JPH09296271A - プラズマｃｖｄ反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法Info
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- JPH09296271A JPH09296271A JP17168696A JP17168696A JPH09296271A JP H09296271 A JPH09296271 A JP H09296271A JP 17168696 A JP17168696 A JP 17168696A JP 17168696 A JP17168696 A JP 17168696A JP H09296271 A JPH09296271 A JP H09296271A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 毒性や可燃性のない、取り扱いの容易なガス
を用いながら、高速でプラズマＣＶＤ装置内のクリーニ
ングを行なえるようにする。 【解決手段】 反応室１１内に一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
とフッ化炭素との混合ガスを導入し、反応室１１内部で
プラズマを生成することにより反応室１１内の表面への
付着物を除去する。フッ化炭素としては例えば、四フッ
化炭素（ＣＦ4、フロン１４）、ヘキサフルオロエタン
（Ｃ2Ｆ6、フロン１１６）、パーフルオロプロパン（Ｃ
3Ｆ8、フロン２１８）、ヘキサフルオロプロピレン（Ｃ
3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8、フロン
Ｃ３１８）等の炭素数１〜４のものが好ましい。また、
同じ方法で高速エッチングを行なうこともできる。
を用いながら、高速でプラズマＣＶＤ装置内のクリーニ
ングを行なえるようにする。 【解決手段】 反応室１１内に一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
とフッ化炭素との混合ガスを導入し、反応室１１内部で
プラズマを生成することにより反応室１１内の表面への
付着物を除去する。フッ化炭素としては例えば、四フッ
化炭素（ＣＦ4、フロン１４）、ヘキサフルオロエタン
（Ｃ2Ｆ6、フロン１１６）、パーフルオロプロパン（Ｃ
3Ｆ8、フロン２１８）、ヘキサフルオロプロピレン（Ｃ
3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8、フロン
Ｃ３１８）等の炭素数１〜４のものが好ましい。また、
同じ方法で高速エッチングを行なうこともできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置やプラズマエッチング装置等の、プラズマを利用した
表面処理装置に関する。
置やプラズマエッチング装置等の、プラズマを利用した
表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本願出願人は、特にマイクロマシーニン
グに適したＣＶＤ装置として、シリコンアルコキシド系
を含む有機ケイ素化合物を原料とするとともに、新規な
高周波電力投入方法及び電極形状を用いることによりシ
リコン及び酸化シリコンの成膜速度を従来より飛躍的に
高めたプラズマＣＶＤ装置を開発した（特願平７−８６
２６７号）。
グに適したＣＶＤ装置として、シリコンアルコキシド系
を含む有機ケイ素化合物を原料とするとともに、新規な
高周波電力投入方法及び電極形状を用いることによりシ
リコン及び酸化シリコンの成膜速度を従来より飛躍的に
高めたプラズマＣＶＤ装置を開発した（特願平７−８６
２６７号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＣＶＤ装置では、
特に被処理物の方に選択的に成膜が行なわれるように電
力投入方法及び電極形状が工夫されているが、それでも
反応室の内壁には成膜材料の堆積が著しく、放置すると
フレークやパウダー状の堆積物が被処理物上に脱落して
製品不良を生じる。
特に被処理物の方に選択的に成膜が行なわれるように電
力投入方法及び電極形状が工夫されているが、それでも
反応室の内壁には成膜材料の堆積が著しく、放置すると
フレークやパウダー状の堆積物が被処理物上に脱落して
製品不良を生じる。
【０００４】このような反応室内壁の堆積物の除去に
は、強い酸性溶液により湿式除去する方法もあるが、こ
の方法では清掃作業のために真空を破らなければなら
ず、また、反応室内部の試料台や電極等を除去しなけれ
ばならないため、作業が非常に面倒である。そのため通
常は、反応室内でプラズマエッチングと同様の反応を生
じさせることにより内壁の堆積物を除去するという方法
をとる。この清掃方法で用いられる反応ガスとして、従
来はＣ2Ｆ6＋Ｏ2、ＮＦ3＋Ｏ2等の混合ガスが用いられ
ていた。このうち、ＮＦ3（三フッ化窒素）はクリーニ
ング速度は速いものの、有毒であり、支燃性が強いため
に取り扱いが不便であるという欠点がある。一方、Ｃ2
Ｆ6（ヘキサフルオロエタン）については取り扱い上の
危険性はないものの、クリーニング速度が低いため、上
記のような厚い堆積物を除去するには不適である。
は、強い酸性溶液により湿式除去する方法もあるが、こ
の方法では清掃作業のために真空を破らなければなら
ず、また、反応室内部の試料台や電極等を除去しなけれ
ばならないため、作業が非常に面倒である。そのため通
常は、反応室内でプラズマエッチングと同様の反応を生
じさせることにより内壁の堆積物を除去するという方法
をとる。この清掃方法で用いられる反応ガスとして、従
来はＣ2Ｆ6＋Ｏ2、ＮＦ3＋Ｏ2等の混合ガスが用いられ
ていた。このうち、ＮＦ3（三フッ化窒素）はクリーニ
ング速度は速いものの、有毒であり、支燃性が強いため
に取り扱いが不便であるという欠点がある。一方、Ｃ2
Ｆ6（ヘキサフルオロエタン）については取り扱い上の
危険性はないものの、クリーニング速度が低いため、上
記のような厚い堆積物を除去するには不適である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係るプラズマＣＶＤ反応室の清掃方
法は、反応室内に一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とフッ化炭素
との混合ガスを導入し、反応室内部でプラズマを生成す
ることにより反応室内部表面への付着物を除去すること
を特徴とするものである。
に成された本発明に係るプラズマＣＶＤ反応室の清掃方
法は、反応室内に一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とフッ化炭素
との混合ガスを導入し、反応室内部でプラズマを生成す
ることにより反応室内部表面への付着物を除去すること
を特徴とするものである。
【０００６】また、上記工程はプラズマエッチングに他
ならない。そこで本発明は、反応ガスとして一酸化二窒
素（Ｎ2Ｏ）とフッ化炭素との混合ガスを用いることを
特徴とするプラズマエッチング方法としても成立する。
ならない。そこで本発明は、反応ガスとして一酸化二窒
素（Ｎ2Ｏ）とフッ化炭素との混合ガスを用いることを
特徴とするプラズマエッチング方法としても成立する。
【０００７】これらの方法において、フッ化炭素は炭素
数１〜４のものを使用することが望ましい。例えば、四
フッ化炭素（ＣＦ4、フロン１４）、ヘキサフルオロエ
タン（Ｃ2Ｆ6、フロン１１６）、パーフルオロプロパン
（Ｃ3Ｆ8、フロン２１８）、ヘキサフルオロプロピレン
（Ｃ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8、フ
ロンＣ３１８）等である。
数１〜４のものを使用することが望ましい。例えば、四
フッ化炭素（ＣＦ4、フロン１４）、ヘキサフルオロエ
タン（Ｃ2Ｆ6、フロン１１６）、パーフルオロプロパン
（Ｃ3Ｆ8、フロン２１８）、ヘキサフルオロプロピレン
（Ｃ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8、フ
ロンＣ３１８）等である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る方法をプラズマＣＶ
Ｄ装置のクリーニングに用いる場合、次のように行な
う。プラズマＣＶＤ処理が終了し、被処理物を反応室か
ら取り出した後（或いは被処理物を反応室から取り出す
前に）、反応室内の残留ガスを排出する。反応室を密閉
した後、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）ガス及びフッ化炭素ガ
スを反応室内に導入する。両ガスの最適混合比はフッ化
炭素分子のフッ素数に依存するが、概ね［一酸化二窒
素］：［フッ化炭素］＝１：１〜１：３程度（体積比）
である。反応室内の圧力が数Torr以下となるように両ガ
スを導入し、圧力調整をしながら真空ポンプで排気を行
ない、プラズマＣＶＤ装置としての通常の用法に従って
電極に高周波電力を投入する。これにより、反応室内の
内壁、試料台等の表面に付着したシリコン、酸化シリコ
ン等のＣＶＤ成膜材料が高速で除去される。
Ｄ装置のクリーニングに用いる場合、次のように行な
う。プラズマＣＶＤ処理が終了し、被処理物を反応室か
ら取り出した後（或いは被処理物を反応室から取り出す
前に）、反応室内の残留ガスを排出する。反応室を密閉
した後、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）ガス及びフッ化炭素ガ
スを反応室内に導入する。両ガスの最適混合比はフッ化
炭素分子のフッ素数に依存するが、概ね［一酸化二窒
素］：［フッ化炭素］＝１：１〜１：３程度（体積比）
である。反応室内の圧力が数Torr以下となるように両ガ
スを導入し、圧力調整をしながら真空ポンプで排気を行
ない、プラズマＣＶＤ装置としての通常の用法に従って
電極に高周波電力を投入する。これにより、反応室内の
内壁、試料台等の表面に付着したシリコン、酸化シリコ
ン等のＣＶＤ成膜材料が高速で除去される。
【０００９】本発明に係る方法をプラズマエッチング装
置に適用する場合も、反応ガスを上記のようにするだけ
であり、上記同様の工程でシリコン又は酸化シリコンに
対して高速のエッチングを行なうことができる。
置に適用する場合も、反応ガスを上記のようにするだけ
であり、上記同様の工程でシリコン又は酸化シリコンに
対して高速のエッチングを行なうことができる。
【００１０】
【発明の効果】現在のＣＶＤ装置又はエッチング装置は
いずれも反応ガスを外部に放出しない構造になってい
る。そのため、反応ガスについての問題は、原料ガスボ
ンベの接続時や反応残ガスの処理時の誤操作等、何らか
の理由によりガスが漏れた場合の安全性であるが、本発
明の方法で用いるガスのうち、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
は笑気ガスであり、操作者による吸引を防止するための
措置を講ずる必要はあるものの、万が一吸引しても人体
に対する毒性は従来のＮＦ3よりも遙かに低い。また、
Ｎ2Ｏは通常不燃性である。一方、フッ化炭素の方も環
境保護のために外部への漏出はできるだけ防止せねばな
らないものの、たとえ少量が漏れたとしても人体に対し
ては無害であり、火気に対する危険性は少ない。
いずれも反応ガスを外部に放出しない構造になってい
る。そのため、反応ガスについての問題は、原料ガスボ
ンベの接続時や反応残ガスの処理時の誤操作等、何らか
の理由によりガスが漏れた場合の安全性であるが、本発
明の方法で用いるガスのうち、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
は笑気ガスであり、操作者による吸引を防止するための
措置を講ずる必要はあるものの、万が一吸引しても人体
に対する毒性は従来のＮＦ3よりも遙かに低い。また、
Ｎ2Ｏは通常不燃性である。一方、フッ化炭素の方も環
境保護のために外部への漏出はできるだけ防止せねばな
らないものの、たとえ少量が漏れたとしても人体に対し
ては無害であり、火気に対する危険性は少ない。
【００１１】本発明で用いるガスはこのように取り扱い
が容易である上に、クリーニング速度が非常に大きい。
このため、反応室内壁に成膜材料が厚く堆積する厚膜形
成用プラズマＣＶＤ装置においては反応室のクリーニン
グ時間を大幅に短縮し、ＣＶＤ装置全体の生産性を大き
く高める。また、エッチング処理に用いた場合には高速
でエッチングを行なうことができるため、深い加工が必
要なマイクロマシーニングの処理効率を高め、生産性を
向上する。
が容易である上に、クリーニング速度が非常に大きい。
このため、反応室内壁に成膜材料が厚く堆積する厚膜形
成用プラズマＣＶＤ装置においては反応室のクリーニン
グ時間を大幅に短縮し、ＣＶＤ装置全体の生産性を大き
く高める。また、エッチング処理に用いた場合には高速
でエッチングを行なうことができるため、深い加工が必
要なマイクロマシーニングの処理効率を高め、生産性を
向上する。
【００１２】
【実施例】厚膜形成用プラズマＣＶＤ装置の反応室を清
掃するために本発明を用いた例を図１〜図７により説明
する。図２に示すように、密閉された反応室１１内では
上部電極１２及び下部電極１３が略平行に配されてお
り、被処理物１８は下部電極１３の上に載置される。上
部電極１２は接地され、下部電極１３は整合回路２３
（図１）を介して高周波（ＲＦ）電源２４（13.56MHz）
に接続される。下部電極１３の下には絶縁層１４を介し
て接地台１５が設けられ、接地台１５の周囲は被処理物
１８よりも上方に突出して、その上端からは内側に張り
出して下部電極１３の周囲を覆うように第３電極（アー
スシールド）１６が設けられている。アースシールド１
６も接地に接続される。上部電極１２を吊り下げる棒１
７にはガス通路が設けられ、上部電極１２の下面に設け
た穴から原料ガスがシャワー状に反応室１１内に供給さ
れる。反応室１１の側面下部にはガス排出口２０が設け
られ、真空ポンプ２１（図１）により反応室１１内の反
応ガスを排出する。
掃するために本発明を用いた例を図１〜図７により説明
する。図２に示すように、密閉された反応室１１内では
上部電極１２及び下部電極１３が略平行に配されてお
り、被処理物１８は下部電極１３の上に載置される。上
部電極１２は接地され、下部電極１３は整合回路２３
（図１）を介して高周波（ＲＦ）電源２４（13.56MHz）
に接続される。下部電極１３の下には絶縁層１４を介し
て接地台１５が設けられ、接地台１５の周囲は被処理物
１８よりも上方に突出して、その上端からは内側に張り
出して下部電極１３の周囲を覆うように第３電極（アー
スシールド）１６が設けられている。アースシールド１
６も接地に接続される。上部電極１２を吊り下げる棒１
７にはガス通路が設けられ、上部電極１２の下面に設け
た穴から原料ガスがシャワー状に反応室１１内に供給さ
れる。反応室１１の側面下部にはガス排出口２０が設け
られ、真空ポンプ２１（図１）により反応室１１内の反
応ガスを排出する。
【００１３】被処理物１８にシリコン、酸化シリコン等
の厚膜を形成する通常の作業の際は、図１に示す切替バ
ルブ２５を原料ガス側に切り替え、反応室１１に原料ガ
スとして例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxy Silane）、ＴＭ
ＯＳ（Tetramethoxy Silane）等のシリコンアルコキシ
ドと酸素ガスとの混合ガスを導入する。両ガスの導入量
は流量計ＭＦＣ１及びＭＦＣ２により制御する。そし
て、接地台１５内のヒータにより被処理物１８が１００
〜１５０℃程度となるように加熱し、下部電極１３に高
周波電力を投入する。これにより、被処理物１８上にプ
ラズマが形成され、シリコン又は酸化シリコンの厚膜が
生成される。このＣＶＤ作業の詳細は特願平７−８６２
６７号に記載されている。
の厚膜を形成する通常の作業の際は、図１に示す切替バ
ルブ２５を原料ガス側に切り替え、反応室１１に原料ガ
スとして例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxy Silane）、ＴＭ
ＯＳ（Tetramethoxy Silane）等のシリコンアルコキシ
ドと酸素ガスとの混合ガスを導入する。両ガスの導入量
は流量計ＭＦＣ１及びＭＦＣ２により制御する。そし
て、接地台１５内のヒータにより被処理物１８が１００
〜１５０℃程度となるように加熱し、下部電極１３に高
周波電力を投入する。これにより、被処理物１８上にプ
ラズマが形成され、シリコン又は酸化シリコンの厚膜が
生成される。このＣＶＤ作業の詳細は特願平７−８６２
６７号に記載されている。
【００１４】被処理物１８に対する厚膜形成が終了した
後、反応室１１の内壁には、被処理物１８に形成した皮
膜と同じシリコン又は酸化シリコンが堆積している。こ
れを放置しておくと、次回以降の厚膜形成処理の際にこ
れらがパウダー状に剥離して被処理物１８上に落下し、
製品不良を引き起こす。そこで、まず真空ポンプ２１で
反応室１１内のガスを排出し、下部電極１３上の被処理
物１８を取り出す。次に、図１に示す切替バルブ２５を
切り替えて、反応室１１内にクリーニング用ガスである
Ｃ2Ｆ6とＮ2Ｏを導入する。両ガスの導入量は流量計Ｍ
ＦＣ３及びＭＦＣ４により制御する。反応室１１内に両
ガスが所定の比率、所定の圧力で満たされた時点で、Ｒ
Ｆ電源２４より厚膜形成時とほぼ同様の高周波電力を投
入し、反応室１１内にプラズマを生成させる。このプラ
ズマにより、反応室１１内の表面に堆積したシリコンや
酸化シリコンは高速でエッチングされ、除去される。ク
リーニングが終了した後は真空ポンプ２１により反応室
１１内の残ガスを排出することにより、上記成膜処理を
行なえる状態となる。
後、反応室１１の内壁には、被処理物１８に形成した皮
膜と同じシリコン又は酸化シリコンが堆積している。こ
れを放置しておくと、次回以降の厚膜形成処理の際にこ
れらがパウダー状に剥離して被処理物１８上に落下し、
製品不良を引き起こす。そこで、まず真空ポンプ２１で
反応室１１内のガスを排出し、下部電極１３上の被処理
物１８を取り出す。次に、図１に示す切替バルブ２５を
切り替えて、反応室１１内にクリーニング用ガスである
Ｃ2Ｆ6とＮ2Ｏを導入する。両ガスの導入量は流量計Ｍ
ＦＣ３及びＭＦＣ４により制御する。反応室１１内に両
ガスが所定の比率、所定の圧力で満たされた時点で、Ｒ
Ｆ電源２４より厚膜形成時とほぼ同様の高周波電力を投
入し、反応室１１内にプラズマを生成させる。このプラ
ズマにより、反応室１１内の表面に堆積したシリコンや
酸化シリコンは高速でエッチングされ、除去される。ク
リーニングが終了した後は真空ポンプ２１により反応室
１１内の残ガスを排出することにより、上記成膜処理を
行なえる状態となる。
【００１５】Ｃ2Ｆ6＋Ｎ2Ｏ混合ガスを用いて酸化シリ
コン（ＳｉＯ2）をエッチングする場合の、エッチング
速度に及ぼす各種エッチング条件の影響を図３〜図７に
より説明する。なお、これらのグラフにおいて、○印は
試料台（下部電極１３）上におけるエッチング速度を、
□印はアースシールド１６におけるエッチング速度を表
わすが、反応室１１内のクリーニングを対象とする場
合、アースシールド１６におけるエッチング速度（□
印）が高いことが必要である。
コン（ＳｉＯ2）をエッチングする場合の、エッチング
速度に及ぼす各種エッチング条件の影響を図３〜図７に
より説明する。なお、これらのグラフにおいて、○印は
試料台（下部電極１３）上におけるエッチング速度を、
□印はアースシールド１６におけるエッチング速度を表
わすが、反応室１１内のクリーニングを対象とする場
合、アースシールド１６におけるエッチング速度（□
印）が高いことが必要である。
【００１６】まず、Ｃ2Ｆ6ガスとＮ2Ｏガスの混合比に
ついては、図３に示すように、アースシールドにおける
エッチング速度はＮ2Ｏ：Ｃ2Ｆ6＝１：１〜１：３の範
囲においてほぼ変化なく、３００オングストローム／分
程度となっている。同条件でＣ2Ｆ6＋Ｏ2を用いた場合
のエッチング速度は約１４０オングストローム／分程度
であるため、本実施例の方法により従来の約２倍のエッ
チング速度が得られる（すなわち、約半分の時間でクリ
ーニングを済ませることができる）。
ついては、図３に示すように、アースシールドにおける
エッチング速度はＮ2Ｏ：Ｃ2Ｆ6＝１：１〜１：３の範
囲においてほぼ変化なく、３００オングストローム／分
程度となっている。同条件でＣ2Ｆ6＋Ｏ2を用いた場合
のエッチング速度は約１４０オングストローム／分程度
であるため、本実施例の方法により従来の約２倍のエッ
チング速度が得られる（すなわち、約半分の時間でクリ
ーニングを済ませることができる）。
【００１７】次に、反応室内の混合ガスの圧力の影響を
図４に示す。アースシールドにおけるエッチング速度は
圧力が約１Torrのところで最高となり、５００オングス
トローム／分程度に達する。０．５Torrにおいても３１
０オングストローム／分程度と、従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2の
場合の２倍以上の速度が得られる。
図４に示す。アースシールドにおけるエッチング速度は
圧力が約１Torrのところで最高となり、５００オングス
トローム／分程度に達する。０．５Torrにおいても３１
０オングストローム／分程度と、従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2の
場合の２倍以上の速度が得られる。
【００１８】反応ガス（Ｃ2Ｆ6＋Ｎ2Ｏ）の流量の影響
を表わす図５もほぼ同様の結果を示している。
を表わす図５もほぼ同様の結果を示している。
【００１９】図６は下部電極に投入する高周波電力の大
きさの影響を示すものである。図６にはＣ2Ｆ6＋Ｏ2
（混合比はＯ2／Ｃ2Ｆ6＝１００％）のエッチング速度
のグラフも記入したが、投入電力の大きさに拘らず、本
実施例のＣ2Ｆ6＋Ｎ2Ｏ混合ガス（混合比はＮ2Ｏ／Ｃ2
Ｆ6＝２００％）は２倍程度のエッチング速度が得られ
ている。試料台（下部電極１３）の温度の影響を示す図
７も同じ傾向を示している。
きさの影響を示すものである。図６にはＣ2Ｆ6＋Ｏ2
（混合比はＯ2／Ｃ2Ｆ6＝１００％）のエッチング速度
のグラフも記入したが、投入電力の大きさに拘らず、本
実施例のＣ2Ｆ6＋Ｎ2Ｏ混合ガス（混合比はＮ2Ｏ／Ｃ2
Ｆ6＝２００％）は２倍程度のエッチング速度が得られ
ている。試料台（下部電極１３）の温度の影響を示す図
７も同じ傾向を示している。
【００２０】以上具体的に示した通り、本実施例の方法
では、いずれも従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2を用いる方法の２倍
程度のエッチング（すなわちクリーニング）速度が得ら
れる。
では、いずれも従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2を用いる方法の２倍
程度のエッチング（すなわちクリーニング）速度が得ら
れる。
【００２１】上記は酸化シリコン（ＳｉＯ2）に対して
の結果であったが、次に、反応室内壁のシリコン（Ｓ
ｉ）堆積物又はシリコン基板に対するクリーニング速度
又はエッチング速度について実験を行なった結果を説明
する。図８はＣ2Ｆ6とＮ2Ｏの混合比をパラメータとし
てシリコンに対するエッチング速度を調べたものである
が、Ｎ2Ｏ／Ｃ2Ｆ6＝１００〜３００％の範囲で８５０
０〜１１７００オングストローム／分という高いエッチ
ング速度が得られている。従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2混合ガス
の場合の速度はせいぜい４００オングストローム／分で
あるため、本発明はシリコンを対象とする場合に更に効
果的なクリーニング法、エッチング法となる。
の結果であったが、次に、反応室内壁のシリコン（Ｓ
ｉ）堆積物又はシリコン基板に対するクリーニング速度
又はエッチング速度について実験を行なった結果を説明
する。図８はＣ2Ｆ6とＮ2Ｏの混合比をパラメータとし
てシリコンに対するエッチング速度を調べたものである
が、Ｎ2Ｏ／Ｃ2Ｆ6＝１００〜３００％の範囲で８５０
０〜１１７００オングストローム／分という高いエッチ
ング速度が得られている。従来のＣ2Ｆ6＋Ｏ2混合ガス
の場合の速度はせいぜい４００オングストローム／分で
あるため、本発明はシリコンを対象とする場合に更に効
果的なクリーニング法、エッチング法となる。
【００２２】なお、上記実施例ではフッ化炭素ガスとし
てＣ2Ｆ6を用いたが、ＣＦ4等のその他のフッ化炭素ガ
スも同様に用いることができることは前記の通りであ
る。
てＣ2Ｆ6を用いたが、ＣＦ4等のその他のフッ化炭素ガ
スも同様に用いることができることは前記の通りであ
る。
【図１】 本発明が適用される厚膜形成用プラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成図。
Ｄ装置の概略構成図。
【図２】 厚膜形成用プラズマＣＶＤ装置の反応室内部
の概略構成図。
の概略構成図。
【図３】 Ｎ2Ｏ／Ｃ2Ｆ6とＳｉＯ2のエッチング（クリ
ーニング）速度との関係を示すグラフ。
ーニング）速度との関係を示すグラフ。
【図４】 Ｎ2Ｏ＋Ｃ2Ｆ6混合ガスの圧力とＳｉＯ2のエ
ッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラフ。
ッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラフ。
【図５】 Ｎ2Ｏ＋Ｃ2Ｆ6混合ガスの流量とＳｉＯ2のエ
ッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラフ。
ッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラフ。
【図６】 下部電極に投入される高周波電力とＳｉＯ2
のエッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラ
フ。
のエッチング（クリーニング）速度との関係を示すグラ
フ。
【図７】 試料台の温度とＳｉＯ2のエッチング（クリ
ーニング）速度との関係を示すグラフ。
ーニング）速度との関係を示すグラフ。
【図８】 Ｎ2Ｏ／Ｃ2Ｆ6とＳｉのエッチング（クリー
ニング）速度との関係を示すグラフ。
ニング）速度との関係を示すグラフ。
１１…反応室 １２…上部電極 １３…下部電極 １４…絶縁層 １５…接地台 １６…アースシールド（第３電極） １８…被処理物 ２０…ガス排出口 ２１…真空ポンプ ２３…整合回路 ２４…高周波（ＲＦ）電源 ２５…切替バルブ
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とフ
ッ化炭素との混合ガスを導入し、反応室内部でプラズマ
を生成することにより反応室内の表面への付着物を除去
することを特徴とするプラズマＣＶＤ反応室の清掃方
法。 - 【請求項２】 反応ガスとして一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
とフッ化炭素との混合ガスを用いることを特徴とするプ
ラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 フッ化炭素の炭素数が１乃至４のいずれ
かであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラ
ズマＣＶＤ反応室清掃方法又はプラズマエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17168696A JPH09296271A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | プラズマｃｖｄ反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17168696A JPH09296271A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | プラズマｃｖｄ反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09296271A true JPH09296271A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15927820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17168696A Pending JPH09296271A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | プラズマｃｖｄ反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09296271A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008805A1 (en) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
| KR20020017182A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 윤종용 | 옥타플루오로부텐으로 이루어지는 식각 가스를 이용한반도체 소자의 제조방법 |
| KR100358459B1 (ko) * | 1999-05-05 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 유전체 박막의 선택적 에칭 방법 |
| WO2004050936A3 (de) * | 2002-11-30 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum reinigen einer prozesskammer |
| JP2006024709A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Taiyo Nippon Sanso Corp | チャンバーのクリーニング方法 |
| WO2008001844A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Showa Denko K.K. | Procédé de production d'hexafluoropropylène à haut degré de pureté et gaz nettoyant |
| JP2012509592A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 灰化方法及び装置による基板工程プラズマ |
-
1996
- 1996-05-02 JP JP17168696A patent/JPH09296271A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008805A1 (en) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
| KR100358459B1 (ko) * | 1999-05-05 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 유전체 박막의 선택적 에칭 방법 |
| KR20020017182A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 윤종용 | 옥타플루오로부텐으로 이루어지는 식각 가스를 이용한반도체 소자의 제조방법 |
| WO2004050936A3 (de) * | 2002-11-30 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum reinigen einer prozesskammer |
| JP2006024709A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Taiyo Nippon Sanso Corp | チャンバーのクリーニング方法 |
| WO2008001844A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Showa Denko K.K. | Procédé de production d'hexafluoropropylène à haut degré de pureté et gaz nettoyant |
| JP5132555B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2013-01-30 | 昭和電工株式会社 | 高純度ヘキサフルオロプロピレンの製造方法及びクリーニングガス |
| JP2012509592A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 灰化方法及び装置による基板工程プラズマ |
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