JPH09289187A

JPH09289187A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH09289187A
Application number: JP10023896A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kawada; 宏幸川田; Toshihiro Yamamura; 俊博山村; Tsuneyuki Nishimura; 恒幸西村
Original assignee: Renesas Semiconductor Engineering Corp; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Renesas Semiconductor Engineering Corp; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1996-04-22
Filing date: 1996-04-22
Publication date: 1997-11-04

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板を処理するための反応室の内部の
清浄度を向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置の反応室１には、洗浄液
１２を反応室１内へ導入するための洗浄液吹き出し口１
１と、排出するための洗浄液排出口１３とを備える。洗
浄液１２として、処理される膜質に応じて純水をはじめ
揮発性液体、酸性液体のいずれかを用いることにより、
反応室内面に付着した異物等が物理的、化学的に効率よ
く除去され、その結果、半導体装置の歩留りを向上する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に、反応室を備えた半導体製造装置において、そ
の反応室の清浄度を向上する構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の反応室を有する半導体製造装置の
一例として、減圧式化学気相成長装置（以下減圧ＣＶＤ
装置と記す）について図を用いて説明する。図７を参照
して、減圧ＣＶＤ装置は反応室１内において、半導体基
板４上に所望の膜を形成するための材料ガスを供給する
ための材料ガス配管２と反応室１内に導入された材料ガ
スをプラズマ励起するための高周波電源６とマッチング
ボックス７とを備えている。反応後の材料ガスは排気口
５から排気される。

【０００３】次に、このような減圧ＣＶＤ装置を用い、
シリコン酸化膜を半導体基板上に形成する場合について
説明する。たとえば、材料ガスとしてモノシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）と酸素とを用いる。これらのガスをプラズマ中で
反応させると、以下の式により半導体基板４上にシリコ
ン酸化膜を形成することができる。

【０００４】ＳｉＨ₄＋Ｏ₂→ＳｉＯ₂＋２Ｈ₂ このようにして形成されるシリコン酸化膜は半導体基板
４上以外に反応室１の内壁にも異物として形成される。
しかも、半導体基板４の処理枚数が増えるにつれて反応
室１の内壁に付着するシリコン酸化膜の膜厚が増加す
る。極端に厚くなったシリコン酸化膜は、反応室１の内
壁から剥がれ落ち反応室１内を汚染する。通常、これを
防ぐため、ある所定の枚数の半導体基板を処理した後、
反応室１内を高周波電源およびマッチングボックスによ
りプラズマクリーニングを施す。このプラズマクリーニ
ングにより、反応室１内は一定の清浄度を保持すること
ができる。しかし、反応室１内はプラズマクリーニング
によって、たとえば反応室１内の隅の方は良好にクリー
ニングできないことがある。このような箇所に付着して
いる異物は徐々に堆積し、半導体基板４の出入れ時等に
半導体基板４上へ再付着することがある。このため、半
導体基板に形成された半導体装置の歩留りの低下を招く
ことになる。

【０００５】次に、半導体製造装置の他の例としてエッ
チング装置について図を用いて説明する。エッチング装
置は、減圧にされた反応室内に、エッチングガスを導入
することにより被エッチング膜のエッチングを行なうこ
とから、その基本構成は、図７に示す減圧ＣＶＤ装置と
同様である。

【０００６】次に、たとえば、エッチングガスＣＦ₄を
用いて半導体基板４上に形成されたシリコン酸化膜をエ
ッチングする場合について説明する。反応室１内に導入
されたエッチングガスＣＦ₄はプラズマ中で、ＣＦ₄→２Ｆ＋ＣＦ₂ に分解される。次に、ＳｉＯ₂＋４Ｆ→ＳｉＦ₄↑＋２ＯＳｉＯ₂＋２ＣＦ₂→ＳｉＦ₄↑＋２ＣＯという反応により、シリコン酸化膜がエッチングされ、
シリコン酸化膜はＳｉＦ₄として蒸発し反応室の外へ排
気される。

【０００７】このとき、反応室１内の内壁やガス拡散プ
レート３等には、フッ素や被エッチング膜が付着する。
しかも、反応室１の内壁やガス拡散プレート３の材質が
アルミニウムであると、このアルミニウムとフッ素とが
反応し、Ａｌ_XＦ_Yが形成される。このような反応生成
物や異物としての被エッチング膜は、反応室内のプラズ
マクリーニングやＣＦ₄による気相エッチングによって
除去される。しかし、反応室１内においては部分的にこ
の生成物や異物が除去されにくい箇所がある。このよう
な箇所に付着した異物が半導体基板４上に再付着する
と、半導体装置の歩留りの低下を招くことになる。

【０００８】また、このような異物を除去するために、
クリーニングを頻繁に行なったり、反応室内のガス拡散
プレート等の治具を交換したりするなどして、装置の稼
働率を下げることがあった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の減圧ＣＶＤ装置やエッチング装置などのように、
反応室を有する半導体製造装置においては、成膜あるい
はエッチングによって、反応室の内壁に付着した異物を
除去するためにプラズマクリーニングや気相エッチング
などを施していた。このため、反応室内の形状によって
は良好に異物を除去できない箇所が存在し、その箇所に
付着していた異物が半導体基板上に再付着すると半導体
装置の歩留りを低下させることがあった。また、このよ
うな再付着を起こす異物を除去するために、クリーニン
グを頻繁に行なったり、反応室内の部品を交換するなど
して、半導体製造装置の稼働率が下るという問題があっ
た。

【００１０】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、半導体製造装置の反応室の清
浄度を向上し、歩留りが高く、かつ、稼働率の高い半導
体製造装置を得ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
の半導体製造装置は、半導体基板を処理するための反応
室を備えた半導体製造装置であって、反応室へ洗浄液を
導入するための洗浄液供給手段と、反応室へ供給された
洗浄液を排出するための洗浄液排出手段とを備えてい
る。

【００１２】上述したように、半導体製造装置の反応室
の清浄度を維持するため、反応室内は主に、プラズマク
リーニングや気相エッチングを行なっていた。本願発明
は、これを液体を用いてクリーニングするものである。
液体を使った洗浄は通常、被洗浄物を洗浄槽等に入れて
洗浄するのが一般的であり、洗浄液を直接反応室へ導入
して洗浄するものはなかった。

【００１３】そこで、上述した本発明の構成によれば、
洗浄液供給手段によって供給された洗浄液を反応室へ導
入することにより反応室の内壁に付着した異物を隅々ま
で良好に除去することができ、しかも除去した異物を洗
浄液とともに洗浄液排出手段によって反応室外部へ排出
することができる。このため、反応室の内壁の清浄度を
高く維持することができる。したがって、反応室内壁に
付着した異物の半導体基板への再付着を防止することが
でき、半導体装置の歩留りを向上することができる。

【００１４】請求項１に記載の半導体製造装置において
請求項２に記載のように、洗浄液は揮発性液体または酸
性液体であってもよい。まず、揮発性液体の場合、反応
室の内壁に付着した異物を物理的に除去することができ
るとともに、除去後反応室内に残留している揮発性液体
は容易に気化され、洗浄後に反応室内部の圧力を所定の
真空度にまで達する時間を短縮することができる。ま
た、酸性液体の場合は、反応室の内壁に付着した異物を
エッチング等により化学的に除去することができる。

【００１５】このようにして、成膜あるいは被エッチン
グ膜の膜質によって、適切な洗浄液を選択することによ
り、反応室内の清浄度を向上することができる。

【００１６】請求項２に記載の半導体製造装置において
請求項３に記載のように、反応室の内壁面が洗浄液に対
して耐腐食性のある物質によって被覆されていてもよ
い。そのような場合、揮発性液体または酸性液体によっ
て、反応室の内壁面が侵されることはない。

【００１７】請求項１または３に記載の半導体製造装置
において請求項４に記載のように、洗浄液供給手段と洗
浄液排出手段との間に、洗浄液排出手段から排出された
洗浄液と異物とを分離し、異物と分離された洗浄液を洗
浄液供給手段へ供給する洗浄液循環手段をさらに備えて
もよい。

【００１８】そのような場合、異物と分離された洗浄液
を再利用することができる。請求項１または３に記載の
半導体製造装置において請求項５に記載のように、反応
室の壁面を加熱するための加熱手段をさらに備えていて
もよい。

【００１９】そのような場合、洗浄液が温められ反応室
内壁に付着した異物の物理的および化学的除去を促進さ
せることができる。また、反応室の温度を室温よりも高
温に保持しておくことによって、洗浄後に残留している
洗浄液体の気化を促進することができる。このため、反
応室内を所定の真空度にまで達成させる時間を短縮する
ことができる。したがって、半導体製造装置の稼働率を
向上することができる。

【００２０】請求項１または３に記載の半導体製造装置
において請求項６に記載のように、反応室の側面に振動
を与えるための振動手段をさらに備えていてもよい。

【００２１】そのような場合、反応室の内壁に付着した
異物を振動させることにより、異物の除去効果を高める
ことができる。

【００２２】また、請求項１〜６のいずれかに記載の半
導体製造装置において請求項７に記載のように、洗浄液
供給手段により、洗浄液を反応室側壁の内面に沿って一
定方向に流すことにより反応室内を洗浄してもよい。そ
のような場合、洗浄液によって反応室内面に付着した膜
あるいは異物の剥離やエッチングを容易に行なうことが
でき異物等の物理的および化学的除去効果を高めること
ができる。

【００２３】請求項７に記載の半導体製造装置において
請求項８に記載のように、反応室側壁内面が円周面をな
し、洗浄液がその円周面の円周方向に沿って一定方向に
流れるようにしていてもよい。そのような場合、洗浄液
は最も滑らかに側壁内面を余すところなく流れることが
でき、しかも、洗浄液が外へ向かおうとする遠心力によ
って、反応室内面に付着した異物等の剥離作用をさらに
高めることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）本発明の実施の形態１として、減圧Ｃ
ＶＤ装置について図を用いて説明する。図１を参照し
て、減圧ＣＶＤ装置は反応室１に洗浄液１２を導入する
ための洗浄液吹き出し口１１を備える。反応室１内に導
入された洗浄液を排出するための洗浄液排出口１３とバ
ルブ１４とを備え、洗浄後の廃液１６が廃液管１５を通
って反応室の外へ排出される。なお、これ以外の構成に
ついては従来の技術で説明した減圧ＣＶＤ装置と同様で
あるため、同一の部材については同一の符号を付し、そ
の説明を省略する。

【００２５】たとえば、従来の技術において説明したよ
うにモノシランと酸素とを用いてシリコン酸化膜を形成
する場合、反応室１の内壁にはシリコン酸化膜の異物が
付着する。適当な半導体基板の処理枚数を経た後、反応
室１内に洗浄液１２を導入する。洗浄液として、この場
合純水を用いる。洗浄液吹き出し口１１から導入された
純水はその流れにより反応室１の内壁に付着した膜を剥
離する。また、膜として成長せずに反応室１内に落下し
た異物を押し流すことができる。このようにして、剥離
した膜や異物は純水とともに洗浄液排出口１３からバル
ブ１４を経て廃液管１５により反応室１の外へ排出され
る。純水により反応室１の内壁を余すところなく洗浄を
行なうことができ、反応室１内の清浄度を向上させるこ
とができる。

【００２６】なお、本実施の形態では洗浄液として純水
を用いたが、純水に代えてエチルアルコールを用いても
よい。この場合、反応室１内の清浄度を向上することが
できるとともに、洗浄後に反応室１内に残留するエチル
アルコールが気化され、反応室１内の圧力を所定の真空
度により速く達成することができる。したがって、減圧
ＣＶＤ装置の稼働率を向上することができる。洗浄液と
してはエチルアルコールの他に揮発性液体であればよ
く、たとえば半導体産業に頻繁に使用される、アセト
ン、イソプロピルアルコール、ｏ−キシレン、四塩化炭
素、テトラクロロエチレン、トリクレン、エチルアルコ
ールなどを用いることができる。

【００２７】さらに、反応室１の内壁を石英で被覆すれ
ば、洗浄液として硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素水など
の酸性液体を使用することができる。この場合、特に、
半導体基板４を重金属汚染から保護することができる。

【００２８】以上、反応室１の内壁に付着したシリコン
酸化膜や異物を洗浄液によって物理的に除去する方法に
ついて説明したが、化学的に除去することもできる。そ
こで、洗浄液として、たとえば希弗酸を用いる。なお、
この場合反応室１の内壁は酸化アルミニウムにより被覆
されているものとする。反応室１内に供給された希弗酸
は、反応室１の内壁に付着したシリコン酸化膜や異物を
次に示す化学式によりエッチングする。

【００２９】４ＨＦ＋ＳｉＯ₂→ＳｉＦ₄＋２Ｈ₂Ｏこのエッチング作用により、反応室１の内部をより一層
清浄にすることができる。

【００３０】希弗酸の他に、弗酸と弗化アンニモウム
（ＮＨ₄Ｆ）との混合液を用いてもよく、希弗酸に比べ
るとエッチングレートが大きく安定しているので、洗浄
時間の短縮も図ることができる。

【００３１】また、減圧ＣＶＤ装置において成膜する膜
種によって、適当な洗浄液を選択することにより、反応
室内の清浄度を向上することができるとともに、装置の
稼働率も上げることができる。

【００３２】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２として、エッチング装置の場合について図を用いて
説明する。エッチング装置の基本構成は、図１に示す、
減圧ＣＶＤ装置と全く同様である。

【００３３】たとえば、シリコン酸化膜をエッチングガ
スＣＦ₄を用いてドライエッチングする場合、従来の技
術の項で説明したように、高周波電源６およびマッチン
グボックス７により反応室１内に形成されたプラズマ中
で、ＣＦ₄は次に示す式のように分解される。

【００３４】ＣＦ₄→２Ｆ＋ＣＦ₂ 次に、シリコン酸化膜とフッ素とが次に示す式のように
反応する。

【００３５】ＳｉＯ₂＋４Ｆ→ＳｉＦ₄↑＋２ＯＳｉＯ₂＋２ＣＦ₂→ＳｉＦ₄↑＋２ＣＯこの作用により、シリコン酸化膜がエッチングされる。
このとき、被エッチング膜であるシリコン酸化膜が反応
室１の内壁に付着することがある。また、エッチングガ
スが分解されたときに発生するフッ素が、反応室１の内
壁に設けられた電極やガス拡散プレート３などに付着し
た場合、その材質がアルミニウムやアルミニウム合金で
あると、両者が反応してＡｌ_XＦ_Yの生成物が発生す
る。このようにして、反応室１の内壁にはシリコン酸化
膜の異物やアルミニウムの弗化物が付着する。

【００３６】反応室１内に洗浄液１２として純水を供給
することにより、反応室１の内壁に付着したシリコン酸
化膜の異物やアルミニウムの弗化物を余すところなく物
理的に除去することができる。また、洗浄液としてエチ
ルアルコールなどの揮発性液体を用いることもできる。
この場合、特に、反応室１内を洗浄した後反応室１内に
残留する揮発性液体は容易に気化し、反応室１内の真空
度を所定の圧力にまで速く到達させることができる。し
たがって、エッチング装置の稼働率を向上することがで
きる。さらに、反応室１の内壁を石英で被覆すれば、硫
酸などの酸性液体を洗浄液として用いることもできる。
この場合、半導体基板を重金属汚染から保護することが
でき、半導体装置の歩留りを向上することができる。な
お、エチルアルコール以外の揮発性液体や硫酸以外の酸
性液体として、実施の形態１で示した各液体を洗浄液と
して用いることができる。

【００３７】次に、洗浄液として希弗酸を用いると反応
室１の内壁に付着したシリコン酸化膜を化学的に除去す
ることができる。すなわち、反応式ＳｉＯ₂＋４ＨＦ→ＳｉＦ₄＋２Ｈ₂Ｏにより、シリコン酸化膜の異物が弗酸に溶解する。な
お、希弗酸を用いたのは、反応室１内の電極やガス拡散
プレート３はアルミニウムやアルミニウム合金で形成さ
れていることが多く、アルミニウムと弗酸との反応を抑
制するためである。

【００３８】このようにして、反応室１の内壁をより一
層清浄化することができ半導体装置の歩留りを向上する
ことができる。

【００３９】また、被エッチング膜の膜質によって、適
当な洗浄液を選択することにより、反応室内の清浄度を
向上することができるとともに、装置の稼働率も上げる
ことができる。

【００４０】（実施の形態３）次に、実施の形態３とし
て、減圧ＣＶＤ装置あるいはエッチング装置等の反応室
に接続される洗浄液供給機構と洗浄液排出機構との間に
洗浄液の循環機構を備えた場合について図を用いて説明
する。図２を参照して、この洗浄液循環機構は洗浄液排
出口１３およびバルブ１４より排出された異物と洗浄液
とを分離するためのフィルタ１８と、洗浄液を洗浄液タ
ンク１９へ導入するためのポンプ１７と、洗浄液タンク
１９から洗浄液を再び反応室１内へ導入するためのポン
プ２０とフィルタ２１とを備えている。このように構成
すれば、異物と分離された洗浄液を再利用することがで
き製造コストの低減を図ることができる。なお、洗浄液
を循環させるためにポンプ１７，２０，フィルタ１８，
２１を用いているが、洗浄後の洗浄液を異物と分離し、
分離された洗浄液を再び反応室１に供給することが実現
可能であれば、他の手段を用いてもよい。

【００４１】（実施の形態４）次に、実施の形態４とし
て、減圧ＣＶＤ装置あるいはエッチング装置等の反応室
内の清浄度をより高めるための付加的機能を有する反応
室の構成について図を用いて説明する。図３を参照し
て、反応室１はその側壁部に超音波振動子２３を備え
る。この構成によると、反応室１内に導入された洗浄液
１２は超音波振動子２３により振動を受け、反応室１の
内壁に付着した膜や異物に対する洗浄液のせん断応力が
強まり異物等の物理的除去を向上することができる。ま
た、異物等をエッチングするような化学的に除去する洗
浄液体であれば、洗浄液を異物中に浸透させエッチング
効果をより向上することができる。

【００４２】このため、反応室１内の清浄度をより高め
ることができ半導体装置の歩留りを向上することができ
る。

【００４３】なお、この実施の形態４の場合、超音波振
動子２３は反応室１の側面下部に設置しているが、反応
室の形状に合わせ、洗浄液に振動を効率よく与えること
のできる位置であればどこでもよい。

【００４４】（実施の形態５）次に、実施の形態５とし
て、反応室内の清浄度をより高めるための付加的機能を
有する反応室の他の例について図を用いて説明する。図
４を参照して、反応室１はその側部にヒータ２４を備え
る。ヒータ２４は温度制御装置（図示せず）により任意
の温度に保つことができる。

【００４５】以上のように構成された減圧ＣＶＤ装置や
エッチング装置等において、ヒータ２４により反応室１
内の温度を室温よりも高温に保持する。その結果、反応
室１内に供給された純水などの洗浄液は温められ、反応
室１の内壁に付着したＣＶＤやエッチングによる異物に
より浸透し、反応室１内が室温の場合と比較して、より
効率よく異物を除去することができる。また、エチルア
ルコールなどの揮発性液体を洗浄液して用いる場合に
は、洗浄後の反応室１内に残留している揮発性液体の気
化速度を速めることができる。このため、反応室１内の
真空度を所定の真空度にまで達する時間を短縮すること
ができ、装置の稼働率を向上することができる。さら
に、硫酸や弗酸などの酸性液体を洗浄液として用いる場
合には、反応室１の内壁に付着した異物をエッチングす
る速度を速めることができ、清浄度の向上と稼働率の向
上とを同時に達成することができる。

【００４６】なお、実施の形態４で説明したように、反
応室１の側壁部に振動子を備えたものと組合せることに
よりさらに反応室１内の清浄度の向上を図ることができ
る。

【００４７】（実施の形態６）次に、実施の形態６とし
て、減圧ＣＶＤ装置あるいはエッチング装置等の反応室
に供給される洗浄液の吹き出し方の一例について図を用
いて説明する。図６は、図５において洗浄液の吹き出し
の様子を上から見たものである。図６を参照して、反応
室の側壁は円周面をなしている。洗浄液吹き出し口１１
は、この洗浄液吹き出し口１１より吹き出した洗浄液１
２によって反応室１内面に一定の流れができるように、
それぞれ円周に沿う方向に設置されている。この構成に
よれば、洗浄液管２２の洗浄液吹き出し口１１の水平方
向となす角度や洗浄液１２の圧力を変えることによっ
て、反応室１内の側壁面や底面に付着した異物に対する
洗浄液のせん断応力を強めることができ、洗浄効果を向
上することができる。

【００４８】また、実施の形態４において説明した超音
波振動子や実施の形態５において説明したヒータを組合
せることによっても同様の洗浄効果を得ることができる
ことは言うまでもない。

【００４９】なお、今回開示された実施の形態は、単な
る一例にすぎず、特許請求の範囲に記載された発明の均
等の範囲内において、種々の実施の態様を取り得ること
が意図される。

【００５０】

【発明の効果】本発明の半導体製造装置においては、反
応室内を洗浄するために洗浄液体を用いることにより反
応室内壁に付着したＣＶＤによる膜やエッチングによる
異物を物理的あるいは化学的に効率よく除去することが
できる。このため、反応室内の清浄度を上げることがで
き、半導体装置の歩留りを図ることができる。

【００５１】洗浄液としては、純水の他にエタノールな
どの揮発性液体、硫酸などの酸性液体を用いることがで
き、反応室内で処理される膜質に応じた洗浄液を選択す
ることができ、反応室内の清浄度を維持することができ
る。好ましくは、反応室の内壁面を洗浄液に対して耐腐
食性のある物質で被覆することにより、内壁面が洗浄液
によって侵されることはない。なお、洗浄液が揮発性液
体の場合、洗浄後の残留洗浄液がより速く気化され、半
導体製造装置を速くセットアップすることができ、半導
体製造装置の稼働率も上げることができる。

【００５２】また、洗浄液供給手段と洗浄液排出手段と
の間に、洗浄液の循環手段を設けることにより、異物と
分離された洗浄液を再利用することができる。

【００５３】さらに、反応室の側壁部に振動子やヒータ
を設けることにより、洗浄液の除去効果を高め、半導体
装置の歩留りをさらに向上することができる。

【００５４】また、洗浄液を反応室側面に沿って一定方
向に流すことにより、好ましくは、円周面をなす反応室
側壁に円周方向に沿って一定方向に流すことにより、異
物をさらに効果的に除去し、半導体装置の歩留りを向上
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１に係る減圧ＣＶＤ装置または実
施の形態２に係るエッチング装置の反応室の断面を示す
図である。

【図２】実施の形態３に係る減圧ＣＶＤ装置またはエ
ッチング装置の反応室の断面を示す図である。

【図３】実施の形態４に係る減圧ＣＶＤ装置またはエ
ッチング装置の反応室の断面を示す図である。

【図４】実施の形態５に係る減圧ＣＶＤ装置またはエ
ッチング装置の反応室の断面を示す図である。

【図５】実施の形態６に係る減圧ＣＶＤ装置またはエ
ッチング装置の反応室の断面を示す図である。

【図６】実施の形態６に係る減圧ＣＶＤ装置またはエ
ッチング装置の反応室の平面を示す図である。

【図７】従来の減圧ＣＶＤ装置またはエッチング装置
の反応室の断面を示す図である。

【符号の説明】

１反応室、２材料ガス配管、３ガス拡散プレー
ト、４半導体基板、５排気口、６高周波電源、７
マッチングボックス、１１洗浄液吹き出し口、１２
洗浄液、１３洗浄液排出口、１４バルブ、１５廃
液管、１６廃液、１７，２０ポンプ、１８，２１
フィルタ、２２洗浄液管、２３超音波振動子、２４
ヒータ。

フロントページの続き (72)発明者山村俊博兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社内 (72)発明者西村恒幸兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板を処理するための反応室を備
えた半導体製造装置であって、前記反応室へ洗浄液を導入するための洗浄液供給手段
と、前記反応室へ供給された前記洗浄液を排出するための洗
浄液排出手段と、を備えた、半導体製造装置。
【請求項２】前記洗浄液は、揮発性液体または酸性液
体である、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】前記反応室の内壁面は、前記洗浄液に対
し耐腐食性のある物質により被覆されている、請求項２
に記載の半導体製造装置。
【請求項４】前記洗浄液供給手段と前記洗浄液排出手
段との間に、前記洗浄液排出手段から排出された前記洗
浄液と異物とを分離し、前記異物と分離された前記洗浄
液を前記洗浄液供給手段へ供給する洗浄液循環手段をさ
らに備えた、請求項１または３に記載の半導体製造装
置。
【請求項５】前記反応室の壁面を加熱するための加熱
手段をさらに備えた、請求項１または３に記載の半導体
製造装置。
【請求項６】前記反応室の壁面に振動を与えるための
振動手段をさらに備えた、請求項１または３に記載の半
導体製造装置。
【請求項７】前記洗浄液供給手段により、前記洗浄液
を前記反応室側壁の内面に沿って一定方向に流すことに
より前記反応室内を洗浄する、請求項１〜６のいずれか
１項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】前記反応室側壁内面は円周面をなし、前
記洗浄液は前記円周面の円周方向に沿って一定方向に流
れる、請求項７に記載の半導体製造装置。