JPH09204631A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09204631A JPH09204631A JP1412896A JP1412896A JPH09204631A JP H09204631 A JPH09204631 A JP H09204631A JP 1412896 A JP1412896 A JP 1412896A JP 1412896 A JP1412896 A JP 1412896A JP H09204631 A JPH09204631 A JP H09204631A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気記録媒体、特にイオンアシストにより形
成された磁性層を有する磁気記録媒体のS/N を向上させ
る。 【解決手段】 支持体上に形成された少なくとも二層の
磁性層を有する磁気記録媒体において、全磁性層のう
ち、支持体から最も遠い第一磁性層をFe−N −O系磁性
層とし、これに隣接する第二磁性層をFe−C −O 系磁性
層とする。
成された磁性層を有する磁気記録媒体のS/N を向上させ
る。 【解決手段】 支持体上に形成された少なくとも二層の
磁性層を有する磁気記録媒体において、全磁性層のう
ち、支持体から最も遠い第一磁性層をFe−N −O系磁性
層とし、これに隣接する第二磁性層をFe−C −O 系磁性
層とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉄、窒素及び酸素
を含む磁性層と、鉄、炭素及び酸素を含む磁性層とを有
する金属薄膜型の磁気記録媒体に関する。
を含む磁性層と、鉄、炭素及び酸素を含む磁性層とを有
する金属薄膜型の磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録媒体、例えば磁気テープには、
非磁性支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに
分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フ
ィルム上に真空中で磁性金属を蒸着する真空蒸着法等を
用いてバインダーを全く含まない金属薄膜の磁性層を非
磁性支持体上に付着させる金属薄膜型テープとがある。
そして、近年の磁気記録は高密度記録化の方向にあり、
金属薄膜型テープは、磁性層にバインダーを含まないこ
とから磁性材料の密度を高められるため、高密度記録に
有望であるとされている。
非磁性支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに
分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フ
ィルム上に真空中で磁性金属を蒸着する真空蒸着法等を
用いてバインダーを全く含まない金属薄膜の磁性層を非
磁性支持体上に付着させる金属薄膜型テープとがある。
そして、近年の磁気記録は高密度記録化の方向にあり、
金属薄膜型テープは、磁性層にバインダーを含まないこ
とから磁性材料の密度を高められるため、高密度記録に
有望であるとされている。
【0003】ところで、真空蒸着法等によって非磁性支
持体上に形成する磁性層用の磁性材料としては、従来で
は、Co系、Co−Ni系、Co−Cr系の強磁性合金が用いられ
ている。しかしながら、Co、Ni、Crは共に価格が高い上
に公害問題も有している。この点、Fe(金属鉄)は、価
格が安く公害の安全性においても問題はないが、高記録
密度に不可欠な保磁力が低く、また、耐蝕性が低いとい
う欠点があり、Co−Ni系、Co−Cr系及びFeに代わる磁性
層用材料が望まれている。加えて、記録密度を上げるた
め、テープとヘッドの接触相対速度は速くなる傾向があ
る。しかしながら現状では、金属薄膜型の磁性層につい
ては十分満足のゆく耐久性が得られていない。
持体上に形成する磁性層用の磁性材料としては、従来で
は、Co系、Co−Ni系、Co−Cr系の強磁性合金が用いられ
ている。しかしながら、Co、Ni、Crは共に価格が高い上
に公害問題も有している。この点、Fe(金属鉄)は、価
格が安く公害の安全性においても問題はないが、高記録
密度に不可欠な保磁力が低く、また、耐蝕性が低いとい
う欠点があり、Co−Ni系、Co−Cr系及びFeに代わる磁性
層用材料が望まれている。加えて、記録密度を上げるた
め、テープとヘッドの接触相対速度は速くなる傾向があ
る。しかしながら現状では、金属薄膜型の磁性層につい
ては十分満足のゆく耐久性が得られていない。
【0004】このような状況から、磁性層を構成する金
属の主体を低価格で環境汚染の心配のないFeとし、耐食
性を有する磁性層を形成するために、Feの蒸着中に酸
素、窒素、二酸化炭素等のガスやこれらの混合ガスをイ
オン化して照射する、いわゆるイオンアシストによる蒸
着法により、Fe−N 系、Fe−C 系、Fe−N −O 系、Fe−
C −O 系、Fe−N −C −O 系の磁性膜を形成することが
試みられている。
属の主体を低価格で環境汚染の心配のないFeとし、耐食
性を有する磁性層を形成するために、Feの蒸着中に酸
素、窒素、二酸化炭素等のガスやこれらの混合ガスをイ
オン化して照射する、いわゆるイオンアシストによる蒸
着法により、Fe−N 系、Fe−C 系、Fe−N −O 系、Fe−
C −O 系、Fe−N −C −O 系の磁性膜を形成することが
試みられている。
【0005】その一方で、Fe系の磁性層を多層構造にし
て S/Nを向上させたり、エラーレイトを減少させたりす
ることも行われている。
て S/Nを向上させたり、エラーレイトを減少させたりす
ることも行われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなイオンアシストにより形成されたFe−C −O 系磁性
層、或いはFe−N −O 系の磁性層は耐久性の向上を主目
的とするものであり、磁気特性については必ずしも十分
な検討がされているとは言いがたい。特に、低ノイズ化
については、十分な性能を有する磁気記録媒体が見いだ
されてない。
うなイオンアシストにより形成されたFe−C −O 系磁性
層、或いはFe−N −O 系の磁性層は耐久性の向上を主目
的とするものであり、磁気特性については必ずしも十分
な検討がされているとは言いがたい。特に、低ノイズ化
については、十分な性能を有する磁気記録媒体が見いだ
されてない。
【0007】従って、本発明の目的は、イオンアシスト
により形成された磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、より低ノイズ化、具体的にはより高いS/N を示す磁
気記録媒体を提供することにある。
により形成された磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、より低ノイズ化、具体的にはより高いS/N を示す磁
気記録媒体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな状況に鑑み、より高いS/N を示す磁気記録媒体を得
るために鋭意研究した結果、支持体上に少なくとも二層
の磁性層をイオンアシストにより形成し、且つ全磁性層
中、支持体から最も遠い磁性層(最表層の磁性層)をFe
−N −O 系磁性層とし、これに隣接する磁性層をFe−C
−O 系磁性層とすることにより、前記の目的を達成でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
うな状況に鑑み、より高いS/N を示す磁気記録媒体を得
るために鋭意研究した結果、支持体上に少なくとも二層
の磁性層をイオンアシストにより形成し、且つ全磁性層
中、支持体から最も遠い磁性層(最表層の磁性層)をFe
−N −O 系磁性層とし、これに隣接する磁性層をFe−C
−O 系磁性層とすることにより、前記の目的を達成でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0009】すなわち本発明は、支持体と、該支持体上
に形成された磁性層を少なくとも二層有する磁気記録媒
体であって、全磁性層のうち前記支持体から最も遠い第
一磁性層が鉄、窒素及び酸素を主成分として含む磁性層
(以下、Fe−N −O 系磁性層という)であり、前記第一
磁性層に隣接する第二磁性層が鉄、炭素及び酸素を主成
分として含む磁性層(以下、Fe−C −O 系磁性層とい
う)であることを特徴とする磁気記録媒体を提供するも
のである。
に形成された磁性層を少なくとも二層有する磁気記録媒
体であって、全磁性層のうち前記支持体から最も遠い第
一磁性層が鉄、窒素及び酸素を主成分として含む磁性層
(以下、Fe−N −O 系磁性層という)であり、前記第一
磁性層に隣接する第二磁性層が鉄、炭素及び酸素を主成
分として含む磁性層(以下、Fe−C −O 系磁性層とい
う)であることを特徴とする磁気記録媒体を提供するも
のである。
【0010】本発明において、「鉄、窒素及び酸素を主
成分とする」「鉄、炭素及び酸素を主成分とする」と
は、その他の元素を含んでいたとしても、その量が微量
であり、本発明所期の効果に影響しない程度の濃度であ
ることを意味する。
成分とする」「鉄、炭素及び酸素を主成分とする」と
は、その他の元素を含んでいたとしても、その量が微量
であり、本発明所期の効果に影響しない程度の濃度であ
ることを意味する。
【0011】本発明の磁気記録媒体は少なくとも二層の
磁性層を有するものであり、そのうち支持体から最も遠
い第一磁性層をFe−N −O 系磁性層とし、第一磁性層に
隣接する第二磁性層がFe−C −O 系磁性層としたことを
特徴とするものである。
磁性層を有するものであり、そのうち支持体から最も遠
い第一磁性層をFe−N −O 系磁性層とし、第一磁性層に
隣接する第二磁性層がFe−C −O 系磁性層としたことを
特徴とするものである。
【0012】第一磁性層中の鉄(Fe)、窒素(N) 及び酸
素(O) の割合は、原子比(%)でFe:N :O =60〜90:
5〜25:5〜25、好ましくは65〜84:7〜20:7〜20で
ある。
素(O) の割合は、原子比(%)でFe:N :O =60〜90:
5〜25:5〜25、好ましくは65〜84:7〜20:7〜20で
ある。
【0013】また、第二磁性層中の鉄(Fe)、炭素(C)
及び酸素(O) の割合は、原子比(%)でFe:C :O =50
〜90:5〜35:5〜25、好ましくは60〜84:7〜25:7
〜25である 本発明の磁気記録媒体では、より磁気エネルギーの高い
Fe−N −O 系磁性層が最表層ととなるように形成されて
いるため、媒体内への磁力線の進入が容易になるため、
ノイズレベルが減少し、S/N が向上するものと考えられ
る。
及び酸素(O) の割合は、原子比(%)でFe:C :O =50
〜90:5〜35:5〜25、好ましくは60〜84:7〜25:7
〜25である 本発明の磁気記録媒体では、より磁気エネルギーの高い
Fe−N −O 系磁性層が最表層ととなるように形成されて
いるため、媒体内への磁力線の進入が容易になるため、
ノイズレベルが減少し、S/N が向上するものと考えられ
る。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体において、
Fe−N −O 系磁性層、Fe−C −O 系は、鉄を蒸着させな
がら窒素イオン又は炭素イオンと、酸素イオンとを供給
する、いわゆるイオンアシスト蒸着法により形成され
る。磁性層を形成するイオンアシスト蒸着法は従来知ら
れている方法により行なうことができる。ただし前記し
たように、本発明では第一磁性層をFe−N −O 系磁性層
により、第二磁性層をFe−C −O系磁性層により形成す
るように、成膜の順序を決める必要がある。
Fe−N −O 系磁性層、Fe−C −O 系は、鉄を蒸着させな
がら窒素イオン又は炭素イオンと、酸素イオンとを供給
する、いわゆるイオンアシスト蒸着法により形成され
る。磁性層を形成するイオンアシスト蒸着法は従来知ら
れている方法により行なうことができる。ただし前記し
たように、本発明では第一磁性層をFe−N −O 系磁性層
により、第二磁性層をFe−C −O系磁性層により形成す
るように、成膜の順序を決める必要がある。
【0015】本発明においては、磁性層を三層以上形成
することができるが、その場合、上記の通り、全磁性層
の最表層である第一磁性層をFe−N −O 系磁性層とし、
これに隣接する第二磁性層をFe−C −O 系磁性層とする
必要がある。第二磁性層の下方に形成する磁性層はイオ
ンアシストにより形成したFe−N −O 系磁性層やFe−C
−O 系であってもよいし、また、別の金属材料、例えば
Co、Co−Ni等からなるものであってもよい。また、支持
体と第二磁性層の間、或いは第一磁性層と第二磁性層の
間に非磁性の中間層を形成してもよい。
することができるが、その場合、上記の通り、全磁性層
の最表層である第一磁性層をFe−N −O 系磁性層とし、
これに隣接する第二磁性層をFe−C −O 系磁性層とする
必要がある。第二磁性層の下方に形成する磁性層はイオ
ンアシストにより形成したFe−N −O 系磁性層やFe−C
−O 系であってもよいし、また、別の金属材料、例えば
Co、Co−Ni等からなるものであってもよい。また、支持
体と第二磁性層の間、或いは第一磁性層と第二磁性層の
間に非磁性の中間層を形成してもよい。
【0016】なお、本発明の磁気記録媒体は、保磁力
(Hc)が1000(Oe)以上であることが好ましく、より好
ましくは1200(Oe)以上である。
(Hc)が1000(Oe)以上であることが好ましく、より好
ましくは1200(Oe)以上である。
【0017】本発明において、磁性層の厚さは限定され
ないが、通常、第一磁性層、第二磁性層とも500 〜2000
Å、その他の磁性層を形成する場合、その厚さは500 〜
2000Å程度である。
ないが、通常、第一磁性層、第二磁性層とも500 〜2000
Å、その他の磁性層を形成する場合、その厚さは500 〜
2000Å程度である。
【0018】本発明の磁気記録媒体の支持体の材料とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートのようなポリエステル;ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体;ポ
リカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
基材の厚さは3〜50μm程度である。
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートのようなポリエステル;ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体;ポ
リカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
基材の厚さは3〜50μm程度である。
【0019】また、磁性層上には、厚さ10〜200 Å程度
の保護層、特にダイヤモンドライクカーボン、グラファ
イト等の炭素薄膜、酸化珪素、炭化珪素等の含珪素薄
膜、酸化ジルコニウム薄膜等からなる保護層を設けるこ
とが望ましい。また、かかる保護層上には、厚さ2〜50
Å程度の潤滑層、特にパーフルオロポリエーテル等のフ
ッ素系潤滑剤からなる潤滑層を形成するのが好ましく、
磁性層が形成される面と反対の面には、更にカーボンブ
ラックを主成分とする厚さ 0.1〜1.0 μm程度のバック
コート層等を設けてもよい。これらの層を形成する原料
は従来公知のものが適宜使用できる。また、バックコー
ト層は、Cu−Al合金等の金属を蒸着させて形成してもよ
い。
の保護層、特にダイヤモンドライクカーボン、グラファ
イト等の炭素薄膜、酸化珪素、炭化珪素等の含珪素薄
膜、酸化ジルコニウム薄膜等からなる保護層を設けるこ
とが望ましい。また、かかる保護層上には、厚さ2〜50
Å程度の潤滑層、特にパーフルオロポリエーテル等のフ
ッ素系潤滑剤からなる潤滑層を形成するのが好ましく、
磁性層が形成される面と反対の面には、更にカーボンブ
ラックを主成分とする厚さ 0.1〜1.0 μm程度のバック
コート層等を設けてもよい。これらの層を形成する原料
は従来公知のものが適宜使用できる。また、バックコー
ト層は、Cu−Al合金等の金属を蒸着させて形成してもよ
い。
【0020】図1に本発明の磁気記録媒体の製造に使用
する斜め蒸着のための真空蒸着装置の一例を示す。図1
において、真空容器1内は、図示しない真空系により真
空状態が維持されている。前記真空容器1は複数のチャ
ンバに画定されており、この装置では第二磁性層(下
層)を形成するチャンバAと第一磁性層(上層)を形成
するチャンバBを有する。真空容器内には、巻出ロール
2と巻取ロール3とが設けられ、巻出ロール2から巻出
されて巻取ロール3に巻取られる間で、PET (ポリエチ
レンテレフタレート)、ポリイミドあるいはアラミド等
で製造される支持体としてのフィルム4は、チャンバA
内に設置された、円筒状のキャンロール5を経てチャン
バB内のキャンロール5’上を走行して移動する。各キ
ャンロールは内部に冷却機構を備えている。また、各キ
ャンロールの下方には、MgO 製のルツボ6,6’が置か
れ、この中に鉄(例えば純度 99.95%のFe)7,7’を
入れ、このルツボ6,6’内のFe面に対して斜め上方の
電子ビーム銃8,8’から電子ビームを照射する。これ
により、Feを加熱気化させるようになっている。Feの蒸
着時には、フィルム4の蒸着面に対して垂直方向にイオ
ンが照射されるようにイオン銃9,9’を配置し、ま
ず、チャンバAのイオン銃9には炭素源となるガス、例
えばメタンガスを供給し炭素イオンを生成させ、また酸
素ガス導入管10から酸素ガスを通気し、フィルム4にFe
を蒸着させることにより、下層のFe−C −O 系磁性層を
形成する。次いで、チャンバBにて同様にして蒸着を行
うが、チャンバBのイオン銃9’には窒素ガスを供給し
窒素イオンを生成させ、また酸素ガス導入管10' から酸
素ガスを通気してフィルム4にFeを蒸着させることによ
り、下層のFe−C −O 系磁性層上に上層のFe−N −O 系
磁性層を形成する。イオン銃9,9’は各イオンの照射
方向を変えることができる。また、イオン銃9に炭素源
となるガスと酸素ガスの混合ガスを供給し炭素イオンと
酸素イオンを生成して、フィルムの蒸着面に炭素イオン
と酸素イオンを照射する方法も可能である。同様にイオ
ン銃9’に窒素ガスと酸素ガスの混合ガスを供給し窒素
イオンと酸素イオンを生成して、フィルムの蒸着面に窒
素イオンと酸素イオンを照射する方法も可能である。図
1中11,11’は、フィルム4への蒸着範囲を規制するた
めの遮蔽板である。また図1のようなチャンバを一つ有
する装置を用いてバッチ式で下層のFe−C−O 系磁性
層、上層のFe−N −O 系磁性層を形成することももちろ
んできる。
する斜め蒸着のための真空蒸着装置の一例を示す。図1
において、真空容器1内は、図示しない真空系により真
空状態が維持されている。前記真空容器1は複数のチャ
ンバに画定されており、この装置では第二磁性層(下
層)を形成するチャンバAと第一磁性層(上層)を形成
するチャンバBを有する。真空容器内には、巻出ロール
2と巻取ロール3とが設けられ、巻出ロール2から巻出
されて巻取ロール3に巻取られる間で、PET (ポリエチ
レンテレフタレート)、ポリイミドあるいはアラミド等
で製造される支持体としてのフィルム4は、チャンバA
内に設置された、円筒状のキャンロール5を経てチャン
バB内のキャンロール5’上を走行して移動する。各キ
ャンロールは内部に冷却機構を備えている。また、各キ
ャンロールの下方には、MgO 製のルツボ6,6’が置か
れ、この中に鉄(例えば純度 99.95%のFe)7,7’を
入れ、このルツボ6,6’内のFe面に対して斜め上方の
電子ビーム銃8,8’から電子ビームを照射する。これ
により、Feを加熱気化させるようになっている。Feの蒸
着時には、フィルム4の蒸着面に対して垂直方向にイオ
ンが照射されるようにイオン銃9,9’を配置し、ま
ず、チャンバAのイオン銃9には炭素源となるガス、例
えばメタンガスを供給し炭素イオンを生成させ、また酸
素ガス導入管10から酸素ガスを通気し、フィルム4にFe
を蒸着させることにより、下層のFe−C −O 系磁性層を
形成する。次いで、チャンバBにて同様にして蒸着を行
うが、チャンバBのイオン銃9’には窒素ガスを供給し
窒素イオンを生成させ、また酸素ガス導入管10' から酸
素ガスを通気してフィルム4にFeを蒸着させることによ
り、下層のFe−C −O 系磁性層上に上層のFe−N −O 系
磁性層を形成する。イオン銃9,9’は各イオンの照射
方向を変えることができる。また、イオン銃9に炭素源
となるガスと酸素ガスの混合ガスを供給し炭素イオンと
酸素イオンを生成して、フィルムの蒸着面に炭素イオン
と酸素イオンを照射する方法も可能である。同様にイオ
ン銃9’に窒素ガスと酸素ガスの混合ガスを供給し窒素
イオンと酸素イオンを生成して、フィルムの蒸着面に窒
素イオンと酸素イオンを照射する方法も可能である。図
1中11,11’は、フィルム4への蒸着範囲を規制するた
めの遮蔽板である。また図1のようなチャンバを一つ有
する装置を用いてバッチ式で下層のFe−C−O 系磁性
層、上層のFe−N −O 系磁性層を形成することももちろ
んできる。
【0021】
【実施例】以下実施例にて本発明を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0022】実施例1 (1) 磁気記録媒体の製造 PET フィルム上に、イオンアシストにより二層の磁性層
を形成し、更に潤滑層及びバックコート層を形成し、磁
気フィルムを製造した。各層の形成条件等は以下の通り
である。図1に示すイオンアシスト斜め蒸着装置に厚さ
6.3μmのPET フィルム4をセットし、毎分2.5 mの速
度で走行させながら、チャンバA内で電子銃8を作動さ
せて(出力15kW)ルツボ6内の鉄7を蒸発させ、PET フ
ィルム4上に鉄粒子を蒸着させると共に、カウフマン型
イオン銃9にメタンガスを供給し(流量30SCCM)、炭素
イオンを生成せしめPET フィルム4の鉄蒸着面に向けて
炭素イオンを照射し、また酸素ガス導入管10より酸素ガ
スを通気(流量10SCCM)させてFe−C −O系の第二磁性
層(下層)を形成した。引き続きチャンバB内で同様に
して第二磁性層上に、第一磁性層(上層)を形成した。
ただし、イオン銃9’には窒素ガスを20SCCMの割合で通
気した。またチャンバB内の電子銃8’の出力は15kW、
酸素ガスの通気量は10SCCMとした。これによりFe−N −
O 系の第一磁性層を形成した。
を形成し、更に潤滑層及びバックコート層を形成し、磁
気フィルムを製造した。各層の形成条件等は以下の通り
である。図1に示すイオンアシスト斜め蒸着装置に厚さ
6.3μmのPET フィルム4をセットし、毎分2.5 mの速
度で走行させながら、チャンバA内で電子銃8を作動さ
せて(出力15kW)ルツボ6内の鉄7を蒸発させ、PET フ
ィルム4上に鉄粒子を蒸着させると共に、カウフマン型
イオン銃9にメタンガスを供給し(流量30SCCM)、炭素
イオンを生成せしめPET フィルム4の鉄蒸着面に向けて
炭素イオンを照射し、また酸素ガス導入管10より酸素ガ
スを通気(流量10SCCM)させてFe−C −O系の第二磁性
層(下層)を形成した。引き続きチャンバB内で同様に
して第二磁性層上に、第一磁性層(上層)を形成した。
ただし、イオン銃9’には窒素ガスを20SCCMの割合で通
気した。またチャンバB内の電子銃8’の出力は15kW、
酸素ガスの通気量は10SCCMとした。これによりFe−N −
O 系の第一磁性層を形成した。
【0023】その後、パーフルオロポリエーテル(FOMBL
IN Z DOL、アウジモント社製)をフッ素系不活性液体
(フロリナート FC-77、住友スリーエム株式会社製)に
0.05重量%となるように希釈、分散させた塗料をダイコ
ーティング方式により、乾燥膜厚が20Åとなるように第
一磁性層上に塗布し、100 ℃で乾燥させて潤滑層を形成
した。また、PET フィルムの磁性層面とは反対の面に、
平均粒径10〜20nmのカーボンブラックをウレタンプレポ
リマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中に分散
させてなるバックコート用の塗料を、ダイコーティング
方式により、乾燥膜厚0.5 μmとなるように塗布し、乾
燥してバックコート層を形成した。上記により、上層及
び下層の磁性層が形成されたフィルムを8mm幅に裁断
し、8mmVTR 用カセットケースに装填して8mmビデオテ
ープを得た。該テープの構成を図2に概略図として示
す。図2中、1は支持体、2はFe−C −O 系の第二磁性
層、3はFe−N −O 系の第一磁性層、4は潤滑剤層、5
はバックコート層である。
IN Z DOL、アウジモント社製)をフッ素系不活性液体
(フロリナート FC-77、住友スリーエム株式会社製)に
0.05重量%となるように希釈、分散させた塗料をダイコ
ーティング方式により、乾燥膜厚が20Åとなるように第
一磁性層上に塗布し、100 ℃で乾燥させて潤滑層を形成
した。また、PET フィルムの磁性層面とは反対の面に、
平均粒径10〜20nmのカーボンブラックをウレタンプレポ
リマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中に分散
させてなるバックコート用の塗料を、ダイコーティング
方式により、乾燥膜厚0.5 μmとなるように塗布し、乾
燥してバックコート層を形成した。上記により、上層及
び下層の磁性層が形成されたフィルムを8mm幅に裁断
し、8mmVTR 用カセットケースに装填して8mmビデオテ
ープを得た。該テープの構成を図2に概略図として示
す。図2中、1は支持体、2はFe−C −O 系の第二磁性
層、3はFe−N −O 系の第一磁性層、4は潤滑剤層、5
はバックコート層である。
【0024】上記により得られた磁気テープは、上層の
Fe−N −O 系磁性層における元素比率は、Fe:N :O =
78:15:7(原子比%)であり、また、下層のFe−C −
O 系磁性層における元素比率は、Fe:C :O =63:21:
16(原子比%)であった。また、該磁気テープの元素の
分布をオージェ電子分光法により分析した結果を図3に
示す。この時のオージェ電子分光法の測定条件は、電子
銃条件は加速電圧は10kV、エミッション電流は10nA、倍
率は2000倍であり、エッチング条件はエッチング用ガス
はアルゴンガスであり、加速電圧は3kV、イオン電流30
0nA であり、この条件下で30秒間毎にエッチングして分
析を行なった。オージェ電子分光分析の結果、下層のFe
−C −O 系磁性層上に、上層のFe−N−O 系磁性層が形
成されていることがわかる。なお、オージェプロファイ
ルのスタート部の炭素原子は、潤滑剤の影響である。
Fe−N −O 系磁性層における元素比率は、Fe:N :O =
78:15:7(原子比%)であり、また、下層のFe−C −
O 系磁性層における元素比率は、Fe:C :O =63:21:
16(原子比%)であった。また、該磁気テープの元素の
分布をオージェ電子分光法により分析した結果を図3に
示す。この時のオージェ電子分光法の測定条件は、電子
銃条件は加速電圧は10kV、エミッション電流は10nA、倍
率は2000倍であり、エッチング条件はエッチング用ガス
はアルゴンガスであり、加速電圧は3kV、イオン電流30
0nA であり、この条件下で30秒間毎にエッチングして分
析を行なった。オージェ電子分光分析の結果、下層のFe
−C −O 系磁性層上に、上層のFe−N−O 系磁性層が形
成されていることがわかる。なお、オージェプロファイ
ルのスタート部の炭素原子は、潤滑剤の影響である。
【0025】(2) 性能評価 上記で得られた8mmビデオテープについて、S/N を以下
の方法で評価した。その結果を表1に示す。また、この
8mmテープの保磁力(Hc)も併せて表1に示す。 <測定方法>市販のHi-8VTR を改造し、これにノイズメ
ーターを接続してS/N を測定した。S/N は比較例1を基
準(0dB)として表した。
の方法で評価した。その結果を表1に示す。また、この
8mmテープの保磁力(Hc)も併せて表1に示す。 <測定方法>市販のHi-8VTR を改造し、これにノイズメ
ーターを接続してS/N を測定した。S/N は比較例1を基
準(0dB)として表した。
【0026】比較例1 実施例1において、チャンバAでの成膜を行わずにチャ
ンバBのみでの成膜を行い、単層のFe−N −O 系磁性層
を形成した。それ以外は実施例1と同様にして磁気フィ
ルムを製造し、実施例1と同様の評価を行なった。その
結果を表1に示す。 比較例2 実施例1において、チャンバBでの成膜を行わずにチャ
ンバAのみでフィルムの走行速度を1.2 m/分にして成
膜を行い、単層のFe−C −O 系磁性層を形成した。それ
以外は実施例1と同様にして磁気フィルムを製造し、実
施例1と同様の評価を行なった。その結果を表1に示
す。
ンバBのみでの成膜を行い、単層のFe−N −O 系磁性層
を形成した。それ以外は実施例1と同様にして磁気フィ
ルムを製造し、実施例1と同様の評価を行なった。その
結果を表1に示す。 比較例2 実施例1において、チャンバBでの成膜を行わずにチャ
ンバAのみでフィルムの走行速度を1.2 m/分にして成
膜を行い、単層のFe−C −O 系磁性層を形成した。それ
以外は実施例1と同様にして磁気フィルムを製造し、実
施例1と同様の評価を行なった。その結果を表1に示
す。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、イオンアシストにより
磁性層が形成された磁気記録媒体のS/N が向上する。
磁性層が形成された磁気記録媒体のS/N が向上する。
【図1】本発明の磁気記録媒体を製造する装置の一例を
示す略図
示す略図
【図2】本発明の磁気記録媒体の構造の一例を示す略図
【図3】実施例1で形成した磁気記録媒体のオージェ電
子分光分析のチャート
子分光分析のチャート
1 真空容器 4 支持体 8,8' 電子ビーム銃 9,9' イオン銃 10,10' 酸素ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層を少なくとも二層有する磁気記録媒体であって、 全磁性層のうち前記支持体から最も遠い第一磁性層が
鉄、窒素及び酸素を主成分として含む磁性層であり、 前記第一磁性層に隣接する第二磁性層が鉄、炭素及び酸
素を主成分として含む磁性層であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項2】 前記第一磁性層中の鉄(Fe)、窒素(N)
及び酸素(O) の割合が原子比(%)でFe:N :O =60〜
90:5〜25:5〜25であり、且つ前記第二磁性層中の鉄
(Fe)、炭素(C) 及び酸素(O) の割合が原子比(%)で
Fe:C :O =50〜90:5〜35:5〜25である請求項1記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 保磁力(Hc)が1000(Oe)以上である請
求項1又は2記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1412896A JPH09204631A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1412896A JPH09204631A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09204631A true JPH09204631A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11852501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1412896A Pending JPH09204631A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09204631A (ja) |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1412896A patent/JPH09204631A/ja active Pending
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