JPH09311138A - シリコン加速度センサ - Google Patents
シリコン加速度センサInfo
- Publication number
- JPH09311138A JPH09311138A JP8129991A JP12999196A JPH09311138A JP H09311138 A JPH09311138 A JP H09311138A JP 8129991 A JP8129991 A JP 8129991A JP 12999196 A JP12999196 A JP 12999196A JP H09311138 A JPH09311138 A JP H09311138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- acceleration sensor
- spacer
- package member
- shaped structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ部材１０とシリコン加速度センサ
との間の熱膨張係数の差に起因する応力による加速度セ
ンサの特性の悪化、絶縁性を改善する。 【解決手段】 シリコン基板１に形成した質量部２とこ
れを取り囲む枠部３とが梁状構造部４を介して結合し、
質量部２の変位を規制するシリコンより成る上側ストッ
パ８１および下側ストッパ８３を枠部３に接合し、下側
ストッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定し、梁状
構造部４の一部の領域に形成したピエゾ抵抗部Ｒの抵抗
値の変化により入力加速度を検出するシリコン加速度セ
ンサにおいて、下側ストッパ８３下面とパッケージ部材
１０との間に熱膨張係数がシリコンと同等の絶縁材料よ
り成るスペーサ９０を介挿して下側ストッパ８３をパッ
ケージ部材１０に接合固定したシリコン加速度センサ。
との間の熱膨張係数の差に起因する応力による加速度セ
ンサの特性の悪化、絶縁性を改善する。 【解決手段】 シリコン基板１に形成した質量部２とこ
れを取り囲む枠部３とが梁状構造部４を介して結合し、
質量部２の変位を規制するシリコンより成る上側ストッ
パ８１および下側ストッパ８３を枠部３に接合し、下側
ストッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定し、梁状
構造部４の一部の領域に形成したピエゾ抵抗部Ｒの抵抗
値の変化により入力加速度を検出するシリコン加速度セ
ンサにおいて、下側ストッパ８３下面とパッケージ部材
１０との間に熱膨張係数がシリコンと同等の絶縁材料よ
り成るスペーサ９０を介挿して下側ストッパ８３をパッ
ケージ部材１０に接合固定したシリコン加速度センサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコン加速度
センサに関し、特に、シリコン基板に形状した梁状構造
にピエゾ抵抗を設けて加速度を検出するシリコン加速度
センサに関する。
センサに関し、特に、シリコン基板に形状した梁状構造
にピエゾ抵抗を設けて加速度を検出するシリコン加速度
センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図２を参照して説明する。図２
（ａ）はシリコン加速度センサの従来例を上から視たと
ころを示す図である。図２（ｂ）は断面を示す図であ
る。１はシリコン加速度センサが構成される基になった
長方形のシリコン基板を示す。２はシリコン基板１に形
成した質量部である。３は質量部２を取り囲む枠部であ
る。質量部２と枠部３とは４により示される梁状構造部
により接続されている。これら質量部２および枠部３は
長方形のシリコン基板１にコ字状貫通溝５を形成するこ
とにより構成されると共に、質量部２の枠部３との間の
境界領域中央に貫通孔６を形成することにより梁状構造
部４が構成される。梁状構造部４は、図２（ｂ）に示さ
れる如く、更に、下側を加工して切除部７を形成し厚さ
を薄くして完成する。梁状構造部４はこの様に構成する
ことにより、質量部２に作用する慣性力に起因して枠部
３を基準として上下に容易に屈曲することができる。Ｒ
1 ないしＲ4 はピエゾ抵抗部である。ピエゾ抵抗部Ｒ1
は梁状構造部４1 表面と枠部３表面に跨って結合領域４
３に形成されている。ピエゾ抵抗部Ｒ4 も同様に梁状構
造部４2 表面と枠部３表面に跨って結合領域４３に形成
されている。ピエゾ抵抗部Ｒ2 およびＲ3 は全体が枠部
３表面に形成されている。ピエゾ抵抗部Ｒ 1 の梁状構造
部４1 側に形成された部分は、配線１２1 を介して端子
部１４SHに接続している。配線１２2 はピエゾ抵抗部Ｒ
1 の枠部３側に形成された部分を端子部１４G に接続し
ている。ピエゾ抵抗部Ｒ2 は枠部３表面に形成されてお
り、端子部１４SHに接続すると共に配線１２3 により端
子部１４V に接続している。ピエゾ抵抗部Ｒ4 の梁状構
造部４1 側に形成された部分は配線１２4 を介して端子
部１４SLに接続している。配線１２5 はピエゾ抵抗部Ｒ
4 の枠部３側に形成された部分を端子部１４V に接続し
ている。ピエゾ抵抗部Ｒ3 は端子部１４SLに接続すると
共に、端子部１４G に接続している。
（ａ）はシリコン加速度センサの従来例を上から視たと
ころを示す図である。図２（ｂ）は断面を示す図であ
る。１はシリコン加速度センサが構成される基になった
長方形のシリコン基板を示す。２はシリコン基板１に形
成した質量部である。３は質量部２を取り囲む枠部であ
る。質量部２と枠部３とは４により示される梁状構造部
により接続されている。これら質量部２および枠部３は
長方形のシリコン基板１にコ字状貫通溝５を形成するこ
とにより構成されると共に、質量部２の枠部３との間の
境界領域中央に貫通孔６を形成することにより梁状構造
部４が構成される。梁状構造部４は、図２（ｂ）に示さ
れる如く、更に、下側を加工して切除部７を形成し厚さ
を薄くして完成する。梁状構造部４はこの様に構成する
ことにより、質量部２に作用する慣性力に起因して枠部
３を基準として上下に容易に屈曲することができる。Ｒ
1 ないしＲ4 はピエゾ抵抗部である。ピエゾ抵抗部Ｒ1
は梁状構造部４1 表面と枠部３表面に跨って結合領域４
３に形成されている。ピエゾ抵抗部Ｒ4 も同様に梁状構
造部４2 表面と枠部３表面に跨って結合領域４３に形成
されている。ピエゾ抵抗部Ｒ2 およびＲ3 は全体が枠部
３表面に形成されている。ピエゾ抵抗部Ｒ 1 の梁状構造
部４1 側に形成された部分は、配線１２1 を介して端子
部１４SHに接続している。配線１２2 はピエゾ抵抗部Ｒ
1 の枠部３側に形成された部分を端子部１４G に接続し
ている。ピエゾ抵抗部Ｒ2 は枠部３表面に形成されてお
り、端子部１４SHに接続すると共に配線１２3 により端
子部１４V に接続している。ピエゾ抵抗部Ｒ4 の梁状構
造部４1 側に形成された部分は配線１２4 を介して端子
部１４SLに接続している。配線１２5 はピエゾ抵抗部Ｒ
4 の枠部３側に形成された部分を端子部１４V に接続し
ている。ピエゾ抵抗部Ｒ3 は端子部１４SLに接続すると
共に、端子部１４G に接続している。
【０００３】以上の加速度センサは、ピエゾ抵抗部Ｒお
よび配線１２は図３に示される通りのブリッジ回路を形
成している。このブリッジ回路は、その端子部１４V と
端子部１４G との間に電圧Ｖ＋を印加して加速度が入力
されていない状態において、端子部１４SHと端子部１４
SLとの間の出力が０の平衡状態に調整されている。ここ
で、図２（ｂ）を参照するに、加速度センサに矢印の向
きの加速度が入力されると、これに起因して質量部２に
矢印の向きの慣性力が作用する結果、質量部２は矢印の
向きに変位して梁状構造部４は下向きに屈曲せしめられ
る。梁状構造部４が下向きに屈曲せしめられると、上面
に形成されているピエゾ抵抗部Ｒ1 およびＲ4 に引張力
が加わる。ピエゾ抵抗部Ｒ1 およびＲ4 に引張力が加わ
ったことによりこれら抵抗部の抵抗値は変化し、その結
果、ブリッジ回路の平衡はくずれて端子部１４SHと端子
部１４SLとの間には抵抗値の変化に比例する出力電圧が
得られる。この抵抗値の変化は入力加速度に比例する。
よび配線１２は図３に示される通りのブリッジ回路を形
成している。このブリッジ回路は、その端子部１４V と
端子部１４G との間に電圧Ｖ＋を印加して加速度が入力
されていない状態において、端子部１４SHと端子部１４
SLとの間の出力が０の平衡状態に調整されている。ここ
で、図２（ｂ）を参照するに、加速度センサに矢印の向
きの加速度が入力されると、これに起因して質量部２に
矢印の向きの慣性力が作用する結果、質量部２は矢印の
向きに変位して梁状構造部４は下向きに屈曲せしめられ
る。梁状構造部４が下向きに屈曲せしめられると、上面
に形成されているピエゾ抵抗部Ｒ1 およびＲ4 に引張力
が加わる。ピエゾ抵抗部Ｒ1 およびＲ4 に引張力が加わ
ったことによりこれら抵抗部の抵抗値は変化し、その結
果、ブリッジ回路の平衡はくずれて端子部１４SHと端子
部１４SLとの間には抵抗値の変化に比例する出力電圧が
得られる。この抵抗値の変化は入力加速度に比例する。
【０００４】ところで、シリコン加速度センサは、時に
は質量部２に過大な慣性力が作用する場合がある。質量
部２は、過大な慣性力が作用すると、梁状構造部４を支
点として振幅を大きく変位する結果、梁状構造部４はや
がて損傷するに到る。この梁状構造部４の損傷を防止す
るために、シリコン加速度センサの枠部３の上面に上側
ストッパ８１を接合すると共に枠部３の下面に下側スト
ッパ８３を接合する。これらストッパは、シリコン加速
度センサと同様にシリコンにより構成される。上側スト
ッパ８１には下面に質量部２に対向して凹部８２が形成
されており、下側ストッパ８３には上面に質量部２に対
向して凹部８４が形成されている。この様にして、質量
部２に過大な慣性力が作用して質量部２の変位が一定限
度を越えると、質量部２の変位は上側ストッパ８１およ
び下側ストッパ８３により規制され、一定限度を越える
ことはなくなり、梁状構造部４の損傷は防止される。
は質量部２に過大な慣性力が作用する場合がある。質量
部２は、過大な慣性力が作用すると、梁状構造部４を支
点として振幅を大きく変位する結果、梁状構造部４はや
がて損傷するに到る。この梁状構造部４の損傷を防止す
るために、シリコン加速度センサの枠部３の上面に上側
ストッパ８１を接合すると共に枠部３の下面に下側スト
ッパ８３を接合する。これらストッパは、シリコン加速
度センサと同様にシリコンにより構成される。上側スト
ッパ８１には下面に質量部２に対向して凹部８２が形成
されており、下側ストッパ８３には上面に質量部２に対
向して凹部８４が形成されている。この様にして、質量
部２に過大な慣性力が作用して質量部２の変位が一定限
度を越えると、質量部２の変位は上側ストッパ８１およ
び下側ストッパ８３により規制され、一定限度を越える
ことはなくなり、梁状構造部４の損傷は防止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のシリコン加速度
センサの従来例は、枠部３の下面に接合固定されるシリ
コンより成る下側ストッパ８３を介してシリコン加速度
センサを固定支持するパッケージ部材１０に対して直接
に接合固定されている。ここで、一般に採用されるパッ
ケージ部材１０の熱膨張係数は下側ストッパ８３を構成
するシリコンの熱膨張係数と比較して大きく、下側スト
ッパ８３とパッケージとの間の接合面におけるパッケー
ジ部材１０の伸び量は下側ストッパ８３の伸び量より大
きい。従って、シリコン加速度センサのシリコンより成
る下側ストッパ８３には、温度が上昇した時に、この伸
び量の差に起因する応力がパッケージ部材１０から直接
に作用することになる。この応力によりシリコン加速度
センサの特性を悪化させていた。
センサの従来例は、枠部３の下面に接合固定されるシリ
コンより成る下側ストッパ８３を介してシリコン加速度
センサを固定支持するパッケージ部材１０に対して直接
に接合固定されている。ここで、一般に採用されるパッ
ケージ部材１０の熱膨張係数は下側ストッパ８３を構成
するシリコンの熱膨張係数と比較して大きく、下側スト
ッパ８３とパッケージとの間の接合面におけるパッケー
ジ部材１０の伸び量は下側ストッパ８３の伸び量より大
きい。従って、シリコン加速度センサのシリコンより成
る下側ストッパ８３には、温度が上昇した時に、この伸
び量の差に起因する応力がパッケージ部材１０から直接
に作用することになる。この応力によりシリコン加速度
センサの特性を悪化させていた。
【０００６】そして、このシリコン加速度センサは、１
枚のシリコン基板１上に多数個一括して形成され、パッ
ケージング時にダイシングを使用して各個に分離構成さ
れるものであるところから、その切断端面には絶縁膜と
なるＳｉＯ2 膜が形成されてはいない状態となる。ま
た、ダイシング時に発生するチッピングにより加速度セ
ンサの枠部３と下側ストッパ８３下面にもＳｉＯ2 膜が
ない領域が存在するに到り、パッケージ部材１０とシリ
コン加速度センサの絶縁を確保することが困難であっ
た。
枚のシリコン基板１上に多数個一括して形成され、パッ
ケージング時にダイシングを使用して各個に分離構成さ
れるものであるところから、その切断端面には絶縁膜と
なるＳｉＯ2 膜が形成されてはいない状態となる。ま
た、ダイシング時に発生するチッピングにより加速度セ
ンサの枠部３と下側ストッパ８３下面にもＳｉＯ2 膜が
ない領域が存在するに到り、パッケージ部材１０とシリ
コン加速度センサの絶縁を確保することが困難であっ
た。
【０００７】この発明は、パッケージ部材１０とシリコ
ンより成る下側ストッパ８３との間の熱膨張係数の差に
起因する応力による加速度センサの特性の悪化を改善
し、シリコン加速度センサとパッケージ部材１０との間
の絶縁を確保するシリコン加速度センサを提供するもの
である。
ンより成る下側ストッパ８３との間の熱膨張係数の差に
起因する応力による加速度センサの特性の悪化を改善
し、シリコン加速度センサとパッケージ部材１０との間
の絶縁を確保するシリコン加速度センサを提供するもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】シリコン基板１に形成し
た質量部２とこれを取り囲む枠部３とが梁状構造部４を
介して結合し、質量部２の変位を規制するシリコンより
成る上側ストッパ８１および下側ストッパ８３を枠部３
に接合し、下側ストッパ８３をパッケージ部材１０に接
合固定し、梁状構造部４の一部の領域に形成したピエゾ
抵抗部Ｒの抵抗値の変化により入力加速度を検出するシ
リコン加速度センサにおいて、下側ストッパ８３下面と
パッケージ部材１０との間に熱膨張係数がシリコンと同
等の絶縁材料より成るスペーサ９０を介挿して下側スト
ッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定したシリコン
加速度センサを構成した。
た質量部２とこれを取り囲む枠部３とが梁状構造部４を
介して結合し、質量部２の変位を規制するシリコンより
成る上側ストッパ８１および下側ストッパ８３を枠部３
に接合し、下側ストッパ８３をパッケージ部材１０に接
合固定し、梁状構造部４の一部の領域に形成したピエゾ
抵抗部Ｒの抵抗値の変化により入力加速度を検出するシ
リコン加速度センサにおいて、下側ストッパ８３下面と
パッケージ部材１０との間に熱膨張係数がシリコンと同
等の絶縁材料より成るスペーサ９０を介挿して下側スト
ッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定したシリコン
加速度センサを構成した。
【０００９】そして、下側ストッパ８３は梁状構造部４
から水平方向に離隔したスペーサ９０上面領域において
スペーサ９０に対して接合固定されるシリコン加速度セ
ンサを構成した。また、スペーサ９０には梁状構造部４
より質量部２側の位置において梁状構造部４の延伸方向
に直交する方向の溝部９１を形成し、下側ストッパ８３
はスペーサ９０の溝部９１の梁状構造部４の反対側領域
においてスペーサ９０に対して接合固定されるシリコン
加速度センサを構成した。
から水平方向に離隔したスペーサ９０上面領域において
スペーサ９０に対して接合固定されるシリコン加速度セ
ンサを構成した。また、スペーサ９０には梁状構造部４
より質量部２側の位置において梁状構造部４の延伸方向
に直交する方向の溝部９１を形成し、下側ストッパ８３
はスペーサ９０の溝部９１の梁状構造部４の反対側領域
においてスペーサ９０に対して接合固定されるシリコン
加速度センサを構成した。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図に示さ
れる実施例を参照して説明する。この発明のシリコン加
速度センサのパッケージ部材１０に対する接合固定の仕
方以外の構成は、図２および図４により図示説明される
ものと同様である。この発明の実施例を図１を参照して
説明するに、シリコン加速度センサのシリコンより成る
枠部３の上面にはシリコンより成る上側ストッパ８１が
接合固定されており、枠部３の下面にはシリコンより成
る下側ストッパ８３が接合固定されている。この発明に
おいては、シリコン加速度センサを固定支持するパッケ
ージ部材１０とシリコン加速度センサの下側ストッパ８
３との間にはスペーサ９０が介挿接合される。このスペ
ーサ９０は熱膨張係数がシリコンと同等の絶縁材料であ
る例えばパイレックスガラスにより構成される。スペー
サ９０には梁状構造部４より左側である質量部２側に梁
状構造部４の延伸方向に直交する溝部９１が形成されて
いる。このスペーサ９１は、その上面は溝部９１の左側
Ａにおいて下側ストッパ８３に対して接合固定せしめら
れる一方、その下面は全面Ｂにおいてパッケージ部材１
０に対して接合固定せしめられている。
れる実施例を参照して説明する。この発明のシリコン加
速度センサのパッケージ部材１０に対する接合固定の仕
方以外の構成は、図２および図４により図示説明される
ものと同様である。この発明の実施例を図１を参照して
説明するに、シリコン加速度センサのシリコンより成る
枠部３の上面にはシリコンより成る上側ストッパ８１が
接合固定されており、枠部３の下面にはシリコンより成
る下側ストッパ８３が接合固定されている。この発明に
おいては、シリコン加速度センサを固定支持するパッケ
ージ部材１０とシリコン加速度センサの下側ストッパ８
３との間にはスペーサ９０が介挿接合される。このスペ
ーサ９０は熱膨張係数がシリコンと同等の絶縁材料であ
る例えばパイレックスガラスにより構成される。スペー
サ９０には梁状構造部４より左側である質量部２側に梁
状構造部４の延伸方向に直交する溝部９１が形成されて
いる。このスペーサ９１は、その上面は溝部９１の左側
Ａにおいて下側ストッパ８３に対して接合固定せしめら
れる一方、その下面は全面Ｂにおいてパッケージ部材１
０に対して接合固定せしめられている。
【００１１】
【発明の効果】以上の通りであって、シリコン基板１に
形成した質量部２とこれを取り囲む枠部３とが梁状構造
部４を介して結合し、質量部２の変位を規制するシリコ
ンより成る上側ストッパ８１および下側ストッパ８３を
枠部３に接合し、下側ストッパ８３をパッケージ部材１
０に接合固定し、梁状構造部４の一部の領域に形成した
ピエゾ抵抗部Ｒの抵抗値の変化により入力加速度を検出
するシリコン加速度センサにおいて、下側ストッパ８３
下面とパッケージ部材１０との間に熱膨張係数がシリコ
ンと同等の絶縁材料より成るスペーサ９０を介挿して下
側ストッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定した。
この様に、スペーサ９０がシリコンと同等の熱膨張係数
を有することにより、スペーサ９０と加速度センサの下
側ストッパ８３との間の応力は緩和され、シリコン加速
度センサの下側ストッパ８３とパッケージ部材１０との
間の接合固定部においてパッケージ部材１０から下側ス
トッパ８３に加えられる応力はスペーサにより吸収さ
れ、その影響を緩和することができる。
形成した質量部２とこれを取り囲む枠部３とが梁状構造
部４を介して結合し、質量部２の変位を規制するシリコ
ンより成る上側ストッパ８１および下側ストッパ８３を
枠部３に接合し、下側ストッパ８３をパッケージ部材１
０に接合固定し、梁状構造部４の一部の領域に形成した
ピエゾ抵抗部Ｒの抵抗値の変化により入力加速度を検出
するシリコン加速度センサにおいて、下側ストッパ８３
下面とパッケージ部材１０との間に熱膨張係数がシリコ
ンと同等の絶縁材料より成るスペーサ９０を介挿して下
側ストッパ８３をパッケージ部材１０に接合固定した。
この様に、スペーサ９０がシリコンと同等の熱膨張係数
を有することにより、スペーサ９０と加速度センサの下
側ストッパ８３との間の応力は緩和され、シリコン加速
度センサの下側ストッパ８３とパッケージ部材１０との
間の接合固定部においてパッケージ部材１０から下側ス
トッパ８３に加えられる応力はスペーサにより吸収さ
れ、その影響を緩和することができる。
【００１２】そして、下側ストッパ８３は梁状構造部４
から水平方向に離隔したスペーサ９０上面領域Ａにおい
てスペーサ９０に対して接合固定したことにより、パッ
ケージ部材１０からスペーサ９０を介して下側ストッパ
８３に伝達される応力は梁状構造部４から離隔したこの
一部の領域Ａのみに加わることになる。この一部領域Ａ
に加わった応力は、ここから梁状構造部４に伝達される
中に減衰され、梁状構造部４に対する機械的影響は殆ど
なくなる。
から水平方向に離隔したスペーサ９０上面領域Ａにおい
てスペーサ９０に対して接合固定したことにより、パッ
ケージ部材１０からスペーサ９０を介して下側ストッパ
８３に伝達される応力は梁状構造部４から離隔したこの
一部の領域Ａのみに加わることになる。この一部領域Ａ
に加わった応力は、ここから梁状構造部４に伝達される
中に減衰され、梁状構造部４に対する機械的影響は殆ど
なくなる。
【００１３】また、スペーサ９０には梁状構造部４より
質量部２側の位置において梁状構造部４の延伸方向に直
交する方向の溝部９１を形成し、下側ストッパ８３はス
ペーサ９０の溝部９１の梁状構造部４の反対側領域にお
いてスペーサ９０に対して接合固定することにより、加
速度センサの下側ストッパ８３とスペーサ９０の接合固
定面積を一定に保つことができ、製品の特性を均一にす
ることができる。
質量部２側の位置において梁状構造部４の延伸方向に直
交する方向の溝部９１を形成し、下側ストッパ８３はス
ペーサ９０の溝部９１の梁状構造部４の反対側領域にお
いてスペーサ９０に対して接合固定することにより、加
速度センサの下側ストッパ８３とスペーサ９０の接合固
定面積を一定に保つことができ、製品の特性を均一にす
ることができる。
【００１４】更に、スペーサ９０は絶縁材料より成ると
ころから、パッケージ部材１０と加速度センサの下側ス
トッパ８３との間が短絡することはない。
ころから、パッケージ部材１０と加速度センサの下側ス
トッパ８３との間が短絡することはない。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】シリコン加速度センサを説明する図。
【図３】加速度センサのブリッジ回路を示す図。
【図４】パッケージ部材に対するシリコン加速度センサ
の取り付け方の従来例を説明する図。
の取り付け方の従来例を説明する図。
１ シリコン基板 ２ 質量部 ３ 枠部 ４ 梁状構造部 １０ パッケージ部材 ８１ 上側ストッパ ８３ 下側ストッパ ９０ スペーサ Ｒ ピエゾ抵抗部
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板に形成した質量部とこれを
取り囲む枠部とが梁状構造部を介して結合し、質量部の
変位を規制するシリコンより成る上側ストッパおよび下
側ストッパを枠部に接合し、下側ストッパをパッケージ
部材に接合固定し、梁状構造部の一部の領域に形成した
ピエゾ抵抗部の抵抗値の変化により入力加速度を検出す
るシリコン加速度センサにおいて、 下側ストッパ下面とパッケージ部材との間に熱膨張係数
がシリコンと同等の絶縁材料より成るスペーサを介挿し
て下側ストッパをパッケージ部材に接合固定したことを
特徴とするシリコン加速度センサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるシリコン加速度セ
ンサにおいて、 下側ストッパは梁状構造部から水平方向に離隔したスペ
ーサ上面領域においてスペーサに対して接合固定される
ことを特徴とするシリコン加速度センサ。 - 【請求項３】 請求項２に記載されるシリコン加速度セ
ンサにおいて、 スペーサには梁状構造部より質量部側の位置において梁
状構造部の延伸方向に直交する方向の溝部を形成し、 下側ストッパはスペーサの溝部の梁状構造部の反対側領
域においてスペーサに対して接合固定されることを特徴
とするシリコン加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129991A JPH09311138A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | シリコン加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129991A JPH09311138A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | シリコン加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311138A true JPH09311138A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15023457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129991A Withdrawn JPH09311138A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | シリコン加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09311138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013525747A (ja) * | 2010-03-18 | 2013-06-20 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子および相応の測定方法 |
| CN110531115A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-12-03 | 西安交通大学 | 一种具有纯轴向变形敏感梁的mems压阻式三轴冲击加速度计芯片及其制备方法 |
| US10866260B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-12-15 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor, electronic apparatus, and vehicle |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8129991A patent/JPH09311138A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013525747A (ja) * | 2010-03-18 | 2013-06-20 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子および相応の測定方法 |
| US9110090B2 (en) | 2010-03-18 | 2015-08-18 | Robert Bosch Gmbh | Piezoresistive micromechanical sensor component and corresponding measuring method |
| US10866260B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-12-15 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor, electronic apparatus, and vehicle |
| CN110531115A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-12-03 | 西安交通大学 | 一种具有纯轴向变形敏感梁的mems压阻式三轴冲击加速度计芯片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07113647B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| US5408112A (en) | Semiconductor strain sensor having improved resistance to bonding strain effects | |
| US6161440A (en) | Low metalization creep sensor | |
| JP2004333133A (ja) | 慣性力センサ | |
| US20030057447A1 (en) | Acceleration sensor | |
| JPH09311138A (ja) | シリコン加速度センサ | |
| JPH08247768A (ja) | 角速度センサ | |
| JPH06291334A (ja) | 加速度センサ | |
| JP3190982B2 (ja) | シリコン加速度センサ | |
| JP3433671B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JPH02248866A (ja) | 加速度センサの梁構造 | |
| JPH0571148B2 (ja) | ||
| JPH08160071A (ja) | シリコン加速度計 | |
| JPH08327656A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH08105913A (ja) | シリコン加速度計 | |
| JPH01259264A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH09133704A (ja) | 加速度センサ | |
| JPH11311631A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPS5833136A (ja) | 温度センサ | |
| JPH07131036A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2851049B2 (ja) | 半導体センサ | |
| JP2004257832A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2003270263A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2001153881A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2003004761A (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |