JPH0925576A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
成膜方法および成膜装置Info
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- JPH0925576A JPH0925576A JP17074195A JP17074195A JPH0925576A JP H0925576 A JPH0925576 A JP H0925576A JP 17074195 A JP17074195 A JP 17074195A JP 17074195 A JP17074195 A JP 17074195A JP H0925576 A JPH0925576 A JP H0925576A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 均一な膜の形成。
【解決手段】 Ｍ元素成分を有する粒子の堆積工程
（Ａ）と、酸化性を有する成分の供給工程（Ｂ）と、形
成された膜について透過Ｘ線強度を求めるＸ工程（Ｃ）
と、形成された膜について光透過度を求めるＯ工程
（Ｄ）とを具備し、ＣとＤで得た情報に変動が認められ
ない場合には、Ａの堆積量とＢの供給量をそのまま維持
し、Ｃで得た情報に変動が認められず、Ｄで得た情報に
変動が認められる場合には、これに応じてＢの供給量を
変動させ、Ｄで得た情報に変動が認められず、Ｃで得た
情報に変動が認められる場合には、これに応じてＡの堆
積量を変動させ、ＣとＤで得た情報に変動が認められる
場合には、これに応じてＡの堆積量とＢの供給量を変動
させる、Ｍ元素成分を有する粒子を飛来させ、支持体上
に推積させる成膜方法。
（Ａ）と、酸化性を有する成分の供給工程（Ｂ）と、形
成された膜について透過Ｘ線強度を求めるＸ工程（Ｃ）
と、形成された膜について光透過度を求めるＯ工程
（Ｄ）とを具備し、ＣとＤで得た情報に変動が認められ
ない場合には、Ａの堆積量とＢの供給量をそのまま維持
し、Ｃで得た情報に変動が認められず、Ｄで得た情報に
変動が認められる場合には、これに応じてＢの供給量を
変動させ、Ｄで得た情報に変動が認められず、Ｃで得た
情報に変動が認められる場合には、これに応じてＡの堆
積量を変動させ、ＣとＤで得た情報に変動が認められる
場合には、これに応じてＡの堆積量とＢの供給量を変動
させる、Ｍ元素成分を有する粒子を飛来させ、支持体上
に推積させる成膜方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば磁気記録媒
体の製造方法や製造装置等の成膜技術に関する。
体の製造方法や製造装置等の成膜技術に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されていることは周知の通りであ
る。
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されていることは周知の通りであ
る。
【０００３】すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。特に、蒸着手段により磁性膜を形成
する手段は、スパッタリングによる場合よりも成膜速度
が速いことから好ましいものと言われている。
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。特に、蒸着手段により磁性膜を形成
する手段は、スパッタリングによる場合よりも成膜速度
が速いことから好ましいものと言われている。
【０００４】この蒸着手段による磁気記録媒体の製造装
置は、一般的には、図２のように構成されている。尚、
図２中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロー
ル、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４
は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３７は真空
槽である。すなわち、真空槽３７内を所定の真空度に排
気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５内の磁性
合金３６を蒸発させ、ＰＥＴフィルム３３に磁性合金粒
子を堆積（蒸着）させることによって磁気記録媒体が製
造される。
置は、一般的には、図２のように構成されている。尚、
図２中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロー
ル、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４
は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３７は真空
槽である。すなわち、真空槽３７内を所定の真空度に排
気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５内の磁性
合金３６を蒸発させ、ＰＥＴフィルム３３に磁性合金粒
子を堆積（蒸着）させることによって磁気記録媒体が製
造される。
【０００５】ところで、蒸着によって磁性膜を形成する
に際して重要なことの一つとして、形成される磁性膜の
厚さを均一にすることが挙げられる。すなわち、磁性膜
の厚さが均一でない場合には出力変動が起きる等の問題
が生じる。このようなことから、成膜工程に透過式膜厚
計を設けておき、透過率を計測することにより成膜され
た膜の厚さを求め、この情報を成膜条件に反映させる技
術が提案（特開平６−１５０３０９号公報）されてい
る。
に際して重要なことの一つとして、形成される磁性膜の
厚さを均一にすることが挙げられる。すなわち、磁性膜
の厚さが均一でない場合には出力変動が起きる等の問題
が生じる。このようなことから、成膜工程に透過式膜厚
計を設けておき、透過率を計測することにより成膜され
た膜の厚さを求め、この情報を成膜条件に反映させる技
術が提案（特開平６−１５０３０９号公報）されてい
る。
【０００６】上記提案の技術は、成膜される膜の厚さを
均一に出来る筈のものであった。しかし、本発明者の研
究によれば、透過式膜厚計を用いるのみでは不充分なこ
とが判って来た。すなわち、成膜された磁性膜の組成が
一定である場合には、厚さが同じであれば光透過率も同
じであるが、磁性膜の組成に変動がある場合、例えば酸
化度に変動がある場合には、厚さが同じでも光透過率に
変動が有る。従って、光透過率を測定するのみでは、成
膜される膜の厚さの制御を高精度に行うことが出来な
い。
均一に出来る筈のものであった。しかし、本発明者の研
究によれば、透過式膜厚計を用いるのみでは不充分なこ
とが判って来た。すなわち、成膜された磁性膜の組成が
一定である場合には、厚さが同じであれば光透過率も同
じであるが、磁性膜の組成に変動がある場合、例えば酸
化度に変動がある場合には、厚さが同じでも光透過率に
変動が有る。従って、光透過率を測定するのみでは、成
膜される膜の厚さの制御を高精度に行うことが出来な
い。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような観点からの検
討を鋭意押し進めて行くうちに、形成された膜について
の透過Ｘ線強度と光透過度とを測定すれば、成膜される
膜の厚さの制御を高精度に行えることに気付いた。すな
わち、透過Ｘ線強度の情報より形成された膜の構成成分
の量に関する情報を得ることが出来るから、例えば蒸発
量などの物理量の制御を行うことが出来、又、光透過度
の情報より形成された膜の酸化度に関する情報を得るこ
とが出来るから、これらを組み合わせて制御することで
成膜される膜の厚さを均一なものに出来る。
討を鋭意押し進めて行くうちに、形成された膜について
の透過Ｘ線強度と光透過度とを測定すれば、成膜される
膜の厚さの制御を高精度に行えることに気付いた。すな
わち、透過Ｘ線強度の情報より形成された膜の構成成分
の量に関する情報を得ることが出来るから、例えば蒸発
量などの物理量の制御を行うことが出来、又、光透過度
の情報より形成された膜の酸化度に関する情報を得るこ
とが出来るから、これらを組み合わせて制御することで
成膜される膜の厚さを均一なものに出来る。
【０００８】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、均一な膜を形成する為の技術を提供す
ることを目的とする。この本発明の目的は、Ｍ元素成分
を有する粒子を飛来させ、支持体上に堆積させることに
より膜を形成する方法であって、Ｍ元素成分を有する粒
子を堆積させる工程と、酸化性を有する成分を供給する
工程と、形成された膜について透過Ｘ線強度を求めるＸ
工程と、形成された膜について光透過度を求めるＯ工程
とを具備し、前記Ｘ工程およびＯ工程で得た情報に変動
が認められない場合には、Ｍ元素成分を有する粒子の堆
積量および酸化性を有する成分の供給量をそのまま維持
し、前記Ｘ工程で得た情報に変動が認められず、Ｏ工程
で得た情報に変動が認められる場合には、これに応じて
酸化性を有する成分の供給量を変動させ、前記Ｏ工程で
得た情報に変動が認められず、Ｘ工程で得た情報に変動
が認められる場合には、これに応じてＭ元素成分を有す
る粒子の堆積量を変動させ、前記Ｘ工程およびＯ工程で
得た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ
元素成分を有する粒子の堆積量および酸化性を有する成
分の供給量を変動させることを特徴とする成膜方法によ
って達成される。
れたものであり、均一な膜を形成する為の技術を提供す
ることを目的とする。この本発明の目的は、Ｍ元素成分
を有する粒子を飛来させ、支持体上に堆積させることに
より膜を形成する方法であって、Ｍ元素成分を有する粒
子を堆積させる工程と、酸化性を有する成分を供給する
工程と、形成された膜について透過Ｘ線強度を求めるＸ
工程と、形成された膜について光透過度を求めるＯ工程
とを具備し、前記Ｘ工程およびＯ工程で得た情報に変動
が認められない場合には、Ｍ元素成分を有する粒子の堆
積量および酸化性を有する成分の供給量をそのまま維持
し、前記Ｘ工程で得た情報に変動が認められず、Ｏ工程
で得た情報に変動が認められる場合には、これに応じて
酸化性を有する成分の供給量を変動させ、前記Ｏ工程で
得た情報に変動が認められず、Ｘ工程で得た情報に変動
が認められる場合には、これに応じてＭ元素成分を有す
る粒子の堆積量を変動させ、前記Ｘ工程およびＯ工程で
得た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ
元素成分を有する粒子の堆積量および酸化性を有する成
分の供給量を変動させることを特徴とする成膜方法によ
って達成される。
【０００９】又、Ｍ元素成分を有する粒子を飛来させ、
支持体上に堆積させることにより膜を形成する装置であ
って、Ｍ元素成分を有する粒子を堆積させる手段と、酸
化性を有する成分を供給する手段と、形成された膜につ
いて透過Ｘ線強度を求める透過Ｘ線強度測定手段と、形
成された膜について光透過度を求める光透過度測定手段
と、前記透過Ｘ線強度測定手段および光透過度測定手段
で得た情報に変動が認められない場合には、Ｍ元素成分
を有する粒子の堆積量および酸化性を有する成分の供給
量をそのまま維持し、前記透過Ｘ線強度測定手段で得た
情報に変動が認められず、光透過度測定手段で得た情報
に変動が認められる場合には、これに応じて酸化性を有
する成分の供給量を変動させ、前記光透過度測定手段で
得た情報に変動が認められず、透過Ｘ線強度測定手段で
得た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ
元素成分を有する粒子の堆積量を変動させ、前記透過Ｘ
線強度測定手段および光透過度測定手段で得た情報に変
動が認められる場合には、これに応じてＭ元素成分を有
する粒子の堆積量および酸化性を有する成分の供給量を
変動させる制御手段とを具備することを特徴とする成膜
装置によって達成される。
支持体上に堆積させることにより膜を形成する装置であ
って、Ｍ元素成分を有する粒子を堆積させる手段と、酸
化性を有する成分を供給する手段と、形成された膜につ
いて透過Ｘ線強度を求める透過Ｘ線強度測定手段と、形
成された膜について光透過度を求める光透過度測定手段
と、前記透過Ｘ線強度測定手段および光透過度測定手段
で得た情報に変動が認められない場合には、Ｍ元素成分
を有する粒子の堆積量および酸化性を有する成分の供給
量をそのまま維持し、前記透過Ｘ線強度測定手段で得た
情報に変動が認められず、光透過度測定手段で得た情報
に変動が認められる場合には、これに応じて酸化性を有
する成分の供給量を変動させ、前記光透過度測定手段で
得た情報に変動が認められず、透過Ｘ線強度測定手段で
得た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ
元素成分を有する粒子の堆積量を変動させ、前記透過Ｘ
線強度測定手段および光透過度測定手段で得た情報に変
動が認められる場合には、これに応じてＭ元素成分を有
する粒子の堆積量および酸化性を有する成分の供給量を
変動させる制御手段とを具備することを特徴とする成膜
装置によって達成される。
【００１０】本発明で用いる支持体は、磁性あるいは非
磁性いずれのものでも良いが、一般的には非磁性のもの
である。このような支持体はＰＥＴ等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった有機材料
などが用いられる。尚、支持体の表面には、磁性層（金
属磁性薄膜）の密着性を向上させる為のアンダーコート
層が適宜設けられる。
磁性いずれのものでも良いが、一般的には非磁性のもの
である。このような支持体はＰＥＴ等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった有機材料
などが用いられる。尚、支持体の表面には、磁性層（金
属磁性薄膜）の密着性を向上させる為のアンダーコート
層が適宜設けられる。
【００１１】支持体の一面側に、例えば斜め蒸着手段に
よって磁性薄膜が設けられる。金属磁性薄膜を形成する
磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の
金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡ
ｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。又、Ｆｅ
−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｃ
−Ｏ合金なども用いられる。そして、金属磁性薄膜の成
膜時には酸素などの酸化性ガスが供されていて、金属磁
性薄膜の表面層には酸化膜からなる保護層が形成され
る。
よって磁性薄膜が設けられる。金属磁性薄膜を形成する
磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の
金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡ
ｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。又、Ｆｅ
−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｃ
−Ｏ合金なども用いられる。そして、金属磁性薄膜の成
膜時には酸素などの酸化性ガスが供されていて、金属磁
性薄膜の表面層には酸化膜からなる保護層が形成され
る。
【００１２】金属磁性薄膜を斜め蒸着手段によって成膜
する装置としては、図１に示す蒸着装置を採用すること
が出来る。図１中、１は冷却キャンロール、２ａは非磁
性の支持体３の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側
ロール、４は金属Ｃｏ等の磁性材料５が充填されている
ＭｇＯ製のルツボ、６は遮蔽板、７は酸化性ガス（酸
素）供給ノズル、８は出力が１６ｋＷの電子銃、９は真
空槽である。尚、このような斜め蒸着装置は周知であ
る。
する装置としては、図１に示す蒸着装置を採用すること
が出来る。図１中、１は冷却キャンロール、２ａは非磁
性の支持体３の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側
ロール、４は金属Ｃｏ等の磁性材料５が充填されている
ＭｇＯ製のルツボ、６は遮蔽板、７は酸化性ガス（酸
素）供給ノズル、８は出力が１６ｋＷの電子銃、９は真
空槽である。尚、このような斜め蒸着装置は周知であ
る。
【００１３】１０，１１は発光素子や受光素子（必要に
応じて増幅回路も具備）で構成される光透過度測定手段
であり、光透過度測定手段１０は冷却キャンロール１と
供給側ロール２ａとの間の走行経路（金属磁性薄膜が形
成される前段階）に設けられ、光透過度測定手段１１は
冷却キャンロール１と巻取側ロール２ｂとの間の走行経
路（金属磁性薄膜が形成された後段階）に設けられてい
る。これら光透過度測定手段１０と光透過度測定手段１
１との出力を考慮することにより、支持体３上に形成さ
れた金属磁性薄膜の光透過度を検出できる。
応じて増幅回路も具備）で構成される光透過度測定手段
であり、光透過度測定手段１０は冷却キャンロール１と
供給側ロール２ａとの間の走行経路（金属磁性薄膜が形
成される前段階）に設けられ、光透過度測定手段１１は
冷却キャンロール１と巻取側ロール２ｂとの間の走行経
路（金属磁性薄膜が形成された後段階）に設けられてい
る。これら光透過度測定手段１０と光透過度測定手段１
１との出力を考慮することにより、支持体３上に形成さ
れた金属磁性薄膜の光透過度を検出できる。
【００１４】１２は、冷却キャンロール１と巻取側ロー
ル２ｂとの間の走行経路に設けられた透過Ｘ線強度測定
手段である。これにより、金属磁性薄膜の構成成分量に
関する情報を得ることが出来る。１３が制御手段であ
り、光透過度測定手段１０，１１と透過Ｘ線強度測定手
段１２とからの信号を受けて、電子銃８の出力、遮蔽板
６による遮蔽量及び／又は支持体３の走行速度やノズル
７からの酸素ガス供給量を制御するよう構成されてい
る。すなわち、光透過度や透過Ｘ線強度に変動が認めら
れない場合には、電子銃８の出力、遮蔽板６による遮蔽
量、支持体３の走行速度（いずれもが、金属粒子の堆積
量を調整する因子）、及びノズル７からの酸素ガス供給
量はそのままの状態を維持させ、透過Ｘ線強度に変動が
認められず、光透過度に変動が認められる場合には、こ
れに応じてノズル７からの酸素ガス供給量を調整し、光
透過度に変動が認められず、透過Ｘ線強度に変動が認め
られる場合には、これに応じて電子銃８の出力、遮蔽板
６による遮蔽量及び／又は支持体３の走行速度を調整
し、光透過度、及び透過Ｘ線強度共に変動が認められる
場合には、これに応じてノズル７からの酸素ガス供給
量、及び電子銃８の出力、遮蔽板６による遮蔽量及び／
又は支持体３の走行速度を調整するようになっている。
ル２ｂとの間の走行経路に設けられた透過Ｘ線強度測定
手段である。これにより、金属磁性薄膜の構成成分量に
関する情報を得ることが出来る。１３が制御手段であ
り、光透過度測定手段１０，１１と透過Ｘ線強度測定手
段１２とからの信号を受けて、電子銃８の出力、遮蔽板
６による遮蔽量及び／又は支持体３の走行速度やノズル
７からの酸素ガス供給量を制御するよう構成されてい
る。すなわち、光透過度や透過Ｘ線強度に変動が認めら
れない場合には、電子銃８の出力、遮蔽板６による遮蔽
量、支持体３の走行速度（いずれもが、金属粒子の堆積
量を調整する因子）、及びノズル７からの酸素ガス供給
量はそのままの状態を維持させ、透過Ｘ線強度に変動が
認められず、光透過度に変動が認められる場合には、こ
れに応じてノズル７からの酸素ガス供給量を調整し、光
透過度に変動が認められず、透過Ｘ線強度に変動が認め
られる場合には、これに応じて電子銃８の出力、遮蔽板
６による遮蔽量及び／又は支持体３の走行速度を調整
し、光透過度、及び透過Ｘ線強度共に変動が認められる
場合には、これに応じてノズル７からの酸素ガス供給
量、及び電子銃８の出力、遮蔽板６による遮蔽量及び／
又は支持体３の走行速度を調整するようになっている。
【００１５】上記のように構成させた本発明によれば、
酸化度と磁性金属の堆積量に関する制御を行えるから、
表面酸化を受けた膜の厚さを均一に制御できる。従っ
て、形成された金属磁性膜が均一なものとなるから、出
力変動などが起き難いものであり、バラツキが少なく、
高品質なものを歩留り良く得られる。尚、上記において
は製造されるものが磁気記録媒体の場合で説明している
が、酸化性を有する成分を供給しながら金属粒子を堆積
させる場合であれば如何なるものの場合にも適用され
る。
酸化度と磁性金属の堆積量に関する制御を行えるから、
表面酸化を受けた膜の厚さを均一に制御できる。従っ
て、形成された金属磁性膜が均一なものとなるから、出
力変動などが起き難いものであり、バラツキが少なく、
高品質なものを歩留り良く得られる。尚、上記において
は製造されるものが磁気記録媒体の場合で説明している
が、酸化性を有する成分を供給しながら金属粒子を堆積
させる場合であれば如何なるものの場合にも適用され
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１に示す装置を用いた。すなわ
ち、真空槽９内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば
２．１×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、電子銃
８からの電子ビーム加熱によりルツボ４内の磁性材料
（金属Ｃｏ）５を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール１
に添接されている支持体（ＰＥＴフィルム）３面上に金
属Ｃｏ５の粒子を斜め蒸着させた。尚、蒸着に際して、
ノズル７からの酸素ガス供給量の基準を１２０ｓｃｃｍ
にした。又、支持体３の走行速度は１ｍ／ｍｉｎ（一
定）にした。
ち、真空槽９内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば
２．１×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、電子銃
８からの電子ビーム加熱によりルツボ４内の磁性材料
（金属Ｃｏ）５を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール１
に添接されている支持体（ＰＥＴフィルム）３面上に金
属Ｃｏ５の粒子を斜め蒸着させた。尚、蒸着に際して、
ノズル７からの酸素ガス供給量の基準を１２０ｓｃｃｍ
にした。又、支持体３の走行速度は１ｍ／ｍｉｎ（一
定）にした。
【００１７】このような金属磁性薄膜の形成過程におい
て、光透過度測定手段１０，１１からの信号、及び透過
Ｘ線強度測定手段１２からの信号が制御手段１３に入力
されている。そして、制御手段１３は、光透過度情報や
透過Ｘ線強度情報を受けてノズル７への酸素ガス供給量
の制御（酸素ガス供給量の増減）や電子銃８の出力を制
御（ルツボ４からの金属Ｃｏの蒸発量の増減）する。
て、光透過度測定手段１０，１１からの信号、及び透過
Ｘ線強度測定手段１２からの信号が制御手段１３に入力
されている。そして、制御手段１３は、光透過度情報や
透過Ｘ線強度情報を受けてノズル７への酸素ガス供給量
の制御（酸素ガス供給量の増減）や電子銃８の出力を制
御（ルツボ４からの金属Ｃｏの蒸発量の増減）する。
【００１８】すなわち、光透過度や透過Ｘ線強度に変動
が認められない場合には、電子銃８の出力、及びノズル
７からの酸素ガス供給量はそのままの状態を維持する。
透過Ｘ線強度に変動が認められず、光透過度に変動が認
められる場合には、これに応じてノズル７からの酸素ガ
ス供給量を調整する。例えば、光透過度の増・減に応じ
て、酸素ガス供給量を減・増させる。
が認められない場合には、電子銃８の出力、及びノズル
７からの酸素ガス供給量はそのままの状態を維持する。
透過Ｘ線強度に変動が認められず、光透過度に変動が認
められる場合には、これに応じてノズル７からの酸素ガ
ス供給量を調整する。例えば、光透過度の増・減に応じ
て、酸素ガス供給量を減・増させる。
【００１９】光透過度に変動が認められず、透過Ｘ線強
度に変動が認められる場合には、これに応じて電子銃８
の出力を調整する。例えば、透過Ｘ線強度の増・減に応
じて、電子銃８の出力を減・増させる。光透過度、及び
透過Ｘ線強度共に変動が認められる場合には、これに応
じて電子銃８の出力、及びノズル７からの酸素ガス供給
量を調整する。例えば、光透過度の増、透過Ｘ線強度の
増に応じて、電子銃８の出力を減、かつ、ノズル７から
の酸素ガス供給量を減らし、光透過度の増、透過Ｘ線強
度の減に応じて、電子銃８の出力を増、ノズル７からの
酸素ガス供給量を減らし、光透過度の減、透過Ｘ線強度
の増に応じて、電子銃８の出力を減、かつ、ノズル７か
らの酸素ガス供給量を増し、光透過度の減、透過Ｘ線強
度の減に応じて、電子銃８の出力を増、かつ、ノズル７
からの酸素ガス供給量を増す。
度に変動が認められる場合には、これに応じて電子銃８
の出力を調整する。例えば、透過Ｘ線強度の増・減に応
じて、電子銃８の出力を減・増させる。光透過度、及び
透過Ｘ線強度共に変動が認められる場合には、これに応
じて電子銃８の出力、及びノズル７からの酸素ガス供給
量を調整する。例えば、光透過度の増、透過Ｘ線強度の
増に応じて、電子銃８の出力を減、かつ、ノズル７から
の酸素ガス供給量を減らし、光透過度の増、透過Ｘ線強
度の減に応じて、電子銃８の出力を増、ノズル７からの
酸素ガス供給量を減らし、光透過度の減、透過Ｘ線強度
の増に応じて、電子銃８の出力を減、かつ、ノズル７か
らの酸素ガス供給量を増し、光透過度の減、透過Ｘ線強
度の減に応じて、電子銃８の出力を増、かつ、ノズル７
からの酸素ガス供給量を増す。
【００２０】因みに、１０００ｍの長さの支持体に金属
Ｃｏを２０００Å堆積させた場合のバラツキを再生出力
により調べてみると、出力変動は５％以内であった。こ
れに対して、透過Ｘ線強度測定手段からの情報を制御手
段に入力せず、光透過度測定手段からの信号のみで膜厚
制御を試みた処、出力変動が１０％にも達していた。
Ｃｏを２０００Å堆積させた場合のバラツキを再生出力
により調べてみると、出力変動は５％以内であった。こ
れに対して、透過Ｘ線強度測定手段からの情報を制御手
段に入力せず、光透過度測定手段からの信号のみで膜厚
制御を試みた処、出力変動が１０％にも達していた。
【００２１】これより、本発明の如くにすれば、極めて
高い精度で金属磁性薄膜の膜厚制御が可能となり、高品
質な磁気記録媒体を歩留り良く製造できることが判る。
高い精度で金属磁性薄膜の膜厚制御が可能となり、高品
質な磁気記録媒体を歩留り良く製造できることが判る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、厚さが均一な膜を歩留
り良く成膜できる。
り良く成膜できる。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の製造装置全体の概
略図
略図
【図２】従来の磁気記録媒体の製造装置全体の概略図
１ 冷却キャンロール ２ａ 供給側ロール ２ｂ 巻取側ロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ 磁性材料 ６ 遮蔽板 ７ 酸化性ガス供給ノズル ８ 電子銃 ９ 真空槽 １０，１１ 光透過度測定手段 １２ 透過Ｘ線強度測定手段 １３ 制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｍ元素成分を有する粒子を飛来させ、支
持体上に堆積させることにより膜を形成する方法であっ
て、 Ｍ元素成分を有する粒子を堆積させる工程と、 酸化性を有する成分を供給する工程と、 形成された膜について透過Ｘ線強度を求めるＸ工程と、 形成された膜について光透過度を求めるＯ工程とを具備
し、 前記Ｘ工程およびＯ工程で得た情報に変動が認められな
い場合には、Ｍ元素成分を有する粒子の堆積量および酸
化性を有する成分の供給量をそのまま維持し、 前記Ｘ工程で得た情報に変動が認められず、Ｏ工程で得
た情報に変動が認められる場合には、これに応じて酸化
性を有する成分の供給量を変動させ、 前記Ｏ工程で得た情報に変動が認められず、Ｘ工程で得
た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ元
素成分を有する粒子の堆積量を変動させ、 前記Ｘ工程およびＯ工程で得た情報に変動が認められる
場合には、これに応じてＭ元素成分を有する粒子の堆積
量および酸化性を有する成分の供給量を変動させること
を特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 Ｍ元素成分を有する粒子を飛来させ、支
持体上に堆積させることにより膜を形成する装置であっ
て、 Ｍ元素成分を有する粒子を堆積させる手段と、 酸化性を有する成分を供給する手段と、 形成された膜について透過Ｘ線強度を求める透過Ｘ線強
度測定手段と、 形成された膜について光透過度を求める光透過度測定手
段と、 前記透過Ｘ線強度測定手段および光透過度測定手段で得
た情報に変動が認められない場合には、Ｍ元素成分を有
する粒子の堆積量および酸化性を有する成分の供給量を
そのまま維持し、 前記透過Ｘ線強度測定手段で得た情報に変動が認められ
ず、光透過度測定手段で得た情報に変動が認められる場
合には、これに応じて酸化性を有する成分の供給量を変
動させ、 前記光透過度測定手段で得た情報に変動が認められず、
透過Ｘ線強度測定手段で得た情報に変動が認められる場
合には、これに応じてＭ元素成分を有する粒子の堆積量
を変動させ、 前記透過Ｘ線強度測定手段および光透過度測定手段で得
た情報に変動が認められる場合には、これに応じてＭ元
素成分を有する粒子の堆積量および酸化性を有する成分
の供給量を変動させる制御手段とを具備することを特徴
とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17074195A JPH0925576A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17074195A JPH0925576A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 成膜方法および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925576A true JPH0925576A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15910532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17074195A Pending JPH0925576A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000311334A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の特性評価方法及び磁気記録媒体 |
| CN1080460C (zh) * | 1996-02-05 | 2002-03-06 | 东芝株式会社 | 半导体集成电路器件 |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP17074195A patent/JPH0925576A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1080460C (zh) * | 1996-02-05 | 2002-03-06 | 东芝株式会社 | 半导体集成电路器件 |
| JP2000311334A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の特性評価方法及び磁気記録媒体 |
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