JPH09258240A - 液晶装置作製方法 - Google Patents
液晶装置作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶装置の液晶注入工程時間を短縮し、生産
性を向上させる。 【解決手段】 画素領域１０２および周辺駆動回路領域
１０３をシール材１０４が囲うように配置された個々の
パネル１１１〜１１４を有する多面取りパネル１０１を
作製する。各パネルのシール材は、少なくとも一部にシ
ール開口部１１５〜１１８が設けられ、そこからシール
材の内側へ液晶材料１２４の注入を可能とする。多面取
りパネル１０１の周辺部の一辺には、シール開口部１１
５〜１１８に通じて液晶材料が通過可能な１つまたは複
数の注入口１１０を設ける。真空チャンバー１２１を用
いて真空注入法を施し、注入口１１０から、各パネルの
シール開口部１１５〜１１８を介して、各パネルのシー
ル材の内側の画素領域１０２、および周辺駆動回路領域
１０３上に液晶材料１２４を注入させる。その後、個々
のパネルに分断する。
性を向上させる。 【解決手段】 画素領域１０２および周辺駆動回路領域
１０３をシール材１０４が囲うように配置された個々の
パネル１１１〜１１４を有する多面取りパネル１０１を
作製する。各パネルのシール材は、少なくとも一部にシ
ール開口部１１５〜１１８が設けられ、そこからシール
材の内側へ液晶材料１２４の注入を可能とする。多面取
りパネル１０１の周辺部の一辺には、シール開口部１１
５〜１１８に通じて液晶材料が通過可能な１つまたは複
数の注入口１１０を設ける。真空チャンバー１２１を用
いて真空注入法を施し、注入口１１０から、各パネルの
シール開口部１１５〜１１８を介して、各パネルのシー
ル材の内側の画素領域１０２、および周辺駆動回路領域
１０３上に液晶材料１２４を注入させる。その後、個々
のパネルに分断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶装置の生産性向上のための技術に関する。本
発明は、液晶装置を構成するパネル内に液晶材料を注入
する技術に関する。
クス型液晶装置の生産性向上のための技術に関する。本
発明は、液晶装置を構成するパネル内に液晶材料を注入
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス型液晶装
置を作製するに際の、液晶装置を構成するパネル内に液
晶材料を注入する工程は、真空注入法で行なわれる。真
空注入法は、毛細管現象および圧力差を用いた液晶材料
の注入法である。以下に、真空注入法により液晶材料を
パネル内へ充填する一般的な方法を説明する。
置を作製するに際の、液晶装置を構成するパネル内に液
晶材料を注入する工程は、真空注入法で行なわれる。真
空注入法は、毛細管現象および圧力差を用いた液晶材料
の注入法である。以下に、真空注入法により液晶材料を
パネル内へ充填する一般的な方法を説明する。
【０００３】なお、本明細書において、素子基板とは、
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路が設けら
れた基板を言う。また、対向基板は、素子基板に対向配
置して設けられる基板であって、対向電極、カラーフィ
ルター等が形成されたものを言う。
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路が設けら
れた基板を言う。また、対向基板は、素子基板に対向配
置して設けられる基板であって、対向電極、カラーフィ
ルター等が形成されたものを言う。
【０００４】図５に従来の液晶材料の注入工程を示す。
図５において、パネル５０１は、素子基板５０５と対向
基板５０６が、シール材５０４を介して対向して設けら
れている。
図５において、パネル５０１は、素子基板５０５と対向
基板５０６が、シール材５０４を介して対向して設けら
れている。
【０００５】素子基板５０５には、アクティブマトリク
ス構成を有する画素領域５０２、画素領域を駆動するた
めの回路が設けられた、周辺駆動回路領域５０３を有す
る。素子基板５０５上に設けられる周辺駆動回路は、ガ
ラス基板上に直接形成される場合と、ＩＣチップを後か
ら張りつける場合とがある。
ス構成を有する画素領域５０２、画素領域を駆動するた
めの回路が設けられた、周辺駆動回路領域５０３を有す
る。素子基板５０５上に設けられる周辺駆動回路は、ガ
ラス基板上に直接形成される場合と、ＩＣチップを後か
ら張りつける場合とがある。
【０００６】他方、対向基板５０６には、図示しないカ
ラーフィルターおよび対向電極が、画素領域５０２に対
向して設けられている。
ラーフィルターおよび対向電極が、画素領域５０２に対
向して設けられている。
【０００７】シール材５０４は、液晶材料の注入口５１
０以外は、画素領域５０２を囲って設けられている。こ
のとき対向基板５０６の大きさは、シール材５０４が設
けられた領域を覆うに十分な大きさである。シール材５
０４は、画素領域５０２と周辺駆動回路領域５０３との
間に設けられている。すなわち、周辺駆動回路領域５０
３は、対向基板５０６が占める領域より外側に設けられ
ている。
０以外は、画素領域５０２を囲って設けられている。こ
のとき対向基板５０６の大きさは、シール材５０４が設
けられた領域を覆うに十分な大きさである。シール材５
０４は、画素領域５０２と周辺駆動回路領域５０３との
間に設けられている。すなわち、周辺駆動回路領域５０
３は、対向基板５０６が占める領域より外側に設けられ
ている。
【０００８】液晶材料の注入口５１０は、パネル５０１
の周辺部のうち、一対の基板５０５および５０６の端面
がそろっている辺に、１つないし複数設けられる。
の周辺部のうち、一対の基板５０５および５０６の端面
がそろっている辺に、１つないし複数設けられる。
【０００９】このパネル５０１を真空チャンバー５２１
内に配置する。図５において、パネル５０１は図示しな
いホルダーにより支持されている。このとき、注入口５
１０が下側になるように垂直に配置する。
内に配置する。図５において、パネル５０１は図示しな
いホルダーにより支持されている。このとき、注入口５
１０が下側になるように垂直に配置する。
【００１０】生産性を上げるために、真空チャンバー内
に１度に複数組のパネルを配置してバッチ処理をするこ
とが多い。
に１度に複数組のパネルを配置してバッチ処理をするこ
とが多い。
【００１１】真空チャンバー５２１は、バルブ５２２を
介して接続された排気管５２３を有している。排気管５
２３は図示しない真空ポンプに接続されており、真空チ
ャンバー５２１内を減圧可能としている。
介して接続された排気管５２３を有している。排気管５
２３は図示しない真空ポンプに接続されており、真空チ
ャンバー５２１内を減圧可能としている。
【００１２】また、ステージ５２６上には、液晶材料５
２４が入った液晶槽５２５が配置されている。ステージ
５２６は上下に移動が可能である。
２４が入った液晶槽５２５が配置されている。ステージ
５２６は上下に移動が可能である。
【００１３】真空チャンバー５２１内部は、パネル５０
１を配置した後、排気管５２３から真空引きされ、１×
１０-5Ｔｏｒｒ程度の減圧状態となる。
１を配置した後、排気管５２３から真空引きされ、１×
１０-5Ｔｏｒｒ程度の減圧状態となる。
【００１４】次に、ステージ５２６を上方に移動して、
注入口５１０を液晶槽５２５に入った液晶材料５２４に
浸す。この時、液晶槽５２５とパネル５０１を共に加熱
して、液晶材料５２４の流動性を高めることもしばしば
行われる。
注入口５１０を液晶槽５２５に入った液晶材料５２４に
浸す。この時、液晶槽５２５とパネル５０１を共に加熱
して、液晶材料５２４の流動性を高めることもしばしば
行われる。
【００１５】この状態で、真空チャンバー５２１内の圧
力を徐々に上げていくと、圧力差および毛細管現象によ
り、液晶材料５２４が図５中の矢印で示すように、パネ
ル５０１内に注入される。
力を徐々に上げていくと、圧力差および毛細管現象によ
り、液晶材料５２４が図５中の矢印で示すように、パネ
ル５０１内に注入される。
【００１６】次に、バルブ５２２を開放して減圧状態を
解除して、液晶材料５２４が注入されたパネル５０１を
真空チャンバー５２１から取り出す。
解除して、液晶材料５２４が注入されたパネル５０１を
真空チャンバー５２１から取り出す。
【００１７】その後、パネル両面を加圧して余分な液晶
を押し出し、そのままの状態で注入口５１０に紫外線硬
化型や熱硬化型の封止用の樹脂を塗布し、加圧を取り除
く。すると、封止用の樹脂が注入口の内側に若干侵入す
る。この状態で封止用樹脂を硬化させ、注入口５１０を
封止する。このようにして、液晶材料注入工程が終了す
る。
を押し出し、そのままの状態で注入口５１０に紫外線硬
化型や熱硬化型の封止用の樹脂を塗布し、加圧を取り除
く。すると、封止用の樹脂が注入口の内側に若干侵入す
る。この状態で封止用樹脂を硬化させ、注入口５１０を
封止する。このようにして、液晶材料注入工程が終了す
る。
【００１８】
【従来技術の問題点】この真空注入法による液晶材料注
入工程は、各パネルまたは各バッチ毎に、真空チャンバ
ー内への搬入、減圧、液晶材料の注入、減圧状態の解
除、パネルの取り出し、という工程を繰り返す必要あ
る。
入工程は、各パネルまたは各バッチ毎に、真空チャンバ
ー内への搬入、減圧、液晶材料の注入、減圧状態の解
除、パネルの取り出し、という工程を繰り返す必要あ
る。
【００１９】その中でも液晶材料の注入は、対角１０イ
ンチ程度のパネルでもその処理に１〜数時間以上要する
ことが多い。
ンチ程度のパネルでもその処理に１〜数時間以上要する
ことが多い。
【００２０】特に最近は、生産性の高い液晶装置の作製
方法として、多面取りと呼ばれる方法が主流となってき
ている。これは、一つの基板に、１つのパネルとなる画
素領域、周辺駆動回路領域を複数配置さらるように形成
し、シール材を介して対向基板を貼り合わせて大きなパ
ネル（多面取りパネル）を作製した後、個別のパネルに
分断する方法である。
方法として、多面取りと呼ばれる方法が主流となってき
ている。これは、一つの基板に、１つのパネルとなる画
素領域、周辺駆動回路領域を複数配置さらるように形成
し、シール材を介して対向基板を貼り合わせて大きなパ
ネル（多面取りパネル）を作製した後、個別のパネルに
分断する方法である。
【００２１】しかし、この方法においても、液晶材料の
パネル内への注入は、個別のパネルに分断してから行っ
ていた。そのため、各パネルに液晶材料を注入するに
は、例えば４面取り（１つの多面取りパネルで、液晶装
置となるパネルを４つ構成する）とした場合、多面取り
パネルを４つのパネルに分断する。すると、それぞれの
パネルについて液晶材料の注入を行うため、注入工程を
４度繰り返さなければならなず、製造工程時間を短縮す
る上での妨げとなっていた。
パネル内への注入は、個別のパネルに分断してから行っ
ていた。そのため、各パネルに液晶材料を注入するに
は、例えば４面取り（１つの多面取りパネルで、液晶装
置となるパネルを４つ構成する）とした場合、多面取り
パネルを４つのパネルに分断する。すると、それぞれの
パネルについて液晶材料の注入を行うため、注入工程を
４度繰り返さなければならなず、製造工程時間を短縮す
る上での妨げとなっていた。
【００２２】そのため、液晶装置の生産性向上のため
に、液晶材料の注入工程に要する時間の短縮が求められ
ていた。
に、液晶材料の注入工程に要する時間の短縮が求められ
ていた。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶装置を
作製するに際の、液晶材料注入工程の所要時間を短縮
し、液晶装置の生産性を向上させることを目的とする。
作製するに際の、液晶材料注入工程の所要時間を短縮
し、液晶装置の生産性を向上させることを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、図１にその実施態様例を示すように、複数の
液晶パネルを同時に形成するための一対の基板間に液晶
を注入する工程であって、前記一対の基板間に液晶を注
入するための１つの注入口１１０は、複数の液晶パネル
１１１〜１１４に対して共通に配置されており、前記１
つの注入口１１０から液晶を前記一対の基板間に注入す
ることにより、前記複数の液晶パネル１１１〜１１４に
各液晶パネル部に配置されたシール開口部１１５〜１１
８から液晶を注入することを特徴とする。
の一つは、図１にその実施態様例を示すように、複数の
液晶パネルを同時に形成するための一対の基板間に液晶
を注入する工程であって、前記一対の基板間に液晶を注
入するための１つの注入口１１０は、複数の液晶パネル
１１１〜１１４に対して共通に配置されており、前記１
つの注入口１１０から液晶を前記一対の基板間に注入す
ることにより、前記複数の液晶パネル１１１〜１１４に
各液晶パネル部に配置されたシール開口部１１５〜１１
８から液晶を注入することを特徴とする。
【００２５】また、本明細書で開示する発明の一つは、
素子基板と対向基板とが、シール材を介して対向して配
置され、素子基板上には、１つのパネルとなる画素領域
と周辺駆動回路領域とが複数配置され、前記シール材
が、１つのパネルとなる領域毎に、開口部を有して前記
画素領域と周辺駆動回路領域とを囲うように配置され、
前記各開口部のうち、少なくとも２つは、前記対向基板
および素子基板の周辺部に配置された１つまたは複数の
注入口に通じるように配置された、多面取りパネルを用
い、真空注入法により、前記多面取りパネルの注入口か
ら、前記開口部を通って前記シール材が囲う画素領域お
よび周辺駆動回路領域に液晶材料を注入する工程と、該
工程の後、前記多面取りパネルを、個別のパネルに分断
することを特徴とする液晶装置作製方法である。
素子基板と対向基板とが、シール材を介して対向して配
置され、素子基板上には、１つのパネルとなる画素領域
と周辺駆動回路領域とが複数配置され、前記シール材
が、１つのパネルとなる領域毎に、開口部を有して前記
画素領域と周辺駆動回路領域とを囲うように配置され、
前記各開口部のうち、少なくとも２つは、前記対向基板
および素子基板の周辺部に配置された１つまたは複数の
注入口に通じるように配置された、多面取りパネルを用
い、真空注入法により、前記多面取りパネルの注入口か
ら、前記開口部を通って前記シール材が囲う画素領域お
よび周辺駆動回路領域に液晶材料を注入する工程と、該
工程の後、前記多面取りパネルを、個別のパネルに分断
することを特徴とする液晶装置作製方法である。
【００２６】本発明は、多面取りパネル内の複数のパネ
ルとなる領域のそれぞれへ、１度の注入工程で液晶材料
を注入することを可能とするものである。
ルとなる領域のそれぞれへ、１度の注入工程で液晶材料
を注入することを可能とするものである。
【００２７】
【発明の実施の態様】図１を用いて本発明を説明する。
図１に、本発明の液晶材料の注入工程の例を示す。
図１に、本発明の液晶材料の注入工程の例を示す。
【００２８】本発明は先ず多面取りパネル１０１の構成
を以下のようにする。すなわち、個々のパネル１１１〜
１１４の構成としては、画素領域１０２および周辺駆動
回路領域１０３をシール材１０４が囲うように配置す
る。そして、各パネルのシール材は、少なくとも一部に
シール開口部１１５〜１１８が設けられ、そこからシー
ル材の内側へ液晶材料１２４の注入を可能とする。
を以下のようにする。すなわち、個々のパネル１１１〜
１１４の構成としては、画素領域１０２および周辺駆動
回路領域１０３をシール材１０４が囲うように配置す
る。そして、各パネルのシール材は、少なくとも一部に
シール開口部１１５〜１１８が設けられ、そこからシー
ル材の内側へ液晶材料１２４の注入を可能とする。
【００２９】多面取りパネル１０１は、このような構成
のパネルを複数有するものとし、多面取りパネルの周辺
部の一辺に１つまたは複数の注入口１１０を設ける。こ
のとき、注入口１１０とシール開口部１１５〜１１８
は、互いに通じており、液晶材料が通過できるようにす
る。
のパネルを複数有するものとし、多面取りパネルの周辺
部の一辺に１つまたは複数の注入口１１０を設ける。こ
のとき、注入口１１０とシール開口部１１５〜１１８
は、互いに通じており、液晶材料が通過できるようにす
る。
【００３０】この多面取りパネルに対し、真空チャンバ
ー１２１を用いて真空注入法を施し、注入口１１０か
ら、各パネルのシール開口部１１５〜１１８を介して、
各パネルのシール材の内側の画素領域１０２、および周
辺駆動回路領域１０３上に液晶材料１２４を注入させ
る。このようにすることで、一度の液晶注入工程で複数
のパネルに液晶が注入される。
ー１２１を用いて真空注入法を施し、注入口１１０か
ら、各パネルのシール開口部１１５〜１１８を介して、
各パネルのシール材の内側の画素領域１０２、および周
辺駆動回路領域１０３上に液晶材料１２４を注入させ
る。このようにすることで、一度の液晶注入工程で複数
のパネルに液晶が注入される。
【００３１】その後、個別のパネルに分断し、各シール
開口部またはその近傍に封止用樹脂を塗布、硬化させ、
液晶材料を封止するものである。
開口部またはその近傍に封止用樹脂を塗布、硬化させ、
液晶材料を封止するものである。
【００３２】また、多面取りパネルは面積が極めて大き
くなるため、真空注入工程において、液晶材料の注入の
際に、シール材１０４のコーナー部に、液晶材料が注入
されない領域（未充填領域）が生じる場合が考えられ
る。
くなるため、真空注入工程において、液晶材料の注入の
際に、シール材１０４のコーナー部に、液晶材料が注入
されない領域（未充填領域）が生じる場合が考えられ
る。
【００３３】そこで、図１のＢで示すように、シール材
１０４の、画素領域１０２と周辺駆動回路領域１０３が
配置された領域側のコーナー部に、所定の大きさの曲率
半径を有せしめてもよい。
１０４の、画素領域１０２と周辺駆動回路領域１０３が
配置された領域側のコーナー部に、所定の大きさの曲率
半径を有せしめてもよい。
【００３４】この曲率半径により、後の工程で液晶材料
が注入されたときに、コーナー部に発生し易い液晶材料
が注入されない領域（未充填領域）の発生を防ぐことが
できる。
が注入されたときに、コーナー部に発生し易い液晶材料
が注入されない領域（未充填領域）の発生を防ぐことが
できる。
【００３５】この曲率半径Ｒは２ｍｍ以上であることが
好ましい。２ｍｍより小さいと、曲率半径を設けない場
合、すなわち、概略直角なコーナー部と比較して、未充
填領域の発生を防ぐ効果は変わらなくなる。
好ましい。２ｍｍより小さいと、曲率半径を設けない場
合、すなわち、概略直角なコーナー部と比較して、未充
填領域の発生を防ぐ効果は変わらなくなる。
【００３６】他方、曲率半径をあまり大きくすると、画
素領域の大きさが制限されてしまう。したがって、シー
ル材が画素領域にかからない範囲とする。またシール材
が周辺駆動回路領域の上に配置されることは全く問題が
ない。本発明では、周辺駆動回路領域がシール材の内側
にあるため、周辺駆動回路領域付近では曲率半径を大き
くすることができ、結果として未充填領域の発生を極め
て少なくすることができる。
素領域の大きさが制限されてしまう。したがって、シー
ル材が画素領域にかからない範囲とする。またシール材
が周辺駆動回路領域の上に配置されることは全く問題が
ない。本発明では、周辺駆動回路領域がシール材の内側
にあるため、周辺駆動回路領域付近では曲率半径を大き
くすることができ、結果として未充填領域の発生を極め
て少なくすることができる。
【００３７】本発明構成により、液晶装置の液晶材料注
入工程に要する時間を短縮することができる。液晶装置
の生産性を向上させることができる。
入工程に要する時間を短縮することができる。液晶装置
の生産性を向上させることができる。
【００３８】本発明方法を、バッチ処理として、複数の
多面取りパネルに対して一度に注入を行うことで、さら
なる生産性の向上が可能となる。
多面取りパネルに対して一度に注入を行うことで、さら
なる生産性の向上が可能となる。
【００３９】また、液晶材料注入時は、多面取りパネル
の基板面を垂直とすることが通常であるが、多面取りパ
ネル自体が大きくなると、液晶が上方まで入っていくの
が難しくなる場合がある。そのような場合に対処するた
めに、基板面を斜めとする（基板面が水平面に対して所
定の向え角を有する）ようにしてもよい。
の基板面を垂直とすることが通常であるが、多面取りパ
ネル自体が大きくなると、液晶が上方まで入っていくの
が難しくなる場合がある。そのような場合に対処するた
めに、基板面を斜めとする（基板面が水平面に対して所
定の向え角を有する）ようにしてもよい。
【００４０】
〔実施例１〕実施例１では、パネル４枚分を多面取りし
て作製されたパネルの全面に、１度の注入工程で液晶材
料を注入する例を示す。図２に、図１のＡ−Ａ’断面図
を示す。
て作製されたパネルの全面に、１度の注入工程で液晶材
料を注入する例を示す。図２に、図１のＡ−Ａ’断面図
を示す。
【００４１】始めに図１を用いて多面取りパネル１０１
について説明する。ここで示す多面取りパネル１０１
は、後の工程で分断後にはそれぞれが独立した４つのパ
ネル１１１〜１１４となる。多面取りパネル１０１は、
シール材１０４を介して一対の基板が相対向して設けら
れている。
について説明する。ここで示す多面取りパネル１０１
は、後の工程で分断後にはそれぞれが独立した４つのパ
ネル１１１〜１１４となる。多面取りパネル１０１は、
シール材１０４を介して一対の基板が相対向して設けら
れている。
【００４２】シール材１０４は、各パネルに液晶材料が
注入されるようにするためのシール開口部１１５〜１１
８を有して配置されている。シール開口部１１５〜１１
８は、全て注入口１１０に通じており、注入口１１０か
ら注入される液晶材料が、すべてのパネルのシール材の
内側領域に充填されようになっている。注入口１１０
は、本実施例では多面取りパネル１０１の一辺のみに設
けられている。
注入されるようにするためのシール開口部１１５〜１１
８を有して配置されている。シール開口部１１５〜１１
８は、全て注入口１１０に通じており、注入口１１０か
ら注入される液晶材料が、すべてのパネルのシール材の
内側領域に充填されようになっている。注入口１１０
は、本実施例では多面取りパネル１０１の一辺のみに設
けられている。
【００４３】各パネルにおいて、シール材１０４の内側
の領域には、アクティブマトリクス構成を有する画素領
域１０２と、画素領域を駆動する周辺駆動回路領域１０
３が配置されている。
の領域には、アクティブマトリクス構成を有する画素領
域１０２と、画素領域を駆動する周辺駆動回路領域１０
３が配置されている。
【００４４】また、本実施例では、図１Ｂで示すよう
に、シール材１０４のコーナー部に、３ｍｍの曲率半径
を有せしめ、コーナー部に発生し易い液晶材料の未充填
領域の発生を防いでいる。
に、シール材１０４のコーナー部に、３ｍｍの曲率半径
を有せしめ、コーナー部に発生し易い液晶材料の未充填
領域の発生を防いでいる。
【００４５】ここで、図２を用いてパネルの構造を詳細
を説明する。図２に示すように、多面取りパネル１０１
は、素子基板２０１と、対向基板２０２が、シール材１
０４を介して対向配置されている。素子基板２０１と対
向基板２０２は、概略同一の大きさを有している。ここ
では、それぞれ３００ｍｍ×３００ｍｍの大きさとし
た。
を説明する。図２に示すように、多面取りパネル１０１
は、素子基板２０１と、対向基板２０２が、シール材１
０４を介して対向配置されている。素子基板２０１と対
向基板２０２は、概略同一の大きさを有している。ここ
では、それぞれ３００ｍｍ×３００ｍｍの大きさとし
た。
【００４６】素子基板２０１上には、画素領域１０２お
よび周辺駆動回路領域１０３が設けられている。画素領
域は、各画素に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
が接続されたアクティブマトリクス構成を有している。
また、周辺駆動回路領域は、画素領域を駆動する駆動回
路が設けられている。
よび周辺駆動回路領域１０３が設けられている。画素領
域は、各画素に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
が接続されたアクティブマトリクス構成を有している。
また、周辺駆動回路領域は、画素領域を駆動する駆動回
路が設けられている。
【００４７】画素領域１０２およひ周辺駆動回路領域１
０２は、共にガラスでなる素子基板２０１上に直接設け
られた薄膜トランジスタを有する。画素領域を構成する
薄膜トランジスタとしては、アモルファスシリコンまた
はポリシリコンで構成された薄膜トランジスタである。
周辺駆動回路領域を構成する薄膜トランジスタは、高速
な動作が要求されるため、ポリシリコンで構成された薄
膜トランジスタである。
０２は、共にガラスでなる素子基板２０１上に直接設け
られた薄膜トランジスタを有する。画素領域を構成する
薄膜トランジスタとしては、アモルファスシリコンまた
はポリシリコンで構成された薄膜トランジスタである。
周辺駆動回路領域を構成する薄膜トランジスタは、高速
な動作が要求されるため、ポリシリコンで構成された薄
膜トランジスタである。
【００４８】また、対向基板２０２上には、カラーフィ
ルタ２０３、平坦化槽２０４、対向電極２０５が設けら
れている。また両基板表面には、図示しない配向膜が設
けられている。
ルタ２０３、平坦化槽２０４、対向電極２０５が設けら
れている。また両基板表面には、図示しない配向膜が設
けられている。
【００４９】図２において、素子基板２０１と対向基板
２０２との間には、スペーサ２０６が散布され、基板間
隔を維持している。また、多面取りパネル１０１を構成
する対向基板２０２と素子基板２０１の大きさは同一で
ある。
２０２との間には、スペーサ２０６が散布され、基板間
隔を維持している。また、多面取りパネル１０１を構成
する対向基板２０２と素子基板２０１の大きさは同一で
ある。
【００５０】各パネルにおいて、画素領域１０２と周辺
駆動回路領域１０３は、シール材１０４の内側に配置さ
れているため、後の工程で液晶材料が注入されると、画
素領域１０２および周辺駆動回路１０３の上面に液晶材
料が満たされる。
駆動回路領域１０３は、シール材１０４の内側に配置さ
れているため、後の工程で液晶材料が注入されると、画
素領域１０２および周辺駆動回路１０３の上面に液晶材
料が満たされる。
【００５１】このように、各パネルの周辺駆動回路領域
１０３が、各パネルのシール材１０４の内側に設けられ
る。そのため、各パネル内の周辺駆動回路領域１０３
は、画素領域１０２の周辺であれば、シール開口部に対
してどのような位置に配置してもよい。
１０３が、各パネルのシール材１０４の内側に設けられ
る。そのため、各パネル内の周辺駆動回路領域１０３
は、画素領域１０２の周辺であれば、シール開口部に対
してどのような位置に配置してもよい。
【００５２】すなわち、シール開口部１１５〜１１８お
よひ注入口１１０を設ける位置は、各パネルの周辺駆動
回路領域の位置に全く依存しない。この点は、本明細書
に開示する発明全体において重要な点である。
よひ注入口１１０を設ける位置は、各パネルの周辺駆動
回路領域の位置に全く依存しない。この点は、本明細書
に開示する発明全体において重要な点である。
【００５３】もし、シール材１０４が画素領域１０２の
みを囲い、その外側に周辺駆動回路領域が設けられた、
従来一般的な構成では、画素領域を囲うシール材の周辺
駆動回路領域側にはシール開口部を設けることができな
い。そのため、注入口やシール開口部を配置する際の自
由度が著しく損なわれてしまう。
みを囲い、その外側に周辺駆動回路領域が設けられた、
従来一般的な構成では、画素領域を囲うシール材の周辺
駆動回路領域側にはシール開口部を設けることができな
い。そのため、注入口やシール開口部を配置する際の自
由度が著しく損なわれてしまう。
【００５４】ところで、図１においては、隣接するパネ
ル間のシール材を、他の部分の２倍程度の幅を有するよ
うに配置している。これは図１に示したシール材１０４
が、隣接するパネル間を１つの線のシールで構成するも
のになっているからである。幅を広くすることで、パネ
ル分断後の封止を確実なものとすることができる。
ル間のシール材を、他の部分の２倍程度の幅を有するよ
うに配置している。これは図１に示したシール材１０４
が、隣接するパネル間を１つの線のシールで構成するも
のになっているからである。幅を広くすることで、パネ
ル分断後の封止を確実なものとすることができる。
【００５５】他方、各パネル毎に画素領域および周辺駆
動回路領域を囲うシール材を独立して配置してもよい。
すなわち、隣接するパネル間には２つのシール材が近接
して存在するようにしてもよい。
動回路領域を囲うシール材を独立して配置してもよい。
すなわち、隣接するパネル間には２つのシール材が近接
して存在するようにしてもよい。
【００５６】このようにした方が、後の分断工程でスク
ライバーやブレイカーを用いて分断したときに良好に分
断できる場合がある。この場合、シール材同士の間隔は
少なくとも１００μｍ以上であることが好ましい。そし
てシール材とシール材の間を、スクライバー等で分断す
るようにする。
ライバーやブレイカーを用いて分断したときに良好に分
断できる場合がある。この場合、シール材同士の間隔は
少なくとも１００μｍ以上であることが好ましい。そし
てシール材とシール材の間を、スクライバー等で分断す
るようにする。
【００５７】液晶材料の注入口１１０は、多面取りパネ
ル１０１の周辺部に１つないし複数設けられる。
ル１０１の周辺部に１つないし複数設けられる。
【００５８】このような多面取りパネルを構成すること
で、１度の注入工程で複数のパネルに液晶材料を注入す
ることができ、作製所要時間を短縮することができる。
で、１度の注入工程で複数のパネルに液晶材料を注入す
ることができ、作製所要時間を短縮することができる。
【００５９】〔実施例２〕実施例２では、実施例１で示
した多面取りパネルに液晶材料を注入する工程を示す。
この様子を図１を用いて説明する。
した多面取りパネルに液晶材料を注入する工程を示す。
この様子を図１を用いて説明する。
【００６０】まず、多面取りパネル１０１を真空チャン
バー１２１内に配置する。図１において、パネル１０１
は図示しないホルダーにより支持されている。このと
き、注入口１１０が下側になるように基板面を垂直に配
置する。多面取りパネルが大きくて注入しずらい場合、
基板面を斜めにしてもよい。
バー１２１内に配置する。図１において、パネル１０１
は図示しないホルダーにより支持されている。このと
き、注入口１１０が下側になるように基板面を垂直に配
置する。多面取りパネルが大きくて注入しずらい場合、
基板面を斜めにしてもよい。
【００６１】生産性を上げるために、真空チャンバー１
２１内に１度に複数組の多面取りパネルを配置してもよ
い。
２１内に１度に複数組の多面取りパネルを配置してもよ
い。
【００６２】真空チャンバー１２１は、バルブ１２２を
介して接続された排気管１２３を有している。排気管１
２３は図示しない真空ポンプに接続されており、真空チ
ャンバー１２１内を減圧可能としている。
介して接続された排気管１２３を有している。排気管１
２３は図示しない真空ポンプに接続されており、真空チ
ャンバー１２１内を減圧可能としている。
【００６３】また、ステージ１２６上には、液晶材料１
２４が入った液晶槽１２５が配置されている。ステージ
１２６は上下に移動が可能である。液晶材料１２４とし
ては、ネマチック、スメクチック、コレステリック等、
種々のものを使用できる。ここではネマチック液晶を用
いる。
２４が入った液晶槽１２５が配置されている。ステージ
１２６は上下に移動が可能である。液晶材料１２４とし
ては、ネマチック、スメクチック、コレステリック等、
種々のものを使用できる。ここではネマチック液晶を用
いる。
【００６４】真空チャンバー１２１内部は、多面取りパ
ネル１０１を配置した後、排気管１２３から真空引きさ
れ、１×１０-5Ｔｏｒｒ程度の減圧状態となる。
ネル１０１を配置した後、排気管１２３から真空引きさ
れ、１×１０-5Ｔｏｒｒ程度の減圧状態となる。
【００６５】次に、ステージ１２６を上方に移動して、
注入口１１０を液晶槽１２５に入った液晶材料１２４に
浸す。この時、液晶槽１２５と多面取りパネル１０１を
共に加熱して、液晶材料１２４の流動性を高めるてもよ
い。これにより、パネル内に液晶材料をより侵入しやす
くし、注入工程に要する時間をさらに短縮できる。
注入口１１０を液晶槽１２５に入った液晶材料１２４に
浸す。この時、液晶槽１２５と多面取りパネル１０１を
共に加熱して、液晶材料１２４の流動性を高めるてもよ
い。これにより、パネル内に液晶材料をより侵入しやす
くし、注入工程に要する時間をさらに短縮できる。
【００６６】この状態で、真空チャンバー１２１内の圧
力を徐々に上げていく。すると、圧力差および毛細管現
象により、液晶材料１２４が図１中の矢印で示すよう
に、多面取りパネルの注入口１１０から、各パネルのシ
ール開口部を１１５〜１１８を通って、各パネルのシー
ル材の内側に注入される。
力を徐々に上げていく。すると、圧力差および毛細管現
象により、液晶材料１２４が図１中の矢印で示すよう
に、多面取りパネルの注入口１１０から、各パネルのシ
ール開口部を１１５〜１１８を通って、各パネルのシー
ル材の内側に注入される。
【００６７】そして、各パネルを構成する画素領域１０
２と周辺駆動回路領域１０３の上面には、液晶材料１２
４が満たされる。すなわち、液晶材料注入後の画素領域
および周辺駆動回路領域は、液晶材料１２４に接してい
る。
２と周辺駆動回路領域１０３の上面には、液晶材料１２
４が満たされる。すなわち、液晶材料注入後の画素領域
および周辺駆動回路領域は、液晶材料１２４に接してい
る。
【００６８】次に、バルブ１２２を開放して減圧状態を
解除して、液晶材料１２４が注入された多面取りパネル
１０１を真空チャンバー１２１から取り出す。
解除して、液晶材料１２４が注入された多面取りパネル
１０１を真空チャンバー１２１から取り出す。
【００６９】つぎに多面取りパネルを１０１、個別のパ
ネル１１１〜１１４に分断する。分断にはスクライバー
やダイシングソーを用いる。
ネル１１１〜１１４に分断する。分断にはスクライバー
やダイシングソーを用いる。
【００７０】スクライバーを使用する場合、一方のガラ
ス基板にパネルサイズの溝を刻み、ブレイカーを使用し
て基板の溝の真上からウレタン製の丸材をエアシリンダ
の圧力で落下させてパネルサイズに分断する。
ス基板にパネルサイズの溝を刻み、ブレイカーを使用し
て基板の溝の真上からウレタン製の丸材をエアシリンダ
の圧力で落下させてパネルサイズに分断する。
【００７１】次に、注入口の封止を行なう。個別に分断
された各パネルに対し、基板の両面から均等に圧力を加
えて、基板間隔を均質にすると同時に余分な液晶材料を
押し出す。その状態で紫外線硬化型または熱硬化型の封
止用樹脂を注入口に塗布する。加圧状態を解くと、樹脂
が注入口の内部に若干侵入する。その状態で紫外線照射
または加熱を行うことで注入口が封止される。この工程
を各パネル毎に行なう。
された各パネルに対し、基板の両面から均等に圧力を加
えて、基板間隔を均質にすると同時に余分な液晶材料を
押し出す。その状態で紫外線硬化型または熱硬化型の封
止用樹脂を注入口に塗布する。加圧状態を解くと、樹脂
が注入口の内部に若干侵入する。その状態で紫外線照射
または加熱を行うことで注入口が封止される。この工程
を各パネル毎に行なう。
【００７２】その後、パネル両面に偏光板が張りつけら
れ、外部への電気的接続を行う配線が接続されて、液晶
装置が完成する。
れ、外部への電気的接続を行う配線が接続されて、液晶
装置が完成する。
【００７３】このようにして、一度の液晶材料注入工程
で、４つのパネルに液晶材料を注入・充填することがで
きる。
で、４つのパネルに液晶材料を注入・充填することがで
きる。
【００７４】本実施例で示した工程は、個別のパネル当
たりの液晶材料を注入する際に要する時間は、各パネル
毎に注入した場合に比較して、１０〜３０分以上短縮さ
れる。
たりの液晶材料を注入する際に要する時間は、各パネル
毎に注入した場合に比較して、１０〜３０分以上短縮さ
れる。
【００７５】〔実施例３〕実施例３では、液晶材料の注
入口および流入経路を、多面取りパネルの両側部に設け
た例を示す。
入口および流入経路を、多面取りパネルの両側部に設け
た例を示す。
【００７６】図３に、実施例３で用いる多面取りパネル
の構成を示す。図３に示す多面取りパネル３０１は、図
３において左側のパネルのシール開口部３１５、３１６
が、注入口３１０に通じている。また、右側のパネルの
シール開口部３１７、３１８が、注入口３１１に通じて
いる。注入口３１０および３１１が、パネル３０１の周
辺部の辺の１つに配置されている。
の構成を示す。図３に示す多面取りパネル３０１は、図
３において左側のパネルのシール開口部３１５、３１６
が、注入口３１０に通じている。また、右側のパネルの
シール開口部３１７、３１８が、注入口３１１に通じて
いる。注入口３１０および３１１が、パネル３０１の周
辺部の辺の１つに配置されている。
【００７７】また、図３においては、図１と同様に隣接
するパネル間のシール材を、他の部分の２倍程度の幅を
有するように配置している。もちろん、各パネル毎に画
素領域および周辺駆動回路領域を囲うシール材を独立し
て配置してもよい。
するパネル間のシール材を、他の部分の２倍程度の幅を
有するように配置している。もちろん、各パネル毎に画
素領域および周辺駆動回路領域を囲うシール材を独立し
て配置してもよい。
【００７８】このような構成は、各パネルの分断位置
に、各パネルのシール開口部が存在しない。つまり、パ
ネルの分断位置とシール開口部が離間している。そのた
めに、スクライバーやダイシングソー等による分断工程
で生じやすい、ガラス等の微細な粉末がシール開口部に
流入する可能性を低減できる。したがって、作製される
液晶装置の信頼性低下を防ぐことができる。
に、各パネルのシール開口部が存在しない。つまり、パ
ネルの分断位置とシール開口部が離間している。そのた
めに、スクライバーやダイシングソー等による分断工程
で生じやすい、ガラス等の微細な粉末がシール開口部に
流入する可能性を低減できる。したがって、作製される
液晶装置の信頼性低下を防ぐことができる。
【００７９】図３に示すパネルは、図１と同様に、各パ
ネルにおいて、画素領域３０２と周辺駆動回路領域３０
３は、シール材３０４の内側に配置されている。したが
って、液晶材料が注入されると、画素領域３０２および
周辺駆動回路３０３の上面に液晶材料が満たされる。
ネルにおいて、画素領域３０２と周辺駆動回路領域３０
３は、シール材３０４の内側に配置されている。したが
って、液晶材料が注入されると、画素領域３０２および
周辺駆動回路３０３の上面に液晶材料が満たされる。
【００８０】図３で示す多面取りパネル３０１は、各パ
ネルにおいては、シール開口部は、周辺駆動回路領域３
０３側に配置されている。したがってパネル内へ注入さ
れる液晶材料は、周辺駆動回路領域３０３の上面を通過
して画素領域３０２側へ広がる。もちろん、周辺駆動回
路領域３０３は、シール材の内側であって画素領域３０
２の周辺であればどの位置に配置されていてもよい。
ネルにおいては、シール開口部は、周辺駆動回路領域３
０３側に配置されている。したがってパネル内へ注入さ
れる液晶材料は、周辺駆動回路領域３０３の上面を通過
して画素領域３０２側へ広がる。もちろん、周辺駆動回
路領域３０３は、シール材の内側であって画素領域３０
２の周辺であればどの位置に配置されていてもよい。
【００８１】すなわち、本実施例においても、実施例１
と同様にシール開口部３１５〜３１８および注入口３１
０および３１１を設ける位置は、各パネルの周辺駆動回
路領域の位置に全く依存しない。したがって、シール開
口部を周辺駆動回路側に設け、そこから液晶材料を注入
することが可能となる。よっで、注入口やシール開口部
を配置する際の自由度は極めて高くすることができる。
と同様にシール開口部３１５〜３１８および注入口３１
０および３１１を設ける位置は、各パネルの周辺駆動回
路領域の位置に全く依存しない。したがって、シール開
口部を周辺駆動回路側に設け、そこから液晶材料を注入
することが可能となる。よっで、注入口やシール開口部
を配置する際の自由度は極めて高くすることができる。
【００８２】図３に示す多面取りパネルへの液晶材料の
注入工程は、実施例２で示した工程に従って、真空チャ
ンバー内て行われる。液晶材料は、図３の矢印で示す経
路を通過して各パネル内に注入される。
注入工程は、実施例２で示した工程に従って、真空チャ
ンバー内て行われる。液晶材料は、図３の矢印で示す経
路を通過して各パネル内に注入される。
【００８３】多面取りパネル３０１内に液晶材料が注入
され、真空チャンバーから取り出された後の封止工程を
説明する。
され、真空チャンバーから取り出された後の封止工程を
説明する。
【００８４】まず、多面取りパネル３０１内の両基板面
を加圧して、注入口３１０、３１１から余分な液晶を押
し出す。次に、加圧したまま、紫外線硬化型または熱硬
化型の封止用樹脂を、注入口３１０、３１１を塞ぐよう
に塗布し、その後に加圧状態を解くと、封止用樹脂は注
入口３１０、３１１内に若干侵入する。その状態で紫外
線照射または加熱を行い、封止用樹脂を硬化させる。
を加圧して、注入口３１０、３１１から余分な液晶を押
し出す。次に、加圧したまま、紫外線硬化型または熱硬
化型の封止用樹脂を、注入口３１０、３１１を塞ぐよう
に塗布し、その後に加圧状態を解くと、封止用樹脂は注
入口３１０、３１１内に若干侵入する。その状態で紫外
線照射または加熱を行い、封止用樹脂を硬化させる。
【００８５】つぎに、図３の点線で示す分断位置を、ス
クライバーやダイシングソーで分断して、個別のパネル
に分断する。
クライバーやダイシングソーで分断して、個別のパネル
に分断する。
【００８６】その後、パネルの両基板面を加圧して、分
断面のシール開口部に通じる部分から余分な液晶を押し
出す。その状態で紫外線硬化型または熱硬化型の封止用
樹脂を、分断面のシール開口部に通じる部分に塗布す
る。そして、加圧状態を取り除いて、封止用樹脂をパネ
ル内に若干侵入させる。その後紫外線照射または加熱を
行って、封止用樹脂を硬化させ、封止する。
断面のシール開口部に通じる部分から余分な液晶を押し
出す。その状態で紫外線硬化型または熱硬化型の封止用
樹脂を、分断面のシール開口部に通じる部分に塗布す
る。そして、加圧状態を取り除いて、封止用樹脂をパネ
ル内に若干侵入させる。その後紫外線照射または加熱を
行って、封止用樹脂を硬化させ、封止する。
【００８７】このようにする以外に、各パネルのシール
開口部付近を改めて分断し、シール開口部あるいはその
近傍を封止してもよい。この工程は、個別のパネルへの
分断工程の前でも後でもよい。ただし、分断する位置と
シール開口部との距離が近くなるため、前述の方法に比
較して分断時に生じる微粒子や不純物が液晶材料中に混
入する可能性が高くなる。
開口部付近を改めて分断し、シール開口部あるいはその
近傍を封止してもよい。この工程は、個別のパネルへの
分断工程の前でも後でもよい。ただし、分断する位置と
シール開口部との距離が近くなるため、前述の方法に比
較して分断時に生じる微粒子や不純物が液晶材料中に混
入する可能性が高くなる。
【００８８】〔実施例４〕実施例４では、シール材の内
側に周辺駆動回路領域と画素領域とを有する多面取りパ
ネルを作製する工程に関する。
側に周辺駆動回路領域と画素領域とを有する多面取りパ
ネルを作製する工程に関する。
【００８９】図４に、素子基板の作製工程を示す。図４
の左側に周辺駆動回路の薄膜トランジスタの作製工程
を、右側にアクティブマトリクス回路の薄膜トランジス
タの作製工程を、それぞれ示す。図４は、パネル１つ分
の画素領域および周辺駆動回路領域について示したもの
である。したがって、実際には、同様な構成が基板上に
多数例えば４つ配置されている。
の左側に周辺駆動回路の薄膜トランジスタの作製工程
を、右側にアクティブマトリクス回路の薄膜トランジス
タの作製工程を、それぞれ示す。図４は、パネル１つ分
の画素領域および周辺駆動回路領域について示したもの
である。したがって、実際には、同様な構成が基板上に
多数例えば４つ配置されている。
【００９０】まず、石英基板またはガラス基板４０１上
に、下地酸化膜４０２として厚さ１０００〜３０００Å
の酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法と
しては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ
法を用いればよい。
に、下地酸化膜４０２として厚さ１０００〜３０００Å
の酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法と
しては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ
法を用いればよい。
【００９１】次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法に
よってアモルファスもしくは多結晶のシリコン膜を３０
０〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Å形成す
る。そして、５００℃以上、好ましくは、８００〜９５
０℃の温度で熱アニールをおこない、シリコン膜を結晶
化させる。熱アニールによって結晶化させたのち、光ア
ニールをおこなって、さらに結晶性を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に、特開平６−２４４
１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、
ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒
元素）を添加してもよい。
よってアモルファスもしくは多結晶のシリコン膜を３０
０〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Å形成す
る。そして、５００℃以上、好ましくは、８００〜９５
０℃の温度で熱アニールをおこない、シリコン膜を結晶
化させる。熱アニールによって結晶化させたのち、光ア
ニールをおこなって、さらに結晶性を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に、特開平６−２４４
１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、
ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒
元素）を添加してもよい。
【００９２】次にシリコン膜をエッチングして、島状の
周辺駆動回路の薄膜トランジスタの活性層４０３、４０
４と、マトリクス回路の薄膜トランジスタ（画素薄膜ト
ランジスタ）の活性層４０５を形成する。活性層４０３
はＰチャネル型薄膜トランジスタを構成するものであ
り、活性層４０４はＮチャネル型薄膜トランジスタを構
成するものである。
周辺駆動回路の薄膜トランジスタの活性層４０３、４０
４と、マトリクス回路の薄膜トランジスタ（画素薄膜ト
ランジスタ）の活性層４０５を形成する。活性層４０３
はＰチャネル型薄膜トランジスタを構成するものであ
り、活性層４０４はＮチャネル型薄膜トランジスタを構
成するものである。
【００９３】更に、酸素雰囲気中でのスパッタ法によっ
て、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜
４０６を形成する。ゲイト絶縁膜４０６の形成方法とし
ては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶ
Ｄ法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガス
として、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2）
とモンシラン（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
て、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜
４０６を形成する。ゲイト絶縁膜４０６の形成方法とし
ては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶ
Ｄ法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガス
として、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2）
とモンシラン（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
【００９４】その後、厚さ２０００Å〜５μｍ、好まし
くは２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性
を高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によ
って基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極４０７、４０８、４０９を形成する。
（図４（Ａ））
くは２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性
を高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によ
って基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極４０７、４０８、４０９を形成する。
（図４（Ａ））
【００９５】その後、イオンドーピング法によって、全
ての島状活性層４０３、４０４、４０５それぞれに、ゲ
イト電極４０７、４０８、４０９をマスクとして、自己
整合的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとし
て燐を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原
子／ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域４１０、４１
１、４１２が形成される。（図４（Ｂ））
ての島状活性層４０３、４０４、４０５それぞれに、ゲ
イト電極４０７、４０８、４０９をマスクとして、自己
整合的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとし
て燐を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原
子／ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域４１０、４１
１、４１２が形成される。（図４（Ｂ））
【００９６】次に、Ｐチャネル型薄膜トランジスタの活
性層４０３を覆うフォトレジストのマスク４１３、およ
び、画素薄膜トランジスタの活性層４０５のうち、ゲイ
ト電極４０９に平行にゲイト電極４０９の端から３μｍ
離れた部分までを覆うフォトレジストのマスク４１４を
形成する。そして、再び、イオンドーピング法によっ
て、活性層４０４、４０５にフォスフィンをドーピング
ガスとして燐を注入する。ドーズ量は１×１０14〜５×
１０15原子／ｃｍ2 とする。この結果、強いＮ型領域
（ソース／ドレイン）４１５、４１６が形成される。画
素薄膜トランジスタの活性層４０５の弱いＮ型領域４１
２のうち、マスク４１４に覆われていた領域４１７は今
回のドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型の
ままとなる。（図４（Ｃ））
性層４０３を覆うフォトレジストのマスク４１３、およ
び、画素薄膜トランジスタの活性層４０５のうち、ゲイ
ト電極４０９に平行にゲイト電極４０９の端から３μｍ
離れた部分までを覆うフォトレジストのマスク４１４を
形成する。そして、再び、イオンドーピング法によっ
て、活性層４０４、４０５にフォスフィンをドーピング
ガスとして燐を注入する。ドーズ量は１×１０14〜５×
１０15原子／ｃｍ2 とする。この結果、強いＮ型領域
（ソース／ドレイン）４１５、４１６が形成される。画
素薄膜トランジスタの活性層４０５の弱いＮ型領域４１
２のうち、マスク４１４に覆われていた領域４１７は今
回のドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型の
ままとなる。（図４（Ｃ））
【００９７】次に、Ｎチャネル型薄膜トランジスタの活
性層４０４、４０５をフォトレジストのマスク４１８で
覆い、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、
イオンドーピング法により、活性層４０３に硼素を注入
する。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2
とする。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図４
（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成さ
れていた弱いＮ型領域４１０は強いＰ型領域４１９に反
転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソー
ス／ドレイン）４１５、４１６、強いＰ型領域（ソース
／ドレイン）４１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）４１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域４１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図４
（Ｄ））
性層４０４、４０５をフォトレジストのマスク４１８で
覆い、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、
イオンドーピング法により、活性層４０３に硼素を注入
する。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2
とする。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図４
（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成さ
れていた弱いＮ型領域４１０は強いＰ型領域４１９に反
転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソー
ス／ドレイン）４１５、４１６、強いＰ型領域（ソース
／ドレイン）４１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）４１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域４１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図４
（Ｄ））
【００９８】その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性を回復させる。その後、全面に層間絶縁物
４２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を
厚さ３０００〜６０００Å形成する。層間絶縁物４２０
は窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜
であってもよい。そして、層間絶縁物４２０をウェット
エッチング法によってエッチングして、ソース／ドレイ
ンにコンタクトホールを形成する。
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性を回復させる。その後、全面に層間絶縁物
４２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を
厚さ３０００〜６０００Å形成する。層間絶縁物４２０
は窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜
であってもよい。そして、層間絶縁物４２０をウェット
エッチング法によってエッチングして、ソース／ドレイ
ンにコンタクトホールを形成する。
【００９９】そして、スパッタ法によって、厚さ２００
０〜６０００Åのチタン膜を形成し、これをエッチング
して、周辺回路の電極・配線４２１、４２２、４２３、
および画素薄膜トランジスタの電極・配線４２４、４２
５を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚
さ１０００〜３０００Åの窒化珪素膜４２６をパッシベ
ーション膜として形成し、これをエッチングして、画素
薄膜トランジスタの電極４２５に達するコンタクトホー
ルを形成する。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５０
０〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜を
エッチングして、画素電極４２７を形成する。このよう
にして、周辺駆動回路領域と、アクティブマトリクス回
路で構成される画素領域とを同一基板上に複数形成し、
多面取りのための素子基板が構成される。（図４
（Ｅ））
０〜６０００Åのチタン膜を形成し、これをエッチング
して、周辺回路の電極・配線４２１、４２２、４２３、
および画素薄膜トランジスタの電極・配線４２４、４２
５を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚
さ１０００〜３０００Åの窒化珪素膜４２６をパッシベ
ーション膜として形成し、これをエッチングして、画素
薄膜トランジスタの電極４２５に達するコンタクトホー
ルを形成する。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５０
０〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜を
エッチングして、画素電極４２７を形成する。このよう
にして、周辺駆動回路領域と、アクティブマトリクス回
路で構成される画素領域とを同一基板上に複数形成し、
多面取りのための素子基板が構成される。（図４
（Ｅ））
【０１００】他方、対向基板は、公知の方法により、ガ
ラス基板上に、カラーフィルタ、平坦化層、対向電極を
積層して作製する。対向基板を構成するガラス基板は、
素子基板と同一の大きさである。カラーフィルターは素
子基板に設けられた画素領域の、各画素に対応してＲ、
Ｇ、Ｂの３色を呈するように設けられる。
ラス基板上に、カラーフィルタ、平坦化層、対向電極を
積層して作製する。対向基板を構成するガラス基板は、
素子基板と同一の大きさである。カラーフィルターは素
子基板に設けられた画素領域の、各画素に対応してＲ、
Ｇ、Ｂの３色を呈するように設けられる。
【０１０１】次に、多面取りパネルの組立工程を以下に
説明する。先ず、配向膜を素子基板及び対向基板に付着
させるために、両基板に公知のポリイミドワニスをフレ
キソ印刷装置によって印刷する。
説明する。先ず、配向膜を素子基板及び対向基板に付着
させるために、両基板に公知のポリイミドワニスをフレ
キソ印刷装置によって印刷する。
【０１０２】そして、素子基板、対向基板を加熱・硬化
させる。その次に、配向膜の付着した各基板表面を毛足
の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等の繊
維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工程を
行う。
させる。その次に、配向膜の付着した各基板表面を毛足
の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等の繊
維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工程を
行う。
【０１０３】そして、素子基板もしくは対向基板のいず
れかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ系等の球のスペ
ーサを散布する。スペーサ散布の方式としては純水・ア
ルコール等の溶媒にスペーサを混ぜて、ガラス基板上に
散布するウェット方式と、溶媒を一切使用せずスペーサ
を散布するドライ方式がある。
れかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ系等の球のスペ
ーサを散布する。スペーサ散布の方式としては純水・ア
ルコール等の溶媒にスペーサを混ぜて、ガラス基板上に
散布するウェット方式と、溶媒を一切使用せずスペーサ
を散布するドライ方式がある。
【０１０４】その次に、素子基板または対向基板の内側
となる面の外周部にシール材を配置する。シール材の材
料としては、エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチル
セルソルブの溶媒に溶かしたものが使用される。シール
材は、スクリーン印刷またはディスペンサー法により基
板上に配置される。
となる面の外周部にシール材を配置する。シール材の材
料としては、エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチル
セルソルブの溶媒に溶かしたものが使用される。シール
材は、スクリーン印刷またはディスペンサー法により基
板上に配置される。
【０１０５】シール材配置後に２枚のガラス基板の貼り
合わせを行う。方法は約１６０℃の高温プレスによっ
て、約３時間で封止材を硬化する加熱硬化方式をとる。
合わせを行う。方法は約１６０℃の高温プレスによっ
て、約３時間で封止材を硬化する加熱硬化方式をとる。
【０１０６】このようにして多面取りパネルが作製され
る。
る。
【０１０７】
【発明の効果】本発明により、真空注入法による液晶材
料の注入工程を実施するに際し、その所要時間を大幅に
短縮できた。
料の注入工程を実施するに際し、その所要時間を大幅に
短縮できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液晶材料の注入工程の例を示す
【図２】 図１のＡ−Ａ’断面を示す図。
【図３】 実施例３で用いる多面取りパネルの構成を示
す図。
す図。
【図４】 素子基板の作製工程を示す図。
【図５】 従来の液晶材料の注入工程を示す図。
１０１ 多面取りパネル １０２ 画素領域 １０３ 周辺駆動回路領域 １０４ シール材 １１０ 注入口 １１１〜１１４ パネル １１５〜１１８ シール開口部 １２１ 真空チャンバー １２２ バルブ １２３ 排気管
Claims (5)
- 【請求項１】複数の液晶パネルを同時に形成するための
一対の基板間に液晶を注入する工程であって、 前記一対の基板間に液晶を注入するための１つの注入口
は、複数の液晶パネルに対して共通に配置されており、 前記１つの注入口から液晶を前記一対の基板間に注入す
ることにより、前記複数の液晶パネルに液晶を注入する
ことを特徴とする液晶装置作製方法。 - 【請求項２】素子基板と対向基板とが、シール材を介し
て対向して配置され、 素子基板上には、１つのパネルとなる画素領域と周辺駆
動回路領域とが複数配置され、 前記シール材が、１つのパネルとなる領域毎に、開口部
を有して前記画素領域と周辺駆動回路領域とを囲うよう
に配置され、 前記各開口部のうち、少なくとも２つは、前記対向基板
および素子基板の周辺部に配置された１つまたは複数の
注入口に通じるように配置された、多面取りパネルを用
い、 真空注入法により、前記多面取りパネルの注入口から、
前記開口部を通って前記シール材が囲う画素領域および
周辺駆動回路領域に液晶材料を注入する工程と、 該工程の後、前記多面取りパネルを、個別のパネルに分
断することを特徴とする液晶装置作製方法。 - 【請求項３】請求項２において、個別のパネルに分断し
たのち、各開口部またはその近傍を封止することを特徴
とする液晶装置作製方法。 - 【請求項４】請求項２において、画素領域１０２と周辺
駆動回路領域１０３が配置された領域側のシール材のコ
ーナー部の少なくとも１つに、所定の大きさの曲率半径
を有せしめることを特徴とする液晶装置作製方法。 - 【請求項５】請求項４において、曲率半径は２ｍｍ以上
であることを特徴とする液晶装置作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09336896A JP3698809B2 (ja) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | 液晶装置作製方法 |
| TW086103128A TW460733B (en) | 1996-03-23 | 1997-03-13 | Method of manufacturing liquid crystal device |
| US08/821,101 US6099672A (en) | 1996-03-23 | 1997-03-20 | Method of manufacturing liquid crystal device |
| KR1019970010271A KR100435347B1 (ko) | 1996-03-23 | 1997-03-21 | 액정장치제작방법및액티브매트릭스형디스플레이장치제작방법 |
| US09/470,102 US6326225B1 (en) | 1996-03-23 | 1999-12-21 | Method of manufacturing liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09336896A JP3698809B2 (ja) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | 液晶装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258240A true JPH09258240A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3698809B2 JP3698809B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=14080361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09336896A Expired - Fee Related JP3698809B2 (ja) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | 液晶装置作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6099672A (ja) |
| JP (1) | JP3698809B2 (ja) |
| KR (1) | KR100435347B1 (ja) |
| TW (1) | TW460733B (ja) |
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