JPH09266157A - 縮小投影露光方法およびその装置 - Google Patents
縮小投影露光方法およびその装置Info
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- JPH09266157A JPH09266157A JP8074845A JP7484596A JPH09266157A JP H09266157 A JPH09266157 A JP H09266157A JP 8074845 A JP8074845 A JP 8074845A JP 7484596 A JP7484596 A JP 7484596A JP H09266157 A JPH09266157 A JP H09266157A
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- projection exposure
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】縮小投影露光方法およびその装置において、定
期的にゴミ１０の付着の有無の検査を行なうこと無くス
テージ４とウェハ９との間に介在するゴミ１０によって
生ずるパターン転写不良を無くす。 【解決手段】一照射領域１２毎にレーザ光を照射するレ
ーザ発振器５と、反射するレーザ光量を測定するセンサ
６とを設け、投影レンズの焦点深度を超える膨らみ１１
による異常な高さ変化量をセンサ６で検知し、アラーム
を発生するとともに装置を停止させかつ膨らみ１１のあ
る照射領域１２の位置を位置表示部１ａに表示する。
期的にゴミ１０の付着の有無の検査を行なうこと無くス
テージ４とウェハ９との間に介在するゴミ１０によって
生ずるパターン転写不良を無くす。 【解決手段】一照射領域１２毎にレーザ光を照射するレ
ーザ発振器５と、反射するレーザ光量を測定するセンサ
６とを設け、投影レンズの焦点深度を超える膨らみ１１
による異常な高さ変化量をセンサ６で検知し、アラーム
を発生するとともに装置を停止させかつ膨らみ１１のあ
る照射領域１２の位置を位置表示部１ａに表示する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一露光光の照射領
域毎に露光光を繰返して照射し半導体基板にレチクルパ
ターンを転写する縮小投影露光方法およびその装置に関
する。
域毎に露光光を繰返して照射し半導体基板にレチクルパ
ターンを転写する縮小投影露光方法およびその装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積度化に伴ないこの種
の縮小投影露光装置の投影レンズの開口数が増大が要求
され、近年、０．２ミクロンの微細化パターンが対応で
きるようになった。しかしながら、この開口数が増大す
るにつれて焦点深度が浅くなり、被加工物である半導体
基板（以下単にウェハと記す）にある僅かな段差でもパ
ターンの転写が不鮮明となり品質に重大な欠陥をもたら
すという問題があった。
の縮小投影露光装置の投影レンズの開口数が増大が要求
され、近年、０．２ミクロンの微細化パターンが対応で
きるようになった。しかしながら、この開口数が増大す
るにつれて焦点深度が浅くなり、被加工物である半導体
基板（以下単にウェハと記す）にある僅かな段差でもパ
ターンの転写が不鮮明となり品質に重大な欠陥をもたら
すという問題があった。
【０００３】このため、パターンを転写すべきウェハの
面の平坦化を図る対策は勿論、ウェハを載置するステー
ジ面の改善など装置側にも行なわれてきた。しかしなが
ら、平坦化技術や装置側の改善で解消できない問題があ
る。その一つは、ステージの上に微小なゴミが付着し、
その上にウェハを乗せたとき、ゴミの上のウェハの領域
は上に膨らむように湾曲し、転写されたパターンに寸法
異常やパターン切れなど起すような使用上における問題
がある。この転写不良を含むウェハが後工程に流れる
と、それ以降の工程が無駄な工数となり、損失費用が増
大するという問題がある。
面の平坦化を図る対策は勿論、ウェハを載置するステー
ジ面の改善など装置側にも行なわれてきた。しかしなが
ら、平坦化技術や装置側の改善で解消できない問題があ
る。その一つは、ステージの上に微小なゴミが付着し、
その上にウェハを乗せたとき、ゴミの上のウェハの領域
は上に膨らむように湾曲し、転写されたパターンに寸法
異常やパターン切れなど起すような使用上における問題
がある。この転写不良を含むウェハが後工程に流れる
と、それ以降の工程が無駄な工数となり、損失費用が増
大するという問題がある。
【０００４】従来、この問題の対策としては決定的な手
段はなく、ステージの載置面の平坦度およびゴミの有無
を定期的に検査して対処せざる得なかった。
段はなく、ステージの載置面の平坦度およびゴミの有無
を定期的に検査して対処せざる得なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、定期的
にステージの平坦度をチェックするにしても、ゴミの付
着そのものがランダムに起きチェックする間にもゴミが
付着する。このため、その間に露光処理したウェハに多
量の不良品を発生させるという問題がある。また、チェ
ックのインターバルを短くしても完全に解消するもので
はなく、むしろ、検査工数を増大させるだけではなく高
価な装置を休ませるという新たな問題を起すことにな
る。
にステージの平坦度をチェックするにしても、ゴミの付
着そのものがランダムに起きチェックする間にもゴミが
付着する。このため、その間に露光処理したウェハに多
量の不良品を発生させるという問題がある。また、チェ
ックのインターバルを短くしても完全に解消するもので
はなく、むしろ、検査工数を増大させるだけではなく高
価な装置を休ませるという新たな問題を起すことにな
る。
【０００６】このゴミの付着する問題を解消する縮小投
影露光装置として、特開昭６３一２９９２９号公報に開
示されている。この装置は、ウェハの裏面に高圧エアを
吹き付けるノズルを設け、ウェハの裏面に付着するゴミ
を吹き飛ばし、しかる後ウェハの外周囲を保持する吸着
台を降しステージにウェハを載置している。しかしなが
ら、この装置でゴミの付着の問題を解消することは困難
である。何となれば、吹き飛ばされたゴミがステージ外
に排出されるという保証がない。むしろ、飛ばされたゴ
ミがステージに再付着するという恐れもあるし、もとも
とステージに付着したゴミは取除くことができない。さ
らに、問題なのは、ゴミがステージに付着していないこ
とを確認する術もない。
影露光装置として、特開昭６３一２９９２９号公報に開
示されている。この装置は、ウェハの裏面に高圧エアを
吹き付けるノズルを設け、ウェハの裏面に付着するゴミ
を吹き飛ばし、しかる後ウェハの外周囲を保持する吸着
台を降しステージにウェハを載置している。しかしなが
ら、この装置でゴミの付着の問題を解消することは困難
である。何となれば、吹き飛ばされたゴミがステージ外
に排出されるという保証がない。むしろ、飛ばされたゴ
ミがステージに再付着するという恐れもあるし、もとも
とステージに付着したゴミは取除くことができない。さ
らに、問題なのは、ゴミがステージに付着していないこ
とを確認する術もない。
【０００７】従って、本発明の目的は、定期的にゴミの
付着の有無の検査を行なうこと無くステージとウェハと
の間に介在するゴミによって生ずるパターン転写不良を
無くすことができる縮小投影露光方法およびその装置を
提供することにある。
付着の有無の検査を行なうこと無くステージとウェハと
の間に介在するゴミによって生ずるパターン転写不良を
無くすことができる縮小投影露光方法およびその装置を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、一露光
光の照射領域毎に露光光を繰返して照射し半導体基板に
レチクルパターンを転写する縮小投影露光方法におい
て、前記照射領域毎にレーザ光を照射しその反射光量を
測定し該光量により該照射領域上に膨らみの有無を調べ
該膨らみが規定の膨らみより大きいか否かを判定し、も
し該膨らみが大きければ警報を発するとともに露光動作
を停止しかつ該膨らみのある該照射領域の位置を表示す
る縮小投影露光方法である。
光の照射領域毎に露光光を繰返して照射し半導体基板に
レチクルパターンを転写する縮小投影露光方法におい
て、前記照射領域毎にレーザ光を照射しその反射光量を
測定し該光量により該照射領域上に膨らみの有無を調べ
該膨らみが規定の膨らみより大きいか否かを判定し、も
し該膨らみが大きければ警報を発するとともに露光動作
を停止しかつ該膨らみのある該照射領域の位置を表示す
る縮小投影露光方法である。
【０００９】また、他の特徴は、前記照射領域にレーザ
光を照射するレーザ光発振器と、前記照射領域から反射
する該レーザ光量を測定するセンサと、該センサの測定
値と規定値と比較し前記照射領域に膨らみの有無および
該膨らみが規定の膨らみより大きいか否かを判定する手
段と、もし該膨らみが前記規定の膨らみより大きければ
警報を発し露光動作を停止するとともに該照射領域の位
置を表示する手段とを備える縮小投影露光装置である。
光を照射するレーザ光発振器と、前記照射領域から反射
する該レーザ光量を測定するセンサと、該センサの測定
値と規定値と比較し前記照射領域に膨らみの有無および
該膨らみが規定の膨らみより大きいか否かを判定する手
段と、もし該膨らみが前記規定の膨らみより大きければ
警報を発し露光動作を停止するとともに該照射領域の位
置を表示する手段とを備える縮小投影露光装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態の縮
小投影露光装置におけるステージを示す模式断面図であ
る。この縮小投影露光装置は、図１に示すように、露光
光が一ショットで照射される照射領域１２にレーザ光を
照射するレーザ光発振器５と、照射領域１２から反射す
るレーザ光をスリット７を介してレーザ光を入光しその
光量を測定するセンサ６と、センサ６が最大となるよう
に高さ調整部８でステージ高さを調整し、その変化量Δ
ｚと規格値と比較し照射領域１２にゴミ１０による膨ら
み１１の有無とこの膨らみ１１の大きさが規定の膨らみ
より大きいか否かを判定する比較判定部３と、もし膨ら
み１２が規定の膨らみより大きければ警報器１ｂを動作
させるとともに露光シーケンス動作を停止しかつステー
ジ４に対し膨らみ１１のある照射領域１２の位置をマッ
プとして位置表示部１ａに表示する制御部２を備えてい
る。
小投影露光装置におけるステージを示す模式断面図であ
る。この縮小投影露光装置は、図１に示すように、露光
光が一ショットで照射される照射領域１２にレーザ光を
照射するレーザ光発振器５と、照射領域１２から反射す
るレーザ光をスリット７を介してレーザ光を入光しその
光量を測定するセンサ６と、センサ６が最大となるよう
に高さ調整部８でステージ高さを調整し、その変化量Δ
ｚと規格値と比較し照射領域１２にゴミ１０による膨ら
み１１の有無とこの膨らみ１１の大きさが規定の膨らみ
より大きいか否かを判定する比較判定部３と、もし膨ら
み１２が規定の膨らみより大きければ警報器１ｂを動作
させるとともに露光シーケンス動作を停止しかつステー
ジ４に対し膨らみ１１のある照射領域１２の位置をマッ
プとして位置表示部１ａに表示する制御部２を備えてい
る。
【００１１】比較判定部３は、センサ６からの光電流が
最大となるようにステージ高さをｚを調整したときその
変化量Δｚμｍを電圧信号に変換しその電圧を規定電圧
と比較しハイレベルの電圧を出力する比較回路、例えば
市販のフリップフロップ回路を備えている。また、この
規定電圧は、露光装置における投影レンズの焦点進度が
カバーできる程度の膨らみ１１における高さ変化量で発
生する電圧に設定することが望ましい。
最大となるようにステージ高さをｚを調整したときその
変化量Δｚμｍを電圧信号に変換しその電圧を規定電圧
と比較しハイレベルの電圧を出力する比較回路、例えば
市販のフリップフロップ回路を備えている。また、この
規定電圧は、露光装置における投影レンズの焦点進度が
カバーできる程度の膨らみ１１における高さ変化量で発
生する電圧に設定することが望ましい。
【００１２】制御部２は、比較判定部３からの出力電圧
により警報器１ｂを動作させるスイチングトランジスタ
と、位置表示部１ａであるディスプレイに画面表示され
たウェハマップに該当する照射領域１２の位置を示すド
ット信号を転送する出力部と、比較判定部３からの出力
電圧により装置の動作を仕さどるシーケンス回路部の停
止リレーを動作させるすスイチングトランジスタと、焦
点合せのときにステージ４の高さを調節する高さ調整部
８を駆動する駆動回路部とを備えている。
により警報器１ｂを動作させるスイチングトランジスタ
と、位置表示部１ａであるディスプレイに画面表示され
たウェハマップに該当する照射領域１２の位置を示すド
ット信号を転送する出力部と、比較判定部３からの出力
電圧により装置の動作を仕さどるシーケンス回路部の停
止リレーを動作させるすスイチングトランジスタと、焦
点合せのときにステージ４の高さを調節する高さ調整部
８を駆動する駆動回路部とを備えている。
【００１３】図２は本発明の縮小投影露光方法の一実施
の形態を説明するためのフローチャートである。次に、
図１の縮小投影露光装置の動作を説明することで本発明
の露光方法について述べる。
の形態を説明するためのフローチャートである。次に、
図１の縮小投影露光装置の動作を説明することで本発明
の露光方法について述べる。
【００１４】まず、図２のステップＡで、レチクルをセ
ットした図１の縮小投影露光装置のステージ４にウェハ
９を載置する。次に、図２のステップＢでアライメント
マークによるレチクルパターンの位置合せを行なう。し
かる後、ステップＣで、レーザ発振器５によりレーザ光
を照射領域１２に照射し、その反射光量で焦点が合った
か否かを判定し、焦点が合えば、ステップＥで露光す
る。もし焦点が合わなければ、図１の制御部２により高
さ調整部８を動作させ、ステージ４の高さを調節し焦点
を合せる。
ットした図１の縮小投影露光装置のステージ４にウェハ
９を載置する。次に、図２のステップＢでアライメント
マークによるレチクルパターンの位置合せを行なう。し
かる後、ステップＣで、レーザ発振器５によりレーザ光
を照射領域１２に照射し、その反射光量で焦点が合った
か否かを判定し、焦点が合えば、ステップＥで露光す
る。もし焦点が合わなければ、図１の制御部２により高
さ調整部８を動作させ、ステージ４の高さを調節し焦点
を合せる。
【００１５】次に、図２のステップＦで、図１のレーザ
発振器５でレーザ光を照射領域１２に照射し、その反射
光量が最大となるまでステージ高さを調整する。その変
化量Δｚμｍが規格値以内であれば、ステップＨで判定
し全ショットが完了していなければ、他の照射領域を露
光位置に移動させステップＣからステップＦまで繰返し
て行なう。もし、ステップＦで変化量Δｚが規定値を超
えたとき、図１の比較判定部３より信号が制御部２に転
送され、ステップＧにより警報を発生するとともに装置
の動作が停止する。なお、このとき、図１の位置表示部
１ａには、ゴミによる膨らみ１１のある照射領域１２の
位置が表示されているので、ステップＩでウェハ９を取
り外し、照射領域１２に対応するステージ４の領域を清
掃する。
発振器５でレーザ光を照射領域１２に照射し、その反射
光量が最大となるまでステージ高さを調整する。その変
化量Δｚμｍが規格値以内であれば、ステップＨで判定
し全ショットが完了していなければ、他の照射領域を露
光位置に移動させステップＣからステップＦまで繰返し
て行なう。もし、ステップＦで変化量Δｚが規定値を超
えたとき、図１の比較判定部３より信号が制御部２に転
送され、ステップＧにより警報を発生するとともに装置
の動作が停止する。なお、このとき、図１の位置表示部
１ａには、ゴミによる膨らみ１１のある照射領域１２の
位置が表示されているので、ステップＩでウェハ９を取
り外し、照射領域１２に対応するステージ４の領域を清
掃する。
【００１６】このように、一ショット毎にゴミによる膨
らみ１１の有無を調らべ、一ショット領域でもゴミによ
る膨らみ１１が有れば、そのウェハを不良品として扱い
再工事または廃棄することで、後工程への流出を防止す
ることができる。また、コミが付着するステージの場所
が即座に判明するので、ゴミの有無の検査工数を無くす
ことができるという利点がある。
らみ１１の有無を調らべ、一ショット領域でもゴミによ
る膨らみ１１が有れば、そのウェハを不良品として扱い
再工事または廃棄することで、後工程への流出を防止す
ることができる。また、コミが付着するステージの場所
が即座に判明するので、ゴミの有無の検査工数を無くす
ことができるという利点がある。
【００１７】なお、この発明の実施の形態では、一照射
領域内で一点にレーザ光を照射してゴミによる膨らみの
有無を検査する方法で説明したが、一照射領域が大きい
場合は、複数の点にレーザ光を照射して膨らみの有無を
検査しても良い。
領域内で一点にレーザ光を照射してゴミによる膨らみの
有無を検査する方法で説明したが、一照射領域が大きい
場合は、複数の点にレーザ光を照射して膨らみの有無を
検査しても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一照射領
域毎にレーザ光を照射するレーザ光源と、反射するレー
ザ光量を測定するセンサとを設け、投影レンズの焦点深
度を超える膨らみによる異常な高さ変化量をセンサで検
知し、アラームを発生するとともに装置を停止させ、こ
の異常な膨らみによる転写不良を起している照射領域を
含むウェハを再工事または廃棄するので、パターン転写
不良の起さず、常に良品のウェハを後工程に流すことが
できるという効果がある。
域毎にレーザ光を照射するレーザ光源と、反射するレー
ザ光量を測定するセンサとを設け、投影レンズの焦点深
度を超える膨らみによる異常な高さ変化量をセンサで検
知し、アラームを発生するとともに装置を停止させ、こ
の異常な膨らみによる転写不良を起している照射領域を
含むウェハを再工事または廃棄するので、パターン転写
不良の起さず、常に良品のウェハを後工程に流すことが
できるという効果がある。
【００１９】また、異常な膨らみのある領域の位置を表
示する表示部を設けることによって、即座にステージの
ゴミのある部分を発見できるので、従来のように定期的
なステージのウェハ載置面の検査が必要になくなり、検
査工数の低減および稼働率の向上が図れるという効果が
ある。
示する表示部を設けることによって、即座にステージの
ゴミのある部分を発見できるので、従来のように定期的
なステージのウェハ載置面の検査が必要になくなり、検
査工数の低減および稼働率の向上が図れるという効果が
ある。
【図１】本発明の一実施の形態の縮小投影露光装置にお
けるステージを示す模式断面図である。
けるステージを示す模式断面図である。
【図２】本発明の縮小投影露光方法の一実施の形態を説
明するためのフローチャートである。
明するためのフローチャートである。
１ａ 位置表示部 １ｂ 警報器 ２ 制御部 ３ 比較判定部 ４ ステージ ５ レーザ発振器 ６ センサ ７ スリット ８ 高さ調整部 ９ ウェハ １０ ゴミ １１ 膨らみ １２ 照射領域
Claims (2)
- 【請求項１】 一露光光の照射領域毎に露光光を繰返し
て照射し半導体基板にレチクルパターンを転写する縮小
投影露光方法において、前記照射領域毎にレーザ光を照
射しその反射光量を測定し該光量により該照射領域上に
膨らみの有無を調べ該膨らみが規定の膨らみより大きい
か否かを判定し、もし該膨らみが大きければ警報を発す
るとともに露光動作を停止しかつ該膨らみのある該照射
領域の位置を表示することを特徴とする縮小投影露光方
法。 - 【請求項２】 前記照射領域にレーザ光を照射するレー
ザ光発振器と、前記照射領域から反射する該レーザ光量
を測定するセンサと、該センサの測定値と規定値と比較
し前記照射領域に膨らみの有無および該膨らみが規定の
膨らみより大きいか否かを判定する手段と、もし該膨ら
みが前記規定の膨らみより大きければ警報を発し露光動
作を停止するとともに該照射領域の位置を表示する手段
とを備えることを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074845A JPH09266157A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 縮小投影露光方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074845A JPH09266157A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 縮小投影露光方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266157A true JPH09266157A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13559073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8074845A Pending JPH09266157A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 縮小投影露光方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266157A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246300A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
| WO2003041136A1 (fr) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons |
| WO2006070748A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、露光装置、メンテナンス部材 |
| JP2010021511A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2015095602A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 異物の検出方法および検出装置、露光方法、ならびに、デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP8074845A patent/JPH09266157A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246300A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
| JP4567216B2 (ja) * | 2001-02-20 | 2010-10-20 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体製造装置 |
| WO2003041136A1 (fr) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990330 |