JPH09266263A - Electronic component package sealing lid and package - Google Patents
Electronic component package sealing lid and packageInfo
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- JPH09266263A JPH09266263A JP9899696A JP9899696A JPH09266263A JP H09266263 A JPH09266263 A JP H09266263A JP 9899696 A JP9899696 A JP 9899696A JP 9899696 A JP9899696 A JP 9899696A JP H09266263 A JPH09266263 A JP H09266263A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品パッケージ封
止用リッドとそのリッドを用いたパッケージに係り、よ
り詳しくは、パッケージ基体の電子部品搭載個所に、Ｉ
ＣチップやＬＳＩチップ等の電子部品を搭載し、その電
子部品を気密封止する際に、電子部品搭載部の内部ガス
をスムーズに排出でき、気密封止の信頼性を確保できる
電子部品パッケージ封止用リッドとそのリッドを用いた
パッケージに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lid for encapsulating an electronic component package and a package using the lid.
When electronic components such as C chips and LSI chips are mounted and the electronic components are hermetically sealed, the internal gas of the electronic component mounting part can be smoothly discharged and the reliability of the hermetic sealing can be ensured. The present invention relates to a stop lid and a package using the lid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６（ａ）〜（ｃ）は、従来の電子部品
パッケージ封止用リッドの平面図と、Ａ−Ａ断面図、お
よびこのリッドを用いて気密封止したパッケージの断面
図である。このリッド２１は、セラミック板２２の片面
２３の周縁部２４と側面部２５に下地金属層２６を設
け、この下地金属層２６上に封止部材としての半田層２
７を設けている。そして、このリッド２１を、内部に電
子部品搭載部２８を備えたパッケージ基体２９上に、半
田層２７を介して接合することにより、電子部品搭載部
２８に搭載した半導体チップ等の電子部品３０を気密封
止できる。2. Description of the Related Art FIGS. 6A to 6C are a plan view of a conventional electronic component package sealing lid, a sectional view taken along line AA, and a sectional view of a package hermetically sealed using the lid. Is. In this lid 21, a base metal layer 26 is provided on a peripheral edge portion 24 and a side surface portion 25 of one surface 23 of a ceramic plate 22, and a solder layer 2 as a sealing member is provided on the base metal layer 26.
7 are provided. Then, the lid 21 is bonded to the package base 29 having the electronic component mounting portion 28 therein via the solder layer 27, whereby the electronic component 30 such as a semiconductor chip mounted on the electronic component mounting portion 28 is mounted. Can be hermetically sealed.
【０００３】ところで、このリッド２１を用いて、パッ
ケージ基体２９を気密封止するには、半田層２７を、パ
ッケージ基体２９の上面に設けられている下地金属層３
１に対面させると共に、リッド２１をバネ、クリップ等
の固定具を介して、電子部品３０を搭載したパッケージ
基体２９に押し付け固定し、炉内で半田層２７の半田を
溶融させ、封止している。By the way, in order to hermetically seal the package base 29 using the lid 21, the solder layer 27 is provided as the base metal layer 3 provided on the upper surface of the package base 29.
1, the lid 21 is pressed and fixed to the package base 29 on which the electronic component 30 is mounted via a fixture such as a spring and a clip, and the solder of the solder layer 27 is melted and sealed in a furnace. There is.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したリッ
ド２１を用いて、パッケージ基体２９を気密封止する場
合、次のような課題がある。すなわち、 パッケージ基体２９の加熱封止する際に、電子部品
搭載部２８の内部ガス圧が上昇して、半田層２７の一部
が外側に押し出され、図７（ａ）に示すように、封止個
所に半田が埋まっていないシールパス部３３が発生し易
くなる。なお、図７（ｂ）に正常な状態の場合を示す。 半田が十分に埋まっていないシールパス部３３が発
生している個所は、メニスカス部分３４でのみリッド２
１とパッケージ基体２９を封止している状態となるた
め、封止時の加熱・溶融により半田層に熱疲労が生じ、
また半田層とセラミック（パッケージ）との熱膨張・収
縮差により半田層に亀裂３５が発生し（図７ａ参照）易
くなることから、封止個所での気密不良が生じやすくな
る。 等の課題がある。However, when the package base 29 is hermetically sealed by using the lid 21 described above, there are the following problems. That is, when the package base 29 is heat-sealed, the internal gas pressure of the electronic component mounting portion 28 rises, a part of the solder layer 27 is pushed out, and as shown in FIG. The seal path portion 33 in which the solder is not buried in the stop is likely to occur. It should be noted that FIG. 7B shows a case of a normal state. The place where the seal path portion 33 where the solder is not sufficiently filled is generated is the lid 2 only at the meniscus portion 34.
Since 1 and the package base 29 are sealed, heat fatigue occurs in the solder layer due to heating and melting during sealing,
Further, cracks 35 are likely to occur in the solder layer (see FIG. 7a) due to the difference in thermal expansion / contraction between the solder layer and the ceramic (package), and thus the airtightness in the sealing portion is likely to occur. And other issues.
【０００５】このような課題を解決し、封止部分の信頼
性を確保するには、半田層２７を備えたリッド２１を用
いて、パッケージ基体２９を加熱封止する際、シールパ
ス部３３に半田を埋めておく必要がある。そこで、本発
明者は、このような観点に鑑み、種々、研究した結果、
少なくとも、リッド２１が、次の条件を満足する必要の
あることを究明した。すなわち、 封止時の半田飛散を防止すること。この点に関して
は、図８（ａ）（ｂ）に示すように、リッドを形成する
セラミック板４１の周縁部２４に設けた半田層２７を、
各辺の辺中央部４２を狭幅とし、辺中央部４２から辺端
部４３にかけて末広がり的に広幅となるパターンで、か
つ辺端部４３の半田厚みを辺中央部４２の半田厚みより
肉厚にし、ガス抜け口を設けることで解決できる。 半田亀裂の発生を防止すること。この点に関して
は、図９に示すように、シールパス部３３を広くし、半
田とセラミックとの熱膨張・収縮差や、例えば、銅−タ
ングステン製ヒートスプレッダーを付けた場合のパッケ
ージにおけるヒートスプレッダー４４とセラミック（パ
ッケージ）との熱膨張・収縮差の相違に起因する曲げモ
ーメントＭによって発生するシールパス部３３の内側の
ａ点を起点とする引張力σを低下させることで解決でき
る。 適正なメニスカス形状にすること。この点に関して
は、前記の形態とすることで解決できる。In order to solve such a problem and to secure the reliability of the sealed portion, when the package base 29 is heat-sealed by using the lid 21 having the solder layer 27, the seal path portion 33 is soldered. Need to be filled. Therefore, the present inventor, in view of such a viewpoint, various research results,
At least, it was determined that the lid 21 needs to satisfy the following conditions. That is, prevent solder from scattering during sealing. In this regard, as shown in FIGS. 8A and 8B, the solder layer 27 provided on the peripheral portion 24 of the ceramic plate 41 forming the lid is
The pattern is such that the side center portion 42 of each side is narrow, and the side center portion 42 to the side end portion 43 widens in a divergent manner toward the end, and the solder thickness of the side end portion 43 is thicker than the solder thickness of the side center portion 42. The problem can be solved by providing a gas outlet. Prevent the occurrence of solder cracks. With respect to this point, as shown in FIG. 9, the seal path portion 33 is widened, and the difference in thermal expansion / contraction between the solder and the ceramic and, for example, a heat spreader 44 in the package when a heat spreader made of copper-tungsten is attached. This can be solved by reducing the tensile force σ originating from the point a inside the seal path portion 33, which is generated by the bending moment M caused by the difference in thermal expansion / contraction difference with the ceramic (package). Make sure to have an appropriate meniscus shape. This point can be solved by adopting the above-mentioned form.
【０００６】しかし、この条件を備えたリッドであって
も、電子部品パッケージが、半導体チップ等の電子部品
を搭載する電子部品搭載部を含む封止部分が長方形状を
した封止容積の大きい電子部品パッケージを封止する場
合、十分なガス抜けができず、半田が埋まっていないシ
ールパス部が生じるということがある。そして、このよ
うなシールパス部が生じると、パッケージの封止部分の
信頼性を確保することができない。特に、このようなパ
ッケージにおいて、銅−タングステン製ヒートスプレッ
ダー付きの形態とした場合は、更に、信頼性が低下す
る。However, even if the lid meets this condition, the electronic component package has a large sealing volume in which the sealing portion including the electronic component mounting portion for mounting an electronic component such as a semiconductor chip has a rectangular shape. When the component package is sealed, there is a case where sufficient gas cannot be escaped and a seal path portion in which the solder is not filled occurs. When such a seal pass portion is generated, the reliability of the sealed portion of the package cannot be ensured. In particular, in such a package, when the copper-tungsten heat spreader is provided, the reliability is further reduced.
【０００７】本発明は、上述した課題に対処して創作し
たものであって、その目的とする処は、電子部品搭載部
を含むリッド被冠部分が長方形状をした電子部品パッケ
ージで、該パッケージの封止の際に、電子部品搭載部の
内部ガスをスムーズに排出して内部閉じ込めガス量を少
なくでき、パッケージの気密封止性を良好にできる電子
部品パッケージ封止用リッドとそのリッドを用いたパッ
ケージを提供することにある。The present invention has been made in response to the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide an electronic component package in which a lid cap portion including an electronic component mounting portion has a rectangular shape. For sealing the electronic components, the internal gas of the electronic component mounting part can be smoothly discharged to reduce the amount of the internal confining gas, and the lid for electronic component package sealing and the lid that can improve the airtightness of the package can be used. To provide the package that was there.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本発明の請求項１の電子部品パ
ッケージ封止用リッドは、半導体チップ等の電子部品を
搭載する電子部品搭載部を含むリッド被冠部分が長方形
状をした電子部品パッケージのパッケージ基体を封止す
るためのリッドであって、該リッドが、長方形状のセラ
ミック板からなり、該セラミック板の周縁部、または周
縁部と側面部に、下地金属層を介して半田層を備え、該
セラミック板の周縁部の長辺端部の下地金属幅ｗ1 と、
長辺中央部の下地金属幅ｗ2 、および短辺部の下地金属
幅ｗ3 が、ｗ1 ＞ｗ2 ＞ｗ3 で、該セラミック板の周縁
部の長辺端部の半田厚みｔ1 と、長辺中央部の半田厚み
ｔ2 、および短辺部の半田厚みｔ3 が、ｔ1 ＞ｔ2 ＞ｔ
3 の関係にあり、かつ該長辺部の半田幅および半田厚み
が、長辺端部から長辺中央部にかけて連続的に変化する
構成としている。A lid for encapsulating an electronic component package according to claim 1 of the present invention as a means for solving the above-mentioned problem is an electronic component mounting portion for mounting an electronic component such as a semiconductor chip. Is a lid for sealing a package base of an electronic component package having a rectangular crowned portion, the lid comprising a rectangular ceramic plate, and a peripheral portion or a peripheral portion of the ceramic plate. And a solder layer on the side surface with a base metal layer interposed therebetween, and a base metal width w 1 at the long side end of the peripheral edge of the ceramic plate,
The width w 2 of the base metal at the center of the long side and the width w 3 of the base metal at the side of the short side are w 1 > w 2 > w 3 and the solder thickness t 1 at the end of the long side of the peripheral edge of the ceramic plate. , The solder thickness t 2 at the center of the long side and the solder thickness t 3 at the short side are t 1 > t 2 > t
There is a relationship of 3 , and the solder width and the solder thickness of the long side portion continuously change from the long side end portion to the long side central portion.
【０００９】請求項２の電子部品パッケージ封止用リッ
ドは、前記請求項１のリッドにおいて、前記セラミック
板の長辺部の下地金属幅ｗ1 が、短辺部の下地金属幅ｗ
3 の１．５〜２．５倍である構成としている。更に請求
項３の電子部品パッケージ封止用リッドは、前記請求項
１または２のリッドにおいて、前記セラミック板の長辺
端部の半田層と、短辺部の半田層の半田厚み差が０．２
ｍｍ以上である構成としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided an electronic component package sealing lid according to the first aspect, wherein the base metal width w 1 of the long side of the ceramic plate is the base metal width w of the short side.
It is 1.5 to 2.5 times as large as 3 . Furthermore, the lid for encapsulating an electronic component package according to a third aspect is the lid according to the first or second aspect, wherein the difference in solder thickness between the solder layer at the long side end portion and the solder layer at the short side portion of the ceramic plate is 0. Two
It is configured to be mm or more.
【００１０】また、本発明の請求項４の電子部品パッケ
ージは、前記請求項１〜３の何れかに記載の電子部品パ
ッケージ封止用リッドを用いた構成としている。An electronic component package according to a fourth aspect of the present invention is configured to use the electronic component package sealing lid according to any one of the first to third aspects.
【００１１】ここで、前記長方形状のセラミック板は、
パッケージ基体の電子部品搭載部を含むリッド被冠部分
を被冠して封止できる形状で、純然たる長方形（４つの
内角が直角である四辺形）のセラミック板に限られるも
のでなく、外観的に、対向する２辺部分が、他の対向す
る２辺部分に対して長い形状からなれば、例えば、各辺
が緩やかな折れ線形状あるいは曲率半径の大きい円弧状
を呈する形状であってもよい。なお、前記セラミック板
の周縁部の長辺端部の下地金属幅ｗ1 は、図１０におい
て、長辺端部における下地金属層７の内側ライン（ある
いは接線）ｍaの曲がり始めＯ、下地金属層７の外側ラ
インｎa またはその延長線Ｐに直交する線Ｓとの交点Ｑ
との距離Ｏ−Ｑとする。また、長辺中央部の下地金属幅
ｗ2 は、長辺中央部における下地金属層７の外側ライン
ｎa と内側ラインｍa 間の最も狭幅部分の間隔、短辺部
の下地金属幅ｗ3 は、短辺中央部における下地金属層７
の外側ラインｎb と内側ラインｍb 間の最も狭幅部分の
間隔と定義する。Here, the rectangular ceramic plate is
A shape that can cover and seal the lid-covered part including the electronic component mounting part of the package base, and is not limited to a pure rectangular ceramic plate (quadrilateral with four interior angles at right angles), In addition, if the opposing two side portions have a shape that is longer than the other opposing two side portions, for example, each side may have a gentle polygonal line shape or an arc shape with a large radius of curvature. Note that the base metal width w 1 of the long side edge portion of the peripheral edge of the ceramic plate, in FIG. 10, the bending start O of the inner lines (or tangential) m a underlying metal layer 7 in the long side edge, the underlying metal Intersection Q with a line S that is orthogonal to the outer line n a of the layer 7 or its extension P
And the distance is O-Q. The base metal width w 2 of the long side central portion, the spacing of the narrowest portion between the outer lines n a and the inner line m a underlying metal layer 7 in the long side central portion, base metal width w of the short side portion 3 is the base metal layer 7 at the center of the short side
It is defined as the interval of the narrowest part between the outer line n b and the inner line m b .
【００１２】本発明の電子部品パッケージ封止用リッド
は、従来のリッドと同様の手法によって製造できる。例
えば、所定形状のセラミック板を作製し、該セラミック
板の周縁部、または周縁部と側面部に、スクリーン印刷
等によって、ＡｇやＡｇ−Ｐｔ等の金属を含むペースト
を印刷あるいは塗布して下地金属層を形成し、この下地
金属層上に、該下地金属層と同幅に半田ペーストを印
刷、リフローし、あるいは下地金属層を形成したセラミ
ック板を半田浴に浸漬することで、所定の半田幅、半田
厚みの半田層を備えた電子部品パッケージ封止用リッド
を製造できる。The lid for encapsulating an electronic component package of the present invention can be manufactured by a method similar to that of a conventional lid. For example, a ceramic plate having a predetermined shape is prepared, and a paste containing a metal such as Ag or Ag-Pt is printed or applied on the peripheral edge portion or the peripheral edge portion and the side surface portion of the ceramic plate by screen printing or the like to form a base metal. A layer is formed, a solder paste is printed and reflowed on the base metal layer in the same width as the base metal layer, or the ceramic plate on which the base metal layer is formed is immersed in a solder bath to obtain a predetermined solder width. It is possible to manufacture an electronic component package sealing lid having a solder layer having a solder thickness.
【００１３】そして、この電子部品パッケージ用リッド
を用いてパッケージ基体を封止するには、まず該リッド
の半田層に対応する位置にメタライズ層を備えたパッケ
ージ基体の電子部品搭載部に半導体チップ等の電子部品
を実装した後、該電子部品パッケージ用リッドを、その
半田層をパッケージ基体のメタライズ層に当接してリッ
ド被冠部分に被冠、セットする。次に、これを所定温度
の炉に入れると、該半田層の半田が溶融すると共に、半
田層に形成されている半田厚み差（厚み勾配）により、
半田が長辺端部から長辺中央部と短辺部に濡れ広がり、
除々に半田厚みの薄い個所がクローズし、このクローズ
するのと並行して、未だクローズしてない個所から内部
ガスがスムーズに大気中に排出されることで封止が完了
する。In order to seal a package base using this electronic component package lid, first, a semiconductor chip or the like is mounted on the electronic component mounting portion of the package base having a metallization layer at a position corresponding to the solder layer of the lid. After mounting the electronic component of (1), the electronic component package lid is capped and set on the lid capped portion by abutting the solder layer on the metallized layer of the package base. Next, when this is put in a furnace at a predetermined temperature, the solder in the solder layer is melted, and due to the difference in solder thickness (thickness gradient) formed in the solder layer,
Solder spreads from the long side end to the long side central part and the short side part,
The portion where the solder thickness is thin gradually closes, and in parallel with this closing, the internal gas is smoothly discharged into the atmosphere from the portion that has not been closed yet, thereby completing the sealing.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の請求項１の電子部品パッケージ用リッドによれば、
セラミック板の周縁部の長辺端部（コーナー部）の半田
幅（下地金属幅）、半田厚みを長辺中央部および短辺部
の半田幅（下地金属幅）、半田厚みより広幅、肉厚にし
ているので、封止のタイニングにずれを生じさせること
ができることから、パッケージ基体の電子部品搭載部の
容積が大きく、内部ガスが多い場合であっても、該内部
ガスをスムーズに排出でき、また該長辺部の半田幅（下
地金属幅）および半田厚みを、長辺端部から長辺中央部
にかけて連続的に変化させているので、封止する際の半
田の濡れ広がりをスムーズに行え、更に長辺中央部のシ
ールパス部を広げているので、封止時の曲げモーメント
による引張力を低く押さえることができ、封止個所の気
密信頼性を向上させることができるという効果を有す
る。As is apparent from the above description, according to the electronic component package lid of claim 1 of the present invention,
The solder width (base metal width) of the long side ends (corner parts) of the peripheral edge of the ceramic plate, the solder thickness is the width of the center of the long side and the short side (base metal width), the solder width is wider than the thickness, and the wall thickness is Since it is possible to cause a gap in the sealing tining, the internal gas can be smoothly discharged even when the volume of the electronic component mounting portion of the package base is large and the internal gas is large. Further, since the solder width (base metal width) and the solder thickness of the long side portion are continuously changed from the end portion of the long side to the center portion of the long side, it is possible to smoothly spread the solder when sealing. Further, since the seal path portion at the central portion of the long side is widened, the tensile force due to the bending moment at the time of sealing can be suppressed low, and the airtight reliability of the sealing portion can be improved.
【００１５】請求項２の電子部品パッケージ用リッドに
よれば、前記セラミック体の長辺端部の下地金属幅を、
短辺部の下地金属幅の１．５から２．５倍としているの
で、該長辺端部と短辺部の下地金属層の上に形成する半
田層に０．２ｍｍ以上の半田厚差を正確に得ることがで
きる。よって、請求項２、３の電子部品パッケージ用リ
ッドによれば、封止の際に、該短辺部から確実に内部ガ
スを大気中に排出できるという効果を有する。また、長
辺中央部の半田厚の窪みによって封止に必要な半田ボリ
ュームのコントロールができる。以上のことから、請求
項２、３の電子部品パッケージ用リッドによれば、良好
なメニスカス形成ができると共に、該内部ガスの排出の
際に、半田の埋まっていないシールパス部の発生を軽減
できる効果を有する。According to the electronic component package lid of the second aspect, the width of the base metal at the long side end of the ceramic body is
Since the width of the base metal of the short side is 1.5 to 2.5 times, a solder thickness difference of 0.2 mm or more is formed in the solder layer formed on the base metal layer of the long side end and the short side. You can get exactly. Therefore, according to the electronic component package lid of the second and third aspects, there is an effect that the internal gas can be surely discharged from the short side portion to the atmosphere at the time of sealing. Moreover, the solder volume required for sealing can be controlled by the depression of the solder thickness at the center of the long side. From the above, according to the lid for electronic component package of claims 2 and 3, a favorable meniscus can be formed, and at the time of discharging the internal gas, it is possible to reduce the generation of the seal path portion in which the solder is not buried. Have.
【００１６】また、本発明の請求項４の電子部品パッケ
ージによれば、前記請求項１〜３の電子部品パッケージ
用リッドを用いて、パッケージ基体の電子部品搭載部を
含む長方形状のリッド被冠部分を封止しているので、該
リッド被冠部分の容積が大きいパッケージであっても、
封止個所の気密信頼性を向上させることができるという
効果を有する。According to an electronic component package of a fourth aspect of the present invention, the lid for an electronic component package of the first to third aspects is used, and a rectangular lid cap including an electronic component mounting portion of a package base is used. Since the part is sealed, even if the package of the lid covered part has a large volume,
It has an effect that the airtight reliability of the sealing portion can be improved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明を具体化した好ましい実施の形態について説明す
る。ここに、図１〜図４は、本発明の一実施形態を示
し、図１（ａ）は電子部品パッケージ封止用リッドの平
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＹ−Ｙ断面図、図２は図１（ａ）
のＺ−Ｚ断面の一部を省略した拡大図、図３は図１のリ
ッドを用いた電子部品パッケージの断面図、図４は図３
の部分拡大図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4 show one embodiment of the present invention, FIG. 1A is a plan view of a lid for sealing an electronic component package, and FIG. 1B is an X- line of FIG. 1A. X sectional view, FIG.
1C is a sectional view taken along line YY of FIG. 1A, and FIG. 2 is FIG.
3 is an enlarged view in which a part of ZZ cross section of FIG. 3 is omitted, FIG. 3 is a cross sectional view of an electronic component package using the lid of FIG. 1, and FIG.
FIG.
【００１８】本実施形態の電子部品パッケージ封止用リ
ッド１は、図１〜図２に示すようにうに、長方形状のセ
ラミック板２で形成している。そして、セラミック板２
の片面の周縁部３には下地金属層７が設けてあり、また
側面部４には下地金属層８が設けてあり、下地金属層７
上には封止部材としての半田層９が設けてあり、下地金
属層８上には半田層１０が設けてある。ここで、下地金
属層７，８は、スクリーン印刷によって、Ａｇ，Ａｇ−
Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｍｏ−Ｍｎ，Ｍｏ，等の金属を含む
ペーストを塗布し、焼成することによって、厚膜メタラ
イズを形成している。この中でも、Ａｇ−Ｐｔ系金属が
好ましく、この金属を用いることにより、半田の濡れ広
がりを良好にできる。そして、これらの下地金属層７，
８の厚みは、１０〜２０μｍである。また、Ｍｏ−Ｍ
ｎ，Ｍｏ，の場合には、該厚膜メタライズの上に、Ｎｉ
めっきを施すのが良い。また半田層９、１０は、融点が
２５０℃〜３２０℃程度で、その組成が、Ｐｂ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｂｉ，Ａｇ，Ｓｂの一部もしくは全部を含む半田
を用いている。As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic component package sealing lid 1 of this embodiment is formed of a rectangular ceramic plate 2. And the ceramic plate 2
The base metal layer 7 is provided on the peripheral portion 3 on one side of the surface of the base metal, and the base metal layer 8 is provided on the side surface 4 of the base metal layer 7.
A solder layer 9 as a sealing member is provided on the upper side, and a solder layer 10 is provided on the base metal layer 8. Here, the base metal layers 7 and 8 are made of Ag, Ag- by screen printing.
A thick film metallization is formed by applying a paste containing a metal such as Pt, Ag-Pd, Mo-Mn, Mo, and firing. Among these, Ag-Pt-based metal is preferable, and by using this metal, wetting and spreading of solder can be improved. And these base metal layers 7,
The thickness of 8 is 10 to 20 μm. Also, Mo-M
In the case of n, Mo, Ni on the thick film metallization
It is better to plate. Further, the solder layers 9 and 10 have a melting point of about 250 ° C. to 320 ° C., and their composition is Pb, Sn,
A solder containing a part or all of In, Bi, Ag, and Sb is used.
【００１９】また、側面部４には下地金属層８が設けて
ある。そして、この下地金属層８の上に半田層１０を形
成するのは、パッケージ基体を、リッド１に形成された
半田層９、１０で封止した場合、リッド１とパッケージ
基体の封止面の間で良好な形状の半田層のメニスカスが
得られ、封止性が向上するからである。ただし、側面部
４の下地金属層８、半田層１０は必ずしも必要ではな
い。A base metal layer 8 is provided on the side surface portion 4. The solder layer 10 is formed on the base metal layer 8 when the package base is sealed with the solder layers 9 and 10 formed on the lid 1. This is because the meniscus of the solder layer having a good shape can be obtained between the two and the sealing property is improved. However, the base metal layer 8 and the solder layer 10 on the side surface portion 4 are not always necessary.
【００２０】セラミック板２の長辺端部（コーナー部）
１１における下地金属層７の下地金属幅ｗ1 と、長辺中
央部１２における下地金属層７の下地金属幅ｗ2 、およ
び短辺部１３における下地金属層７の下地金属幅ｗ
3 を、ｗ1 ＞ｗ2 ＞ｗ3 の関係にしている。特に、長辺
端部（コーナー部）１１における下地金属幅ｗ1 と、短
辺部１３における下地金属幅ｗ3 は、その幅比（ｗ1 ／
ｗ3 ）を、１．５〜２．５とすることが好ましい。この
幅比とすることによって、長辺端部１１の下地金属層７
上に形成する半田層９と、短辺部１３の下地金属層７上
に形成する半田層９との間に、良好な０．２ｍｍ以上の
厚み差を容易に形成することができる。ここで、長辺中
央部１２の下地金属層７の下地金属幅ｗ2 と、長辺端部
（コーナー部）１１における下地金属層７の下地金属幅
ｗ1 をｗ1 ＞ｗ2 としたのは、封止個所に良好なメニス
カス形状を形成できるように半田量をコントロールする
ためである。また、セラミック板２の周縁部３の長辺端
部１１の半田層９の半田厚みｔ1 と、長辺中央部１２の
半田層９の半田厚みｔ2 、および短辺部１３の半田層９
の半田厚みｔ3 は、ｔ1 ＞ｔ2 ＞ｔ3 の関係としてい
る。特に、長辺端部（コーナー部）１１における半田層
９の半田厚みｔ1 と、短辺部１３における半田層９の半
田厚みｔ3 の半田厚み差を、０．２ｍｍ以上とすること
が好ましい。この半田厚み差とすることで、短辺部１３
の全体を内部ガス抜き口とすることができ、封止の際、
スムーズなガス抜きができる。また、長辺部１１，１２
の下地金属幅ｗおよび半田厚みｔは、長辺端部１１から
長辺中央部１２にかけて連続的に変化し、緩やかな曲
線、円弧または直線によって連続させている。Long side ends (corner parts) of the ceramic plate 2
The base metal width w 1 of the base metal layer 7 in 11, the base metal width w 2 of the base metal layer 7 in the long side central portion 12, and the base metal width w of the base metal layer 7 in the short side portion 13
3 has a relationship of w 1 > w 2 > w 3 . In particular, a base metal width w 1 in the long side edge portion (corner portion) 11, the underlying metal width w 3 of the short side portion 13 has a width ratio (w 1 /
It is preferable that w 3 ) be 1.5 to 2.5. By setting this width ratio, the base metal layer 7 of the long side end 11 is formed.
A favorable thickness difference of 0.2 mm or more can be easily formed between the solder layer 9 formed above and the solder layer 9 formed on the base metal layer 7 of the short side portion 13. Here, the base metal width w 2 of the base metal layer 7 in the long side central portion 12 and the base metal width w 1 of the base metal layer 7 in the long side end portion (corner portion) 11 are set to w 1 > w 2 . Is for controlling the amount of solder so that a good meniscus shape can be formed at the sealing portion. In addition, the solder thickness t 1 of the solder layer 9 at the long side end 11 of the peripheral edge portion 3 of the ceramic plate 2, the solder thickness t 2 of the solder layer 9 at the long side central portion 12, and the solder layer 9 at the short side portion 13
The solder thickness t 3 of the above has a relationship of t 1 > t 2 > t 3 . In particular, the difference between the solder thickness t 1 of the solder layer 9 at the long side end (corner) 11 and the solder thickness t 3 of the solder layer 9 at the short side 13 is preferably 0.2 mm or more. . With this difference in solder thickness, the short side portion 13
Can be used as an internal gas vent, and when sealing,
Can smoothly degas. Also, the long side portions 11, 12
The base metal width w and the solder thickness t of the above continuously change from the long side end portion 11 to the long side central portion 12 and are made continuous by a gentle curve, arc or straight line.
【００２１】ところで、本実施形態の半導体チップ収納
パッケージ用リッドは、セラミック板２の周縁部３の長
辺端部１１、長辺中央部１２、および短辺部１３に、そ
れぞれ下地金属幅ｗ1 ，ｗ2 ，ｗ3 の下地金属層７を設
け、このそれぞれの下地金属幅を有する下地金属層７の
上に従来のスクリーン印刷によって、下地金属層７と同
じ幅に、均一な厚みの半田ペーストを印刷、または塗布
した後、窒素雰囲気中、２７０℃以上、２０秒間（最高
温度：３１０℃）の条件でリフロー（半田ペースト印刷
法と称す）すると、該半田は下地金属層７に対して一定
の濡れ角を有するので、該リフロー後または浸漬後のセ
ラミック板２の長辺端部１１、長辺中央部１２、および
短辺部１３における下地金属層７上のそれぞれ半田層９
の半田厚みは、ｔ1 ＞ｔ2 ＞ｔ3 の関係となる。そし
て、この方法によれば、半田層９の半田厚み差を、セラ
ミック板２の表面に形成する下地金属層７の金属層幅を
変えることで得ることができるので、その製作が簡単と
なる。なお、半田層の形成は、下地金属層７を備えたリ
ッド１を半田浴に浸漬する浸漬法（半田浴浸漬法と称
す）によっても形成できる。By the way, in the lid for a semiconductor chip storage package of the present embodiment, the base metal width w 1 is provided at each of the long side end portion 11, the long side central portion 12 and the short side portion 13 of the peripheral edge portion 3 of the ceramic plate 2. , W 2 and w 3 of the base metal layer 7 are provided, and the solder paste having the same width as the base metal layer 7 and having a uniform thickness is formed on the base metal layer 7 having the respective base metal widths by conventional screen printing. After printing or applying, when the solder is reflowed (referred to as a solder paste printing method) under a condition of 270 ° C. or more for 20 seconds (maximum temperature: 310 ° C.) in a nitrogen atmosphere, the solder is fixed to the underlying metal layer 7. Of the ceramic plate 2 after the reflow or after the dipping, the solder layer 9 on the base metal layer 7 at the long side end portion 11, the long side central portion 12, and the short side portion 13, respectively.
The solder thickness of is in the relationship of t 1 > t 2 > t 3 . According to this method, the difference in the solder thickness of the solder layer 9 can be obtained by changing the width of the metal layer of the base metal layer 7 formed on the surface of the ceramic plate 2, so that the manufacturing thereof is simplified. The solder layer can also be formed by an immersion method (referred to as a solder bath immersion method) in which the lid 1 having the base metal layer 7 is immersed in a solder bath.
【００２２】そして、上述したリッド１を用い、パッケ
ージ基体を封止して電子部品パッケージを得るには、ま
ず、パッケージ基体２０の電子部品搭載部１４に半導体
チップ等の電子部品１６をダイアタッチ剤で接着搭載
し、かつ電子部品１６を電気的に接続するためワイヤボ
ンディングワイヤ１７で、外部接続端子１５と接続され
ているボンディングパターン１８にボンディングする
（図３参照）。なお、パッケージ基体２０には、リッド
１の半田層９に対応する位置にメタライズ層１９が形成
されている。このメタライズ層１９は、通常、Ｗ，Ｍｏ
等の焼結体層にＮｉめっき、更にその上にＡｕめっきを
施すことによって形成される。次に、リッド１を、その
半田層９側を下側にして電子部品搭載部１４を含む長方
形状をしたリッド被冠個所に載置し、かつバネ、クリッ
プ等を介して押し付けセットした後、２８０〜３２０℃
の炉に入れると、セット時、半田厚みが厚く形成されて
いる長辺端部１１の半田層９部分のみがパッケージ本体
２０と接触状態にあるが、加熱による温度上昇により、
この半田層９の半田が溶融して、半田厚み勾配により、
半田厚みの薄い長辺中央部１２および短辺部１３の半田
層９に濡れ広がり、徐々に、長辺中央部１２がクローズ
し、続いて短辺部１３がクローズし、パッケージ基体２
０内の内部ガスが、封止当初は、長辺中央部１２および
短辺部１３を通じて、また途中からは、短辺部１３を通
じてスムーズに大気中に排出され、また該クローズ時
に、シールパスの狭い部位がなくなり、パッケージ基体
２０の電子部品搭載部１４を良好に封止できる。In order to obtain an electronic component package by sealing the package base using the lid 1 described above, first, the electronic component 16 such as a semiconductor chip is attached to the electronic component mounting portion 14 of the package base 20 by a die attach agent. Then, the electronic component 16 is bonded and mounted with a wire bonding wire 17 to electrically bond the electronic component 16 to the bonding pattern 18 connected to the external connection terminal 15 (see FIG. 3). A metallization layer 19 is formed on the package base 20 at a position corresponding to the solder layer 9 of the lid 1. This metallized layer 19 is usually made of W, Mo.
It is formed by applying Ni plating to the sintered body layer such as Ni, and then Au plating thereon. Next, after placing the lid 1 on the lid-covered portion having a rectangular shape including the electronic component mounting portion 14 with the solder layer 9 side facing downward, and pressing and setting the lid 1 via a spring, a clip, etc., 280-320 ° C
When placed in the furnace of No. 3, when set, only the solder layer 9 portion of the long side end portion 11 having a thick solder thickness is in contact with the package body 20, but due to the temperature rise due to heating,
The solder of the solder layer 9 is melted, and due to the solder thickness gradient,
The long-side center portion 12 and the short-side portion 13 having a small solder thickness are wet and spread on the solder layer 9, and the long-side center portion 12 is gradually closed, and then the short-side portion 13 is closed.
The internal gas in 0 is smoothly discharged into the atmosphere through the long side central portion 12 and the short side portion 13 at the beginning of the sealing, and from the middle through the short side portion 13 from the middle, and the sealing path is narrow when closed. Since the parts are eliminated, the electronic component mounting portion 14 of the package base 20 can be favorably sealed.
【００２３】従って、本実施形態の半導体パッケージ封
止用リッドによれば、半導体チップ等の電子部品を搭載
する電子部品搭載部を含むリッド被冠部分が長方形状を
した容積の大きい電子部品パッケージのパッケージ基体
であっても、リッドを形成するセラミック板として、長
方形状のものを用い、かつセラミック板の周縁部の長辺
端部の下地金属幅ｗ1 と、長辺中央部の下地金属幅
ｗ2 、および短辺部の下地金属幅ｗ3 が、ｗ1 ＞ｗ2 ＞
ｗ3 で、該セラミック板の周縁部の長辺端部の半田厚み
ｔ1 と、長辺中央部の半田厚みｔ2 、および短辺部の半
田厚みｔ3 が、ｔ1＞ｔ2 ＞ｔ3 の関係にあり、かつ該
長辺部の下地金属幅および半田厚みが、長辺端部から長
辺中央部にかけて、また、長辺端部から短辺部にかけて
連続的に変化させているので、該パッケージ本体とセラ
ミック製リッドとの封止のタイミングに位置によるずれ
を生じさせて、内部圧力によるガスをスムーズに外部に
逃がすことができる。また、内部に閉じ込められるガス
量を少なくすることができる。また、長辺部のシールパ
ス部を広くとっているので、加熱封止時の曲げモーメン
トによる引張力を低く押さえることができる。従って、
ヒートスプレッダーを付けたパッケージの場合であって
も、封止部分に気密不良の発生を防止できる。Therefore, according to the lid for encapsulating a semiconductor package of the present embodiment, the lid-covered portion including the electronic component mounting portion for mounting an electronic component such as a semiconductor chip has a rectangular shape and has a large volume. Even for the package base, a rectangular ceramic plate is used as the lid, and the base metal width w 1 at the long side end portion of the peripheral edge of the ceramic plate and the base metal width w at the long side center portion are used. 2 and the width w 3 of the base metal on the short side are w 1 > w 2 >
At w 3 , the solder thickness t 1 at the long side end portion of the peripheral edge portion of the ceramic plate, the solder thickness t 2 at the long side central portion, and the solder thickness t 3 at the short side portion are t 1 > t 2 > t 3 and the base metal width and the solder thickness of the long side portion are continuously changed from the long side end portion to the long side central portion, and from the long side end portion to the short side portion. The position of the package body and the ceramic lid can be shifted depending on the position, and the gas due to the internal pressure can be smoothly released to the outside. In addition, the amount of gas trapped inside can be reduced. Further, since the seal path portion of the long side is wide, the tensile force due to the bending moment at the time of heat sealing can be suppressed low. Therefore,
Even in the case of a package provided with a heat spreader, it is possible to prevent the occurrence of airtightness in the sealed portion.
【００２４】なお、本発明は、上述した実施形態の説明
に限定されるものでなく、本発明の主旨を逸脱しない範
囲内で変形・実施できる構成を含むことは明らかであ
る。因に、上述した実施形態では、短辺部における下地
金属層の下地金属幅を一定幅としたが、長辺部の場合と
同じく、短辺中央部の下地金属層の下地金属幅を狭幅と
した構成としてもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above description of the embodiments, and it is obvious that the present invention includes configurations that can be modified and implemented without departing from the spirit of the present invention. Incidentally, in the above-described embodiment, the base metal width of the base metal layer in the short side portion is set to a constant width, but as in the case of the long side portion, the base metal width of the base metal layer in the center portion of the short side is narrowed. It may be configured as.
【００２５】[0025]
【実施例】次に、本発明の電子部品パッケージ封止用リ
ッドと、このリッドを用いた電子部品パッケージの効果
を確認するために、縦横が、５４ｍｍ×３４ｍｍのセラ
ミック板を用い、このセラミック板の周縁部の長辺部と
短辺部に表１に示す下地金属層を設け、その上に半田層
を形成したリッドについて、−６５℃から１５０℃の温
度サイクル試験（以下、Ｔ／Ｃと言う。）がかかった時
に半田に亀裂が発生しない最大応力に相当する歪みεeq
と、Ｔ／Ｃ評価を行った。なお、半田としては、Ｐｂ／
Ｂｉ／Ｉｎ／Ｓｎ／Ａｇ５成分の半田を用いた。EXAMPLES Next, in order to confirm the effects of the lid for encapsulating an electronic component package of the present invention and the electronic component package using this lid, a ceramic plate having a length and width of 54 mm × 34 mm was used. For a lid having a base metal layer shown in Table 1 provided on the long side and the short side of the peripheral edge portion of and a solder layer formed thereon, a temperature cycle test from -65 ° C to 150 ° C (hereinafter referred to as T / C Strain) ε eq corresponding to the maximum stress at which solder does not crack when subjected to
Then, T / C evaluation was performed. As the solder, Pb /
Bi / In / Sn / Ag5 component solder was used.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】ところで、歪みεeqと、Ｔ／Ｃ評価は、半
田特有の繰り返し疲労特性に関する法則、εeq・Ｎｆ
0.447 （Ｎｆは、半田に亀裂の生じるＴ／Ｃ数）＝３
５．８１、および図５の歪みεeq−Ｔ／Ｃサイクル数と
の関係を示すグラフから行った。なお、この関係によれ
ば、前記半田の場合、εeq≦１．６７（％）であれば、
Ｔ／Ｃ１０００サイクルに耐えることが判る。そして、
本実施例の場合、応力シュミレーションを行った結果、
歪みεeqが１．６５で、Ｔ／Ｃ１０００サイクルに耐え
ることが確認でき、また気密不良発生率が０／１００で
あった。このことから、本発明の電子部品パッケージ封
止用リッドによれば、半田部分に亀裂が発生するのを防
止でき、また封止個所の信頼性を確保できることが確認
できる。By the way, the strain ε eq and the T / C evaluation are calculated based on the law concerning the repeated fatigue characteristic peculiar to solder, ε eq · Nf
0.447 (Nf is the T / C number at which solder cracks) = 3
5.81, and the graph showing the relationship between the strain ε eq and the number of T / C cycles in FIG. According to this relationship, in the case of the solder, if ε eq ≤ 1.67 (%),
It can be seen that it withstands 1000 cycles of T / C. And
In the case of the present embodiment, as a result of performing the stress simulation,
It was confirmed that the strain ε eq was 1.65, and it could withstand 1000 cycles of T / C, and the incidence rate of airtightness was 0/100. From this, it can be confirmed that according to the lid for sealing an electronic component package of the present invention, it is possible to prevent cracks from being generated in the solder portion and to secure the reliability of the sealing portion.
【図１】 本発明の一実施形態を示し、図１（ａ）は電
子部品パッケージ封止用リッドの平面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の
Ｙ−Ｙ断面図である。1 shows an embodiment of the present invention, FIG. 1 (a) is a plan view of a lid for sealing an electronic component package, FIG. 1 (b) is a sectional view taken along line XX of FIG. 1 (a), FIG. 1C is a sectional view taken along line YY of FIG.
【図２】 図１（ａ）のＺ−Ｚ断面の一部を省略した拡
大図である。FIG. 2 is an enlarged view in which a part of the ZZ section of FIG. 1A is omitted.
【図３】 図１のリッドを用いた電子部品パッケージの
断面図である。3 is a cross-sectional view of an electronic component package using the lid of FIG.
【図４】 図３の部分拡大図である。FIG. 4 is a partially enlarged view of FIG. 3;
【図５】 歪みεeq−Ｔ／Ｃサイクル数との関係を示す
グラフである。FIG. 5 is a graph showing a relationship with strain ε eq −T / C cycle number.
【図６】 図６（ａ）は従来の電子部品パッケージ封止
用リッドの平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断
面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のリッドを用いた電子部
品パッケージの断面図である。6A is a plan view of a lid for sealing a conventional electronic component package, FIG. 6B is a sectional view taken along line AA of FIG. 6A, and FIG. It is sectional drawing of the electronic component package using the lid of a).
【図７】 シールパス部の拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of a seal pass portion.
【図８】 図８（ａ）は従来の電子部品パッケージ封止
用リッドの平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ断
面図である。8A is a plan view of a conventional lid for sealing an electronic component package, and FIG. 8B is a sectional view taken along line BB of FIG. 8A.
【図９】 曲げモーメントＭによる引張応力σの発生メ
カニズムの説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a generation mechanism of tensile stress σ due to a bending moment M.
【図１０】 図１の要部拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of a main part of FIG.
１・・・リッド、２・・・セラミック板、３・・・周縁
部、４・・・側面部、７・・・下地金属層、８・・・下
地金属層、９・・・半田層、１０・・・半田層、１１・
・・長辺端部、１２・・・長辺中央部、１３・・・短辺
部、１４・・・電子部品搭載部、１５・・・外部接続端
子、１６・・・電子部品、１７・・・ボンディングワイ
ヤ、１８・・・ボンディングパターン、ｗ1 ・・・長辺
端部における下地金属幅、ｗ2 ・・・長辺中央部、ｗ3
・・・短辺部、ｔ1 ・・・長辺端部の半田厚み、ｔ2 ・
・・長辺中央部、ｔ3 ・・・短辺部、１９・・・メタラ
イズ層、２０・・・パッケージ基体、２１・・・リッ
ド、２２・・・セラミック板、２３・・・片面、２４・
・・周縁部、２５・・・側面部、２６・・・下地金属
層、２７・・・半田層、２８・・・電子部品搭載部、２
９・・・パッケージ基体、３０・・・電子部品、３１・
・・下地金属層、３３・・・シールパス部、３４・・・
メニスカス部分、３５・・・亀裂、４１・・・セラミッ
ク板、４２・・・辺中央部、４３・・・辺端部、４４・
・・ヒートスプレッダー1 ... Lid, 2 ... Ceramic plate, 3 ... Peripheral part, 4 ... Side part, 7 ... Base metal layer, 8 ... Base metal layer, 9 ... Solder layer, 10 ... Solder layer, 11 ...
..Long side end portions, 12 ... long side central portions, 13 ... short side portions, 14 ... electronic component mounting portions, 15 ... external connection terminals, 16 ... electronic components, 17 ... · bonding wire, 18 ... bonding pattern, w 1 ... length base metal width at the side end portion, w 2 ... long side central portion, w 3
... short sides, t 1 ... long side end portion of the solder thickness, t 2 ·
· Long side central portion, t 3 ... short sides, 19 ... metallized layer, 20 ... package base, 21 ... lid, 22 ... ceramic plate, 23 ... one side 24・
..Peripheral edge portion, 25 ... Side surface portion, 26 ... Base metal layer, 27 ... Solder layer, 28 ... Electronic component mounting portion, 2
9 ... Package base, 30 ... Electronic component, 31 ...
.... Base metal layer, 33 ... Seal path portion, 34 ...
Meniscus portion, 35 ... Crack, 41 ... Ceramic plate, 42 ... Side central portion, 43 ... Side edge portion, 44 ...
..Heat spreaders
Claims (4)
子部品搭載部を含むリッド被冠部分が長方形状をした電
子部品パッケージのパッケージ基体を封止するためのリ
ッドであって、該リッドが、長方形状のセラミック板か
らなり、該セラミック板の周縁部、または周縁部と側面
部に、下地金属層を介して半田層を備え、該セラミック
板の周縁部の長辺端部の下地金属幅ｗ1 と、長辺中央部
の下地金属幅ｗ2 、および短辺部の下地金属幅ｗ3 が、
ｗ1 ＞ｗ2 ＞ｗ3 で、該セラミック板の周縁部の長辺端
部の半田厚みｔ1 と、長辺中央部の半田厚みｔ2 、およ
び短辺部の半田厚みｔ3 が、ｔ1 ＞ｔ2 ＞ｔ3 の関係に
あり、かつ該長辺部の下地金属幅および半田厚みが、長
辺端部から長辺中央部にかけて連続的に変化することを
特徴とする電子部品パッケージ封止用リッド。1. A lid for sealing a package base of an electronic component package having a rectangular lid-covered portion including an electronic component mounting portion for mounting an electronic component such as a semiconductor chip, the lid comprising: A rectangular ceramic plate is provided, and a solder layer is provided on the peripheral edge portion or the peripheral edge portion and the side surface portion of the ceramic plate via a base metal layer, and the base metal width w of the long side end portion of the peripheral edge portion of the ceramic plate is w. 1 , the base metal width w 2 at the center of the long side, and the base metal width w 3 at the short side,
When w 1 > w 2 > w 3 , the solder thickness t 1 at the long side end portion of the peripheral edge portion of the ceramic plate, the solder thickness t 2 at the long side central portion, and the solder thickness t 3 at the short side portion are t 1 > t 2 > t 3 and the underlying metal width and the solder thickness of the long side portion continuously change from the long side end portion to the long side central portion. Stop lid.
ｗ1 が、短辺部の下地金属幅ｗ3 の１．５〜２．５倍で
ある請求項１に記載の電子部品パッケージ封止用リッ
ド。2. The electronic component package encapsulation according to claim 1, wherein the base metal width w 1 of the long side portion of the ceramic plate is 1.5 to 2.5 times the base metal width w 3 of the short side portion. Stop lid.
と、短辺部の半田層の半田厚み差が０．２ｍｍ以上であ
る請求項１または２に記載の電子部品パッケージ封止用
リッド。3. The lid for encapsulating an electronic component package according to claim 1, wherein a difference in solder thickness between a solder layer on a long side end of the ceramic plate and a solder layer on a short side is 0.2 mm or more. .
部品パッケージ封止用リッドを用いたことを特徴とする
電子部品パッケージ。4. An electronic component package, comprising the electronic component package sealing lid according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9899696A JPH09266263A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Electronic component package sealing lid and package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9899696A JPH09266263A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Electronic component package sealing lid and package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266263A true JPH09266263A (en) | 1997-10-07 |
Family
ID=14234596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9899696A Pending JPH09266263A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Electronic component package sealing lid and package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266263A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109796A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP9899696A patent/JPH09266263A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109796A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
| US7550902B2 (en) | 2003-06-03 | 2009-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
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