JPH09320966A - Plasma enhanced chemical vapor deposition system and plasma etching system - Google Patents
Plasma enhanced chemical vapor deposition system and plasma etching systemInfo
- Publication number
- JPH09320966A JPH09320966A JP8132304A JP13230496A JPH09320966A JP H09320966 A JPH09320966 A JP H09320966A JP 8132304 A JP8132304 A JP 8132304A JP 13230496 A JP13230496 A JP 13230496A JP H09320966 A JPH09320966 A JP H09320966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrodes
- reaction chamber
- space
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，電子産業における
水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと略
記する。）などの半導体薄膜や絶縁膜の製造に用いられ
るプラズマ励起化学気相成長装置（以下、プラズマＣＶ
Ｄ装置と記する。）、及び半導体素子や液晶素子等を加
工するために用いられるプラズマエッチング装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus used for manufacturing semiconductor thin films and insulating films such as hydrogenated amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si: H) in the electronic industry. (Hereafter, plasma CV
It is described as a D device. ), And a plasma etching apparatus used for processing semiconductor elements, liquid crystal elements, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】今日、原料ガスをプラズマにより励起，
分解して気相状態で薄膜を堆積する装置、あるいはその
逆に半導体素子や液晶表示素子等を加工するために用い
られるエッチング装置は、金属膜，半導体膜，誘電体膜
の積層構造あるいは結晶ウエハー等をその処理対象とす
る電子デバイスの製造装置として広く用いられるように
なった。2. Description of the Related Art Today, a raw material gas is excited by plasma,
An apparatus for disassembling and depositing a thin film in a vapor phase state, or conversely, an etching apparatus used for processing a semiconductor element, a liquid crystal display element, or the like is a laminated structure of a metal film, a semiconductor film, a dielectric film or a crystal wafer It has come to be widely used as a manufacturing apparatus of an electronic device whose processing target is such as.
【０００３】図６は従来の電子デバイスの製造装置の構
成を説明するための図であり、図において、２００は、
電子デバイスを構成する半導体膜などの成膜処理、ある
いはエッチング処理を行うための反応室５ａを有する従
来の装置で、該反応室５ａ内には、基板トレーを兼ねる
アノード電極４が設けられており、また、該アノード電
極４と対向するようカソード電極１が配置されている。
ここで、アノード電極４は接地され、そのカソード電極
との対向面上には半導体ウエハなどの被処理部材６を装
着可能となっている。上記カソード電極１は、高周波電
源３ａからマッチング回路３ｂを介して、プラズマ励起
のための高周波電力が印加されるようになっており、該
カソード電極１と反応室５ａの周壁５との間には絶縁物
２が介在している。FIG. 6 is a view for explaining the structure of a conventional electronic device manufacturing apparatus. In FIG.
This is a conventional apparatus having a reaction chamber 5a for performing a film forming process such as a semiconductor film forming an electronic device or an etching process, and an anode electrode 4 also serving as a substrate tray is provided in the reaction chamber 5a. The cathode electrode 1 is arranged so as to face the anode electrode 4.
Here, the anode electrode 4 is grounded, and a member to be processed 6 such as a semiconductor wafer can be mounted on the surface facing the cathode electrode. High frequency power for plasma excitation is applied to the cathode electrode 1 from a high frequency power source 3a via a matching circuit 3b, and between the cathode electrode 1 and the peripheral wall 5 of the reaction chamber 5a. The insulator 2 is interposed.
【０００４】また、上記反応室５ａの、アノード電極４
に対してカソード電極の配設部分とは反対側にヒーター
７が配置されており、また、該アノード電極４に近接し
て、ウエハなどの被処理部材の反応室５ａ内への搬入及
び搬出を行う基板トレーローラ搬送部１１が設けられて
いる。なお、５ｂは、上記反応室５ａの一部に形成され
たガス排気用の開口、８は上記カソード電極１とアノー
ド電極４との間に供給される成膜用ガスあるいはエッチ
ング用ガスである。Further, the anode electrode 4 in the reaction chamber 5a
On the other hand, the heater 7 is arranged on the side opposite to the portion where the cathode electrode is arranged, and in the vicinity of the anode electrode 4, a member to be processed such as a wafer can be carried in and out of the reaction chamber 5a. A substrate tray roller transport unit 11 is provided for performing. Reference numeral 5b is a gas exhaust opening formed in a part of the reaction chamber 5a, and reference numeral 8 is a film forming gas or an etching gas supplied between the cathode electrode 1 and the anode electrode 4.
【０００５】現在、実用化されている電子デバイスの製
造装置の多くのものは、ＲＦあるいは高周波ＨＦと呼ば
れるラジオ波（１３．５６ＭＨｚ）、あるいはＭＷ波と
呼ばれるマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を、プラズマを
生成するための励起電力として用いている。At present, many of the electronic device manufacturing apparatuses that have been put to practical use use a radio wave called RF or high frequency HF (13.56 MHz) or a microwave called MW wave (2.45 GHz) for plasma. Is used as the excitation power for generating.
【０００６】一方、最近のプラズマ科学における精力的
な研究から、プラズマを生成するため用いられる電源の
励起電力の周波数として、上記二者の中間の周波数領
域、例えば高高周波ＶＨＦ帯と呼ばれる数十ＭＨｚ程度
の周波数、あるいは超高周波ＵＨＦ帯と呼ばれる数百Ｍ
Ｈｚ程度の周波数が、理論的にも実験的にも電子デバイ
スの製造に適した特長を有することが明らかにされつつ
ある（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ １０
１９９２ １０８０ Ａ．Ａ．Ｈｏｗｌｉｎｇｅｔ．
ａｌ，Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｓ Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．２１９９３ ｐ４０−４５ Ｔ Ｋｉｔａｍ
ｕｒａ他，Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｓ Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．２ １９９３ ｐ２６−２９ Ｓ．Ｏｄ
ａ，特開平６−７７１４４号公報など参照）。On the other hand, from recent energetic research in plasma science, the frequency of the excitation power of the power supply used to generate plasma is in the intermediate frequency range between the above two, for example, several tens of MHz called the high-frequency VHF band. Several hundreds of M, which is called a high frequency or ultra high frequency UHF band
It has been revealed that a frequency of about Hz has a characteristic suitable for manufacturing an electronic device theoretically and experimentally (J. Vac. Sci. Technol. A 10
1992 1080 A. A. Howlinget.
al, Plasma Sources Sci. Tec
hnol. 21993 p40-45 T Kitam
ura et al., Plasma Sources Sci. T
echnol. 2 1993 p26-29 S.I. Od
a, see JP-A-6-77144).
【０００７】すなわち、その特長として、プラズマ密度
は周波数の２乗に比例して増加する点、また、このよう
な高いプラズマ密度が比較的低いプラズマポテンシャル
によって実現される点が挙げられる。前者は、成膜装置
において膜堆積の速度が周波数の２乗に比例して増加す
ることを意味し、またエッチング装置においてエッチン
グ速度が周波数の２乗に比例して増加することを意味す
る。また後者の特長としては、このような高速処理の条
件下でありながら，プラズマ中のイオン種による膜ある
いは基板への損傷，いわゆるプラズマダメージを低く抑
えることが可能となるという点が挙げられる。That is, the features thereof are that the plasma density increases in proportion to the square of the frequency, and that such high plasma density is realized by a relatively low plasma potential. The former means that the film deposition rate increases in proportion to the square of the frequency in the film forming apparatus, and that the etching rate increases in proportion to the square of the frequency in the etching apparatus. The latter feature is that damage to the film or substrate due to ion species in plasma, so-called plasma damage, can be suppressed to a low level under such high-speed processing conditions.
【０００８】ところが、これまでのこのような理論的，
実験的研究では、電子デバイスの製造装置におけるプラ
ズマの特長は、その装置寸法（反応空間）が、使用して
いるプラズマ励起周波数の波長（たとえば周波数１００
ＭＨｚでは波長は約３ｍ）に比べて充分小さい（１０ｃ
ｍ程度かそれ以下）場合のみしか扱われてこなかった。However, the theoretical
In experimental studies, the characteristic of plasma in an electronic device manufacturing apparatus is that the size of the apparatus (reaction space) depends on the wavelength of the plasma excitation frequency used (for example, frequency 100).
At MHz, the wavelength is sufficiently smaller than 10 m (10c).
Only about m or less).
【０００９】その理由は、本件発明者らの所見では、装
置寸法（反応空間）がこのようなＶＨＦ帯あるいはＵＨ
Ｆ帯の励起電源周波数の波長と同程度となってくると、
これにより生成される電磁界は反応空間を伝搬する波と
しての特質を現わし、これに起因する反応空間における
電磁界的変化が複雑なプラズマを発生させるために、プ
ラズマの制御そのものが不可能であったからであると考
えられる。The reason for this is that the inventors of the present invention have found that the device size (reaction space) is such a VHF band or UH.
When it becomes about the same as the wavelength of the excitation power supply frequency in the F band,
The electromagnetic field generated by this shows the characteristic as a wave propagating in the reaction space, and the electromagnetic change in the reaction space caused by this causes generation of complicated plasma, so that the control of the plasma itself is impossible. It is thought that it was because there was.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ系薄膜を用いた太陽電池や液晶表示素子などいわ
ゆるジャイアントマイクロエレクトロニクスと呼ばれる
ような電子産業分野では、基板そのものの寸法が、例え
ばその一辺の長さが４０ｃｍ〜６０ｃｍと長尺である基
板を扱っており、このような長尺の基板に対しても、従
来のような基板を複数枚一度に処理できる反応室が、装
置の高スループット化のためには不可欠となってきてい
る。However, a-S
i: In the electronic industry field such as so-called giant microelectronics such as solar cells and liquid crystal display devices using H-based thin films, the size of the substrate itself is, for example, a long side of 40 cm to 60 cm on one side. Even for such a long substrate, a conventional reaction chamber capable of processing a plurality of substrates at a time has become indispensable for increasing the throughput of the apparatus.
【００１１】また、通常のＬＳＩなどの半導体デバイス
を製造するための半導体製造装置においても、高いスル
ープットを実現するためには多数の基板を一度に処理す
ることが非常に重要である。このようなことから、必然
的に１つの反応室としては、一辺が１ｍ前後の長尺なも
のを用いざるを得なくなり、その結果として、反応室の
一辺の寸法が、いわゆるＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の励
起周波数の波長と同じオーダーとなってくる。Further, also in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device such as an ordinary LSI, it is very important to process a large number of substrates at one time in order to realize high throughput. For this reason, one reaction chamber inevitably has to be a long one with one side of about 1 m, and as a result, the size of one side of the reaction chamber is the so-called VHF band or UHF band. It becomes the same order as the wavelength of the excitation frequency of.
【００１２】このように反応室の大型化が進むと、電極
面内，つまりカソード電極及びアノード電極の相対向す
る面に高周波電界の定在波が形成され、これにより励起
電極面内での電磁界の正弦波的分布が生じ、均一な薄膜
形成あるいは加工特性が全く不可能となってしまう。As the size of the reaction chamber increases, a standing wave of a high-frequency electric field is formed on the electrode surface, that is, on the surfaces of the cathode electrode and the anode electrode facing each other, which causes electromagnetic waves on the excitation electrode surface. A sinusoidal distribution of the field is generated, making it impossible to form a uniform thin film or process characteristics.
【００１３】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、プラズマを用いた処理を行
うための反応室内の空間の大きさが、プラズマ励起用の
高周波電力の波長と同程度となっても、プラズマを反応
室内の所望の領域、つまり励起電極（カソード電極）と
これに対向する電極（アノード電極）との間の領域に生
成させることができ、これによりＶＨＦ帯あるいはＵＨ
Ｆ帯の励起周波数をもつ高周波電力によって生成したプ
ラズマを大面積にわたって利用することができ、これま
での研究段階での処理ではなく量産レベルの処理が可能
なプラズマ励起化学気相成長装置及びプラズマエッチン
グ装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the size of the space in the reaction chamber for performing processing using plasma is determined by the wavelength of the high frequency power for plasma excitation. At the same level as the plasma, plasma can be generated in a desired region in the reaction chamber, that is, a region between the excitation electrode (cathode electrode) and the electrode (anode electrode) facing the excitation electrode, whereby the VHF band is generated. Or UH
Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and plasma etching capable of utilizing plasma generated by high-frequency power having an F-band excitation frequency over a large area and capable of mass-scale processing rather than processing at the research stage so far The purpose is to obtain the device.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係るプラズマ励起化学気相成長装置は、成膜用ガスが供
給され、被処理部材に対して成膜処理を施すための反応
室と、該反応室内に相対向するよう配置され、プラズマ
を励起するための高周波電界を発生する少なくとも一対
の電極と、該一対の電極間に印加する、ラジオ波帯より
高いＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の高周波電力を発生する
電源と、該一対の電極間の空間を複数の領域に分割する
遮蔽手段とを備えている。そのことにより上記目的が達
成される。In a plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to the present invention (claim 1), a film forming gas is supplied and a reaction chamber for performing a film forming process on a member to be processed. And at least a pair of electrodes which are arranged to face each other in the reaction chamber and generate a high frequency electric field for exciting plasma, and a VHF band or a UHF band higher than a radio frequency band which is applied between the pair of electrodes. A power supply that generates high-frequency power and a shielding unit that divides the space between the pair of electrodes into a plurality of regions are provided. Thereby, the above object is achieved.
【００１５】この発明（請求項２）は、請求項１記載の
プラズマ励起化学気相成長装置において、前記遮蔽手段
として、相対向するカソード電極とアノード電極との間
に配置された、該アノード電極と同電位となるよう構成
された網目状導電性隔壁を用いたものである。According to a second aspect of the present invention, in the plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to the first aspect, the shielding electrode is arranged between a cathode electrode and an anode electrode facing each other. And a mesh-shaped conductive partition wall configured to have the same potential as that of.
【００１６】この発明（請求項３）は、請求項１記載の
プラズマ励起化学気相成長装置において、前記遮蔽手段
により分割された各領域を、少なくとも該両電極の対向
面と平行な方向の寸法が、プラズマを励起する高周波電
力の波長の２分の１より小さい領域としたものである。According to a third aspect of the present invention, in the plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to the first aspect, each region divided by the shielding means is dimensioned at least in a direction parallel to the facing surfaces of the electrodes. Is a region smaller than half the wavelength of the high-frequency power that excites the plasma.
【００１７】この発明（請求項４）は、請求項３記載の
プラズマ励起化学気相成長装置において、前記遮蔽手段
により分割された各領域を、前記被処理部材の平面形状
に対応させて分割した領域としたものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to the third aspect, each region divided by the shielding means is divided corresponding to the planar shape of the member to be processed. It is an area.
【００１８】この発明（請求項５）は、請求項１記載の
プラズマ励起化学気相成長装置において、前記一対の電
極の一方である高周波電力が印加されるカソード電極
を、前記遮蔽手段により分割された各領域毎に分割した
ものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to the first aspect, the cathode electrode, which is one of the pair of electrodes and to which high-frequency power is applied, is divided by the shielding means. It is divided for each area.
【００１９】この発明（請求項６）は、エッチング用ガ
スが供給され、被処理部材に対してエッチング処理を施
すための反応室と、該反応室内に相対向するよう配置さ
れ、プラズマを励起するための高周波電界を発生する少
なくとも一対の電極と、該一対の電極間に印加する、ラ
ジオ波帯より高いＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の高周波電
力を発生する電源と、該一対の電極間の空間を複数の領
域に分割する遮蔽手段とを備えている。そのことにより
上記目的が達成される。According to the present invention (claim 6), an etching gas is supplied, and a reaction chamber for performing an etching process on a member to be processed is arranged so as to face each other in the reaction chamber, and plasma is excited. For generating a high-frequency electric field, a power source for applying high-frequency electric power in the VHF band or the UHF band higher than the radio frequency band, which is applied between the pair of electrodes, and a plurality of spaces between the pair of electrodes. And a shielding means for dividing into regions. Thereby, the above object is achieved.
【００２０】以下、本発明の作用について説明する。こ
の発明（請求項１）においては、成膜処理を行うための
反応室内の、プラズマを励起するための高周波電力を印
加する一対の電極間の空間を、遮蔽手段により複数の領
域に分割したから、該高周波電力の定在波が生ずる程度
の大きな電極間の空間が、該高周波電力の定在波が生じ
ない程度の小さい領域に分かれることとなる。これによ
り、プラズマを用いた成膜処理を行うための反応室内の
空間の大きさが、プラズマ励起用の高周波電力の波長と
同レベルの大きさとなっても、プラズマを反応室内の所
望の領域、つまり励起電極（カソード電極）とこれに対
向する電極（アノード電極）との間の領域に生成させる
ことができ、ＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の周波数をもつ
高周波電力によって生成したプラズマを、大面積にわた
る成膜処理に利用することが可能となる。Hereinafter, the operation of the present invention will be described. In the present invention (Claim 1), the space between the pair of electrodes for applying the high-frequency power for exciting the plasma in the reaction chamber for performing the film forming process is divided into a plurality of regions by the shielding means. The space between the electrodes where the standing wave of the high frequency power is generated is divided into small areas where the standing wave of the high frequency power is not generated. As a result, even if the size of the space in the reaction chamber for performing the film-forming process using plasma is as large as the wavelength of the high-frequency power for plasma excitation, the plasma can be generated in a desired region in the reaction chamber, That is, it is possible to generate plasma in a region between the excitation electrode (cathode electrode) and the electrode (anode electrode) facing the excitation electrode, and to generate plasma generated by high-frequency power having a VHF band or UHF band frequency over a large area. It can be used for membrane treatment.
【００２１】この発明（請求項２）においては、前記遮
蔽手段として、相対向するカソード電極とアノード電極
との間に、該アノード電極と同電位となる網目状導電性
隔壁を設けたので、該遮蔽手段により分割された個々の
領域の中間部分とその周縁部分とで電界の強度の均一化
を図ることができ、該分割された領域での成膜処理の均
一化を図ることができる。In the present invention (claim 2), as the shielding means, a mesh-like conductive partition having the same potential as the anode electrode is provided between the cathode electrode and the anode electrode facing each other. The strength of the electric field can be made uniform in the middle portion and the peripheral portion of each region divided by the shielding means, and the film forming process in the divided regions can be made uniform.
【００２２】この発明（請求項３）においては、前記遮
蔽手段により分割された、該一対の電極間の各領域を、
少なくとも該両電極の対向面と平行な方向の寸法が、プ
ラズマを励起する高周波電力の波長の２分の１より小さ
い領域としたので、各領域での高周波電力の定在波の発
生を確実に回避して、均一な成膜処理を行うことがで
き、これにより成膜された膜の膜厚を均一にすることが
できる。In the present invention (claim 3), each region between the pair of electrodes divided by the shielding means is
Since the dimension of at least the direction parallel to the facing surface of the both electrodes is smaller than ½ of the wavelength of the high frequency power that excites the plasma, the generation of the standing wave of the high frequency power in each area is ensured. By avoiding this, a uniform film forming process can be performed, and thus the film thickness of the formed film can be made uniform.
【００２３】この発明（請求項４）においては、前記遮
蔽手段により分割された、該一対の電極間の各領域を、
前記被処理部材の平面形状に対応したものとしたので、
被処理部材の平面形状に合わせて、該電極間の領域を必
要最小限の大きさして、各処理部材に最適なプラズマ処
理用の空間を実現できる。In the present invention (claim 4), each region between the pair of electrodes divided by the shielding means is
Since it corresponds to the planar shape of the member to be processed,
The region between the electrodes can be made to have a necessary minimum size in accordance with the planar shape of the member to be processed, and an optimal space for plasma processing for each processing member can be realized.
【００２４】この発明（請求項５）においては、前記一
対の電極の一方である高周波電力が印加されるカソード
電極を、前記遮蔽手段により分割された各領域毎に対応
させて分割したので、個々のカソード電極への高周波電
力の給電点が該分割された各領域毎に分散されることと
なり、カソード電極に印加するプラズマ励起のための高
周波のパワーを小さくすることが可能となる。In the present invention (claim 5), the cathode electrode, which is one of the pair of electrodes and to which high-frequency power is applied, is divided corresponding to each of the regions divided by the shielding means. Since the feeding points of the high frequency power to the cathode electrode are dispersed in each of the divided regions, the high frequency power for exciting the plasma applied to the cathode electrode can be reduced.
【００２５】この発明（請求項６）においては、エッチ
ング処理を行うための反応室内の、プラズマを励起する
ための高周波電力を印加する一対の電極間の空間を、遮
蔽手段により複数の領域に分割したので、該高周波電力
の定在波が生ずる程度の大きな電極間の空間が、該高周
波電力の定在波が生じない程度の小さい領域に分かれる
こととなる。これにより、プラズマを用いたエッチング
処理を行うための反応室内の空間の大きさが、プラズマ
励起用の高周波電力の波長と同レベルの大きさとなって
も、プラズマを反応室内の所望の領域、つまり励起電極
（カソード電極）とこれに対向する電極（アノード電
極）との間の領域に生成させることができ、ＶＨＦ帯あ
るいはＵＨＦ帯の周波数をもつ高周波電力によって生成
したプラズマを、大面積にわたるエッチング処理に利用
することが可能となる。In the present invention (claim 6), the space between the pair of electrodes to which high-frequency power for exciting plasma is applied in the reaction chamber for etching is divided into a plurality of regions by the shielding means. Therefore, the space between the electrodes, which is large enough to generate the standing wave of the high-frequency power, is divided into small regions which are small enough to prevent the standing wave of the high-frequency power. As a result, even if the size of the space in the reaction chamber for performing the etching process using plasma is as large as the wavelength of the high-frequency power for exciting the plasma, the plasma is kept in a desired region in the reaction chamber, that is, A plasma generated by high-frequency power having a VHF band or UHF band frequency that can be generated in a region between an excitation electrode (cathode electrode) and an electrode (anode electrode) facing the excitation electrode is etched over a large area. It can be used for.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】まず、本発明の基本原理について
説明する。本件発明者らは、プラズマ励起のための高周
波電力としてＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の高周波を用い
るプラズマ励起気相成長装置あるいはプラズマエッチン
グ装置において、各部位間、たとえばカソード電極とア
ノード電極との間、アノード電極とヒーターとの間等に
おけるインピーダンスを、ＲＦ帯からＵＨＦ帯までの広
い周波数帯域にわたって測定し、つぶさに解析を行った
結果、以下のことを解明した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the basic principle of the present invention will be described. In the plasma-excited vapor phase epitaxy apparatus or the plasma etching apparatus that uses the high frequency power of the VHF band or the UHF band as the high-frequency power for plasma excitation, the inventors of the present invention have made the anode between The impedance between the electrode and the heater was measured over a wide frequency band from the RF band to the UHF band and analyzed in detail, and as a result, the following was clarified.
【００２７】即ち、本来プラズマが生成するべき空間、
つまりカソード電極とアノード電極との間のインピーダ
ンスＺcaの周波数依存性を調べてみると、これまでの装
置構造における上記両電極間では、いわゆる並列共振に
起因するインピーダンスの極大がＲＦ帯より高い周波数
の数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚで起きていることが本件発明
者らの実験的研究で見い出された。このことは、このよ
うな並列共振付近の周波数では、インピーダンスが極大
となっている両電極間でのプラズマ生成の開始は困難と
なり、例えば図６に示す構造の装置では、むしろプラズ
マ９はインピーダンスのより低いカソードと反応室壁と
の間、あるいはアノード電極の裏側で生成してしまうこ
とを意味しており、実験的にもこのようなプラズマが形
成されることを確認した。That is, the space where plasma should originally be generated,
That is, when the frequency dependence of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode is examined, the impedance maximum due to so-called parallel resonance is higher than that in the RF band between the two electrodes in the conventional device structure. It has been found in the present inventors' experimental research that what is occurring at several tens of MHz to several hundreds of MHz. This means that at such a frequency near parallel resonance, it is difficult to start plasma generation between the electrodes whose impedance is maximized. For example, in the device having the structure shown in FIG. It means that the plasma is generated between the lower cathode and the reaction chamber wall or on the back side of the anode electrode, and it was confirmed experimentally that such plasma is formed.
【００２８】つまり、プラズマ励起のための高周波の周
波数が高くなって、つまりその波長が短くなって反応室
空間の寸法と同じオーダーになってくると、プラズマ励
起に用いるＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の電力は、あたか
も反応室空間を一種の導波管のようにインピーダンスの
影響を受けながら３次元的な電磁波として伝搬してしま
うこととなる。In other words, when the frequency of the high frequency for plasma excitation becomes high, that is, its wavelength becomes short and the size becomes the same as the size of the reaction chamber space, the power of VHF band or UHF band used for plasma excitation. Would propagate as a three-dimensional electromagnetic wave in the reaction chamber space as if it were a kind of waveguide, while being affected by impedance.
【００２９】そこで、本発明は、図５に示す電子デバイ
スの製造装置１００のように、本来プラズマが生成して
ほしいカソード電極１とアノード電極４との間の空間を
網目状隔壁１０により分割することによって、上記のよ
うな３次元的な一種の導波管を形成する、カソード電極
及びアノード電極の空間のインダクタンスＬや容量Ｃを
小さくするものである。なお、図５中、図６と同一符号
は従来の製造装置２００と同一のものを示している。Therefore, according to the present invention, like the electronic device manufacturing apparatus 100 shown in FIG. 5, the space between the cathode electrode 1 and the anode electrode 4 where plasma is originally desired to be generated is divided by the mesh partition wall 10. As a result, the inductance L and the capacitance C in the space of the cathode electrode and the anode electrode, which form a kind of three-dimensional waveguide as described above, are reduced. In FIG. 5, the same reference numerals as those in FIG. 6 indicate the same parts as those of the conventional manufacturing apparatus 200.
【００３０】上記のように、上記空間を分割することよ
って３次元的に伝搬している電磁波が該分割された各々
の領域に閉じ込めらる結果、各分割された領域を分布定
数回路として考えると、上記空間の分割は、それぞれの
分割された領域での電極の導体が短くなることに相当
し、これによって電極間の空間のインダクタンスＬとし
ての振る舞いが減じられる。As described above, by dividing the space, the electromagnetic wave propagating three-dimensionally is confined in each of the divided regions. As a result, each divided region is considered as a distributed constant circuit. The division of the space corresponds to the shortening of the conductor of the electrode in each divided region, which reduces the behavior as the inductance L of the space between the electrodes.
【００３１】言い換えると、上記電極間の空間の分割に
よって、一般にｆ0＝１／（２π√（ＬＣ））で表わさ
れる並列共振周波数ｆ0の分母のＬが小さくなり、並列
共振周波数がより高い周波数領域へと追いやられるよう
になる。その結果、一辺の長さが数十ｃｍ〜１ｍ程度で
あるような長尺な反応室を有するプラズマ励起化学気相
成長装置やプラズマエッチング装置においても、プラズ
マ励起のために使用する励起電力の周波数領域を従来の
ＲＦ帯（１３．５６ＭＨｚ）より高い周波数，つまりＶ
ＨＦ帯からＵＨＦ帯まで拡張することが可能となる訳で
ある。In other words, due to the division of the space between the electrodes, the denominator L of the parallel resonance frequency f 0 , which is generally represented by f 0 = 1 / (2π√ (LC)), becomes small, and the parallel resonance frequency becomes higher. It will be driven to the frequency domain. As a result, even in a plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus or a plasma etching apparatus having a long reaction chamber whose one side has a length of several tens of cm to 1 m, the frequency of the excitation power used for plasma excitation. Area higher than the conventional RF band (13.56MHz), that is, V
It is possible to extend from the HF band to the UHF band.
【００３２】上記構成の装置１００では、カソード電極
１にＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯の高周波電力が印加され
ると、該カソード１とアノード電極４との間にプラズマ
９ａが発生することとなる。In the apparatus 100 having the above structure, when high frequency power of VHF band or UHF band is applied to the cathode electrode 1, plasma 9a is generated between the cathode 1 and the anode electrode 4.
【００３３】ここで、励起電力を３次元的に伝搬してい
る電磁波と考えた場合、電極面内，つまりカソード電極
及びアノード電極の相対向する面に定在波が形成される
と、励起電極面内での電磁界の正弦波的分布が生じるた
めに、均一な薄膜形成あるいは加工特性が全く不可能と
なってしまう。Here, when the excitation power is considered as an electromagnetic wave propagating three-dimensionally, when a standing wave is formed in the electrode surface, that is, on the surfaces of the cathode electrode and the anode electrode facing each other, the excitation electrode Since a sinusoidal distribution of the electromagnetic field is generated in the plane, uniform thin film formation or processing characteristics are completely impossible.
【００３４】そこでさらに、反応室空間（対向する電極
間の空間）の、少なくとも電極面と平行な方向の寸法
を、電極面内に定在波が形成される寸法、つまりプラズ
マ励起用高周波電力の波長の２分の１（λ／２）よりも
小さくし、電磁界による定在波の形成をさけることによ
って、励起電極面内での電磁界の正弦波的分布の発生を
抑えることが、上述の電極間の空間を分割した構成の装
置でも不可欠となる。Therefore, the size of the reaction chamber space (the space between the opposing electrodes) in at least the direction parallel to the electrode surface is defined as the size at which a standing wave is formed in the electrode surface, that is, the high frequency power for plasma excitation. It is possible to suppress the generation of the sinusoidal distribution of the electromagnetic field within the excitation electrode surface by making the wavelength smaller than ½ (λ / 2) and avoiding the formation of the standing wave due to the electromagnetic field. It is indispensable even in a device in which the space between the electrodes is divided.
【００３５】従って、上述のカソード電極とアノード電
極との間の空間を分割してできる各領域の、少なくとも
電極面と平行な方向の寸法は、プラズマ励起用高周波電
力のλ／２よりも小さいことが望ましい。Therefore, the size of each region formed by dividing the space between the cathode electrode and the anode electrode described above at least in the direction parallel to the electrode surface is smaller than λ / 2 of the plasma excitation high-frequency power. Is desirable.
【００３６】以下、本発明の実施形態について説明す
る。 （実施形態１）図１は本発明の実施形態１によるプラズ
マＣＶＤ装置を説明するための図であり、図１（ａ）は
該プラズマＣＶＤ装置の構成を示す横断面図、図１
（ｂ）は反応室内での電極の配置を示す正面図である。The embodiments of the present invention will be described below. (Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram for explaining a plasma CVD apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1A is a cross-sectional view showing the configuration of the plasma CVD apparatus.
(B) is a front view showing the arrangement of electrodes in the reaction chamber.
【００３７】図において、図６と同一符号は従来の電子
デバイスの製造装置２００と同一のものを示し、１０１
は本実施形態１のいわゆるインライン型のプラズマＣＶ
Ｄ装置で、電子デバイスを構成する半導体膜などの成膜
処理を、所定のラインに沿って搬送される各被処理部材
に対して順次行うための反応室５ａを有している。該反
応室５ａ内には、基板トレーを兼ねるアノード電極４が
設けられており、また、該アノード電極４と対向するよ
うインターナル型のカソード電極１０１ａが配置されて
いる。In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 designate the same parts as those of the conventional electronic device manufacturing apparatus 200, and 101
Is a so-called in-line type plasma CV of the first embodiment.
The apparatus D has a reaction chamber 5a for sequentially performing a film forming process such as a semiconductor film forming an electronic device on each member to be processed conveyed along a predetermined line. An anode electrode 4 also serving as a substrate tray is provided in the reaction chamber 5a, and an internal cathode electrode 101a is arranged so as to face the anode electrode 4.
【００３８】上記カソード電極１０１ａは、一辺が７０
ｃｍの正方形形状の導電性電極板１ａと、これを電気的
にシールドする接地されたシールド部材２ａと、該シー
ルド部材２ａと導電性電極板１ａとの間に介在する絶縁
性部材２とから構成されており、高周波電源３ａからマ
ッチング回路３ｂを介して、プラズマ励起のための高周
波電力が印加されるようになっている。The cathode electrode 101a has a side of 70
cm square conductive electrode plate 1a, a grounded shield member 2a that electrically shields the conductive electrode plate 1a, and an insulating member 2 interposed between the shield member 2a and the conductive electrode plate 1a. Therefore, high frequency power for plasma excitation is applied from the high frequency power supply 3a through the matching circuit 3b.
【００３９】また上記アノード電極４は、一辺が９０ｃ
ｍの正方形形状を有し、インターナル型のカソード電極
と２．５ｃｍの間隔を隔てて設置されている。このアノ
ード電極は、被処理部材である正方形形状のガラス基板
（寸法３０ｃｍ×６０ｃｍ）を２枚装着可能な基板トレ
ーを兼ねている。The anode electrode 4 has a side of 90c.
It has a square shape of m, and is installed at a distance of 2.5 cm from the internal cathode electrode. This anode electrode also serves as a substrate tray on which two square glass substrates (dimensions 30 cm × 60 cm), which are the members to be processed, can be mounted.
【００４０】そして、本実施形態１の装置１０１は、上
記カソード電極１０１ａとアノード電極４との間の空間
を分割する網目状金属隔壁１０を有しており、該隔壁１
０は、上記アノード電極４の、基板が配置される領域の
境界部分に配置されている。この隔壁１０の、カソード
電極１０１ａに近接する部分は、高さ５ｍｍの絶縁性部
材１０ａによりカソード電極１０１に固定され、また該
隔壁１０の、反応室の周壁５に近接する部分は、導電性
部材１０ｂにより該反応室壁５に固定されており、アノ
ード電極４と同電位となるようになっている。さらに上
記網目状金属隔壁１０としては、その材質がステンレス
ＳＳ３１６であり、線経０．５ｍｍ，空孔部０．９５ｍ
ｍ角のものを用いている。この網目の形状そのものはＶ
ＨＦ帯あるいはＵＨＦ帯のプラズマが通過できない程度
に充分小さく、この網目の寸法は、少なくとも、プラズ
マ励起用の高周波電力の波長の１桁程度以下であること
が好ましい。The device 101 of the first embodiment has a mesh metal partition wall 10 that divides the space between the cathode electrode 101a and the anode electrode 4, and the partition wall 1
0 is arranged at the boundary of the region of the anode electrode 4 where the substrate is arranged. A portion of the partition wall 10 close to the cathode electrode 101a is fixed to the cathode electrode 101 by an insulating member 10a having a height of 5 mm, and a portion of the partition wall 10 close to the peripheral wall 5 of the reaction chamber is made of a conductive material. It is fixed to the reaction chamber wall 5 by 10b and has the same potential as the anode electrode 4. Further, as the mesh-shaped metal partition wall 10, the material thereof is stainless steel SS316, the wire length is 0.5 mm, and the hole portion is 0.95 m.
I use m-square ones. The shape of this mesh itself is V
It is preferable that the HF band or UHF band plasma is sufficiently small that it cannot pass through, and the size of this mesh is preferably at least about one digit of the wavelength of the high frequency power for plasma excitation.
【００４１】その他の構成は、上記従来の製造装置２０
０と同一である。The other construction is the same as the conventional manufacturing apparatus 20 described above.
Same as 0.
【００４２】次に作用効果について説明する。上記構成
の装置１０１において、上記隔壁１０を配置しない状態
で、カソード電極とアノード電極との間のインピーダン
スＺcaの周波数依存性を調べてみると、図２の実線で示
すような特性グラフＡが得られた。そして、この装置に
おける各部位について詳しくインピーダンス解析を行っ
たところ、カソード電極とアノード電極との間の空間及
びカソード電極と反応室壁との間の空間が近似的に一種
の導波管と等価となり、カソード電極とアノード電極と
の間の空間およびカソード電極周辺部と反応室壁との間
の空間における、容量成分（３００ｐＦ）とインダクタ
ンス成分（０．０２５μＨ）による並列共振によって、
カソード電極とアノード電極の空間におけるインピーダ
ンスが、周波数５８ＭＨｚ付近で極大となっていること
がわかった。Next, the function and effect will be described. When the frequency dependency of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode is examined in the device 101 having the above-described configuration without the partition wall 10 being arranged, a characteristic graph A as shown by the solid line in FIG. 2 is obtained. Was given. A detailed impedance analysis was performed on each part of this device, and the space between the cathode electrode and the anode electrode and the space between the cathode electrode and the reaction chamber wall were approximately equivalent to a kind of waveguide. , In the space between the cathode electrode and the anode electrode and in the space between the cathode electrode peripheral portion and the reaction chamber wall by parallel resonance due to the capacitance component (300 pF) and the inductance component (0.025 μH),
It was found that the impedance in the space between the cathode electrode and the anode electrode was maximized near the frequency of 58 MHz.
【００４３】これに対し、上記実施形態１の構成のプラ
ズマＣＶＤ装置１０１について、上記と同様各部でのイ
ンピーダンス解析を行った。この装置１０１では、カソ
ード電極とアノード電極との間の空間は、アノード電極
と電気的に同電位に固定された網目状金属隔壁１０によ
り、アノード電極の２枚の基板が配置される領域の境界
部分で２分割されている。On the other hand, with respect to the plasma CVD apparatus 101 having the structure of the first embodiment, impedance analysis was performed on each part in the same manner as above. In this device 101, the space between the cathode electrode and the anode electrode is defined by the meshed metal partition wall 10 electrically fixed to the same potential as the anode electrode so that the boundary between the regions where the two substrates of the anode electrode are arranged. It is divided into two parts.
【００４４】このような装置構成とすることによって、
カソード電極とアノード電極との間のインピーダンスＺ
caの周波数依存性として、図２の点線で示す特性グラフ
Ｂが得られた。With such a device configuration,
Impedance Z between cathode electrode and anode electrode
As the frequency dependence of ca, a characteristic graph B shown by the dotted line in FIG. 2 was obtained.
【００４５】上記図２の特性グラフから、上記隔壁１０
を配置した本実施形態１の装置１０１では、隔壁を有し
ない装置に比べて、インピーダンスが極大となる周波数
が１２２ＭＨｚまで高周波数側に移動していることが分
かる。From the characteristic graph of FIG. 2, the partition wall 10 is
It can be seen that in the device 101 of the first embodiment in which the above-mentioned arrangement is arranged, the frequency at which the impedance becomes maximum moves to the high frequency side up to 122 MHz, as compared with the device having no partition wall.
【００４６】つまり、この周波数１２２ＭＨｚ以下の高
周波電力であれば、上記カソード電極及びアノード電極
間でのプラズマ励起が可能である。このようにインピー
ダンスの極大が生ずるプラズマ励起用高周波電力の周波
数が高周波数側にシフトしたのは、該カソード電極とア
ノード電極との間の空間を電気的に２分割したことによ
り、分割された各空間でのインダクタンス成分が０．０
２５μＨから０．００５μＨと小さくできたためであ
る。That is, with the high frequency power of 122 MHz or less, plasma can be excited between the cathode electrode and the anode electrode. In this way, the frequency of the plasma excitation high-frequency power that causes the maximum impedance is shifted to the high frequency side because the space between the cathode electrode and the anode electrode is electrically divided into two parts. Inductance component in space is 0.0
This is because the value could be reduced from 25 μH to 0.005 μH.
【００４７】このような構成の本実施形態１では、数十
ｃｍ〜１ｍ程度を一辺とするような長尺な反応室を有す
るプラズマＣＶＤ装置においても、使用できるプラズマ
励起用電力の周波数領域を、従来のＲＦ帯（１３．５６
ＭＨｚ）より高い周波数，ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯まで拡
張することが可能となる。その結果、ＶＨＦ帯からＵＨ
Ｆ帯の周波数領域で得られる高品質な膜を、従来の装置
に比べて、高速でしかも大面積にわたって形成できるプ
ラズマＣＶＤ装置を得ることができる。In the first embodiment having such a configuration, the frequency range of the plasma excitation power that can be used in a plasma CVD apparatus having a long reaction chamber having a side of several tens of cm to 1 m is Conventional RF band (13.56
It is possible to extend from VHF band to UHF band at a frequency higher than (MHz). As a result, from the VHF band to UH
It is possible to obtain a plasma CVD apparatus capable of forming a high-quality film obtained in the F band frequency region at a higher speed and over a larger area as compared with a conventional apparatus.
【００４８】（実施形態２）図３は本発明の実施形態２
によるプラズマＣＶＤ装置を説明するための図であり、
図３（ａ）は該プラズマＣＶＤ装置の構成を示す横断面
図、図３（ｂ）は反応室内での電極の配置を示す正面図
である。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining a plasma CVD apparatus according to
FIG. 3 (a) is a transverse sectional view showing the structure of the plasma CVD apparatus, and FIG. 3 (b) is a front view showing the arrangement of electrodes in the reaction chamber.
【００４９】図において、図６と同一符号は従来の電子
デバイスの製造装置２００と同一のものを示し、１０２
は本実施形態２のいわゆるインライン型のプラズマＣＶ
Ｄ装置で、電子デバイスを構成する半導体膜などの成膜
処理を、所定のラインに沿って搬送される各被処理部材
に対して順次行うための反応室５ａを有している。該反
応室５ａ内には、基板トレーを兼ねるアノード電極４が
設けられており、また、該アノード電極４と対向するよ
うエクスターナル型のカソード電極１０２ａが配置され
ている。In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 designate the same parts as those of the conventional electronic device manufacturing apparatus 200, and 102
Is the so-called in-line type plasma CV of the second embodiment.
The apparatus D has a reaction chamber 5a for sequentially performing a film forming process such as a semiconductor film forming an electronic device on each member to be processed conveyed along a predetermined line. An anode electrode 4 which also serves as a substrate tray is provided in the reaction chamber 5a, and an external cathode electrode 102a is arranged so as to face the anode electrode 4.
【００５０】上記カソード電極１０２ａは、７０ｃｍ×
９０ｃｍの長方形形状の導電性電極板１ａと、該導電性
電極板１ａと反応室５ａの周壁５との間に介在する絶縁
性部材２とからなり、該カソード電極１０２ａには、高
周波電源３ａからマッチング回路３ｂを介して、プラズ
マ励起のための高周波電力が印加されるようになってい
る。The cathode electrode 102a has a size of 70 cm ×
It is composed of a 90 cm rectangular conductive electrode plate 1a and an insulating member 2 interposed between the conductive electrode plate 1a and the peripheral wall 5 of the reaction chamber 5a. The cathode electrode 102a is connected to the high frequency power source 3a. High frequency power for plasma excitation is applied through the matching circuit 3b.
【００５１】また上記アノード電極４ｂは、８０ｃｍ×
１００ｃｍの長方形形状を有し、エクスターナル型のカ
ソード電極１０２ａと２．５ｃｍの間隔を隔てて設置さ
れている。このアノード電極は、被処理部材である正方
形形状のガラス基板（寸法６０ｃｍ×４０ｃｍ）を２枚
装着可能な基板トレーを兼ねている。The anode electrode 4b has a size of 80 cm ×
It has a rectangular shape of 100 cm, and is arranged at a distance of 2.5 cm from the external type cathode electrode 102a. This anode electrode also serves as a substrate tray on which two square glass substrates (dimensions 60 cm × 40 cm), which are the members to be processed, can be mounted.
【００５２】そして、本実施形態２の装置１０２も上記
実施形態１と同様、上記カソード電極１０２ａとアノー
ド電極４との間の空間を分割する網目状金属隔壁１０を
有しており、該隔壁１０は、上記アノード電極４の、基
板が配置される領域の境界部分に配置されている。ここ
で、この網目状金属隔壁の固定の仕方及びその構造は、
上記実施形態１のものと同一としている。The device 102 of the second embodiment also has a mesh-like metal partition wall 10 that divides the space between the cathode electrode 102a and the anode electrode 4, as in the first embodiment. Are arranged at the boundary of the region of the anode electrode 4 where the substrate is arranged. Here, the method of fixing the mesh-shaped metal partition and its structure are
It is the same as that of the first embodiment.
【００５３】次に作用効果について説明する。上記構成
の装置１０２において、上記隔壁１０を配置しない状態
で、カソード電極とアノード電極との間のインピーダン
スＺcaの周波数依存性を調べてみると、図４の実線で示
すような特性グラフＣが得られた。そして、この装置に
おける各部位について詳しくインピーダンス解析を行っ
たところ、カソード電極とアノード電極との間の空間に
おけるインピーダンスは、図１に示すインターナル型の
カソード電極１０１ａを有する装置１０１の場合に比べ
て高い周波数８１ＭＨｚ付近で極大となっていることが
わかった。Next, the function and effect will be described. When the frequency dependency of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode is examined in the device 102 having the above-described configuration without the partition wall 10 arranged, a characteristic graph C as shown by the solid line in FIG. 4 is obtained. Was given. Then, detailed impedance analysis was performed on each part of this device. As a result, the impedance in the space between the cathode electrode and the anode electrode was higher than that of the device 101 having the internal cathode electrode 101a shown in FIG. It was found that the maximum was around the high frequency of 81 MHz.
【００５４】つまり、図３に示すエクスターナル型のカ
ソード電極１０２ａを有するプラズマＣＶＤ装置１０２
では、図１に示すプラズマＣＶＤ装置１０１と同様に、
カソード電極とアノード電極との間の空間はこれと等価
な一種の導波管で近似できるが、カソード電極と反応室
側壁との間には、絶縁部材２が介在しているため電磁波
が伝搬する空間がない。このため、並列共振に寄与する
電極間容量及び電極間インダクタンスはそれぞれ２００
ｐＦ及び０．０１９μＨであり、カソード電極とアノー
ド電極との間の空間におけるインピーダンスは、図１に
示すプラズマＣＶＤ装置１０１の場合に比べて高い周波
数で極大となっている。That is, the plasma CVD apparatus 102 having the external type cathode electrode 102a shown in FIG.
Then, like the plasma CVD apparatus 101 shown in FIG.
The space between the cathode electrode and the anode electrode can be approximated by a kind of waveguide equivalent to this, but since the insulating member 2 is interposed between the cathode electrode and the reaction chamber side wall, the electromagnetic wave propagates. There is no space. Therefore, the inter-electrode capacitance and inter-electrode inductance that contribute to parallel resonance are each 200
pF and 0.019 μH, and the impedance in the space between the cathode electrode and the anode electrode has a maximum at a higher frequency than in the case of the plasma CVD apparatus 101 shown in FIG.
【００５５】これに対し、上記反応室５ａ内に隔壁１０
を設けた実施形態２のプラズマＣＶＤ装置１０２につい
て、上記と同様各部でのインピーダンス解析を行った。
この実施形態２では、カソード電極とアノード電極との
間の空間を、アノード電極と電気的に同電位に固定され
た網目状金属隔壁１０を用いて、アノード電極に装着さ
れている２枚の基板の境界部分で２分割している。On the other hand, the partition wall 10 is provided in the reaction chamber 5a.
With respect to the plasma CVD apparatus 102 of the second embodiment provided with, impedance analysis was performed in each part in the same manner as above.
In this second embodiment, the space between the cathode electrode and the anode electrode is formed by using the mesh-like metal partition wall 10 electrically fixed to the same potential as the anode electrode, so that the two substrates mounted on the anode electrode. It is divided into two at the boundary part of.
【００５６】このような構成とすることにより、カソー
ド電極とアノード電極との間のインピーダンスＺcaの周
波数依存性として、図４の点線で示す特性グラフＤが得
られた。With such a structure, the characteristic graph D shown by the dotted line in FIG. 4 was obtained as the frequency dependence of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode.
【００５７】上記図４の特性グラフから、上記隔壁１０
を配置した本実施形態２の装置１０２では、隔壁を有し
ない装置に比べて、インピーダンスが極大となる周波数
が１３０ＭＨｚまで高周波側に移動していることが分か
る。From the characteristic graph of FIG. 4, the partition wall 10 is
It can be seen that in the device 102 of the present second embodiment in which is arranged, the frequency at which the impedance becomes maximum moves to the high frequency side up to 130 MHz, as compared with the device having no partition wall.
【００５８】つまり、この周波数１３０ＭＨｚ以下の高
周波電力であれば、上記カソード電極間及びアノード電
極間でのプラズマ励起が可能である。That is, with the high frequency power of 130 MHz or less, plasma can be excited between the cathode electrodes and between the anode electrodes.
【００５９】このようにインピーダンスの極大が生ずる
プラズマ励起用高周波電力の周波数が高周波数側にシフ
トしたのは、該カソード電極とアノード電極との間の空
間を電気的に２分割したことにより、分割された各空間
での並列共振に寄与するインダクタンス成分が０．０１
９μＨから０．００７５μＨと小さくできたためであ
る。The frequency of the high frequency power for plasma excitation which causes the maximum impedance is shifted to the high frequency side because the space between the cathode electrode and the anode electrode is electrically divided into two. The inductance component that contributes to parallel resonance in each of the created spaces is 0.01
This is because it can be reduced from 9 μH to 0.0075 μH.
【００６０】このような構成の実施形態２においても、
上記実施形態１と同様に、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯の周波
数領域で得られる高品質な膜を、従来の装置に比べて、
高速でしかも大面積にわたって形成できるプラズマＣＶ
Ｄ装置を得ることができる。Also in the second embodiment having such a configuration,
Similar to the first embodiment, a high-quality film obtained in the frequency region from the VHF band to the UHF band is compared with the conventional device,
Plasma CV that can be formed at high speed over a large area
D device can be obtained.
【００６１】なお、上記実施形態１及び２では、プラズ
マＣＶＤ装置を例にとって説明したが、反応ガスとして
ＣＦ4やＮＦ3などのエッチングガスを用いるエッチング
装置に、プラズマ励起用の高周波電力を印加する一対の
電極間の空間を分割する構成を適用できることは言うま
でもない。この場合、プラズマエッチング装置におい
て、被処理部材の高品質な加工処理（エッチング処理）
を、従来の装置に比べて高速でしかも大面積にわたって
行うことが可能となる。つまり、スループットの高い電
子デバイスの製造装置が得られる。In the first and second embodiments, the plasma CVD apparatus has been described as an example, but high frequency power for plasma excitation is applied to the etching apparatus using an etching gas such as CF 4 or NF 3 as a reaction gas. It goes without saying that a structure in which the space between the pair of electrodes is divided can be applied. In this case, in the plasma etching device, high-quality processing (etching) of the processed material
Can be performed at a higher speed than a conventional device and over a large area. That is, an electronic device manufacturing apparatus with high throughput can be obtained.
【００６２】また、上記一対の電極間の空間を分割した
各領域の、少なくとも電極面に平行な方向の寸法を、プ
ラズマ励起用の高周波電力の波長の２分の１より小さく
することにより、高周波電力の定在波の発生を回避する
ことができ、これにより一層均一な成膜処理やエッチン
グ処理が可能となる。Further, by making the size of each region dividing the space between the pair of electrodes at least in the direction parallel to the electrode surface smaller than half the wavelength of the high frequency power for plasma excitation, Generation of a standing wave of electric power can be avoided, which enables more uniform film formation processing and etching processing.
【００６３】また、前記網目状導電性隔壁（遮蔽手段）
により分割された、該一対の電極間の各領域を、前記被
処理部材の平面形状に対応したものとすることにより、
被処理部材の平面形状に合わせて、該電極間の領域を必
要最小限の大きさにして、各処理部材に最適なプラズマ
処理用の空間を実現できる。Further, the mesh-like conductive partition wall (shielding means)
By dividing each region between the pair of electrodes corresponding to the planar shape of the member to be processed,
The area between the electrodes can be made to have a necessary minimum size in accordance with the planar shape of the member to be processed, and a space for plasma processing most suitable for each processing member can be realized.
【００６４】さらに、前記一対の電極の一方である高周
波電力が印加されるカソード電極を、前記網目状導電性
隔壁（遮蔽手段）により分割された各領域毎に対応させ
て分割することにより、カソード電極への高周波電力の
給電点が該分割された各領域毎に分散されることとな
り、カソード電極に印加するプラズマ励起のための高周
波のパワーを小さくすることが可能となる。Further, the cathode electrode, which is one of the pair of electrodes and to which high frequency power is applied, is divided corresponding to each region divided by the mesh-like conductive partition wall (shielding means), whereby the cathode is formed. The feeding points of the high frequency power to the electrodes are dispersed in each of the divided regions, and the high frequency power for exciting the plasma applied to the cathode electrode can be reduced.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）に
よれば、成膜処理を行うための反応室内の、プラズマを
励起するための高周波電力を印加する一対の電極間の空
間を、遮蔽手段により複数の領域に分割したので、プラ
ズマを用いた成膜処理を行うための反応室内の空間の大
きさが、プラズマ励起用の高周波電力の波長と同レベル
の大きさとなっても、プラズマを反応室内の所望の領
域、つまり励起電極（カソード電極）とこれに対向する
電極（アノード電極）との間の領域に生成させることが
でき、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯の周波数領域で得られる高
品質な膜を、高速でしかも大面積にわたって形成できる
プラズマＣＶＤ装置を得ることができる。As described above, according to the present invention (Claim 1), the space between the pair of electrodes for applying the high frequency power for exciting the plasma is formed in the reaction chamber for performing the film forming process. Since it is divided into a plurality of regions by the shielding means, even if the size of the space in the reaction chamber for performing the film-forming process using plasma becomes the same level as the wavelength of the high-frequency power for plasma excitation, Plasma can be generated in a desired region in the reaction chamber, that is, a region between an excitation electrode (cathode electrode) and an electrode (anode electrode) facing the excitation electrode, and the plasma obtained in the frequency region from the VHF band to the UHF band is high. It is possible to obtain a plasma CVD apparatus capable of forming a high quality film at high speed over a large area.
【００６６】この発明（請求項２）によれば、前記遮蔽
手段として、アノード電極と同電位となる網目状導電性
隔壁を設けたので、該遮蔽手段により分割された個々の
領域の中間部分とその周縁部分とでの電界強度の均一化
により、該分割された領域での成膜処理の均一化を図る
ことができる効果がある。According to the present invention (claim 2), since the mesh-shaped conductive partition wall having the same potential as the anode electrode is provided as the shielding means, an intermediate portion of each region divided by the shielding means is provided. By making the electric field strength uniform at the peripheral portion, it is possible to achieve uniform film forming processing in the divided regions.
【００６７】この発明（請求項３）によれば、前記遮蔽
手段により分割された、該一対の電極間の各領域を、少
なくとも該両電極の対向面と平行な方向の寸法が、プラ
ズマを励起する高周波電力の波長の２分の１より小さい
領域としたので、各領域での高周波電力の定在波の発生
を回避して、成膜処理を均一に行うことができる。According to the present invention (Claim 3), each region between the pair of electrodes, which is divided by the shielding means, has at least a dimension in a direction parallel to the opposing surfaces of the electrodes to excite plasma. Since the region is smaller than ½ of the wavelength of the high-frequency power to be generated, it is possible to avoid the occurrence of the standing wave of the high-frequency power in each region and perform the film forming process uniformly.
【００６８】この発明（請求項４）によれば、前記遮蔽
手段により分割された、該一対の電極間の各領域を、前
記被処理部材の平面形状に対応したものとしたので、各
処理部材に最適なプラズマ処理用の空間を実現できる。According to the present invention (Claim 4), each area between the pair of electrodes divided by the shielding means corresponds to the planar shape of the member to be processed. The optimum plasma processing space can be realized.
【００６９】この発明（請求項５）によれば、前記一対
の電極の一方である高周波電力が印加されるカソード電
極を、前記遮蔽手段により分割された各領域毎に対応さ
せて分割したので、カソード電極に印加するプラズマ励
起のための高周波のパワーを小さくすることができる。According to the present invention (Claim 5), one of the pair of electrodes, which is the cathode electrode to which high-frequency power is applied, is divided corresponding to each of the regions divided by the shielding means. The high frequency power for plasma excitation applied to the cathode electrode can be reduced.
【００７０】この発明（請求項６）によれば、エッチン
グ処理を行うための反応室内の、プラズマを励起するた
めの高周波電力を印加する一対の電極間の空間を、遮蔽
手段により複数の領域に分割したので、プラズマを用い
たエッチング処理を行うための反応室内の空間の大きさ
が、プラズマ励起用の高周波電力の波長と同レベルの大
きさとなっても、プラズマを反応室内の所望の領域、つ
まり励起電極（カソード電極）とこれに対向する電極
（アノード電極）との間の領域に生成させることがで
き、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯の周波数領域で実現される高
品質な加工処理を、高速でしかも大面積にわたって行う
ことができるプラズマエッチング装置を得ることができ
る。According to the present invention (Claim 6), the space between the pair of electrodes for applying the high frequency power for exciting the plasma in the reaction chamber for carrying out the etching treatment is divided into a plurality of regions by the shielding means. Since it is divided, even if the size of the space in the reaction chamber for performing the etching process using plasma becomes the same level as the wavelength of the high-frequency power for exciting the plasma, the plasma is kept in the desired region in the reaction chamber, In other words, it can be generated in a region between the excitation electrode (cathode electrode) and the electrode (anode electrode) facing the excitation electrode (cathode electrode), and high-quality processing performed in the frequency region from the VHF band to the UHF band can be performed at high speed. Moreover, it is possible to obtain a plasma etching apparatus that can perform over a large area.
【図１】本発明の実施形態１によるプラズマＣＶＤ装置
を説明するための図であり、図１（ａ）は該プラズマＣ
ＶＤ装置の構成を示す横断面図、図１（ｂ）は反応室内
での電極の配置を示す正面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 1B is a cross-sectional view showing the configuration of the VD device, and FIG. 1B is a front view showing the arrangement of electrodes in the reaction chamber.
【図２】上記実施形態１のプラズマＣＶＤ装置におけ
る、カソード電極とアノード電極との間のインピーダン
スＺcaの周波数依存性を、網目状導電性隔壁がある場合
とこれがない場合とで比較して示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the frequency dependence of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode in the plasma CVD apparatus of Embodiment 1 described above, with and without the mesh-like conductive partition wall. Is.
【図３】本発明の実施形態２によるプラズマＣＶＤ装置
を説明するための図であり、図３（ａ）は該プラズマＣ
ＶＤ装置の構成を示す横断面図、図３（ｂ）は反応室内
での電極の配置を示す正面図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view showing the configuration of the VD device, and FIG. 3B is a front view showing the arrangement of electrodes in the reaction chamber.
【図４】上記実施形態２のプラズマＣＶＤ装置におけ
る、カソード電極とアノード電極との間のインピーダン
スＺcaの周波数依存性を、網目状導電性隔壁がある場合
とこれがない場合とで比較して示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the frequency dependence of the impedance Zca between the cathode electrode and the anode electrode in the plasma CVD apparatus according to the second embodiment, comparing the case where the mesh-shaped conductive partition is provided and the case where it is not provided. Is.
【図５】本発明の基本構成を説明するための図であり、
カソード電極とアノード電極との間の空間を分割する網
目状導電性隔壁を備えた、電子デバイスの製造装置の構
成を示している。FIG. 5 is a diagram for explaining the basic configuration of the present invention,
1 illustrates a configuration of an electronic device manufacturing apparatus including a mesh-shaped conductive partition that divides a space between a cathode electrode and an anode electrode.
【図６】従来の電子デバイスの製造装置の構成を示す図
である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional electronic device manufacturing apparatus.
２ 絶縁部材 ２ａ アースシールド部材 ３ａ 高周波電源 ３ｂ マッチング回路 ４ アノード電極 ５ 反応室壁 ５ａ 反応室 ５ｂ ガス排気口 ６ 被処理基板 ７ ヒーター ８ 原料ガス １０ 網目状導電性隔壁 １０ａ 絶縁性部材 １０ｂ 導電性部材 １１ 基板トレーローラー搬送部 １０１，１０２ プラズマＣＶＤ装置 １０１ａ インターナル型カソード電極 １０２ａ エクスターナル型カソード電極 2 Insulation member 2a Earth shield member 3a High frequency power supply 3b Matching circuit 4 Anode electrode 5 Reaction chamber wall 5a Reaction chamber 5b Gas exhaust port 6 Processed substrate 7 Heater 8 Raw material gas 10 Reticulated conductive partition wall 10a Insulating member 10b Conductive member 11 Substrate Tray Roller Transport Unit 101, 102 Plasma CVD Device 101a Internal Cathode Electrode 102a External Cathode Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H05H 1/46 H01L 21/302 C
Claims (6)
して成膜処理を施すための反応室と、 該反応室内に相対向するよう配置され、プラズマを励起
するための高周波電界を発生する少なくとも一対の電極
と、 該一対の電極間に印加する、ラジオ波帯より高いＶＨＦ
帯あるいはＵＨＦ帯の高周波電力を発生する電源と、 該一対の電極間の空間を複数の領域に分割する遮蔽手段
とを備えたプラズマ励起化学気相成長装置。1. A reaction chamber for supplying a film-forming gas to perform a film-forming process on a member to be processed, and a high-frequency electric field for exciting plasma which are arranged so as to face each other in the reaction chamber. Generated at least a pair of electrodes and a VHF higher than the radio frequency band applied between the pair of electrodes
A plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus provided with a power source for generating high-frequency power in the band or UHF band, and a shielding means for dividing a space between the pair of electrodes into a plurality of regions.
長装置において、 前記遮蔽手段は、相対向するカソード電極とアノード電
極との間に配置された、該アノード電極と同電位となる
よう構成された網目状導電性隔壁であるプラズマ励起化
学気相成長装置。2. The plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the shielding means is arranged between the cathode electrode and the anode electrode facing each other and has the same potential as the anode electrode. -Enhanced plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus which is a reticulated conductive partition wall.
長装置において、 前記遮蔽手段により分割された各領域は、少なくとも該
両電極の対向面と平行な方向の寸法が、プラズマを励起
する高周波電力の波長の２分の１より小さいものとなっ
ているプラズマ励起化学気相成長装置。3. The plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein each region divided by the shielding means has at least a dimension in a direction parallel to a facing surface of the electrodes for exciting plasma. A plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus with a wavelength smaller than half the wavelength of electric power.
長装置において、 前記遮蔽手段により分割された各領域は、前記被処理部
材の平面形状に対応させて分割したものであるプラズマ
励起化学気相成長装置。4. The plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the regions divided by the shielding means are divided according to the planar shape of the member to be processed. Phase growth equipment.
長装置において、 前記一対の電極の一方である高周波電力が印加されるカ
ソード電極を、前記遮蔽手段により分割された各領域毎
に分割した構造としたプラズマ励起化学気相成長装置。5. The plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the cathode electrode, which is one of the pair of electrodes and to which high-frequency power is applied, is divided into each region divided by the shielding means. Structured plasma-enhanced chemical vapor deposition equipment.
材に対してエッチング処理を施すための反応室と、 該反応室内に相対向するよう配置され、プラズマを励起
するための高周波電界を発生する少なくとも一対の電極
と、 該一対の電極間に印加する、ラジオ波帯より高いＶＨＦ
帯あるいはＵＨＦ帯の高周波電力を発生する電源と、 該一対の電極間の空間を複数の領域に分割する遮蔽手段
とを備えたプラズマエッチング装置。6. A reaction chamber for supplying an etching gas to perform etching treatment on a member to be processed, and a reaction chamber arranged so as to face each other in the reaction chamber to generate a high frequency electric field for exciting plasma. At least a pair of electrodes and a VHF higher than the radio frequency band applied between the pair of electrodes
A plasma etching apparatus provided with a power source for generating high frequency power in the UHF band or UHF band, and a shielding means for dividing a space between the pair of electrodes into a plurality of regions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13230496A JP3228679B2 (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Plasma-excited chemical vapor deposition apparatus and plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13230496A JP3228679B2 (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Plasma-excited chemical vapor deposition apparatus and plasma etching apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320966A true JPH09320966A (en) | 1997-12-12 |
| JP3228679B2 JP3228679B2 (en) | 2001-11-12 |
Family
ID=15078177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13230496A Expired - Fee Related JP3228679B2 (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Plasma-excited chemical vapor deposition apparatus and plasma etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3228679B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001015209A1 (en) * | 1999-08-21 | 2001-03-01 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| JP2001077091A (en) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | Plasma processing device |
| JP2001144079A (en) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | Plasma treatment device |
| US6797643B2 (en) | 2002-10-23 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power |
| US6932092B2 (en) | 2002-11-22 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber using very high frequency energy |
| JP2006236867A (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | Plasma treatment member |
| JP4936297B2 (en) * | 2007-09-04 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and semiconductor device |
| WO2014086130A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 中国科学院南京土壤研究所 | Cold plasma glow discharging generator in low-vacuum state |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP13230496A patent/JP3228679B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666923B1 (en) | 1999-08-21 | 2003-12-23 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| WO2001015209A1 (en) * | 1999-08-21 | 2001-03-01 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| AU771642B2 (en) * | 1999-08-21 | 2004-04-01 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| JP4576011B2 (en) * | 1999-09-03 | 2010-11-04 | 株式会社アルバック | Plasma processing equipment |
| JP2001144079A (en) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | Plasma treatment device |
| JP4528418B2 (en) * | 1999-09-03 | 2010-08-18 | 株式会社アルバック | Plasma processing equipment |
| JP2001077091A (en) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | Plasma processing device |
| US6797643B2 (en) | 2002-10-23 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power |
| US6932092B2 (en) | 2002-11-22 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber using very high frequency energy |
| JP2006236867A (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | Plasma treatment member |
| JP4936297B2 (en) * | 2007-09-04 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and semiconductor device |
| US8395250B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Sharp | Plasma processing apparatus with an exhaust port above the substrate |
| WO2014086130A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 中国科学院南京土壤研究所 | Cold plasma glow discharging generator in low-vacuum state |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3228679B2 (en) | 2001-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0809274B1 (en) | Apparatus and method for manufacturing an electronic device | |
| JP3739137B2 (en) | Plasma generator and surface treatment apparatus using the plasma generator | |
| JP3482904B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US6228438B1 (en) | Plasma reactor for the treatment of large size substrates | |
| US20110272099A1 (en) | Plasma processing apparatus and method for the plasma processing of substrates | |
| JP3224011B2 (en) | Plasma-excited chemical vapor deposition apparatus and plasma etching apparatus | |
| JP2002343787A (en) | Plasma treatment equipment and its cleaning method | |
| US8129912B2 (en) | Electrode device and apparatus for generating plasma | |
| JP3437376B2 (en) | Plasma processing apparatus and processing method | |
| JP2003109798A (en) | Discharge device, plasma treatment method and solar cell | |
| JP3182702B2 (en) | Method and apparatus for treating a substrate with low pressure plasma | |
| JP3228679B2 (en) | Plasma-excited chemical vapor deposition apparatus and plasma etching apparatus | |
| US20050067934A1 (en) | Discharge apparatus, plasma processing method and solar cell | |
| JPH1116843A (en) | Electronic device manufacturing system | |
| JP4220316B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2003109908A (en) | Device and method for plasma treatment, substrate, and semiconductor device | |
| US6967622B2 (en) | Plasma device and plasma generating method | |
| JP2006286705A (en) | Plasma deposition method and deposition structure | |
| JP2002110649A (en) | Plasma treatment apparatus | |
| JP2000260598A (en) | Plasma generating device | |
| KR20100053255A (en) | Inductively coupled plasma apparatus with dual vacuumed chambers | |
| JP3581813B2 (en) | Thin film manufacturing method and thin film solar cell manufacturing method | |
| JP4158729B2 (en) | Plasma CVD equipment | |
| JP2000223424A (en) | Electronic device manufacturing apparatus and method therefor | |
| JPH10340858A (en) | Manufacturing equipment for electronic device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010827 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090907 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090907 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |