JPH0927653A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH0927653A JPH0927653A JP17756295A JP17756295A JPH0927653A JP H0927653 A JPH0927653 A JP H0927653A JP 17756295 A JP17756295 A JP 17756295A JP 17756295 A JP17756295 A JP 17756295A JP H0927653 A JPH0927653 A JP H0927653A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低消費電力で動作し、かつ高信頼性のある半
導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板２１上に、一対の電流阻止層２４
ａ、２４ｂと、一対の電流阻止層２４ａ、２４ｂの間に
位置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層
２７を含む半導体積層構造が形成されている半導体レー
ザ素子であって、活性層２７は引っ張り歪単一量子井戸
構造からなる。
導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板２１上に、一対の電流阻止層２４
ａ、２４ｂと、一対の電流阻止層２４ａ、２４ｂの間に
位置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層
２７を含む半導体積層構造が形成されている半導体レー
ザ素子であって、活性層２７は引っ張り歪単一量子井戸
構造からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低消費電力で動作し、
かつ高信頼性のある半導体レーザ素子に関し、光加入者
用あるいは光インターコネクション用に適した半導体レ
ーザ素子に関する。
かつ高信頼性のある半導体レーザ素子に関し、光加入者
用あるいは光インターコネクション用に適した半導体レ
ーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】低しきい値電流で高温度までの安定動作
を実現する半導体レーザ素子として、埋め込みヘテロ
（ＢＨ）型レーザがある。この素子は、例えば、図４に
示す断面構造をしている。図中、符号１はｎ−ＩｎＰ基
板、符号２はｎ−ＩｎＰクラッド層、符号３はノンドー
プＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）光閉じ込め層、
符号４は歪量子井戸活性層、符号５はノンドープＧａＩ
ｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）光閉じ込め層、符号６は
ｐ−ＩｎＰクラッド層、符号７はｐ−ＧａＩｎＡｓコン
タクト層、符号８は電流阻止層である。この電流阻止層
８は、ｐ−ＩｎＰ層８ａとｎ−ＩｎＰ層からなる。ここ
で、歪量子井戸活性層４は１％圧縮歪を有するＧａＩｎ
ＡｓＰ歪量子井戸層と、ＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１
μｍ）障壁層を交互に多重に積層した多重量子井戸構造
からなる。このようなＢＨ型半導体レーザ素子では、活
性層幅を１μｍ程度まで狭くすることができるので、低
しきい値電流動作が可能になる。また、活性層には歪量
子井戸層を用いることにより、１ｍＡ程度の低しきい値
が得られる。
を実現する半導体レーザ素子として、埋め込みヘテロ
（ＢＨ）型レーザがある。この素子は、例えば、図４に
示す断面構造をしている。図中、符号１はｎ−ＩｎＰ基
板、符号２はｎ−ＩｎＰクラッド層、符号３はノンドー
プＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）光閉じ込め層、
符号４は歪量子井戸活性層、符号５はノンドープＧａＩ
ｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）光閉じ込め層、符号６は
ｐ−ＩｎＰクラッド層、符号７はｐ−ＧａＩｎＡｓコン
タクト層、符号８は電流阻止層である。この電流阻止層
８は、ｐ−ＩｎＰ層８ａとｎ−ＩｎＰ層からなる。ここ
で、歪量子井戸活性層４は１％圧縮歪を有するＧａＩｎ
ＡｓＰ歪量子井戸層と、ＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１
μｍ）障壁層を交互に多重に積層した多重量子井戸構造
からなる。このようなＢＨ型半導体レーザ素子では、活
性層幅を１μｍ程度まで狭くすることができるので、低
しきい値電流動作が可能になる。また、活性層には歪量
子井戸層を用いることにより、１ｍＡ程度の低しきい値
が得られる。
【０００３】また、図５は低しきい値電流を目的とした
他の半導体レーザ素子の断面図である。図中、符号１１
は凹型のｎ−ＧａＡｓ基板、符号１２はｎ−ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層、符号１３はＧａＡｌＡｓ光閉じ込め層、
符号１４は量子井戸活性層であり、ＧａＡｓ量子井戸層
とＧａＡｌＡｓ障壁層から構成されている。また、符号
１５はＧａＡｌＡｓ光閉じ込め層、符号１６はｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層、符号１７はｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層である。
他の半導体レーザ素子の断面図である。図中、符号１１
は凹型のｎ−ＧａＡｓ基板、符号１２はｎ−ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層、符号１３はＧａＡｌＡｓ光閉じ込め層、
符号１４は量子井戸活性層であり、ＧａＡｓ量子井戸層
とＧａＡｌＡｓ障壁層から構成されている。また、符号
１５はＧａＡｌＡｓ光閉じ込め層、符号１６はｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層、符号１７はｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
半導体レーザ素子には、以下のような問題があった。即
ち、 １）図４に示した半導体レーザ素子では、歪量子井戸活
性層４をメサエッチングした後、電流阻止層８を再成長
する際に、歪量子井戸活性層４の側面が高温に曝され
て、熱的ダメージを受け、素子の信頼性が低下する。 ２）図５に示した半導体レーザ素子では、活性層１４は
上述のような熱的ダメージを受けることはないが、活性
層１４を基板１１表面の凹状部分に積層するので、活性
層１４を構成する多重の量子井戸層の膜厚に積層方向の
バラツキが生じ、多重量子井戸層が本来有する特性を発
揮することができない。
半導体レーザ素子には、以下のような問題があった。即
ち、 １）図４に示した半導体レーザ素子では、歪量子井戸活
性層４をメサエッチングした後、電流阻止層８を再成長
する際に、歪量子井戸活性層４の側面が高温に曝され
て、熱的ダメージを受け、素子の信頼性が低下する。 ２）図５に示した半導体レーザ素子では、活性層１４は
上述のような熱的ダメージを受けることはないが、活性
層１４を基板１１表面の凹状部分に積層するので、活性
層１４を構成する多重の量子井戸層の膜厚に積層方向の
バラツキが生じ、多重量子井戸層が本来有する特性を発
揮することができない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、半導体基板
上に、一対の電流阻止層と、一対の電流阻止層の間に位
置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層を
含む半導体積層構造が形成されている半導体レーザ素子
であって、活性層は引っ張り歪単一量子井戸構造からな
ることを特徴とするものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、半導体基板
上に、一対の電流阻止層と、一対の電流阻止層の間に位
置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層を
含む半導体積層構造が形成されている半導体レーザ素子
であって、活性層は引っ張り歪単一量子井戸構造からな
ることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上述の半導体レーザ素子では、一対の電流阻止
層の間に位置するストライプ状凹部内に活性層が形成さ
れているので、活性層は形成時に熱的ダメージを受ける
ことがなく、また、凹部両側の電流阻止層で電流狭窄が
行われるので、低しきい値電流で作動する。また、本発
明の半導体レーザ素子の活性層は、引っ張り歪単一量子
井戸構造からなるので、量子井戸層の厚さのばらつきと
いう多重量子井戸構造に伴う問題が生じない。さらに、
圧縮歪み量子井戸では、一般に４〜６ｎｍの厚さの井戸
層が用いられる。従って、２原子層レベルの層厚のばら
つきがあった場合、レーザのしきい値特性が大きく劣化
する。これに対して、引っ張り歪量子井戸では、１０〜
２０ｎｍの厚さの井戸層が用いられており、同じレベル
で層厚のばらつきが生じた場合、レーザの特性にほとん
ど影響を及ぼさない。
層の間に位置するストライプ状凹部内に活性層が形成さ
れているので、活性層は形成時に熱的ダメージを受ける
ことがなく、また、凹部両側の電流阻止層で電流狭窄が
行われるので、低しきい値電流で作動する。また、本発
明の半導体レーザ素子の活性層は、引っ張り歪単一量子
井戸構造からなるので、量子井戸層の厚さのばらつきと
いう多重量子井戸構造に伴う問題が生じない。さらに、
圧縮歪み量子井戸では、一般に４〜６ｎｍの厚さの井戸
層が用いられる。従って、２原子層レベルの層厚のばら
つきがあった場合、レーザのしきい値特性が大きく劣化
する。これに対して、引っ張り歪量子井戸では、１０〜
２０ｎｍの厚さの井戸層が用いられており、同じレベル
で層厚のばらつきが生じた場合、レーザの特性にほとん
ど影響を及ぼさない。
【０００７】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。 実施例１．図１は、本発明にかかる半導体レーザ素子の
一実施例の断面図である。図中、符号２１はｎ−ＩｎＰ
基板、符号２２はｎ−ＩｎＰバッファ層、符号２３はｎ
−ＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）エッチング停止
層、符号２４ａはｐ−ＩｎＰ電流阻止層、符号２４ｂは
ｎ−ＩｎＰ電流阻止層、符号２５はｎ−ＩｎＰクラッド
層、符号２６はＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、符号２７
は厚さ１２ｎｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ａｓ0.65Ｐ0.35引っ
張り歪み単一量子井戸層からなる活性層、符号２８はＧ
ａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、符号２９はｐ−ＩｎＰクラ
ッド層、符号３０はｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層であ
る。ここで、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層２６は、ｎ−
ＩｎＰクラッド層２５側から組成を４ステップで変え
て、厚さ３０ｎｍ（λg ＝0.95μｍ）、厚さ３０ｎｍ
（λg ＝1.0 μｍ）、厚３０ｎｍ（λg ＝1.05μｍ）、
１０ｎｍ（1.1 μｍ）とした。また、ＧａＩｎＡｓＰ光
閉じ込め層２８は、活性層２７側から組成を４ステップ
で変えて、厚さ１０ｎｍ（1.1 μｍ）、厚さ３０ｎｍ
（λg ＝1.05μｍ）、厚さ３０ｎｍ（λg ＝1.0 μ
ｍ）、厚さ３０ｎｍ（λg ＝0.95μｍ）とした。
を詳細に説明する。 実施例１．図１は、本発明にかかる半導体レーザ素子の
一実施例の断面図である。図中、符号２１はｎ−ＩｎＰ
基板、符号２２はｎ−ＩｎＰバッファ層、符号２３はｎ
−ＧａＩｎＡｓＰ（λg ＝１．１μｍ）エッチング停止
層、符号２４ａはｐ−ＩｎＰ電流阻止層、符号２４ｂは
ｎ−ＩｎＰ電流阻止層、符号２５はｎ−ＩｎＰクラッド
層、符号２６はＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、符号２７
は厚さ１２ｎｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ａｓ0.65Ｐ0.35引っ
張り歪み単一量子井戸層からなる活性層、符号２８はＧ
ａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、符号２９はｐ−ＩｎＰクラ
ッド層、符号３０はｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層であ
る。ここで、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層２６は、ｎ−
ＩｎＰクラッド層２５側から組成を４ステップで変え
て、厚さ３０ｎｍ（λg ＝0.95μｍ）、厚さ３０ｎｍ
（λg ＝1.0 μｍ）、厚３０ｎｍ（λg ＝1.05μｍ）、
１０ｎｍ（1.1 μｍ）とした。また、ＧａＩｎＡｓＰ光
閉じ込め層２８は、活性層２７側から組成を４ステップ
で変えて、厚さ１０ｎｍ（1.1 μｍ）、厚さ３０ｎｍ
（λg ＝1.05μｍ）、厚さ３０ｎｍ（λg ＝1.0 μ
ｍ）、厚さ３０ｎｍ（λg ＝0.95μｍ）とした。
【０００８】本実施例の半導体レーザ素子は、以下のよ
うな工程で製作した。即ち １）有機金属気相成長法により、基板２１上に、バッフ
ァ層２２、エッチング停止層２３、電流阻止層２４ａ、
電流阻止層２４ｂを積層する。 ２）マスクを形成して、中央部の電流阻止層２４ａ、２
４ｂをエッチング停止層２３までエッチングし、ストラ
イプ状の凹部を構成する溝を形成する。 ３）次いで、クラッド層２５、光閉じ込め層２６、活性
層２７、光閉じ込め層２８ａ、クラッド層２９、コンタ
クト層３０を順次積層する。 ４）次いで、共振器長を２００μｍとして、両共振器端
面に反射率７０％、９０％の高反射膜を施した。 このようにして形成した素子は、埋め込み構造の素子に
比較して製作が容易であり、しかもしきい値電流が１ｍ
Ａであった。
うな工程で製作した。即ち １）有機金属気相成長法により、基板２１上に、バッフ
ァ層２２、エッチング停止層２３、電流阻止層２４ａ、
電流阻止層２４ｂを積層する。 ２）マスクを形成して、中央部の電流阻止層２４ａ、２
４ｂをエッチング停止層２３までエッチングし、ストラ
イプ状の凹部を構成する溝を形成する。 ３）次いで、クラッド層２５、光閉じ込め層２６、活性
層２７、光閉じ込め層２８ａ、クラッド層２９、コンタ
クト層３０を順次積層する。 ４）次いで、共振器長を２００μｍとして、両共振器端
面に反射率７０％、９０％の高反射膜を施した。 このようにして形成した素子は、埋め込み構造の素子に
比較して製作が容易であり、しかもしきい値電流が１ｍ
Ａであった。
【０００９】実施例２．実施例１において、溝の幅を発
振方向で変化させ、幅２μｍ（底部）の部分と、幅４μ
ｍ（底部）の部分の溝を形成した。レーザ発振領域は溝
の幅２μｍの部分とし、そこのエッチング停止層２３に
周期２００ｎｍの回折格子を形成した。また、溝の幅４
μｍの部分は外部変調器領域とした。
振方向で変化させ、幅２μｍ（底部）の部分と、幅４μ
ｍ（底部）の部分の溝を形成した。レーザ発振領域は溝
の幅２μｍの部分とし、そこのエッチング停止層２３に
周期２００ｎｍの回折格子を形成した。また、溝の幅４
μｍの部分は外部変調器領域とした。
【００１０】図２（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、本実施例
の溝を形成したときの平面図、レーザ発振領域側の側面
図および図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。本実施例の
製作工程は以下の通りである。即ち、 １）前記実施例１と同様に、基板２１上に、バッファ層
２２、エッチング停止層２３、電流阻止層２４ａ電流阻
止層２４ｂを積層する。 ２）マスクを形成して、中央部の電流阻止層２４ａ、２
４ｂをエッチング停止層２３までエッチングし、ストラ
イプ状の凹部を構成する溝４１を形成する。この溝４１
は、底部の幅が２μｍの溝４１ａと底部の幅が４μｍの
溝４１ｂからなる（図２（ａ））。溝４１ａのエッチン
グ停止層２３には、周期２００ｎｍの回折格子４２を形
成する。 ３）次いで、クラッド層２５、光閉じ込め層２６、活性
層２７、光閉じ込め層２８、クラッド層２９、コンタク
ト層３０を順次積層する（図２（ｂ）、（ｃ））。
の溝を形成したときの平面図、レーザ発振領域側の側面
図および図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。本実施例の
製作工程は以下の通りである。即ち、 １）前記実施例１と同様に、基板２１上に、バッファ層
２２、エッチング停止層２３、電流阻止層２４ａ電流阻
止層２４ｂを積層する。 ２）マスクを形成して、中央部の電流阻止層２４ａ、２
４ｂをエッチング停止層２３までエッチングし、ストラ
イプ状の凹部を構成する溝４１を形成する。この溝４１
は、底部の幅が２μｍの溝４１ａと底部の幅が４μｍの
溝４１ｂからなる（図２（ａ））。溝４１ａのエッチン
グ停止層２３には、周期２００ｎｍの回折格子４２を形
成する。 ３）次いで、クラッド層２５、光閉じ込め層２６、活性
層２７、光閉じ込め層２８、クラッド層２９、コンタク
ト層３０を順次積層する（図２（ｂ）、（ｃ））。
【００１１】この際、溝４１は異なった幅の部分からな
るので、この溝４１に積層成長すると、引っ張り歪み単
一井戸層２７の厚さは、溝４１ｂにおいて溝４１ａより
も薄くなるとともに、溝４１ｂの引っ張り歪み単一量子
井戸層からなる活性層２７ｂは、溝４１ａの引っ張り歪
み単一量子井戸層からなる活性層２７ａよりもバンドギ
ャップが大きくなり、レーザ光に対して透明になる。こ
こで、量子井戸面に電界を印加すると、バンドギャップ
が減少し、吸収ピークが長波長側にずれるという量子閉
じ込めシュタルク効果を、引っ張り歪み単一量子井戸層
からなる活性層２７ｂに利用する。そうすると、逆バイ
アスを溝４１ｂに印加することにより、溝４１ｂが形成
された部分を外部変調器とすることができる。
るので、この溝４１に積層成長すると、引っ張り歪み単
一井戸層２７の厚さは、溝４１ｂにおいて溝４１ａより
も薄くなるとともに、溝４１ｂの引っ張り歪み単一量子
井戸層からなる活性層２７ｂは、溝４１ａの引っ張り歪
み単一量子井戸層からなる活性層２７ａよりもバンドギ
ャップが大きくなり、レーザ光に対して透明になる。こ
こで、量子井戸面に電界を印加すると、バンドギャップ
が減少し、吸収ピークが長波長側にずれるという量子閉
じ込めシュタルク効果を、引っ張り歪み単一量子井戸層
からなる活性層２７ｂに利用する。そうすると、逆バイ
アスを溝４１ｂに印加することにより、溝４１ｂが形成
された部分を外部変調器とすることができる。
【００１２】本実施例の素子では、変調時にレーザ発振
領域はＣＷで動作させておくため、従来用いられてきた
直接変調で問題となっていたキャリア変調によるチャー
ピングを小さく抑えることができる。また、電圧による
変調で、キャリアを用いないため、高速での変調が可能
になる。また、レーザ発振領域と外部変調領域の境界部
分での光の反射もほとんどない。さらに、幅の異なるス
トライプ状の溝を平行に複数配置することにより、レー
ザ発振波長の異なるレーザアレイを製作することも可能
である。
領域はＣＷで動作させておくため、従来用いられてきた
直接変調で問題となっていたキャリア変調によるチャー
ピングを小さく抑えることができる。また、電圧による
変調で、キャリアを用いないため、高速での変調が可能
になる。また、レーザ発振領域と外部変調領域の境界部
分での光の反射もほとんどない。さらに、幅の異なるス
トライプ状の溝を平行に複数配置することにより、レー
ザ発振波長の異なるレーザアレイを製作することも可能
である。
【００１３】なお、上記実施例１、２においては、基板
上に電流阻止層を形成した後、エッチングにより形成さ
れた溝に引っ張り歪み単一量子井戸層が形成されてい
る。しかしながら、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはない。例えば図３に示すように、ストライプ状凸部
５１ａを有する基板５１上に、前記凸部５１ａ上を除い
て凸部５１ａの両側に電流阻止層５２、５３を形成し、
実質的に凸部５１ａ上面を底面にする溝５４を形成し、
この溝５４に引っ張り歪み単一量子井戸層からなる活性
層を有するＤＨ構造を形成してもよい。また、本発明に
おいて、素子を構成する各層の組成、厚さ、幅などは上
記実施例に限定されることはない。
上に電流阻止層を形成した後、エッチングにより形成さ
れた溝に引っ張り歪み単一量子井戸層が形成されてい
る。しかしながら、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはない。例えば図３に示すように、ストライプ状凸部
５１ａを有する基板５１上に、前記凸部５１ａ上を除い
て凸部５１ａの両側に電流阻止層５２、５３を形成し、
実質的に凸部５１ａ上面を底面にする溝５４を形成し、
この溝５４に引っ張り歪み単一量子井戸層からなる活性
層を有するＤＨ構造を形成してもよい。また、本発明に
おいて、素子を構成する各層の組成、厚さ、幅などは上
記実施例に限定されることはない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザ素子は、半導体基板上に、一対の電流阻止層と、一対
の電流阻止層の間に位置するストライプ状凹部を有し、
該凹部内には活性層を含む半導体積層構造が形成されて
いる半導体レーザ素子であって、活性層は引っ張り歪単
一量子井戸構造からなるため、多重量子井戸構造で問題
となる量子井戸層の厚さのばらつきが生じることがな
く、また、電流狭窄が行われて低しきい値電流で作動す
るという優れた効果がある。
ザ素子は、半導体基板上に、一対の電流阻止層と、一対
の電流阻止層の間に位置するストライプ状凹部を有し、
該凹部内には活性層を含む半導体積層構造が形成されて
いる半導体レーザ素子であって、活性層は引っ張り歪単
一量子井戸構造からなるため、多重量子井戸構造で問題
となる量子井戸層の厚さのばらつきが生じることがな
く、また、電流狭窄が行われて低しきい値電流で作動す
るという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例の断
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、他の本実施例の溝
を形成したときの平面図、レーザ発振領域側の側面図お
よび図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
を形成したときの平面図、レーザ発振領域側の側面図お
よび図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】さらなる他の実施例の溝を形成した状態の断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体レーザ素子の断面図である。
【図５】従来の他の半導体レーザ素子の断面図である。
２１、５１ 基板 ２２ バッファ層 ２３ エッチング停止層 ５２、５３ 電流阻止層 ２４ａ ｐ−ＩｎＰ電流阻止層 ２４ｂ ｎ−ＩｎＰ電流阻止層 ２５ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２６、２８ 光閉じ込め層 ２７、２７ａ、２７ｂ 活性層 ２９ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３０ コンタクト層 ４１、４１ａ、４１ｂ、５４溝 ４２ 回折格子 ５１ａ 凸部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、一対の電流阻止層と、
一対の電流阻止層の間に位置するストライプ状凹部を有
し、該凹部内には活性層を含む半導体積層構造が形成さ
れている半導体レーザ素子であって、活性層は引っ張り
歪単一量子井戸構造からなることを特徴とする半導体レ
ーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17756295A JPH0927653A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17756295A JPH0927653A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927653A true JPH0927653A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16033141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17756295A Pending JPH0927653A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057400A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011198859A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP17756295A patent/JPH0927653A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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