JPH09260583A - High frequency semiconductor device - Google Patents
High frequency semiconductor deviceInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば１ＧＨｚ以
上の高周波信号を処理する半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which processes a high frequency signal of, for example, 1 GHz or higher.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭＭＩＣなどの高周波回路チップを基板
上に実装する方法として、金等で構成される半田バンプ
を用い、フェイスダウン構造で接続されるフリップチッ
プ実装がよく用いられる。これは、半田バンプの高さが
数十μｍ以下と極めて小さい値で、チップと基板との接
続部のインダクタンスの影響を無視できるためである。2. Description of the Related Art As a method for mounting a high frequency circuit chip such as an MMIC on a substrate, flip-chip mounting in which solder bumps made of gold or the like are used and connected in a face-down structure is often used. This is because the height of the solder bump is an extremely small value of several tens of μm or less, and the influence of the inductance of the connecting portion between the chip and the substrate can be ignored.
【０００３】図１は１９９５ ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓ
ｙｍｐｏｓｉｕｍで発表された従来の半導体装置の実装
構成である。実装基板と高周波回路（例えば、ＭＭＩ
Ｃ）チップ２が半田バンプ３により接続された構成であ
る。ＭＭＩＣチップはコプレーナ線路を主に用いて構成
される共平面型もしくはマイクロストリップ線路を主に
用いて、ＭＭＩＣチップの表面に高周波回路、裏面に接
地導体が形成される構成である。FIG. 1 shows the 1995 IEEE MTT-S.
International Microwave S
This is a mounting configuration of a conventional semiconductor device announced at ymposium. Mounting board and high-frequency circuit (for example, MMI
C) The chip 2 is connected by the solder bumps 3. The MMIC chip is mainly composed of a coplanar type or microstrip line mainly composed of a coplanar line, and a high frequency circuit is formed on the front surface of the MMIC chip and a ground conductor is formed on the rear surface thereof.
【０００４】しかしながら、従来の構成の半導体装置で
は、実装基板面と高周波回路チップ表面（高周波回路形
成面）の間隔ｄがバンプ高さ分しかなく、実装基板の影
響により、高周波特性が劣化するという問題点があっ
た。However, in the conventional semiconductor device, the distance d between the surface of the mounting substrate and the surface of the high-frequency circuit chip (the surface on which the high-frequency circuit is formed) is only the bump height, and the high-frequency characteristics are deteriorated due to the influence of the mounting substrate. There was a problem.
【０００５】また、図２は１９９５ ＩＥＥＥ ＭＴＴ
−Ｓ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍで発表されたコプレーナ線路の特
性インピーダンスとｄの関係を示した計算結果である。
高周波チップの基板厚は１００μｍであり、コプレーナ
線路の中心導体幅をｗとしている。図中の点線は高周波
チップ上に空気のみが存在する場合の特性インピーダン
スであり、コプレーナ線路の中心導体と接地導体の間隔
は線路の特性インピーダンスが７５Ωとなるように設定
している。この結果によると、コプレーナ線路の中心導
体幅に関わらず、ｄの変化に対して線路の特性インピー
ダンスが大きく変化しており、実装基板の影響を無視す
るためには、線路上に数百μｍの空気層が必要である。
このような線路の特性インピーダンスの変化はマイクロ
ストリップ線路についても同様である。図２に示すよう
な計算結果よりチップ実装後の高周波回路の特性を予測
することが可能であるが、実装基板面とチップ表面の間
隔ｄを数μｍ単位で制御することが困難であり、高周波
回路の正確な設計ができないという問題点があった。Further, FIG. 2 shows the 1995 IEEE MTT.
-S International Microwave
It is the calculation result which showed the characteristic impedance of the coplanar line | wire announced by Symposium, and the relationship of d.
The substrate thickness of the high-frequency chip is 100 μm, and the central conductor width of the coplanar line is w. The dotted line in the figure is the characteristic impedance when only air is present on the high-frequency chip, and the distance between the center conductor and the ground conductor of the coplanar line is set so that the line characteristic impedance becomes 75Ω. According to this result, the characteristic impedance of the line greatly changes with respect to the change of d regardless of the center conductor width of the coplanar line, and in order to ignore the influence of the mounting substrate, several hundred μm is required on the line. Air layer is required.
Such a change in the characteristic impedance of the line is the same for the microstrip line. Although it is possible to predict the characteristics of the high-frequency circuit after chip mounting from the calculation results shown in FIG. 2, it is difficult to control the distance d between the mounting substrate surface and the chip surface in units of several μm, and high frequency There was a problem that the circuit could not be designed accurately.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明はフリップチッ
プ実装により、高周波回路チップの回路形成面と実装用
回路基板の距離が近づくことによる高周波特性の劣化を
防ぎ、かつ半田バンプの高さ制御を不要とすることがで
きる高周波半導体装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, flip-chip mounting prevents the deterioration of high-frequency characteristics due to the short distance between the circuit forming surface of the high-frequency circuit chip and the mounting circuit board, and controls the height of solder bumps. It is an object of the present invention to provide a high frequency semiconductor device that can be dispensed with.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、実装基板に半
田バンプを用いて高周波回路チップ２をフリップチップ
実装する半導体装置において、上記実装基板の該高周波
回路チップ２の対向する位置に空隙７を設けたことを特
徴とする（請求項１）。According to the present invention, in a semiconductor device in which a high-frequency circuit chip 2 is flip-chip mounted on a mounting substrate by using solder bumps, a space 7 is provided on the mounting substrate at a position facing the high-frequency circuit chip 2. Is provided (Claim 1).
【０００８】また、実装基板上に誘電体膜３を形成し、
該誘電体膜３上に半田バンプを用いて高周波回路チップ
２をフリップチップ実装する半導体装置において、該高
周波回路チップ２の対向する位置の上記誘電体膜３の一
部またはすべてを取り除いたことを特徴とする（請求項
２）。Further, the dielectric film 3 is formed on the mounting substrate,
In a semiconductor device in which the high frequency circuit chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 3 by using solder bumps, it is possible to remove a part or all of the dielectric film 3 at a position facing the high frequency circuit chip 2. It is characterized (claim 2).
【０００９】また、実装基板上に半導体基板４を形成
し、該半導体基板４上に半田バンプを用いて高周波回路
チップ２をフリップチップ実装する半導体装置で、該高
周波回路チップ２の対向する位置の上記半導体基板４を
取り除いたことを特徴とする（請求項５）。Further, in a semiconductor device in which the semiconductor substrate 4 is formed on a mounting substrate and the high frequency circuit chip 2 is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 4 by using solder bumps, the high frequency circuit chip 2 is provided at a position facing each other. The semiconductor substrate 4 is removed (claim 5).
【００１０】上記半導体装置において誘電体膜３が多層
に形成されていることを特徴とする（請求項３）。In the above semiconductor device, the dielectric film 3 is formed in multiple layers (claim 3).
【００１１】上記半導体装置において誘電体膜３の代わ
りに異なる種類の誘電体膜が多層に積層形成されている
ことを特徴とする（請求項４）。In the above semiconductor device, different types of dielectric films are laminated in layers instead of the dielectric film 3 (claim 4).
【００１２】また、上記半導体装置において、実装基板
が誘電体で形成されていることを特徴とする（請求項
７）。Further, in the above semiconductor device, the mounting substrate is formed of a dielectric material (claim 7).
【００１３】また、上記半導体装置において、実装基板
が半導体基板で形成されていることを特徴とする（請求
項８）。Further, in the above semiconductor device, the mounting substrate is formed of a semiconductor substrate (claim 8).
【００１４】また、実装基板上に半導体基板４が形成さ
れる上記の半導体装置において、半導体基板４上に信号
を処理する制御回路やディジタル回路や高周波回路を形
成したことを特徴とする（請求項６）。Further, in the above semiconductor device in which the semiconductor substrate 4 is formed on the mounting substrate, a control circuit for processing a signal, a digital circuit, or a high frequency circuit is formed on the semiconductor substrate 4 (claim) 6).
【００１５】また、実装基板が半導体基板で形成される
上記の半導体装置において、実装基板上に信号を処理す
る制御回路やディジタル回路や高周波回路を形成したこ
とを特徴とする（請求項９）。Further, in the above semiconductor device in which the mounting substrate is formed of a semiconductor substrate, a control circuit for processing signals, a digital circuit and a high frequency circuit are formed on the mounting substrate (claim 9).
【００１６】また、実装基板が半導体基板で形成される
半導体装置において、実装基板上に発光素子を形成した
ことを特徴とする（請求項１０）。Further, in a semiconductor device in which the mounting substrate is formed of a semiconductor substrate, the light emitting element is formed on the mounting substrate (claim 10).
【００１７】また、上記半導体装置において、高周波回
路チップが半導体基板で形成され、該半導体基板上に誘
電体膜及び導体が多層に積層された多層化された高周波
回路チップであることを特徴とする（請求項１１）。In the above semiconductor device, the high-frequency circuit chip is a multi-layered high-frequency circuit chip in which a high-frequency circuit chip is formed of a semiconductor substrate and dielectric films and conductors are laminated in multiple layers on the semiconductor substrate. (Claim 11).
【００１８】また、上記半導体装置において、高周波回
路チップが半導体基板で形成され、該半導体基板上の片
面に信号線と接地導体が構成された共平面高周波回路チ
ップであることを特徴とする（請求項１２）。Further, in the above semiconductor device, the high frequency circuit chip is a coplanar high frequency circuit chip formed of a semiconductor substrate, and a signal line and a ground conductor are formed on one surface of the semiconductor substrate. Item 12).
【００１９】また、上記半導体装置において、高周波回
路チップが半導体基板で形成され、半導体基板表面に高
周波回路、裏面に接地導体が形成された構成の高周波回
路チップであることを特徴とする（請求項１３）。Further, in the above semiconductor device, the high frequency circuit chip is formed of a semiconductor substrate, the high frequency circuit is formed on the front surface of the semiconductor substrate, and the ground conductor is formed on the back surface. 13).
【００２０】本発明による構成ではフリップチップ実装
された高周波回路チップ下の実装基板上に空隙を形成し
ているので、チップの回路形成面と実装基板面の間隔は
半田バンプの高さに加えて空隙の深さ分が追加され、回
路形成面と実装基板面の間隔を大きくとることができ
る。従って、高周波回路上部に空気のみが存在する場合
とほぼ同じ条件となり、高周波回路への実装基板の影響
を無くすことができ、良好な高周波特性を得ることがで
きる。さらに、実装基板の影響を考慮しなくてもよいの
で、設計精度も向上する。In the structure according to the present invention, since the void is formed on the mounting substrate under the flip-chip mounted high frequency circuit chip, the distance between the circuit forming surface of the chip and the mounting substrate surface is not only the height of the solder bump but also the height of the solder bump. The depth of the void is added, and the distance between the circuit formation surface and the mounting substrate surface can be increased. Therefore, the conditions are almost the same as the case where only air exists above the high frequency circuit, the influence of the mounting substrate on the high frequency circuit can be eliminated, and good high frequency characteristics can be obtained. Further, since it is not necessary to consider the influence of the mounting board, the design accuracy is improved.
【００２１】[0021]
（実施例１）図３は本発明の第１の実施例の構成を示し
ている。図において、半導体基板１１上でＭＭＩＣチッ
プ２を実装する場所を化学エッチングやイオンエッチン
グ等を用いて加工し、空隙を形成する。空隙７の深さは
例えば１００μｍ以上とすることが好ましい。さらに半
田バンプ３を用いてＭＭＩＣチップ２をフェイスダウン
構造で半導体基板１１上にフリップチップ実装する。(Embodiment 1) FIG. 3 shows the configuration of the first embodiment of the present invention. In the figure, a place where the MMIC chip 2 is mounted on the semiconductor substrate 11 is processed by using chemical etching, ion etching or the like to form a void. The depth of the voids 7 is preferably 100 μm or more, for example. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 11 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００２２】また、空隙７の形状及び大きさは、好まし
くは、高周波回路チップ２の底面の形状及び大きさとほ
ぼ同じ、又は、チップ２の周囲のほぼ１００μｍの幅の
パッド領域を除いた大きさにほぼ等しい。The shape and size of the void 7 are preferably substantially the same as the shape and size of the bottom surface of the high-frequency circuit chip 2, or the size excluding the pad region having a width of about 100 μm around the chip 2. Is almost equal to.
【００２３】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板であ
る半導体基板１１の影響を無視することができ、実装後
も良好な高周波特性を得ることができる。With the above configuration, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the semiconductor substrate 11 that is a mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. be able to.
【００２４】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
【００２５】図４はマイクロストリップ型高周波回路の
構成例を示している。図４ａは断面図、図４ｂは上面図
を示す。コプレーナ型の信号用バンプ形成パッドとバイ
アス用のバンプ形成パッドが高周波回路形成領域の外周
に形成されている。裏面の接地導体と信号用パッドの接
地導体部はスルーホールにより接続されている。FIG. 4 shows an example of the structure of a microstrip type high frequency circuit. 4a shows a cross-sectional view and FIG. 4b shows a top view. A coplanar signal bump forming pad and a bias bump forming pad are formed on the outer periphery of the high frequency circuit forming region. The ground conductor on the back surface and the ground conductor portion of the signal pad are connected by a through hole.
【００２６】図５はコプレーナ型高周波回路の構成例を
示している。図５ａは断面図、図５ｂは上面図を示す。
信号用バンプ形成パッドとバイアス用のバンプ形成パッ
ドが高周波回路形成領域の外周に形成されている。FIG. 5 shows an example of the structure of a coplanar type high frequency circuit. 5a shows a cross-sectional view and FIG. 5b shows a top view.
The signal bump forming pad and the bias bump forming pad are formed on the outer periphery of the high frequency circuit forming region.
【００２７】図６は多層化高周波回路の構成例を示して
いる。図６ａは断面図、図６ｂは上面図を示す。信号用
バンプ形成パッドとバイアス用のバンプ形成パッドが回
路の外周部に形成されている。FIG. 6 shows an example of the structure of a multilayer high frequency circuit. FIG. 6a shows a sectional view and FIG. 6b shows a top view. A signal bump forming pad and a bias bump forming pad are formed on the outer peripheral portion of the circuit.
【００２８】図７は多層化高周波回路の構成例を示して
いる。図７ａは断面図、図７ｂは上面図を示す。この多
層化高周波回路はその最上部及び中間層に接地導体があ
り、信号用バンプ形成パッドとバイアス用のバンプ形成
パッドが回路の外周部に形成されている。FIG. 7 shows an example of the structure of a multilayer high frequency circuit. 7a shows a cross-sectional view and FIG. 7b shows a top view. This multi-layered high-frequency circuit has ground conductors on the uppermost and intermediate layers, and signal bump forming pads and bias bump forming pads are formed on the outer peripheral portion of the circuit.
【００２９】さらに実装基板に実装される高周波回路チ
ップは、異なるトランジスタまたは異なる機能を有する
チップが多数実装されていてもよい。Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００３０】（実施例２）図８は本発明の第２の実施例
の構成を示している。図において、誘電体基板１２上で
ＭＭＩＣチップ２を実装する場所を化学エッチングやイ
オンエッチング等を用いて加工し、空隙を形成する。さ
らに半田バンプ３を用いてＭＭＩＣチップ２をフェイス
ダウン構造で誘電体基板１２上にフリップチップ実装す
る。(Embodiment 2) FIG. 8 shows the configuration of a second embodiment of the present invention. In the figure, the place where the MMIC chip 2 is mounted on the dielectric substrate 12 is processed by using chemical etching, ion etching or the like to form a void. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric substrate 12 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００３１】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板であ
る誘電体基板１２の影響を無視することができ、実装後
も良好な高周波特性を得ることができる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the dielectric substrate 12 as the mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable.
【００３２】本実施例では、実装基板を誘電体基板とし
たことを特徴としており、半導体基板と比較して、加工
が容易であり、安価に取得することが可能である。The present embodiment is characterized in that the mounting substrate is a dielectric substrate, and is easier to process and cheaper to obtain than a semiconductor substrate.
【００３３】なお、誘電体基板として、アルミナ等のセ
ラミックやガラスエポキシ基板、ポリイミド、プラスチ
ック等であってもよい。The dielectric substrate may be a ceramic such as alumina, a glass epoxy substrate, polyimide, plastic or the like.
【００３４】また、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Further, even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００３５】（実施例３）図９は本発明の第３の実施例
の構成を示している。図において、半導体基板１１上に
１層または、多層の誘電体膜が形成され、ＭＭＩＣチッ
プ２を実装する位置の誘電体膜をエッチング等で取り除
き、空隙を形成する。さらに半田バンプ３を用いてＭＭ
ＩＣチップ２をフェイスダウン構造で誘電体膜６上にフ
リップチップ実装する。(Embodiment 3) FIG. 9 shows the configuration of a third embodiment of the present invention. In the figure, a single-layer or multi-layer dielectric film is formed on the semiconductor substrate 11, and the dielectric film at the position where the MMIC chip 2 is mounted is removed by etching or the like to form a void. Furthermore, using solder bumps 3, MM
The IC chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 6 in a face-down structure.
【００３６】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
誘電体膜６の影響を無視することができ、実装後も良好
な高周波特性を得ることができる。With the above configuration, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed of only air, the influence of the dielectric film 6 on the mounting substrate can be ignored and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable.
【００３７】また、誘電体膜６中には電源回路や高周波
回路や接地導体等が形成されていてもよい。A power supply circuit, a high frequency circuit, a ground conductor, etc. may be formed in the dielectric film 6.
【００３８】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００３９】また、半導体基板１１の代わりに、誘電体
基板であってもよい。A dielectric substrate may be used instead of the semiconductor substrate 11.
【００４０】（実施例４）図１０は本発明の第４の実施
例の構成を示している。図において、半導体基板１１上
に１層または、多層の誘電体膜６が形成され、ＭＭＩＣ
チップ２を実装する位置の誘電体膜の一部をエッチング
等で取り除き、空隙を形成する。さらに半田バンプ３を
用いてＭＭＩＣチップ２をフェイスダウン構造で誘電体
膜６上にフリップチップ実装する。(Fourth Embodiment) FIG. 10 shows the configuration of a fourth embodiment of the present invention. In the figure, a single-layer or multi-layer dielectric film 6 is formed on a semiconductor substrate 11, and the MMIC
A part of the dielectric film at the position where the chip 2 is mounted is removed by etching or the like to form a void. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 6 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００４１】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
誘電体膜６の影響を無視することができ、実装後も良好
な高周波特性を得ることができる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed of only air, the influence of the dielectric film 6 on the mounting substrate can be ignored and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable.
【００４２】本実施例は、第３の実施例に比較して、実
装されるチップの位置にも誘電体膜が残っているので、
誘電体膜中での回路形成領域を大きくすることができ、
誘電体膜中に形成する回路レイアウトの自由度を向上し
ている。In this embodiment, as compared with the third embodiment, since the dielectric film remains at the position of the chip to be mounted,
The circuit formation area in the dielectric film can be enlarged,
The degree of freedom of the circuit layout formed in the dielectric film is improved.
【００４３】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００４４】また、半導体基板１１の代わりに、誘電体
基板であってもよい。A dielectric substrate may be used instead of the semiconductor substrate 11.
【００４５】（実施例５）図１１は本発明の第５の実施
例の構成を示している。図において、誘電体基板１２上
に樹脂系の接着剤や半田等を用いて、ＭＭＩＣチップ２
を実装する場所に空隙を形成するように、半導体基板１
３を張合せる。さらに半田バンプ３を用いてＭＭＩＣチ
ップ２をフェイスダウン構造で半導体基板１３上にフリ
ップチップ実装する。(Embodiment 5) FIG. 11 shows the configuration of a fifth embodiment of the present invention. In the figure, the MMIC chip 2 is formed on the dielectric substrate 12 by using a resin adhesive, solder, or the like.
The semiconductor substrate 1 is formed so that a void is formed in the place where the
Stick 3 together. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 13 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００４６】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
半導体基板１３の影響を無視することができ、実装後も
良好な高周波特性を得ることができる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the semiconductor substrate 13 on the mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. be able to.
【００４７】なお、誘電体基板１２は半導体基板であっ
てもよい。The dielectric substrate 12 may be a semiconductor substrate.
【００４８】また、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００４９】（実施例６）図１２は本発明の第６の実施
例の構成を示している。図において、半導体基板１１上
に１層または、多層の誘電体膜６が形成され、ＭＭＩＣ
チップ２を実装する位置の誘電体膜の一部をエッチング
等で取り除き、空隙を形成する。空隙を形成した位置に
は発光素子９が樹脂系の接着剤や半田等を用いて半導体
基板１１上に張り合わされている。もしくは、発光素子
９が半導体プロセス技術により、半導体基板１１上に作
り込まれている。さらに半田バンプ３を用いてＭＭＩＣ
チップ２をフェイスダウン構造で誘電体膜６上にフリッ
プチップ実装する。(Embodiment 6) FIG. 12 shows the configuration of a sixth embodiment of the present invention. In the figure, a single-layer or multi-layer dielectric film 6 is formed on a semiconductor substrate 11, and the MMIC
A part of the dielectric film at the position where the chip 2 is mounted is removed by etching or the like to form a void. The light emitting element 9 is attached to the semiconductor substrate 11 at the position where the void is formed by using a resin adhesive or solder. Alternatively, the light emitting element 9 is built on the semiconductor substrate 11 by the semiconductor process technology. Further, using the solder bumps 3, the MMIC
The chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 6 in a face-down structure.
【００５０】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に形成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
誘電体膜６の影響を無視することができ、実装後も良好
な高周波特性を得ることができる。さらに、本構成では
実装されたＭＭＩＣチップ直下の基板上に発光素子が形
成されているので、発光素子から発せられる光により、
高周波回路を制御することができる。With the above configuration, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the dielectric film 6 on the mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable. Furthermore, in this configuration, since the light emitting element is formed on the substrate directly below the mounted MMIC chip, the light emitted from the light emitting element causes
The high frequency circuit can be controlled.
【００５１】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the chip surface, backside) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００５２】（実施例７）図１３は本発明の第７の実施
例の構成を示している。図において半導体基板１１上に
誘電体膜６１を形成し、エッチング等によりＭＭＩＣチ
ップ２を実装する位置の誘電体膜を斜めに取り除く。さ
らに斜めに取り除かれた場所に金属薄膜をメッキ等によ
り形成する。誘電体膜６１上に誘電率の異なる誘電体膜
６を１層または、多層に形成し、ＭＭＩＣチップ２を実
装する位置の誘電体膜をエッチング等で取り除き、空隙
を形成する。さらに半田バンプ３を用いてＭＭＩＣチッ
プ２をフェイスダウン構造で誘電体膜６上にフリップチ
ップ実装する。(Embodiment 7) FIG. 13 shows the configuration of a seventh embodiment of the present invention. In the figure, a dielectric film 61 is formed on the semiconductor substrate 11, and the dielectric film at the position where the MMIC chip 2 is mounted is obliquely removed by etching or the like. Further, a metal thin film is formed by plating or the like on the position removed obliquely. Dielectric films 6 having different dielectric constants are formed on the dielectric film 61 in one layer or in multiple layers, and the dielectric film at the position where the MMIC chip 2 is mounted is removed by etching or the like to form a void. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 6 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００５３】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
誘電体膜６の影響を無視することができ、実装後も良好
な高周波特性を得ることができる。また、誘電体膜６１
と６は誘電率が異なるので、誘電体膜６１は誘電率の異
なる部分の光の屈折率の違いを利用して光を閉じ込める
光導波路として機能する。さらに、斜めに形成された端
部に光を反射する金属薄膜を形成しているので、上記導
波路に光を伝送させ、その光をＭＭＩＣチップ２に照射
することができる。従って、伝送させる光を変調させ、
ＭＭＩＣチップにＨＢＴ等の受光素子を形成すれば光・
電気変換が実現できる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the dielectric film 6 on the mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable. In addition, the dielectric film 61
Since and 6 have different dielectric constants, the dielectric film 61 functions as an optical waveguide for confining light by utilizing the difference in the refractive index of light in the portions having different dielectric constants. Further, since the metal thin film that reflects light is formed at the end portion formed obliquely, it is possible to transmit the light to the waveguide and irradiate the MMIC chip 2 with the light. Therefore, the light to be transmitted is modulated,
If a light receiving element such as HBT is formed on the MMIC chip,
Electric conversion can be realized.
【００５４】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００５５】（実施例８）図１４は本発明の第８の実施
例の構成を示している。図１４ａは断面図、図１４ｂは
上面図である。図において、誘電体基板１２上に樹脂系
の接着剤や半田等を用いて、ＭＭＩＣチップ２を実装す
る場所に空隙を形成するように、半導体基板１３を張合
せる。半導体基板１３には、ＭＭＩＣチップ２に形成さ
れる高周波回路を制御する制御回路や高周波アナログ信
号をディジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変
換回路やディジタル回路が形成されている。さらに半田
バンプ３を用いてＭＭＩＣチップ２をフェイスダウン構
造で半導体基板１３上にフリップチップ実装する。(Embodiment 8) FIG. 14 shows the construction of an eighth embodiment of the present invention. 14a is a sectional view and FIG. 14b is a top view. In the figure, the semiconductor substrate 13 is attached to the dielectric substrate 12 by using a resin-based adhesive, solder, or the like so that a space is formed at a place where the MMIC chip 2 is mounted. On the semiconductor substrate 13, a control circuit for controlling a high frequency circuit formed in the MMIC chip 2, an analog / digital conversion circuit for converting a high frequency analog signal into a digital signal, and a digital circuit are formed. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 13 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００５６】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
半導体基板１３の影響を無視することができ、実装後も
良好な高周波特性を得ることができる。さらに、半導体
基板１３上に形成される制御回路８またはディジタル回
路とＭＭＩＣチップ２に形成される高周波回路を一体化
できるので、制御回路を含めた高周波回路の小型・高集
積化を実現できる。With the above configuration, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the semiconductor substrate 13 on the mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. be able to. Further, since the control circuit 8 or the digital circuit formed on the semiconductor substrate 13 and the high frequency circuit formed on the MMIC chip 2 can be integrated, the high frequency circuit including the control circuit can be downsized and highly integrated.
【００５７】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。また、制御回路やディジタル回
路が形成される半導体基板１３は、制御回路やディジタ
ル回路が形成された回路チップであってもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the chip surface, backside) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions. Further, the semiconductor substrate 13 on which the control circuit and the digital circuit are formed may be a circuit chip on which the control circuit and the digital circuit are formed.
【００５８】（実施例９）図１５は本発明の第９の実施
例の構成を示している。図１５ａは断面図、図１５ｂは
上面図である。図において、半導体基板１１上でＭＭＩ
Ｃチップ２を実装する場所を加工し、空隙を形成する。
空隙が形成されていない半導体基板１１上には、ＭＭＩ
Ｃチップ２に形成される高周波回路を制御する制御回路
や高周波アナログ信号をディジタル信号に変換するアナ
ログ／ディジタル変換回路やディジタル回路が形成され
ている。さらに半田バンプ３を用いてＭＭＩＣチップ２
をフェイスダウン構造で半導体基板１１上にフリップチ
ップ実装する。(Ninth Embodiment) FIG. 15 shows the configuration of a ninth embodiment of the present invention. 15a is a sectional view and FIG. 15b is a top view. In the figure, the MMI is formed on the semiconductor substrate 11.
The place where the C chip 2 is mounted is processed to form a void.
The MMI is formed on the semiconductor substrate 11 in which no void is formed.
A control circuit for controlling a high frequency circuit formed on the C chip 2, an analog / digital conversion circuit for converting a high frequency analog signal into a digital signal, and a digital circuit are formed. Further, using the solder bumps 3, the MMIC chip 2
Is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 11 in a face-down structure.
【００５９】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板であ
る半導体基板１１の影響を無視することができ、実装後
も良好な高周波特性を得ることができる。さらに、半導
体基板１１上に形成される制御回路またはディジタル回
路とＭＭＩＣチップ２に形成される高周波回路を一体化
できるので、制御回路を含めた高周波回路の小型・高集
積化を実現できる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed only by air, the influence of the semiconductor substrate 11 that is a mounting substrate can be ignored, and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. be able to. Furthermore, since the control circuit or digital circuit formed on the semiconductor substrate 11 and the high frequency circuit formed on the MMIC chip 2 can be integrated, the high frequency circuit including the control circuit can be downsized and highly integrated.
【００６０】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００６１】（実施例１０）図１６は本発明の第１０の
実施例の構成を示している。図１６ａは断面図、図１６
ｂは上面図である。図において、半導体基板１１上にＭ
ＭＩＣチップ２に形成される高周波回路を制御する制御
回路や高周波アナログ信号をディジタル信号に変換する
アナログ／ディジタル変換回路やディジタル回路を形成
する。上記回路が形成された半導体基板１１上に１層ま
たは、多層の誘電体膜６が形成され、ＭＭＩＣチップ２
を実装する位置の誘電体膜の一部またはすべての層をエ
ッチング等で取り除き、空隙を形成する。さらに半田バ
ンプ３を用いてＭＭＩＣチップ２をフェイスダウン構造
で誘電体膜６上にフリップチップ実装する。(Embodiment 10) FIG. 16 shows the structure of a tenth embodiment of the present invention. 16a is a sectional view, FIG.
b is a top view. In the figure, M on the semiconductor substrate 11
A control circuit for controlling a high frequency circuit formed in the MIC chip 2, an analog / digital conversion circuit for converting a high frequency analog signal into a digital signal, and a digital circuit are formed. A single-layer or multi-layer dielectric film 6 is formed on the semiconductor substrate 11 on which the circuit is formed, and the MMIC chip 2
A part or all of the layer of the dielectric film at the position where is mounted is removed by etching or the like to form a void. Further, the MMIC chip 2 is flip-chip mounted on the dielectric film 6 in a face-down structure using the solder bumps 3.
【００６２】上記のように構成することにより、ＭＭＩ
Ｃチップ表面に構成された高周波回路は、回路上部が空
気のみで形成されていると見なせるので、実装基板上の
誘電体膜６の影響を無視することができ、実装後も良好
な高周波特性を得ることができる。さらに、半導体基板
１１上に形成される制御回路またはディジタル回路とＭ
ＭＩＣチップ２に形成される高周波回路を一体化できる
ので、制御回路を含めた高周波回路の小型・高集積化を
実現できる。By configuring as described above, the MMI
Since the high frequency circuit formed on the surface of the C chip can be regarded as the upper part of the circuit being formed of only air, the influence of the dielectric film 6 on the mounting substrate can be ignored and good high frequency characteristics can be obtained even after mounting. Obtainable. Further, a control circuit or digital circuit formed on the semiconductor substrate 11 and M
Since the high-frequency circuit formed on the MIC chip 2 can be integrated, the high-frequency circuit including the control circuit can be downsized and highly integrated.
【００６３】なお、ＭＭＩＣチップ２はコプレーナ線路
を主に用いて形成される共平面型の高周波回路であって
も、マイクロストリップ線路を主に用いて形成される高
周波回路（チップ表面に回路、裏面に接地導体が形成さ
れる）、半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に形成
される多層化高周波回路であっても同様の効果を得る。
さらに実装基板に実装される高周波回路チップは、異な
るトランジスタまたは異なる機能を有するチップが多数
実装されていてもよい。Even if the MMIC chip 2 is a coplanar type high frequency circuit formed mainly by using a coplanar line, a high frequency circuit formed mainly by using a microstrip line (circuit on the front surface of the chip, back surface of the chip) The same effect can be obtained even in a multi-layered high frequency circuit in which a ground conductor is formed) and a dielectric film and a conductor are formed in multiple layers on a semiconductor substrate.
Further, the high frequency circuit chip mounted on the mounting board may be mounted with a large number of different transistors or chips having different functions.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置では、高周波回路チップを実装基板上にフリップチッ
プ実装することによって起こる高周波特性の劣化を防ぐ
ことができる。さらに、実装基板の影響を無視できるの
で、回路設計精度も向上できる。また、実装基板に制御
回路やディジタル回路や発光素子を形成することによ
り、高周波回路と制御系回路の一体化が実現でき、回路
の小型・高集積化が実現できる。As described above, in the semiconductor device of the present invention, it is possible to prevent deterioration of high frequency characteristics caused by flip chip mounting of the high frequency circuit chip on the mounting substrate. Furthermore, since the influence of the mounting board can be ignored, the circuit design accuracy can be improved. Further, by forming the control circuit, the digital circuit, and the light emitting element on the mounting substrate, the high frequency circuit and the control system circuit can be integrated, and the circuit can be downsized and highly integrated.
【図１】従来のフリップチップ実装された半導体装置で
ある。FIG. 1 is a conventional flip-chip mounted semiconductor device.
【図２】コプレーナ線路の特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing characteristics of a coplanar line.
【図３】第１の実施例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a first embodiment.
【図４ａ】マイクロストリップ型高周波回路チップの断
面図である。FIG. 4a is a cross-sectional view of a microstrip type high frequency circuit chip.
【図４ｂ】図４ａの上面図である。4b is a top view of FIG. 4a.
【図５ａ】コプレーナ型高周波回路チップの断面図であ
る。FIG. 5a is a cross-sectional view of a coplanar type high frequency circuit chip.
【図５ｂ】図５ａの上面図である。5b is a top view of FIG. 5a.
【図６ａ】多層化高周波回路チップの断面図である。FIG. 6a is a cross-sectional view of a multilayer high frequency circuit chip.
【図６ｂ】図６ａの上面図である。6b is a top view of FIG. 6a.
【図７ａ】多層化高周波回路チップの断面図である。FIG. 7a is a cross-sectional view of a multilayer high frequency circuit chip.
【図７ｂ】図７ａの上面図である。FIG. 7b is a top view of FIG. 7a.
【図８】第２の実施例の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment.
【図９】第３の実施例の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment.
【図１０】第４の実施例の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a fourth exemplary embodiment.
【図１１】第５の実施例の構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a fifth exemplary embodiment.
【図１２】第６の実施例の構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a sixth exemplary embodiment.
【図１３】第７の実施例の構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a seventh exemplary embodiment.
【図１４ａ】第８の実施例の構成を示す断面図である。FIG. 14a is a sectional view showing the structure of the eighth embodiment.
【図１４ｂ】図１４ａの上面図である。FIG. 14b is a top view of FIG. 14a.
【図１５ａ】第９の実施例の構成を示す断面図である。FIG. 15a is a sectional view showing the structure of the ninth embodiment.
【図１５ｂ】図１５ａの上面図である。15b is a top view of FIG. 15a.
【図１６ａ】第１０の実施例の構成を示す断面図であ
る。FIG. 16a is a sectional view showing the structure of the tenth embodiment.
【図１６ｂ】図１６ａの上面図である。16b is a top view of FIG. 16a.
１ 基板 ２ ＭＭＩＣチップ ３ バンプ ６、２６ 誘電体膜 ７ 空隙 ８ 制御回路 １１、１３、２３ 半導体基板 １２ 誘電体基板 ２０、２７ スルーホール ２１、２８ 接地導体 ２２、３０ マイクロストリップ線路 ２４ バンプ用パッド ２５ コプレーナ線路 ２９ 能動素子 1 substrate 2 MMIC chip 3 bumps 6, 26 dielectric film 7 void 8 control circuit 11, 13, 23 semiconductor substrate 12 dielectric substrate 20, 27 through hole 21, 28 ground conductor 22, 30 microstrip line 24 bump pad 25 Coplanar line 29 Active element
Claims (14)
周波回路チップ（２）をフリップチップ実装する半導体
装置において、 上記実装基板の該高周波回路チップ（２）と対向する位
置に空隙（７）を設けたことを特徴とする高周波半導体
装置。1. A semiconductor device in which a high-frequency circuit chip (2) is flip-chip mounted on a mounting board by using solder bumps (3), and a space (7) is provided on the mounting board at a position facing the high-frequency circuit chip (2). ) Is provided, the high-frequency semiconductor device.
該誘電体膜（６）上に半田バンプ（３）を用いて高周波
回路チップ（２）をフリップチップ実装する半導体装置
において、 該高周波回路チップ（２）と対向する位置の上記誘電体
膜（６）の一部またはすべてを取り除いたことを特徴と
する高周波半導体装置。2. A dielectric film (6) is formed on a mounting substrate,
In a semiconductor device in which a high frequency circuit chip (2) is flip-chip mounted on the dielectric film (6) by using solder bumps (3), the dielectric film (6) at a position facing the high frequency circuit chip (2). High frequency semiconductor device characterized by removing a part or all of the above.
て、誘電体膜（６）が多層に形成されていることを特徴
とする高周波半導体装置。3. The high frequency semiconductor device according to claim 2, wherein the dielectric films (6) are formed in multiple layers.
て、誘電体膜が異なる種類の誘電体膜が多層に積層形成
された誘電体膜であることを特徴とする高周波半導体装
置。4. The high frequency semiconductor device according to claim 2, wherein the dielectric film is a dielectric film in which different types of dielectric films are laminated in multiple layers.
導体基板上に半田バンプを用いて高周波回路チップ
（２）をフリップチップ実装する半導体装置において、 該高周波回路チップ（２）と対向する位置の上記半導体
基板の一部またはすべてを取り除いたことを特徴とする
高周波半導体装置。5. A semiconductor device in which a semiconductor substrate is formed on a mounting substrate and the high frequency circuit chip (2) is flip-chip mounted on the semiconductor substrate by using solder bumps, and the semiconductor device faces the high frequency circuit chip (2). A high-frequency semiconductor device, wherein a part or all of the semiconductor substrate at the position is removed.
て、前記半導体基板上に信号を処理する制御回路、ディ
ジタル回路、及び高周波回路の少なくともひとつを形成
したことを特徴とする高周波半導体装置。6. The high frequency semiconductor device according to claim 5, wherein at least one of a control circuit for processing a signal, a digital circuit, and a high frequency circuit is formed on the semiconductor substrate.
において、実装基板が誘電体（１２）で形成されている
ことを特徴とする高周波半導体装置。7. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein the mounting substrate is formed of a dielectric material (12).
において、実装基板が半導体基板（１１）で形成されて
いることを特徴とする高周波半導体装置。8. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein the mounting substrate is a semiconductor substrate (11).
て、実装基板上に信号を処理する制御回路、ディジタル
回路、及び高周波回路の少なくともひとつを形成したこ
とを特徴とする高周波半導体装置。9. The high frequency semiconductor device according to claim 8, wherein at least one of a control circuit for processing a signal, a digital circuit, and a high frequency circuit is formed on the mounting substrate.
置において、実装基板の空隙の中に発光素子を形成した
ことを特徴とする高周波半導体装置。10. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein a light emitting element is formed in a space of a mounting substrate.
装置において、高周波回路チップが半導体基板で形成さ
れ、該半導体基板上に誘電体膜及び導体が多層に積層さ
れた多層化された高周波回路チップであることを特徴と
する高周波半導体装置。11. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein the high frequency circuit chip is formed of a semiconductor substrate, and a dielectric film and a conductor are laminated in multiple layers on the semiconductor substrate. And a high-frequency semiconductor device.
装置において、高周波回路チップが半導体基板で形成さ
れ、該半導体基板上の片面に信号線と接地導体が構成さ
れた共平面高周波回路チップであることを特徴とする高
周波半導体装置。12. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein the high frequency circuit chip is formed of a semiconductor substrate, and a signal line and a ground conductor are formed on one surface of the semiconductor substrate. A high-frequency semiconductor device characterized by the above.
装置において、高周波回路チップが半導体基板で形成さ
れ、半導体基板表面に高周波回路、裏面に接地導体が形
成された構成の高周波回路チップであることを特徴とす
る高周波半導体装置。13. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein the high frequency circuit chip is formed of a semiconductor substrate, the high frequency circuit is formed on the front surface of the semiconductor substrate, and the ground conductor is formed on the back surface. High frequency semiconductor device.
装置において、実装基板上に複数の高周波回路チップが
実装されたことを特徴とする高周波半導体装置。14. The high frequency semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of high frequency circuit chips are mounted on a mounting substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8713196A JPH09260583A (en) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | High frequency semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8713196A JPH09260583A (en) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | High frequency semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260583A true JPH09260583A (en) | 1997-10-03 |
Family
ID=13906419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8713196A Pending JPH09260583A (en) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | High frequency semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260583A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223530A (en) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flip-chip bonded device and mounting method |
| JP2013077765A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | Semiconductor device |
| JP2016018876A (en) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 日本電気株式会社 | Electronic device or method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP8713196A patent/JPH09260583A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223530A (en) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flip-chip bonded device and mounting method |
| JP2013077765A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | Semiconductor device |
| JP2016018876A (en) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 日本電気株式会社 | Electronic device or method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011009 |