JPH09260311A

JPH09260311A - 基板切断方法

Info

Publication number: JPH09260311A
Application number: JP7250096A
Authority: JP
Inventors: Akira Funakoshi; 章冨名腰; Eiichi Takami; 栄一高見; Masakazu Morishita; 正和森下
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-03-27
Filing date: 1996-03-27
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】大面積の光電変換装置を作製する時、光電変
換装置の切断の際に生じるくずや切り粉の光電変換素子
への影響を防止する切断する方法を提示することであ
る。【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子を搭
載した基板の複数枚を切り出すための切断方法におい
て、薄膜半導体素子を有する基板を切断する基板切断方
法において、前記基板の上面に切断用保護層を設け、切
断時の汚染や切削粉の付着を除去できることを特徴とす
る。また、前記切断用保護層の材料は、レジストやテー
プであり、切断後前記切削粉等を前記レジストやテープ
と一緒に除去することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、二次元的に配置さ
れた薄膜半導体素子を搭載した基板を平面的に複数枚貼
り合わせて構成した薄膜半導体装置の基板を切断する方
法に関し、特に、ファクシミリ、デジタル複写機あるい
はＸ線撮像装置等の等倍読み取りを行う二次元の光電変
換装置を作製するために好適な方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ファクシミリ、デジタル複写機あ
るいはＸ線撮像装置等の読み取り系としては、読取画像
をレンズと光電変換装置とを組み合わせて読み取る、縮
小光学系とＣＣＤ型センサとを用いてＸ線透過画像信号
を読み取っていた。しかし、近年、水素化アモルファス
シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す）に代表される光
電変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信号
処理部を大面積の基板に形成し、情報源と等倍の光学系
で読み取るいわゆる密着型センサの開発がめざましい。

【０００３】特にａ−Ｓｉは光電変換材料としてだけで
なく薄膜電界効果型トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と
記す）としても用いることができるので光電変換半導体
層とＴＦＴの半導体層とを同時にプロセス処理して形成
することができる利点を有している。

【０００４】そこで、本発明者等は以前図６，図７に示
す光電変換装置を特願平６ー３１３３９２号として提案
した。図６はこの光電変換装置を示す全体回路図、図７
（ａ）はこの光電変換装置の１画素に相当する各構成素
子の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ｂ線断面図
である。

【０００５】図６において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換
素子であり、下部電極側をＧ、上部電極側をＤとして示
している。Ｃ１１〜Ｃ３３は光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３
３に並列に接続された蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３
３は光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に蓄積された光電荷を
転送する転送用ＴＦＴである。Ｖｓは上部電極Ｄに対し
て下部電極Ｇを負として光電荷を読み出すための読み出
し用電源、Ｖｇは上部電極Ｄに対して下部電極Ｇを正と
して光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３をリフレッシュするリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ、Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇ
がｏｎ、その他の期間はＳＷｓがｏｎするように制御さ
れている。１画素は１個の光電変換素子とコンデンサ、
および転送用ＴＦＴで構成され、その信号出力は信号配
線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接続されている。
本例の光電変換装置は計９個の画素を３つのブロックに
分け、１ブロックあたり３画素の出力を同時に転送し、
この信号配線ＳＩＧを通して検出用集積回路ＩＣによっ
て、順次ＡＭＰを介して出力に変換され出力される（Ｖ
ｏｕｔ）。また１ブロック内の３画素を横方向に配置
し、３ブロックを順に縦方向に配置することにより各画
素に二次元的に配置している。

【０００６】図中破線で囲んだ部分は、大面積の同一絶
縁基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当
する部分の平面図を図７（ａ）に示す。また図中破線Ａ
−Ｂで示した部分の断面図を図７（ｂ）に示す。Ｓ１１
は光電変換素子、Ｔ１１は転送用ＴＦＴ、Ｃ１１はコン
デンサ、及びＳＩＧは信号配線である。

【０００７】図７において、各光電変換装置の１画素
は、例えばガラスなどで形成される絶縁基板１と、Ａｌ
やＣｒなどで形成される下部電極２と、電子とホ−ルを
共に通過を阻止する窒化シリコン（ＳｉＮ）などで形成
される絶縁層７と、水素化アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ：Ｈ）の真性半導体ｉ層で形成される光電変換半導
体層４と、光電変換半導体層に透明電極側からのホ−ル
の注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ⁺層で形成される注入阻
止層５と、金属又は透明導電材からなる上部電極６とを
順次積層したものである。さらにそれらの上部に絶縁保
護層としてＳｉＮ膜を積層し、蛍光体ＣｓＩを塗布され
ている。

【０００８】ここで本光電変換装置の１画素の動作を簡
単に説明する。矢印で示された方向からＸ線光が入射さ
れ、蛍光体ＣｓＩを照射して蛍光を発し、ｉ層の光電変
換半導体層４に達すると、蛍光は吸収され電子とホール
が発生する。また、光が入射しない場合光電変換半導体
層４で電子もホールも発生しない。こうして、読み出さ
れた光電荷はコンデンサ１１に蓄積され、転送用ＴＦＴ
を介して読み出され、Ｘ線照射による透過画像の陰影を
検出できる。

【０００９】本例においては、コンデンサＣ１１と光電
変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離しておらず、光電
変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることにより、
コンデンサＣ１１を形成している。これは光電変換素子
Ｓ１１とコンデンサＣ１１が同じ層構成であるから可能
なことで、本例の光電変換装置の特徴でもある。また、
本例の光電変換素子Ｓ１１とコンデンサＣ１１と転送用
ＴＦＴ（Ｔ１１）の各層の形成方法は、コンタクトホー
ルがないため、その形成用のエッチングプロセスはな
い。また、画素上部にはパッシベーション用窒化シリコ
ン膜ＳｉＮとヨウ化セシウム等の蛍光体ＣｓＩが形成さ
れている。上方よりＸ線（Ｘ−ｒａｙ）が入射すると、
蛍光体ＣｓＩにより光（破線矢印）に変換され、この光
が光電変換素子に入射される。

【００１０】図６によれば、この光電変換装置では９個
の画素を３×３に二次元配置し３画素ずつ同時に、３回
に分割して転送・出力したがこれに限らず、例えば縦横
１ｍｍあたり５×５個の画素として二次元的に配置すれ
ば、４０ｃｍ×４０ｃｍのＸ線検出器が得られる。これ
をＸ線フィルムの代わりに、Ｘ線発生器と組み合わせＸ
線レントゲン装置を構成すれば、胸部レントゲン検診や
乳ガン検診に使用できる。そうすると縮小光学系を具備
するフィルム撮像装置と異なり、瞬時にその出力を表示
用ＣＲＴで映し出すことが可能で、さらに出力をデジタ
ルに変換し、コンピュータで画像処理して目的に合わせ
た出力に変換することも可能である。また光磁気ディス
クに保管もでき、過去の画像を瞬時に検索し、現在の撮
像画像と比較して、その変化の度合いから即時に診断す
ることもできる。また感度もフィルムより人体に影響の
少ない微弱なＸ線で鮮明な画像を得ることができる。

【００１１】図８に２０００×２０００個の画素を持つ
光電変換装置を実装示す平面図を示す。上記図６に示し
た３×３個の光電変換装置を拡張したものである。２０
００×２０００個の検出器を構成する場合、図６で示し
た破線内の素子を縦・横に数を増やせばよいが、この場
合、制御配線はｇ１〜ｇ２０００と２０００本となり、
信号配線ＳＩＧもｓｉｇ１〜ｓｉｇ２０００と２０００
本になる。またシフトレジスタＳＲ１や検出用集積回路
ＩＣも２０００本の制御・処理をしなければならなず大
規模となる。

【００１２】また、図９は図８に示した光電変換装置の
制御配線と信号配線を光電変換素子の周囲に配置して、
配線面積による各画素の開光率を大きくしようとしたも
のである。上下に信号配線の駆動用ＩＣを配置し、左右
に制御配線の駆動用ドライブＩＣを配置している。動作
的には図８と同様である。

【００１３】しかしながら、上述の大面積の光電変換装
置では、特に製造時に問題が多く、製造時の微少なち
り、特にアモルファスシリコン層を基板に堆積する時に
薄膜堆積装置の壁から剥れ出るゴミや及びメタル層を基
板に堆積する時に基板上残っているほこりを完全になく
すことが不可能であったため、配線の不具合、即ち配線
のショートまたはオープンをゼロにすることは不可能で
あった。

【００１４】また、大面積の光電変換装置では、制御配
線または信号配線がショートまたはオープンになると、
その配線に接続されている光電変換素子の全ての出力信
号が不正確なものとなり、光電変換装置としては使用不
可能となるのである。

【００１５】つまり、大面積の光電変換装置を作製する
時の１枚の基板が大きくなればなるほど基板１枚あたり
の歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あたりの不具合
による損失額も大きくなる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上記の問題を解決する
ために、二次元的に配列された光電変換素子を搭載した
基板を平面的に複数枚貼り合わせて構成することが提案
されている。その提案内容を図面に基づいて説明する。

【００１７】図１０に示す光電変換装置において、特徴
的な点は、４枚の基板の上に構成されている光電変換装
置１００、２００、３００、４００の各々４枚を平面的
に貼り合わせることによって１つの大きな光電変換装置
を構成している点である。

【００１８】光電変換装置１００の上には、光電変換素
子が１０００×１０００個配置され、制御配線ｇ１〜ｇ
１０００と光電変換装置１００の信号配線ｓｉｇ１〜ｓ
ｉｇ１０００の計２０００本の縦・横配線によって接続
されている。シフトレジスタＳＲ１は１００段ごとに１
個のチップに形成してあり、光電変換装置１００の絶縁
基板上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の計１０個のシ
フトレジスタが配置され、制御配線ｇ１〜ｇ１０００と
接続されている。また、検出用集積回路ＩＣも１個当た
り１００個の光電変換素子の信号を検出するべく形成
し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１０個が配置され、信号配線
ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と接続されている。光電変換
装置２００、３００、４００においても光電変換装置１
００と同様であり、光電変換素子は各絶縁基板上に１０
００×１０００個配置されており、１０００本の制御配
線と１０００本の信号配線により接続されている。また
シフトレジスタ及び検出用集積回路も同様に１０個ずつ
配置されていて、大きな光電変換装置を構成して、読取
対象物に対して直接読取のセンサを構成している。

【００１９】光電変換装置１００、２００、３００、４
００はそれぞれ例えば３２０×２５６ｍｍ²程度の基板
上に形成した光電変換装置から２００×２００ｍｍ²程
度を切り取り、その後図１０に示した４個を組み合わせ
ることにより、直接読取りの光電変換装置を得ることが
できる。この各光電変換装置のために各絶縁基板を設計
寸法値に切断する方法は、前記光電変換素子を搭載した
絶縁基板上にスライスラインを設ける。また絶縁基板を
フルカットするために基板裏面側にダイシングテープを
貼り、切断装置のステージに乗せ、真空チャックして基
板を固定する。切断するスライスライン上を切断装置に
設けたカメラを通して、モニター画面上に映し出し、位
置合わせや平行出しを行い切断を開始する。４辺の切断
を終了後、前記基板を４枚組み合わせて、基台上に平面
的に隣接する基板間に、隙間を開けて貼り合わせる構成
が大面積の光電変換装置となる。

【００２０】上記構成における光電変換装置は、作製す
る時の基板１枚あたりの歩留まりを向上させ、かつ基板
１枚あたりの不具合による損失額を小さくすることによ
り、結果的に大面積の光電変換装置のコストを低減する
ように動作する。

【００２１】しかしながら、二次元的に配列された光電
変換素子を搭載した基板を切断する際に、図５（ａ）に
示すように、切断中に出るガラスの切り粉やダイシング
テープののり、或いはブレードの磨耗による粉が絶縁保
護膜ＳｉＮ上面に付着し、簡単な洗浄方法では取りきれ
ない。

【００２２】また、基板上に切り粉等を付着した状態で
蛍光体（例えば、ＣｓＩ）を貼り合わせると、図５
（ｂ）に示すように貼り合わせる際の力によって保護膜
ＳｉＮへのダメージ（クラックやキズ等）が生じること
もあった。

【００２３】そのために光電変換素子の開口部の開口率
が低下し、Ｓ／Ｎの低下や、保護膜ＳｉＮへのダメージ
によって信頼性への問題に生じてしまう。

【００２４】よって、本発明の目的は、大型サイズの画
像読取装置を複数枚の光電変換装置を組み立てるため
に、光電変換装置の切断の際に生じるくずや切り粉の光
電変換素子への影響を防止する切断する方法を提示する
ことである。

【００２５】

【課題を解決する手段】上記の問題を解決するための手
段として二次元的に配列された薄膜半導体素子を有する
基板表面上に保護層を設けこの状態で切断を行う。切断
中に出るガラスの切り粉やダイシングテープののり等は
前記保護層上に付着させる。切断後、前記保護層を除去
することによって切断中に出るガラスの切り粉やダイシ
ングテープののり等が付着しないために基板表面上をき
れいにすることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００２７】（第１の実施形態）図１は本発明による光
電変換装置の切断装置の概念図を示す。図において、
（ａ）は本切断装置の正面図、（ｂ）はその側面図であ
り、１２０は切断装置の基盤となるステージ、１０２は
多数の光電変換素子を含む光電変換装置、１０６は光電
変換装置１０２の底面に接着・配置されたダイシングテ
ープ、１０３は、光電変換装置１０２の上面を覆うレジ
スト層である。また、１１０は研磨材を含むブレード、
１１１はブレード１１０を挟んで固持するフランジ、１
１２はフランジ１１１を締め付ける締め具、１１４はブ
レード１１０を回転する回転軸、１１３は切断面の放熱
等のための放水ノズルである。本切断装置は光電変換装
置１０２の基板を切断するために、回転軸１１４を回転
しつつ下方向に切断するもので、切断部に放水しなが
ら、切断部の熱を拡散し、切断により発生する切り粉や
ゴミを除去し、ダイシングテープ１０６まで切り進め
る。

【００２８】また、図２（ａ）は、本発明の第１の実施
形態に係わる構成及び切断中の断面から見た拡大模式図
である。

【００２９】図２（ａ）において、光電変換素子部１０
１は１素子を図示しているが、実際は図示上左側に多数
の素子が形成されている。また、光電変換素子部１０１
を搭載するガラス基板１０２上にポジ型のレジスト１０
３を遠心力にて中心に落とされたレジストを周辺にも塗
布するスピンナーにて前記ガラス基板１０２の表面に塗
布し、レジスト１０３の溶媒を初期熱で熱するプレベー
ク（条件＝９０℃、２０ｍｉｎ）で半乾き状態にする。
ポストベークとしないで半乾きとすることで、切り粉等
を取り込んだレジストを剥離し易くする。レジスト１０
３は例えば東京応（株）０ＦＰＲ−ＰＲ８を用いること
ができる。

【００３０】切断前に光電変換素子部１０１の反対のガ
ラス面にガラスフルカット用のダイシングテープ１０６
を貼る。これは、ガラス基板１０２は全面的に切断し、
下部のダイシングテープ１０６の断面上途中まで切断す
るためである。切断はレジン系のダイヤモンド粒径の細
かい（＃１０００以上）ブレード１１０で行い、切断中
は発熱や目詰まり防止のために、ブレード１１０の先端
部の両側にノズルから水を吹き付ける。切断によって出
てくるガラスの切り粉やダイシングテープののり等が飛
び散り、また流れ出てきてレジストの表面に付着させ
る。

【００３１】切断終了後、図２（ｂ）に示すようにレジ
スト１０３をレジスト剥離液（有機系アルカリ）や溶剤
によって取り除く。この時に液体状のレジストと一緒に
ガラスの切り粉やダイシングテープ１０６ののり等も一
緒に取り除くことが出来る。

【００３２】その後、図１０に示すように、各光電変換
装置の端面を切断された各チップ１００〜４００を組み
合わせて、例えば特願平７ー２２７８５３号に示す方法
で、大型サイズで密接型の画像読取装置を形成する。そ
うして、各チップではゴミやキズのない歩留まりの良い
装置を得ることができる。

【００３３】（第２の実施形態）図３（ａ）は、本発明
の第２の実施形態に係わる構成及び切断中の断面から見
た拡大模式図である。本実施形態のブレードを含む全体
的な切断装置の概略構成は、第１の実施形態で説明した
図１と同様である。

【００３４】図３（ａ）において、多数の光電変換素子
部１０１の端部を図示しているが、その光電変換素子部
１０１を搭載するガラス基板１０２上に透明なフィルム
１０４を前記ガラス基板１０２の表面に貼る。このフィ
ルム１０４には例えば３Ｍ（株）Ｙ−６４１０Ｊを用い
ることができる。切断前に光電変換素子部の反対のガラ
ス面にガラスフルカット用のダイシングテープ１０６を
貼る。切断中は発熱や目詰まり防止のために、ブレード
の先端部にノズルから水を吹き付ける。切断によって出
てくるガラスの切り粉や、ダイシングテープ１０６のの
り等が飛び散り、また流れ出てきて透明なフィルム１０
４の表面に付着させる。また、ダイヤモンド粒をまぶし
たブレードにダイシングテープ１０６の切りくずがめず
まりを起こすこともあり、放水によりくずを放出すると
ともにまた緩急に切断する。切断終了後、図３（ｂ）に
示すように透明なフィルム１０４を剥す。この時にガラ
スの切り粉やダイシングテープののり等も一緒に取り除
くことが出来る。

【００３５】（第３の実施形態）図４（ａ）は、本発明
の第３の実施形態に係わる構成及び切断中の断面から見
た拡大模式図である。

【００３６】ガラス基板１０２上に光電変換素子部１０
１を形成し光電変換素子部１０１の保護層としてＳｉＮ
パッシベーションで構成されている。ＳｉＮパッシベー
ション上にポジ型のレジスト１０５をスピンナーにて塗
布し、レジスト１０５のプレベーク（条件＝９０℃、２
０ｍｉｎ）する。露光機で図４（ａ）に示す入出力接続
部以外のレジスト１０５をマスクし露光する。レジスト
１０５を形成するために現像を行いレジスト１０５を硬
化させるためにポストベーク行なう。ドライエッチング
で入出力接続部上ＳｉＮパッシベーションをエッチング
する。従来の工程ではこの後にマスク材となったレジス
ト１０５は剥離を行うが本発明の第３の実施形態はレジ
スト１０５を剥離せずに切断時のガラスの切り粉やダイ
シングテープののり等マスク材として残すことにある。

【００３７】図４（ａ）に示す入出力接続部を切断前に
光電変換素子部の反対のガラス面にガラスフルカット用
のダイシングテープ１０６を貼る。切断はレジン系のダ
イヤモンド粒径の細かい（＃１０００以上）ブレード１
１０を回転しつつ下部方向に切り進めて行い、切断中は
発熱や目詰まり防止のためにブレード１１０の先端部に
ノズルから水を吹き付ける。切断によって出てくるガラ
スの切り粉やダイシングテープ１０６ののり等が飛び散
り、また流れ出てきてレジスト１０５の表面に付着させ
る。切断終了後、図４（ｂ）に示すようにレジスト１０
５をレジスト剥離液（有機系アルカリ）や溶剤によって
取り除く。この時にガラスの切り粉やダイシングテープ
ののり等も一緒に取り除くことが出来る。

【００３８】この後、この切断面を他の光電変換装置と
組み合わせて、図１０に示す例えば４枚の光電変換装置
を平面的に密着して組み合わせ、大型の画像読取装置を
作製できる。例えば、隣接する他の光電変換装置の素子
間は１画素程度とすることが可能であり、他の装置との
組合せであるとしても、視覚上殆ど知覚できない程度の
画像読取装置を作製できる。

【００３９】なお、上記実施例においては、光電変換装
置の端部を切断する例を示したが、他の半導体チップの
切断においても適用できるものであり、また、上記画像
読取装置は４つの光電変換装置を組み合わせる例を示し
たが、これらに限定されるものではなく、本発明が適用
できる領域内であれば、いずれの切断においても適用で
きるものである。

【００４０】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、大
面積の光電変換装置を作製する時の基板１枚あたりの歩
留まりを向上させ、かつ基板１枚あたりの不具合による
損失額を小さくすることにより、結果的には大面積の光
電変換措置のコストを低減することが可能となる。

【００４１】また、本発明によれば、二次元的に配列さ
れた薄膜半導体素子を有する基板表面上に保護層を設け
この状態で切断を行う。切断中に出るガラスの切り粉や
ダイシングテープののり等は前記保護層上に付着させ
る。切断後、前記保護層を除去することによってガラス
の切り粉やダイシングテープののり等が基板表面上に付
着させない。このことによってＳ／Ｎ比の低下を防ぐこ
ととなり大面積の光電変換装置の画像品位や信頼性が向
上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により光電変換装置の一部を切断する切
断装置の概略図である。

【図２】本発明による第１の実施形態に係わる構成及び
切断中の断面から見た拡大模式図及び切断後にレジスト
を剥離した後の構成の断面図である。

【図３】本発明による第２の実施形態に係わる構成及び
切断中の断面から見た拡大模式図及び切断後にテープを
剥した後の構成の断面図である。

【図４】本発明による第３の実施形態に係わる構成及び
切断中の断面から見た拡大模式図及び切断後にレジスト
を剥した後の構成の断面図である。

【図５】本発明に関する切断中に出るガラスの切り粉や
ダイシングテープののりが付着した状態の説明図とＳｉ
Ｎへのダメージ（クラックやキズ等）の説明図である。

【図６】本発明に関係する光電変換装置における全体の
回路図である。

【図７】本発明に関係する光電変換装置における各構成
素子の平面図と断面図である。

【図８】２０００×２０００個の画素を持つ光電変換装
置の実装示す平面図である。

【図９】２０００×２０００個の画素を持つ光電変換装
置の実装示す平面図である。

【図１０】２０００×２０００個の画素を持つ光電変換
装置の実装示す平面図である。

【符号の説明】

１０１光電変換部（センサー・ＴＦＴ・配線部）１０２ガラス基板１０３レジスト１０４フィルム１０５レジスト１０６ダイシングテープ２０１ブレード２０２ステージＣ１１〜Ｃ３３光電変換素子Ｔ１１〜Ｔ３３コンデンサＳＲ１，ＳＲ２シフトレジスタＩＣ検出用集積回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜半導体素子を有する基板を切断する
基板切断方法において、前記基板の上面に切断用保護層
を設け、切断時の汚染や切削粉の付着を除去できること
を特徴とする基板切断方法。
【請求項２】前記切断用保護層の材料は、レジストや
テープであり、切断後前記切削粉等を前記レジストやテ
ープと一緒に除去することを特徴とする請求項１に記載
の基板切断方法。
【請求項３】半導体素子を有する基板を切断する基板
切断方法において、前記基板の上面に切断用保護層を設
け、切断ブレードの両側に放水用ノズルを設けてブレー
ド下部に放水しつつ前記基板を切断するとともに、前記
切断ブレードによって前記基板の下部に配置したダイシ
ングテープの一部まで切断することを特徴とする基板切
断方法。
【請求項４】前記切断用保護層の材料は、エッチング
用マスクを兼ねることを特徴とする請求項１に記載の基
板切断方法。