JPH09246186A - Semiconductor wafer processor - Google Patents
Semiconductor wafer processorInfo
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- JPH09246186A JPH09246186A JP4586696A JP4586696A JPH09246186A JP H09246186 A JPH09246186 A JP H09246186A JP 4586696 A JP4586696 A JP 4586696A JP 4586696 A JP4586696 A JP 4586696A JP H09246186 A JPH09246186 A JP H09246186A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング装
置、エッチング装置等の半導体ウエハ処理装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus such as a sputtering apparatus and an etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】素子の微細化にともない、トランジスタ
の拡散層はますます浅い接合になっている。いわゆる、
拡散層のシャロー化が進んでいる。一方、ゲート線幅は
縮小化しているので、拡散層の深さを浅くしないとショ
ートチャネル効果が増大して、ソース・ドレイン耐圧が
劣化する。例えばゲート線幅が０．２５μｍのトランジ
スタに対しては拡散層の深さを０．０８μｍ程度に浅く
する必要がある。2. Description of the Related Art With the miniaturization of devices, the diffusion layers of transistors are becoming shallower and shallower. So-called,
The diffusion layer is becoming shallower. On the other hand, since the gate line width is reduced, the short channel effect is increased unless the depth of the diffusion layer is made shallow, and the source / drain breakdown voltage deteriorates. For example, for a transistor having a gate line width of 0.25 μm, it is necessary to make the depth of the diffusion layer as shallow as 0.08 μm.
【０００３】そして拡散層のいわゆるシャロー化にとも
ない、トランジスタのソース・ドレイン領域のシート抵
抗は増大している。その結果、素子の応答速度が劣化す
るという問題が発生している。いまゲート遅延時間をτ
pdとすると、動作周波数ｆは１／τpdに関係する。その
ため、応答速度が劣化すると動作周波数の向上は望めな
い。これは、特に高速動作を要求されるマイクロプロセ
ッサユニット（ＭＰＵ）には不利になる。その対策とし
て、ソース・ドレイン領域上のみに選択的に低抵抗なチ
タンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）を形成する方法がある。With the so-called shallowing of the diffusion layer, the sheet resistance of the source / drain region of the transistor is increasing. As a result, there is a problem that the response speed of the element is deteriorated. Now the gate delay time is τ
If pd, the operating frequency f is related to 1 / τpd. Therefore, if the response speed deteriorates, the operating frequency cannot be improved. This is especially disadvantageous for a microprocessor unit (MPU) that requires high-speed operation. As a countermeasure, there is a method of selectively forming low resistance titanium silicide (TiSi 2 ) only on the source / drain regions.
【０００４】チタンシリサイドは狭い領域では凝集を起
こしやすいため、結果としてシート抵抗の低減化は望め
ない。ここで、チタンシリサイドの凝集を機構的に説明
する。チタンシリサイドには、二つの結晶相がある。一
つは高い抵抗を有するＣ４９結晶であり、もう一つは低
い抵抗を有するＣ５４結晶である。一般的に、Ｃ５４結
晶は、サリサイド（ＳＡＬＩＣＩＤ）形成時における２
段階の熱処理を経て形成される。第１段階の熱処理で絶
縁膜とは反応しない比較的低温度でチタン（Ｔｉ）とシ
リコン（Ｓｉ）とを反応させ、その後未反応なチタン
（Ｔｉ）を除去する。そして比較的高温度の熱処理を施
すことによって、低抵抗なチタンシリサイドを形成す
る。この第１段階の熱処理でＣ４９結晶のチタンシリサ
イドを形成し、次にＣ５４結晶相を形成している。とこ
ろが、細い領域ではＣ４９結晶相からＣ５４結晶相に相
変化を起こさない。このため、第２段階の熱処理時に高
抵抗のＣ４９結晶の凝集が生じる。また、拡散層のシャ
ロー化にともない、形成するサリサイドの薄膜化が必要
になる。しかし、薄膜化すると、形成するチタンシリサ
イドは凝集し、一層、狭い部分でのサリサイドのシート
抵抗の低減化は難しくなる。Titanium silicide is apt to aggregate in a narrow region, and as a result, reduction in sheet resistance cannot be expected. Here, the aggregation of titanium silicide will be mechanically described. Titanium silicide has two crystal phases. One is a high resistance C49 crystal and the other is a low resistance C54 crystal. In general, C54 crystals are 2% when forming salicide (SALICID).
It is formed through a stepwise heat treatment. In the first-stage heat treatment, titanium (Ti) and silicon (Si) are reacted at a relatively low temperature that does not react with the insulating film, and then unreacted titanium (Ti) is removed. Then, by performing heat treatment at a relatively high temperature, low resistance titanium silicide is formed. By this first stage heat treatment, titanium silicide of C49 crystal is formed, and then C54 crystal phase is formed. However, in the narrow region, no phase change occurs from the C49 crystal phase to the C54 crystal phase. For this reason, high-resistance C49 crystals aggregate during the second-stage heat treatment. Further, as the diffusion layer is made shallower, it is necessary to reduce the thickness of the salicide to be formed. However, when the film is thinned, the titanium silicide formed is aggregated, and it becomes more difficult to further reduce the sheet resistance of salicide in a narrow portion.
【０００５】そこで、コバルトシリサイド（ＣｏＳ
ｉ2 ）を形成するサリサイド技術が注目されている。コ
バルトシリサイドは、上記のチタンシリサイドのように
二つの相を有していないため、第２段階の熱処理を施し
ても凝集は発生しない。Therefore, cobalt silicide (CoS
The salicide technique for forming i 2 ) has received attention. Unlike the above-mentioned titanium silicide, cobalt silicide does not have two phases, and therefore agglomeration does not occur even if the second stage heat treatment is performed.
【０００６】ここで、コバルト膜の成膜装置として、従
来のスパッタリング装置を図１０の概略構成図によって
説明する。Here, a conventional sputtering apparatus as a cobalt film forming apparatus will be described with reference to the schematic diagram of FIG.
【０００７】図１０に示すように、スパッタリング装置
２０１には処理室２１１が備えられている。この処理室
２１１の内部には、例えば処理室２１１の天井側にスパ
ッタ源となるターゲット２１２が例えばホルダー２１３
を介して設置され、このターゲット２１２に対向する位
置でこの処理室２１１の底部側にはウエハ保持部２１４
が設置されている。また上記ウエハ保持部２１４上には
ウエハ２５１が保持される。ここでは、一例として、タ
ーゲット２１２が陰極になり、ウエハ保持部２１４が陽
極になっている。ここではウエハ保持部２１４の設置形
態の図示はしていないが、例えば、処理室２１１の底部
側より昇降自在かつ回動自在に垂設した駆動軸の先端部
に設置される。As shown in FIG. 10, the sputtering apparatus 201 is provided with a processing chamber 211. Inside the processing chamber 211, for example, a target 212 serving as a sputtering source is provided on the ceiling side of the processing chamber 211, for example, a holder 213.
The wafer holding unit 214 is installed on the bottom side of the processing chamber 211 at a position facing the target 212.
Is installed. A wafer 251 is held on the wafer holder 214. Here, as an example, the target 212 serves as a cathode and the wafer holding part 214 serves as an anode. Although the mounting form of the wafer holding unit 214 is not shown here, for example, the wafer holding unit 214 is installed at the tip of a drive shaft vertically rotatably and rotatably provided from the bottom side of the processing chamber 211.
【０００８】さらに上記処理室２１１には、スパッタガ
スを導入するためのガス導入部２２１と処理室２１１の
内部雰囲気の圧力を所定の値に保ために処理室２１１の
内部のガスを排出するガス排出部２２２とが接続されて
いる。Further, in the processing chamber 211, a gas introducing portion 221 for introducing the sputtering gas and a gas for discharging the gas inside the processing chamber 211 in order to keep the pressure of the internal atmosphere of the processing chamber 211 at a predetermined value. The discharge part 222 is connected.
【０００９】次いで、コバルトシリサイドを用いた従来
のＭＩＳ（Metal Insulator semiconductor ）トランジ
スタプロセスの一例を、図１１の製造工程図によって説
明する。Next, an example of a conventional MIS (Metal Insulator semiconductor) transistor process using cobalt silicide will be described with reference to the manufacturing process chart of FIG.
【００１０】図１１の（１）に示すように、半導体基板
（半導体ウエハ）３１１に素子分離領域３１２を形成す
る。次いで半導体基板３１１にゲート絶縁膜３１３を形
成し、さらにゲート配線３１４を形成する。そしてゲー
ト配線３１４の両側の半導体基板３１１にＬＤＤ（Ligh
tly Doped Drain ）領域３１５，３１６を形成した後、
ゲート配線３１４の側壁にサイドウォール絶縁膜３１
７，３１８を形成する。さらにイオン注入法によって、
導電型不純物を半導体基板３１１に導入した後、活性化
熱処理をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing ）によって
行い、ゲート配線３１４の両側の半導体基板３１１にソ
ース・ドレイン領域３１９，３２０を形成する。このよ
うにしてＭＩＳトランジスタ３０１を形成する。As shown in FIG. 11A, an element isolation region 312 is formed in a semiconductor substrate (semiconductor wafer) 311. Next, a gate insulating film 313 is formed on the semiconductor substrate 311, and a gate wiring 314 is further formed. Then, LDD (Ligh) is formed on the semiconductor substrate 311 on both sides of the gate wiring 314.
tly Doped Drain) After forming the regions 315 and 316,
The sidewall insulating film 31 is formed on the sidewall of the gate wiring 314.
7, 318 are formed. Furthermore, by the ion implantation method,
After introducing conductive impurities into the semiconductor substrate 311, activation heat treatment is performed by RTA (Rapid Thermal Annealing) to form the source / drain regions 319 and 320 in the semiconductor substrate 311 on both sides of the gate wiring 314. In this way, the MIS transistor 301 is formed.
【００１１】次いで図１１の（２）に示すように、上記
半導体基板３１１に対してフッ酸（ＨＦ）処理を施し、
ソース・ドレイン領域３１９，３２０上の自然酸化膜
（図示省略）を完全に除去する。続いて、例えばスパッ
タリングによって、全面にコバルト（Ｃｏ）膜を５０ｎ
ｍの厚さに形成する。その後、熱処理〔第１熱処理は窒
素雰囲気中で５００℃の加熱、および第２熱処理は窒素
雰囲気中で８００℃の加熱〕を施して、ソース・ドレイ
ン領域３１９，３２０およびゲート配線３１４の各シリ
コン（Ｓｉ）とコバルト膜のコバルト（Ｃｏ）とを反応
させて低抵抗なコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ2 ）層３
２１，３２２，３２３を選択的に形成する。続いて上記
半導体基板３１１を、例えばアンモニア過水に浸漬する
ことで、未反応なコバルト膜（図示省略）を選択的にエ
ッチングして除去する。Next, as shown in FIG. 11B, the semiconductor substrate 311 is subjected to hydrofluoric acid (HF) treatment,
The native oxide film (not shown) on the source / drain regions 319 and 320 is completely removed. Then, a cobalt (Co) film having a thickness of 50 n is formed on the entire surface by, for example, sputtering.
m. After that, heat treatment (first heat treatment at 500 ° C. in a nitrogen atmosphere, and second heat treatment at 800 ° C. in a nitrogen atmosphere) is applied to each silicon of the source / drain regions 319 and 320 and the gate wiring 314 ( Si) reacts with cobalt (Co) of the cobalt film to form a low resistance cobalt silicide (CoSi 2 ) layer 3
21, 322 and 323 are selectively formed. Next, the unreacted cobalt film (not shown) is selectively etched and removed by immersing the semiconductor substrate 311 in, for example, ammonia-hydrogen peroxide mixture.
【００１２】次いで図１１の（３）に示すように、例え
ば化学的気相成長（以下、ＣＶＤという、ＣＶＤはChem
ical Vapour Depositionの略）法によって、ＭＩＳトラ
ンジスタ３０１を覆う状態に、半導体基板３１１上に酸
化シリコンからなる層間絶縁膜３３１を形成する。その
後リソグラフィー技術とエッチング技術とによって、例
えばソース・ドレイン領域３２０上の層間絶縁膜３３１
に接続孔３３２を形成する。さらに通常のブランケット
タングステンプラグの形成方法によって、接続孔３３２
の内部に密着層３３３を介してタングステンプラグ３３
４を形成する。そしてタングステンプラグ３３４に接続
する状態で層間絶縁膜３３１上に、例えば、密着層３４
１とアルミニウム系合金（例えばアルミニウム−シリコ
ン）膜からなる配線層３４２とを形成する。続いてリソ
グラフィー技術とエッチング技術とによって、上記密着
層３４１と配線層３４２とをパターニングして配線３４
３を形成する。Next, as shown in (3) of FIG. 11, for example, chemical vapor deposition (hereinafter, referred to as CVD, CVD is Chem.
An interlayer insulating film 331 made of silicon oxide is formed on the semiconductor substrate 311 so as to cover the MIS transistor 301 by an abbreviation of “ical vapor deposition”. After that, an interlayer insulating film 331 on the source / drain region 320 is formed by a lithography technique and an etching technique, for example.
A connection hole 332 is formed in the. Further, the connection hole 332 is formed by a normal blanket tungsten plug forming method.
The tungsten plug 33 through the adhesion layer 333 inside the
4 is formed. Then, in a state of being connected to the tungsten plug 334, for example, the adhesion layer 34 is formed on the interlayer insulating film 331.
1 and a wiring layer 342 made of an aluminum-based alloy (for example, aluminum-silicon) film are formed. Subsequently, the adhesion layer 341 and the wiring layer 342 are patterned by a lithography technique and an etching technique to form the wiring 34.
Form 3
【００１３】上記プロセスによって素子を形成した場合
には、ソース・ドレイン領域３１９，３２０の抵抗が、
従来のコバルトシリサイドを形成しない構造のものより
も１桁程度低下する利点がある。When the element is formed by the above process, the resistance of the source / drain regions 319 and 320 is
It has the advantage of being reduced by about one digit as compared with the conventional structure in which cobalt silicide is not formed.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリング装置では、スパッタリングを行っていくと、処
理室の壁面にもスパッタ粒子が付着して膜（図示省略）
を形成する。そしてスパッタリングが進行するにしたが
い、壁面に付着した膜が厚くなり、やがてその膜が剥が
れてパーティクルになる。そしてそのパーティクルがウ
エハ保持部上に載置されているウエハ上に付着して、製
品の不良を発生させて歩留りの低下を招いていた。現在
では、パーティクルを除去するための処理室内の清掃を
頻繁に行うことで対処しているが、清掃頻度を高めると
スループットの低下を招いて、生産性が悪化することに
なる。また、エッチング装置でも、エッチングを行って
いくと、処理室の壁面に反応生成物が付着して膜を形成
するため、その膜が上記スパッタリング装置と同様の課
題を生じさせていた。However, in the sputtering apparatus, as the sputtering is performed, sputtered particles adhere to the wall surface of the processing chamber to form a film (not shown).
To form Then, as the sputtering progresses, the film attached to the wall surface becomes thicker, and eventually the film peels off to become particles. Then, the particles adhere to the wafer placed on the wafer holding portion to cause a product defect, resulting in a decrease in yield. At present, this is dealt with by frequently cleaning the inside of the processing chamber for removing particles, but if the cleaning frequency is increased, the throughput is lowered and the productivity is deteriorated. Further, even in the etching apparatus, as etching is performed, reaction products adhere to the wall surface of the processing chamber to form a film, and the film causes the same problem as in the sputtering apparatus.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体ウエハ処理装置である。す
なわち、処理室内に設置されたウエハに強磁性体を成膜
する、または処理室内に設置されたウエハに形成した強
磁性体をエッチングするものであって、処理室内でかつ
ウエハの周囲の少なくとも一部分に、磁力発生器を設け
たものである。また別の構成としては、処理室の内壁の
少なくとも一部分を磁力発生体で構成したものである。
または、処理室の内壁の少なくとも一部分を磁力発生体
で構成し、処理室内でかつウエハの周囲の少なくとも一
部分に、磁力発生器を設けたものである。The present invention is a semiconductor wafer processing apparatus made to solve the above problems. That is, a ferromagnetic material is formed on a wafer installed in a processing chamber, or a ferromagnetic material formed on a wafer installed in the processing chamber is etched, and at least a part of the periphery of the wafer is in the processing chamber. In addition, a magnetic force generator is provided. As another configuration, at least a part of the inner wall of the processing chamber is configured by a magnetic force generator.
Alternatively, at least a part of the inner wall of the processing chamber is formed of a magnetic force generator, and the magnetic force generator is provided in the processing chamber and at least at a part of the periphery of the wafer.
【００１６】上記構成の半導体ウエハ処理装置では、処
理室内でかつウエハの周囲の少なくとも一部分に、磁力
発生器を設けたことから、処理室内で発生した強磁性体
からなるパーティクルおよび強磁性体を含むパーティク
ルは、磁力発生器の磁力によって磁化され、その磁力発
生器に吸着される。また、処理室の内壁の少なくとも一
部分を磁力発生体で構成した半導体ウエハ処理装置で
も、上記同様に、処理室内で発生した強磁性体からなる
パーティクルおよび強磁性体を含むパーティクルは、磁
力発生体および磁力発生器に吸着される作用が得られ
る。さらに、処理室の内壁の少なくとも一部分を磁力発
生体で構成し、処理室内でかつウエハの周囲の少なくと
も一部分に、磁力発生器を設けた半導体ウエハ処理装置
でも、上記同様に、処理室内で発生した強磁性体からな
るパーティクルおよび強磁性体を含むパーティクルは、
磁力発生体および磁力発生器に吸着される作用が得られ
る。In the semiconductor wafer processing apparatus having the above structure, since the magnetic force generator is provided in at least a part of the periphery of the wafer in the processing chamber, the particles and the ferromagnetic material generated from the ferromagnetic material in the processing chamber are included. The particles are magnetized by the magnetic force of the magnetic force generator and are attracted to the magnetic force generator. Further, also in the semiconductor wafer processing apparatus in which at least a part of the inner wall of the processing chamber is composed of the magnetic force generator, the particles made of the ferromagnetic material and the particles containing the ferromagnetic material generated in the processing chamber are The action of being attracted to the magnetic force generator is obtained. Further, even in a semiconductor wafer processing apparatus in which at least a part of the inner wall of the processing chamber is composed of a magnetic force generator, and a magnetic force generator is provided in the processing chamber and at least at a part of the periphery of the wafer, the magnetic field is also generated in the processing chamber. Particles made of ferromagnetic material and particles containing ferromagnetic material are
The action of being attracted to the magnetic force generator and the magnetic force generator is obtained.
【００１７】したがって、本発明の半導体ウエハ処理装
置では、処理室内を浮遊するパーティクル量が低減さ
れ、処理室内の清浄度は高くなる。また磁力発生器や磁
力発生体に吸着されたパーティクルは、磁力により吸着
されているので剥がれ落ちることがない。そのため、再
びパーティクルとなることはないので、ウエハ表面の清
浄度は高く保たれる。Therefore, in the semiconductor wafer processing apparatus of the present invention, the amount of particles floating in the processing chamber is reduced and the cleanliness of the processing chamber is increased. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator or the magnetic force generator are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, the particles do not become particles again, and the cleanliness of the wafer surface is kept high.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態の一例を、
図１の概略構成断面図によって説明する。図１では、一
例として、スパッタリングによってウエハに強磁性体を
成膜するスパッタリング装置１を示す。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of the first embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to the schematic sectional view of FIG. FIG. 1 shows, as an example, a sputtering apparatus 1 for forming a ferromagnetic material on a wafer by sputtering.
【００１９】図１に示すように、スパッタリング装置１
には処理室１１が備えられている。この処理室１１の内
部には、例えば処理室１１の天井にスパッタ源となるタ
ーゲット１２が例えばホルダー１３を介して設置され、
このターゲット１２に対向する位置でこの処理室１１の
底部側にはウエハ保持部１４が設置されている。上記タ
ーゲット１２は、例えば強磁性体の一種のコバルト（Ｃ
ｏ）で形成されている。また上記ウエハ保持部１４上に
はウエハ５１が保持される。ここでは、一例として、タ
ーゲット１２が陰極になり、ウエハ保持部１４が陽極に
なっている。ここではウエハ保持部１４の設置形態の図
示はしていないが、例えば、上記ウエハ保持部１４の下
部側に設置される磁力発生器１５（後に詳述する）に設
けた貫通孔に遊挿されるもので、処理室１１の底部側よ
り昇降自在かつ回動自在に垂設した駆動軸の先端部に設
置される。As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus 1
Is equipped with a processing chamber 11. Inside the processing chamber 11, for example, a target 12 serving as a sputtering source is installed on the ceiling of the processing chamber 11 via a holder 13,
A wafer holder 14 is installed on the bottom side of the processing chamber 11 at a position facing the target 12. The target 12 is, for example, a type of ferromagnetic material such as cobalt (C
o). A wafer 51 is held on the wafer holder 14. Here, as an example, the target 12 serves as a cathode and the wafer holding portion 14 serves as an anode. Although the installation form of the wafer holder 14 is not shown here, for example, it is loosely inserted into a through hole provided in the magnetic force generator 15 (described in detail later) installed on the lower side of the wafer holder 14. It is installed at the tip of a drive shaft vertically rotatably and rotatably mounted from the bottom side of the processing chamber 11.
【００２０】さらに上記処理室１１には、スパッタガス
を導入するためのガス導入部２１と処理室１１の内部雰
囲気の圧力を所定の値に保ために処理室１１の内部のガ
スを排出するガス排出部２２とが接続されている。Further, in the processing chamber 11, a gas introducing portion 21 for introducing the sputtering gas and a gas for discharging the gas inside the processing chamber 11 in order to keep the pressure of the internal atmosphere of the processing chamber 11 at a predetermined value. The discharge part 22 is connected.
【００２１】上記処理室１１の内部におけるウエハ保持
部１４に保持されるウエハ５１の側周側およびウエハ保
持部１４の下部側には、磁力発生器１５が設置されてい
る。上記磁力発生器１５は、例えば円筒状に形成された
ものでウエハ保持部１４の側方を囲むような状態に設置
された第１磁力発生器１５Ａと、例えば円形の板状に形
成されたものでウエハ保持部１４の下部側に設置された
第２磁力発生器１５Ｂとからなる。そして各第１磁力発
生器１５Ａおよび第２磁力発生器１５Ｂは、数ガウス程
度の磁力があれば十分であり、例えば磁性体であるフェ
ライトで形成されている。A magnetic force generator 15 is installed inside the processing chamber 11 on the peripheral side of the wafer 51 held by the wafer holder 14 and on the lower side of the wafer holder 14. The magnetic force generator 15 is formed, for example, in a cylindrical shape, and the first magnetic force generator 15A is installed in a state of surrounding the lateral side of the wafer holding portion 14, and is formed in, for example, a circular plate shape. And a second magnetic force generator 15B installed on the lower side of the wafer holder 14. Each of the first magnetic force generator 15A and the second magnetic force generator 15B is sufficient if it has a magnetic force of about several Gauss, and is made of, for example, ferrite which is a magnetic body.
【００２２】または、上記第１磁力発生器１５Ａおよび
第２磁力発生器１５Ｂは、複数の磁力発生器によって上
記説明したような形態に構成されるものであってもよ
い。さらに上記磁性体はフェライトに限定されるもので
はなく、コバルト、ニッケル、コバルト合金またはニッ
ケル合金からなるもの、またはその他の磁性材料であっ
てもよい。または永久磁石であってもよい。なお、上記
磁力発生器１５は、それを構成する材料のキューリー点
以下の温度に保つ必要がある。そのため、必要があれ
ば、ターゲット１２から発生したスパッタ粒子７１（矢
印で示す）が付着する上記磁力発生器１５の面とは反対
側の面に冷却器（図示省略）を設ける。もしくは磁力発
生器１５の内部に冷却器（図示省略）を設けてもよい。Alternatively, the first magnetic force generator 15A and the second magnetic force generator 15B may be constituted by a plurality of magnetic force generators in the form as described above. Further, the magnetic body is not limited to ferrite, and may be made of cobalt, nickel, cobalt alloy or nickel alloy, or other magnetic material. Alternatively, it may be a permanent magnet. The magnetic force generator 15 must be kept at a temperature equal to or lower than the Curie point of the material forming the magnetic force generator 15. Therefore, if necessary, a cooler (not shown) is provided on the surface opposite to the surface of the magnetic force generator 15 to which the sputtered particles 71 (indicated by an arrow) generated from the target 12 adhere. Alternatively, a cooler (not shown) may be provided inside the magnetic force generator 15.
【００２３】上記スパッタリング装置１では、処理室１
１の内部でかつウエハ５１の周囲の少なくとも一部分
に、磁力発生器１５を設けたことから、従来、処理室１
１の内壁に付着していたスパッタ粒子７１の大部分は磁
力発生器１５に付着される。また処理室１１の内部を浮
遊する強磁性体を含むパーティクルも吸着される。なお
スパッタリング中のスパッタ粒子７１がキューリー点を
越えている場合には磁性を持っていないが、スパッタリ
ングした後冷却過程に入った時点で、スパッタ粒子７１
は磁場の影響を受けて磁性を有するようになるため、磁
力発生器１５の表面に付着するとその磁力によって吸着
される。そして磁力発生器１５の表面にスパッタ粒子７
１が堆積していって膜が形成される。やがて、その膜に
ストレスが生じて磁力発生器１５の表面より剥がれよう
とする。そのとき、磁力発生器１５の磁力が数ガウス程
度あるので、ストレスによって剥がれようとする膜は磁
力発生器１５の表面に吸着された状態に保持される。よ
って、膜剥がれによるパーティクルの発生は無くなる。In the sputtering apparatus 1, the processing chamber 1
Since the magnetic force generator 15 is provided in the interior of the processing chamber 1 and in at least a part of the periphery of the wafer 51, the processing chamber 1 is conventionally used.
Most of the sputtered particles 71 attached to the inner wall of No. 1 are attached to the magnetic force generator 15. In addition, particles containing a ferromagnetic material floating inside the processing chamber 11 are also adsorbed. When the sputtered particles 71 during the sputtering exceed the Curie point, they do not have magnetism, but when the sputtered particles 71 enter the cooling process after sputtering, the sputtered particles 71
Since the magnetism becomes magnetic under the influence of the magnetic field, when it adheres to the surface of the magnetic force generator 15, it is adsorbed by the magnetic force. Then, the sputtered particles 7 are formed on the surface of the magnetic force generator 15.
1 is deposited and a film is formed. Eventually, stress is generated in the film and the film tends to peel off from the surface of the magnetic force generator 15. At that time, since the magnetic force of the magnetic force generator 15 is about several Gauss, the film that is about to be peeled off due to stress is held in a state of being adsorbed on the surface of the magnetic force generator 15. Therefore, generation of particles due to film peeling is eliminated.
【００２４】上記説明したように、処理室１１の内部を
浮遊するパーティクル量が低減されるため、処理室１１
の内部の清浄度は高くなる。また磁力発生器１５に吸着
されたパーティクルは、磁力により吸着されているので
剥がれ落ちることがない。そのため、再びパーティクル
となることはないので、処理室１１内にウエハ５１が存
在している間はウエハ５１の表面の清浄度は高く保たれ
る。なお、磁力発生器１５に付着したパーティクル等
は、スパッタリングによるクリーニングによって除去す
る。または、処理室１１から磁力発生器１５を取り出し
て、エッチングまたはサンドブラスト等によって付着し
たパーティクルを除去する。As described above, since the amount of particles floating inside the processing chamber 11 is reduced, the processing chamber 11
The internal cleanliness of the will be higher. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator 15 are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, particles do not become particles again, so that the cleanliness of the surface of the wafer 51 is kept high while the wafer 51 is present in the processing chamber 11. Particles and the like attached to the magnetic force generator 15 are removed by cleaning by sputtering. Alternatively, the magnetic force generator 15 is taken out from the processing chamber 11 and particles adhering to the magnetic force generator 15 are removed by etching or sandblasting.
【００２５】上記第１実施形態における磁力発生器１５
の設置例は一例であって、磁力発生器１５の形状、設置
形態は上記説明した形態に限定されない。すなわち、磁
力発生器１５は、ウエハ５１の周囲の少なくとも一部分
に配置されているもので、かつウエハ５１側に磁力を発
生する部分が向いているものであれば、どのような形状
のものでも、どのような配置位置でもよい。例えば、図
２に示すように、磁力発生器１５は、処理室１１の内部
に設けられ、ターゲット１２とウエハ保持部１４との間
とこのウエハ保持部１４の側方下部とを囲むようなお碗
型でウエハ保持部１４の下方が抜けている形状のもので
あってもよい。この場合も、磁力発生器１５は複数に分
割可能な状態に形成されたものであってもよい。The magnetic force generator 15 in the first embodiment.
The example of installation of No. 1 is an example, and the shape and installation form of the magnetic force generator 15 are not limited to the form described above. That is, the magnetic force generator 15 is arranged in at least a part of the periphery of the wafer 51, and may have any shape as long as the portion that generates the magnetic force on the wafer 51 side faces. Any arrangement position may be used. For example, as shown in FIG. 2, the magnetic force generator 15 is provided inside the processing chamber 11 and surrounds the space between the target 12 and the wafer holder 14 and the lower lateral portion of the wafer holder 14. The mold may have a shape in which the lower portion of the wafer holding portion 14 is removed. In this case as well, the magnetic force generator 15 may be formed so as to be divided into a plurality of parts.
【００２６】上記構成の磁力発生器１５の磁力は数ガウ
ス程度で十分である。磁力が強すぎると、処理室１１の
内部におけるプラズマ密度の均一性が乱れる。そのた
め、プラズマの均一性を乱さないような磁力が好まし
い。逆に磁力が弱すぎると、ターゲット１２から発生し
たスパッタ粒子７１（矢印で示す）を付着させる力が弱
くなり、効果が小さくなる。It is sufficient that the magnetic force of the magnetic force generator 15 having the above-mentioned structure is about several Gauss. If the magnetic force is too strong, the uniformity of the plasma density inside the processing chamber 11 is disturbed. Therefore, a magnetic force that does not disturb the uniformity of plasma is preferable. On the other hand, if the magnetic force is too weak, the force for adhering the sputtered particles 71 (indicated by the arrow) generated from the target 12 becomes weak and the effect becomes small.
【００２７】次に第２実施形態の一例を、図３の概略構
成断面図によって説明する。図３では、一例として、ス
パッタリングによってウエハに強磁性体を成膜するスパ
ッタリング装置２を示し、上記図１によって説明したの
と同様の構成部品には同一符号を付す。Next, an example of the second embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. In FIG. 3, as an example, a sputtering apparatus 2 for forming a ferromagnetic material on a wafer by sputtering is shown, and the same components as those described with reference to FIG.
【００２８】図３に示すように、スパッタリング装置２
は、前記図１によって説明したスパッタリング装置１と
同様に、処理室１１が備えられ、処理室１１の内部に
は、ターゲット１２、ホルダー１３およびウエハ保持部
１４が設置されている。ここではウエハ保持部１４の設
置形態の図示はしていないが、例えば、前記第１実施形
態で説明したのと同様に設置される。さらに上記処理室
１１には、スパッタガスを導入するためのガス導入部２
１および処理室１１の内部圧力を一定に保つためのガス
排出部２２が接続されている。As shown in FIG. 3, the sputtering device 2
Like the sputtering apparatus 1 described with reference to FIG. 1, the processing chamber 11 is provided, and inside the processing chamber 11, a target 12, a holder 13 and a wafer holding unit 14 are installed. Although the installation form of the wafer holding unit 14 is not shown here, it is installed, for example, in the same manner as described in the first embodiment. Further, the processing chamber 11 is provided with a gas introducing section 2 for introducing a sputtering gas.
1 and a gas discharge part 22 for keeping the internal pressure of the processing chamber 11 constant.
【００２９】上記処理室１１の内部におけるウエハ保持
部１４に保持されるウエハ５１の側周側およびウエハ保
持部１４の下部側には、電磁石で構成される磁力発生器
１５が設置されている。上記磁力発生器１５はターゲッ
ト複数の電磁石１６で構成され、その電磁石１６は、例
えば、ウエハ保持部１４の側周側を囲む状態に配置され
るとともに、ウエハ保持部１４の下部側にも配置されて
いる。さらに各電磁石１６にはスイッチ１７を介して電
源１８が接続されている。なお、本発明では、各電磁石
１６に対する電源１８の接続方式は問わないので、個々
に接続してもよく、直列に接続してもよく、または並列
に接続してもよい。また各電磁石１６に一つの電源を接
続してもよい。Inside the processing chamber 11, a magnetic force generator 15 composed of an electromagnet is installed on the side of the wafer 51 held by the wafer holder 14 and on the lower side of the wafer holder 14. The magnetic force generator 15 is composed of a plurality of target electromagnets 16. The electromagnets 16 are arranged, for example, so as to surround the side peripheral side of the wafer holder 14 and also on the lower side of the wafer holder 14. ing. Further, a power source 18 is connected to each electromagnet 16 via a switch 17. In the present invention, the power source 18 may be connected to each electromagnet 16 in any manner, and may be connected individually, in series, or in parallel. Further, one power source may be connected to each electromagnet 16.
【００３０】上記第２実施形態における磁力発生器１５
の設置例は一例であって、磁力発生器の形状、設置形態
は上記に限定されない。Magnetic force generator 15 in the second embodiment.
However, the shape and installation form of the magnetic force generator are not limited to the above.
【００３１】上記スパッタリング装置２では、処理室１
１の内部でかつウエハ５１の周囲の少なくとも一部分
に、磁力発生器１５を設けたことから、ターゲット１２
から発生したスパッタ粒子７１（矢印で示す）のうち、
従来、処理室１１の内壁に付着していたスパッタ粒子７
１の大部分は磁力発生器１５に付着される。また処理室
１１の内部を浮遊する強磁性体を含むパーティクルも吸
着される。なおスパッタリング中のスパッタ粒子７１が
キューリー点を越えている場合には磁性を持っていない
が、スパッタリングした後冷却過程に入った時点で、ス
パッタ粒子７１は磁場の影響を受けて磁性を有するよう
になるため、磁力発生器１５の表面に付着するとその磁
力によって吸着される。そして磁力発生器１５の表面に
スパッタ粒子７１が堆積していって膜が形成される。や
がて、その膜にストレスが生じて磁力発生器１５の表面
より剥がれよう２する。そのとき、磁力発生器１５の磁
力が数ガウス程度あるので、ストレスによって剥がれよ
うとする膜は磁力発生器１５の表面に吸着された状態に
保持される。よって、膜剥がれによるパーティクルの発
生は無くなる。In the sputtering device 2, the processing chamber 1
Since the magnetic force generator 15 is provided inside at least part of the periphery of the wafer 51, the target 12
Of the sputtered particles 71 (indicated by the arrow) generated from
Conventionally, sputtered particles 7 adhered to the inner wall of the processing chamber 11
Most of the 1's are attached to the magnetic force generator 15. In addition, particles containing a ferromagnetic material floating inside the processing chamber 11 are also adsorbed. It should be noted that when the sputtered particles 71 during sputtering exceed the Curie point, they do not have magnetism. However, when the sputtered particles 71 enter the cooling process after sputtering, the sputtered particles 71 are magnetized under the influence of the magnetic field. Therefore, when it adheres to the surface of the magnetic force generator 15, it is adsorbed by the magnetic force. Then, the sputtered particles 71 are deposited on the surface of the magnetic force generator 15 to form a film. Eventually, the film will be stressed and will peel off from the surface of the magnetic force generator 15. At that time, since the magnetic force of the magnetic force generator 15 is about several Gauss, the film that is about to be peeled off due to stress is held in a state of being adsorbed on the surface of the magnetic force generator 15. Therefore, generation of particles due to film peeling is eliminated.
【００３２】上記説明したように、処理室１１の内部を
浮遊するパーティクル量が低減されるため、処理室１１
の内部の清浄度は高くなる。また磁力発生器１５に吸着
されたパーティクルは、磁力により吸着されているので
剥がれ落ちることがない。そのため、再びパーティクル
となることはないので、処理室１１内にウエハ５１が存
在している間はウエハ５１の表面の清浄度は高く保たれ
る。As described above, since the amount of particles floating inside the processing chamber 11 is reduced, the processing chamber 11
The internal cleanliness of the will be higher. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator 15 are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, particles do not become particles again, so that the cleanliness of the surface of the wafer 51 is kept high while the wafer 51 is present in the processing chamber 11.
【００３３】また、磁力発生器１５は電磁石で構成され
ていることから、磁力発生器１５に吸着されたパーティ
クルは電磁石１６への通電を停止すれば容易に剥離する
ことが可能になる。したがって、磁力発生器１５に吸着
されたパーティクルの除去が容易に行える。なお、スパ
ッタリング中は、スパッタリング雰囲気の磁界を乱さな
いように電磁石１６をオフ状態にしておき、スパッタリ
ングの前後に電磁石１６をオン状態にして、強い磁力を
発生させて処理室１１の内部に浮遊するパーティクル等
を除去してもよい。当然のことながら、スパッタリング
中も、スパッタリングに影響を及ぼさない程度の磁力を
電磁石１６に発生させることは可能である。Since the magnetic force generator 15 is composed of an electromagnet, the particles adsorbed on the magnetic force generator 15 can be easily separated by stopping the energization of the electromagnet 16. Therefore, the particles adsorbed on the magnetic force generator 15 can be easily removed. During sputtering, the electromagnet 16 is turned off so as not to disturb the magnetic field of the sputtering atmosphere, and the electromagnet 16 is turned on before and after sputtering to generate a strong magnetic force and float inside the processing chamber 11. Particles may be removed. As a matter of course, it is possible to generate a magnetic force in the electromagnet 16 that does not affect the sputtering during the sputtering.
【００３４】次に第３実施形態の一例を、図４の概略構
成断面図によって説明する。図４では、一例として、ス
パッタリングによってウエハに強磁性体を成膜するスパ
ッタリング装置３を示し、上記図１によって説明したの
と同様の構成部品には同一符号を付す。Next, an example of the third embodiment will be described with reference to the schematic structural sectional view of FIG. In FIG. 4, as an example, a sputtering apparatus 3 for forming a ferromagnetic material on a wafer by sputtering is shown, and the same components as those described with reference to FIG.
【００３５】図４に示すように、スパッタリング装置３
は、前記図１によって説明したスパッタリング装置１と
同様に、処理室１１が備えられ、処理室１１の内部に
は、ターゲット１２、ホルダー１３およびウエハ保持部
１４が設置されている。ここではウエハ保持部１４の設
置形態の図示はしていないが、例えば、前記第１実施形
態で説明したのと同様に設置される。さらに上記処理室
１１には、ガス導入部２１およびガス排出部２２が接続
されている。As shown in FIG. 4, the sputtering device 3
Like the sputtering apparatus 1 described with reference to FIG. 1, the processing chamber 11 is provided, and inside the processing chamber 11, a target 12, a holder 13 and a wafer holding unit 14 are installed. Although the installation form of the wafer holding unit 14 is not shown here, it is installed, for example, in the same manner as described in the first embodiment. Further, a gas introduction part 21 and a gas discharge part 22 are connected to the processing chamber 11.
【００３６】上記処理室１１の内部におけるウエハ保持
部１４に保持されるウエハ５１の側周側には磁性体で構
成される磁力発生器１５（第１磁力発生器１５Ａ）が設
置され、このウエハ保持部１４の下部側には磁性体で構
成される磁力発生器１５（第２磁力発生器１５Ｂ）が設
置されている。さらにウエハ保持部１４の側周側下方で
かつ上記第２磁力発生器１５Ｂの上部側には、電磁石で
構成される磁力発生器１５（第３磁力発生器１５Ｃ）が
設置されている。この第３磁力発生器１５Ｃは、例えば
ウエハ保持部１４の側方下部側に配置した複数の電磁石
１６によって構成されている。さらに各電磁石１６に
は、スイッチ１７を介して電源１８が接続されている。
なお、本発明では、各電磁石１６に対する電源１８の接
続方式は問わないので、個々に接続してもよく、直列に
接続してもよく、または並列に接続してもよい。A magnetic force generator 15 (first magnetic force generator 15A) made of a magnetic material is installed on the side of the periphery of the wafer 51 held by the wafer holder 14 inside the processing chamber 11. A magnetic force generator 15 (second magnetic force generator 15B) made of a magnetic material is installed on the lower side of the holding portion 14. Further, a magnetic force generator 15 (third magnetic force generator 15C) composed of an electromagnet is installed below the peripheral side of the wafer holder 14 and above the second magnetic force generator 15B. The third magnetic force generator 15C is composed of, for example, a plurality of electromagnets 16 arranged on the lower side of the wafer holder 14. Further, a power source 18 is connected to each electromagnet 16 via a switch 17.
In the present invention, the power source 18 may be connected to each electromagnet 16 in any manner, and may be connected individually, in series, or in parallel.
【００３７】上記第３実施形態における磁力発生器１５
の設置例は一例であって、磁力発生器の形状、設置形態
は上記に限定されない。例えば図示はしないが、ウエハ
保持部１４の側周部に電磁石からなる磁力発生器１５を
設置し、ウエハ保持部１４の側周部下方に磁性体からな
る磁力発生器１５を設置してもよい。Magnetic force generator 15 in the third embodiment.
However, the shape and installation form of the magnetic force generator are not limited to the above. For example, although not shown, the magnetic force generator 15 made of an electromagnet may be installed on the side peripheral portion of the wafer holding portion 14, and the magnetic force generator 15 made of a magnetic material may be installed below the side peripheral portion of the wafer holding portion 14. .
【００３８】また、上記各磁力発生器１５の磁力は数ガ
ウス程度で十分である。磁力が強すぎると、処理室１１
の内部におけるプラズマ密度の均一性が乱れる。そのた
め、プラズマの均一性を乱さないような磁力が好まし
い。電磁石を用いたものでは、スパッタリング中のウエ
ハ５１上のプラズマ密度を均一化する方向に調整するよ
うに磁力を発生させてもよい。The magnetic force of each of the magnetic force generators 15 is sufficient to be several Gauss. If the magnetic force is too strong, the processing chamber 11
The uniformity of the plasma density inside is disturbed. Therefore, a magnetic force that does not disturb the uniformity of plasma is preferable. In the case of using an electromagnet, a magnetic force may be generated so as to adjust the plasma density on the wafer 51 during sputtering to be uniform.
【００３９】上記スパッタリング装置３では、処理室１
１の内部に磁力発生器１５を設けたことから、ターゲッ
ト１２から発生したスパッタ粒子７１（矢印で示す）の
うち、従来、処理室１１の内壁に付着していたスパッタ
粒子７１の大部分は磁力発生器１５に付着される。また
処理室１１の内部を浮遊する強磁性体を含むパーティク
ルも吸着される。なおスパッタリング中のスパッタ粒子
７１がキューリー点を越えている場合には磁性を持って
いないが、スパッタリングした後冷却過程に入った時点
で、スパッタ粒子７１は磁場の影響を受けて磁性を有す
るようになるため、磁力発生器１５の表面に付着すると
その磁力によって吸着される。そして磁力発生器１５の
表面にスパッタ粒子７１が堆積していって膜が形成され
る。やがて、その膜にストレスが生じて磁力発生器１５
の表面より剥がれよう２する。そのとき、磁力発生器１
５の磁力が数ガウス程度あるので、ストレスによって剥
がれようとする膜は磁力発生器１５の表面に吸着された
状態に保持される。よって、膜剥がれによるパーティク
ルの発生は無くなる。In the sputtering apparatus 3, the processing chamber 1
Since the magnetic force generator 15 is provided in the inside of the No. 1, most of the sputtered particles 71 (indicated by an arrow) generated from the target 12 that are conventionally attached to the inner wall of the processing chamber 11 have a magnetic force. It is attached to the generator 15. In addition, particles containing a ferromagnetic material floating inside the processing chamber 11 are also adsorbed. It should be noted that when the sputtered particles 71 during sputtering exceed the Curie point, they do not have magnetism. However, when the sputtered particles 71 enter the cooling process after sputtering, the sputtered particles 71 are magnetized under the influence of the magnetic field. Therefore, when it adheres to the surface of the magnetic force generator 15, it is adsorbed by the magnetic force. Then, the sputtered particles 71 are deposited on the surface of the magnetic force generator 15 to form a film. Eventually, stress is generated in the film and the magnetic force generator 15
Let it peel off from the surface of 2. At that time, the magnetic force generator 1
Since the magnetic force of 5 is about several Gauss, the film which is about to be peeled off by the stress is held in a state of being adsorbed on the surface of the magnetic force generator 15. Therefore, generation of particles due to film peeling is eliminated.
【００４０】上記説明したように、処理室１１の内部を
浮遊するパーティクル量が低減されるため、処理室１１
の内部の清浄度は高くなる。また磁力発生器１５に吸着
されたパーティクルは、磁力により吸着されているので
剥がれ落ちることがない。そのため、再びパーティクル
となることはないので、処理室１１内にウエハ５１が存
在している間はウエハ５１の表面の清浄度は高く保たれ
る。As described above, since the amount of particles floating inside the processing chamber 11 is reduced, the processing chamber 11
The internal cleanliness of the will be higher. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator 15 are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, particles do not become particles again, so that the cleanliness of the surface of the wafer 51 is kept high while the wafer 51 is present in the processing chamber 11.
【００４１】また、第３磁力発生器１５Ｃは電磁石で構
成されていることから、第３磁力発生器１５Ｃに吸着さ
れたパーティクルは電磁石１６への通電を停止すれば容
易に剥離することが可能になる。したがって、第３磁力
発生器１５Ｃに吸着されたパーティクルの除去が容易に
行える。なお、磁力発生器１５Ａおよび磁力発生器１５
Ｂに付着したパーティクル等は、スパッタリングによる
クリーニングによって除去する。または処理室１１から
磁力発生器１５を取り出して、エッチングまたはサンド
ブラスト等によって付着したパーティクルを除去する。Further, since the third magnetic force generator 15C is composed of an electromagnet, the particles adsorbed on the third magnetic force generator 15C can be easily separated by stopping the energization of the electromagnet 16. Become. Therefore, the particles adsorbed on the third magnetic force generator 15C can be easily removed. The magnetic force generator 15A and the magnetic force generator 15
Particles and the like attached to B are removed by cleaning by sputtering. Alternatively, the magnetic force generator 15 is taken out of the processing chamber 11 and particles adhering to the magnetic force generator 15 are removed by etching or sandblasting.
【００４２】さらに、第３磁力発生１５Ｃの磁力を調節
することによって、ウエハ５１上に堆積されるスパッタ
粒子７１の量を調整するために、ウエハ５１上の磁界を
調整することも可能になる。また、スパッタリング中
は、スパッタリング雰囲気の磁界を乱さないように電磁
石１６をオフ状態にしておき、スパッタリングの前後に
電磁石１６をオン状態にして、強い磁力を発生させて処
理室１１の内部に浮遊するパーティクル等を除去しても
よい。当然のことながら、スパッタリング中も、スパッ
タリングに影響を及ぼさない程度の磁力を電磁石１６に
発生させることは可能である。Further, by adjusting the magnetic force of the third magnetic force generation 15C, it is possible to adjust the magnetic field on the wafer 51 in order to adjust the amount of the sputtered particles 71 deposited on the wafer 51. Further, during sputtering, the electromagnet 16 is turned off so as not to disturb the magnetic field of the sputtering atmosphere, and the electromagnet 16 is turned on before and after sputtering to generate a strong magnetic force and float inside the processing chamber 11. Particles may be removed. As a matter of course, it is possible to generate a magnetic force in the electromagnet 16 that does not affect the sputtering during the sputtering.
【００４３】上記第１実施形態〜第３実施形態では、基
本的なスパッタリング装置の構成で説明したが、本発明
は、処理室１１の内部でかつウエハ５１の周囲の少なく
とも一部分に、磁力発生器１５を設けた構成であれば、
上記スパッタリング装置１を含む２極スパッタリング装
置、直行電磁界型スパッタリング装置、マグネトロンス
パッタリング装置、３極プラズマスパッタリング装置、
イオンビームスパッタリング装置、バイアススパッタリ
ング装置、反応性スパッタリング装置およびその他のス
パッタリング装置に適用することが可能である。In the first to third embodiments described above, the basic configuration of the sputtering apparatus has been described. However, the present invention is directed to the inside of the processing chamber 11 and at least a part of the periphery of the wafer 51 to generate a magnetic force generator. With the configuration provided with 15,
2-pole sputtering apparatus including the sputtering apparatus 1, orthogonal electromagnetic field type sputtering apparatus, magnetron sputtering apparatus, 3-pole plasma sputtering apparatus,
It can be applied to an ion beam sputtering device, a bias sputtering device, a reactive sputtering device and other sputtering devices.
【００４４】通常、スパッタリング装置には、ターゲッ
トとウエハとの間にシャッターが設けられている。以下
に説明する第４実施形態は、このシャッターを磁力を発
生する物体で形成したものである。それを、図５の概略
構成断面図によって、以下に説明する。Usually, the sputtering apparatus is provided with a shutter between the target and the wafer. In the fourth embodiment described below, this shutter is formed of an object that generates a magnetic force. This will be described below with reference to the schematic sectional view of FIG.
【００４５】図５に示すように、スパッタリング装置４
は、前記図１によって説明したスパッタリング装置１と
同様に、処理室１１が備えられ、処理室１１の内部に
は、ターゲット１２、ホルダー１３およびウエハ保持部
１４が設置されている。上記ウエハ保持部１４に保持さ
れるウエハ５１の側方およびウエハ保持部１４の下方に
は、磁力発生器１５（第１磁力発生器１５Ａと第２磁力
発生器１５Ｂ）が設置されている。各磁力発生器１５
は、例えば磁性体であるフェライトで形成されている。
なお、上記磁力発生器１５は分割可能な状態に形成され
たものであってもよい。さらに上記処理室１１には、ガ
ス導入部２１およびガス排出部２２が接続されている。As shown in FIG. 5, the sputtering device 4
Like the sputtering apparatus 1 described with reference to FIG. 1, the processing chamber 11 is provided, and inside the processing chamber 11, a target 12, a holder 13 and a wafer holding unit 14 are installed. A magnetic force generator 15 (a first magnetic force generator 15A and a second magnetic force generator 15B) is installed beside the wafer 51 held by the wafer holding unit 14 and below the wafer holding unit 14. Each magnetic force generator 15
Are formed of ferrite, which is a magnetic material, for example.
The magnetic force generator 15 may be formed in a divisible state. Further, a gas introduction part 21 and a gas discharge part 22 are connected to the processing chamber 11.
【００４６】そして、ターゲット１２とウエハ５１との
間にシャッター２５が設けられている。上記シャッター
２５は、磁力を発生する物体である磁性体、例えばフェ
ライトで形成されている。当然のことながら、磁性体は
フェライトに限定されることはなく、コバルト、ニッケ
ル、コバルト合金またはニッケル合金からなるもの、ま
たはその他の磁性材料であってもよい。もしくは永久磁
石であってもよい。または、上記シャッター２５を小型
の電磁石で構成してもよい。A shutter 25 is provided between the target 12 and the wafer 51. The shutter 25 is formed of a magnetic body that is an object that generates a magnetic force, such as ferrite. Of course, the magnetic material is not limited to ferrite, but may be made of cobalt, nickel, cobalt alloy or nickel alloy, or other magnetic material. Alternatively, it may be a permanent magnet. Alternatively, the shutter 25 may be composed of a small electromagnet.
【００４７】また、上記磁力を発生する物体でシャッタ
ー２５を形成した構成は、図１によって説明したスパッ
タリング装置１に限らず、上記図２〜図４によって説明
した各スパッタリング装置にも適用することができる。Further, the structure in which the shutter 25 is formed of the object that generates the magnetic force is not limited to the sputtering device 1 described with reference to FIG. 1, but can be applied to each sputtering device described with reference to FIGS. it can.
【００４８】上記スパッタリング装置４では、処理室１
１の内部でかつウエハ５１の周囲の少なくとも一部分に
磁力発生器１５を設け、さらにシャッター２５を磁力を
発生する物体で形成したことから、処理室１１の内部で
発生した強磁性体からなるパーティクルおよび強磁性体
を含むパーティクルは磁力発生器１５の他にシャッター
２５にも吸着される。したがって、処理室１１の内部を
浮遊するパーティクル量は前記スパッタリング装置１よ
りもさらに低減され、処理室１１の内部の清浄度は高く
なる。また磁力発生器１５およびシャッター２５に吸着
されたパーティクルは、磁力により吸着されているので
剥がれ落ちることがない。そのため、再びパーティクル
となることはないので、処理室１１内にウエハ５１が存
在している間はウエハ５１の表面の清浄度は高く保たれ
る。In the sputtering device 4, the processing chamber 1
The magnetic force generator 15 is provided inside the wafer 1 and on at least a part of the periphery of the wafer 51, and the shutter 25 is formed of an object that generates a magnetic force. The particles containing the ferromagnetic material are attracted to the shutter 25 as well as the magnetic force generator 15. Therefore, the amount of particles floating inside the processing chamber 11 is further reduced as compared with the sputtering apparatus 1, and the cleanliness inside the processing chamber 11 is increased. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator 15 and the shutter 25 are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, particles do not become particles again, so that the cleanliness of the surface of the wafer 51 is kept high while the wafer 51 is present in the processing chamber 11.
【００４９】上記第１実施形態〜第４実施形態で説明し
たスパッタリング装置に設けられている磁力発生器の磁
力を発生する部分に磁力線を透す材料からなるカバーを
設けてもよい。その構成のスパッタリング装置を第５実
施形態として、図６の概略構成断面図によって、以下に
説明する。A cover made of a material that transmits a magnetic force line may be provided in a portion for generating a magnetic force of the magnetic force generator provided in the sputtering apparatus described in the first to fourth embodiments. A sputtering apparatus having such a configuration will be described below as a fifth embodiment with reference to a schematic configuration sectional view of FIG.
【００５０】図６に示すように、スパッタリング装置５
は、前記図３によって説明したスパッタリング装置２と
同様に、処理室１１が備えられ、処理室１１の内部に
は、ターゲット１２、ホルダー１３およびウエハ保持部
１４が設置されている。さらに上記処理室１１には、ガ
ス導入部２１およびガス排出部２２が接続されている。As shown in FIG. 6, the sputtering device 5
Similar to the sputtering apparatus 2 described with reference to FIG. 3, the processing chamber 11 is provided, and inside the processing chamber 11, the target 12, the holder 13 and the wafer holding unit 14 are installed. Further, a gas introduction part 21 and a gas discharge part 22 are connected to the processing chamber 11.
【００５１】また、ウエハ保持部１４に保持されるウエ
ハ５１の側周側およびウエハ保持部１４の下部側には、
複数の電磁石１６で構成される磁力発生器１５が設置さ
れている。各電磁石１６にはスイッチ１７を介して電源
１８が接続されている。Further, on the peripheral side of the wafer 51 held by the wafer holder 14 and the lower side of the wafer holder 14,
A magnetic force generator 15 including a plurality of electromagnets 16 is installed. A power supply 18 is connected to each electromagnet 16 via a switch 17.
【００５２】さらに、磁力発生器１５の磁力を発生する
部分には磁力線を透す材料からなるカバー２７が設けら
れている。上記カバー２７は、磁力線を透す材料でかつ
付着したパーティクルの堆積膜をエッチングによって除
去し易い材料、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等からなる。Further, a cover 27 made of a material that transmits magnetic force lines is provided at the portion of the magnetic force generator 15 that generates magnetic force. The cover 27 is made of a material that is transparent to magnetic force lines and that is capable of easily removing the deposited film of adhered particles by etching, such as aluminum oxide (Al
2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ) and the like.
【００５３】また上記スパッタリング装置５において
も、前記図５によって説明したスパッタリング装置４と
同様に、ターゲット１２とウエハ５１との間にシャッタ
ー（図示省略）を設け、このシャッターを磁力を発生す
る物体で形成してもよい。Also in the sputtering apparatus 5, a shutter (not shown) is provided between the target 12 and the wafer 51 as in the sputtering apparatus 4 described with reference to FIG. You may form.
【００５４】上記スパッタリング装置５では、磁力発生
器１５の各磁力を発生する部分に磁力線を透す材料から
なるカバー２７を設けたことから、ターゲット１２から
発生したスパッタ粒子７１（矢印で示す）のうち、従
来、処理室１１の内壁に堆積されていたスパッタ粒子７
１や処理室１１の内部で発生した強磁性体からなるパー
ティクル（図示省略）および強磁性体を含むパーティク
ル（図示省略）はカバー２７に吸着される。したがっ
て、吸着されたパーティクルの除去は、処理室１１から
カバー２７を取り外してそれらを清掃すればよいので、
メンテナンスが容易になる。または、処理室１１の内部
にいて、スパッタリングによるクリーニングによって、
カバー２７に吸着されたパーティクルを除去してもよ
い。In the sputtering apparatus 5, since the cover 27 made of a material that transmits the magnetic force lines is provided at each magnetic force generating portion of the magnetic force generator 15, the sputtered particles 71 (indicated by an arrow) generated from the target 12 are generated. Of these, sputtered particles 7 that were conventionally deposited on the inner wall of the processing chamber 11
1 and particles (not shown) made of a ferromagnetic material generated inside the processing chamber 11 and particles (not shown) containing a ferromagnetic material are adsorbed to the cover 27. Therefore, the adsorbed particles can be removed by removing the cover 27 from the processing chamber 11 and cleaning them.
Maintenance becomes easy. Alternatively, by being cleaned inside the processing chamber 11 by sputtering,
The particles adsorbed on the cover 27 may be removed.
【００５５】次に第６実施形態の一例を、図７の概略構
成断面図によって説明する。図７では、一例として、ス
パッタリングによってウエハに強磁性体を成膜するスパ
ッタリング装置６を示し、上記図１によって説明したの
と同様の構成部品には同一符号を付す。Next, an example of the sixth embodiment will be described with reference to the schematic structural sectional view of FIG. In FIG. 7, as an example, a sputtering apparatus 6 for forming a ferromagnetic material on a wafer by sputtering is shown, and the same components as those described with reference to FIG.
【００５６】図７に示すように、スパッタリング装置６
には処理室１１が備えられている。この処理室１１の内
部には、例えば処理室１１の天井側にスパッタ源となる
ターゲット１２がホルダー１３を介して設置され、この
ターゲット１２に対向する位置でこの処理室１１の底部
側にはウエハ保持部１４が設置されている。ここではウ
エハ保持部１４の設置形態の図示はしていないが、例え
ば、上記ウエハ保持部１４の下部側に設置される磁力発
生体３１（後に詳述する）に設けた貫通孔に遊挿される
もので、処理室１１の底部側より昇降自在かつ回動自在
に垂設した駆動軸の先端部に設置される。上記ウエハ保
持部１４上にはウエハ５１が保持される。さらに上記処
理室１１には、スパッタガスを導入するためのガス導入
部２１と処理室１１の内部雰囲気の圧力を所定の値に保
ために処理室１１の内部のガスを排出するガス排出部２
２とが接続されている。ここまでの構成は、従来のスパ
ッタリング装置と同様である。As shown in FIG. 7, the sputtering device 6
Is equipped with a processing chamber 11. Inside the processing chamber 11, for example, a target 12 serving as a sputtering source is installed on the ceiling side of the processing chamber 11 via a holder 13, and at a position facing the target 12, a wafer is provided on the bottom side of the processing chamber 11. The holding unit 14 is installed. Although the installation form of the wafer holder 14 is not shown here, for example, it is loosely inserted into a through hole provided in the magnetic force generator 31 (described later in detail) installed on the lower side of the wafer holder 14. It is installed at the tip of a drive shaft vertically rotatably and rotatably mounted from the bottom side of the processing chamber 11. The wafer 51 is held on the wafer holder 14. Further, in the processing chamber 11, a gas introducing portion 21 for introducing a sputtering gas and a gas discharging portion 2 for discharging the gas inside the processing chamber 11 in order to keep the pressure of the internal atmosphere of the processing chamber 11 at a predetermined value.
2 are connected. The configuration up to this point is the same as that of the conventional sputtering apparatus.
【００５７】そして、上記ウエハ保持部１４に保持され
るウエハ５１の側周側およびウエハ保持部１４の下部側
における上記処理室１１の内壁は、磁力発生体３１で構
成されている。すなわち、処理室１１は、外壁１１Ａと
内壁になる磁力発生体３１とで構成されている。上記磁
力発生体３１は、例えば、処理室１１の側壁に設けられ
ている第１磁力発生体３１Ａと、処理室１１の底面側に
設けられている第２磁力発生体３１Ｂとからなる。そし
て各第１磁力発生体３１Ａおよび第２磁力発生体３１Ｂ
は、例えば磁性体であるフェライトまたは電磁石で形成
されている。電磁石で形成されている場合には、各電磁
石にはスイッチ（図示省略）を介して電源（図示省略）
が接続されている。The inner wall of the processing chamber 11 on the side of the wafer 51 held by the wafer holder 14 and on the lower side of the wafer holder 14 is composed of a magnetic force generator 31. That is, the processing chamber 11 is composed of the outer wall 11A and the magnetic force generator 31 that becomes the inner wall. The magnetic force generator 31 includes, for example, a first magnetic force generator 31A provided on the side wall of the processing chamber 11 and a second magnetic force generator 31B provided on the bottom surface side of the processing chamber 11. And each 1st magnetic force generator 31A and 2nd magnetic force generator 31B
Is formed of, for example, a magnetic material such as ferrite or an electromagnet. When it is formed of electromagnets, a power source (not shown) is supplied to each electromagnet via a switch (not shown).
Is connected.
【００５８】また、上記磁力発生体３１は、外壁１１Ａ
に対して着脱自在に設けられている。この着脱を自在に
する着脱機構（図示省略）は、例えば、外壁１１Ａの内
側に逆Ｌ字形状の断面を有する溝を形成し、磁力発生体
３１の外壁１１Ａ側にフック状のものを形成して、その
フック状のものを溝に掛ける構造としてもよい。The magnetic force generator 31 has an outer wall 11A.
It is provided to be removable. A detachable mechanism (not shown) that allows this attachment / detachment freely is, for example, a groove having an inverted L-shaped cross section is formed inside the outer wall 11A, and a hook-like member is formed on the outer wall 11A side of the magnetic force generator 31. Then, the hook-shaped object may be hung in the groove.
【００５９】なお、上記第１磁力発生体３１Ａ，第２磁
力発生体３１Ｂは分割可能な状態に形成されたものであ
ってもよい。また、上記磁性体はフェライトに限定され
ることはなく、コバルト、ニッケル、コバルト合金また
はニッケル合金からなるもの、またはその他の磁性材料
であってもよい。または永久磁石であってもよい。ま
た、図面では、処理室１１の側壁および底部に磁力発生
体３１を設けたが、処理室１１の天井側内壁を磁力発生
体３１で構成することも可能である。すなわち、処理室
１１の内壁の少なくとも一部分に磁力発生体３１が設け
られていればよい。The first magnetic force generator 31A and the second magnetic force generator 31B may be formed in a divisible state. The magnetic body is not limited to ferrite, and may be made of cobalt, nickel, cobalt alloy or nickel alloy, or other magnetic material. Alternatively, it may be a permanent magnet. Further, in the drawing, the magnetic force generator 31 is provided on the side wall and the bottom portion of the processing chamber 11, but the inner wall on the ceiling side of the processing chamber 11 can be configured by the magnetic force generator 31. That is, the magnetic force generator 31 may be provided on at least a part of the inner wall of the processing chamber 11.
【００６０】また上記スパッタリング装置６において
も、前記図５によって説明したスパッタリング装置４と
同様に、ターゲット１２とウエハ５１との間にシャッタ
ー（図示省略）を設け、このシャッターを磁力を発生す
る物体で形成してもよい。また、磁力発生体３１の磁力
を発生する部分にカバー（図示省略）を設けてもよい。
このカバーは、前記図６によって説明したカバー２７と
同様のもので形成される。Also in the sputtering device 6, a shutter (not shown) is provided between the target 12 and the wafer 51 similarly to the sputtering device 4 described with reference to FIG. 5, and this shutter is an object that generates a magnetic force. You may form. Further, a cover (not shown) may be provided on a portion of the magnetic force generator 31 that generates a magnetic force.
This cover is formed of the same material as the cover 27 described with reference to FIG.
【００６１】上記スパッタリング装置６では、処理室１
１の壁の一部分は外壁１１Ａと磁力発生体３１との２重
構造になっている。すなわち、外壁１１Ａによって処理
室１１を密閉構造にしている。そして内壁の磁力発生体
３１によって、前記第１実施形態で説明した磁力発生器
１５と同様に、従来、処理室１１の内壁に付着されてい
たスパッタ粒子７１（矢印で示す）が付着されるととも
に、処理室１１の内部を浮遊する強磁性体を含むパーテ
ィクルも吸着される。また、処理室１１から磁力発生体
３１を取り外せるようにした構成のものでは、磁力発生
体３１を処理室１１から取り外して磁力発生体３１に付
着したパーティクルを除去するメンテナンスが容易にな
る。取り外せない場合には、処理室１１の内部で、例え
ばスパッタクリーニングを行うことも可能である。In the sputtering device 6, the processing chamber 1
A part of the wall 1 has a double structure of the outer wall 11A and the magnetic force generator 31. That is, the processing chamber 11 is hermetically sealed by the outer wall 11A. Then, by the magnetic force generator 31 on the inner wall, as with the magnetic force generator 15 described in the first embodiment, the sputtered particles 71 (indicated by an arrow) conventionally attached to the inner wall of the processing chamber 11 are attached. Particles containing a ferromagnetic material floating inside the processing chamber 11 are also adsorbed. Further, in the configuration in which the magnetic force generator 31 can be removed from the processing chamber 11, the maintenance for removing the magnetic force generator 31 from the processing chamber 11 and removing the particles attached to the magnetic force generator 31 becomes easy. If it cannot be removed, for example, sputter cleaning can be performed inside the processing chamber 11.
【００６２】次に第７実施形態の一例を、図８の概略構
成断面図によって説明する。図８では、一例として、ス
パッタリングによってウエハに強磁性体を成膜するスパ
ッタリング装置７を示し、上記図１および図７によって
説明したのと同様の構成部品には同一符号を付す。Next, an example of the seventh embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. In FIG. 8, as an example, a sputtering apparatus 7 for forming a ferromagnetic material on a wafer by sputtering is shown, and the same components as those described with reference to FIGS. 1 and 7 are given the same reference numerals.
【００６３】図８に示すように、スパッタリング装置７
には処理室１１が備えられている。この処理室１１の内
部には、例えば処理室１１の天井側にスパッタ源となる
ターゲット１２がホルダー１３を介して設置され、この
ターゲット１２に対向する位置でこの処理室１１の底部
側にはウエハ保持部１４が設置されている。このウエハ
保持部１４は、例えば前記図７によって説明した第６実
施形態と同様の構成で設置されている。上記ウエハ保持
部１４上にはウエハ５１が保持される。さらに上記処理
室１１には、スパッタガスを導入するためのガス導入部
２１と処理室１１の内部雰囲気の圧力を所定の値に保た
めに処理室１１の内部のガスを排出するガス排出部２２
とが接続されている。As shown in FIG. 8, the sputtering device 7
Is equipped with a processing chamber 11. Inside the processing chamber 11, for example, a target 12 serving as a sputtering source is installed on the ceiling side of the processing chamber 11 via a holder 13, and at a position facing the target 12, a wafer is provided on the bottom side of the processing chamber 11. The holding unit 14 is installed. The wafer holder 14 is installed, for example, in the same configuration as that of the sixth embodiment described with reference to FIG. The wafer 51 is held on the wafer holder 14. Further, in the processing chamber 11, a gas introducing portion 21 for introducing a sputtering gas and a gas discharging portion 22 for discharging the gas inside the processing chamber 11 in order to keep the pressure of the internal atmosphere of the processing chamber 11 at a predetermined value.
And are connected.
【００６４】そして、前記図７によって説明したスパッ
タリング装置６と同様に、上記ウエハ保持部１４に保持
されるウエハ５１の側周側およびウエハ保持部１４の下
部側における上記処理室１１の内壁は、磁力発生体３１
で構成されている。すなわち、処理室１１は外壁１１Ａ
と内壁になる磁力発生体３１とで構成されている。上記
磁力発生体３１は、例えば、処理室１１の側壁に設けら
れている第１磁力発生体３１Ａと、処理室１１の底面側
に設けられている第２磁力発生体３１Ｂとからなる。そ
して各第１磁力発生体３１Ａおよび第２磁力発生体３１
Ｂは、例えば磁性体であるフェライトまたは電磁石で形
成されている。この図８では磁性体で形成したものを示
した。電磁石で形成する構成の場合には、各電磁石にス
イッチを介して電源を接続する。Then, similarly to the sputtering apparatus 6 described with reference to FIG. 7, the inner wall of the processing chamber 11 on the side peripheral side of the wafer 51 held by the wafer holding section 14 and the lower side of the wafer holding section 14 is Magnetic force generator 31
It is composed of That is, the processing chamber 11 has an outer wall 11A.
And a magnetic force generator 31 that serves as an inner wall. The magnetic force generator 31 includes, for example, a first magnetic force generator 31A provided on the side wall of the processing chamber 11 and a second magnetic force generator 31B provided on the bottom surface side of the processing chamber 11. And each 1st magnetic force generator 31A and 2nd magnetic force generator 31
B is formed of, for example, a ferrite, which is a magnetic material, or an electromagnet. In FIG. 8, a magnetic body is shown. In the case of a structure formed by electromagnets, a power source is connected to each electromagnet via a switch.
【００６５】また、上記第１磁力発生体３１Ａ，第２磁
力発生体３１Ｂは複数に分割可能な状態に形成されたも
のであってもよい。また、上記磁性体はフェライトに限
定されることはなく、コバルト、ニッケル、コバルト合
金またはニッケル合金からなるもの、またはその他の磁
性材料であってもよい。または永久磁石であってもよ
い。また、図面では、処理室１１の側壁および底部に磁
力発生体３１を設けたが、処理室１１の天井側内壁を磁
力発生体３１で構成することも可能である。すなわち、
処理室１１の内壁の少なくとも一部分に磁力発生体３１
が設けられていればよい。Further, the first magnetic force generator 31A and the second magnetic force generator 31B may be formed in a divisible state. The magnetic body is not limited to ferrite, and may be made of cobalt, nickel, cobalt alloy or nickel alloy, or other magnetic material. Alternatively, it may be a permanent magnet. Further, in the drawing, the magnetic force generator 31 is provided on the side wall and the bottom portion of the processing chamber 11, but the inner wall on the ceiling side of the processing chamber 11 can be configured by the magnetic force generator 31. That is,
A magnetic force generator 31 is provided on at least a part of the inner wall of the processing chamber 11.
Should be provided.
【００６６】さらにウエハ保持部１４の側方下部側かつ
処理室１１の底部に形成した第２磁力発生体３１Ｂの上
方には、電磁石で構成される磁力発生器１５が設置され
ている。この磁力発生器１５は、例えばウエハ保持部１
４の側方下部側に配置した複数の電磁石１６によって構
成されている。さらに各電磁石１６には、スイッチ１７
を介して電源１８が接続されている。なお、本発明で
は、各電磁石１６に対する電源１８の接続方式は問わな
いので、個々に接続してもよく、直列に接続してもよ
く、または並列に接続してもよい。なお、上記磁力発生
器１５は、磁性体で構成されたものであってもよい。こ
の場合には、スイッチ１７および電源１８は必要ない。
この磁性体は、例えば、フェライト、コバルト、ニッケ
ル、コバルト合金またはニッケル合金からなるもの、ま
たはその他の磁性材料からなるものであってもよい。ま
たは永久磁石であってもよい。Further, a magnetic force generator 15 composed of an electromagnet is installed above the second magnetic force generator 31B formed on the lower side of the wafer holder 14 and on the bottom of the processing chamber 11. The magnetic force generator 15 is, for example, the wafer holder 1
4 is composed of a plurality of electromagnets 16 arranged on the lower side of the side. Further, each electromagnet 16 has a switch 17
The power supply 18 is connected via. In the present invention, the power source 18 may be connected to each electromagnet 16 in any manner, and may be connected individually, in series, or in parallel. The magnetic force generator 15 may be made of a magnetic material. In this case, the switch 17 and the power supply 18 are not necessary.
The magnetic body may be made of ferrite, cobalt, nickel, a cobalt alloy or a nickel alloy, or other magnetic material, for example. Alternatively, it may be a permanent magnet.
【００６７】また上記スパッタリング装置７において
も、前記図５によって説明したスパッタリング装置４と
同様に、ターゲット１２とウエハ５１との間にシャッタ
ー（図示省略）を設け、このシャッターを磁力を発生す
る物体で形成してもよい。さらに、前記図６によって説
明したスパッタリング装置５と同様に、磁力発生器１５
の磁力を発生する部分にカバー（図示省略）を設けても
よい。またさらに、磁力発生体３１の磁力を発生する部
分にもカバー（図示省略）を設けてもよい。このカバー
は、前記図６によって説明したカバー２７と同様に磁力
線を透す材料で形成される。Also in the sputtering device 7, a shutter (not shown) is provided between the target 12 and the wafer 51 as in the sputtering device 4 described with reference to FIG. You may form. Further, like the sputtering device 5 described with reference to FIG. 6, the magnetic force generator 15
A cover (not shown) may be provided on the portion that generates the magnetic force. Further, a cover (not shown) may be provided on the magnetic force generator 31 at the portion generating magnetic force. This cover is formed of a material that transmits magnetic lines of force, like the cover 27 described with reference to FIG.
【００６８】上記スパッタリング装置７では、前記図７
で説明したスパッタリング装置６と同様の作用が得られ
るとともに、磁力発生器１５によっても処理室１１内の
パーティクルの除去が行える。そのため、処理室１１内
のパーティクルの除去効率が高められる。また、付着し
たパーティクル等の除去は、前記各実施形態で説明した
のと同様にして行えばよい。In the above sputtering apparatus 7, as shown in FIG.
The same effect as that of the sputtering apparatus 6 described in 1 above can be obtained, and the particles in the processing chamber 11 can be removed also by the magnetic force generator 15. Therefore, the efficiency of removing particles in the processing chamber 11 is improved. Further, the particles and the like that have adhered may be removed in the same manner as described in each of the above embodiments.
【００６９】次に、上記説明したスパッタリング装置を
用いて成膜を行う工程を含むプロセスの一例として、相
補型ＭＩＳ（Metal Insulator semiconductor ）トラン
ジスタの形成方法を、図９の製造工程図によって説明す
る。Next, a method of forming a complementary MIS (Metal Insulator semiconductor) transistor will be described as an example of a process including a step of forming a film by using the above-described sputtering apparatus with reference to the manufacturing process chart of FIG.
【００７０】図９の（１）に示すように、少なくとも表
層がシリコン層で形成されている半導体ウエハ〔以下、
シリコン（Ｓｉ）ウエハという〕１１１に素子分離領域
１１２とＰチャネルトランジスタの形成領域１１３とＮ
チャネルトランジスタの形成領域１３３とを形成する。
なお、Ｐチャネルトランジスタの形成領域１１３とＮチ
ャネルトランジスタの形成領域１３３とは例えばウエル
層（図示省略）で形成する。例えばＰチャネルトランジ
スタの形成領域１１３をＮ型ウエル層に形成し、Ｎチャ
ネルトランジスタの形成領域１３３をＰ型ウエル層に形
成する。As shown in (1) of FIG. 9, a semiconductor wafer in which at least the surface layer is formed of a silicon layer [hereinafter,
Silicon (Si) wafer] 111, an element isolation region 112, a P-channel transistor formation region 113, and an N region.
A channel transistor formation region 133 is formed.
The P-channel transistor formation region 113 and the N-channel transistor formation region 133 are formed by, for example, well layers (not shown). For example, the P-channel transistor formation region 113 is formed in the N-type well layer, and the N-channel transistor formation region 133 is formed in the P-type well layer.
【００７１】一方、素子分離領域１１２は、通常の局所
酸化法〔例えば、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Sil
icon）法〕によって形成し、各トランジスタの形成領域
には通常のＭＩＳトランジスタプロセスによって、ゲー
ト絶縁膜１１４，１３４を形成した後、ゲート絶縁膜１
１４上にゲート電極１１５を形成し、ゲート絶縁膜１３
４上にゲート電極１３５を形成する。このとき同時にゲ
ート配線（図示省略）も形成する。さらにＰチャネルト
ランジスタの形成領域１１３のシリコンウエハ１１１の
上層にＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）領域１１６，１
１７を形成し、Ｎチャネルトランジスタの形成領域１３
３のシリコンウエハ１１１の上層にＬＤＤ領域１３６，
１３７を形成する。On the other hand, the element isolation region 112 is formed by an ordinary local oxidation method [eg, LOCOS (Local Oxidation of Sil)].
icon) method], and after forming the gate insulating films 114 and 134 in the formation region of each transistor by a normal MIS transistor process, the gate insulating film 1 is formed.
A gate electrode 115 is formed on the gate insulating film 13
A gate electrode 135 is formed on the surface 4. At this time, a gate wiring (not shown) is also formed at the same time. Further, LDD (Lightly Doped Drain) regions 116, 1 are formed on the upper layer of the silicon wafer 111 in the P-channel transistor formation region 113.
17 to form an N-channel transistor forming region 13
LDD region 136, on the upper layer of silicon wafer 111 of No. 3
137 is formed.
【００７２】次いで、シリコンウエハ１１１上の全面に
酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜を形成した後、その酸化シ
リコン膜をエッチバックして、上記ＬＤＤ領域１１６，
１１７のゲート電極１１５側の一部分を残すために用い
るサイドウォール絶縁膜１１８を上記ゲート電極１１５
の側壁に形成し、ＬＤＤ領域１３６，１３７のゲート電
極１３５側の一部分を残すために用いるサイドウォール
絶縁膜１３８を上記ゲート電極１３５の側壁に形成す
る。Then, after forming a silicon oxide (SiO 2 ) film on the entire surface of the silicon wafer 111, the silicon oxide film is etched back to form the LDD regions 116,
The sidewall insulating film 118 used to leave a part of the gate electrode 115 on the gate electrode 115 side is formed on the gate electrode 115.
Is formed on the side wall of the gate electrode 135, and a side wall insulating film 138 is formed on the side wall of the gate electrode 135, which is used to leave a part of the LDD regions 136 and 137 on the gate electrode 135 side.
【００７３】次いで図９の（２）に示すように、ＣＶＤ
法によって、シリコンウエハ１１１上に酸化膜（図示省
略）を例えば１０ｎｍの膜厚に形成する。続いてリソグ
ラフィー技術によって、Ｎチャネルトランジスタの形成
領域１３３を覆うレジストパターン１８１（２点鎖線で
示す部分）を形成した後、そのレジストパターン１８１
をマスクに用いたイオン注入法によって、Ｐチャネルト
ランジスタのソース・ドレイン領域１１９，１２０を形
成するために、Ｐ型不純物〔例えば二フッ化ホウ素イオ
ン（ＢＦ2 + ）〕をシリコンウエハ１１１中にイオン注
入する。このとき、Ｐチャネルトランジスタの形成領域
１１３では素子分離領域１１２、ゲート電極１１５およ
びサイドウォール絶縁膜１１８もマスクになる。したが
って、ゲート電極１１５の両側のサイドウォール絶縁膜
１１８の下部にはＬＤＤ領域１１６，１１７が残る。Then, as shown in (2) of FIG.
By the method, an oxide film (not shown) is formed on the silicon wafer 111 to have a film thickness of, for example, 10 nm. Subsequently, a resist pattern 181 (a portion indicated by a chain double-dashed line) that covers the N-channel transistor formation region 133 is formed by a lithography technique, and then the resist pattern 181 is formed.
In order to form the source / drain regions 119 and 120 of the P-channel transistor by an ion implantation method using a mask as a mask, a P-type impurity [for example, boron difluoride ion (BF 2 + )] is ion-implanted in the silicon wafer 111. inject. At this time, in the P-channel transistor formation region 113, the element isolation region 112, the gate electrode 115 and the sidewall insulating film 118 also serve as a mask. Therefore, the LDD regions 116 and 117 remain under the sidewall insulating film 118 on both sides of the gate electrode 115.
【００７４】次いで上記レジストパターン１８１を除去
した後、例えばフッ酸によるウエットエッチングによっ
て上記酸化膜を除去する。Next, after removing the resist pattern 181, the oxide film is removed by wet etching with hydrofluoric acid, for example.
【００７５】続いてリソグラフィー技術によって、Ｐチ
ャネルトランジスタの形成領域１１３を覆うレジストパ
ターン１８２（２点鎖線で示す部分）を形成した後、そ
のレジストパターン１８２をマスクに用いたドーピング
法としてイオン注入法によって、Ｎチャネルトランジス
タのソース・ドレイン領域１３９、１４０を形成するた
めに、Ｎ型不純物〔例えばヒ素イオン（Ａｓ+ ）〕をシ
リコンウエハ１１１中にイオン注入する。このとき、Ｎ
チャネルトランジスタの形成領域１３３では素子分離領
域１１２、ゲート電極１３５およびサイドウォール絶縁
膜１３８もマスクになる。したがって、ゲート電極１３
５の両側のサイドウォール絶縁膜１３８の下部にはＬＤ
Ｄ領域１３６，１３７が残る。Subsequently, a resist pattern 182 (a portion indicated by a chain double-dashed line) covering the P-channel transistor forming region 113 is formed by a lithography technique, and then an ion implantation method is used as a doping method using the resist pattern 182 as a mask. , N-type impurities [for example, arsenic ions (As + )] are implanted into the silicon wafer 111 to form the source / drain regions 139 and 140 of the N-channel transistors. At this time, N
In the channel transistor formation region 133, the element isolation region 112, the gate electrode 135, and the sidewall insulating film 138 also serve as a mask. Therefore, the gate electrode 13
LD is formed under the sidewall insulating film 138 on both sides of
The D areas 136 and 137 remain.
【００７６】次いで上記レジストパターン１８２を除去
した後、上記ソース・ドレイン領域１１９，１２０およ
びソース・ドレイン領域１３９，１４０の活性化熱処理
をＲＴＡによって行う。その結果、ゲート電極１１５の
両側のシリコンウエハ１１１に、ＬＤＤ領域１１６を介
してソース・ドレイン領域１１９が形成され、ＬＤＤ領
域１１７を介してソース・ドレイン領域１２０が形成さ
れた。また、ゲート電極１３５の両側のシリコンウエハ
１１１に、ＬＤＤ領域１３６を介してソース・ドレイン
領域１３９が形成され、ＬＤＤ領域１３７を介してソー
ス・ドレイン領域１４０が形成された。Then, after removing the resist pattern 182, activation heat treatment for the source / drain regions 119, 120 and the source / drain regions 139, 140 is performed by RTA. As a result, the source / drain regions 119 were formed via the LDD regions 116 and the source / drain regions 120 were formed via the LDD regions 117 in the silicon wafer 111 on both sides of the gate electrode 115. Further, on the silicon wafer 111 on both sides of the gate electrode 135, the source / drain regions 139 were formed via the LDD regions 136, and the source / drain regions 140 were formed via the LDD regions 137.
【００７７】その後図９の（３）に示すように、ＩＣＰ
（Inductively Coupled Plasma）ソフトエッチングによ
って、シリコンウエハ１１１の表面に形成されている自
然酸化膜（図示省略）の除去を行う。上記ソフトエッチ
ングでは、一例としてその処理条件を、 エッチングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝１０ｓｃｃ
ｍ〔以下、ｓｃｃｍは標準状態における体積流量（ｃｍ
3 ／分）を表す〕、 ＩＣＰパワー：１ｋＷ、 Ｖdc：１００Ｖ、 エッチング雰囲気の圧力：０．０６Ｐａ に設定した。Thereafter, as shown in (3) of FIG.
(Inductively Coupled Plasma) A natural oxide film (not shown) formed on the surface of the silicon wafer 111 is removed by soft etching. In the above soft etching, the processing conditions are, for example, etching gas: argon (Ar); flow rate = 10 scc
m [hereinafter, sccm is the volumetric flow rate (cm
3 / min)], ICP power: 1 kW, Vdc: 100 V, and etching atmosphere pressure: 0.06 Pa.
【００７８】次いでスパッタリングによって、シリコン
ウエハ１１１上の全面に、金属膜としてコバルト（Ｃ
ｏ）膜１５１を、例えば３０ｎｍの膜厚に成膜する。上
記スパッタリングでは、一例としてその成膜条件を、 スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝１００
ｓｃｃｍ、 スパッタリングパワー：１ｋＷ、 成膜温度：１５０℃、 成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ に設定した。その際、処理室内には、磁力発生器および
磁力発生体のうちの少なくとも一方が設けられている。
ここでは磁力発生器が設けられているものとする。その
ため、強磁性体であるコバルト（Ｃｏ）からなるパーテ
ィクルは、上記磁力発生器に吸着されるので、パーティ
クルによる塵埃の発生は抑制される。Next, cobalt (C) is formed as a metal film on the entire surface of the silicon wafer 111 by sputtering.
o) The film 151 is formed to have a film thickness of 30 nm, for example. In the above sputtering, as an example, the film forming conditions are as follows: sputtering gas: argon (Ar); flow rate = 100
sccm, sputtering power: 1 kW, film forming temperature: 150 ° C., film forming atmosphere pressure: 0.47 Pa. At that time, at least one of the magnetic force generator and the magnetic force generator is provided in the processing chamber.
Here, it is assumed that a magnetic force generator is provided. Therefore, the particles made of cobalt (Co), which is a ferromagnetic material, are adsorbed by the magnetic force generator, so that the generation of dust due to the particles is suppressed.
【００７９】その後、２段階の熱処理を行う。まず第１
段階目の熱処理を行ってコバルト膜１５１のコバルト
（Ｃｏ）とシリコンウエハ１１１のシリコン（Ｓｉ）と
を反応させてコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ2 ）膜１５
２を形成する。このとき、ゲート電極１１５およびゲー
ト電極１３５がポリシリコンで形成されている場合に
は、図示のようにゲート電極１１５上およびゲート電極
１３５上にもコバルトシリサイド層１５２が形成され
る。上記第１段階目の熱処理では、一例としてその処理
条件を、 熱処理雰囲気：窒素；流量＝５ｓｌｍ、 熱処理温度：５５０℃、 熱処理時間：３０秒 に設定した。After that, a two-step heat treatment is performed. First,
The cobalt (Co) of the cobalt film 151 is reacted with the silicon (Si) of the silicon wafer 111 by performing the heat treatment of the second step to form the cobalt silicide (CoSi 2 ) film 15.
Form 2 At this time, when the gate electrode 115 and the gate electrode 135 are made of polysilicon, the cobalt silicide layer 152 is also formed on the gate electrode 115 and the gate electrode 135 as illustrated. In the first-stage heat treatment, as an example, the treatment conditions were set as follows: heat treatment atmosphere: nitrogen; flow rate = 5 slm, heat treatment temperature: 550 ° C., heat treatment time: 30 seconds.
【００８０】さらにアンモニア過水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2
Ｏ2 ）溶液を用いたウエットエッチングによって、未反
応なコバルト膜１５１（２点鎖線で示す部分）を選択的
にエッチングし、ソース・ドレイン領域１１９，１２
０、ゲート電極１１５、ソース・ドレイン領域１３９，
１４０、ゲート電極１３５上にコバルトシリサイド層１
５２を選択的に形成する。Further, ammonia hydrogen peroxide (NH 4 OH + H 2
The unreacted cobalt film 151 (the portion indicated by the chain double-dashed line) is selectively etched by wet etching using an O 2 ) solution to form the source / drain regions 119, 12
0, gate electrode 115, source / drain region 139,
140, the cobalt silicide layer 1 on the gate electrode 135
52 is selectively formed.
【００８１】その後、第２段階目の熱処理を行って上記
コバルトシリサイド層１５２の安定化を図る。上記第２
段階目の熱処理では、一例としてその処理条件を、 熱処理雰囲気：窒素；流量＝５ｓｌｍ、 熱処理温度：８００℃、 熱処理時間：３０秒 に設定した。Then, the second stage heat treatment is performed to stabilize the cobalt silicide layer 152. The second
In the heat treatment of the stage, as an example, the treatment conditions were set as follows: heat treatment atmosphere: nitrogen; flow rate = 5 slm, heat treatment temperature: 800 ° C., heat treatment time: 30 seconds.
【００８２】次いで図９の（４）に示すように、ＣＶＤ
法によって、シリコンウエハ１１１上の全面にわたっ
て、層間絶縁膜１６１を形成する。この層間絶縁膜１６
１は、例えば６００ｎｍの膜厚の酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）からなる。上記成膜では、一例としてその成膜条件
を、 反応ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）；流量＝
５０ｓｃｃｍ、 成膜温度：７２０℃、 成膜雰囲気の圧力：４０Ｐａ に設定した。Next, as shown in (4) of FIG.
By the method, the interlayer insulating film 161 is formed on the entire surface of the silicon wafer 111. This interlayer insulating film 16
1 is, for example, silicon oxide (SiO 2) having a film thickness of 600 nm.
2 ) Consists of In the above film formation, as an example, the film formation conditions are: reaction gas: tetraethoxysilane (TEOS); flow rate =
50 sccm, film forming temperature: 720 ° C., pressure of film forming atmosphere: 40 Pa.
【００８３】次いでリソグラフィー技術によって、コン
タクトホールを形成するためのマスクをレジストで形成
した後、ドライエッチング技術によって、上記層間絶縁
膜１６１に例えばコンタクトホール１６２，１６３を形
成する。ここでは、一例として、ソース・ドレイン領域
１２０上にコンタクトホール１６２を形成し、ソース・
ドレイン領域１４０上にコンタクトホール１６３を形成
した。上記ドライエッチングでは、一例としてその条件
を、 エッチングガス：オクタフルオロブタン（Ｃ4 Ｆ8 ）；
流量＝５０ｓｃｃｍ、 ＲＦパワー：１．２ｋＷ、 エッチング雰囲気の圧力：２Ｐａ に設定した。Next, a mask for forming contact holes is formed from a resist by a lithography technique, and then, for example, contact holes 162 and 163 are formed in the interlayer insulating film 161 by a dry etching technique. Here, as an example, the contact hole 162 is formed on the source / drain region 120 to
A contact hole 163 was formed on the drain region 140. In the above dry etching, as an example, the conditions are as follows: etching gas: octafluorobutane (C 4 F 8 );
The flow rate was 50 sccm, the RF power was 1.2 kW, and the etching atmosphere pressure was 2 Pa.
【００８４】次いで、上記コンタクトホール１６２，１
６３の内壁を含む上記層間絶縁膜１６１上に密着層とな
るチタン（Ｔｉ）膜１６４を例えば１０ｎｍの厚さに成
膜し、続いて窒化チタン（ＴｉＮ）膜１６５を例えば７
０ｎｍの厚さに成膜する。上記チタン（Ｔｉ）膜の成膜
では、一例としてその成膜条件を、 スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝１００
ｓｃｃｍ、 スパッタリングパワー：８ｋＷ、 成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ 成膜温度：１５０℃、 に設定した。また上記窒化チタン（ＴｉＮ）膜の成膜で
は、一例としてその成膜条件を、 スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝４０ｓ
ｃｃｍと、窒素（Ｎ2）；流量＝２０ｓｃｃｍ、 スパッタリングパワー：５ｋＷ、 成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ 成膜温度：１５０℃、 に設定した。Next, the contact holes 162, 1
A titanium (Ti) film 164 serving as an adhesion layer is formed to a thickness of, for example, 10 nm on the interlayer insulating film 161 including the inner wall of 63, and then a titanium nitride (TiN) film 165 is formed to, for example, 7 nm.
A film is formed to a thickness of 0 nm. In forming the titanium (Ti) film, as an example, the film forming conditions are as follows: sputtering gas: argon (Ar); flow rate = 100
sccm, sputtering power: 8 kW, film forming atmosphere pressure: 0.47 Pa, film forming temperature: 150 ° C. In the film formation of the titanium nitride (TiN) film, as an example, the film formation conditions are as follows: sputtering gas: argon (Ar); flow rate = 40 s
ccm and nitrogen (N 2 ); flow rate = 20 sccm, sputtering power: 5 kW, film forming atmosphere pressure: 0.47 Pa, film forming temperature: 150 ° C.
【００８５】次いでＣＶＤ法によって、上記密着層上に
タングステン（Ｗ）膜を上記コンタクトホール内を埋め
込む状態に、例えば４００ｎｍの膜厚に形成する。上記
タングステン膜の成膜では、一例としてその成膜条件
を、 反応ガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝２．２ｓｌｍと、
窒素（Ｎ2 ）；流量＝３００ｓｃｃｍと、水素
（Ｈ2 ）；流量＝５００ｓｃｃｍと、六フッ化タングス
テン（ＷＦ6 ）；流量＝７５ｓｃｃｍ、 成膜温度：４５０℃、 成膜雰囲気の圧力：１０．６４ｋＰａ に設定した。Next, by a CVD method, a tungsten (W) film is formed on the adhesion layer so as to fill the inside of the contact hole to have a film thickness of 400 nm, for example. In the film formation of the tungsten film, as an example, the film formation conditions are: reaction gas: argon (Ar); flow rate = 2.2 slm,
Nitrogen (N 2 ); flow rate = 300 sccm, hydrogen (H 2 ); flow rate = 500 sccm, tungsten hexafluoride (WF 6 ); flow rate = 75 sccm, film forming temperature: 450 ° C., film forming atmosphere pressure: 10. It was set to 64 kPa.
【００８６】次いで上記タングステン膜をエッチバック
して、上記コンタクトホール１６２内にタングステン膜
を残してタングステンプラグ１６６を形成し、上記コン
タクトホール１６３内にタングステン膜を残してタング
ステンプラグ１６７を形成する。このとき、層間絶縁膜
１６１上のチタン膜６４（２点鎖線で示す部分）および
窒化チタン膜１６５（２点鎖線で示す部分）も除去され
る。上記エッチバックでは、一例としてその条件を、 エッチングガス：六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）；流量＝５
０ｓｃｃｍ、 ＲＦパワー：１５０Ｗ、 エッチング雰囲気の圧力：１．３３Ｐａ に設定した。Next, the tungsten film is etched back to form a tungsten plug 166 leaving the tungsten film in the contact hole 162, and a tungsten plug 167 is formed leaving the tungsten film in the contact hole 163. At this time, the titanium film 64 (the portion indicated by the two-dot chain line) and the titanium nitride film 165 (the portion indicated by the two-dot chain line) on the interlayer insulating film 161 are also removed. In the above etch-back, as an example, the conditions are as follows: etching gas: sulfur hexafluoride (SF 6 ); flow rate = 5
0 sccm, RF power: 150 W, etching atmosphere pressure: 1.33 Pa.
【００８７】その後、上記層間絶縁膜上に密着層１６８
となるチタン（Ｔｉ）膜を例えば３０ｎｍの膜厚に成膜
する。上記チタン膜の成膜では、一例としてその成膜条
件を、 スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝１００
ｓｃｃｍ、 スパッタリングパワー：４ｋＷ、 成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ 成膜温度：１５０℃、 に設定した。Then, an adhesion layer 168 is formed on the interlayer insulating film.
A titanium (Ti) film to be formed is formed to have a film thickness of 30 nm, for example. In the film formation of the titanium film, as an example, the film formation conditions are as follows: sputtering gas: argon (Ar); flow rate = 100
sccm, sputtering power: 4 kW, film forming atmosphere pressure: 0.47 Pa, film forming temperature: 150 ° C.
【００８８】次いでスパッタリングによって、上記密着
層１６８上に主配線層１６９となるアルミニウム（Ａ
ｌ）膜を、例えば０．５μｍの膜厚に形成する。上記ア
ルミニウム膜の成膜では、一例としてその成膜条件を、 スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；流量＝５０ｓ
ｃｃｍ、 スパッタリングパワー：２２．５ｋＷ、 成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ 成膜温度：１５０℃、 に設定した。Next, by sputtering, aluminum (A) which will become the main wiring layer 169 is formed on the adhesion layer 168.
l) The film is formed to have a film thickness of 0.5 μm, for example. In the film formation of the aluminum film, as an example, the film formation conditions are as follows: sputtering gas: argon (Ar); flow rate = 50 s
ccm, sputtering power: 22.5 kW, film forming atmosphere pressure: 0.47 Pa film forming temperature: 150 ° C.
【００８９】その後、リソグラフィー技術によって配線
を形成するためのエッチングマスクになるレジストパタ
ーン（図示省略）を形成した後、そのレジストパターン
をマスクに用いたエッチングによって、上記主配線層１
６９と密着層１６８とをエッチングし、タングステンプ
ラグ１６６に接続する配線１７０とタングステンプラグ
１６７に接続する配線１７１とを形成する。上記エッチ
ング条件の一例としては、 エッチングガス：三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）；流量＝６
０ｓｃｃｍと、塩素（Ｃｌ2 ）；流量＝９０ｓｃｃｍ、 マイクロ波パワー：１ｋＷ、 ＲＦパワー：５０Ｗ、 エッチング雰囲気の圧力：１６ｍＰａ に設定した。After that, a resist pattern (not shown) serving as an etching mask for forming a wiring is formed by a lithography technique, and then the main wiring layer 1 is etched by using the resist pattern as a mask.
69 and the adhesion layer 168 are etched to form a wiring 170 connected to the tungsten plug 166 and a wiring 171 connected to the tungsten plug 167. An example of the etching conditions is as follows: etching gas: boron trichloride (BCl 3 ); flow rate = 6
0 sccm and chlorine (Cl 2 ); flow rate = 90 sccm, microwave power: 1 kW, RF power: 50 W, etching atmosphere pressure: 16 mPa.
【００９０】上記相補型ＭＩＳトランジスタの製造方法
では、コバルトシリサイドを用いた例を製造したが、コ
バルトシリサイドの代わりに、ニッケル（Ｎｉ）、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の遷移金
属からなるシリサイドを形成してもよい。特に、強磁性
体であるニッケル（Ｎｉ）膜をスパッタリングによって
形成する際に、上記図１〜図８によって説明したスパッ
タリング装置を用いることは、塵埃の発生が低減される
ので有効である。In the method of manufacturing the complementary MIS transistor, an example using cobalt silicide was manufactured. However, instead of cobalt silicide, nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), platinum (Pt),
A silicide made of a transition metal such as zirconium (Zr) or hafnium (Hf) may be formed. In particular, when a nickel (Ni) film that is a ferromagnetic material is formed by sputtering, it is effective to use the sputtering device described with reference to FIGS. 1 to 8 because the generation of dust is reduced.
【００９１】また、相補型ＭＩＳトランジスタ以外のデ
バイスとして、例えばバイポーラトランジスタ、電荷結
合素子、液晶デバイス等の製造において強磁性体膜を成
膜する時に、上記図１〜図８によって説明したスパッタ
リング装置を用いることは、塵埃の発生が低減されるの
で有効である。また、強磁性体膜をエッチングする時に
上記説明したエッチング装置を用いることは、塵埃の発
生が低減されるので有効である。As a device other than the complementary MIS transistor, for example, when a ferromagnetic film is formed in the production of a bipolar transistor, a charge coupled device, a liquid crystal device, etc., the sputtering apparatus described with reference to FIGS. The use is effective because the generation of dust is reduced. Further, it is effective to use the above-described etching apparatus when etching the ferromagnetic film, since the generation of dust is reduced.
【００９２】上記説明ではスパッタリング装置を一例に
して説明したが、スパッタリング装置以外の成膜装置、
例えば化学的気相成長装置にも、処理室内にパーティク
ルを吸着させるための磁力発生器および磁力発生体の少
なくともいずれか一方を設置するという本発明の構成を
適用することができる。In the above description, the sputtering apparatus has been described as an example, but a film forming apparatus other than the sputtering apparatus,
For example, the configuration of the present invention in which at least one of a magnetic force generator and a magnetic force generator for adsorbing particles is installed in the processing chamber can also be applied to the chemical vapor deposition apparatus.
【００９３】その構成は、上記スパッタリング装置の事
例と同様に、化学的気相成長装置の処理室内でかつその
処理室内に設置されたウエハの周囲の少なくとも一部分
に、磁力発生器を設けたものである。また処理室の内壁
の少なくとも一部分を磁力発生体で形成してもよい。そ
の磁力発生器は、上記スパッタリング装置で説明したの
と同様に、磁性体または電磁石からなる。その磁力発生
体は、上記スパッタリング装置で説明したのと同様に、
磁性体または電磁石からなる。また、上記説明したスパ
ッタリング装置の事例と同様に、磁力発生器の磁力を発
生する部分に磁力線を透す材料からなるカバーを設けて
もよい。。As in the case of the above-described sputtering apparatus, the structure is such that a magnetic force generator is provided in the processing chamber of the chemical vapor deposition apparatus and at least at a part of the periphery of the wafer installed in the processing chamber. is there. Further, at least a part of the inner wall of the processing chamber may be formed of a magnetic force generator. The magnetic force generator is made of a magnetic material or an electromagnet as in the case of the sputtering apparatus. The magnetic force generator, as described in the above sputtering device,
It consists of a magnetic material or an electromagnet. Further, as in the case of the sputtering apparatus described above, a cover made of a material that transmits magnetic force lines may be provided in the magnetic force generating portion of the magnetic force generator. .
【００９４】また、処理室内にパーティクルを吸着させ
るための磁力発生器および磁力発生体の少なくともいず
れか一方を設置するという本発明の構成はエッチング装
置の処理室にも適用できる。The configuration of the present invention in which at least one of the magnetic force generator and the magnetic force generator for adsorbing particles is installed in the processing chamber can be applied to the processing chamber of the etching apparatus.
【００９５】その構成は、上記スパッタリング装置の事
例と同様に、エッチング装置の処理室内でかつ処理室内
に設置されたウエハの周囲の少なくとも一部分に、磁力
発生器を設けたものである。またエッチング装置の処理
室の内壁の少なくとも一部分を磁力発生体で形成しても
よい。その磁力発生器は、上記スパッタリング装置で説
明したのと同様に、磁性体または電磁石からなる。その
磁力発生体は、上記スパッタリング装置で説明したのと
同様に、磁性体または電磁石からなる。また、上記説明
したスパッタリング装置の事例と同様に、磁力発生器の
磁力を発生する部分に磁力線を透す材料からなるカバー
を設けてもよい。As in the case of the above-described sputtering apparatus, the configuration is such that a magnetic force generator is provided in the processing chamber of the etching apparatus and at least at a part of the periphery of the wafer installed in the processing chamber. Further, at least a part of the inner wall of the processing chamber of the etching apparatus may be formed of a magnetic force generator. The magnetic force generator is made of a magnetic material or an electromagnet as in the case of the sputtering apparatus. The magnetic force generator is made of a magnetic material or an electromagnet, as described in the sputtering device. Further, similarly to the case of the sputtering apparatus described above, a cover made of a material that transmits magnetic force lines may be provided in the magnetic force generating portion of the magnetic force generator.
【００９６】さらに、上記各実施形態で説明した磁力発
生器および磁力発生体の各吸着面の形状は、平面状に形
成されてもよく、曲面状に形成されてもよい。また、そ
の吸着面は、平滑面であってもよく、または凹凸面であ
ってもよい。平滑面に形成すれば、スパッタリング後の
吸着面における付着物の除去が容易になる。一方、凹凸
面に形成すれば、吸着面積が広がるため、吸着量が多く
なるとともにスパッタリング中に吸着物が落下しにくく
なる。Further, the shape of each attraction surface of the magnetic force generator and the magnetic force generator described in each of the above embodiments may be flat or curved. Further, the suction surface may be a smooth surface or an uneven surface. If it is formed on a smooth surface, it becomes easy to remove the deposit on the adsorption surface after sputtering. On the other hand, if it is formed on the uneven surface, the adsorbed area is widened, so that the adsorbed amount is increased and the adsorbed material is less likely to drop during the sputtering.
【００９７】[0097]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
処理室内でかつウエハの周囲の少なくとも一部分に磁力
発生器を設けたので、処理室内で発生した強磁性体から
なるパーティクルおよび強磁性体を含むパーティクル
は、磁力発生器の磁力によって磁化してその磁力発生器
に吸着させることができる。また、処理室の内壁の少な
くとも一部分を磁力発生体で構成した半導体ウエハ処理
装置、処理室の内壁の少なくとも一部分を磁力発生体で
構成し処理室内でかつウエハの周囲の少なくとも一部分
に磁力発生器を設けたものでも、上記同様に、処理室内
で発生した強磁性体からなるパーティクルおよび強磁性
体を含むパーティクルを、磁力発生体および磁力発生器
に吸着することができる。As described above, according to the present invention,
Since the magnetic force generator is provided in at least a part of the periphery of the wafer in the processing chamber, the particles made of the ferromagnetic material and the particles containing the ferromagnetic material generated in the processing chamber are magnetized by the magnetic force of the magnetic force generator to generate the magnetic force. It can be adsorbed on a generator. Further, a semiconductor wafer processing apparatus in which at least a part of the inner wall of the processing chamber is composed of a magnetic force generator, and at least a part of the inner wall of the processing chamber is composed of a magnetic force generator, a magnetic force generator is provided in the processing chamber and at least part of the periphery of the wafer. Even with the one provided, as in the above, particles made of a ferromagnetic material and particles containing a ferromagnetic material generated in the processing chamber can be adsorbed to the magnetic force generator and the magnetic force generator.
【００９８】したがって、処理室内を浮遊するパーティ
クル量を低減することができるので、処理室内の清浄度
を向上させることができる。また磁力発生器や磁力発生
体に吸着されたパーティクルは、磁力により吸着されて
いるので剥がれ落ちることがない。そのため、再びパー
ティクルとなることはないので、ウエハ表面を高い清浄
度に保った状態で、ウエハ処理を行うことができる。よ
って、製品の信頼性の向上が図れるとともに、歩留りの
向上が図れる。Therefore, the amount of particles floating in the processing chamber can be reduced, and the cleanliness of the processing chamber can be improved. Further, since the particles attracted to the magnetic force generator or the magnetic force generator are attracted by the magnetic force, they do not fall off. Therefore, it does not become particles again, so that the wafer processing can be performed with the wafer surface kept at high cleanliness. Therefore, the reliability of the product can be improved and the yield can be improved.
【図１】本発明に係わる第１実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】磁力発生器の他の形態の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of another form of the magnetic force generator.
【図３】本発明に係わる第２実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明に係わる第３実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明に係わる第４実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明に係わる第５実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明に係わる第６実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明に係わる第７実施形態のスパッタリング
装置を説明する概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram illustrating a sputtering apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
【図９】相補型ＭＩＳトランジスタのプロセスの一例を
説明する製造工程図である。FIG. 9 is a manufacturing process diagram illustrating an example of the process of the complementary MIS transistor.
【図１０】従来のスパッタリング装置を説明する概略構
成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram illustrating a conventional sputtering apparatus.
【図１１】従来のＭＩＳトランジスタのプロセスを説明
する製造工程図である。FIG. 11 is a manufacturing process diagram illustrating a process of a conventional MIS transistor.
１ スパッタリング装置 １１ 処理室 １５ 磁
力発生器 ５１ ウエハDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering device 11 Processing chamber 15 Magnetic force generator 51 Wafer
Claims (15)
を成膜する、または処理室内に設置されたウエハに形成
した強磁性体をエッチングする半導体ウエハ処理装置に
おいて、 前記処理室内でかつ前記ウエハの周囲の少なくとも一部
分に、磁力発生器を設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。1. A semiconductor wafer processing apparatus for forming a ferromagnetic material on a wafer installed in a processing chamber or etching a ferromagnetic material formed on a wafer installed in a processing chamber, comprising: A semiconductor wafer processing apparatus, wherein a magnetic force generator is provided on at least a part of the periphery of a wafer.
おいて、 前記磁力発生器は、磁性体および電磁石のうちのいずれ
か一方からなることを特徴とする半導体ウエハ処理装
置。2. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the magnetic force generator comprises one of a magnetic body and an electromagnet.
おいて、 前記磁力発生器は、複数設けられ、 前記複数の磁力発生器のうちの少なくとも一つは磁性体
からなり、 前記複数の磁力発生器のうちの磁性体からなる磁力発生
器を除くものは電磁石からなることを特徴とする半導体
ウエハ処理装置。3. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of magnetic force generators are provided, at least one of the plurality of magnetic force generators is made of a magnetic material, and the plurality of magnetic force generators are provided. A semiconductor wafer processing apparatus characterized in that all of the components except the magnetic force generator made of a magnetic material are made of electromagnets.
おいて、 前記半導体ウエハ処理装置はスパッタリング装置であ
り、 該スパッタリング装置に設置されているターゲットと前
記ウエハとの間に設けられているシャッターは、磁力を
発生する物体で形成されていることを特徴とする半導体
ウエハ処理装置。4. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is a sputtering apparatus, and a shutter provided between the target installed in the sputtering apparatus and the wafer is A semiconductor wafer processing apparatus, which is formed of an object that generates a magnetic force.
おいて、 前記磁力発生器の磁力を発生する部分に磁力線を透す材
料からなるカバーを設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。5. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein a cover made of a material that transmits magnetic force lines is provided in a portion of the magnetic force generator that generates magnetic force.
を成膜する、または処理室内に設置されたウエハに形成
した強磁性体をエッチングする半導体ウエハ処理装置に
おいて、 前記処理室の内壁の少なくとも一部分は磁力発生体から
なることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。6. A semiconductor wafer processing apparatus for forming a ferromagnetic material on a wafer installed in a processing chamber or etching a ferromagnetic material formed on a wafer installed in a processing chamber, comprising: A semiconductor wafer processing apparatus characterized in that at least a part thereof is composed of a magnetic force generator.
おいて、 前記磁力発生体は磁性体および電磁石のうちのいずれか
一方または両方からなることを特徴とする半導体ウエハ
処理装置。7. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 6, wherein the magnetic force generator is made of one or both of a magnetic body and an electromagnet.
おいて、 前記半導体ウエハ処理装置はスパッタリング装置であ
り、 該スパッタリング装置に設置されているターゲットと前
記ウエハとの間に設けられているシャッターは、磁力を
発生する物体で形成されていることを特徴とする半導体
ウエハ処理装置。8. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 6, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is a sputtering apparatus, and the shutter provided between the target installed in the sputtering apparatus and the wafer is A semiconductor wafer processing apparatus, which is formed of an object that generates a magnetic force.
おいて、 前記磁力発生体の磁力を発生する部分に磁力線を透す材
料からなるカバーを設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。9. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 6, wherein a cover made of a material that transmits magnetic force lines is provided in a portion of the magnetic force generator that generates magnetic force.
体を成膜する、または処理室内に設置されたウエハに形
成した強磁性体をエッチングする半導体ウエハ処理装置
において、 前記処理室の内壁の少なくとも一部分は磁力発生体から
なるとともに、 前記処理室内でかつ前記ウエハの周囲の少なくとも一部
分に、磁力発生器を設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。10. A semiconductor wafer processing apparatus for forming a ferromagnetic material on a wafer installed in a processing chamber or etching a ferromagnetic material formed on a wafer installed in a processing chamber, comprising: A semiconductor wafer processing apparatus, characterized in that at least a part is formed of a magnetic force generator, and a magnetic force generator is provided in at least a part of the periphery of the wafer in the processing chamber.
置において、 前記磁力発生体は磁性体および電磁石のうちのいずれか
一方または両方からなることを特徴とする半導体ウエハ
処理装置。11. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 10, wherein the magnetic force generator comprises one or both of a magnetic body and an electromagnet.
置において、 前記磁力発生器は磁性体および電磁石のうちのいずれか
一方または両方からなることを特徴とする半導体ウエハ
処理装置。12. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 10, wherein the magnetic force generator comprises one or both of a magnetic body and an electromagnet.
置において、 前記半導体ウエハ処理装置はスパッタリング装置であ
り、 該スパッタリング装置に設置されているターゲットと前
記ウエハとの間に設けられているシャッターは、磁力を
発生する物体で形成されていることを特徴とする半導体
ウエハ処理装置。13. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 10, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is a sputtering apparatus, and a shutter provided between a target installed in the sputtering apparatus and the wafer is A semiconductor wafer processing apparatus, which is formed of an object that generates a magnetic force.
置において、 前記磁力発生器の磁力を発生する部分に磁力線を透す材
料からなるカバーを設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。14. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 10, wherein a cover made of a material that transmits magnetic force lines is provided in a portion of the magnetic force generator that generates magnetic force.
置において、 前記磁力発生体の磁力を発生する部分に磁力線を透す材
料からなるカバーを設けたことを特徴とする半導体ウエ
ハ処理装置。15. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 10, wherein a cover made of a material that transmits a line of magnetic force is provided on a portion of the magnetic force generator that generates a magnetic force.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586696A JPH09246186A (en) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | Semiconductor wafer processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586696A JPH09246186A (en) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | Semiconductor wafer processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246186A true JPH09246186A (en) | 1997-09-19 |
Family
ID=12731137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4586696A Pending JPH09246186A (en) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | Semiconductor wafer processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246186A (en) |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP4586696A patent/JPH09246186A/en active Pending
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