JPH09320999A - 半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置 - Google Patents

半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置

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JPH09320999A
JPH09320999A JP8175344A JP17534496A JPH09320999A JP H09320999 A JPH09320999 A JP H09320999A JP 8175344 A JP8175344 A JP 8175344A JP 17534496 A JP17534496 A JP 17534496A JP H09320999 A JPH09320999 A JP H09320999A
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Japan
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sticking plate
semiconductor wafer
sticking
head
plate
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JP8175344A
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Osamu Morikawa
修 森川
Seiji Miyagawa
清治 宮川
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Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 貼付プレートの面取り部の付着物を効率よ
く、しかも十分に除去することができる半導体ウェハ貼
付プレートの付着物除去装置を提供する。 【解決手段】 外周面除去ヘッド1の回転軸12を貼付
プレート5の上面52に対して傾斜して配置する。回転
軸12の中心線12cの延長線上に貼付プレート5の外
周面面取り部51が位置しないように配置する。チャッ
ク2の外側先端21の上端外周面21aを傾斜して形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハを貼付し
て研磨する半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハを貼付プレートに貼付して
研磨する半導体ウェハの製造工程において、貼付プレー
トの表面(ひょう面)に研磨砥粒等の付着物が付着する
ことから、その付着物を除去するために半導体ウェハを
剥がした後に、貼付プレートの表面(おもて面)または
裏面にノンスリップパッドなどの研磨材を当接させて除
去していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな表面(おもて面)または裏面における付着物の除去
では、その外周面の面取り部の付着物は除去できず、こ
の状態で長時間使用するとその付着物が堆積した後に脱
落して、その破片が半導体ウェハの貼付面に凹凸を生じ
させ、半導体ウェハの研磨面が平坦に仕上がらないとい
う問題点があった。また、この貼付プレートの面取り部
の付着物を除去をするにあたっては、専用の装置がなか
ったため、貼付工程から取り出してスクレーパやへらな
どを使用して人手により除去するしかなく、このため作
業効率が非常に悪く、その除去作業の頻度が自ずと制限
される上に、この人手による除去では十分な除去が困難
であるという問題点があった。本発明は、上記問題に鑑
みてなされたもので、貼付プレートの面取り部の付着物
を効率よく、しかも十分に除去することができる半導体
ウェハ貼付プレートの付着物除去装置を提供することを
目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、貼
付プレートを水平方向に回転させる手段と、回転軸を中
心として回転すると共に、前記貼付プレートに当接して
その表面(ひょう面)の付着物を除去する除去ヘッドと
からなる半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置に
おいて、少なくとも一つの除去ヘッドの回転軸を前記貼
付プレートの上面に対して傾斜して設け、前記貼付プレ
ートの外周面面取り部に前記除去ヘッドの回転中心以外
の部分が当接するようにしたものである。
【0005】また、貼付プレートを上面に載置して水平
方向に回転するチャックテーブルと、該チャックテーブ
ルの回転軸を中心として放射状に配置され前記貼付プレ
ートの外周面を挟持するチャックと、前記貼付プレート
に当接してその表面(ひょう面)の付着物を除去する除
去ヘッドとからなり、前記チャックがL字状に形成さ
れ、その先端が外側上方に突出した半導体ウェハ貼付プ
レートの付着物除去装置において、チャック先端部が貼
付プレートの厚さより短く、且つその先端部外周面が傾
斜して形成するようにしたものである。
【0006】
【発明の実施の形態】従来、貼付プレートの外周面面取
り部に付着した付着物を人手により除去していたもの
を、この外周面面取り部に当接する専用の除去ヘッドを
設け、しかもこの除去ヘッドが貼付プレートを支持する
チャックと干渉することなく、効率よく外周面面取り部
の付着物を除去できるように構成したものである。これ
により半導体ウェハ貼付の自動化工程の中で、貼付プレ
ートの表面)に付着した付着物をほぼ完全に除去でき
る。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明に係る付着物除去装置を示す部分側
面図、図2は本発明に係る貼付プレートの除去装置を示
す側面図、図3は貼付プレートと除去ヘッドとの当接状
態を示す部分拡大側面図である。
【0008】図2に示すように、本実施例の半導体ウェ
ハ貼付プレートの除去装置は、貼付プレート5を載置す
ると共に水平方向に回転するチャックテーブル3と、チ
ャックテーブル3に設けられ貼付プレート5を挟持する
複数のチャック2と、貼付プレート5の外周面取り部5
1に当接する外周面除去ヘッド1と、貼付プレート5の
上面52に当接する上面除去ヘッド4とから構成されて
いる。
【0009】図1に示すように、外周面除去ヘッド1は
回転軸12の先端に固定され、貼付プレート5との当接
面には耐磨耗性のナイロンブラシ11が固着され、この
回転軸12まわりで回転しながら外周面取り部51に当
接して付着物(図示せず)を除去する。
【0010】また、この外周面除去ヘッド1の回転軸1
2は、貼付プレート5の上面52に対して傾斜すると共
に、その回転軸12の中心線12cの延長線上に貼付プ
レート5の外周面面取り部51が位置しないように配置
されている。したがって、図3に示すように外周面除去
ヘッド1の当接面は、外周面面取り部51が水平な一方
向(矢印B)に回転するのに対し、その逆方向で、しか
も湾4した方向(矢印A)で摺接し、ナイロンブラシ1
1がその摺接方向を変化させながら付着物を除去するた
め、効率のよい除去が可能となる。
【0011】図2に示すように、チャックテーブル3の
チャック2は、テーブル回転軸31を中心として略放射
状に取付けられ、それぞれの外側先端21が上方に突出
した略L字状に形成され、その取付部分が軸支されて揺
動可能に設けられており、チャックテーブル3の上に貼
付プレート5を載置することにより、それぞれの外側先
端21により挟持するようにされている。
【0012】また、図1に示すようにチャック2の外側
先端21の上端外周面21aは、外周面除去ヘッド1の
ナイロンブラシ11がチャック2に接触しないように傾
斜して形成され、これによりチャックテーブル3と外周
面除去ヘッド1との干渉を防止している。
【0013】図2に示すように、貼付プレート5の上面
52の付着物を除去する上面除去ヘッド4は水平方向に
回転すると共に、水平移動するように設けられ、貼付プ
レート5が回転することにより、上面52全体の付着物
を除去できるように設けられている。
【0014】また、図1に示すように、外周面除去ヘッ
ド1の回転軸12は、その取付角度を変化できるように
設けられ、付着物の状態等によりその回転軸12の角度
を調整、または角度を変化させながら研磨できるように
設けられている。
【0015】尚、上記実施例では、外周面除去ヘッド1
の当接面にはナイロンブラシ11が固着されていたが、
これに限られるものではなく、湾曲した外周面取り部5
1に当接できるように弾力性を有し、しかも磨耗に強い
素材のものであれば同様の効果をえられ、例えば金タワ
シやワイヤなどを固着したものでもよい。
【0016】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
外周面除去ヘッドのナイロンブラシが摺接方向を変化さ
せながら除去するため、効率がよく、貼付プレートの外
周面面取り部の付着物をほぼ完全に除去できるという優
れた効果がある。また、貼付プレートの上面と外周面面
取り部の付着物を同時に除去するため自動工程で使用で
き、従来技術で生じていた研磨における不具合を防止で
きるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る付着物除去装置を示す部分側面図
ある。
【図2】本発明に係る貼付プレートの除去装置を示す側
面図である。
【図3】貼付プレートと除去ヘッドとの当接状態を示す
部分拡大側面図である。
【符号の説明】
1‥‥‥外周面除去ヘッド 11‥‥‥ナイロンブラシ 12‥‥‥回転軸 12c‥中心線 2‥‥‥チャック 21‥‥外側先端 21a‥上端外周面 3‥‥‥チャックテーブル 31‥‥テーブル回転軸 4‥‥‥上面除去ヘッド 5‥‥‥貼付プレート 51‥‥外周面面取り部 52‥‥上面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年4月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】また、この外周面除去ヘッド1の回転軸1
2は、貼付プレート5の上面52に対して傾斜すると共
に、その回転軸12の中心線12cの延長線上に貼付プ
レート5の外周面面取り部51が位置しないように配置
されている。したがって、図3に示すように外周面除去
ヘッド1の当接面は、外周面面取り部51が水平な一方
向(矢印B)に回転するのに対し、その逆方向で、しか
も湾した方向(矢印A)で摺接し、ナイロンブラシ1
1がその摺接方向を変化させながら付着物を除去するた
め、効率のよい除去が可能となる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハを貼付する貼付プレートを
    水平方向に回転させる手段と、回転軸を中心として回転
    すると共に、前記貼付プレートに当接してその表面(ひ
    ょう面)の付着物を除去する除去ヘッドとからなる半導
    体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置において、少な
    くとも一つの除去ヘッドの回転軸を前記貼付プレートの
    上面に対して傾斜して設け、前記貼付プレートの外周面
    面取り部に前記除去ヘッドの回転中心以外の部分が当接
    するように配置したことを特徴とする半導体ウェハ貼付
    プレートの付着物除去装置。
  2. 【請求項2】 半導体ウェハを貼付する貼付プレートを
    上面に載置して水平方向に回転するチャックテーブル
    と、該チャックテーブルの回転軸を中心として放射状に
    配置され前記貼付プレートの外周面を挟持するチャック
    と、前記貼付プレートに当接してその表面(ひょう面)
    の付着物を除去する除去ヘッドとからなり、前記チャッ
    クがL字状に形成され、その先端が外側上方に突出した
    半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置において、
    チャック先端部が貼付プレートの厚さより短く、且つそ
    の先端部外周面が傾斜して形成されたことを特徴とする
    半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置。
  3. 【請求項3】 除去ヘッドの貼付プレートとの当接面
    が、弾力性を有すると共に耐磨耗性の材質で形成されて
    いることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ貼付
    プレートの付着物除去装置。
  4. 【請求項4】 除去ヘッドの貼付プレートとの当接面
    が、ナイロンブラシであることを特徴とする請求項1記
    載の半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置。
  5. 【請求項5】 除去ヘッドの回転軸が角度可変に設けら
    れたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ貼付
    プレートの付着物除去装置。
JP8175344A 1996-05-31 1996-05-31 半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置 Pending JPH09320999A (ja)

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TW086103790A TW349239B (en) 1996-05-31 1997-03-25 Device for removal of attachment on semiconductor wafer adhesion plate
US08/865,832 US5911257A (en) 1996-05-31 1997-05-30 Device for removing objects adhered to a plate for bonding a semiconductor wafer

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014124626A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 3M Innovative Properties Co 被膜形成方法、被膜形成装置及び半導体チップの作製方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW392241B (en) * 1998-09-15 2000-06-01 Worldwild Semiconductor Mfg Co Wafer cleaning device
JP4079205B2 (ja) * 2000-08-29 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US6334230B1 (en) * 2001-01-12 2002-01-01 International Business Machines Corporation Wafer cleaning apparatus
JP2004223696A (ja) * 2002-11-26 2004-08-12 Musashi Seimitsu Ind Co Ltd 研削方法及びその装置
US7726540B2 (en) * 2005-12-12 2010-06-01 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method for arranging devices for processing

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2613943A (en) * 1950-07-20 1952-10-14 Morey Machinery Co Inc Chucking device for lathes
US3700250A (en) * 1970-12-01 1972-10-24 Continental Can Co Gripping type compound applying chuck assembly
JPH06103687B2 (ja) * 1988-08-12 1994-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置
DE3919611A1 (de) * 1989-06-15 1990-12-20 Wacker Chemitronic Haltevorrichtung zur aufnahme von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zu deren behandlung
JPH04150027A (ja) * 1990-10-12 1992-05-22 Nippon Steel Corp ウエハ洗浄装置
JPH04363022A (ja) * 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
US5375291A (en) * 1992-05-18 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Device having brush for scrubbing substrate
JP2862754B2 (ja) * 1993-04-19 1999-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び回転部材
TW316995B (ja) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5675856A (en) * 1996-06-14 1997-10-14 Solid State Equipment Corp. Wafer scrubbing device
US5725414A (en) * 1996-12-30 1998-03-10 Intel Corporation Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014124626A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 3M Innovative Properties Co 被膜形成方法、被膜形成装置及び半導体チップの作製方法

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TW349239B (en) 1999-01-01

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