JPH09311433A - フォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカスチェック方法 - Google Patents
フォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカスチェック方法Info
- Publication number
- JPH09311433A JPH09311433A JP12619296A JP12619296A JPH09311433A JP H09311433 A JPH09311433 A JP H09311433A JP 12619296 A JP12619296 A JP 12619296A JP 12619296 A JP12619296 A JP 12619296A JP H09311433 A JPH09311433 A JP H09311433A
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- Japan
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- mask
- patterns
- pattern
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 目視のみによる短時間で正確なフォーカスチ
ェックを行い得るフォーカスチェック用マスク及びそれ
を用いたフォーカスチェック方法を提供する。 【解決手段】 フォーカスチェック用マスクにおいて、
Ｘ軸方向にライン／スペースパターンが配置され、かつ
Ｚ軸方向に傾斜させフォーカスをズラして配置される複
数の遮光パターンとしてのＣｒパターン２を備え、この
複数のＣｒパターン２のそれぞれのエリア毎に、ライン
／スペースパターンが同一方向に規則的に配置されるよ
うに構成した。
ェックを行い得るフォーカスチェック用マスク及びそれ
を用いたフォーカスチェック方法を提供する。 【解決手段】 フォーカスチェック用マスクにおいて、
Ｘ軸方向にライン／スペースパターンが配置され、かつ
Ｚ軸方向に傾斜させフォーカスをズラして配置される複
数の遮光パターンとしてのＣｒパターン２を備え、この
複数のＣｒパターン２のそれぞれのエリア毎に、ライン
／スペースパターンが同一方向に規則的に配置されるよ
うに構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおけるフォトリソ工程において、反射プロジェクシ
ョンアライナーでのフォーカスチェック用マスク及びそ
れを用いたフォーカスチェック方法に関するものであ
る。
スにおけるフォトリソ工程において、反射プロジェクシ
ョンアライナーでのフォーカスチェック用マスク及びそ
れを用いたフォーカスチェック方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開昭６１−１８１１２７号公報、特開昭６３
−２１４７５６号公報、特開昭６３−１３２４２８号公
報、特開昭６３−３０７７３０号公報等に開示されるも
のがあった。このような、半導体製造プロセスにおける
フォトリソ工程において、反射プロジェクションアライ
ナー（露光機）でフォーカスをチェックする場合、通常
は図５に示すような、傾斜マスク〔マスク内でＣｒ面
（フォーカスチェック用のパターンが描画されている）
を傾けている〕を用い、ウエハ上にパターンを転写さ
せ、金顕（ミクロ）によるパターンチェック（レジスト
抜け又はプロファイル判断による、挟み込み法）でフォ
ーカス値を算出するのが主流である。
例えば、特開昭６１−１８１１２７号公報、特開昭６３
−２１４７５６号公報、特開昭６３−１３２４２８号公
報、特開昭６３−３０７７３０号公報等に開示されるも
のがあった。このような、半導体製造プロセスにおける
フォトリソ工程において、反射プロジェクションアライ
ナー（露光機）でフォーカスをチェックする場合、通常
は図５に示すような、傾斜マスク〔マスク内でＣｒ面
（フォーカスチェック用のパターンが描画されている）
を傾けている〕を用い、ウエハ上にパターンを転写さ
せ、金顕（ミクロ）によるパターンチェック（レジスト
抜け又はプロファイル判断による、挟み込み法）でフォ
ーカス値を算出するのが主流である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のフォーカスチェック方法では、比較的精度よく
フォーカス値を算出することがきるが、金顕（ミクロ）
によるパターンチェックであるため、フォーカスチェッ
ク終了までに時間がかかってしまうという問題点があっ
た。
た従来のフォーカスチェック方法では、比較的精度よく
フォーカス値を算出することがきるが、金顕（ミクロ）
によるパターンチェックであるため、フォーカスチェッ
ク終了までに時間がかかってしまうという問題点があっ
た。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、目視のみ
による短時間で正確なフォーカスチェックを行い得るフ
ォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカス
チェック方法を提供することを目的とする。
による短時間で正確なフォーカスチェックを行い得るフ
ォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカス
チェック方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）フォーカスチェック用マスクにおいて、Ｘ軸方向
にライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向
に傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光
パターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれの
エリア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規
則的に配置されるように構成する。
成するために、 （１）フォーカスチェック用マスクにおいて、Ｘ軸方向
にライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向
に傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光
パターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれの
エリア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規
則的に配置されるように構成する。
【０００６】したがって、目視のみによる短時間で正確
なフォーカスチェックを行い得るフォーカスチェック用
マスクを得ることができる。 （２）フォーカスチェック用マスクを用いたフォーカス
チェック方法において、ウエハをセットし、Ｘ軸方向に
ライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向に
傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光パ
ターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれのエ
リア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規則
的に配置されるマスクを用い、前記ウエハのセンターを
基準にして、前記遮光パターンをＹ軸方向に合わせて、
前記ウエハ上に転写されたパターンでもって、Ｘ軸方向
のフォーカスチェックを行うようにしたものである。
なフォーカスチェックを行い得るフォーカスチェック用
マスクを得ることができる。 （２）フォーカスチェック用マスクを用いたフォーカス
チェック方法において、ウエハをセットし、Ｘ軸方向に
ライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向に
傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光パ
ターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれのエ
リア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規則
的に配置されるマスクを用い、前記ウエハのセンターを
基準にして、前記遮光パターンをＹ軸方向に合わせて、
前記ウエハ上に転写されたパターンでもって、Ｘ軸方向
のフォーカスチェックを行うようにしたものである。
【０００７】したがって、遮光パターン内の細線パター
ンを用いることにより、目視（色むら）によるチェック
が可能であり、しかもフォーカスずれ量まで算出するこ
とができる。 （３）フォーカスチェック用マスクを用いたフォーカス
チェック方法において、ウエハをセットし、Ｘ軸方向に
ライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向に
傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光パ
ターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれのエ
リア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規則
的に配置されるマスクを用い、前記ウエハのセンターを
基準にして、前記遮光パターンをＸ軸方向に合わせて、
前記ウエハ上に転写されたパターンでもって、Ｙ軸方向
のフォーカスチェックを行うようにしたものである。
ンを用いることにより、目視（色むら）によるチェック
が可能であり、しかもフォーカスずれ量まで算出するこ
とができる。 （３）フォーカスチェック用マスクを用いたフォーカス
チェック方法において、ウエハをセットし、Ｘ軸方向に
ライン／スペースパターンが配置され、かつＺ軸方向に
傾斜させフォーカスをずらして配置される複数の遮光パ
ターンを備え、この複数の遮光パターンのそれぞれのエ
リア毎に、ライン／スペースパターンが同一方向に規則
的に配置されるマスクを用い、前記ウエハのセンターを
基準にして、前記遮光パターンをＸ軸方向に合わせて、
前記ウエハ上に転写されたパターンでもって、Ｙ軸方向
のフォーカスチェックを行うようにしたものである。
【０００８】このように、マスクを９０°回転させ、同
様にフォーカスチェックを行うことにより、Ｘ方向とＹ
方向のフォーカスずれまでもチェック可能である。
様にフォーカスチェックを行うことにより、Ｘ方向とＹ
方向のフォーカスずれまでもチェック可能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例
を示すフォーカスチェック用マスクの平面図、図２はそ
のフォーカスチェック用マスクの側面図、図３はその遮
光パターンエリアとしてのＣｒパターンエリアの拡大図
である。
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例
を示すフォーカスチェック用マスクの平面図、図２はそ
のフォーカスチェック用マスクの側面図、図３はその遮
光パターンエリアとしてのＣｒパターンエリアの拡大図
である。
【００１０】これらの図において、１はガラス、２は遮
光パターンとしてのＣｒパターンであり、このＬ（ライ
ン）＆Ｓ（スペース）パターンはＸ軸方向に配列されて
いる。そのＣｒパターン２のエリア内には、同一寸法
（例、２μｍ）のＬ（ライン）＆Ｓ（スペース）つま
り、Ｌ／Ｓパターンが同一方向に規則的に配置されてい
る。しかも、このＬ／Ｓパターンは図２に示すようにＺ
軸方向に傾斜して配置されている。
光パターンとしてのＣｒパターンであり、このＬ（ライ
ン）＆Ｓ（スペース）パターンはＸ軸方向に配列されて
いる。そのＣｒパターン２のエリア内には、同一寸法
（例、２μｍ）のＬ（ライン）＆Ｓ（スペース）つま
り、Ｌ／Ｓパターンが同一方向に規則的に配置されてい
る。しかも、このＬ／Ｓパターンは図２に示すようにＺ
軸方向に傾斜して配置されている。
【００１１】このように、Ｃｒパターン２のエリア内に
は同一寸法（例えば、２μｍ・Ｌ／Ｓとか、製品のデザ
インルールに対応させるのがベストである。）のパター
ンを同一方向に規則正しく、しかも各エリア毎にフォー
カスをずらして配置させ、マスク内で傾斜させることに
より、ウエハ上に転写されたパターンでもって、金顕
（ミクロ）を使用することなく、色むら外観検査（マク
ロ）のみでフォーカスずれをチェックすることが可能と
なる。
は同一寸法（例えば、２μｍ・Ｌ／Ｓとか、製品のデザ
インルールに対応させるのがベストである。）のパター
ンを同一方向に規則正しく、しかも各エリア毎にフォー
カスをずらして配置させ、マスク内で傾斜させることに
より、ウエハ上に転写されたパターンでもって、金顕
（ミクロ）を使用することなく、色むら外観検査（マク
ロ）のみでフォーカスずれをチェックすることが可能と
なる。
【００１２】このようにして得られるフォーカスチェッ
ク用マスクを用いたフォーカスシフト判定方法について
説明する。図４は本発明の実施例を示すウエハ上に転写
されたパターンの概略平面図である。この図に示すよう
に、例えば、反射プロジェクションアライナー（露光
機）にて、フォーカスずれがあり、そのずれ量が＋４μ
ｍであるとすると、ウエハ１１センターより右側４μｍ
のパターンエリアが色むらセンターとなる。
ク用マスクを用いたフォーカスシフト判定方法について
説明する。図４は本発明の実施例を示すウエハ上に転写
されたパターンの概略平面図である。この図に示すよう
に、例えば、反射プロジェクションアライナー（露光
機）にて、フォーカスずれがあり、そのずれ量が＋４μ
ｍであるとすると、ウエハ１１センターより右側４μｍ
のパターンエリアが色むらセンターとなる。
【００１３】上記したように、本発明のマスクを用いて
フォーカスをチェックした場合、ウエハ１１に転写され
たパターンを目視検査（マクロ）しただけで、容易にフ
ォーカスずれをチェックすることができ、しかもフォー
カスずれ量までも目視にて簡単に定量化することが可能
となる。さらに、マスクを９０°回転させ、同様にフォ
ーカスチェックを行うことにより、Ｘ方向とＹ方向のフ
ォーカスずれまでもチェックが可能であり、露光機の光
学系収差（９０°成分）を容易にチェックすることが、
併せて可能となる。
フォーカスをチェックした場合、ウエハ１１に転写され
たパターンを目視検査（マクロ）しただけで、容易にフ
ォーカスずれをチェックすることができ、しかもフォー
カスずれ量までも目視にて簡単に定量化することが可能
となる。さらに、マスクを９０°回転させ、同様にフォ
ーカスチェックを行うことにより、Ｘ方向とＹ方向のフ
ォーカスずれまでもチェックが可能であり、露光機の光
学系収差（９０°成分）を容易にチェックすることが、
併せて可能となる。
【００１４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、目視のみによる短
時間で正確なフォーカスチェックを行い得るフォーカス
チェック用マスクを得ることができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、目視のみによる短
時間で正確なフォーカスチェックを行い得るフォーカス
チェック用マスクを得ることができる。
【００１６】（２）請求項２記載の発明によれば、遮光
パターン内の細線パターンを用いることにより、目視
（色むら）によるチェックが可能であり、しかもフォー
カスずれ量まで算出することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、マスクを９０°回
転させ、同様にフォーカスチェックを行うことにより、
Ｘ方向とＹ方向のフォーカスずれまでもチェックが可能
である。
パターン内の細線パターンを用いることにより、目視
（色むら）によるチェックが可能であり、しかもフォー
カスずれ量まで算出することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、マスクを９０°回
転させ、同様にフォーカスチェックを行うことにより、
Ｘ方向とＹ方向のフォーカスずれまでもチェックが可能
である。
【図１】本発明の実施例を示すフォーカスチェック用マ
スクの平面図である。
スクの平面図である。
【図２】本発明の実施例を示すフォーカスチェック用マ
スクの側面図である。
スクの側面図である。
【図３】本発明の実施例を示す遮光パターンエリアとし
てのＣｒパターンエリアの拡大図である。
てのＣｒパターンエリアの拡大図である。
【図４】本発明の実施例を示すウエハ上に転写されたパ
ターンの概略平面図である。
ターンの概略平面図である。
【図５】従来の傾斜マスクの断面図である。
１ ガラス ２ 遮光パターンとしてのＣｒパターン １１ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 フォーカスチェック用マスクにおいて、
（ａ）Ｘ軸方向にライン／スペースパターンが配置さ
れ、かつＺ軸方向に傾斜させフォーカスをずらして配置
される複数の遮光パターンを備え、（ｂ）該複数の遮光
パターンのそれぞれのエリア毎に、ライン／スペースパ
ターンが同一方向に規則的に配置されるように構成した
ことを特徴とするフォーカスチェック用マスク。 - 【請求項２】 フォーカスチェック用マスクを用いたフ
ォーカスチェック方法において、（ａ）ウエハをセット
し、（ｂ）Ｘ軸方向にライン／スペースパターンが配置
され、かつＺ軸方向に傾斜させフォーカスをずらして配
置される複数の遮光パターンを備え、該複数の遮光パタ
ーンのそれぞれのエリア毎に、ライン／スペースパター
ンが同一方向に規則的に配置されるマスクを用い、
（ｃ）前記ウエハのセンターを基準にして、前記遮光パ
ターンをＹ軸方向に合わせて、前記ウエハ上に転写され
たパターンでもって、Ｘ軸方向のフォーカスチェックを
行うことを特徴とするフォーカスチェック方法。 - 【請求項３】 フォーカスチェック用マスクを用いたフ
ォーカスチェック方法において、（ａ）ウエハをセット
し、（ｂ）Ｘ軸方向にライン／スペースパターンが配置
され、かつＺ軸方向に傾斜させフォーカスをずらして配
置される複数の遮光パターンを備え、該複数の遮光パタ
ーンのそれぞれのエリア毎に、ライン／スペースパター
ンが同一方向に規則的に配置されるマスクを用い、
（ｃ）前記ウエハのセンターを基準にして、前記遮光パ
ターンをＸ軸方向に合わせて、前記ウエハ上に転写され
たパターンでもって、Ｙ軸方向のフォーカスチェックを
行うことを特徴とするフォーカスチェック方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12619296A JPH09311433A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | フォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカスチェック方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12619296A JPH09311433A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | フォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカスチェック方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311433A true JPH09311433A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14928983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12619296A Withdrawn JPH09311433A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | フォーカスチェック用マスク及びそれを用いたフォーカスチェック方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09311433A (ja) |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP12619296A patent/JPH09311433A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |