JPH09251981A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09251981A JPH09251981A JP5797096A JP5797096A JPH09251981A JP H09251981 A JPH09251981 A JP H09251981A JP 5797096 A JP5797096 A JP 5797096A JP 5797096 A JP5797096 A JP 5797096A JP H09251981 A JPH09251981 A JP H09251981A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置においてプロセスガスの利用
効率の向上を図る。 【解決手段】 本発明の半導体製造装置は、真空槽１０
１と、真空槽１０１の内部を排気して減圧するターボ分
子ポンプ１０５と、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａ
を更に排気して減圧するドライポンプ１０６と、真空槽
１０１の内部にプロセスガスを供給するガスボンベ１１
１と、ターボ分子ポンプ１０５によって排気されたガス
の一部を、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａから真空
槽１０１の内部へ再循環させる再循環ライン１０７と、
を備える。
効率の向上を図る。 【解決手段】 本発明の半導体製造装置は、真空槽１０
１と、真空槽１０１の内部を排気して減圧するターボ分
子ポンプ１０５と、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａ
を更に排気して減圧するドライポンプ１０６と、真空槽
１０１の内部にプロセスガスを供給するガスボンベ１１
１と、ターボ分子ポンプ１０５によって排気されたガス
の一部を、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａから真空
槽１０１の内部へ再循環させる再循環ライン１０７と、
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、特に、エッチング装置や薄膜堆積装置などの様な、
真空槽内にプロセスガスを導入して基板を処理する半導
体製造装置に関する。
り、特に、エッチング装置や薄膜堆積装置などの様な、
真空槽内にプロセスガスを導入して基板を処理する半導
体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング装置や薄膜堆積装置では、プ
ロセスガスを真空槽内に導入してプラズマ等により分解
し、それにより生成される活性種を用いて基板の処理を
行っている。この真空槽は、内部が一定の真空度に維持
される様に排気装置を用いて減圧排気されているので、
真空槽内に導入されたプロセスガスの内、実際に活性種
となって基板との反応に使用されるガスの割合は１％に
も満たず、大半は反応に使用されずに排気装置によって
外部へ排出されていた。このため、プロセスガスの利用
効率が著しく悪く、生産コストを増加させる一因となっ
ていた。
ロセスガスを真空槽内に導入してプラズマ等により分解
し、それにより生成される活性種を用いて基板の処理を
行っている。この真空槽は、内部が一定の真空度に維持
される様に排気装置を用いて減圧排気されているので、
真空槽内に導入されたプロセスガスの内、実際に活性種
となって基板との反応に使用されるガスの割合は１％に
も満たず、大半は反応に使用されずに排気装置によって
外部へ排出されていた。このため、プロセスガスの利用
効率が著しく悪く、生産コストを増加させる一因となっ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記実情を考
慮してなされたもので、エッチング装置や薄膜堆積装置
など減圧雰囲気下で基板の処理を行う半導体製造装置に
おいて、プロセスガスの利用効率を高めて生産コストを
低減を図ることを目的とする。
慮してなされたもので、エッチング装置や薄膜堆積装置
など減圧雰囲気下で基板の処理を行う半導体製造装置に
おいて、プロセスガスの利用効率を高めて生産コストを
低減を図ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、真空槽と、真空槽の内
部を排気して減圧する排気手段と、真空槽の内部にプロ
セスガスを供給するプロセスガス供給手段と、途中のバ
ルブを備え、前記排気手段によって排気されたガスの一
部を、前記排気手段の排気側から前記真空槽の内部へ再
循環させる再循環ラインと、を備える。
め、本発明の半導体製造装置は、真空槽と、真空槽の内
部を排気して減圧する排気手段と、真空槽の内部にプロ
セスガスを供給するプロセスガス供給手段と、途中のバ
ルブを備え、前記排気手段によって排気されたガスの一
部を、前記排気手段の排気側から前記真空槽の内部へ再
循環させる再循環ラインと、を備える。
【０００５】また、高真空度が要求される半導体製造装
置においては、複数の排気手段を配置して、これらを直
列に接続して真空槽内を減圧排気するが、この様な場合
には、真空槽に直接、接続された第一の排気手段によっ
て排気されたガスの一部を、その後段に接続された第二
の排気装置の手前側から、前記真空槽の内部へ再循環さ
せる様に再循環ラインを設ける。
置においては、複数の排気手段を配置して、これらを直
列に接続して真空槽内を減圧排気するが、この様な場合
には、真空槽に直接、接続された第一の排気手段によっ
て排気されたガスの一部を、その後段に接続された第二
の排気装置の手前側から、前記真空槽の内部へ再循環さ
せる様に再循環ラインを設ける。
【０００６】また、プラズマエッチング装置の様に、排
気されたガスの中に前記活性種と被処理基板との反応に
起因する反応生成物が含まれる場合には、前記再循環ラ
インの途中にフィルタを配置して、再循環されるガスか
らそれらの反応生成物などを除去する。
気されたガスの中に前記活性種と被処理基板との反応に
起因する反応生成物が含まれる場合には、前記再循環ラ
インの途中にフィルタを配置して、再循環されるガスか
らそれらの反応生成物などを除去する。
【０００７】本発明では、真空槽（あるいは処理室）と
排気装置の排気側との間に再循環ラインを設けて、一
旦、真空槽から排気されたプロセスガスを、再び、真空
槽に再循環させることにより、プロセスガスの利用効率
を高めることが可能になり、プロセスガスの使用原単位
を削減することができる。本発明は、特にプラズマを用
いたエッチング装置あるいは薄膜堆積装置などにおい
て、生産コストを低減する効果がある。
排気装置の排気側との間に再循環ラインを設けて、一
旦、真空槽から排気されたプロセスガスを、再び、真空
槽に再循環させることにより、プロセスガスの利用効率
を高めることが可能になり、プロセスガスの使用原単位
を削減することができる。本発明は、特にプラズマを用
いたエッチング装置あるいは薄膜堆積装置などにおい
て、生産コストを低減する効果がある。
【０００８】また、本発明の構成は、プラズマを用いて
排ガスの処理を行う場合にも適用できる、その場合の半
導体製造装置の排ガスを処理する部分の構成は、プラズ
マの発生手段を備えた処理室と、処理室内を排気した減
圧するための排気手段と、処理室内に被処理ガスを導入
する被処理ガス供給手段と、途中にバルブを備え、前記
排気手段によって前記処理室の内部から排気されたガス
の一部を、前記排気手段の排気側から前記処理室の内部
へ再循環させる再循環ラインと、を備える。
排ガスの処理を行う場合にも適用できる、その場合の半
導体製造装置の排ガスを処理する部分の構成は、プラズ
マの発生手段を備えた処理室と、処理室内を排気した減
圧するための排気手段と、処理室内に被処理ガスを導入
する被処理ガス供給手段と、途中にバルブを備え、前記
排気手段によって前記処理室の内部から排気されたガス
の一部を、前記排気手段の排気側から前記処理室の内部
へ再循環させる再循環ラインと、を備える。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に基く半導体製造装
置の実施の形態を、図面を用いて説明する。 （例１）図１は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示すプラズマエッチング装置の概略構成図である。
置の実施の形態を、図面を用いて説明する。 （例１）図１は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示すプラズマエッチング装置の概略構成図である。
【００１０】このプラズマエッチング装置は、真空槽１
０１内に、互いに対向するカソード電極１０２及びアノ
ード電極１０３から構成される平行平板型のプラズマ発
生装置を備え、アノード電極１０３にはプロセスガスを
供給するノズルが組み込まれ、カソード電極１０２上に
が基板１０４がセットされる。アノード電極１０３に組
み込まれたノズルには、流量制御装置１１２を介してプ
ロセスガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続さ
れ、カソード電極には、マッチング回路１１０を介して
高周波電源１０９が接続されている。
０１内に、互いに対向するカソード電極１０２及びアノ
ード電極１０３から構成される平行平板型のプラズマ発
生装置を備え、アノード電極１０３にはプロセスガスを
供給するノズルが組み込まれ、カソード電極１０２上に
が基板１０４がセットされる。アノード電極１０３に組
み込まれたノズルには、流量制御装置１１２を介してプ
ロセスガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続さ
れ、カソード電極には、マッチング回路１１０を介して
高周波電源１０９が接続されている。
【００１１】真空槽１０１にはターボ分子ポンプ１０５
が接続され、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａにはド
ライポンプ１０６が接続されている。更に、この装置で
は、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａと真空槽１０１
との間に再循環ライン１０７が設けられており、再循環
ライン１０７の途中にはバルブ１０８及びフィルタ１１
３が配置されている。
が接続され、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａにはド
ライポンプ１０６が接続されている。更に、この装置で
は、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａと真空槽１０１
との間に再循環ライン１０７が設けられており、再循環
ライン１０７の途中にはバルブ１０８及びフィルタ１１
３が配置されている。
【００１２】真空槽１０１の内部からターボ分子ポンプ
１０５によって排出されたプロセスガスの一部は、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻される。この
再循環されるプロセスガスの割合は、バルブ１０８の開
度により調整される。従って、真空槽１０１内の真空度
は、プロセスガスの供給流量及びバルブ１０８の開度に
より調整される。また、真空槽１０１の内部でプロセス
ガスと被処理基板１０４との反応によって発生した吸着
性の高いエッチング生成物やダスト等は、バイパスライ
ン１０７の途中に配置されたフィルタ１１３によって除
去される。 （例２）図３は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示す薄膜堆積装置の概略構成図である。
１０５によって排出されたプロセスガスの一部は、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻される。この
再循環されるプロセスガスの割合は、バルブ１０８の開
度により調整される。従って、真空槽１０１内の真空度
は、プロセスガスの供給流量及びバルブ１０８の開度に
より調整される。また、真空槽１０１の内部でプロセス
ガスと被処理基板１０４との反応によって発生した吸着
性の高いエッチング生成物やダスト等は、バイパスライ
ン１０７の途中に配置されたフィルタ１１３によって除
去される。 （例２）図３は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示す薄膜堆積装置の概略構成図である。
【００１３】この薄膜堆積装置は、真空槽１０１内に配
置されたカソード電極１０２、及び真空槽１０１の外周
部に沿って配置された誘導結合型アンテナ２０１から構
成される誘導結合型のプラズマ発生装置を備え、基板１
０４がセットされるカソード電極１０２には、マッチン
グ回路１１０を介して高周波電源１０９が接続され、誘
導結合型アンテナ２０１には、マッチング回路２０２を
介して高周波電源２０３が接続されている。
置されたカソード電極１０２、及び真空槽１０１の外周
部に沿って配置された誘導結合型アンテナ２０１から構
成される誘導結合型のプラズマ発生装置を備え、基板１
０４がセットされるカソード電極１０２には、マッチン
グ回路１１０を介して高周波電源１０９が接続され、誘
導結合型アンテナ２０１には、マッチング回路２０２を
介して高周波電源２０３が接続されている。
【００１４】この薄膜堆積装置では、図１に示した例と
同様に、真空槽１０１にはターボ分子ポンプ１０５が接
続され、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａにはドライ
ポンプ１０６が接続されている。更に、この装置では、
ターボ分子ポンプの排気側１０５ａと真空槽１０１との
間に再循環ライン１０７が設けられており、再循環ライ
ン１０７の途中にはバルブ１０８が設置されている。ま
た、真空槽１０１には、流量制御装置１１２を介してプ
ロセスガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続され
ている。
同様に、真空槽１０１にはターボ分子ポンプ１０５が接
続され、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａにはドライ
ポンプ１０６が接続されている。更に、この装置では、
ターボ分子ポンプの排気側１０５ａと真空槽１０１との
間に再循環ライン１０７が設けられており、再循環ライ
ン１０７の途中にはバルブ１０８が設置されている。ま
た、真空槽１０１には、流量制御装置１１２を介してプ
ロセスガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続され
ている。
【００１５】真空槽１０１の内部からターボ分子ポンプ
１０５によって排気されたプロセスガスの一部が、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること、
及び、真空槽１０１内の真空度が、プロセスガスの供給
量及びバルブ１０８の開度によって調整されることは、
図１に示した例と同様である。 （例３）図５は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示す薄膜埴積装置の概略構成図である。
１０５によって排気されたプロセスガスの一部が、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること、
及び、真空槽１０１内の真空度が、プロセスガスの供給
量及びバルブ１０８の開度によって調整されることは、
図１に示した例と同様である。 （例３）図５は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示す薄膜埴積装置の概略構成図である。
【００１６】この薄膜堆積装置は、真空槽１０１内に、
互いに対向するアノード電極３０１及びカソード電極３
０２から構成される平行平板型のプラズマ生成装置を備
え、、基板１０４はアノード３０１の上にセットされ、
カソード電極３０２には、マッチング回路１１０を介し
て高周波電源１０９が接続されている。また、カソード
電極３０２には、プロセスガスを供給するノズルが組み
込まれている。これらのノズルには、流量制御装置１１
２を介してプロセスガスの供給源であるガスボンベ１１
１が接続されている。
互いに対向するアノード電極３０１及びカソード電極３
０２から構成される平行平板型のプラズマ生成装置を備
え、、基板１０４はアノード３０１の上にセットされ、
カソード電極３０２には、マッチング回路１１０を介し
て高周波電源１０９が接続されている。また、カソード
電極３０２には、プロセスガスを供給するノズルが組み
込まれている。これらのノズルには、流量制御装置１１
２を介してプロセスガスの供給源であるガスボンベ１１
１が接続されている。
【００１７】この薄膜堆積装置では、真空槽１０１には
ブースタポンプ３０３が接続され、ブースタポンプ３０
３の排気側３０３ａにはドライポンプ１０６が接続され
ている。更に、ブースタポンプの排気側３０３ａと真空
槽１０１との間に再循環ライン１０７が設けられてお
り、再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０８が設置
されている。
ブースタポンプ３０３が接続され、ブースタポンプ３０
３の排気側３０３ａにはドライポンプ１０６が接続され
ている。更に、ブースタポンプの排気側３０３ａと真空
槽１０１との間に再循環ライン１０７が設けられてお
り、再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０８が設置
されている。
【００１８】真空槽１０１の内部からブースタポンプ３
０３によって排気されたプロセスガスの一部が、再循環
ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること、及
び、真空槽１０１内の真空度が、プロセスガスの供給流
量及びバルブ１０８の開度により調整されることは、図
１あるいは図２に示した例と同様である。 （例４）図７は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示すプラズマエッチング装置の概略構成図である。
０３によって排気されたプロセスガスの一部が、再循環
ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること、及
び、真空槽１０１内の真空度が、プロセスガスの供給流
量及びバルブ１０８の開度により調整されることは、図
１あるいは図２に示した例と同様である。 （例４）図７は、本発明に基く半導体製造装置の一例を
示すプラズマエッチング装置の概略構成図である。
【００１９】このプラズマエッチング装置は、真空槽１
０１内に、互いに対向するカソード電極１０２及びアノ
ード電極１０３から構成される平行平板型のプラズマ発
生装置を備え、カソード電極１０２には基板１０４がセ
ットされ、アノード電極１０３にはプロセスガスを供給
するノズルが組み込まれている。真空槽１０１にはター
ボ分子ポンプ１０５が接続され、ターボ分子ポンプの排
気側１０５ａは、ドライポンプ１０６の吸入側に接続さ
れている。
０１内に、互いに対向するカソード電極１０２及びアノ
ード電極１０３から構成される平行平板型のプラズマ発
生装置を備え、カソード電極１０２には基板１０４がセ
ットされ、アノード電極１０３にはプロセスガスを供給
するノズルが組み込まれている。真空槽１０１にはター
ボ分子ポンプ１０５が接続され、ターボ分子ポンプの排
気側１０５ａは、ドライポンプ１０６の吸入側に接続さ
れている。
【００２０】更に、この装置では、ターボ分子ポンプの
排気側１０５ａとドライポンプ１０６の吸入側の間にバ
ルブ１１６が設けられ、再循環ライン１０７は、このバ
ルブ１１６の上流側と真空槽１０１との間に設けられて
いる。また、再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０
８及びフィルタ１１３が設置されている。この他、カソ
ード電極１０２にはマッチング回路１１０を介して高周
波電源１０９が接続され、アノード電極１０３に組み込
まれたノズルには流量制御装置１１２を介してプロセス
ガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続されてい
る。
排気側１０５ａとドライポンプ１０６の吸入側の間にバ
ルブ１１６が設けられ、再循環ライン１０７は、このバ
ルブ１１６の上流側と真空槽１０１との間に設けられて
いる。また、再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０
８及びフィルタ１１３が設置されている。この他、カソ
ード電極１０２にはマッチング回路１１０を介して高周
波電源１０９が接続され、アノード電極１０３に組み込
まれたノズルには流量制御装置１１２を介してプロセス
ガスの供給源であるガスボンベ１１１が接続されてい
る。
【００２１】真空槽１０１の内部からターボ分子ポンプ
１０５によって排気されたプロセスガスの一部が、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること
は、上記の各例と同様であるが、この装置では、上記の
各例とは異なり、真空槽１０１内の真空度は、プロセス
ガスの供給量、バルブ１０８及びバルブ１１６の開度に
より調整される。
１０５によって排気されたプロセスガスの一部が、再循
環ライン１０７を通って真空槽１０１へ戻されること
は、上記の各例と同様であるが、この装置では、上記の
各例とは異なり、真空槽１０１内の真空度は、プロセス
ガスの供給量、バルブ１０８及びバルブ１１６の開度に
より調整される。
【００２２】以下に、この装置を用いたエッチングの工
程について説明する。先ず、ターボ分子ポンプ１０５と
ドライポンプ１０６とを用いて真空槽１０１内を排気す
る。次に、プロセスガスを真空槽１０１内へ供給して、
真空槽１０１内を所定の真空度に設定する。平行平板型
のプラズマ発生装置を用いてプラズマを発生させると同
時に、プロセスガスの供給流量を、基板との反応によっ
て消費される量に相当する分だけに調整して、ドライポ
ンプ１０６の吸入側のバルブ１１６を閉める。この時、
ターボ分子ポンプ１０５によって排出されたプロセスガ
スは、再循環ライン１０７を通って、再び、真空槽１０
１内に流入する。なお、吸着性の高いエッチング生成物
は、再循環ライン１０７の途中に配置されたフィルタ１
１６によって取り除かれ、真空槽１０１内には流入しな
い。よって、エッチングのプロセス中にドライポンプ１
０６を運転する必要がなくなり、更に、プロセスガスの
消費量も最小限に抑制できる。
程について説明する。先ず、ターボ分子ポンプ１０５と
ドライポンプ１０６とを用いて真空槽１０１内を排気す
る。次に、プロセスガスを真空槽１０１内へ供給して、
真空槽１０１内を所定の真空度に設定する。平行平板型
のプラズマ発生装置を用いてプラズマを発生させると同
時に、プロセスガスの供給流量を、基板との反応によっ
て消費される量に相当する分だけに調整して、ドライポ
ンプ１０６の吸入側のバルブ１１６を閉める。この時、
ターボ分子ポンプ１０５によって排出されたプロセスガ
スは、再循環ライン１０７を通って、再び、真空槽１０
１内に流入する。なお、吸着性の高いエッチング生成物
は、再循環ライン１０７の途中に配置されたフィルタ１
１６によって取り除かれ、真空槽１０１内には流入しな
い。よって、エッチングのプロセス中にドライポンプ１
０６を運転する必要がなくなり、更に、プロセスガスの
消費量も最小限に抑制できる。
【００２３】更に、このフィルタ１１６として触媒作用
のある物質、例えば、Ｐｔ（プラチナ），Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ａｕ（金）などを用いることにより、エッチング
生成物を再分解して、プロセスガスと基板材料とに変換
することができる。この内、プロセスガスは真空槽内に
再び流入するが、基板材料は当該フィルタ１１６により
吸着されて、真空槽内に流入することはない。これによ
り、プロセスガスの消費量を大幅に減少させることが可
能になる。 （例５）図８は本発明の半導体製造装置の一例を示すダ
ウンフローエッチング装置の概略構成図である。
のある物質、例えば、Ｐｔ（プラチナ），Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ａｕ（金）などを用いることにより、エッチング
生成物を再分解して、プロセスガスと基板材料とに変換
することができる。この内、プロセスガスは真空槽内に
再び流入するが、基板材料は当該フィルタ１１６により
吸着されて、真空槽内に流入することはない。これによ
り、プロセスガスの消費量を大幅に減少させることが可
能になる。 （例５）図８は本発明の半導体製造装置の一例を示すダ
ウンフローエッチング装置の概略構成図である。
【００２４】この装置は、放電室８０６と基板処理室８
０８とを備え、両室は石英管８０７を介して接続されて
いる。放電室８０６は、マイクロ波を発生させるキャビ
ティ８０５の中に収容され、キャビティ８０５にはマイ
クロ波電源８０４が接続されている。また、放電室８０
６には、流量制御装置１１２を介してプロセスガスの供
給源であるガスボンベ１１１が接続されている。基板処
理室８０８内には、基板１０４がセットされる試料台８
０２、及び石英管８０７を介して放電室８０６から送ら
れる活性化されたプロセスガスを基板１０４の表面に供
給するシャワーヘッド８０３が配置されている。
０８とを備え、両室は石英管８０７を介して接続されて
いる。放電室８０６は、マイクロ波を発生させるキャビ
ティ８０５の中に収容され、キャビティ８０５にはマイ
クロ波電源８０４が接続されている。また、放電室８０
６には、流量制御装置１１２を介してプロセスガスの供
給源であるガスボンベ１１１が接続されている。基板処
理室８０８内には、基板１０４がセットされる試料台８
０２、及び石英管８０７を介して放電室８０６から送ら
れる活性化されたプロセスガスを基板１０４の表面に供
給するシャワーヘッド８０３が配置されている。
【００２５】基板処理室８０８には、５台のドライポン
プ８０１ａ〜８０１ｅを直列に接続することによって構
成されたルーツポンプ８０１が接続され、この内の３番
目のルーツポンプ８０１ｃの排気側と放電室８０６の入
側８０６ａとが再循環ライン１０７によって接続されて
いる。再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０８及び
フィルタ１１３が配置されている。
プ８０１ａ〜８０１ｅを直列に接続することによって構
成されたルーツポンプ８０１が接続され、この内の３番
目のルーツポンプ８０１ｃの排気側と放電室８０６の入
側８０６ａとが再循環ライン１０７によって接続されて
いる。再循環ライン１０７の途中にはバルブ１０８及び
フィルタ１１３が配置されている。
【００２６】ガスボンベ１１１から流量制御装置１１２
を介して放電室８０６に供給されたプロセスガスは、そ
の外部に配置されたキャビティ８０５で発生するマイク
ロ波によって分解され、活性種が生成される。この活性
種の内、荷電粒子は石英管８０７壁などとの衝突によっ
て消滅するが、ラジカルなどの中性粒子は、石英管８０
７及びシャワーヘッド８０３を通って、そのまま基板処
理室８０８内へ導入され、基板１０４と反応して基板１
０４をエッチングする。放電室８０６で活性種に分解さ
れなかったプロセスガスは、そのまま基板処理室８０８
へ流入して、ルーツポンプ８０１により排気されるが、
その一部は、ルーツポンプ８０１の中段から、再循環ラ
イン１０７を通って、再び、放電室へ戻る。この結果、
プロセスガスの利用効率を高めることができ、生産コス
トを削減する効果がある。 （例６）図９は本発明に基くガス分解処理装置の一例を
示す概略構成図である。
を介して放電室８０６に供給されたプロセスガスは、そ
の外部に配置されたキャビティ８０５で発生するマイク
ロ波によって分解され、活性種が生成される。この活性
種の内、荷電粒子は石英管８０７壁などとの衝突によっ
て消滅するが、ラジカルなどの中性粒子は、石英管８０
７及びシャワーヘッド８０３を通って、そのまま基板処
理室８０８内へ導入され、基板１０４と反応して基板１
０４をエッチングする。放電室８０６で活性種に分解さ
れなかったプロセスガスは、そのまま基板処理室８０８
へ流入して、ルーツポンプ８０１により排気されるが、
その一部は、ルーツポンプ８０１の中段から、再循環ラ
イン１０７を通って、再び、放電室へ戻る。この結果、
プロセスガスの利用効率を高めることができ、生産コス
トを削減する効果がある。 （例６）図９は本発明に基くガス分解処理装置の一例を
示す概略構成図である。
【００２７】この装置は、例４で示したプラズマエッチ
ング装置において、ターボ分子ポンプ１０５の下流側に
配置されたバルブ１０８とドライポンプ１０６との間
に、更に、プラズマを利用したガス分解処理装置を組み
込んだものである。
ング装置において、ターボ分子ポンプ１０５の下流側に
配置されたバルブ１０８とドライポンプ１０６との間
に、更に、プラズマを利用したガス分解処理装置を組み
込んだものである。
【００２８】このガス分解処理装置は、放電室９０１
と、放電室９０１内を排気して減圧するターボ分子ポン
プ１０３と、放電室９０１から排出されたガスの一部を
放電室９０１の上流側に戻す再循環ライン９０２とから
構成されている。放電室９０１の内部にはカソード電極
９０２が配置され、カソード電極９０２はマッチング回
路９１０を介して高周波電源９０９に接続されている。
更に、放電室９０１には、排ガスを解離し、処理が比較
的容易な排ガスに再合成するために必要なガスを供給す
るガスボンベ９１１が、バルブ９１２を介して接続され
ている。
と、放電室９０１内を排気して減圧するターボ分子ポン
プ１０３と、放電室９０１から排出されたガスの一部を
放電室９０１の上流側に戻す再循環ライン９０２とから
構成されている。放電室９０１の内部にはカソード電極
９０２が配置され、カソード電極９０２はマッチング回
路９１０を介して高周波電源９０９に接続されている。
更に、放電室９０１には、排ガスを解離し、処理が比較
的容易な排ガスに再合成するために必要なガスを供給す
るガスボンベ９１１が、バルブ９１２を介して接続され
ている。
【００２９】この放電室９０１では、放電室９０１から
排出された排ガスの一部が、再循環ライン９０７を通っ
て、再び、放電室９０１に再循環されることで、放電室
９０１内で分解される排ガスの割合が増加する。放電室
９０１内では、１〜５００ mTorr の真空度においてプ
ラズマを生成する。例えば、フルオロカーボン系のプロ
セスガスを用いてシリコンや酸化膜をエッチングする際
に排出される四弗化圭素は、この放電室にて解離され、
これに水蒸気あるいは水素を添加する事によって弗酸に
変換される。
排出された排ガスの一部が、再循環ライン９０７を通っ
て、再び、放電室９０１に再循環されることで、放電室
９０１内で分解される排ガスの割合が増加する。放電室
９０１内では、１〜５００ mTorr の真空度においてプ
ラズマを生成する。例えば、フルオロカーボン系のプロ
セスガスを用いてシリコンや酸化膜をエッチングする際
に排出される四弗化圭素は、この放電室にて解離され、
これに水蒸気あるいは水素を添加する事によって弗酸に
変換される。
【００３０】排出ガスを再循環させないときには、弗酸
への変換効率は１０％程度であるが、再循環率を増やす
事によって９０％程度の変換効率を得ることができる。
この様にして、生成された弗酸は、ドライポンプ１０６
から排気された後に、湿式除害装置などの簡易な処理装
置により処理することができる。従来は、ドライポイン
プ１０６の排気側に、多孔質フィルタによる物理吸着式
の除害装置を接続することによって排ガスを処理してい
たので、かなりの処理費用を要していた。
への変換効率は１０％程度であるが、再循環率を増やす
事によって９０％程度の変換効率を得ることができる。
この様にして、生成された弗酸は、ドライポンプ１０６
から排気された後に、湿式除害装置などの簡易な処理装
置により処理することができる。従来は、ドライポイン
プ１０６の排気側に、多孔質フィルタによる物理吸着式
の除害装置を接続することによって排ガスを処理してい
たので、かなりの処理費用を要していた。
【００３１】本発明に基くガス分解処理装置を、エッチ
ング装置などにおいて真空排気系統の途中に配置するこ
とによって、排出される排ガスの大半を、分解処理する
ことが可能になり、後続の工程に配置される除害設備な
どの負担を軽減させることができる。
ング装置などにおいて真空排気系統の途中に配置するこ
とによって、排出される排ガスの大半を、分解処理する
ことが可能になり、後続の工程に配置される除害設備な
どの負担を軽減させることができる。
【００３２】
（実施例１）図１のプラズマエッチング装置を用いて行
った実験の結果を以下に示す。図２は、プロセスガスと
してＣ4 Ｆ8 ／ＣＯガスを使用して、真空槽１０１内の
真空度を３０ mTorr に維持しながら、プロセスガスの
供給量及びバルブ１０３の開度を種々、変化させて、基
板１０４上に形成されている酸化膜のエッチングを行っ
た時に得られたエッチング速度を示す。
った実験の結果を以下に示す。図２は、プロセスガスと
してＣ4 Ｆ8 ／ＣＯガスを使用して、真空槽１０１内の
真空度を３０ mTorr に維持しながら、プロセスガスの
供給量及びバルブ１０３の開度を種々、変化させて、基
板１０４上に形成されている酸化膜のエッチングを行っ
た時に得られたエッチング速度を示す。
【００３３】真空槽１０１内へ供給するＣ4 Ｆ8 ガスの
流量が１０ SCCM で、ＣＯガスの流量が２００ SCCM の
時、バルブ１０３を全閉にした状態で、真空槽１０１内
の真空度は３０ mTorr で、ターボ分子ポンプの排気側
１０５ａの圧力は０．２ Torr であった。また、Ｃ4 Ｆ
8 ガスの流量が５ SCCM で、ＣＯガスの流量が１００SC
CM の時、バルブを４分の１回転開いた状態で、ターボ
分子ポンプの排気側１０５ａの圧力は０．５ Torr とな
り、真空槽１０１内の真空度は３０ mTorr に維持され
た。この条件で、真空槽１０１内の真空度がターボ分子
ポンプの排気側１０５ａの圧力よりも低いので、一旦、
真空槽１０１内より排気されたプロセスガスの一部は、
再循環ライン１０７を通って、再び真空槽１０１内へ戻
る。更に、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量が２ SCCM で、ＣＯガス
の流量が４０ SCCM の時、バルブの開度を２分の１にす
る事により、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａの圧力
は０．８ Torr となり、真空槽１０１内空度は３０ mTo
rr に維持された。上記の各条件の下、酸化膜のエッチ
ング速度は、プロセスガスの供給流量を減少させたにも
かかわらず、ほぼ同程度の値に保つことができた。この
結果、プロセスガスの消費量を減少させることができ、
生産コストの削減に効果があった。 （実施例２）図３の薄膜堆積装置を用いて行った実験結
果を以下に示す。図４は、プロセスガスとしてＴＥＯＳ
／Ｏ2 ガスを使用して、真空槽１０１内の真空度を５ m
Torrに維持しながら、プロセスガスの供給流量及びバル
ブ１０３の開度を種々、変化させて、基板１０４上に酸
化膜の堆積を行った時に得られた堆積速度を示す。
流量が１０ SCCM で、ＣＯガスの流量が２００ SCCM の
時、バルブ１０３を全閉にした状態で、真空槽１０１内
の真空度は３０ mTorr で、ターボ分子ポンプの排気側
１０５ａの圧力は０．２ Torr であった。また、Ｃ4 Ｆ
8 ガスの流量が５ SCCM で、ＣＯガスの流量が１００SC
CM の時、バルブを４分の１回転開いた状態で、ターボ
分子ポンプの排気側１０５ａの圧力は０．５ Torr とな
り、真空槽１０１内の真空度は３０ mTorr に維持され
た。この条件で、真空槽１０１内の真空度がターボ分子
ポンプの排気側１０５ａの圧力よりも低いので、一旦、
真空槽１０１内より排気されたプロセスガスの一部は、
再循環ライン１０７を通って、再び真空槽１０１内へ戻
る。更に、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量が２ SCCM で、ＣＯガス
の流量が４０ SCCM の時、バルブの開度を２分の１にす
る事により、ターボ分子ポンプの排気側１０５ａの圧力
は０．８ Torr となり、真空槽１０１内空度は３０ mTo
rr に維持された。上記の各条件の下、酸化膜のエッチ
ング速度は、プロセスガスの供給流量を減少させたにも
かかわらず、ほぼ同程度の値に保つことができた。この
結果、プロセスガスの消費量を減少させることができ、
生産コストの削減に効果があった。 （実施例２）図３の薄膜堆積装置を用いて行った実験結
果を以下に示す。図４は、プロセスガスとしてＴＥＯＳ
／Ｏ2 ガスを使用して、真空槽１０１内の真空度を５ m
Torrに維持しながら、プロセスガスの供給流量及びバル
ブ１０３の開度を種々、変化させて、基板１０４上に酸
化膜の堆積を行った時に得られた堆積速度を示す。
【００３４】供給されるプロセスガスの流量がそれぞれ
５０／１００ SCCM の時、バルブを全閉にした状態で、
真空槽１０１内の真空度は５ mTorr、ターボ分子ポンプ
の排気側１０５ａの圧力は５０ mTorr であった。ま
た、プロセスガスの供給流量がそれぞれ３０／６０ SCC
M の時、バルブを４分の１回転開けた状態で、ターボ分
子ポンプの排気側１０５ａの圧力は８０ mTorr とな
り、真空槽１０１内の真空度は５ mTorr に維持され
た。この条件で、真空槽１０１内の真空度がターボ分子
ポンプの排気側１０５ａの圧力より低いので、一旦、真
空槽１０１内から排気されたプロセスガスの一部は、バ
ルブ１０８を通って、再び、真空槽１０１内へ戻る。更
に、プロセスガスの供給流量がそれぞれ１０／２０ SCC
M の時、バルブ１０８の開度を２分の１回転とする事に
より、ターボ分子ポンプの排気口１０５ａの圧力は１０
０ mTorr となり、真空槽１０１内の真空度は５ mTorr
に維持された。上記条件の下、酸化膜の堆積速度はプ
ロセスガスの供給流量によらず、ほぼ同程度の値に保つ
ことができた。従って、プロセスガスの消費量を減少さ
せることができ、生産コストの削減に効果があった。 （実施例３）図５の薄膜堆積装置を用いて行った実験結
果を以下に示す。図６は、プロセスガスとしてＳｉＨ4
／Ｏ2 ガスを使用して、真空槽１０１内の真空度を２ T
orrに維持しながら、プロセスガスの供給流量及びバル
ブ１０８の開度を種々、変化させて、基板１０４上に酸
化膜の堆積を行った時に得られた堆積速度を示す。
５０／１００ SCCM の時、バルブを全閉にした状態で、
真空槽１０１内の真空度は５ mTorr、ターボ分子ポンプ
の排気側１０５ａの圧力は５０ mTorr であった。ま
た、プロセスガスの供給流量がそれぞれ３０／６０ SCC
M の時、バルブを４分の１回転開けた状態で、ターボ分
子ポンプの排気側１０５ａの圧力は８０ mTorr とな
り、真空槽１０１内の真空度は５ mTorr に維持され
た。この条件で、真空槽１０１内の真空度がターボ分子
ポンプの排気側１０５ａの圧力より低いので、一旦、真
空槽１０１内から排気されたプロセスガスの一部は、バ
ルブ１０８を通って、再び、真空槽１０１内へ戻る。更
に、プロセスガスの供給流量がそれぞれ１０／２０ SCC
M の時、バルブ１０８の開度を２分の１回転とする事に
より、ターボ分子ポンプの排気口１０５ａの圧力は１０
０ mTorr となり、真空槽１０１内の真空度は５ mTorr
に維持された。上記条件の下、酸化膜の堆積速度はプ
ロセスガスの供給流量によらず、ほぼ同程度の値に保つ
ことができた。従って、プロセスガスの消費量を減少さ
せることができ、生産コストの削減に効果があった。 （実施例３）図５の薄膜堆積装置を用いて行った実験結
果を以下に示す。図６は、プロセスガスとしてＳｉＨ4
／Ｏ2 ガスを使用して、真空槽１０１内の真空度を２ T
orrに維持しながら、プロセスガスの供給流量及びバル
ブ１０８の開度を種々、変化させて、基板１０４上に酸
化膜の堆積を行った時に得られた堆積速度を示す。
【００３５】供給されるプロセスガスの流量がそれぞれ
２０／５０ SCCM の時、バルブ１０８全閉にした状態
で、真空槽１０１内の真空度は２ Torr で、ブースタポ
ンプの排気側３０３ａの圧力は１０ Torr であった。ま
た、プロセスガスの供給流量がそれぞれ１２／３０ SCC
M の時、バルブ１０８を４分の１回転開けた場合に、ブ
ースタポンプの排気側３０３ａの圧力は１５ Torr とな
り、真空槽１０１内の真空度は２ Torr に維持された。
この条件で、真空槽１０１内の真空度がブースタポンプ
の排気側３０３ａの圧力よりも低いので、一旦、排気さ
れたプロセスガスの一部は、バルブ１０８を通って、再
び、真空槽１０１内に戻る。更に、プロセスガスの供給
流量がそれぞれ４／１０ SCCM の時、バルブの開度を２
分の１とすることにより、ブースタポンプの排気側３０
３ａの圧力Ｐは２０ Torr となり、真空槽１０１内の真
空度は２ Torr に維持された。上記条件の下、酸化膜の
堆積速度はプロセスガスの供給流量によらず、ほぼ同程
度の値に保つことができた。従って、プロセスガスの消
費量を減少させることができ、生産コストを削減させる
効果があった。
２０／５０ SCCM の時、バルブ１０８全閉にした状態
で、真空槽１０１内の真空度は２ Torr で、ブースタポ
ンプの排気側３０３ａの圧力は１０ Torr であった。ま
た、プロセスガスの供給流量がそれぞれ１２／３０ SCC
M の時、バルブ１０８を４分の１回転開けた場合に、ブ
ースタポンプの排気側３０３ａの圧力は１５ Torr とな
り、真空槽１０１内の真空度は２ Torr に維持された。
この条件で、真空槽１０１内の真空度がブースタポンプ
の排気側３０３ａの圧力よりも低いので、一旦、排気さ
れたプロセスガスの一部は、バルブ１０８を通って、再
び、真空槽１０１内に戻る。更に、プロセスガスの供給
流量がそれぞれ４／１０ SCCM の時、バルブの開度を２
分の１とすることにより、ブースタポンプの排気側３０
３ａの圧力Ｐは２０ Torr となり、真空槽１０１内の真
空度は２ Torr に維持された。上記条件の下、酸化膜の
堆積速度はプロセスガスの供給流量によらず、ほぼ同程
度の値に保つことができた。従って、プロセスガスの消
費量を減少させることができ、生産コストを削減させる
効果があった。
【００３６】
【発明の効果】本発明に基く半導体製造装置によれば、
真空槽内から排出されるプロセスガスの一部を、真空槽
内へ再循環させることによって、プロセスガスの利用効
率を高める事ができるので、プロセスガスの消費量を減
少させて、生産コストの削減に効果がある。
真空槽内から排出されるプロセスガスの一部を、真空槽
内へ再循環させることによって、プロセスガスの利用効
率を高める事ができるので、プロセスガスの消費量を減
少させて、生産コストの削減に効果がある。
【００３７】また、本発明に基くガス分解処理装置によ
れば、半導体製造装置などから排出されるプロセスガス
のかなりの部分を、真空槽から排気された直後の減圧状
態のまま、プラズマ等を用いて比較的、容易に分解処理
することができるので、後続の工程に配置される除害装
置などの負担を軽減させることができ、全体的な装置の
建設コスト及びランニングコストを削減することができ
る。
れば、半導体製造装置などから排出されるプロセスガス
のかなりの部分を、真空槽から排気された直後の減圧状
態のまま、プラズマ等を用いて比較的、容易に分解処理
することができるので、後続の工程に配置される除害装
置などの負担を軽減させることができ、全体的な装置の
建設コスト及びランニングコストを削減することができ
る。
【図１】本発明に基くプラズマエッチング装置の一例を
示す概略構成図。
示す概略構成図。
【図２】図１に示すプラズマエッチング装置において、
プロセスガスの供給流量とエッチング速度との関係を示
す図。
プロセスガスの供給流量とエッチング速度との関係を示
す図。
【図３】本発明に基く薄膜堆積装置の一例を示す概略構
成図。
成図。
【図４】図３に示す薄膜堆積装置装置において、プロセ
スガスの供給流量と薄膜の滞積速度との関係を示す図。
スガスの供給流量と薄膜の滞積速度との関係を示す図。
【図５】本発明に基く薄膜堆積装置の一例を示す概略構
成図。
成図。
【図６】図５に示す薄膜堆積装置装置において、プロセ
スガスの供給流量と薄膜の滞積速度との関係を示す図。
スガスの供給流量と薄膜の滞積速度との関係を示す図。
【図７】本発明に基くプラズマエッチング装置の一例を
示す概略構成図。
示す概略構成図。
【図８】本発明に基くダウンフローエッチング装置の一
例を示す概略構成図。
例を示す概略構成図。
【図９】本発明に基くガス分解処理装置の一例を示す概
略構成図。
略構成図。
１０１・・・真空槽、１０２・・・カソード電極、１０
３・・・アノード電極、１０４・・・基板、１０５・・
・ターボ分子ポンプ、１０６・・・ドライポンプ、１０
７・・・再循環ライン、１０８・・・バルブ、１０９・
・・高周波電源、１１０・・・マッチング回路、１１１
・・・ガスボンベ、１１２・・・流量制御装置、１１３
・・・フィルタ、１１６・・・バルブ、２０１・・・誘
導結合型アンテナ、２０２・・・マッチング回路、２０
３・・・高周波電源、３０１・・・アノード電極、３０
２・・・カソード電極、３０３・・・ブースタポンプ、
８０１・・・ルーツポンプ、８０２・・・試料台、８０
３・・・シャワーヘッド、８０４・・・マイクロ波電
源、８０５・・・キャビティ、８０６・・・放電室、８
０７・・・石英管、８０８・・・試料処理室、９０１・
・・放電室、９０２・・・カソード電極、９０５・・・
ターボ分子ポンプ、９０７・・・再循環ライン、９０８
・・・バルブ、９０９・・・高周波電源、９１０・・・
マッチング回路、９１１・・・ガスボンベ、９１２・・
・バルブ。
３・・・アノード電極、１０４・・・基板、１０５・・
・ターボ分子ポンプ、１０６・・・ドライポンプ、１０
７・・・再循環ライン、１０８・・・バルブ、１０９・
・・高周波電源、１１０・・・マッチング回路、１１１
・・・ガスボンベ、１１２・・・流量制御装置、１１３
・・・フィルタ、１１６・・・バルブ、２０１・・・誘
導結合型アンテナ、２０２・・・マッチング回路、２０
３・・・高周波電源、３０１・・・アノード電極、３０
２・・・カソード電極、３０３・・・ブースタポンプ、
８０１・・・ルーツポンプ、８０２・・・試料台、８０
３・・・シャワーヘッド、８０４・・・マイクロ波電
源、８０５・・・キャビティ、８０６・・・放電室、８
０７・・・石英管、８０８・・・試料処理室、９０１・
・・放電室、９０２・・・カソード電極、９０５・・・
ターボ分子ポンプ、９０７・・・再循環ライン、９０８
・・・バルブ、９０９・・・高周波電源、９１０・・・
マッチング回路、９１１・・・ガスボンベ、９１２・・
・バルブ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (4)
- 【請求項１】 真空槽と、 真空槽の内部を排気して減圧する排気手段と、 真空槽の内部にプロセスガスを供給するプロセスガス供
給手段と、 途中にバルブを備え、前記排気手段によって排気された
ガスの一部を、前記排気手段の排気側から前記真空槽の
内部へ再循環させる再循環ラインと、 を備えた半導体製造装置。 - 【請求項２】 真空槽と、 真空槽の内部を排気して減圧する第一の排気手段と、 第一の排気装置の排気側を更に排気して減圧する第二の
排気手段と、 真空槽の内部にプロセスガスを供給するプロセスガス供
給手段と、 途中にバルブを備え、前記第一の排気手段によって排気
されたガスの一部を、前記第一の排気手段の排気側から
前記真空槽の内部へ再循環させる再循環ラインと、 を備えた半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記真空槽は、内部にプラズマの発生手
段を備えていることを特徴とする請求項１あるいは２に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記再循環ラインの途中に、前記真空槽
の内部で生成された反応生成物を除去するフィルタを備
えていることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5797096A JPH09251981A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5797096A JPH09251981A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251981A true JPH09251981A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13070880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5797096A Pending JPH09251981A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251981A (ja) |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028023A1 (fr) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Nippon Sanso Corporation | Procede et appareil de recuperation de gaz rare |
| JP2002097007A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Nippon Sanso Corp | 希ガスの回収方法及び装置 |
| WO2002019391A3 (en) * | 2000-08-28 | 2002-06-13 | Reflectivity Inc | Apparatus and method for floe of process gas in an ultra-clean environment |
| US6454524B1 (en) | 1998-07-21 | 2002-09-24 | Seiko Instruments Inc. | Vacuum pump and vacuum apparatus |
| EP1243667A3 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-02 | Ebara Corporation | Gas recirculation flow control method and apparatus for use in vacuum system for semiconductor manufacture |
| WO2003005427A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement et procede de nettoyage |
| GB2381764A (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-14 | Farleydene Ltd | Autoclave suitable for heat treating parts |
| WO2003047731A1 (fr) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Nippon Sanso Corporation | Procede et systeme d'alimentation en gaz |
| US6689699B2 (en) | 2000-09-21 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device using recirculation of a process gas |
| US6817377B1 (en) | 1998-12-23 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
| US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6863019B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
| JP2005109383A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置用排気配管および半導体製造装置 |
| EP1541709A1 (fr) * | 2003-12-09 | 2005-06-15 | Alcatel | Arrangement pour le contrôle du flux d'agents de nettoyage dans un dispositif de recirculation |
| US6913942B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
| US6938638B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas circulating-processing apparatus |
| US6942811B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-13 | Reflectivity, Inc | Method for achieving improved selectivity in an etching process |
| US6960305B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
| US6972891B2 (en) | 2003-07-24 | 2005-12-06 | Reflectivity, Inc | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
| US6980347B2 (en) | 2003-07-03 | 2005-12-27 | Reflectivity, Inc | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
| US7019376B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-03-28 | Reflectivity, Inc | Micromirror array device with a small pitch size |
| US7027200B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
| US7041224B2 (en) | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
| US7182879B2 (en) | 2000-06-12 | 2007-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing method |
| US7189332B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch |
| KR100733237B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2007-06-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 |
| JP2007231406A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Daido Steel Co Ltd | 真空浸炭装置 |
| US7645704B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures |
| US8277560B2 (en) * | 2002-03-27 | 2012-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | CVD apparatus and method of cleaning the CVD apparatus |
| JP2013194253A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2020005491A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafers |
| US10648075B2 (en) * | 2015-03-23 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP5797096A patent/JPH09251981A/ja active Pending
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217633B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-04-17 | Nippon Sanso Corporation | Method and apparatus for recovering rare gas |
| WO1999028023A1 (fr) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Nippon Sanso Corporation | Procede et appareil de recuperation de gaz rare |
| KR100370776B1 (ko) * | 1997-12-01 | 2003-02-05 | 닛폰산소 가부시키가이샤 | 희가스의 회수방법 및 장치 |
| US6454524B1 (en) | 1998-07-21 | 2002-09-24 | Seiko Instruments Inc. | Vacuum pump and vacuum apparatus |
| US6817377B1 (en) | 1998-12-23 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
| US7077159B1 (en) | 1998-12-23 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
| US7628931B2 (en) | 1999-10-13 | 2009-12-08 | Tokyo Electron Limited | Processing method for conservation of processing gases |
| KR100733237B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2007-06-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 |
| US7041224B2 (en) | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
| US6960305B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
| US6949202B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc | Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment |
| US6942811B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-13 | Reflectivity, Inc | Method for achieving improved selectivity in an etching process |
| US7182879B2 (en) | 2000-06-12 | 2007-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing method |
| US6863019B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
| US7019376B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-03-28 | Reflectivity, Inc | Micromirror array device with a small pitch size |
| WO2002019391A3 (en) * | 2000-08-28 | 2002-06-13 | Reflectivity Inc | Apparatus and method for floe of process gas in an ultra-clean environment |
| US6689699B2 (en) | 2000-09-21 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device using recirculation of a process gas |
| JP2002097007A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Nippon Sanso Corp | 希ガスの回収方法及び装置 |
| US6938638B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas circulating-processing apparatus |
| US6782907B2 (en) | 2001-03-22 | 2004-08-31 | Ebara Corporation | Gas recirculation flow control method and apparatus for use in vacuum system |
| EP1243667A3 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-02 | Ebara Corporation | Gas recirculation flow control method and apparatus for use in vacuum system for semiconductor manufacture |
| WO2003005427A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement et procede de nettoyage |
| US7189332B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch |
| GB2381764A (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-14 | Farleydene Ltd | Autoclave suitable for heat treating parts |
| US6872918B2 (en) | 2001-11-08 | 2005-03-29 | Aeroform Group Plc | Multiple zone autoclaves |
| US7258725B2 (en) | 2001-12-04 | 2007-08-21 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Gas supplying method and system |
| WO2003047731A1 (fr) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Nippon Sanso Corporation | Procede et systeme d'alimentation en gaz |
| US7027200B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
| US8277560B2 (en) * | 2002-03-27 | 2012-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | CVD apparatus and method of cleaning the CVD apparatus |
| US6913942B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
| US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6980347B2 (en) | 2003-07-03 | 2005-12-27 | Reflectivity, Inc | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
| US6972891B2 (en) | 2003-07-24 | 2005-12-06 | Reflectivity, Inc | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
| US7002726B2 (en) | 2003-07-24 | 2006-02-21 | Reflectivity, Inc. | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
| US7645704B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures |
| JP2005109383A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置用排気配管および半導体製造装置 |
| EP1541709A1 (fr) * | 2003-12-09 | 2005-06-15 | Alcatel | Arrangement pour le contrôle du flux d'agents de nettoyage dans un dispositif de recirculation |
| JP2007231406A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Daido Steel Co Ltd | 真空浸炭装置 |
| JP2013194253A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| US10648075B2 (en) * | 2015-03-23 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
| US11639545B2 (en) | 2015-03-23 | 2023-05-02 | Goodrich Corporation | Methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
| WO2020005491A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafers |
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