JPH09298421A - 電気回路及びその測定用端子回路 - Google Patents
電気回路及びその測定用端子回路Info
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- JPH09298421A JPH09298421A JP13746196A JP13746196A JPH09298421A JP H09298421 A JPH09298421 A JP H09298421A JP 13746196 A JP13746196 A JP 13746196A JP 13746196 A JP13746196 A JP 13746196A JP H09298421 A JPH09298421 A JP H09298421A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＣＯ等をＩＣ化して小型化した場合に上記
温度補償の調整等のために設けられたスイッチ類のオン
抵抗を低く抑えて調整精度を向上させることができる電
気回路及びその測定用端子回路を提供する。 【解決手段】 ＩＣ化した回路において調整のために設
けられたスイッチ群へ駆動電源電圧を供給するための外
部電源供給端子を備えることにより、調整時に上記スイ
ッチ群へ加える電源電圧を高くすることができる手段を
有する構成となっている。
温度補償の調整等のために設けられたスイッチ類のオン
抵抗を低く抑えて調整精度を向上させることができる電
気回路及びその測定用端子回路を提供する。 【解決手段】 ＩＣ化した回路において調整のために設
けられたスイッチ群へ駆動電源電圧を供給するための外
部電源供給端子を備えることにより、調整時に上記スイ
ッチ群へ加える電源電圧を高くすることができる手段を
有する構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ化されたＴＣ
Ｄ等に適した電気回路に関し、特に調整のために設けら
れたスイッチ類のオン抵抗を必要に応じて小さくするこ
とによりアナログ信号や微小電圧調整の精度を高めるこ
とができる測定用端子回路に関する。
Ｄ等に適した電気回路に関し、特に調整のために設けら
れたスイッチ類のオン抵抗を必要に応じて小さくするこ
とによりアナログ信号や微小電圧調整の精度を高めるこ
とができる測定用端子回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、発振器の周波数安定度に影響を
及ぼす外部要因は種々あるが、そのうちで実用上最も大
きな要因をなすのはその発振器の置かれる場所の温度で
ある。以下、水晶振動子を用いた温度補償水晶発振器
（ＴＣＸＯ）を例に説明する。即ち、上記温度による影
響を排除するためには種々の方法が提案されているが、
その一つに補償回路によって水晶発振器の負荷容量を変
化させることによって発振周波数を周囲温度の変化に対
して所望の偏差に安定化する温度補償水晶発振器（ＴＣ
ＸＯ）が知られている。従来の温度補償水晶発振器（Ｔ
ＣＸＯ）の基本構成は、図４（ａ）に示す様に水晶振動
子３と増幅器４に直列にバラクタダイオード（バリキャ
ップ）２を挿入し、補償回路１によって発生する直流電
圧を前記バリキャップに印加するものである。なお、上
記バラクタダイオード２に接続されたコンデンサｃは、
制御感度（ＡＦＣ感度）を調整するための容量（コンデ
ンサ）である。また、上記補償回路１は、図４（ｂ）に
示すように複数のサーミスタＲ（Ｔ）と抵抗Ｒを含む抵
抗回路網で形成されており水晶発振器の発振周波数が温
度変化に伴って変化する際、各温度においてその変化を
打ち消すようなバリキャップの容量となるように直流電
圧を発生するように構成されている。なお補償回路１は
上記抵抗回路網の各回路素子を製品毎に付け換えること
によって水晶の温度特性のばらつきや他の回路素子のば
らつきを補正して、希望する温度範囲において規定する
周波数偏差以下となるように調整するのが一般的であ
る。なお、ＴＣＸＯとしては、上記図４に示したように
サーミスタと抵抗等の補償回路によって単に直流電圧変
化を発生する間接型の他に、サーミスタとコンデンサと
の並列回路を直接水晶振動子に直列に接続し、該補償回
路に直接高周波電流を流し、温度によるサーミスタの抵
抗変化によって、等価直列容量を変化させることにより
温度補償を行う直接型がある。
及ぼす外部要因は種々あるが、そのうちで実用上最も大
きな要因をなすのはその発振器の置かれる場所の温度で
ある。以下、水晶振動子を用いた温度補償水晶発振器
（ＴＣＸＯ）を例に説明する。即ち、上記温度による影
響を排除するためには種々の方法が提案されているが、
その一つに補償回路によって水晶発振器の負荷容量を変
化させることによって発振周波数を周囲温度の変化に対
して所望の偏差に安定化する温度補償水晶発振器（ＴＣ
ＸＯ）が知られている。従来の温度補償水晶発振器（Ｔ
ＣＸＯ）の基本構成は、図４（ａ）に示す様に水晶振動
子３と増幅器４に直列にバラクタダイオード（バリキャ
ップ）２を挿入し、補償回路１によって発生する直流電
圧を前記バリキャップに印加するものである。なお、上
記バラクタダイオード２に接続されたコンデンサｃは、
制御感度（ＡＦＣ感度）を調整するための容量（コンデ
ンサ）である。また、上記補償回路１は、図４（ｂ）に
示すように複数のサーミスタＲ（Ｔ）と抵抗Ｒを含む抵
抗回路網で形成されており水晶発振器の発振周波数が温
度変化に伴って変化する際、各温度においてその変化を
打ち消すようなバリキャップの容量となるように直流電
圧を発生するように構成されている。なお補償回路１は
上記抵抗回路網の各回路素子を製品毎に付け換えること
によって水晶の温度特性のばらつきや他の回路素子のば
らつきを補正して、希望する温度範囲において規定する
周波数偏差以下となるように調整するのが一般的であ
る。なお、ＴＣＸＯとしては、上記図４に示したように
サーミスタと抵抗等の補償回路によって単に直流電圧変
化を発生する間接型の他に、サーミスタとコンデンサと
の並列回路を直接水晶振動子に直列に接続し、該補償回
路に直接高周波電流を流し、温度によるサーミスタの抵
抗変化によって、等価直列容量を変化させることにより
温度補償を行う直接型がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した如
く、サーミスタとコンデンサとの並列回路を水晶振動子
に接続する直接型ＴＣＸＯにおいては、サーミスタの温
度特性そのものが温度補償特性を左右するが、一方、サ
ーミスタのＢ定数や常温値の抵抗値等の温度特性は入手
し得る材料の種類が限られるため、さほど種類が多くな
く、水晶のカット角の誤差範囲の全てについて適したサ
ーミスタが得られる訳ではない。また、周波数安定度を
より厳しく微小に抑圧するためには並列コンデンサの値
や感度調整用にサーミスタに直列又は並列に接続する抵
抗の値を厳密に選択する必要があり、工数増加と歩留率
の悪化を伴っていた。一方、間接型ＴＣＸＯにおいて
は、図４（ａ）、（ｂ）に示したように構成するが、上
記補償回路１の抵抗回路網がかなりのスペースを必要と
する構成となっているので小型化に限界があるものであ
った。すなわち、従来の間接型ＴＣＸＯにおいても補償
回路の抵抗回路網においては、その抵抗素子の各回路定
数の調整は、その抵抗素子自身を差し換え、その都度温
度試験を繰り返して行っていたので差し換え用の抵抗
は、補償回路の差し換え可能なようにＩＣ外部に配置し
なければならず、結果として小型化を妨げていた。ま
た、上記抵抗素子の差し換え作業は直接型と同様手間が
かかり非効率であった。
く、サーミスタとコンデンサとの並列回路を水晶振動子
に接続する直接型ＴＣＸＯにおいては、サーミスタの温
度特性そのものが温度補償特性を左右するが、一方、サ
ーミスタのＢ定数や常温値の抵抗値等の温度特性は入手
し得る材料の種類が限られるため、さほど種類が多くな
く、水晶のカット角の誤差範囲の全てについて適したサ
ーミスタが得られる訳ではない。また、周波数安定度を
より厳しく微小に抑圧するためには並列コンデンサの値
や感度調整用にサーミスタに直列又は並列に接続する抵
抗の値を厳密に選択する必要があり、工数増加と歩留率
の悪化を伴っていた。一方、間接型ＴＣＸＯにおいて
は、図４（ａ）、（ｂ）に示したように構成するが、上
記補償回路１の抵抗回路網がかなりのスペースを必要と
する構成となっているので小型化に限界があるものであ
った。すなわち、従来の間接型ＴＣＸＯにおいても補償
回路の抵抗回路網においては、その抵抗素子の各回路定
数の調整は、その抵抗素子自身を差し換え、その都度温
度試験を繰り返して行っていたので差し換え用の抵抗
は、補償回路の差し換え可能なようにＩＣ外部に配置し
なければならず、結果として小型化を妨げていた。ま
た、上記抵抗素子の差し換え作業は直接型と同様手間が
かかり非効率であった。
【０００４】そこで、上記ＴＣＸＯの補償回路を中心に
ＩＣ化して画期的な小型化および調整の効率化を達成さ
せることが望まれているが、上記ＩＣ化のためには以下
の様な問題点があった。すなわち、上記ＴＣＸＯをＩＣ
化する場合、上記温度補償の調整や測定のために外部か
らＩＣ内部の回路接続点へ接続する外部テスト端子を設
ける必要があるが、接続したい回路接続点が非常に多
く、単純に接続するとＩＣに沢山の外部テスト端子を設
けなければならず、ＩＣ自体が大きくなって、小型化が
阻害されるという問題点があった。上記問題点を回避す
るためには、外部テスト端子数を少なくするために上記
テスト端子と回路接続点との間に任意接続点への接続制
御が可能なスイッチ群を配設することが考えられるが、
このスイッチ群は実際には半導体スイッチ回路を用いる
ことになるが、通常ＴＣＯ等に備えられ、又は供給され
る電源、電圧は低いので、これら半導体スイッチを完全
にＯＮすることが困難であり、高いオン抵抗を有するこ
ととなる。従って、その高いＯＮ抵抗によっては測定精
度（すなわち、調整精度）を高くすることがむずかし
い。上記半導体スイッチのＯＮ抵抗を小さくするために
は上記半導体スイッチに供給する電圧を高くすればよい
が、低電圧、低消費電流化をめざす近年の要望に逆行す
ることになる。
ＩＣ化して画期的な小型化および調整の効率化を達成さ
せることが望まれているが、上記ＩＣ化のためには以下
の様な問題点があった。すなわち、上記ＴＣＸＯをＩＣ
化する場合、上記温度補償の調整や測定のために外部か
らＩＣ内部の回路接続点へ接続する外部テスト端子を設
ける必要があるが、接続したい回路接続点が非常に多
く、単純に接続するとＩＣに沢山の外部テスト端子を設
けなければならず、ＩＣ自体が大きくなって、小型化が
阻害されるという問題点があった。上記問題点を回避す
るためには、外部テスト端子数を少なくするために上記
テスト端子と回路接続点との間に任意接続点への接続制
御が可能なスイッチ群を配設することが考えられるが、
このスイッチ群は実際には半導体スイッチ回路を用いる
ことになるが、通常ＴＣＯ等に備えられ、又は供給され
る電源、電圧は低いので、これら半導体スイッチを完全
にＯＮすることが困難であり、高いオン抵抗を有するこ
ととなる。従って、その高いＯＮ抵抗によっては測定精
度（すなわち、調整精度）を高くすることがむずかし
い。上記半導体スイッチのＯＮ抵抗を小さくするために
は上記半導体スイッチに供給する電圧を高くすればよい
が、低電圧、低消費電流化をめざす近年の要望に逆行す
ることになる。
【０００５】
【目的】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであ
って、ＴＣＯ等の電子回路をＩＣ化して小型化した場合
に温度補償の調整のために設けられたスイッチ類のオン
抵抗を低く抑えて調整精度を向上させることができる電
気回路及びその測定回路を提供することを目的とする。
って、ＴＣＯ等の電子回路をＩＣ化して小型化した場合
に温度補償の調整のために設けられたスイッチ類のオン
抵抗を低く抑えて調整精度を向上させることができる電
気回路及びその測定回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、内部回路の各部分の抵抗、電圧、電流等
を測定するための外部端子を備えた電気回路において、
一つの外部端子が複数の半導体スイッチを介して複数の
測定部分と結線されると共に、上記半導体スイッチが外
部電源によってもＯＮ−ＯＦＦ駆動されることを特徴と
する。本発明の他の特徴は、ＩＣ化した温度補償発振器
（ＴＣＯ）において補償回路の調整のために設けられた
スイッチ群へ駆動電源電圧を供給するためのＴＣＯ調整
回路において、上記スイッチ群へ加える駆動電源電圧を
調整工程時において高くする手段を具備することであ
る。
め、本発明は、内部回路の各部分の抵抗、電圧、電流等
を測定するための外部端子を備えた電気回路において、
一つの外部端子が複数の半導体スイッチを介して複数の
測定部分と結線されると共に、上記半導体スイッチが外
部電源によってもＯＮ−ＯＦＦ駆動されることを特徴と
する。本発明の他の特徴は、ＩＣ化した温度補償発振器
（ＴＣＯ）において補償回路の調整のために設けられた
スイッチ群へ駆動電源電圧を供給するためのＴＣＯ調整
回路において、上記スイッチ群へ加える駆動電源電圧を
調整工程時において高くする手段を具備することであ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示した実施形態
に基づいて説明する。図１は、本発明によるＴＣＸＯ調
整回路の一実施形態を有するＩＣ化された温度補償水晶
発振器（ＴＣＸＯ）の構成ブロック図である。図１に示
す様に、上記ＴＣＸＯは、温度軸に対して特定の関数電
圧を発生させるための補償回路部および発振回路部を有
するＩＣ化されたＩＣ部５と、上記ＩＣ部５に外付けで
接続されたバリキャップ部６と、上記バリキャップ部６
に接続された水晶振動子７とを有する構成となってい
る。なお、補償回路のサーミスタ部８は上記ＩＣ部５に
外付けで接続されたもので、温度変化に伴って温度の３
次関数の直流電圧を発生するものである。上記ＩＣ部５
は、温度補償の調整や測定を行うための種々の信号を入
出力する複数のテスト端子を含む入出力端子群９と、上
記端子群９に接続された切替回路１０と、上記切替回路
１０に接続されたメモリ（ＥＥ−ＰＲＯＭ）１１と、上
記メモリ１１に接続されたレギュレータ１２と、上記切
替回路１０およびメモリ１１およびサーミスタ部８およ
びバリキャップ部６に接続された可変抵抗回路網１３
と、上記切替回路１０およびメモリ１１およびバリキャ
ップ部６に接続された分圧回路１４と、上記バリキャッ
プ部６に接続された発振回路１５と、上記発振回路１５
および出力端子１６に接続された出力バッファ１７と、
上記レギュレータ１２に接続された第１の電源端子（内
部電源端子）１８と、上記切替回路１０およびメモリ１
１に接続された第２の電源端子（テスト用外部電源端
子）１９と、上記メモリ１１に接続された第３の電源端
子（メモリ書き込み用電源端子）２０と、上記第１の電
源端子１８よりの供給ライン２１と上記第２の電源端子
１９よりの供給ライン２２との間に接続された直流電流
に対し一方向性を有する素子（ダイオード）２３とを有
する構成となっている。
に基づいて説明する。図１は、本発明によるＴＣＸＯ調
整回路の一実施形態を有するＩＣ化された温度補償水晶
発振器（ＴＣＸＯ）の構成ブロック図である。図１に示
す様に、上記ＴＣＸＯは、温度軸に対して特定の関数電
圧を発生させるための補償回路部および発振回路部を有
するＩＣ化されたＩＣ部５と、上記ＩＣ部５に外付けで
接続されたバリキャップ部６と、上記バリキャップ部６
に接続された水晶振動子７とを有する構成となってい
る。なお、補償回路のサーミスタ部８は上記ＩＣ部５に
外付けで接続されたもので、温度変化に伴って温度の３
次関数の直流電圧を発生するものである。上記ＩＣ部５
は、温度補償の調整や測定を行うための種々の信号を入
出力する複数のテスト端子を含む入出力端子群９と、上
記端子群９に接続された切替回路１０と、上記切替回路
１０に接続されたメモリ（ＥＥ−ＰＲＯＭ）１１と、上
記メモリ１１に接続されたレギュレータ１２と、上記切
替回路１０およびメモリ１１およびサーミスタ部８およ
びバリキャップ部６に接続された可変抵抗回路網１３
と、上記切替回路１０およびメモリ１１およびバリキャ
ップ部６に接続された分圧回路１４と、上記バリキャッ
プ部６に接続された発振回路１５と、上記発振回路１５
および出力端子１６に接続された出力バッファ１７と、
上記レギュレータ１２に接続された第１の電源端子（内
部電源端子）１８と、上記切替回路１０およびメモリ１
１に接続された第２の電源端子（テスト用外部電源端
子）１９と、上記メモリ１１に接続された第３の電源端
子（メモリ書き込み用電源端子）２０と、上記第１の電
源端子１８よりの供給ライン２１と上記第２の電源端子
１９よりの供給ライン２２との間に接続された直流電流
に対し一方向性を有する素子（ダイオード）２３とを有
する構成となっている。
【０００８】そして、上記切替回路１０は、図２に示す
様に、温度補償の調整や測定等を行うための複数の外部
テスト端子２４を含む端子群９よりのライン２５を多数
のライン２６へ切替制御するための多数の半導体スイッ
チ２７で構成され、上記半導体スイッチ２７には上記第
２の電源端子１９よりの第２の電源（高外部電源：例え
ばＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ）が印加されると共に、上記第
２の電源の印加がない状態では上記第１の電源端子１８
に供給される第１の電源（低内部電源：例えばＶＤＤ＝
３Ｖ）が上記ダイオード２３を介して印加される様にな
っている。
様に、温度補償の調整や測定等を行うための複数の外部
テスト端子２４を含む端子群９よりのライン２５を多数
のライン２６へ切替制御するための多数の半導体スイッ
チ２７で構成され、上記半導体スイッチ２７には上記第
２の電源端子１９よりの第２の電源（高外部電源：例え
ばＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ）が印加されると共に、上記第
２の電源の印加がない状態では上記第１の電源端子１８
に供給される第１の電源（低内部電源：例えばＶＤＤ＝
３Ｖ）が上記ダイオード２３を介して印加される様にな
っている。
【０００９】次に、図３の動作フローチャートを参照し
て、上記ＴＣＸＯの製造過程、特に調整過程における処
理の概要を説明する。まず、ステップ１００において、
補償する前の温度特性を測定し、各温度における周波数
偏のデータを取得し、上記切替回路１０を介して上記端
子群９より上記メモリ１１へ上記分圧回路１４の分圧や
可変抵抗回路網１３の温度特性やレギュレータ１２の出
力電圧のばらつきの補正を含めた補正データを書き込む
（ステップ１０１）。次に、ステップ１０２において、
実際に補償動作を機能させて各温度における出力周波数
および必要があれば各部の電圧を測定する。その結果、
周波数の温度特性が規定値以内であれば調整を終了する
が、規格値を満たさない場合は（ステップ１０３にてＮ
Ｏ）、その測定結果に基づいて更に部分的に補正データ
を上記メモリ１１へ書き込む（ステップ１０４）。この
ような調整を終えたＴＣＸＯでは、実際の動作において
は、上記メモリ１１より上記調整済の補正データが読み
出され、上記温度特性や出力電圧のばらつきを補正する
ために上記補正データが必要とする上記ＩＣ部５内の各
部（上記切替回路１０、レギュレータ１２、可変抵抗回
路網１３、分圧回路１４）へ送られる。また、使用時に
おいては、ユーザにより上記分圧回路１４によるＡＦＣ
感度の調整が行われることもある。
て、上記ＴＣＸＯの製造過程、特に調整過程における処
理の概要を説明する。まず、ステップ１００において、
補償する前の温度特性を測定し、各温度における周波数
偏のデータを取得し、上記切替回路１０を介して上記端
子群９より上記メモリ１１へ上記分圧回路１４の分圧や
可変抵抗回路網１３の温度特性やレギュレータ１２の出
力電圧のばらつきの補正を含めた補正データを書き込む
（ステップ１０１）。次に、ステップ１０２において、
実際に補償動作を機能させて各温度における出力周波数
および必要があれば各部の電圧を測定する。その結果、
周波数の温度特性が規定値以内であれば調整を終了する
が、規格値を満たさない場合は（ステップ１０３にてＮ
Ｏ）、その測定結果に基づいて更に部分的に補正データ
を上記メモリ１１へ書き込む（ステップ１０４）。この
ような調整を終えたＴＣＸＯでは、実際の動作において
は、上記メモリ１１より上記調整済の補正データが読み
出され、上記温度特性や出力電圧のばらつきを補正する
ために上記補正データが必要とする上記ＩＣ部５内の各
部（上記切替回路１０、レギュレータ１２、可変抵抗回
路網１３、分圧回路１４）へ送られる。また、使用時に
おいては、ユーザにより上記分圧回路１４によるＡＦＣ
感度の調整が行われることもある。
【００１０】次に、本発明の要部であるＴＣＸＯ調整用
端子回路について説明する。上記ＴＣＸＯ調整用端子回
路は、上記半導体スイッチ２７に加える電源電圧を高く
すればそのＯＮ抵抗が低くなることに着目し、上記調整
工程において上記半導体スイッチ２７のＯＮ抵抗を低く
抑える様に上記切替回路１０へ第２の電源（高外部電
源：ＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ）を供給するためのもので、
構成的には、上記切替回路１０と、調整時に上記切替回
路１０へ上記第２の電源を供給するための第２の電源端
子１９および供給ライン２２と、上記使用工程において
上記切替回路１０へ上記第１の電源（低内部電源：ＶＤ
Ｄ＝３Ｖ）を供給するための第１の電源端子１８および
供給ライン２１およびダイオード２３とから成るもので
ある。
端子回路について説明する。上記ＴＣＸＯ調整用端子回
路は、上記半導体スイッチ２７に加える電源電圧を高く
すればそのＯＮ抵抗が低くなることに着目し、上記調整
工程において上記半導体スイッチ２７のＯＮ抵抗を低く
抑える様に上記切替回路１０へ第２の電源（高外部電
源：ＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ）を供給するためのもので、
構成的には、上記切替回路１０と、調整時に上記切替回
路１０へ上記第２の電源を供給するための第２の電源端
子１９および供給ライン２２と、上記使用工程において
上記切替回路１０へ上記第１の電源（低内部電源：ＶＤ
Ｄ＝３Ｖ）を供給するための第１の電源端子１８および
供給ライン２１およびダイオード２３とから成るもので
ある。
【００１１】次に、上記ＴＣＸＯ調整回路の動作につい
て説明する。まず、上記調整工程においては、上記第１
の電源端子１８より低内部電源：ＶＤＤ＝３Ｖ（第１の
電源）が印加されると共に、上記第２の電源端子１９よ
り高外部電源：ＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ（第２の電源）が
印加される。それにより、上記低内部電源が上記レギュ
レータ１２へ供給されてＩＣ部５の駆動が行われると共
に、上記高外部電源が上記切替回路１０の半導体スイッ
チ２７へ送られる。従って、上記調整工程において上記
切替回路１０の半導体スイッチ２７が頻繁に切り替えら
れてもそのＯＮ抵抗値が低く抑えられるので、その調整
の精度が大幅に向上する。なお、上記調整工程において
は上記第２の電源端子１９よりの高外部電源は、上記ダ
イオード２３によって上記レギュレータ１２側へ流れ込
まない様になっているので、他の回路に規定値以上の電
圧が印加されることはない。
て説明する。まず、上記調整工程においては、上記第１
の電源端子１８より低内部電源：ＶＤＤ＝３Ｖ（第１の
電源）が印加されると共に、上記第２の電源端子１９よ
り高外部電源：ＴＥＳＴＶＤＤ＝５Ｖ（第２の電源）が
印加される。それにより、上記低内部電源が上記レギュ
レータ１２へ供給されてＩＣ部５の駆動が行われると共
に、上記高外部電源が上記切替回路１０の半導体スイッ
チ２７へ送られる。従って、上記調整工程において上記
切替回路１０の半導体スイッチ２７が頻繁に切り替えら
れてもそのＯＮ抵抗値が低く抑えられるので、その調整
の精度が大幅に向上する。なお、上記調整工程において
は上記第２の電源端子１９よりの高外部電源は、上記ダ
イオード２３によって上記レギュレータ１２側へ流れ込
まない様になっているので、他の回路に規定値以上の電
圧が印加されることはない。
【００１２】次に、上記動作工程においては、上記第２
の電源端子１９よりの高外部電源の供給はなく、上記第
１の電源端子１８よりの低内部電源の供給のみとなる。
それにより、上記低内部電源が上記レギュレータ１２へ
供給されると共に上記ダイオード２３を介して上記切替
回路１０へも供給される。従って、上記切替回路１０の
半導体スイッチ２７を含むＩＣ部５の全体が上記低内部
電源で駆動されることとなるが、上記動作状態において
は、上記半導体スイッチ２７は、不要接続を回避するた
めにオフ設定する等のユーザ使用に供されるのみである
のでＯＮ抵抗がある程度大きくても何の問題もない。な
お、上記実施形態においては、低内部電源（第１の電源
ＶＤＤ）を３Ｖとし、高外部電源（第２の電源ＴＥＳＴ
ＶＤＤ）を５Ｖとしたがこれに限定されることなくＶＤ
Ｄ＜ＴＥＳＴＶＤＤの関係であればどの様な設定でも良
い。
の電源端子１９よりの高外部電源の供給はなく、上記第
１の電源端子１８よりの低内部電源の供給のみとなる。
それにより、上記低内部電源が上記レギュレータ１２へ
供給されると共に上記ダイオード２３を介して上記切替
回路１０へも供給される。従って、上記切替回路１０の
半導体スイッチ２７を含むＩＣ部５の全体が上記低内部
電源で駆動されることとなるが、上記動作状態において
は、上記半導体スイッチ２７は、不要接続を回避するた
めにオフ設定する等のユーザ使用に供されるのみである
のでＯＮ抵抗がある程度大きくても何の問題もない。な
お、上記実施形態においては、低内部電源（第１の電源
ＶＤＤ）を３Ｖとし、高外部電源（第２の電源ＴＥＳＴ
ＶＤＤ）を５Ｖとしたがこれに限定されることなくＶＤ
Ｄ＜ＴＥＳＴＶＤＤの関係であればどの様な設定でも良
い。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明した様に、ＩＣ化し
たＴＣＸＯ等の調整用回路の切替半導体スイッチ制御用
電源電圧を供給する調整工程時において高くする様にし
たので、回路として内部電源供給端子の他に外部から高
い電圧を供給する外部端子を備えたので、調整工程等に
おいて、前記外部端子を利用することによって上記半導
体スイッチのＯＮ抵抗を低く抑えれば調整精度が大幅に
向上する。
たＴＣＸＯ等の調整用回路の切替半導体スイッチ制御用
電源電圧を供給する調整工程時において高くする様にし
たので、回路として内部電源供給端子の他に外部から高
い電圧を供給する外部端子を備えたので、調整工程等に
おいて、前記外部端子を利用することによって上記半導
体スイッチのＯＮ抵抗を低く抑えれば調整精度が大幅に
向上する。
【図１】本発明によるＴＣＸＯ調整回路の一実施形態を
有するＩＣ化された温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）の
構成ブロック図である。
有するＩＣ化された温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）の
構成ブロック図である。
【図２】図１に示した切替回路の構成図である。
【図３】図１に示したＴＣＸＯの調整方法のフローチャ
ートである。
ートである。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は従来の温度補償水晶発振器
（ＴＣＸＯ）の基本構成図である。
（ＴＣＸＯ）の基本構成図である。
１…補償回路、２…バラクタダイオード（バリキャッ
プ）、３、７…水晶振動子、４、１５…発振回路（ＯＳ
Ｃ）、 ５…ＩＣ部、６…バリキャップ部、
８…サーミスタ部、９…入出力端子
群、 １０…切替回路、１１…メ
モリ（ＥＥ−ＰＲＯＭ）、 １２…レギュレー
タ、１３…可変抵抗回路網、 １４…
分圧回路、１６…出力端子、
１７…出力バッファ、１８…第１の電源端子、
１９…第２の電源端子、２０…第３の電源端
子、 ２１、２２…供給ライン、２３
…ダイオード、 ２４…外部テス
ト端子、２５、２６…ライン、 ２
７…半導体スイッチ、１００〜１０３…各ステップ、
プ）、３、７…水晶振動子、４、１５…発振回路（ＯＳ
Ｃ）、 ５…ＩＣ部、６…バリキャップ部、
８…サーミスタ部、９…入出力端子
群、 １０…切替回路、１１…メ
モリ（ＥＥ−ＰＲＯＭ）、 １２…レギュレー
タ、１３…可変抵抗回路網、 １４…
分圧回路、１６…出力端子、
１７…出力バッファ、１８…第１の電源端子、
１９…第２の電源端子、２０…第３の電源端
子、 ２１、２２…供給ライン、２３
…ダイオード、 ２４…外部テス
ト端子、２５、２６…ライン、 ２
７…半導体スイッチ、１００〜１０３…各ステップ、
Claims (6)
- 【請求項１】 内部回路の各部分の抵抗、電圧、電流等
を測定するための外部端子を備えた電気回路において、
上記外部端子の少なくとも一つが複数の半導体スイッチ
を介して複数の被測定部分と結線されると共に、上記半
導体スイッチが外部電源によってもＯＮ−ＯＦＦ駆動さ
れるように構成したことを特徴とする電気回路。 - 【請求項２】 上記外部電源の供給ラインと、内部電源
によって駆動される回路への電源供給ラインとが、直流
電流に対し一方向性を有する素子によって接続され、上
記外部電源が内部電源ラインに流入しないようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の電気回路。 - 【請求項３】 上記一方向性素子がダイオードと等価な
素子であることを特徴とする請求項２に記載の電気回
路。 - 【請求項４】 上記外部電源が内部電源より高い電圧で
あって、上記高外部電源によって、上記半導体スイッチ
のＯＮ抵抗が小さくなるよう制御されるよう構成したこ
とを特徴とする請求項２に記載の電気回路。 - 【請求項５】 ＩＣ化した温度補償発振器であって、そ
の内部回路調整のための外部端子を有し、その外部端子
の少なくとも一つには半導体スイッチを介して複数の被
測定部分と結線されており、前記半導体スイッチをＯＮ
状態にする駆動電力を供給するための外部電力供給回路
を備えたことを特徴とする温度補償発振器。 - 【請求項６】 前記外部電力供給回路と半導体スイッチ
駆動用内部電力供給回路とが直流電流に対し一方向性を
有する素子によって接続され、外部から供給された電力
が内部電力供給回路に流入しないようにしたことを特徴
とする請求項５記載の温度補償発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13746196A JPH09298421A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 電気回路及びその測定用端子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13746196A JPH09298421A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 電気回路及びその測定用端子回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298421A true JPH09298421A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15199155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13746196A Pending JPH09298421A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 電気回路及びその測定用端子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9350291B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-05-24 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP13746196A patent/JPH09298421A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9350291B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-05-24 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
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