回路
は、多層構造の上下の層を用いて、マイクロストリップ
ースロット変換を縦方向に積み重ねることによって構成
されるフィルタ回路である。すなわち、マイクロストリ
ップ線路Ｌ１で構成される共振器と、マイクロストリッ
プ線路Ｌ２で構成される共振器とが、スロット線路Ｌ３
によって構成される共振器を介して結合されて、帯域通
過フィルタ回路を構成している。
【０００６】この型の高周波フィルタ回路では、マキシ
マリーフラット特性やチェビシェフ特性などが良く用い
られており、この時の素子値は、規格化低域通過フィル
タの基本素子値を表わすｇ−ｖａｌｕｅ（以下、ｇ値と
いう。）として知られている。いま、伝送線路Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３のｇ値をｇ１，ｇ２，ｇ３とし、外部負荷をＺ
ｒとし、カットオフ周波数をＰ0とすると、各伝送線路
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の特性インピーダンスＺｍ１，Ｚｍ
２，Ｚｓは次式で表わすことができる。
マリーフラット特性やチェビシェフ特性などが良く用い
られており、この時の素子値は、規格化低域通過フィル
タの基本素子値を表わすｇ−ｖａｌｕｅ（以下、ｇ値と
いう。）として知られている。いま、伝送線路Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３のｇ値をｇ１，ｇ２，ｇ３とし、外部負荷をＺ
ｒとし、カットオフ周波数をＰ0とすると、各伝送線路
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の特性インピーダンスＺｍ１，Ｚｍ
２，Ｚｓは次式で表わすことができる。
【０００７】
【数１】Ｚｍ１＝Ｐ0・Ｚｒ・ｇ１
【数２】Ｚｓ＝Ｚｒ／（Ｐ0・ｇ２）
【数３】Ｚｍ２＝Ｐ0・Ｚｒ・ｇ３
【０００８】上記ｇ値は、例えばリップルが０．０１ｄ
Ｂないし１．０ｄＢのチェビシェフ特性において０．５
ないし２．０程度であり、特性インピーダンスＺｍ１，
Ｚｓの実現性から見て、カットオフ周波数Ｐ0は１前後
の値が作りやすい。カットオフ周波数Ｐ0＝１は、実周
波数帯域で１００％に相当する。
Ｂないし１．０ｄＢのチェビシェフ特性において０．５
ないし２．０程度であり、特性インピーダンスＺｍ１，
Ｚｓの実現性から見て、カットオフ周波数Ｐ0は１前後
の値が作りやすい。カットオフ周波数Ｐ0＝１は、実周
波数帯域で１００％に相当する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図９に、マイクロスト
リップ線路Ｌ１の特性インピーダンスＺｍ１＝マイクロ
ストリップ線路Ｌ２の特性インピーダンスＺｍ２＝６０
Ω、スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω、通過帯域の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ
で計算した当該従来例の高周波フィルタ回路のシュミレ
ーション結果を示す。図９から明らかなように、当該従
来例では、３ｄＢ帯域幅が１５ＧＨｚ以上であって、非
常に広帯域な帯域通過特性が得られている。従って、当
該高周波フィルタ回路は、基本的に広帯域な回路に向い
ているが、逆に狭帯域化が難しいという問題点があっ
た。
リップ線路Ｌ１の特性インピーダンスＺｍ１＝マイクロ
ストリップ線路Ｌ２の特性インピーダンスＺｍ２＝６０
Ω、スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω、通過帯域の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ
で計算した当該従来例の高周波フィルタ回路のシュミレ
ーション結果を示す。図９から明らかなように、当該従
来例では、３ｄＢ帯域幅が１５ＧＨｚ以上であって、非
常に広帯域な帯域通過特性が得られている。従って、当
該高周波フィルタ回路は、基本的に広帯域な回路に向い
ているが、逆に狭帯域化が難しいという問題点があっ
た。
【００１０】本発明の目的は以上の問題点を解決し、従
来例に比較して狭帯域な通過特性を有する高周波フィル
タ回路を提供することにある。
来例に比較して狭帯域な通過特性を有する高周波フィル
タ回路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の高周波フィルタ回路は、第１のマイクロストリップ
線路と第２のマイクロストリップ線路とを、共振器を構
成するスロット線路を介して電磁的に結合してなる高周
波フィルタ回路において、上記第１のマイクロストリッ
プ線路と上記第２のマイクロストリップ線路とを別の共
振器を介して電磁的に結合したことを特徴とする。
載の高周波フィルタ回路は、第１のマイクロストリップ
線路と第２のマイクロストリップ線路とを、共振器を構
成するスロット線路を介して電磁的に結合してなる高周
波フィルタ回路において、上記第１のマイクロストリッ
プ線路と上記第２のマイクロストリップ線路とを別の共
振器を介して電磁的に結合したことを特徴とする。
【００１２】また、請求項２記載の高周波フィルタ回路
は、請求項１記載の高周波フィルタ回路において、上記
別の共振器はスロット線路によって構成されることを特
徴とする。
は、請求項１記載の高周波フィルタ回路において、上記
別の共振器はスロット線路によって構成されることを特
徴とする。
【００１３】本発明に係る請求項３記載の高周波フィル
タ回路は、第１のマイクロストリップ線路と第２のマイ
クロストリップ線路とを、共振器を構成するスロット線
路を介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回路に
おいて、上記第１のマイクロストリップ線路に、別の第
１の共振器を電磁的に結合させるとともに、上記第２の
マイクロストリップ線路に、別の第２の共振器を電磁的
に結合させたことを特徴とする。
タ回路は、第１のマイクロストリップ線路と第２のマイ
クロストリップ線路とを、共振器を構成するスロット線
路を介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回路に
おいて、上記第１のマイクロストリップ線路に、別の第
１の共振器を電磁的に結合させるとともに、上記第２の
マイクロストリップ線路に、別の第２の共振器を電磁的
に結合させたことを特徴とする。
【００１４】また、請求項４記載の高周波フィルタ回路
は、請求項３記載の高周波フィルタ回路において、上記
別の第１と第２の共振器はそれぞれ、マイクロストリッ
プ線路によって構成されることを特徴とする。
は、請求項３記載の高周波フィルタ回路において、上記
別の第１と第２の共振器はそれぞれ、マイクロストリッ
プ線路によって構成されることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施形態について説明する。
る実施形態について説明する。
【００１６】＜第１の実施形態＞図１は、本発明に係る
第１の実施形態である高周波フィルタ回路の斜視図であ
り、その等価回路を図４に示す。この第１の実施形態の
高周波フィルタ回路は、図１に示すように、図３の従来
例の高周波フィルタ回路において、マイクロストリップ
線路Ｌ１のマイクロストリップ導体１と、マイクロスト
リップ線路Ｌ２のマイクロストリップ導体２との間に位
置する接地導体１２において矩形形状の電磁結合用スロ
ット６を形成することにより、当該スロット６により構
成される共振器を介してマイクロストリップ線路Ｌ１と
マイクロストリップ線路Ｌ２とを電磁的に結合したこと
を特徴としている。
第１の実施形態である高周波フィルタ回路の斜視図であ
り、その等価回路を図４に示す。この第１の実施形態の
高周波フィルタ回路は、図１に示すように、図３の従来
例の高周波フィルタ回路において、マイクロストリップ
線路Ｌ１のマイクロストリップ導体１と、マイクロスト
リップ線路Ｌ２のマイクロストリップ導体２との間に位
置する接地導体１２において矩形形状の電磁結合用スロ
ット６を形成することにより、当該スロット６により構
成される共振器を介してマイクロストリップ線路Ｌ１と
マイクロストリップ線路Ｌ２とを電磁的に結合したこと
を特徴としている。
【００１７】図１において、誘電体基板１０上にマイク
ロストリップ導体１が形成された後、誘電体基板１０及
びマイクロストリップ導体１上に誘電体層１１が形成さ
れる。次いで、誘電体層１１上に、マイクロストリップ
導体１と立体的に直角に交差する矩形形状のスロット３
と、マイクロストリップ導体１の長手方向と平行な長手
方向を有しスロット３とは異なる位置に位置する矩形形
状の電磁結合用スロット６とを有する平板形状の接地導
体１２が形成された後、当該接地導体１２上に誘電体層
１３が形成される。さらに、誘電体層１３上に、マイク
ロストリップ導体１の長手方向と平行であって対向しか
つスロット３と立体的に直角に交差するように、マイク
ロストリップ導体２が形成される。ここで、誘電体層１
１を挟設するマイクロストリップ導体１と接地導体１２
とによってマイクロストリップ線路である伝送線路Ｌ１
を構成し、マイクロストリップ導体１はスロット３を通
過した後直角に曲げられて誘電体基板１０の一辺の端部
まで延在し、当該端部を入力端子Ｔ１としている。ま
た、誘電体層１３を挟設するマイクロストリップ導体２
と接地導体１２とによってマイクロストリップ線路であ
る伝送線路Ｌ２を構成し、マイクロストリップ導体２の
一端を出力端子Ｔ２としている。
ロストリップ導体１が形成された後、誘電体基板１０及
びマイクロストリップ導体１上に誘電体層１１が形成さ
れる。次いで、誘電体層１１上に、マイクロストリップ
導体１と立体的に直角に交差する矩形形状のスロット３
と、マイクロストリップ導体１の長手方向と平行な長手
方向を有しスロット３とは異なる位置に位置する矩形形
状の電磁結合用スロット６とを有する平板形状の接地導
体１２が形成された後、当該接地導体１２上に誘電体層
１３が形成される。さらに、誘電体層１３上に、マイク
ロストリップ導体１の長手方向と平行であって対向しか
つスロット３と立体的に直角に交差するように、マイク
ロストリップ導体２が形成される。ここで、誘電体層１
１を挟設するマイクロストリップ導体１と接地導体１２
とによってマイクロストリップ線路である伝送線路Ｌ１
を構成し、マイクロストリップ導体１はスロット３を通
過した後直角に曲げられて誘電体基板１０の一辺の端部
まで延在し、当該端部を入力端子Ｔ１としている。ま
た、誘電体層１３を挟設するマイクロストリップ導体２
と接地導体１２とによってマイクロストリップ線路であ
る伝送線路Ｌ２を構成し、マイクロストリップ導体２の
一端を出力端子Ｔ２としている。
【００１８】そして、伝送線路Ｌ１と伝送線路Ｌ２と
は、接地導体１２に形成されたスロット３が構成するス
ロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合している。ここ
で、マイクロストリップ導体１はスロット３の中心から
マイクロストリップ線路Ｌ１の管内波長λｍの１／４だ
け突出するように形成され、これにより共振器を構成す
る一方、マイクロストリップ導体２もスロット３の中心
からマイクロストリップ線路Ｌ２の管内波長λｍの１／
４だけ突出するように形成され、これにより共振器を構
成する。ここで、スロット３は、それが構成するスロッ
ト線路Ｌ３の管内波長λｓの１／２の長さを有して共振
器を構成し、マイクロストリップ導体１，２との交差点
からは、λｓ／４だけそれぞれ突出している。一方、マ
イクロストリップ導体２に形成される電磁結合用スロッ
ト６は、マイクロストリップ導体１及び２に対して対向
するようにかつマイクロストリップ導体１及び２の長手
方向に平行な長手方向を有するように形成され、かつス
ロット３とは所定の距離だけ離れて形成される。ここ
で、接地導体１２に形成された矩形形状のスロット６
は、スロット線路Ｌｓを構成し、マイクロストリップ導
体１，２の幅よりも狭い幅ｗ１と、長さλｍ／４よりも
短い長手方向の長さｌ１を有している。
は、接地導体１２に形成されたスロット３が構成するス
ロット線路Ｌ３を介して電磁的に結合している。ここ
で、マイクロストリップ導体１はスロット３の中心から
マイクロストリップ線路Ｌ１の管内波長λｍの１／４だ
け突出するように形成され、これにより共振器を構成す
る一方、マイクロストリップ導体２もスロット３の中心
からマイクロストリップ線路Ｌ２の管内波長λｍの１／
４だけ突出するように形成され、これにより共振器を構
成する。ここで、スロット３は、それが構成するスロッ
ト線路Ｌ３の管内波長λｓの１／２の長さを有して共振
器を構成し、マイクロストリップ導体１，２との交差点
からは、λｓ／４だけそれぞれ突出している。一方、マ
イクロストリップ導体２に形成される電磁結合用スロッ
ト６は、マイクロストリップ導体１及び２に対して対向
するようにかつマイクロストリップ導体１及び２の長手
方向に平行な長手方向を有するように形成され、かつス
ロット３とは所定の距離だけ離れて形成される。ここ
で、接地導体１２に形成された矩形形状のスロット６
は、スロット線路Ｌｓを構成し、マイクロストリップ導
体１，２の幅よりも狭い幅ｗ１と、長さλｍ／４よりも
短い長手方向の長さｌ１を有している。
【００１９】以上のように構成された高周波フィルタ回
路の等価回路は図４に示すようになり、これから明らか
なように、マイクロストリップ線路Ｌ１で構成される共
振器と、マイクロストリップ線路Ｌ２で構成される共振
器とが、スロット線路Ｌ３によって構成される共振器を
介して結合され、さらに、マイクロストリップ線路Ｌ１
で構成される共振器と、マイクロストリップ線路Ｌ２で
構成される共振器とが、スロット６のスロット線路Ｌｓ
を介して電磁的に結合することにより、端子Ｔ１と端子
Ｔ２との間で帯域通過フィルタ回路を構成している。
路の等価回路は図４に示すようになり、これから明らか
なように、マイクロストリップ線路Ｌ１で構成される共
振器と、マイクロストリップ線路Ｌ２で構成される共振
器とが、スロット線路Ｌ３によって構成される共振器を
介して結合され、さらに、マイクロストリップ線路Ｌ１
で構成される共振器と、マイクロストリップ線路Ｌ２で
構成される共振器とが、スロット６のスロット線路Ｌｓ
を介して電磁的に結合することにより、端子Ｔ１と端子
Ｔ２との間で帯域通過フィルタ回路を構成している。
【００２０】当該高周波フィルタ回路のシミュレーショ
ン結果である周波数特性を図７及び図８に示す。ここ
で、図７の第１の実施例における各パラメータの設定値
は以下の通りである。 （ａ）通過帯域幅の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ； （ｂ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る偶モードの特性インピーダンスＺｍｅ＝１２０Ω； （ｃ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る奇モードの特性インピーダンスＺｍｏ＝２０．７Ω； （ｄ）スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω；及び、 （ｅ）中心周波数ｆ0において、電磁結合用スロット６
における電気長θｍ＝スロット線路Ｌ３の電気長θｓ＝
π／２。
ン結果である周波数特性を図７及び図８に示す。ここ
で、図７の第１の実施例における各パラメータの設定値
は以下の通りである。 （ａ）通過帯域幅の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ； （ｂ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る偶モードの特性インピーダンスＺｍｅ＝１２０Ω； （ｃ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る奇モードの特性インピーダンスＺｍｏ＝２０．７Ω； （ｄ）スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω；及び、 （ｅ）中心周波数ｆ0において、電磁結合用スロット６
における電気長θｍ＝スロット線路Ｌ３の電気長θｓ＝
π／２。
【００２１】また、図８の第２の実施例における各パラ
メータの設定値は以下の通りである。 （ａ）通過帯域幅の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ； （ｂ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る偶モードの特性インピーダンスＺｍｅ＝２４０Ω； （ｃ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る奇モードの特性インピーダンスＺｍｏ＝２０．７Ω； （ｄ）スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω；及び、 （ｅ）中心周波数ｆ0において、電磁結合用スロット６
における電気長θｍ＝スロット線路Ｌ３の電気長θｓ＝
π／２。
メータの設定値は以下の通りである。 （ａ）通過帯域幅の中心周波数ｆ0＝２０．０ＧＨｚ； （ｂ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る偶モードの特性インピーダンスＺｍｅ＝２４０Ω； （ｃ）電磁結合用スロット６のスロット線路Ｌｓにおけ
る奇モードの特性インピーダンスＺｍｏ＝２０．７Ω； （ｄ）スロット線路Ｌ３の特性インピーダンスＺｓ＝４
１．７Ω；及び、 （ｅ）中心周波数ｆ0において、電磁結合用スロット６
における電気長θｍ＝スロット線路Ｌ３の電気長θｓ＝
π／２。
【００２２】図７と図８を、従来例の図９と比較するこ
とにより明らかなように、別の共振器であるスロット線
路Ｌｓを介して２つのマイクロストリップ線路Ｌ１，Ｌ
２を電磁的に結合し、スロット線路Ｌｓにより構成され
るカップラーの周波数依存性を利用することにより、当
該高周波フィルタ回路における通過帯域幅を狭くするこ
とができ、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択
性を向上させることができる。
とにより明らかなように、別の共振器であるスロット線
路Ｌｓを介して２つのマイクロストリップ線路Ｌ１，Ｌ
２を電磁的に結合し、スロット線路Ｌｓにより構成され
るカップラーの周波数依存性を利用することにより、当
該高周波フィルタ回路における通過帯域幅を狭くするこ
とができ、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択
性を向上させることができる。
【００２３】さらに、互いに中心周波数ｆ0が異なる
（ｆ01＝２０ＧＨｚ，ｆ02＝１４ＧＨｚ）上記第２の実
施例の高周波フィルタ回路を２個用意し、縦続接続して
高周波フィルタ回路を構成したときのシミュレーション
結果を図１０及び図１１に示す。ここで、図１１は図１
０の拡大図である。図１０及び図１１から明らかなよう
に、第２の実施例における１個の高周波フィルタ回路の
場合に比較して大幅に通過帯域幅を狭くすることがで
き、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択性を向
上させることができる。
（ｆ01＝２０ＧＨｚ，ｆ02＝１４ＧＨｚ）上記第２の実
施例の高周波フィルタ回路を２個用意し、縦続接続して
高周波フィルタ回路を構成したときのシミュレーション
結果を図１０及び図１１に示す。ここで、図１１は図１
０の拡大図である。図１０及び図１１から明らかなよう
に、第２の実施例における１個の高周波フィルタ回路の
場合に比較して大幅に通過帯域幅を狭くすることがで
き、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択性を向
上させることができる。
【００２４】＜第２の実施形態＞図２は、本発明に係る
第２の実施形態である高周波フィルタ回路の斜視図であ
り、その等価回路を図５に示す。この第２の実施形態
は、図３の従来例と比較して、マイクロストリップ線路
Ｌ１に、別の第１の共振器を構成するマイクロストリッ
プ線路Ｌ４を電磁的に結合させるとともに、マイクロス
トリップ線路Ｌ２に、別の第２の共振器を構成するマイ
クロストリップ線路Ｌ５を電磁的に結合させたことを特
徴とする。以下、従来例との相違点について詳細に説明
する。
第２の実施形態である高周波フィルタ回路の斜視図であ
り、その等価回路を図５に示す。この第２の実施形態
は、図３の従来例と比較して、マイクロストリップ線路
Ｌ１に、別の第１の共振器を構成するマイクロストリッ
プ線路Ｌ４を電磁的に結合させるとともに、マイクロス
トリップ線路Ｌ２に、別の第２の共振器を構成するマイ
クロストリップ線路Ｌ５を電磁的に結合させたことを特
徴とする。以下、従来例との相違点について詳細に説明
する。
【００２５】図２において、誘電体基板１０上のマイク
ロストリップ導体１の終端部の近傍において、マイクロ
ストリップ導体１の長手方向と平行となりかつマイクロ
ストリップ導体１と電磁的に結合するようにその近傍
に、マイクロストリップ導体１と同一の幅ｗ２と電気長
ｌ２とを有するマイクロストリップ導体４を形成する。
また、誘電体層１３上のマイクロストリップ導体２の終
端部の近傍において、マイクロストリップ導体２の長手
方向と平行となりかつマイクロストリップ導体２と電磁
的に結合するようにその近傍に、マイクロストリップ導
体２と同一の幅ｗ２と電気長ｌ２とを有するマイクロス
トリップ導体５を形成する。従って、マイクロストリッ
プ導体４はマイクロストリップ線路Ｌ４で構成される共
振器を構成する一方、マイクロストリップ導体５はマイ
クロストリップ線路Ｌ５で構成される共振器を構成す
る。
ロストリップ導体１の終端部の近傍において、マイクロ
ストリップ導体１の長手方向と平行となりかつマイクロ
ストリップ導体１と電磁的に結合するようにその近傍
に、マイクロストリップ導体１と同一の幅ｗ２と電気長
ｌ２とを有するマイクロストリップ導体４を形成する。
また、誘電体層１３上のマイクロストリップ導体２の終
端部の近傍において、マイクロストリップ導体２の長手
方向と平行となりかつマイクロストリップ導体２と電磁
的に結合するようにその近傍に、マイクロストリップ導
体２と同一の幅ｗ２と電気長ｌ２とを有するマイクロス
トリップ導体５を形成する。従って、マイクロストリッ
プ導体４はマイクロストリップ線路Ｌ４で構成される共
振器を構成する一方、マイクロストリップ導体５はマイ
クロストリップ線路Ｌ５で構成される共振器を構成す
る。
【００２６】以上のように構成された高周波フィルタ回
路においては、図５に示すように、マイクロストリップ
線路Ｌ１に、別のマイクロストリップ線路Ｌ４を電磁的
に結合させるとともに、マイクロストリップ線路Ｌ２
に、別のマイクロストリップ線路Ｌ５を電磁的に結合さ
せている。このように共振器を電磁的に結合することに
より、カップラの周波数選択性を利用し、フィルタとし
ての周波数選択性を向上させることができる。
路においては、図５に示すように、マイクロストリップ
線路Ｌ１に、別のマイクロストリップ線路Ｌ４を電磁的
に結合させるとともに、マイクロストリップ線路Ｌ２
に、別のマイクロストリップ線路Ｌ５を電磁的に結合さ
せている。このように共振器を電磁的に結合することに
より、カップラの周波数選択性を利用し、フィルタとし
ての周波数選択性を向上させることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る請求項
１記載の高周波フィルタ回路においては、第１のマイク
ロストリップ線路と第２のマイクロストリップ線路と
を、共振器を構成するスロット線路を介して電磁的に結
合してなる高周波フィルタ回路において、上記第１のマ
イクロストリップ線路と上記第２のマイクロストリップ
線路とを別の共振器を介して電磁的に結合した。従っ
て、別の共振器の周波数選択特性を利用して、高周波フ
ィルタ特性の通過帯域幅を従来例に比較して狭くするこ
とができ、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択
性を向上させることができる。ここで、上記別の共振器
は、好ましくは、スロット線路によって構成される。
１記載の高周波フィルタ回路においては、第１のマイク
ロストリップ線路と第２のマイクロストリップ線路と
を、共振器を構成するスロット線路を介して電磁的に結
合してなる高周波フィルタ回路において、上記第１のマ
イクロストリップ線路と上記第２のマイクロストリップ
線路とを別の共振器を介して電磁的に結合した。従っ
て、別の共振器の周波数選択特性を利用して、高周波フ
ィルタ特性の通過帯域幅を従来例に比較して狭くするこ
とができ、言い換えれば、フィルタとしての周波数選択
性を向上させることができる。ここで、上記別の共振器
は、好ましくは、スロット線路によって構成される。
【００２８】本発明に係る請求項３記載の高周波フィル
タ回路においては、第１のマイクロストリップ線路と第
２のマイクロストリップ線路とを、共振器を構成するス
ロット線路を介して電磁的に結合してなる高周波フィル
タ回路において、上記第１のマイクロストリップ線路
に、別の第１の共振器を電磁的に結合させるとともに、
上記第２のマイクロストリップ線路に、別の第２の共振
器を電磁的に結合させた。従って、別の共振器の周波数
選択特性を利用して、高周波フィルタ特性の通過帯域幅
を従来例に比較して狭くすることができ、言い換えれ
ば、フィルタとしての周波数選択性を向上させることが
できる。ここで、上記別の第１と第２の共振器はそれぞ
れ、好ましくは、マイクロストリップ線路によって構成
される。
タ回路においては、第１のマイクロストリップ線路と第
２のマイクロストリップ線路とを、共振器を構成するス
ロット線路を介して電磁的に結合してなる高周波フィル
タ回路において、上記第１のマイクロストリップ線路
に、別の第１の共振器を電磁的に結合させるとともに、
上記第２のマイクロストリップ線路に、別の第２の共振
器を電磁的に結合させた。従って、別の共振器の周波数
選択特性を利用して、高周波フィルタ特性の通過帯域幅
を従来例に比較して狭くすることができ、言い換えれ
ば、フィルタとしての周波数選択性を向上させることが
できる。ここで、上記別の第１と第２の共振器はそれぞ
れ、好ましくは、マイクロストリップ線路によって構成
される。
【図１】 本発明に係る第１の実施形態である高周波フ
ィルタ回路の斜視図である。
ィルタ回路の斜視図である。
【図２】 本発明に係る第２の実施形態である高周波フ
ィルタ回路の斜視図である。
ィルタ回路の斜視図である。
【図３】 従来例の高周波フィルタ回路の斜視図であ
る。
る。
【図４】 図１の第１の実施形態の高周波フィルタ回路
の等価回路を示す回路図である。
の等価回路を示す回路図である。
【図５】 図２の第２の実施形態の高周波フィルタ回路
の等価回路を示す回路図である。
の等価回路を示す回路図である。
【図６】 従来例の高周波フィルタ回路の等価回路を示
す回路図である。
す回路図である。
【図７】 図１の第１の実施形態の第１の実施例の高周
波フィルタ回路の減衰量の周波数特性を示すグラフであ
る。
波フィルタ回路の減衰量の周波数特性を示すグラフであ
る。
【図８】 図１の第１の実施形態の第２の実施例の高周
波フィルタ回路の減衰量の周波数特性を示すグラフであ
る。
波フィルタ回路の減衰量の周波数特性を示すグラフであ
る。
【図９】 図３の従来例の高周波フィルタ回路の減衰量
の周波数特性を示すグラフである。
の周波数特性を示すグラフである。
【図１０】 図１の第１の実施形態の第２の実施例の高
周波フィルタ回路を２個縦続したとき（第３の実施例）
の減衰量の周波数特性を示すグラフである。
周波フィルタ回路を２個縦続したとき（第３の実施例）
の減衰量の周波数特性を示すグラフである。
【図１１】 図１０の減衰量の周波数特性の拡大図であ
る。
る。
１，２…マイクロストリップ導体、 ３…スロット、 ４，５…結合用マイクロストリップ導体、 ６…スロット、 １０…誘電体基板、 １１，１３…誘電体層、 １２…接地導体、 Ｔ１…入力端子、 Ｔ２…出力端子 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４，Ｌ５…マイクロストリップ線路、 Ｌ３，Ｌｓ…スロット線路。
Claims (4)
- 【請求項１】 第１のマイクロストリップ線路と第２の
マイクロストリップ線路とを、共振器を構成するスロッ
ト線路を介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回
路において、 上記第１のマイクロストリップ線路と上記第２のマイク
ロストリップ線路とを別の共振器を介して電磁的に結合
したことを特徴とする高周波フィルタ回路。 - 【請求項２】 上記別の共振器はスロット線路によって
構成されることを特徴とする請求項１記載の高周波フィ
ルタ回路。 - 【請求項３】 第１のマイクロストリップ線路と第２の
マイクロストリップ線路とを、共振器を構成するスロッ
ト線路を介して電磁的に結合してなる高周波フィルタ回
路において、 上記第１のマイクロストリップ線路に、別の第１の共振
器を電磁的に結合させるとともに、上記第２のマイクロ
ストリップ線路に、別の第２の共振器を電磁的に結合さ
せたことを特徴とする高周波フィルタ回路。 - 【請求項４】 上記別の第１と第２の共振器はそれぞ
れ、マイクロストリップ線路によって構成されることを
特徴とする請求項３記載の高周波フィルタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14161196A JPH09326602A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 高周波フィルタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14161196A JPH09326602A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 高周波フィルタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326602A true JPH09326602A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15296058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14161196A Pending JPH09326602A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 高周波フィルタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326602A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515951A (ja) * | 2000-12-05 | 2004-05-27 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | マルチビーム信号の受信及び／又は送信用の装置 |
| US7553092B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-06-30 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical module and optical module package |
| KR200464997Y1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-01-29 | 박철승 | 공통 결함접지구조를 갖는 마이크로 스트립 전송선로 |
| KR200465432Y1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-02-19 | 박철승 | 디씨 블록용 마이크로 스트립 전송선로 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168401A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Hitachi Ltd | Strip line filter |
| JPS61123302A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルタ装置 |
| JPH01309401A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | トリプレート−マイクロストリップ線路変換器 |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP14161196A patent/JPH09326602A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168401A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Hitachi Ltd | Strip line filter |
| JPS61123302A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルタ装置 |
| JPH01309401A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | トリプレート−マイクロストリップ線路変換器 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515951A (ja) * | 2000-12-05 | 2004-05-27 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | マルチビーム信号の受信及び／又は送信用の装置 |
| US7271776B2 (en) | 2000-12-05 | 2007-09-18 | Thomson Licensing | Device for the reception and/or the transmission of multibeam signals |
| KR100901038B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2009-06-04 | 톰슨 라이센싱 | 멀티빔 신호의 수신 및/또는 전송 디바이스 |
| US7553092B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-06-30 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical module and optical module package |
| KR200464997Y1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-01-29 | 박철승 | 공통 결함접지구조를 갖는 마이크로 스트립 전송선로 |
| KR200465432Y1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-02-19 | 박철승 | 디씨 블록용 마이크로 스트립 전송선로 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4882553A (en) | Microwave balun | |
| US7902944B2 (en) | Stacked resonator | |
| US3939430A (en) | Integrated circuit, image and sum enhanced balanced mixer | |
| US6278340B1 (en) | Miniaturized broadband balun transformer having broadside coupled lines | |
| US20100117765A1 (en) | Differential filtering device with coplanar coupled resonators and filtering antenna furnished with such a device | |
| WO2002003494A1 (fr) | Coupleur directionnel et procede de couplage directionnel | |
| CN110611145B (zh) | 一种hmsiw平衡定向耦合器 | |
| US3506932A (en) | Quadrature hybrid coupler | |
| WO2001056108A1 (en) | Balun formed from symmetrical couplers and method for making same | |
| US7183874B2 (en) | Casing contained filter | |
| JPS6053921B2 (ja) | ストリツプ線路形移相器 | |
| US6252476B1 (en) | Microstrip resonators and coupled line bandpass filters using same | |
| CN218677535U (zh) | 一种无源元件的强耦合带状线结构 | |
| Sheta et al. | A new class of miniature quadrature couplers for MIC and MMIC applications | |
| JPH09326602A (ja) | 高周波フィルタ回路 | |
| US10673111B2 (en) | Filtering unit and filter | |
| WO2002052675A1 (en) | Four port hybrid microstrip circuit of lange type | |
| GB1577228A (en) | 4-input/4-output port rf coupler | |
| US6242992B1 (en) | Interdigital slow-wave coplanar transmission line resonator and coupler | |
| US3063026A (en) | Coaxial hybrid junctions | |
| CN114284677A (zh) | 一种基于三线耦合的高选择性宽带反相滤波功分器 | |
| US5905415A (en) | Distributed constant line coupling with a gap domain | |
| JP2002335108A (ja) | インピーダンス変成器の設計方法 | |
| JP3307155B2 (ja) | 高周波フィルタの設計方法および高周波フィルタ | |
| JP4629617B2 (ja) | 高周波結合線路及び高周波フィルタ |