JPH09237770A - Wafer processing system - Google Patents
Wafer processing systemInfo
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- JPH09237770A JPH09237770A JP8344385A JP34438596A JPH09237770A JP H09237770 A JPH09237770 A JP H09237770A JP 8344385 A JP8344385 A JP 8344385A JP 34438596 A JP34438596 A JP 34438596A JP H09237770 A JPH09237770 A JP H09237770A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコンイ
ンゴットを切断することにより形成されたウエハを処理
するための処理システムに関するものである。より詳し
くは、半導体ウエハの洗浄等の各種処理を能率的に行う
ことが可能な処理システムに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing system for processing a wafer formed by cutting a silicon ingot, for example. More specifically, the present invention relates to a processing system capable of efficiently performing various kinds of processing such as cleaning of semiconductor wafers.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウエハは、シリコンより
なるインゴットを、例えばワイヤソーにより所定厚さに
切断することにより形成される。この切断方法の一例に
ついて簡単に説明する。図18(a)に示すように、シ
リコンのインゴットよりなるワーク22は円柱状をな
し、その上面にはカーボンプレート23a及び絶縁板2
3bを含む支持板23が接着剤23cにより貼着されて
いる。図19に示すように、ワーク22は、この支持板
23を介してワイヤソー16の支持機構17に装着され
る。ワイヤソー16は、複数のローラ18と、それらの
ローラ18間に所定ピッチで螺旋状に巻き付けられたワ
イヤ19と、ワイヤ19上に砥粒を含むスラリを供給す
るための供給パイプ15とを有する。図18(b)及び
図19に示すように、ワイヤ19が一方向又は双方向に
走行されながら、そのワイヤ19上に砥粒を含むスラリ
が供給され、この状態でワイヤ19に対してワーク22
が押し付けられる。この動作によってワーク22がスラ
イス加工されて、円板状をなす多数枚のウエハ22aが
同時に形成される。2. Description of the Related Art In general, a semiconductor wafer is formed by cutting an ingot made of silicon into a predetermined thickness using, for example, a wire saw. An example of this cutting method will be briefly described. As shown in FIG. 18A, the work 22 made of a silicon ingot has a cylindrical shape, and the carbon plate 23a and the insulating plate 2 are provided on the upper surface thereof.
A support plate 23 including 3b is attached by an adhesive 23c. As shown in FIG. 19, the work 22 is attached to the support mechanism 17 of the wire saw 16 via the support plate 23. The wire saw 16 includes a plurality of rollers 18, wires 19 spirally wound at a predetermined pitch between the rollers 18, and a supply pipe 15 for supplying slurry containing abrasive grains onto the wires 19. As shown in FIGS. 18B and 19, while the wire 19 is traveling in one direction or in both directions, a slurry containing abrasive grains is supplied onto the wire 19, and in this state, the work 22 is attached to the wire 19.
Is pressed. By this operation, the work 22 is sliced, and a large number of disk-shaped wafers 22a are simultaneously formed.
【0003】そして、従来、このスライスされたウエハ
22aは、洗浄されることなく、カセット等の容器に1
枚ずつ分離状態で収容されていた。そして、ウエハ22
aを容器に収容したままの状態で、洗浄装置等により洗
浄して後処理していた。Conventionally, the sliced wafer 22a is put into a container such as a cassette without being cleaned.
They were housed separately one by one. Then, the wafer 22
While a was stored in the container, it was post-treated by cleaning with a cleaning device or the like.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハ22
aを容器に収容したままの状態で洗浄すると、洗浄の効
率が悪く、ウエハ22aの表面に付着している切粉や砥
粒等を確実に取り除くことが困難である。しかも、切断
後のウエハ22aを容器に収容するまでの過程におい
て、ウエハ22aが切粉や砥粒で傷つくことがある。However, the wafer 22
If the cleaning is carried out in the state that the a is stored in the container, the cleaning efficiency is poor and it is difficult to reliably remove the cutting chips, the abrasive grains and the like adhering to the surface of the wafer 22a. Moreover, the wafer 22a may be damaged by chips or abrasive grains during the process of housing the cut wafer 22a in the container.
【0005】本発明の主たる目的は、切断後のウエハの
洗浄及び洗浄に付随する各種処理を、連続して能率的に
行うことが可能なウエハの処理システムを提供すること
にある。A main object of the present invention is to provide a wafer processing system capable of continuously and efficiently performing cleaning of a wafer after cutting and various processing associated with the cleaning.
【0006】本発明のその他の目的は、切断後のウエハ
が傷つくのを防止できるウエハの処理システムを提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a wafer processing system capable of preventing the wafer after cutting from being damaged.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載のウエハの処理システムの発明で
は、支持板に接着剤で貼着された柱状ワークをスライス
することにより形成された多数枚のウエハを処理するた
めのシステムにおいて、前記ウエハを支持板に貼着され
たままの状態で洗浄する洗浄手段と、洗浄されたウエハ
を柱状に集合された状態のまま支持板から剥離する剥離
手段と、前記ウエハを少なくとも前記洗浄手段から剥離
手段へ搬送する搬送手段とを備えたものである。In order to achieve the above object, in the invention of the wafer processing system according to claim 1, the wafer is formed by slicing a columnar work adhered to a support plate with an adhesive. A system for processing a large number of wafers that have been cleaned, a cleaning means for cleaning the wafer while the wafer is still attached to the support plate, and It is provided with a peeling means for peeling and a carrying means for carrying the wafer at least from the cleaning means to the peeling means.
【0008】請求項2に記載の発明では、請求項1にお
いて、前記洗浄手段はウエハに付着している汚れを概略
的に除去するべく同ウエハを粗洗浄する第1洗浄装置
と、粗洗浄後のウエハに付着している汚れをほぼ完全に
除去するべく同ウエハを洗浄する第2洗浄装置とを含む
ものである。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the cleaning means includes a first cleaning device for roughly cleaning the wafer to roughly remove dirt adhering to the wafer, and a cleaning device after the rough cleaning. Second cleaning device for cleaning the wafer to almost completely remove the dirt attached to the wafer.
【0009】請求項3に記載の発明では、請求項2にお
いて、前記第1洗浄装置はウエハに対して温水を噴射す
る噴射手段を備えたものである。According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the first cleaning apparatus is provided with an injection means for injecting hot water onto the wafer.
【0010】請求項4に記載の発明では、請求項2にお
いて、前記剥離手段は第2洗浄装置を兼用するものであ
る。According to a fourth aspect of the invention, in the second aspect, the peeling means also serves as the second cleaning device.
【0011】請求項5に記載の発明では、請求項4にお
いて、前記剥離手段は、加熱された液体を貯留する洗浄
槽と、前記ウエハは支持板とともに洗浄槽内の液体中に
浸漬されることと、前記洗浄槽内に配設された超音波発
生手段と、その超音波発生手段が発生する超音波は、ウ
エハに付着している汚れを除去し且つ、ウエハを支持板
から剥離させるべく、支持板とウエハとの間の接着剤を
膨潤または溶融することとを備えたものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the peeling means is a cleaning tank for storing heated liquid, and the wafer is immersed in the cleaning tank together with the support plate. And an ultrasonic wave generating means arranged in the cleaning tank, and an ultrasonic wave generated by the ultrasonic wave generating means removes dirt adhering to the wafer and peels the wafer from the support plate. Swelling or melting the adhesive between the support plate and the wafer.
【0012】請求項6に記載の発明では、請求項1〜5
のいずれかにおいて、前記洗浄手段によりウエハを洗浄
するのに先立ち、そのウエハを洗浄する予備洗浄手段
と、前記搬送手段は、前記ウエハを前記予備洗浄手段か
ら前記洗浄手段へ搬送することとを備えたものである。According to the sixth aspect of the present invention, the first to fifth aspects are provided.
In any one of the above, prior to the cleaning of the wafer by the cleaning means, a preliminary cleaning means for cleaning the wafer, and the transfer means for transferring the wafer from the preliminary cleaning means to the cleaning means. It is a thing.
【0013】請求項7に記載の発明では、請求項6にお
いて、前記予備洗浄手段は液体を貯留する洗浄槽を備
え、前記ウエハは洗浄槽内の液体中に浸漬されるもので
ある。According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, the preliminary cleaning means includes a cleaning tank for storing a liquid, and the wafer is immersed in the liquid in the cleaning tank.
【0014】請求項8に記載の発明では、請求項7にお
いて、前記予備洗浄手段は洗浄槽内の液体中に気泡を発
生させる気泡発生手段を備えたものである。According to an eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect, the preliminary cleaning means includes a bubble generating means for generating bubbles in the liquid in the cleaning tank.
【0015】請求項9に記載の発明では、請求項6にお
いて、前記予備洗浄手段はウエハに対しジェット水流を
噴射する複数のノズルを備えたものである。According to a ninth aspect of the present invention, in the sixth aspect, the preliminary cleaning means includes a plurality of nozzles for injecting a jet water stream onto the wafer.
【0016】請求項10に記載の発明では、請求項1〜
5のいずれかにおいて、柱状に集合された状態のウエハ
を1枚ずつ分離して容器に収容する分離収容手段と、前
記搬送手段はウエハを前記剥離手段から前記分離収容手
段へ搬送することとを備えたものである。According to a tenth aspect of the present invention, the first to third aspects are provided.
In any one of 5 above, a separating and accommodating unit that separates the wafers in a columnar state one by one and stores them in a container; Be prepared.
【0017】請求項11に記載の発明では、請求項10
において、前記分離収容手段によって容器に収容された
ウエハを、容器に収容されたままの状態で最終洗浄する
最終洗浄手段と、前記搬送手段はウエハを収容した容器
を分離収容手段から最終洗浄手段へ搬送することとを備
えたものである。According to the eleventh aspect, in the tenth aspect,
A final cleaning means for finally cleaning the wafer accommodated in the container by the separating and accommodating means in the state of being accommodated in the container; And carrying.
【0018】請求項12に記載の発明では、請求項11
において、前記最終洗浄手段は、ウエハ及び容器の洗浄
工程を複数回行うべく、複数の洗浄装置を備えたもので
ある。According to the invention of claim 12, in claim 11,
In the above, the final cleaning means is provided with a plurality of cleaning devices so as to perform the cleaning process of the wafer and the container a plurality of times.
【0019】請求項13に記載の発明では、請求項11
において、前記最終洗浄手段は温水を貯留する洗浄槽を
備え、前記ウエハは容器とともに洗浄槽内の温水中に浸
漬された状態で洗浄されるものである。According to the invention of claim 13, in claim 11,
In the above, the final cleaning means includes a cleaning tank that stores hot water, and the wafer is cleaned together with the container while being immersed in the warm water in the cleaning tank.
【0020】請求項14に記載の発明では、請求項13
において、前記最終洗浄手段は洗浄槽内に配設された超
音波発生手段を備え、ウエハ及び容器は超音波発生手段
が発生する超音波によって洗浄されるものである。According to a fourteenth aspect of the invention, there is provided a thirteenth aspect.
In the above, the final cleaning means includes ultrasonic wave generating means arranged in the cleaning tank, and the wafer and the container are cleaned by the ultrasonic wave generated by the ultrasonic wave generating means.
【0021】請求項15に記載の発明では、請求項13
または14において、前記搬送手段は、最終洗浄手段に
よって洗浄されたウエハを容器とともに温水から引き上
げるものである。According to the invention of claim 15, in claim 13,
Alternatively, in 14, the transfer means pulls up the wafer cleaned by the final cleaning means from the warm water together with the container.
【0022】請求項16に記載の発明では、請求項15
において、前記最終洗浄手段によって洗浄されたウエハ
を容器とともに乾燥させる乾燥手段と、前記搬送手段は
ウエハを収容した容器を最終洗浄手段から引き上げた後
に乾燥手段へ搬送することとを備えたものである。According to the invention of claim 16, in claim 15,
The drying means for drying the wafer cleaned by the final cleaning means together with the container, and the transfer means for pulling up the container containing the wafer from the final cleaning means and transferring it to the drying means. .
【0023】請求項17に記載の発明では、請求項1〜
5のいずれかにおいて、支持板に貼着された状態のウエ
ハを支持するための持ち運び可能な支持具と、前記洗浄
手段はウエハを支持具に支持した状態で洗浄すること
と、前記剥離手段はウエハを支持具に支持した状態で支
持板から剥離させることとを備えたものである。According to the invention described in Item 17,
In any one of 5, a portable support tool for supporting the wafer attached to the support plate; the cleaning means cleaning the wafer while the wafer is supported by the support tool; The wafer is supported by the support and is peeled off from the support plate.
【0024】請求項18に記載の発明では、請求項17
において、前記支持具は、支持板から剥離された後のウ
エハの姿勢を保持するための保持手段を有するものであ
る。[0024] According to the invention described in claim 18, according to claim 17 of the present invention.
In the above, the support tool has a holding means for holding the posture of the wafer after being peeled from the support plate.
【0025】請求項19に記載の発明では、請求項18
において、前記保持手段は、重ねられた状態のウエハの
倒伏を防止すべく、ウエハの群をその両端面側から挟む
一対の規制部材を有するものである。In the invention described in claim 19, claim 18 is provided.
In the above-mentioned, the holding means has a pair of restricting members for sandwiching the group of wafers from both end surface sides thereof in order to prevent the stacked wafers from falling down.
【0026】請求項20に記載の発明では、請求項19
において、前記保持手段は更に、ウエハの群の両端面間
の寸法に応じて両規制部材間の間隔を調整する調整手段
を有するものである。According to the twentieth aspect, in the nineteenth aspect,
In the above, the holding means further has an adjusting means for adjusting the distance between the both regulating members according to the dimension between both end faces of the group of wafers.
【0027】請求項21に記載の発明では、請求項20
において、ウエハの群の両端面間の寸法を測定する測定
手段を有するものである。According to the invention of claim 21, claim 20 is
In the above, there is a measuring means for measuring the dimension between both end faces of the group of wafers.
【0028】請求項22に記載の発明では、請求項21
において、前記測定手段は、超音波センサまたはレーザ
測長器のいずれかを含むものである。According to the invention described in claim 22, in claim 21
In the above, the measuring means includes either an ultrasonic sensor or a laser length measuring device.
【0029】請求項23に記載の発明では、請求項17
において、柱状に集合された状態のウエハを1枚ずつ分
離して容器に収容する分離収容手段と、前記搬送手段は
ウエハを支持した支持具を、洗浄手段、剥離手段及び分
離収容手段の間で搬送する第1搬送手段を有することと
を備えたものである。According to the invention of claim 23, the invention of claim 17
In the above, the separating and accommodating means for separating the wafers in a columnar state into a container and accommodating them in a container, and the supporting means for supporting the wafers between the cleaning means, the peeling means and the separating and accommodating means. Having a first transporting means for transporting.
【0030】請求項24に記載の発明では、請求項23
において、前記分離収容手段は、軸線がほぼ垂直方向に
延びる状態になるように積み重ねられたウエハを、最上
部のものから1枚ずつ分離するものであり、前記搬送手
段は、支持具内のウエハの群の軸線がほぼ垂直方向に延
びる状態になるように、分離収容手段へ搬入する支持具
の姿勢を変更する姿勢変更手段を有するものである。According to the invention of claim 24, in claim 23
In the above, the separating / accommodating means separates the stacked wafers one by one from the uppermost one so that the axes thereof extend in a substantially vertical direction, and the transfer means is a wafer in the support. It has a posture changing means for changing the posture of the supporting tool carried into the separating and accommodating means so that the axis of the group is extended in a substantially vertical direction.
【0031】請求項25に記載の発明では、請求項10
において、前記搬送手段は、空の容器を分離収容手段に
搬入するとともに、ウエハを収容した容器を分離収容手
段から搬出する搬入出手段を有するものである。In the invention described in Item 25, Item 10
In the above-mentioned, the transfer means has a carry-in / carry-out means for carrying in an empty container into the separation / accommodation means and carrying out a container accommodating a wafer from the separation / accommodation means.
【0032】請求項26に記載の発明では、請求項10
において、前記分離収容手段は、ウエハを水流によって
1枚ずつ分離させるものである。In the invention described in Item 26, Item 10
In the above, the separating and accommodating means separates the wafers one by one by a water flow.
【0033】請求項27に記載の発明では、請求項26
において、前記分離収容手段は、分離すべくウエハに接
触して分離方向への移動力を付与する分離ローラを備え
たものである。In the invention described in Item 27, Item 26
In the above, the separation / accommodation means is provided with a separation roller that comes into contact with the wafer to be separated and applies a moving force in the separation direction.
【0034】請求項28に記載の発明では、請求項27
において、前記分離ローラは、弾性を有する内側層とこ
の内側層を包囲する比較的硬質の外側層とでなるもので
ある。In the invention described in Item 28, Item 27
In the above, the separation roller comprises an inner layer having elasticity and a relatively hard outer layer surrounding the inner layer.
【0035】請求項29に記載の発明では、請求項26
において、前記分離収容手段は、分離移動途中のウエハ
を噴き上げ水流によって浮上させる噴出ノズルを備えた
ものである。In the invention described in claim 29, claim 26
In the above, the separating / accommodating means is provided with an ejection nozzle for ejecting a wafer which is in the course of separation movement and floating it by a water flow.
【0036】請求項30に記載の発明では、請求項1〜
5のいずれかにおいて、予め定められた制御プログラム
に従い、前記洗浄手段、剥離手段及び搬送手段の動作を
制御する制御手段を備えたものである。According to the invention described in Item 30,
In any one of 5, the control means is provided for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, and the conveying means in accordance with a predetermined control program.
【0037】請求項31に記載の発明では、請求項10
において、予め定められた制御プログラムに従い、前記
洗浄手段、剥離手段、分離収容手段及び搬送手段の動作
を制御する制御手段を備えたものである。In the invention described in Item 31,
In accordance with a predetermined control program, the control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, and the conveying means is provided.
【0038】請求項32に記載の発明では、請求項11
において、予め定められた制御プログラムに従い、前記
洗浄手段、剥離手段、分離収容手段、最終洗浄手段及び
搬送手段の動作を制御する制御手段を備えたものであ
る。In the invention described in Item 32, Item 11
In accordance with a predetermined control program, the control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, the final cleaning means and the carrying means are provided.
【0039】請求項33に記載の発明では、請求項16
において、予め定められた制御プログラムに従い、前記
洗浄手段、剥離手段、分離収容手段、最終洗浄手段、乾
燥手段及び搬送手段の動作を制御する制御手段を備えた
ものである。In the invention described in Item 33, Item 16
In accordance with a predetermined control program, the control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, the final cleaning means, the drying means and the conveying means are provided.
【0040】請求項34に記載の発明では、支持板に接
着剤で貼着された柱状ワークをスライスすることにより
形成された多数枚のウエハを処理するためのシステムに
おいて、前記ウエハを支持板に貼着されたままの状態で
洗浄するための洗浄ステーションと、洗浄されたウエハ
を柱状に集合された状態のまま支持板から剥離するため
の剥離ステーションと、柱状に集合された状態のウエハ
を1枚ずつ分離して容器に収容するための分離収容ステ
ーションとを備えたものである。According to a thirty-fourth aspect of the present invention, in a system for processing a large number of wafers formed by slicing a columnar work adhered to a supporting plate with an adhesive, the wafer is supported by the supporting plate. A cleaning station for cleaning the as-attached state, a peeling station for peeling the cleaned wafer from the support plate in a columnar assembled state, and a columnar assembled wafer A separate storage station for separating the sheets one by one and storing them in a container is provided.
【0041】従って、請求項1に記載のウエハの処理シ
ステムにおいては、ワイヤソーによりスライスされた多
数枚のウエハが支持板に貼着されて柱状に集合された状
態のまま洗浄手段により洗浄される。次に、洗浄された
ウエハが剥離手段へ搬送され剥離手段により支持板から
剥離される。このため、ウエハの洗浄及び支持板からの
剥離の各処理作業を、連続して能率的に行うことができ
る。また、ウエハの洗浄を、剥離後に収容される容器内
へのウエハの収容に先立って、容器に囲まれる前の剥き
出し状態で行うため、ウエハを確実かつ短時間で効率良
く行うことができる。Therefore, in the wafer processing system according to the first aspect of the present invention, a large number of wafers sliced by the wire saw are attached to the support plate and cleaned by the cleaning means while being gathered in a columnar shape. Next, the cleaned wafer is conveyed to the peeling means and peeled from the support plate by the peeling means. Therefore, each processing operation of cleaning the wafer and peeling it from the support plate can be continuously and efficiently performed. Further, since the cleaning of the wafer is performed in the exposed state before being surrounded by the container before the accommodation of the wafer in the container that is accommodated after the separation, the wafer can be surely and efficiently performed in a short time.
【0042】請求項2に記載の処理システムにおいて
は、洗浄手段が第1洗浄装置と第2洗浄装置とを含んで
いる。このため、ウエハの洗浄を、粗洗浄と汚れをほぼ
完全に除去するための洗浄とに分けて効果的に行うこと
ができる。In the processing system of the second aspect, the cleaning means includes a first cleaning device and a second cleaning device. Therefore, the cleaning of the wafer can be effectively performed by dividing it into the rough cleaning and the cleaning for almost completely removing the dirt.
【0043】請求項3に記載の処理システムにおいて
は、第1洗浄装置では温水の噴射によりウエハを洗浄す
る。ことため、粗洗浄の洗浄力が高まる。In the processing system according to the third aspect, the first cleaning device cleans the wafer by jetting hot water. Therefore, the cleaning power of the rough cleaning is enhanced.
【0044】請求項4に記載の処理システムにおいて
は、剥離手段が第2洗浄装置と兼用している。このた
め、ウエハの洗浄と同時にウエハを支持板から剥離する
ことができる。In the processing system of the fourth aspect, the peeling means also serves as the second cleaning device. Therefore, the wafer can be separated from the support plate at the same time as the cleaning of the wafer.
【0045】請求項5に記載の処理システムにおいて
は、剥離手段はウエハを液中において超音波発生手段に
より、ウエハに付着している汚れを除去しつつ、かつウ
エハを支持板から剥離させるべく支持板とウエハの間の
接着剤を膨潤または溶融する。このため、ウエハを支持
板から短時間で確実に剥離することができる。In the processing system according to the fifth aspect, the peeling means supports the wafer in the liquid by the ultrasonic wave generating means while removing the dirt adhering to the wafer and peeling the wafer from the support plate. Swell or melt the adhesive between the plate and the wafer. Therefore, the wafer can be reliably peeled off from the support plate in a short time.
【0046】請求項6、7、8に記載の処理システムに
おいては、洗浄手段によるウエハの洗浄に先立って、予
備洗浄手段によって予備洗浄を行う。この予備洗浄手段
により例えばウエハが水中に浸漬された状態で、水に発
生された気泡にて予備洗浄される。このため、次の工程
に搬送されるまで、ウエハは湿潤状態で保管され、しか
もこの予備洗浄によってウエハの表面に付着している切
粉等を概ね除去しておくことができ、次の洗浄手段によ
るウエハの洗浄を短時間で効果的に行うことができる。In the processing system according to the sixth, seventh and eighth aspects, the preliminary cleaning means performs the preliminary cleaning prior to the cleaning of the wafer by the cleaning means. With this pre-cleaning means, for example, a wafer is immersed in water and pre-cleaned by bubbles generated in water. Therefore, the wafer is stored in a wet state until it is transferred to the next step, and moreover, the chips and the like adhering to the surface of the wafer can be almost removed by this preliminary cleaning. The wafer can be effectively cleaned in a short time.
【0047】請求項9に記載の処理システにおいては、
予備洗浄手段はウエハをジェット水流によって洗浄す
る。このため、短時間で効率良い洗浄が可能となる。In the processing system according to claim 9,
The pre-cleaning means cleans the wafer with a jet water stream. Therefore, efficient cleaning can be performed in a short time.
【0048】請求項10に記載の処理システムにおいて
は、ウエハは洗浄手段により洗浄された後、剥離手段に
より剥離される。その後、剥離されたウエハが分離収容
手段に搬送され、分離収容手段により1枚ずつ分離され
て容器に収容される。このため、ウエハの洗浄、剥離及
び容器内への分離収容の各処理作業を、連続して能率的
に行うことができる。また、ウエハの洗浄が、容器への
収容に先立って行われるため、ウエハを確実かつ短時間
で洗浄することができる。しかも、ウエハに付着してい
る切粉や砥粒によって容器が汚されることもない。さら
に、ウエハが容器に収容されるまでの過程において、ウ
エハが切粉や砥粒で傷付くことを防止できる。In the processing system of the tenth aspect of the present invention, the wafer is cleaned by the cleaning means and then separated by the separating means. After that, the separated wafers are conveyed to the separating / accommodating means, separated one by one by the separating / accommodating means, and accommodated in the container. Therefore, it is possible to continuously and efficiently perform each processing operation of cleaning, peeling the wafer, and separating and accommodating the wafer. Further, since the cleaning of the wafer is performed prior to the accommodation in the container, the wafer can be cleaned reliably and in a short time. Moreover, the container is not contaminated by the cutting chips and the abrasive grains adhering to the wafer. Further, it is possible to prevent the wafer from being scratched by chips or abrasive grains in the process of being stored in the container.
【0049】請求項11に記載の処理システムにおいて
は、分離収容手段により容器にウエハが収容された後、
最終洗浄手段によってウエハが最終洗浄される。このた
め、最終洗浄により、ウエハの表面の汚れ等を一層確実
に除去することができるとともに、容器の汚れも除去す
ることができる。In the processing system according to the eleventh aspect, after the wafer is accommodated in the container by the separating and accommodating means,
The wafer is finally cleaned by the final cleaning means. Therefore, the final cleaning makes it possible to more reliably remove dirt and the like on the surface of the wafer and also to remove dirt on the container.
【0050】請求項12に記載の処理システムにおいて
は、最終洗浄手段が複数の洗浄装置で構成されている。
このため、ワークの最終洗浄を効果的に行うことができ
る。In the processing system of the twelfth aspect, the final cleaning means is composed of a plurality of cleaning devices.
Therefore, the final cleaning of the work can be effectively performed.
【0051】請求項13に記載の処理システムにおいて
は、ウエハが最終洗浄手段により温水に浸漬された状態
で洗浄される。このため、温水から引き上げ後の乾燥が
速くなる。In the processing system according to the thirteenth aspect, the wafer is cleaned by the final cleaning means while being immersed in hot water. For this reason, drying after pulling up from warm water becomes quick.
【0052】請求項14に記載の処理システムにおいて
は、最終洗浄手段は超音波発生手段によりウエハを洗浄
する。このため、洗浄力が高く短時間で最終洗浄を行う
ことができる。In the processing system according to the fourteenth aspect, the final cleaning means cleans the wafer by the ultrasonic wave generating means. Therefore, the cleaning power is high and the final cleaning can be performed in a short time.
【0053】請求項15に記載の処理システムにおいて
は、ウエハは容器とともに搬送手段により最終洗浄層の
温水から引き上げられる。このため、水の表面張力作用
により、ウエハの表面から水滴が容易に取り除かれ、ウ
エハが迅速に乾燥される。In the processing system according to the fifteenth aspect, the wafer is pulled up from the warm water in the final cleaning layer by the transfer means together with the container. Therefore, the surface tension effect of water easily removes water droplets from the surface of the wafer, and the wafer is dried quickly.
【0054】請求項16に記載の処理システムにおいて
は、ウエハは最終洗浄された後、温水から引き上げられ
て乾燥手段により乾燥される。このため、ウエハを容器
内に収容したままの状態で、全体に亘り均一かつ確実に
乾燥させることができる。In the processing system of the sixteenth aspect, after the final cleaning of the wafer, the wafer is pulled out from warm water and dried by the drying means. For this reason, it is possible to uniformly and surely dry the entire wafer in a state where the wafer is accommodated in the container.
【0055】請求項17に記載の処理システムにおいて
は、ウエハは支持具に支持された状態で洗浄され、剥離
される。このため、ウエハが破損するのを防止でき、搬
送を容易に行うことができる。In the processing system according to the seventeenth aspect, the wafer is cleaned and separated while being supported by the support. Therefore, the wafer can be prevented from being damaged, and the wafer can be easily transported.
【0056】請求項18に記載の処理システムにおいて
は、支持具はウエハが剥離された後の姿勢を保持する保
持手段を有する。このため、ウエハは支持板から剥離さ
れた後も崩れることなく柱状に集合された状態に保持さ
れる。In the processing system according to the eighteenth aspect, the supporting tool has a holding means for holding the posture after the wafer is peeled off. Therefore, the wafers are held in a columnar state without being broken even after being peeled from the support plate.
【0057】請求項19に記載の処理システムにおいて
は、ウエハを両端面から挟む一対の規制部材によってウ
エハの倒伏が防止される。このため、ウエハの損傷が防
止されるとともに、ウエハを1枚ずつ分離する工程にお
いて、そのウエハの取扱いが容易になる。In the processing system according to the nineteenth aspect, the wafer is prevented from falling down by the pair of restricting members sandwiching the wafer from both end surfaces. Therefore, the wafer is prevented from being damaged, and the wafer is easily handled in the step of separating the wafers one by one.
【0058】請求項20に記載の処理システムにおいて
は、一対の規制部材はその間隔を調整可能である。この
ため、ウエハの群の両端面間の寸法に合わせて調整でき
る。。In the processing system according to the twentieth aspect, the distance between the pair of regulating members can be adjusted. Therefore, it can be adjusted according to the dimension between both end faces of the group of wafers. .
【0059】請求項21、22に記載の処理システムに
おいては、例えば超音波センサやレーザ測定器などの測
定手段によりウエハの群の両端面間の寸法が測定され
る。このため、その測定結果に応じて両規制板間の間隔
が正確に調節され、ウエハの群を両規制板間で確実に保
持できる。しかも、得られた測定結果を後の工程におけ
る各種の制御に際して利用することも可能となる。In the processing system according to the twenty-first and twenty-second aspects, the dimension between the two end faces of the group of wafers is measured by a measuring means such as an ultrasonic sensor or a laser measuring device. Therefore, the distance between the regulation plates is accurately adjusted according to the measurement result, and the wafer group can be reliably held between the regulation plates. Moreover, the obtained measurement result can be used for various controls in the subsequent steps.
【0060】請求項23に記載の処理システムにおいて
は、搬送手段はウエハを支持した支持具を洗浄手段、剥
離手段、分離収容手段の間で搬送する。このため、ウエ
ハは支持具に保持された状態で損傷されることなく搬送
され、洗浄、剥離及び分離収容の各処理作業を連続的に
能率良く行うことができる。In the processing system of the twenty-third aspect, the transfer means transfers the support tool supporting the wafer between the cleaning means, the peeling means and the separation / accommodation means. For this reason, the wafer is transported while being held by the support tool without being damaged, and each processing operation such as cleaning, peeling, and separation / accommodation can be continuously and efficiently performed.
【0061】請求項24に記載の処理システムにおいて
は、剥離後の柱状のウエハ群は姿勢変更手段により垂直
な姿勢に変更されて最上部のものから1枚ずつ分離して
容器に収容される。このため、分離収容が容易に行え
る。In the processing system according to the twenty-fourth aspect, the columnar wafer group after peeling is changed to a vertical posture by the posture changing means, and separated from the uppermost one by one and housed in a container. For this reason, separation and accommodation can be easily performed.
【0062】請求項25に記載の処理システムにおいて
は、搬送手段は、分離収容手段に対して空の容器の搬入
とウエハを収容した容器の搬出を行う。このため、分離
収容の作業を能率的に行える。In the processing system of the twenty-fifth aspect, the carrying means carries in the empty container and carries out the container containing the wafer with respect to the separating and accommodating means. Therefore, the work of separating and accommodating can be efficiently performed.
【0063】請求項26に記載の処理システムにおいて
は、ウエハは水流にのせて1枚ずつ分離されるため、ウ
エハを損傷することなく効率的に分離できる。In the processing system of the twenty-sixth aspect, since the wafers are separated one by one by being placed on the water flow, the wafers can be efficiently separated without damage.
【0064】請求項27に記載の処理システムにおい
て、ウエハの分離に際し、ウエハに接触して分離方向へ
の移動力を付与する分離ローラを備える。このため、ウ
エハの分離動作が促進される。In the processing system according to the twenty-seventh aspect, there is provided a separation roller which comes into contact with the wafer and imparts a moving force in the separation direction when the wafer is separated. Therefore, the wafer separating operation is promoted.
【0065】請求項28に記載の処理システムにおいて
は、分離ローラは、弾性を有する内側層とこの内側層を
包囲する比較的硬質の外側層とでなる。このため、分離
ローラは十分な弾力性を有するとともに、耐摩耗性に優
れ、ウエハの分離が常に安定して行える。In the processing system according to the twenty-eighth aspect, the separating roller comprises an elastic inner layer and a relatively hard outer layer surrounding the inner layer. For this reason, the separation roller has sufficient elasticity and is excellent in abrasion resistance, so that the separation of the wafer can always be stably performed.
【0066】請求項29に記載の処理システムにおいて
は、分離移動途中のウエハを噴き上げ水流によって浮上
させる。このため、分離中の最上部のウエハとその直下
のウエハとの密着力が弱められウエハの分離動作が円滑
に行える。In the processing system of the twenty-ninth aspect, the wafer being separated and moved is jetted and floated by the water flow. For this reason, the adhesive force between the uppermost wafer being separated and the wafer immediately below it is weakened, and the wafer separating operation can be performed smoothly.
【0067】請求項30、31、32、33に記載の処
理システムにおいては、予め定められたプログラムによ
って、洗浄手段、剥離手段、分離収容手段、乾燥手段お
よび搬送手段がそれぞれ関連して制御される。このた
め、洗浄、剥離、分離収容、乾燥、それらの間の搬送の
一連の動作を自動化できる。In the processing system according to the thirty-third, thirty-first, thirty-second and thirty-third aspects, the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, the drying means and the conveying means are controlled in association with each other by a predetermined program. . Therefore, a series of operations such as cleaning, peeling, separation / accommodation, drying, and conveyance between them can be automated.
【0068】請求項34に記載の処理システムにおいて
は、洗浄、剥離、分離収容のための各ステーションを備
えている。このため、ウエハの搬送、処理システムの自
動化が容易に確立できる。In the processing system according to the thirty-fourth aspect, there are provided stations for cleaning, peeling, and separation / accommodation. Therefore, the wafer transfer and the automation of the processing system can be easily established.
【0069】[0069]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した第1実
施形態を図1〜図19に基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0070】前述したように、図18(a)に示すワー
ク22は、図18(b)及び図19に示すようにワイヤ
ソー16のワイヤ19によって切断される。その結果、
円板状をなす多数枚のウエハ22aが同時に形成され
る。この実施形態の処理システムは、このようにして形
成されたウエハ22aを洗浄したり1枚ずつ分離したり
するものである。そこで、以下に、処理システムについ
て詳述する。As described above, the work piece 22 shown in FIG. 18A is cut by the wire 19 of the wire saw 16 as shown in FIGS. 18B and 19. as a result,
A large number of disk-shaped wafers 22a are simultaneously formed. The processing system of this embodiment cleans the wafers 22a thus formed and separates them one by one. Therefore, the processing system will be described in detail below.
【0071】(処理システムの全体の構成)図1〜図4
に示すように、本実施形態の処理システムは、第1〜第
8工程ST1〜ST8を担当する各種の装置をフレーム
20上に一列に配列することにより構成されている。(Overall Configuration of Processing System) FIGS. 1 to 4
As shown in, the processing system of the present embodiment is configured by arranging various devices in charge of the first to eighth steps ST1 to ST8 on the frame 20 in a line.
【0072】予備洗浄手段としての予備洗浄装置21は
第1工程ST1を担当し、ワイヤソー16によりウエハ
状に切断されたワーク22を、支持板23に貼着された
ままの状態で予備洗浄する。洗浄手段としての洗浄装置
24は第2工程ST2及び第3工程ST3を担当し、予
備洗浄されたワーク22を、仮置き台25上において支
持具としての第1カセット26内に収容する。その後、
洗浄装置24は、仮置き台25に隣接する槽内で、ワー
ク22を第1カセット26内に収容した状態で洗浄す
る。剥離手段としての剥離装置27は洗浄装置24とと
もに第3工程ST3を担当し、洗浄されたワーク22を
支持板23から剥離する。The pre-cleaning device 21 as the pre-cleaning means is in charge of the first step ST1 and pre-cleans the work 22 cut into a wafer by the wire saw 16 while being attached to the support plate 23. The cleaning device 24 as a cleaning means is in charge of the second step ST2 and the third step ST3, and stores the pre-cleaned work 22 in the first cassette 26 as a support on the temporary placing table 25. afterwards,
The cleaning device 24 cleans the work 22 in the first cassette 26 in a tank adjacent to the temporary placing table 25. The peeling device 27 as a peeling unit takes charge of the third step ST3 together with the cleaning device 24, and peels the cleaned work 22 from the support plate 23.
【0073】分離収容手段としての分離収容装置28は
第4工程ST4を担当し、支持板23から剥離されたウ
エハ22aを1枚ずつ分離して、容器としての第2カセ
ット29に収容する。最終洗浄手段としての精洗浄装置
30は第5工程ST5〜第7工程ST7を担当し、第2
カセット29に収容されたウエハ22aを温水に浸漬さ
せた状態で精洗浄する。乾燥手段としての乾燥装置31
は第8工程ST8を担当し、精洗浄装置30にて精洗浄
されたウエハ22aを温水から引き上げた後に乾燥させ
る。The separation / accommodation device 28 as a separation / accommodation means takes charge of the fourth step ST4, separates the wafers 22a separated from the support plate 23 one by one, and stores them in the second cassette 29 as a container. The precise cleaning device 30 as the final cleaning means is in charge of the fifth step ST5 to the seventh step ST7,
The wafer 22a housed in the cassette 29 is precisely cleaned while being immersed in warm water. Drying device 31 as a drying means
In charge of the eighth step ST8, the wafer 22a that has been subjected to the precise cleaning by the precise cleaning device 30 is pulled out from the warm water and then dried.
【0074】搬送手段としてのワーク保持装置32は第
1工程ST1を担当する予備洗浄装置21の上方に配設
されている。支持板23に取り付けられた状態のワーク
22は、ワイヤソー16によりウエハ状に切断された
後、図2に示す搬入装置33によって予備洗浄装置21
の上方に搬入される。保持装置32は、搬入されたワー
ク22をその軸線がフレーム20上の各装置の配列方向
に沿って延びた状態で一時的に保持する。The work holding device 32 as a conveying means is arranged above the preliminary cleaning device 21 in charge of the first step ST1. The work 22 attached to the support plate 23 is cut into a wafer by the wire saw 16, and then the pre-cleaning device 21 is loaded by the loading device 33 shown in FIG.
Is loaded above. The holding device 32 temporarily holds the loaded work 22 with its axis extending along the arrangement direction of each device on the frame 20.
【0075】搬送手段としての第1搬送装置34は第1
工程ST1〜第4工程ST4を担当する予備洗浄装置2
1、仮置き台25、洗浄装置24、剥離装置27及び分
離収容装置28の上方に対応して配設されている。第1
搬送装置34は、支持板23に取付けられたワーク22
を保持装置32から受取って予備洗浄装置21に搬送す
る。さらに、第1搬送装置34は、ワーク22を予備洗
浄装置21、仮置き台25、洗浄装置24、剥離装置2
7及び分離収容装置28の間において、順に間欠的に移
動させる。The first transfer device 34 as the transfer means is the first
Preliminary cleaning device 2 in charge of steps ST1 to ST4
1, above the temporary placing table 25, the cleaning device 24, the peeling device 27, and the separation / accommodation device 28. First
The transfer device 34 includes the work 22 attached to the support plate 23.
Is received from the holding device 32 and conveyed to the preliminary cleaning device 21. In addition, the first transfer device 34 includes a preliminary cleaning device 21, a temporary placing table 25, a cleaning device 24, and a peeling device 2 for the work 22.
7 and the separation / accommodation device 28 are moved intermittently in order.
【0076】第1搬送装置34は、保持装置32から受
け取ったワーク22を予備洗浄装置21に搬送すると
き、ワーク22をその軸線がフレーム20上の各装置の
配列方向と直交する方向に延びるように、水平面内で9
0度回転させる。また、第1搬送装置34は、仮置き台
25上においてワーク22を支持板23に貼着されたま
まの状態で第1カセット26内に収容する。さらに、第
1ワーク搬送装置34は、ワーク22を剥離装置27か
ら分離収容装置28に搬送するとき、ワーク22をその
軸線がフレーム20上の各装置の配列方向に沿って延び
るように、水平面内で90度回転させる。When the work 22 received from the holding device 32 is transferred to the pre-cleaning device 21, the first transfer device 34 extends the axis of the work 22 in a direction orthogonal to the arrangement direction of the devices on the frame 20. And in the horizontal plane 9
Rotate 0 degrees. Further, the first transport device 34 accommodates the work 22 in the first cassette 26 on the temporary placing table 25 while being stuck to the support plate 23. Further, the first work transfer device 34 is arranged in a horizontal plane so that when the work 22 is transferred from the peeling device 27 to the separation / accommodation device 28, the axis of the work 22 extends along the arrangement direction of each device on the frame 20. Rotate 90 degrees.
【0077】搬送手段としての第2搬送装置35は第4
工程ST4を担当する分離収容装置28の上方に配設さ
れている。第2搬送装置35は、ワーク22をフレーム
20上の各装置の配列方向に沿って移動させながら、そ
のワーク22を垂直面内で90度回転させる。言い換え
れば、第2搬送装置35は、ワーク22をその軸線がフ
レーム20上の各装置の配列方向に沿ってほぼ水平に延
びている状態からほぼ垂直方向に延びる状態になるよう
に回転させる。The second transfer device 35 as the transfer means is the fourth transfer device.
It is disposed above the separation / accommodation device 28 that is in charge of the process ST4. The second transfer device 35 rotates the work 22 by 90 degrees in a vertical plane while moving the work 22 along the arrangement direction of each device on the frame 20. In other words, the second transfer device 35 rotates the work 22 so that the axis of the work 22 extends substantially horizontally along the arrangement direction of the devices on the frame 20 and extends substantially vertically.
【0078】搬送手段としてのカセット移送装置36は
第4工程ST4を担当する分離収容装置28の後方に配
設されている。カセット移送装置36は、図2に示すカ
セット搬入装置37によって搬入されてくる空の第2カ
セット29を、分離収容装置28の上方位置まで移送す
る。The cassette transfer device 36 as a transfer means is disposed behind the separation / accommodation device 28 in charge of the fourth step ST4. The cassette transfer device 36 transfers the empty second cassette 29 carried in by the cassette carry-in device 37 shown in FIG. 2 to a position above the separation / accommodation device 28.
【0079】搬送手段としての第3搬送装置38は、第
4工程ST4〜第8工程ST8を担当する分離収容装置
28、精洗浄装置30及び乾燥装置31の上方に配設さ
れている。第3搬送装置38は、空の第2カセット29
をカセット移送装置36から受取って分離収容装置28
に搬送する。第3搬送装置38は、第2カセット29に
収容されたワーク22を、分離収容装置28、精洗浄装
置30及び乾燥装置31の間において、順に間欠的に移
動させる。なお、分離収容装置28においては、ワーク
22が第2カセット29に収容された後、ワーク22は
その軸線がフレーム20上の各装置の配列方向に沿って
延びる状態になるように、垂直面内で90度回転され
る。The third transfer device 38 as a transfer means is arranged above the separation / accommodation device 28, the precise cleaning device 30, and the drying device 31 which are in charge of the fourth step ST4 to the eighth step ST8. The third transport device 38 is used for the empty second cassette 29.
Receiving from the cassette transfer device 36 and separating and accommodating device 28
Transport to The third transfer device 38 intermittently sequentially moves the work 22 stored in the second cassette 29 between the separation and storage device 28, the precise cleaning device 30, and the drying device 31. In the separation / accommodation device 28, after the work 22 is accommodated in the second cassette 29, the work 22 is placed in a vertical plane so that the axis of the work 22 extends along the arrangement direction of each device on the frame 20. Is rotated 90 degrees.
【0080】図2に示すように、搬出装置39は第8工
程ST8を担当する乾燥装置31の側方に配設されてい
る。搬出装置39は、乾燥装置31にて乾燥されたワー
ク22を本実施形態の処理システムから搬出して、次段
の工程に移送する。As shown in FIG. 2, the carry-out device 39 is arranged beside the drying device 31 which is in charge of the eighth step ST8. The carry-out device 39 carries out the work 22 dried by the drying device 31 from the processing system of the present embodiment and transfers it to the next process.
【0081】図3に示すように、制御手段としての制御
装置40は、例えばフレーム20の背面側に配置されて
いる。制御装置40は、予め定められた制御プログラム
に従い、第1〜第8工程ST1〜ST8を担当する各装
置の動作を制御する。As shown in FIG. 3, the control device 40 as the control means is arranged, for example, on the back side of the frame 20. The control device 40 controls the operation of each device in charge of the first to eighth steps ST1 to ST8 according to a predetermined control program.
【0082】次に、上述した各装置の構成及び作用につ
いて詳述する。Next, the structure and operation of each of the above-mentioned devices will be described in detail.
【0083】(第1工程)図3及び図5に示すように、
第1工程ST1を担当する予備洗浄装置21は、予備洗
浄槽42を備えている。支持板23に貼着された状態の
ワーク22は、槽42の内部において支持台43上に支
持される。槽42内にはバルブ44aを有する給水路4
4を介して水が供給される。槽42内にはポンプ45a
及びバルブ45bを有する供給路45を介して、タンク
46内の洗浄剤が供給される。洗浄剤としては、例えば
中性洗剤が用いられる。洗浄剤が槽42内の水に混合さ
れることにより、槽42内には所定濃度の洗浄液が形成
される。槽42内には洗浄液の濃度を検出するための濃
度センサ41が配設されている。制御装置40は、槽4
2内の洗浄液の濃度が所定値になるように、濃度センサ
41による検出結果に基づき、バルブ44a,45b及
びポンプ45a等を制御する。(First Step) As shown in FIGS. 3 and 5,
The preliminary cleaning device 21 in charge of the first step ST1 includes a preliminary cleaning tank 42. The work 22 attached to the support plate 23 is supported on the support base 43 inside the tank 42. A water supply passage 4 having a valve 44a in the tank 42
Water is supplied via 4. A pump 45a is provided in the tank 42.
The cleaning agent in the tank 46 is supplied through the supply passage 45 having the valve 45b. As the cleaning agent, for example, a neutral detergent is used. By mixing the cleaning agent with the water in the tank 42, a cleaning liquid having a predetermined concentration is formed in the tank 42. A concentration sensor 41 for detecting the concentration of the cleaning liquid is arranged in the tank 42. The control device 40 is the tank 4
The valves 44a and 45b, the pump 45a, and the like are controlled based on the detection result of the concentration sensor 41 so that the concentration of the cleaning liquid in 2 becomes a predetermined value.
【0084】気泡発生手段としてのエアノズル47は予
備洗浄槽42の内底部に配設され、エアの噴出により洗
浄液中に気泡を発生させる。この気泡により、洗浄液中
に浸漬されたワーク22が予備洗浄される。この予備洗
浄により、各ウエハ22aの表面に付着しているスラリ
ーや切粉等の汚れが、洗浄装置24によるウエハ22a
の洗浄に先立って概ね除去される。The air nozzle 47 as a bubble generating means is arranged at the inner bottom portion of the preliminary cleaning tank 42 and generates bubbles in the cleaning liquid by jetting air. The bubbles 22 preliminarily clean the work 22 dipped in the cleaning liquid. By this preliminary cleaning, stains such as slurry and chips adhering to the surface of each wafer 22a are removed by the cleaning device 24 from the wafer 22a.
Are generally removed prior to washing.
【0085】予備洗浄時には、予備洗浄槽42内の洗浄
液が、ポンプ48a、バルブ48b、温水タンク48
d、ヒータ48e及びフィルタ48cを有する循環路4
8を介して循環される。この循環によって、ウエハ22
aに付着している油分が約40℃の温水によって除去さ
れるとともに、洗浄液中に含まれる汚れがフィルタ48
cによって濾過される。さらに、予備洗浄時には、スラ
リー中の砥粒等によって汚染された槽42内の空気が、
導入口42aから排気路49を介して強制的に排気され
る。During the preliminary cleaning, the cleaning liquid in the preliminary cleaning tank 42 is pumped by the pump 48a, the valve 48b and the hot water tank 48.
Circulation path 4 having d, heater 48e and filter 48c
It is circulated through 8. By this circulation, the wafer 22
The oil content adhering to a is removed by warm water of about 40 ° C., and the dirt contained in the cleaning liquid is filtered by the filter 48.
filtered by c. Further, during the preliminary cleaning, the air in the tank 42 contaminated by the abrasive grains in the slurry is
The gas is forcibly exhausted from the inlet 42a via the exhaust passage 49.
【0086】(第2工程)図1〜図3に示すように、仮
置き台25は予備洗浄装置21の予備洗浄槽42に隣接
して配置されている。予備洗浄後のワーク22は、仮置
き台25上において第1カセット26内に収容される。
図12及び図13に示すように、第1カセット26は、
所定間隔をおいて平行に配設された一対の側板52と、
両側板52間に架設された複数の連結ロッド53とを有
してる。一対の係止孔52aは、各側板52の上端に形
成されている。後述するが、この係止孔52aは、第1
搬送装置34によって第1カセット26を持ち上げるた
めに設けられている。(Second Step) As shown in FIGS. 1 to 3, the temporary placing table 25 is disposed adjacent to the preliminary cleaning tank 42 of the preliminary cleaning device 21. The work 22 after the preliminary cleaning is accommodated in the first cassette 26 on the temporary placing table 25.
As shown in FIGS. 12 and 13, the first cassette 26 is
A pair of side plates 52 arranged in parallel at a predetermined interval,
It has a plurality of connecting rods 53 installed between both side plates 52. The pair of locking holes 52a are formed at the upper ends of the side plates 52. As will be described later, this locking hole 52a is
It is provided to lift the first cassette 26 by the transfer device 34.
【0087】一対の保持体54は、それぞれ各側板52
の内側面の上部に突設されている。これらの保持体54
上に支持板23が載置されることにより、ワーク22が
両側板52間に収容される。保持手段としての一対の保
持ロッド55は、両側板52の下部間に所定間隔をおい
て架設されている。第3工程ST3を担当する剥離装置
27によってワーク22が支持板23から剥離されたと
き、そのワーク22が両保持ロッド55上に保持され
る。The pair of holders 54 are respectively provided on the side plates 52.
Is projected on the upper part of the inner surface of the. These holders 54
The work 22 is accommodated between the side plates 52 by placing the support plate 23 thereon. The pair of holding rods 55 serving as holding means are provided between the lower portions of the both side plates 52 at a predetermined interval. When the work 22 is peeled from the support plate 23 by the peeling device 27 in charge of the third step ST3, the work 22 is held on both the holding rods 55.
【0088】連結ロッド53と平行に延びるガイドロッ
ド56は、両側板52間に架設されている。規制手段を
構成するネジ棒57はガイドロッド56と平行に延びる
ように、両側板52間に回転可能に支持されている。保
持手段としてのネジ棒57は、その外周面に螺旋の向き
が異なる一対のネジ部57a,57bを有している。ネ
ジ棒57の一端には回転操作体58に係合可能な操作部
57cが突設されている。回転操作体58は仮置き台2
5の近傍に配置され、モータ等の駆動源50により回転
される(図1及び図2参照)。A guide rod 56 extending parallel to the connecting rod 53 is installed between the side plates 52. The screw rod 57 that constitutes the restricting means is rotatably supported between the side plates 52 so as to extend in parallel with the guide rod 56. The threaded rod 57 as a holding means has a pair of threaded portions 57a and 57b on the outer peripheral surface thereof with different spiral directions. An operating portion 57c engageable with the rotary operating body 58 is provided at one end of the screw rod 57 so as to project therefrom. The rotary operation body 58 is the temporary stand 2.
It is arranged in the vicinity of 5 and is rotated by a drive source 50 such as a motor (see FIGS. 1 and 2).
【0089】規制部材としての一対の規制板59は、剥
離後のウエハ22aの倒伏を防止するための手段を構成
している。各規制板59はそれぞれ支持部材60を介し
てガイドロッド56にその軸線方向へ移動可能に支持さ
れている。各支持部材60は、それぞれネジ棒57のネ
ジ部57a,57bに螺合するネジ孔60aを有してい
る。回転操作体58によってネジ棒57が回転させられ
るのに伴い、両規制板59が互いに接近または離間する
方向へ移動されて、両規制板59間の間隔が変更され
る。The pair of restricting plates 59 as restricting members constitute means for preventing the wafer 22a from falling down after peeling. Each regulation plate 59 is supported by a guide rod 56 via a support member 60 so as to be movable in the axial direction. Each support member 60 has a screw hole 60a that is screwed into the screw portion 57a, 57b of the screw rod 57. As the screw rod 57 is rotated by the rotating operation body 58, both the regulation plates 59 are moved toward or away from each other, and the distance between the both regulation plates 59 is changed.
【0090】測定手段としての一対の超音波センサ51
は、仮置き台25上の第1カセット26の各側板52と
対向するように設置されている。各センサ51は、第1
カセット26内に収容されたワーク22の各端面との間
の距離を検出する。制御装置40は、センサ51による
検出結果に基づき、ワーク22の軸線方向における長さ
を認識する。制御装置40は、ワーク22の各ウエハ2
2aを両規制板59によって倒伏しないように保持すべ
く、ワーク22の軸線方向における長さに応じて回転操
作体58の駆動源50を制御して、両規制板59間の間
隔を調整する。A pair of ultrasonic sensors 51 as measuring means
Are installed so as to face the side plates 52 of the first cassette 26 on the temporary placing table 25. Each sensor 51 has a first
The distance between each end face of the work 22 housed in the cassette 26 is detected. The control device 40 recognizes the length of the work 22 in the axial direction based on the detection result of the sensor 51. The control device 40 controls each wafer 2 of the work 22.
The drive source 50 of the rotary operation body 58 is controlled according to the length of the workpiece 22 in the axial direction in order to hold the 2a so as not to fall over by the both regulation plates 59, and the space between the both regulation plates 59 is adjusted.
【0091】超音波センサ51に代えて、レーザ光線に
よって距離を検出するレーザ測長器を用いてもよい。Instead of the ultrasonic sensor 51, a laser length measuring device for detecting a distance by a laser beam may be used.
【0092】図3及び図6に示すように、洗浄装置24
は、第2工程ST2を担当する粗洗浄装置24aを有し
ている。粗洗浄装置24aは第1洗浄槽63を備えてい
る。噴射手段としての複数の噴射ノズル64は、第1洗
浄槽63内に配置されたワーク22の外周面と対向する
ように、第1洗浄槽63の内部両側に所定間隔おきで配
設されている。ヒータ65aを備えた温水タンク65
は、第1洗浄槽63に隣接して配置されている。温水タ
ンク65の内部には、バルブ66aを有する給水路66
を介して水が供給される。As shown in FIGS. 3 and 6, the cleaning device 24
Has a rough cleaning device 24a in charge of the second step ST2. The rough cleaning device 24a includes a first cleaning tank 63. A plurality of jet nozzles 64 as jetting means are arranged at predetermined intervals on both inner sides of the first cleaning tank 63 so as to face the outer peripheral surface of the work 22 arranged in the first cleaning tank 63. . Hot water tank 65 equipped with a heater 65a
Are arranged adjacent to the first cleaning tank 63. Inside the warm water tank 65, there is a water supply passage 66 having a valve 66a.
The water is supplied via.
【0093】温水タンク65内の水は、ヒータ65aに
よって約50℃に保温される。タンク65内の温水は、
ポンプ67aを有する供給路67を介して噴射ノズル6
4に供給される。噴射ノズル64は、約5〜20kg/cm
2の高圧の温水をワーク22に向けて噴射する。噴射さ
れた温水は、ワーク22の各ウエハ22aの表面に付着
しているスラリーや切粉等の汚れを概略的に除去する。
言い換えれば、噴射ノズル64から噴射された温水は、
ワーク22を粗洗浄する。この粗洗浄時には、砥粒等に
よって汚染された第1洗浄槽63内の空気が、導入口6
3aから排気路68を介して強制的に排気される。The water in the hot water tank 65 is kept at about 50 ° C. by the heater 65a. The warm water in the tank 65 is
Injecting nozzle 6 via supply path 67 having pump 67a
4 is supplied. The injection nozzle 64 is about 5 to 20 kg / cm
The high-pressure hot water of 2 is jetted toward the work 22. The sprayed warm water roughly removes dirt such as slurry and chips adhering to the surface of each wafer 22a of the work 22.
In other words, the hot water jetted from the jet nozzle 64 is
The work 22 is roughly cleaned. At the time of this rough cleaning, the air in the first cleaning tank 63 contaminated with abrasive grains or the like is used as the inlet 6
3a is forcibly exhausted through the exhaust passage 68.
【0094】(第3工程)図3及び図7に示すように、
洗浄装置24は追加洗浄装置24bを有している。第3
工程ST3を担当する剥離装置27は追加洗浄装置24
bを兼用しており、第2洗浄槽71を備えている。ヒー
タ72aを備える温水タンク72は、第2洗浄槽71に
隣接して配置されている。温水タンク72の内部には、
バルブ73aを有する給水路73を介して水が供給され
る。温水タンク72内の水は、ヒータ72aによって約
90℃に加熱される、タンク72内の温水は、ポンプ7
4a及びバルブ74bを有する供給路74を介して第2
洗浄槽71内に供給される。第2洗浄槽71内には、ポ
ンプ75a及びバルブ75bを有する供給路75を介し
て、タンク76内の洗浄剤が供給される。洗浄剤が第2
洗浄槽71内の温水に混合されることにより、槽71内
には所定濃度の洗浄液が形成される。(Third Step) As shown in FIGS. 3 and 7,
The cleaning device 24 has an additional cleaning device 24b. Third
The peeling device 27 in charge of the process ST3 is an additional cleaning device 24.
It also serves as b and is provided with a second cleaning tank 71. The hot water tank 72 including the heater 72a is arranged adjacent to the second cleaning tank 71. Inside the hot water tank 72,
Water is supplied through a water supply passage 73 having a valve 73a. The water in the hot water tank 72 is heated to about 90 ° C. by the heater 72a.
4a and a second via a supply passage 74 having a valve 74b
It is supplied into the cleaning tank 71. The cleaning agent in the tank 76 is supplied into the second cleaning tank 71 via a supply path 75 having a pump 75a and a valve 75b. Cleaning agent is second
By being mixed with the warm water in the cleaning tank 71, a cleaning liquid having a predetermined concentration is formed in the tank 71.
【0095】保温ヒータ77は第2洗浄槽71内に配設
され、第2洗浄槽71内の洗浄液を一定温度に保温す
る。超音波発振器78は第2洗浄槽71内に配設されて
いる。第1カセット26に収容された状態のワーク22
は、第2洗浄槽71内の洗浄液に浸漬される。この状態
で、超音波発振器78は、ワーク22を洗浄するための
超音波を発生する。この超音波は、ワーク22に付着し
ている汚れを完全に除去し且つ、支持板23とワーク2
2との間の接着剤23cを膨潤または溶融してワーク2
2を支持板23から剥離させる。図12及び図13に示
すように、剥離後のワーク22は、両規制板59によっ
て倒伏しないように保持された状態で、保持ロッド55
上に支持される。ワーク22から剥離された支持板23
は、公知のマニュピュレータまたはロボット(図示せ
ず)によって第1カセット26から取り出される。或い
は、支持板23を第1搬送装置34の一対の支持アーム
148aによって所定の場所へ搬出するようにしてもよ
い。The warming heater 77 is provided in the second cleaning tank 71 and keeps the cleaning liquid in the second cleaning tank 71 at a constant temperature. The ultrasonic oscillator 78 is arranged in the second cleaning tank 71. The work 22 stored in the first cassette 26
Is immersed in the cleaning liquid in the second cleaning tank 71. In this state, the ultrasonic oscillator 78 generates ultrasonic waves for cleaning the work 22. This ultrasonic wave completely removes the dirt adhering to the work 22, and the support plate 23 and the work 2
Workpiece 2 by swelling or melting the adhesive 23c between 2 and
2 is peeled from the support plate 23. As shown in FIGS. 12 and 13, the work 22 after peeling is held by both the regulation plates 59 so as not to fall down, and the holding rod 55 is held.
Supported above. Support plate 23 separated from work 22
Are taken out of the first cassette 26 by a known manipulator or robot (not shown). Alternatively, the support plate 23 may be carried out to a predetermined place by the pair of support arms 148a of the first transfer device 34.
【0096】図7に示すように、超音波による洗浄中に
は、第2洗浄槽71内の洗浄液が、ポンプ79a、バル
ブ79b及びフィルタ79cを有する循環路79を介し
て循環され、洗浄液中に含まれる汚れがフィルタ79c
によって濾過される。さらに、超音波による洗浄中に
は、第2洗浄槽71内の汚染された空気が、導入口71
aから排気路80を介して強制的に排気される。As shown in FIG. 7, during the ultrasonic cleaning, the cleaning liquid in the second cleaning tank 71 is circulated through the circulation passage 79 having the pump 79a, the valve 79b and the filter 79c, and is contained in the cleaning liquid. Dirt included is filter 79c
Filtered. Further, during the ultrasonic cleaning, the contaminated air in the second cleaning tank 71 is removed from the inlet 71.
It is forcibly discharged from a through the exhaust passage 80.
【0097】(第4工程)図3、図8及び図14に示す
ように、第4工程ST4を担当する分離収容装置28
は、分離槽83を備えている。オーバフロー部83aは
分離槽83の側面全体を外側から囲むように設けられて
いる。分離槽83内には、バルブ84aを有する給水路
84を介して水が供給される。(Fourth Process) As shown in FIGS. 3, 8 and 14, the separation / accommodation device 28 in charge of the fourth process ST4.
Is provided with a separation tank 83. The overflow portion 83a is provided so as to surround the entire side surface of the separation tank 83 from the outside. Water is supplied into the separation tank 83 through a water supply passage 84 having a valve 84a.
【0098】図3に示すように、支持台85は分離槽8
3内に配設されている。支持板23から剥離されたワー
ク22は、第1カセット26に収容されたままの状態
で、その軸線がフレーム20上の各装置の配列方向に沿
ってほぼ水平に延びるように支持台85上に支持され
る。支持台85は、第2搬送装置35によって移動及び
回転させられる。この移動及び回転に伴い、支持台85
上のワーク22は、フレーム20上の各装置の配列方向
に沿って移動されながら、その軸線がほぼ垂直方向に延
びる状態になるように回転される。As shown in FIG. 3, the support base 85 is the separation tank 8
It is arranged in 3. The work 22 separated from the support plate 23 is placed in the first cassette 26 on the support base 85 so that its axis extends substantially horizontally along the arrangement direction of each device on the frame 20. Supported. The support base 85 is moved and rotated by the second transfer device 35. With this movement and rotation, the support base 85
The upper work 22 is rotated along the arrangement direction of each device on the frame 20 and is rotated so that its axis extends substantially vertically.
【0099】図3及び図14に示すように、ワーク支持
機構86は分離槽83内に配設されている。ワーク支持
機構86は、上昇及び下降可能な昇降台87、及びボー
ルネジ89を介して昇降台87を上昇及び下降させるモ
ータ88を備えている。昇降台87は、その下端にウエ
ハ22aを積層状態で支持するための一対の支持アーム
90を有する。図12〜図14及び図17に示すよう
に、支持台85の移動に伴い、支持アーム90が第1カ
セット26における下側の側板52と下側の規制板59
との間に進入する。この進入により、ワーク22が第1
カセット26から支持アーム90上に移し換えられる。
すなわち、支持台85が図3において時計方向に90度
回動するとともに、右方向に移動することにより、図1
2及び図13に示すように、支持アーム90が第1カセ
ット26内に進入して、ワーク22の下面に位置する。
この状態で、支持アーム90が上昇した後、支持台85
が図3の左方向へ後退することにより、ワーク22の各
ウエハ22aが支持アーム90上に積層状態で支持され
る。As shown in FIGS. 3 and 14, the work supporting mechanism 86 is arranged in the separation tank 83. The work support mechanism 86 includes a lift table 87 that can be raised and lowered, and a motor 88 that moves the lift table 87 up and down through a ball screw 89. The lifting platform 87 has a pair of support arms 90 for supporting the wafers 22a in a stacked state at the lower end thereof. As shown in FIGS. 12 to 14 and 17, as the support base 85 moves, the support arm 90 causes the lower side plate 52 and the lower regulation plate 59 of the first cassette 26 to move.
To enter between. Due to this approach, the work 22 is the first
It is transferred from the cassette 26 onto the support arm 90.
That is, as the support base 85 rotates 90 degrees clockwise in FIG. 3 and moves rightward, as shown in FIG.
2 and FIG. 13, the support arm 90 enters the first cassette 26 and is located on the lower surface of the work 22.
In this state, after the support arm 90 is raised, the support base 85
By retreating to the left in FIG. 3, each wafer 22a of the work 22 is supported on the support arm 90 in a stacked state.
【0100】図14に示すように、ワーク支持機構86
は、支持アーム90上のワーク22の周面をガイドする
ための一対のガイドロッド91を備えている。第1カセ
ット26内のワーク22が支持アーム90上に移し換え
られるとき、ガイドロッド91は第1カセット26及び
支持台85と干渉しない位置に退避する。移し換えが終
了すると、ガイドロッド91は支持アーム90上のワー
ク22の周面に沿う位置に復帰する。ガイドロッド91
はこの復帰位置において、後述するワーク22の上昇を
案内する。As shown in FIG. 14, the work support mechanism 86.
Includes a pair of guide rods 91 for guiding the peripheral surface of the work 22 on the support arm 90. When the work 22 in the first cassette 26 is transferred onto the support arm 90, the guide rod 91 is retracted to a position where it does not interfere with the first cassette 26 and the support base 85. When the transfer is completed, the guide rod 91 returns to the position on the support arm 90 along the peripheral surface of the work 22. Guide rod 91
Guides the work 22 to be lifted, which will be described later, at this return position.
【0101】図2、図3、図8及び図14に示すよう
に、カセット支持機構92は分離槽83内に配設されて
いる。カセット支持機構92は、上昇及び下降可能な昇
降台93、及びボールネジ95を介して昇降台93を上
昇及び下降させるモータ94を備えている。さらに、カ
セット支持機構92は、昇降台93に支軸96aを中心
に回動可能に支持されたカセット支持台96、及びカセ
ット支持台96を回動させるためのシリンダ97を備え
ている。カセット移送装置36により移送されてきた第
2カセット29は、カセット支持台96上に支持され
る。カセット支持台96上の第2カセット29は、分離
槽83内の水に浸漬された状態で、支持アーム90上の
ワーク22と対向配置される。As shown in FIGS. 2, 3, 8 and 14, the cassette support mechanism 92 is arranged in the separation tank 83. The cassette support mechanism 92 includes a lift table 93 that can be raised and lowered, and a motor 94 that moves the lift table 93 up and down via a ball screw 95. Further, the cassette support mechanism 92 includes a cassette support base 96 rotatably supported on the lift base 93 about a support shaft 96a, and a cylinder 97 for rotating the cassette support base 96. The second cassette 29 transferred by the cassette transfer device 36 is supported on the cassette support base 96. The second cassette 29 on the cassette support base 96 is disposed so as to face the work 22 on the support arm 90 while being immersed in the water in the separation tank 83.
【0102】第1噴射ノズル98及び第2噴射ノズル9
9は、支持アーム90上のワーク22の上面に対向する
ように、分離槽83内に配設されている。水タンク10
0は分離槽83の近傍に設置されている。この水タンク
100内には、バルブ101aを有する給水路101を
介して水が供給される。さらに、分離槽83内からオー
バフロー部83aにオーバフローした水が、回収路10
2を介して水タンク100内に回収される。First jet nozzle 98 and second jet nozzle 9
9 is arranged in the separation tank 83 so as to face the upper surface of the work 22 on the support arm 90. Water tank 10
0 is installed near the separation tank 83. Water is supplied into the water tank 100 through a water supply passage 101 having a valve 101a. Further, the water overflowing from the separation tank 83 to the overflow portion 83a is collected in the recovery passage 10
The water is recovered in the water tank 100 via 2.
【0103】通常は、水タンク100内の水が、ポンプ
103a及びバルブ103bを有する第1供給路103
を介して第1噴射ノズル98に供給される。第1噴射ノ
ズル98は、支持アーム90上における最上部のウエハ
22aの上面に対して、ウエハ22aの搬送方向(図1
4に矢印Aで示す方向)の反対側の斜め上方から水を噴
射する。第1噴射ノズル98から噴射された水は、最上
部のウエハ22aの浮き上がりを防止する。Normally, the water in the water tank 100 is supplied to the first supply path 103 having a pump 103a and a valve 103b.
Is supplied to the first injection nozzle 98 via. The first injection nozzle 98 is configured to transfer the wafer 22a to the upper surface of the uppermost wafer 22a on the support arm 90 (see FIG. 1).
4, water is jetted from diagonally above on the side opposite to the direction indicated by arrow A). The water jetted from the first jet nozzle 98 prevents the uppermost wafer 22a from rising.
【0104】バルブ104aを有する第2供給路104
は、第1供給路103と並列にポンプ103aに接続さ
れている。最上部のウエハ22aが他のウエハ22aか
ら分離されて図14の矢印Aで示す方向へ搬送される際
には、水タンク100内の水が、第2供給路104を介
して第2噴射ノズル99に供給される。第2噴射ノズル
99は、最上部のウエハ22aの上面に対して、矢印A
で示す方向の斜め上方から水を噴射する。噴射された水
は、ウエハ22aを最上部のものから1枚ずつ分離す
る。シュータ111は分離槽83の水面付近に配置され
ている。第2噴射ノズル99から噴射された水は、シュ
ータ111の上面に矢印A方向へ向かう水流を形成す
る。従って、分離されたウエハ22aは、シュータ11
1上の水流に乗って搬送されて、第2カセット29内に
収容される。Second supply path 104 having valve 104a
Are connected to the pump 103 a in parallel with the first supply path 103. When the uppermost wafer 22a is separated from the other wafers 22a and is transported in the direction indicated by the arrow A in FIG. 14, the water in the water tank 100 passes through the second supply path 104 and the second jet nozzle. 99 is supplied. The second injection nozzle 99 is provided with an arrow A on the upper surface of the uppermost wafer 22a.
Water is sprayed from diagonally above in the direction indicated by. The jetted water separates the wafers 22a one by one from the uppermost one. The shooter 111 is arranged near the water surface of the separation tank 83. The water jetted from the second jet nozzle 99 forms a water flow in the direction of arrow A on the upper surface of the shooter 111. Therefore, the separated wafer 22a is attached to the shooter 11
It is carried by the water stream above 1 and stored in the second cassette 29.
【0105】第2カセット29は、その上下方向に関し
て所定間隔置きに形成された複数の収納棚29aを有し
ている(図14参照)。ウエハ22aは、第2カセット
29内において、各収納棚29a上に1枚ずつ区分して
収納される。The second cassette 29 has a plurality of storage shelves 29a formed at predetermined intervals in the vertical direction (see FIG. 14). In the second cassette 29, the wafers 22a are stored one by one on each storage rack 29a.
【0106】分離補助機構105は、支持アーム90上
のワーク22と対向するように配置されている。分離補
助機構105は、支軸106aを中心に垂直面内で回動
可能に設けられた回動板106、及びボールネジ108
を介して回動板106を回動させるためのモータ107
を備えている。さらに、分離補助機構105は、回動板
106に回転可能に支持された回転軸112、回転軸1
12に固定された分離ローラ109、及び分離ローラ1
09を図示しない駆動伝達機構を介して回転させるモー
タ110を備えている。The separation assisting mechanism 105 is arranged so as to face the work 22 on the support arm 90. The separation assisting mechanism 105 includes a rotating plate 106 that is rotatable about a support shaft 106a in a vertical plane, and a ball screw 108.
Motor 107 for rotating the rotating plate 106 via
It has. Further, the separation assisting mechanism 105 includes a rotating shaft 112 and a rotating shaft 1 rotatably supported by the rotating plate 106.
Separation roller 109 fixed to 12 and separation roller 1
The motor 110 for rotating the 09 through a drive transmission mechanism (not shown) is provided.
【0107】最上部のウエハ22aの分離に際しては、
モータ107によりボールネジ108を介して回動板1
06が支軸106aを中心に図14の時計方向に回動さ
れて、分離ローラ109が最上部のウエハ22aの上面
に接触される。この状態で、モータ110により分離ロ
ーラ109が図14の反時計方向に回転される。分離ロ
ーラ109の回転は、最上部のウエハ22aに対して搬
送方向への移動力を付与する。その結果、最上部のウエ
ハ22aの分離動作が促進される。In separating the uppermost wafer 22a,
Rotating plate 1 via ball screw 108 by motor 107
06 is rotated in the clockwise direction in FIG. 14 about the support shaft 106a, and the separation roller 109 is brought into contact with the upper surface of the uppermost wafer 22a. In this state, the motor 110 rotates the separation roller 109 counterclockwise in FIG. The rotation of the separation roller 109 gives a moving force in the carrying direction to the uppermost wafer 22a. As a result, the separating operation of the uppermost wafer 22a is promoted.
【0108】ワーク22を支持する昇降台87は、最上
部のウエハ22aが1枚ずつ分離される毎に、モータ8
8によりボールネジ89を介して、一旦下降された後に
上昇される。この上昇により、最上部のウエハ22aが
水面付近(シュータ111の上面に相当する位置)に配
置される。また、昇降台87の上昇に連動して、第2カ
セット29を支持する昇降台93は、モータ94により
ボールネジ95を介して、収容棚29aの配列間隔に相
当するピッチずつ下降される。この下降により、第2カ
セット29の空の収容棚29aが水面付近(シュータ1
11の上面に相当する位置)に配置される。その結果、
昇降台87上の積層状態のウエハ22aは確実に1枚ず
つ分離されるとともに、分離後のウエハ22aは第2カ
セット29内の各収納棚29a上に確実に1枚ずつ区分
して収納される。The lift table 87 for supporting the work 22 is driven by the motor 8 every time the uppermost wafer 22a is separated one by one.
8 is once lowered through the ball screw 89 and then raised. By this rise, the uppermost wafer 22a is placed near the water surface (a position corresponding to the upper surface of the shooter 111). Further, in association with the elevation of the elevating table 87, the elevating table 93 supporting the second cassette 29 is lowered by the motor 94 via the ball screw 95 at a pitch corresponding to the arrangement interval of the storage shelves 29a. As a result of this lowering, the empty storage shelf 29a of the second cassette 29 moves near the water surface (shooter 1
11) is arranged at a position corresponding to the upper surface of 11. as a result,
The stacked wafers 22a on the elevating table 87 are reliably separated one by one, and the separated wafers 22a are surely sorted and stored one by one on each storage rack 29a in the second cassette 29. .
【0109】第2カセット29内のすべての収納棚29
aにウエハ22aが収納された後、昇降台93が、モー
タ94によりボールネジ95を介して、所定の上端位置
まで上昇される。この状態で、カセット支持台96がシ
リンダ97により支軸96aを中心に図14の時計方向
へ90度回動される。この回動により、第2カセット2
9内のウエハ22aは、その軸線がフレーム20上の各
装置の配列方向に沿って延びる状態に配置される。All storage shelves 29 in the second cassette 29
After the wafer 22a is stored in a, the elevating table 93 is lifted up to a predetermined upper end position by the motor 94 via the ball screw 95. In this state, the cassette support base 96 is rotated 90 degrees in the clockwise direction in FIG. 14 about the support shaft 96a by the cylinder 97. By this rotation, the second cassette 2
The wafer 22a in 9 is arranged such that its axis extends along the arrangement direction of each device on the frame 20.
【0110】(第5工程及び第6工程)図4及び図9に
示すように、精洗浄装置30は、第5工程ST5を担当
する第1洗浄装置30a、及び第6工程ST6を担当す
る第2洗浄装置30bを有している。第1洗浄装置30
a及び第2洗浄装置30bは同一構造をなし、それぞれ
周囲にオーバフロー部113aを備えた精洗浄槽113
を有している。ヒータ114aを備えた温水タンク11
4は、精洗浄槽113に隣接して配置されている。温水
タンク11の内部には、バルブ115aを有する給水路
115を介して水が供給される。温水タンク114内の
水は、ヒータ114aによって約70℃に加熱される。
タンク114内の温水は、ポンプ116a及びバルブ1
16bを有する供給路116を介して、精洗浄槽113
内に供給される。(Fifth Step and Sixth Step) As shown in FIGS. 4 and 9, the precise cleaning device 30 includes a first cleaning device 30a in charge of the fifth step ST5 and a first cleaning device 30a in charge of the sixth step ST6. It has two cleaning devices 30b. First cleaning device 30
a and the second cleaning device 30b have the same structure, and the precise cleaning tank 113 is provided with the overflow portion 113a around each of them.
have. Hot water tank 11 equipped with a heater 114a
4 is arranged adjacent to the precise cleaning tank 113. Water is supplied into the warm water tank 11 through a water supply passage 115 having a valve 115a. The water in the hot water tank 114 is heated to about 70 ° C. by the heater 114a.
The hot water in the tank 114 is the pump 116a and the valve 1.
A fine cleaning tank 113 is provided via a supply path 116 having 16b.
Supplied within.
【0111】保温ヒータ117は、精洗浄槽113内に
供給された温水を一定温度に保持するために、精洗浄槽
113内に配設されている。超音波発生手段としての超
音波発振器118は精洗浄槽113内に配設されてい
る。第2カセット29に収容された状態のウエハ22a
は、精洗浄槽113内の温水に浸漬される。この状態
で、超音波発振器118は、ウエハ22aを洗浄するた
めの超音波を発生する。各精洗浄槽113内には揺動装
置(図示せず)が設けられている。揺動装置は、ウエハ
22aの洗浄効果を上げるべく、精洗浄槽113内の第
2カセット29を上下に揺動させる。その結果、ウエハ
22aは第2カセット29に収容された状態で、第5工
程ST5及び第6工程ST6の2工程に亘って繰り返し
洗浄される。この洗浄時には、精洗浄槽113内の汚染
された空気が、導入口113bから排気路119を介し
て強制的に排気される。The heat-retaining heater 117 is provided in the precise cleaning tank 113 in order to keep the hot water supplied into the precise cleaning tank 113 at a constant temperature. An ultrasonic oscillator 118 as an ultrasonic wave generating means is arranged in the precise cleaning tank 113. Wafer 22a stored in second cassette 29
Is immersed in warm water in the precise cleaning tank 113. In this state, the ultrasonic oscillator 118 generates ultrasonic waves for cleaning the wafer 22a. A swinging device (not shown) is provided in each of the fine cleaning tanks 113. The rocking device rocks the second cassette 29 in the precise cleaning tank 113 up and down in order to enhance the cleaning effect on the wafer 22a. As a result, the wafer 22a, while being accommodated in the second cassette 29, is repeatedly washed over the two steps of the fifth step ST5 and the sixth step ST6. At the time of this cleaning, the contaminated air in the fine cleaning tank 113 is forcibly exhausted from the introduction port 113b through the exhaust passage 119.
【0112】(第7工程)図4及び図10に示すよう
に、精洗浄装置30は、第7工程ST7を担当する第3
洗浄装置30cを有している。第3洗浄装置30cは、
周囲にオーバフロー部122aを備えた仕上げ洗浄槽1
22を有している。ヒータ123a及びオーバフロー部
123bを備えた温水タンク123は、仕上げ洗浄槽1
22に隣接して配置されている。温水タンク123の内
部には、温水供給器124a及びバルブ124bを有す
る給水路124を介して、水が加熱された状態で供給さ
れる。温水タンク123内の温水は、ヒータ123aに
よって約70℃に加熱される。タンク123内の温水
は、ポンプ125a及びバルブ125bを有する供給路
125を介して、仕上げ洗浄槽122内に供給される。(Seventh Step) As shown in FIGS. 4 and 10, the precision cleaning device 30 includes a third step which is in charge of the seventh step ST7.
It has a cleaning device 30c. The third cleaning device 30c is
Finishing cleaning tank 1 equipped with an overflow section 122a around
22. The warm water tank 123 equipped with the heater 123a and the overflow section 123b is the finish cleaning tank 1
It is arranged adjacent to 22. Water is supplied to the inside of the hot water tank 123 in a heated state via a hot water supply device 124a and a water supply passage 124 having a valve 124b. The hot water in the hot water tank 123 is heated to about 70 ° C. by the heater 123a. The warm water in the tank 123 is supplied into the finish cleaning tank 122 via the supply path 125 having the pump 125a and the valve 125b.
【0113】保温ヒータ126は、仕上げ洗浄槽122
内に供給された温水を一定温度に保持するために、仕上
げ洗浄槽122内に配設されている。超音波発振器12
7は仕上げ洗浄槽122内に配設されている。第2カセ
ット29に収容された状態のウエハ22aは、仕上げ洗
浄槽122内の温水に浸漬される。この状態で、超音波
発生手段としての超音波発振器127は、ウエハ22a
を濯ぎ洗いするための超音波を発生する。その結果、ウ
エハ22a及び第2カセット29に付着している洗浄液
が除去される。仕上げ洗浄槽122内には揺動装置(図
示せず)が設けられている。揺動装置は、ウエハ22a
の洗浄効果を上げるべく、仕上げ洗浄槽122内の第2
カセット29を上下に揺動させる。The warming heater 126 is used in the finish cleaning tank 122.
In order to keep the hot water supplied therein at a constant temperature, it is arranged in the finish cleaning tank 122. Ultrasonic oscillator 12
7 is arranged in the finish cleaning tank 122. The wafer 22 a accommodated in the second cassette 29 is immersed in warm water in the finish cleaning tank 122. In this state, the ultrasonic oscillator 127 as the ultrasonic wave generating means is operated by the wafer 22a.
Generate ultrasonic waves for rinsing. As a result, the cleaning liquid attached to the wafer 22a and the second cassette 29 is removed. A swinging device (not shown) is provided in the finish cleaning tank 122. The swing device is the wafer 22a.
Second cleaning tank 122 in order to improve the cleaning effect of
The cassette 29 is rocked up and down.
【0114】濯ぎ洗い中には、仕上げ洗浄槽122内の
汚染空気が、導入口122bから排気路128を介して
強制的に排気される。仕上げ洗浄槽122のオーバフロ
ー部122a及び温水タンク123のオーバフロー部1
23bにオーバフローした温水は、誘導路129を介し
て、図6に示す粗洗浄装置24aにおける温水タンク6
5内に導入され、ワーク22の粗洗浄に再利用される。During the rinsing, the contaminated air in the finish cleaning tank 122 is forcibly exhausted from the inlet 122b through the exhaust passage 128. Overflow part 122a of finish cleaning tank 122 and overflow part 1 of hot water tank 123
The warm water that overflows into the hot water tank 23b passes through the guide path 129 to the hot water tank 6 in the rough cleaning device 24a shown in FIG.
5 and is reused for rough cleaning of the work 22.
【0115】仕上げ洗浄槽122内にてウエハ22aの
濯ぎ洗いが終了すると、第3搬送装置38により、第2
カセット29が槽122内の温水中からゆっくりと引き
上げられる。引き上げに伴い、第2カセット29内のウ
エハ22aは、自身の有する熱により表面が乾燥する。When the rinsing and cleaning of the wafer 22a is completed in the finish cleaning tank 122, the third transfer device 38 causes the second cleaning operation to be performed.
The cassette 29 is slowly pulled up from the warm water in the tank 122. As the wafer 22a is pulled up, the surface of the wafer 22a in the second cassette 29 is dried by its own heat.
【0116】(第8工程)図2、図4及び図11に示す
ように、第8工程ST8を担当する乾燥装置31は、乾
燥室132を備えている。コンベア133は乾燥室13
2の内底部に配設されている。仕上げ洗浄槽122内の
温水から引き上げられたウエハ22aは、第2カセット
29に収容されたままの状態で、コンベア133上に載
置される。エアノズル134はコンベア133の一端と
対向するように乾燥室132内に配設されている。エア
ノズル134は、ウエハ22aに向かってエアを一定時
間吹き付ける。ウエハ22aは、第7工程ST7におい
て仕上げ洗浄槽122内の温水によって加熱されていた
ため、エアの吹き付けに伴い迅速に乾燥される。(Eighth Process) As shown in FIGS. 2, 4, and 11, the drying device 31 in charge of the eighth process ST8 includes a drying chamber 132. The conveyor 133 is the drying chamber 13
It is disposed on the inner bottom portion of No. 2. The wafer 22 a pulled up from the warm water in the finish cleaning tank 122 is placed on the conveyor 133 while being accommodated in the second cassette 29. The air nozzle 134 is arranged in the drying chamber 132 so as to face one end of the conveyor 133. The air nozzle 134 blows air toward the wafer 22a for a certain period of time. Since the wafer 22a has been heated by the hot water in the finish cleaning tank 122 in the seventh step ST7, it is quickly dried as the air is blown.
【0117】エアの吹き付けが終了すると、ウエハ22
aはコンベア133によってエアノズル134から外れ
た位置に移動され、その位置で一定時間静止保持され
る。従って、ウエハ22a及び第2カセット29が全体
に亘り均一に乾燥される。When the blowing of air is completed, the wafer 22
The a is moved to a position separated from the air nozzle 134 by the conveyor 133, and is held stationary at that position for a certain period of time. Therefore, the wafer 22a and the second cassette 29 are uniformly dried over the entire surface.
【0118】乾燥工程が行われているときには、乾燥室
132内の湿った空気が、導入口132aから排気路1
35を介して強制的に排気される。乾燥工程の終了後、
ウエハ22aを収容した第2カセット29は、コンベア
133によって乾燥室132から送り出されて、搬出装
置39に受け渡される。During the drying process, the moist air in the drying chamber 132 is discharged from the inlet 132a to the exhaust passage 1.
It is forcedly exhausted via 35. After the drying process,
The second cassette 29 accommodating the wafers 22 a is delivered from the drying chamber 132 by the conveyor 133 and delivered to the carry-out device 39.
【0119】次に、ワーク保持装置32、第1搬送装置
34、カセット移送装置36、第2搬送装置35及び第
3搬送装置38について詳述する。Next, the work holding device 32, the first transfer device 34, the cassette transfer device 36, the second transfer device 35 and the third transfer device 38 will be described in detail.
【0120】(ワーク保持装置)図2及び図3に示すよ
うに、ワーク保持装置32は、保持アーム139、及び
保持アーム139をフレーム20に対して前進及び後退
可能に支持する一対のガイドロッド138を備えてい
る。搬入装置33により搬入されてくるワーク22は、
前進位置にある保持アーム139に一時的に保持され
る。ワーク22を保持した保持アーム139は、モータ
140によりボールネジ141を介して後退される。そ
の結果、ワーク22が第1工程ST1を担当する予備洗
浄装置21と対応する位置に配置される。(Work Holding Device) As shown in FIGS. 2 and 3, the work holding device 32 includes a holding arm 139 and a pair of guide rods 138 for supporting the holding arm 139 so that the holding arm 139 can move forward and backward with respect to the frame 20. Is equipped with. The work 22 carried in by the carry-in device 33 is
It is temporarily held by the holding arm 139 in the advanced position. The holding arm 139 holding the work 22 is retracted by the motor 140 via the ball screw 141. As a result, the work 22 is arranged at a position corresponding to the preliminary cleaning device 21 in charge of the first step ST1.
【0121】(第1搬送装置)図2及び図3に示すよう
に、第1搬送装置34は、一対のガイドレール144を
介してフレーム20の前面に支持された移動台145を
備えている。移動台145は、ガイドレール144の長
手方向、つまりフレーム20上の各装置の配列方向に沿
って移動可能である。昇降台147は、移動台145の
下面に一対のガイドロッド146を介して昇降可能に支
持されている。支持部材148は昇降台147の下面に
垂直軸線の周りで回動可能に支持されている。支持部材
148は、開閉動作可能な一対の支持アーム148a及
び開閉回動可能な支持ピン148bを備えている。支持
ピン148bは、各支持アーム148aにそれぞれ対応
して2つずつ設けられている。(First Transfer Device) As shown in FIGS. 2 and 3, the first transfer device 34 is provided with a moving base 145 supported on the front surface of the frame 20 via a pair of guide rails 144. The movable base 145 is movable along the longitudinal direction of the guide rail 144, that is, the arrangement direction of the devices on the frame 20. The lifting table 147 is supported on the lower surface of the moving table 145 so as to be able to move up and down via a pair of guide rods 146. The support member 148 is supported on the lower surface of the lift 147 so as to be rotatable around a vertical axis. The support member 148 includes a pair of support arms 148a that can be opened and closed and a support pin 148b that can be opened and closed. Two support pins 148b are provided corresponding to each support arm 148a.
【0122】移動台145は、モータ149によりラッ
ク150等を介して水平移動されて、保持装置32、予
備洗浄装置21、仮置き台25、粗洗浄装置24a、剥
離装置27、及び分離収容装置28と対応する位置にそ
れぞれ配置される。昇降台147は、各装置と対応する
位置において、モータ151によりボールネジ等(図示
せず)を介して上昇及び下降される。この上昇及び下降
に伴い、支持部材148が各装置に接近または各装置か
ら離間される。The moving table 145 is horizontally moved by the motor 149 via the rack 150 or the like, and the holding device 32, the preliminary cleaning device 21, the temporary placing table 25, the rough cleaning device 24a, the peeling device 27, and the separation / accommodation device 28 are moved. Are arranged at the positions corresponding to. The lift 147 is raised and lowered by a motor 151 at a position corresponding to each device via a ball screw or the like (not shown). With this rise and fall, the support member 148 approaches or separates from each device.
【0123】支持部材148の支持アーム148aは、
閉鎖動作に伴いワーク22の支持板23を把持し、開放
動作に伴い支持板23を解放する。このような動作を行
う支持アーム148aは、ワーク22を保持装置32と
予備洗浄装置21と仮置き台25との間で移動させると
ともに、ワーク22を仮置き台25上の第1カセット2
6に対して収容する。一方、支持部材148の支持ピン
148bは、閉鎖動作に伴い第1カセット26の係止孔
52aに係合し、開放動作に伴い係止孔52aから離脱
する。このような動作を行う支持ピン148bは、ワー
ク22を収容した第1カセット26を、仮置き台25と
粗洗浄装置24aと剥離装置27と分離収容装置28と
の間で移動させる。The support arm 148a of the support member 148 is
The support plate 23 of the work 22 is gripped with the closing operation, and the support plate 23 is released with the opening operation. The support arm 148 a that performs such an operation moves the work 22 among the holding device 32, the preliminary cleaning device 21, and the temporary placing table 25, and moves the work 22 to the first cassette 2 on the temporary placing table 25.
Store for 6. On the other hand, the support pin 148b of the support member 148 engages with the locking hole 52a of the first cassette 26 with the closing operation, and disengages from the locking hole 52a with the opening operation. The support pin 148b performing such an operation moves the first cassette 26 containing the work 22 among the temporary placing table 25, the rough cleaning device 24a, the peeling device 27, and the separation accommodating device 28.
【0124】ワーク22が保持装置32から予備洗浄装
置21に移動されるときには、支持部材148がシリン
ダ152により水平面内で90度回動される。この支持
部材148の回動は、ワーク22の軸線がフレーム20
上の各装置の配列方向と直交する方向に延びる状態にな
るように、ワーク22の向きを変更させる。ワーク22
を収容した第1カセット26が剥離装置27から分離収
容装置28の支持台85上に移動されるときにも、支持
部材148がシリンダ152により水平面内で90度回
動される。この支持部材148の回動は、ワーク22の
軸線が搬送方向(図14に矢印Aで示す方向)に延びる
状態になるように、ワーク22の向きを変更させる。When the work 22 is moved from the holding device 32 to the preliminary cleaning device 21, the support member 148 is rotated 90 degrees in the horizontal plane by the cylinder 152. When the support member 148 is rotated, the axis of the work 22 is aligned with the frame 20.
The orientation of the work 22 is changed so that the workpiece 22 extends in a direction orthogonal to the arrangement direction of the above devices. Work 22
The supporting member 148 is also rotated by 90 degrees in the horizontal plane by the cylinder 152 even when the first cassette 26 accommodating is moved from the peeling device 27 onto the support base 85 of the separation accommodating device 28. The rotation of the support member 148 changes the orientation of the work 22 so that the axis of the work 22 extends in the transport direction (the direction indicated by the arrow A in FIG. 14).
【0125】(カセット移送装置)図2〜図4に示すよ
うに、カセット移送装置36はフレーム20上に敷設さ
れたコンベア155を備えている。供給窓156は、コ
ンベア155の端部と対応する位置において、フレーム
20に形成されている。コンベア155は、カセット搬
入装置37によって搬入されてくる空の第2カセット2
9を、供給窓156と対応する位置まで移送する。(Cassette Transfer Device) As shown in FIGS. 2 to 4, the cassette transfer device 36 includes a conveyor 155 laid on the frame 20. The supply window 156 is formed in the frame 20 at a position corresponding to the end of the conveyor 155. The conveyor 155 is used for the empty second cassette 2 loaded by the cassette loading device 37.
9 is transferred to a position corresponding to the supply window 156.
【0126】供給機構157は、供給窓156に対して
出没可能に配設されている。供給機構157は、開閉動
作可能な一対の供給アーム157aを有している。供給
機構157はコンベア155上の第2カセット29を供
給アーム157aによって挟持して、分離収容装置28
の上方位置に移動させる。その後、第3搬送装置38
は、第2カセット29を供給アーム157a間から受け
取って、分離収容装置28のカセット支持台96上に載
置する。The supply mechanism 157 is arranged so as to be retractable from the supply window 156. The supply mechanism 157 has a pair of supply arms 157a that can be opened and closed. The supply mechanism 157 holds the second cassette 29 on the conveyor 155 by the supply arm 157a, and separates and stores the second cassette 29.
To the upper position. After that, the third transfer device 38
Receives the second cassette 29 from between the supply arms 157 a and places it on the cassette support base 96 of the separation and accommodation device 28.
【0127】(第3搬送装置)図4に示すように、第3
搬送装置38は、一対のガイドレール160を介してフ
レーム20の前面に支持された移動台161を備えてい
る。移動台161は、ガイドレール160の長手方向、
つまりフレーム20上の各装置の配列方向に沿って移動
可能である。昇降台162は、移動台161の下面に一
対のガイドロッド163を介して昇降可能に支持されて
いる。一対の支持ロッド164は昇降台162の下面に
開閉動作可能に取り付けられている。(Third Conveying Device) As shown in FIG.
The transfer device 38 includes a moving base 161 supported on the front surface of the frame 20 via a pair of guide rails 160. The movable table 161 is arranged in the longitudinal direction of the guide rail 160,
That is, it is possible to move along the arrangement direction of each device on the frame 20. The elevating table 162 is supported on the lower surface of the moving table 161 so as to be able to ascend and descend via a pair of guide rods 163. The pair of support rods 164 are attached to the lower surface of the lift 162 so as to be able to open and close.
【0128】移動台161は、モータ165によりラッ
ク166等を介して移動される。この移動により、支持
ロッド164がカセット移送装置36、第1洗浄装置3
0a、第2洗浄装置30b、第3洗浄装置30c、及び
乾燥装置31とそれぞれ対応する各位置に配置される。
昇降台162は、各装置と対応する位置において、モー
タ167により図示しないボールネジ等を介して上昇及
び下降される。この上昇及び下降に伴い、支持ロッド1
64が各装置に接近または各装置から離間される。支持
ロッド164はシリンダ168によって開放動作及び閉
鎖動作を行う。支持ロッド164は、閉鎖動作に伴い第
2カセット29を把持し、開放動作に伴い第2カセット
29を開放する。このような動作を行う支持ロッド16
4は、第2カセット29を各装置間で移動させる。The moving table 161 is moved by the motor 165 via the rack 166 and the like. By this movement, the support rod 164 causes the cassette transfer device 36 and the first cleaning device 3 to move.
0a, the second cleaning device 30b, the third cleaning device 30c, and the drying device 31 are arranged at the respective positions.
The elevating table 162 is moved up and down by a motor 167 via a ball screw (not shown) at a position corresponding to each device. With this rise and fall, the support rod 1
64 is moved toward or away from each device. The support rod 164 is opened and closed by the cylinder 168. The support rod 164 holds the second cassette 29 with the closing operation, and opens the second cassette 29 with the opening operation. Support rod 16 performing such an operation
4 moves the second cassette 29 between the respective devices.
【0129】(第2搬送装置)次に、第2搬送装置35
について詳述する。図3及び図15〜図17に示すよう
に、凹所171はフレーム20に形成されている。一対
のガイドレール172は、凹所171の内部に水平方向
へ延びるように互いに平行に配置されている。移動台1
73はガイドレール172に移動可能に支持され、その
前面には取付板174が下方へ延びるように固定されて
いる。(Second Transport Device) Next, the second transport device 35
Will be described in detail. As shown in FIGS. 3 and 15 to 17, the recess 171 is formed in the frame 20. The pair of guide rails 172 are arranged parallel to each other inside the recess 171 so as to extend in the horizontal direction. Mobile platform 1
73 is movably supported by a guide rail 172, and a mounting plate 174 is fixed to the front surface of the guide rail 172 so as to extend downward.
【0130】分離収容装置28の支持台85は、取付板
174の下端に支軸175により回動可能に支持されて
いる。図3、図15及び図16に示すように、第1カセ
ット26内に収容されたワーク22は、その軸線がほぼ
水平方向に延びるように支持台85上に支持される。The support base 85 of the separation / accommodation device 28 is rotatably supported by the support shaft 175 at the lower end of the mounting plate 174. As shown in FIGS. 3, 15 and 16, the work 22 accommodated in the first cassette 26 is supported on the support base 85 such that its axis extends substantially in the horizontal direction.
【0131】ボールネジ176はガイドレール172と
平行に延びるように凹所171内に回転可能に支持され
ている。移動台173に固定された雌ネジ体177は、
ボールネジ176に螺合されている。モータ178はフ
レーム20内に装着され、そのモータ軸がプーリ17
9,180及びベルト181を介してボールネジ176
に連結されている。モータ178によりボールネジ17
6が回転されるのに伴い、移動台173がガイドレール
172に沿って移動される。移動台173の移動に伴
い、支持台85上のワーク22が横方向へ移動される。The ball screw 176 is rotatably supported in the recess 171 so as to extend parallel to the guide rail 172. The female screw body 177 fixed to the moving table 173 is
It is screwed onto the ball screw 176. The motor 178 is mounted in the frame 20, and its motor shaft has a pulley 17
Ball screw 176 through 9, 180 and belt 181
It is connected to. Ball screw 17 by motor 178
As 6 is rotated, the moving base 173 is moved along the guide rail 172. With the movement of the moving table 173, the work 22 on the supporting table 85 is moved in the lateral direction.
【0132】回動レバー182は回動軸183により一
対のベアリング184を介して移動台173に回動可能
に支持されている。回動レバー182の先端は連結リン
ク185を介して支持台85の自由端に連結されてい
る。一対の長尺状のカム板186は取付板187を介し
てフレーム20内に取り付けられている。両カム板18
6間にはカム溝188が形成されている。カム溝188
は、水平方向に延びる第1溝188a、傾斜している第
2溝188b及び水平方向に延びる第3溝188cを有
する。回動アーム189は回動軸183に固定されてい
る。回動アーム189の先端にはカム溝188に係合す
る係合ローラ190が転動可能に支持されている。The turning lever 182 is rotatably supported by the moving table 173 by a turning shaft 183 via a pair of bearings 184. The tip of the rotating lever 182 is connected to the free end of the support base 85 via a connecting link 185. The pair of long cam plates 186 are mounted in the frame 20 via a mounting plate 187. Both cam plates 18
A cam groove 188 is formed between the six. Cam groove 188
Has a first groove 188a extending horizontally, an inclined second groove 188b, and a third groove 188c extending horizontally. The rotating arm 189 is fixed to the rotating shaft 183. An engaging roller 190 that engages with the cam groove 188 is rotatably supported at the tip of the rotating arm 189.
【0133】移動台173が図15に示す左側の位置か
ら右方に移動されるのに伴い、係合ローラ190はカム
溝188の第1〜第3溝188a〜188cに沿って移
動する。係合ローラ190が第1溝188aに係合して
いる移動区域Z1においては、支持台85が回動される
ことなく、ワーク22がそのままの状態で横方向に移動
される。係合ローラ190が第2溝188bに係合して
いる移動区域Z2においては、回動アーム189、回動
軸183、回動レバー182及び連結リンク185を介
して、支持台85が時計方向に90度回動される。この
回動により、図15及び図17に示すように、ワーク2
2は、その軸線がほぼ水平方向に延びる状態からほぼ垂
直方向に延びる状態になるように、向きを転換される。
係合ローラ190が第3溝188cに係合している移動
区域Z3においては、支持台85が回動されることな
く、ワーク22が向きを転換された状態のまま横方向に
移動される。As the movable table 173 is moved to the right from the left side position shown in FIG. 15, the engaging roller 190 moves along the first to third grooves 188a to 188c of the cam groove 188. In the moving zone Z1 in which the engagement roller 190 is engaged with the first groove 188a, the work 22 is laterally moved without rotating the support base 85. In the movement zone Z2 in which the engagement roller 190 is engaged with the second groove 188b, the support base 85 moves clockwise through the rotation arm 189, the rotation shaft 183, the rotation lever 182, and the connection link 185. It is rotated 90 degrees. By this rotation, as shown in FIGS. 15 and 17, the work 2
The 2 is turned so that its axis extends from a substantially horizontal orientation to a substantially vertical orientation.
In the movement zone Z3 in which the engagement roller 190 is engaged with the third groove 188c, the work 22 is laterally moved while the direction of the work 22 is changed without the support base 85 being rotated.
【0134】(全体の動作)次に、前記のように構成さ
れたウエハの処理システムについて全体の動作を説明す
る。(Overall Operation) Next, the overall operation of the wafer processing system configured as described above will be described.
【0135】さて、この処理システムにおいては、ワイ
ヤソーによりウエハ状に切断されたワーク22が、前進
位置にある保持装置32に受け渡される。次いで、保持
装置32上のワーク22が支持板23を介して第1搬送
装置34の支持アーム148aによって把持される。そ
の後、保持装置32は後退する。ワーク22は第1搬送
装置34によって向きを水平面内で90度転換された後
に、第1工程ST1を担当する予備洗浄装置21内に浸
漬される。ワーク22は予備洗浄装置21内において、
バブリングにより予備洗浄される。In this processing system, the work 22 cut into a wafer shape by the wire saw is delivered to the holding device 32 at the advanced position. Next, the work 22 on the holding device 32 is gripped by the support arm 148 a of the first transfer device 34 via the support plate 23. After that, the holding device 32 retracts. The work 22 is turned 90 degrees in the horizontal plane by the first transfer device 34, and then immersed in the preliminary cleaning device 21 that is in charge of the first step ST1. The work 22 is placed in the preliminary cleaning device 21,
It is pre-washed by bubbling.
【0136】一方、仮置き台25上には空の第1カセッ
ト26が載置される。第1カセット26に設けられたネ
ジ棒57の操作部57cには回転操作体58が嵌合され
る。第1搬送装置34は、予備洗浄装置21内に浸漬さ
れている複数のワーク22のうち、最も長時間浸漬され
ているワーク22を支持アーム148aによって把持し
て引き上げ、そのワーク22を仮置き台25上の第1カ
セット26内に収容させる。収容後、制御装置40は、
超音波センサ51による検出結果に基づき回転操作体5
8の駆動源50を制御して、ネジ棒57を回転させる。
その結果、一対の規制板59間の間隔が調節されて、両
規制板59間にワーク22の各ウエハ22aが倒れない
ように保持される。On the other hand, an empty first cassette 26 is placed on the temporary placing table 25. The rotary operation body 58 is fitted to the operation portion 57c of the screw rod 57 provided in the first cassette 26. The first transfer device 34 grasps the work 22 that has been immersed for the longest time among the plurality of works 22 immersed in the preliminary cleaning device 21 by the support arm 148a and pulls up the work 22, and temporarily places the work 22. It is accommodated in the first cassette 26 above 25. After accommodation, the control device 40
Based on the detection result of the ultrasonic sensor 51, the rotary operation body 5
The drive source 50 of No. 8 is controlled to rotate the screw rod 57.
As a result, the distance between the pair of regulation plates 59 is adjusted, and the wafers 22a of the work 22 are held between the regulation plates 59 so as not to fall.
【0137】次に、第1搬送装置34の支持ピン148
bにより、仮置き台25上の第1カセット26が、第2
工程ST2を担当する粗洗浄装置24a内に搬送され
る。ワーク22は第1カセット26に収容された状態
で、粗洗浄装置24a内において、高圧の温水の噴射に
より粗洗浄される。Next, the support pin 148 of the first transfer device 34.
b, the first cassette 26 on the temporary placing table 25 is moved to the second
It is transported into the rough cleaning device 24a which is in charge of the process ST2. The work 22 is roughly washed by jetting high-pressure hot water in the rough cleaning device 24a while being housed in the first cassette 26.
【0138】続いて、第1搬送装置34の支持ピン14
8bにより、粗洗浄装置24a内の第1カセット26
が、第3工程ST3を担当する剥離装置27(追加洗浄
装置24bを兼用している)内に搬送される。ワーク2
2は第1カセット26に収容された状態で、追加洗浄装
置24b内において、超音波により洗浄される。さら
に、支持板23とワーク22の各ウエハ22aとの間の
接着剤23cが超音波によって膨潤または溶融されて、
各ウエハ22aが支持板23から剥離される。ワーク2
2から剥離された支持板23は、第1カセット26から
取り出される。Subsequently, the support pin 14 of the first transfer device 34
8b, the first cassette 26 in the rough cleaning device 24a
Are transported to the peeling device 27 (which also serves as the additional cleaning device 24b) in charge of the third step ST3. Work 2
No. 2 is housed in the first cassette 26, and is cleaned by ultrasonic waves in the additional cleaning device 24b. Further, the adhesive 23c between the support plate 23 and each wafer 22a of the work 22 is swollen or melted by ultrasonic waves,
Each wafer 22a is separated from the support plate 23. Work 2
The support plate 23 peeled off from No. 2 is taken out from the first cassette 26.
【0139】次いで、第1搬送装置34の支持ピン14
8bにより、第1カセット26が追加洗浄装置24bか
ら引き上げられ、水平面内で90度回転された後、第4
工程ST4を担当する分離収容装置28の支持台85上
に搬送される。次いで、第2搬送装置35によって、支
持台85が図3の右方向へ移動されながら支軸175を
中心に垂直面内で90度回動される。その結果、ウエハ
22aが第1カセット26から支持アーム90上に移し
換えられる。その後、空の第1カセット26を支持した
支持台85は、第2搬送装置35によって図3の左方向
へ復帰移動される。支持台85上の空の第1カセット2
6は、第1搬送装置34により仮置き台25上に移送さ
れる。Next, the support pin 14 of the first transfer device 34.
8b, the first cassette 26 is pulled up from the additional cleaning device 24b and rotated 90 degrees in the horizontal plane, and then the fourth cassette
It is conveyed onto the support base 85 of the separation / accommodation device 28 that is in charge of the process ST4. Next, the support table 85 is rotated 90 degrees in the vertical plane about the support shaft 175 while being moved rightward in FIG. 3 by the second transfer device 35. As a result, the wafer 22a is transferred from the first cassette 26 onto the support arm 90. After that, the support base 85 supporting the empty first cassette 26 is moved back to the left in FIG. 3 by the second transfer device 35. Empty first cassette 2 on support 85
6 is transferred onto the temporary table 25 by the first transfer device 34.
【0140】一方、供給機構157は、空の第2カセッ
ト29をコンベア155から受け取る。この第2カセッ
ト29は、第3搬送装置38により分離収容装置28の
カセット支持台96上に搬送される。支持アーム90上
に積層支持されているウエハ22aは、第1及び第2噴
射ノズル98,99からの水の噴射及び分離ローラ10
9の回転により、最上部のものから1枚ずつ分離され
て、第2カセット29に収容される。On the other hand, the supply mechanism 157 receives the empty second cassette 29 from the conveyor 155. The second cassette 29 is transported by the third transport device 38 onto the cassette support base 96 of the separation / accommodation device 28. The wafer 22a laminated and supported on the support arm 90 is formed by ejecting water from the first and second ejection nozzles 98 and 99 and separating the roller 10.
By the rotation of 9, the uppermost one is separated one by one, and is accommodated in the second cassette 29.
【0141】第2カセット29内に所定枚数のウエハ2
2aが収容された後、その第2カセット29がカセット
支持機構92のモータ94により上昇されるとともに、
シリンダ97により支軸96aを中心に90度回動され
て上向きになる。続いて、第2カセット29は、第3搬
送装置38の支持ロッド164に把持されて、第5工程
ST5を担当する第1洗浄装置30a内、及び第6工程
ST6を担当する第2洗浄装置30b内に順に搬送され
る。ウエハ22aは第2カセット29に収容された状態
で、各洗浄装置30a,30b内において、超音波によ
り精洗浄される。A predetermined number of wafers 2 are placed in the second cassette 29.
After the 2a is accommodated, the second cassette 29 is raised by the motor 94 of the cassette support mechanism 92, and
The cylinder 97 rotates 90 degrees about the support shaft 96a and faces upward. Subsequently, the second cassette 29 is gripped by the support rod 164 of the third transfer device 38, and inside the first cleaning device 30a that handles the fifth step ST5 and the second cleaning device 30b that handles the sixth step ST6. It is transported in order. While the wafer 22a is accommodated in the second cassette 29, it is finely cleaned by ultrasonic waves in each of the cleaning devices 30a and 30b.
【0142】その後、第2カセット29は、第3搬送装
置38により、第2洗浄装置30b内から第7工程ST
7を担当する第3洗浄装置30c内に搬送される。ウエ
ハ22aは第2カセット29に収容された状態で、第3
洗浄装置30c内において、超音波により濯ぎ洗いされ
る。Thereafter, the second cassette 29 is moved from the inside of the second cleaning device 30b to the seventh step ST by the third transfer device 38.
7 is conveyed into the third cleaning device 30c. The wafer 22a is stored in the second cassette 29 and
In the cleaning device 30c, it is rinsed by ultrasonic waves.
【0143】洗浄が終了すると、第2カセット29は、
第3搬送装置38により、第3洗浄装置30c内からゆ
っくりと引き上げられた後、第8工程ST8を担当する
乾燥装置31内に搬送される。ウエハ22a及び第2カ
セット29は、乾燥装置31内において、エアの吹き付
けにより乾燥される。乾燥工程の終了後、ウエハ22a
を収容した第2カセット29は、コンベア133によっ
て乾燥装置31から送り出されて、搬出装置39に受け
渡される。When the cleaning is completed, the second cassette 29 is
After being slowly pulled up from the third cleaning device 30c by the third transfer device 38, it is transferred into the drying device 31 which is in charge of the eighth step ST8. The wafer 22a and the second cassette 29 are dried by blowing air in the drying device 31. After completion of the drying process, the wafer 22a
The second cassette 29 accommodating is sent out from the drying device 31 by the conveyor 133 and is delivered to the carry-out device 39.
【0144】前記の実施形態によって期待できる効果に
ついて、以下に記載する。The effects expected from the above embodiment will be described below.
【0145】(1) ウエハ22aを第8工程ST8以
降の他の工程に送るために、ウエハ22aは1枚ずつ分
離された状態で第2カセット29に収容される。しか
し、ウエハ22aは第2カセット29に収容される前
に、第1工程ST1〜第3工程ST3において洗浄され
る。つまり、ウエハ22aは第2カセット29で囲まれ
る前の剥き出しの状態で洗浄される。従って、ウエハ2
2aを確実にかつ短時間で洗浄することができる。しか
も、ウエハ22aに付着している切粉や砥粒によって第
2カセット29が汚されることもない。加えて、ウエハ
22aが第2カセット29に収容されるまでの過程にお
いて、ウエハ22aが切粉や砥粒で傷つくことを防止で
きる。(1) In order to send the wafer 22a to other steps after the eighth step ST8, the wafers 22a are housed in the second cassette 29 in a state of being separated one by one. However, the wafer 22a is cleaned in the first step ST1 to the third step ST3 before being stored in the second cassette 29. That is, the wafer 22a is washed in the exposed state before being surrounded by the second cassette 29. Therefore, the wafer 2
2a can be reliably washed in a short time. Moreover, the second cassette 29 is not contaminated by the cutting chips and the abrasive grains attached to the wafer 22a. In addition, it is possible to prevent the wafer 22a from being damaged by cutting chips or abrasive grains during the process until the wafer 22a is stored in the second cassette 29.
【0146】(2) 第2カセット29に収容される前
のウエハ22aは、洗浄装置24によって洗浄される。
この洗浄装置24は、粗洗浄装置24aと追加洗浄装置
24bとを有している。ウエハ22aは、粗洗浄装置2
4a内において温水の噴射により粗洗浄された後、追加
洗浄装置24b内において超音波により更に洗浄され
る。このため、ウエハ22aの洗浄を、粗洗浄と追加洗
浄とに分けて効果的に行うことができる。(2) The wafer 22a before being accommodated in the second cassette 29 is cleaned by the cleaning device 24.
The cleaning device 24 has a rough cleaning device 24a and an additional cleaning device 24b. The wafer 22a is a rough cleaning device 2
After being roughly cleaned by jetting warm water in 4a, it is further cleaned by ultrasonic waves in the additional cleaning device 24b. Therefore, the cleaning of the wafer 22a can be effectively performed by dividing it into rough cleaning and additional cleaning.
【0147】(3) 上記追加洗浄装置24bは剥離装
置27を兼用している。超音波によるウエハ22aの追
加洗浄時には、支持板23と各ウエハ22aとの間の接
着剤23cが超音波によって膨潤または溶融されて、各
ウエハ22aが支持板23から短時間で確実に剥離され
る。(3) The additional cleaning device 24b also serves as the peeling device 27. During the additional cleaning of the wafer 22a by ultrasonic waves, the adhesive 23c between the support plate 23 and each wafer 22a is swollen or melted by the ultrasonic wave, and each wafer 22a is reliably separated from the support plate 23 in a short time. .
【0148】(4) 洗浄装置24によるウエハ22a
の洗浄に先立って、ウエハ22aは、予備洗浄装置21
内において、洗浄液中に浸漬された状態で細かい気泡に
よって予備洗浄される。このため、ウエハ22aの表面
に付着している切粉等を、洗浄装置24によるウエハ2
2aの洗浄に先立って概ね除去しておくことができるの
で、洗浄装置24によるウエハ22aの洗浄を短時間で
効率良く行うことができる。(4) Wafer 22a by cleaning device 24
Prior to the cleaning of the wafer 22a,
Inside, it is pre-cleaned by fine bubbles while being immersed in the cleaning liquid. Therefore, chips and the like adhering to the surface of the wafer 22a are removed by the cleaning device 24 from the wafer 2
Since the wafer 22a can be almost removed prior to the cleaning of 2a, the cleaning of the wafer 22a by the cleaning device 24 can be performed efficiently in a short time.
【0149】(5) ワーク22の各ウエハ22aの表
面に付着している切粉や砥粒等は、乾燥に伴いウエハ2
2aに対する密着力が強くなる。これを防止するため、
搬入装置33により搬入されてきた切断後のワーク22
は、予備洗浄装置21内の洗浄液中に浸漬されることに
より、次の工程に搬送されるまで湿潤状態で保管され
る。ウエハ22aを湿潤状態で保管しておくことによ
り、その後の洗浄装置24によるウエハ22aの洗浄
を、より効果的に行うことができる。(5) The chips, abrasives, etc. adhering to the surface of each wafer 22a of the work 22 are dried by the wafer 2
The adhesion to 2a becomes stronger. To prevent this,
Work 22 after cutting, which has been carried in by the carry-in device 33
Is immersed in the cleaning liquid in the preliminary cleaning device 21, and is stored in a wet state until it is transported to the next step. By storing the wafer 22a in a wet state, the subsequent cleaning of the wafer 22a by the cleaning device 24 can be performed more effectively.
【0150】(6) 第2カセット29に収容される前
のウエハ22aは、第1カセット26に収容された状態
で各工程ST1〜ST3間を搬送される。従って、その
搬送に際してウエハ22aが破損するのを防止でき、搬
送を容易に行うことができる。(6) The wafer 22a before being accommodated in the second cassette 29 is conveyed between the processes ST1 to ST3 while being accommodated in the first cassette 26. Therefore, it is possible to prevent the wafer 22a from being damaged during the transportation, and the transportation can be easily performed.
【0151】(7) 第1カセット26内のウエハ22
aは、規制板59により倒伏を防止される。このため、
ウエハ22aの損傷が防止される。さらに、ウエハ22
aを1枚ずつ分離する工程等において、そのウエハ22
aの取扱いが容易になる。(7) Wafer 22 in first cassette 26
The regulation plate 59 prevents the a from falling. For this reason,
Damage to the wafer 22a is prevented. Further, the wafer 22
In the step of separating the wafer a one by one, the wafer 22
The handling of a becomes easy.
【0152】(8) 第1カセット26内に収容された
ワーク22の軸線方向における長さは、超音波センサ5
1による検出結果に基づき計測される。そして、そのワ
ーク22の長さに応じて、両規制板59間の間隔が正確
に調節される。このため、ワーク22の各ウエハ22a
を両規制板59間に確実に保持できる。しかも、得られ
た計測結果を後の工程における各種の制御に際して利用
することも可能となる。(8) The length of the work 22 accommodated in the first cassette 26 in the axial direction is determined by the ultrasonic sensor 5
It is measured based on the detection result of 1. Then, according to the length of the work 22, the distance between the regulation plates 59 is accurately adjusted. Therefore, each wafer 22a of the work 22 is
Can be reliably held between both regulation plates 59. Moreover, the obtained measurement result can be used for various controls in the subsequent steps.
【0153】(9) 分離収容装置28によるウエハ2
2aの分離は、水流を利用して行われる。このため、ウ
エハ22aを傷つけることなく分離することができる。(9) Wafer 2 by the separation / accommodation device 28
The separation of 2a is performed using a water stream. Therefore, the wafer 22a can be separated without damaging it.
【0154】(10) 分離収容装置28によるウエハ
22aの分離に際しては、分離ローラ109によって最
上部のウエハ22aに対して搬送方向への移動力が付与
される。このため、ウエハ22aの分離動作が促進され
る。(10) At the time of separating the wafer 22a by the separating / accommodating device 28, the separating roller 109 gives a moving force to the uppermost wafer 22a in the carrying direction. Therefore, the separating operation of the wafer 22a is promoted.
【0155】(11) ウエハ22aは分離収容装置2
8により1枚ずつ分離されて第2カセット29に収容さ
れた後、精洗浄装置30によって再度洗浄される。その
ため、ウエハ22aの表面に付着した汚れを一層確実に
除去することができるとともに、第2カセット29の汚
れも除去することができる。(11) Wafer 22a is separated and accommodated in device 2
After being separated one by one by 8 and accommodated in the second cassette 29, they are cleaned again by the precise cleaning device 30. Therefore, it is possible to more reliably remove the dirt attached to the surface of the wafer 22a and also remove the dirt on the second cassette 29.
【0156】(12) 精洗浄装置30は、第1洗浄装
置30aと第2洗浄装置30bと第3洗浄装置30cと
を有している。このため、ウエハ22aの精洗浄を、超
音波による2回の洗浄と、同じく超音波による仕上げ洗
浄とに分けて効果的に行うことができる。また、ウエハ
22aを揺動装置によって温水中で上下動させることに
より、さらに効果的に洗浄できる。(12) The precise cleaning device 30 has a first cleaning device 30a, a second cleaning device 30b, and a third cleaning device 30c. Therefore, the precise cleaning of the wafer 22a can be effectively performed by dividing it into two cleanings by ultrasonic waves and a final cleaning by ultrasonic waves. Further, by moving the wafer 22a up and down in warm water by the rocking device, the cleaning can be performed more effectively.
【0157】(13) ウエハ22aは、精洗浄装置3
0内の温水により加熱された状態で、同洗浄装置30か
ら第2カセット29とともにゆっくりと引き上げられ
る。その結果、水の表面張力作用により、ウエハ22a
の表面から水滴が容易に取り除かれ、ウエハ22aが迅
速に乾燥する。(13) The wafer 22a is used in the precise cleaning device 3
While being heated by the warm water in 0, the cleaning device 30 is slowly pulled up together with the second cassette 29. As a result, due to the surface tension action of water, the wafer 22a
Water droplets are easily removed from the surface of the wafer and the wafer 22a dries quickly.
【0158】(14) ウエハ22aは精洗浄装置30
により温水に浸漬された状態で精洗浄された後、その温
水から引き上げられて乾燥装置31により乾燥される。
このため、ウエハ22aを第2カセット29内に収容し
たままの状態で、全体に亘り均一かつ確実に乾燥させる
ことができ、第8工程ST8以降の他の工程に悪影響が
及ぶのを防止できる。(14) The wafer 22a is the precision cleaning device 30.
After being thoroughly washed in a state of being immersed in warm water, the product is pulled out from the warm water and dried by the drying device 31.
For this reason, it is possible to uniformly and surely dry the entire wafer 22a in the state where it is accommodated in the second cassette 29, and it is possible to prevent adverse effects on other steps after the eighth step ST8.
【0159】なお、この発明は、次のように変更して具
体化することも可能である。The present invention can be modified and embodied as follows.
【0160】(1) 剥離装置27を洗浄装置24の追
加洗浄装置24bと兼用することなく別に装設するこ
と。(1) The peeling device 27 is separately installed without also serving as the additional cleaning device 24b of the cleaning device 24.
【0161】(2) 剥離装置27を洗浄装置24と別
に装設した処理システムにおいて、剥離槽内に複数の噴
射ノズルを配設し、これらの噴射ノズルからウエハ22
aと支持板23との貼着部分に蒸気を噴射して、蒸気浴
によりウエハ22aを支持板23から剥離するように構
成すること。(2) In a processing system in which the peeling device 27 is installed separately from the cleaning device 24, a plurality of jet nozzles are arranged in the peeling tank, and the wafer 22 is fed from these jet nozzles.
It should be configured such that steam is sprayed on the portion where a and the support plate 23 are adhered to separate the wafer 22a from the support plate 23 by a steam bath.
【0162】(3) 前記実施形態の各洗浄槽の底部に
排液口を設け、各槽内に貯留されている液の上面の位置
が所定位置になるように、各槽に対する液の供給量と排
出量とを調整しつつ、液を循環させるように構成するこ
と。このようにすれば、洗浄により除去された汚れ物質
が各槽の底部に堆積するのを防止できる。(3) The amount of liquid supplied to each of the cleaning tanks of the above-mentioned embodiment is provided with a drainage port so that the upper surface of the liquid stored in each tank has a predetermined position. And to circulate the liquid while adjusting the discharge amount. By doing so, it is possible to prevent the contaminants removed by cleaning from accumulating on the bottom of each tank.
【0163】次に、本発明の第2実施形態について、図
20に基づいて説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0164】前記第1実施形態では、予備洗浄装置21
として、液中においてウエハ22aをエアの噴出による
バブリングによって洗浄していた。これに対して、この
第2実施形態では、図20に示すように、バブリングに
代えて、ジェット水流によって洗浄している。この場
合、例えば、予備洗浄槽42内のウエハ22aの外周に
対して洗浄液を四方から噴射する複数のノズル192を
設ける。ウエハ22aは予備洗浄槽42内の洗浄液の液
面より上方に配置される。ノズル192から噴射される
洗浄液は、槽42内の洗浄液を循環させて使用する。他
の構成は前記第1実施形態と同様であり、同一構造のも
のには同一符号を付して説明を省略する。これにより、
短時間で効率の良い洗浄が行える。In the first embodiment, the preliminary cleaning device 21
As a result, the wafer 22a is washed in the liquid by bubbling by jetting air. On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 20, instead of bubbling, cleaning is performed with a jet water flow. In this case, for example, a plurality of nozzles 192 for spraying the cleaning liquid from four directions are provided on the outer periphery of the wafer 22a in the preliminary cleaning tank 42. The wafer 22a is arranged above the surface of the cleaning liquid in the preliminary cleaning tank 42. The cleaning liquid sprayed from the nozzle 192 is used by circulating the cleaning liquid in the tank 42. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and those having the same structure are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. This allows
Efficient cleaning can be done in a short time.
【0165】次に、本発明の第3実施形態について、図
21に基づいて説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0166】前記第1実施形態では、分離収容装置28
における分離ローラ109が、発砲ゴム或いは発砲樹脂
により形成されていた。これに対して、この第3実施形
態では、図21に示すように、分離ローラ109が、内
側層193とその内側層193を包囲する薄い外側層1
94とを有している。内側層193は発砲ゴム或いは発
砲樹脂により形成されている。外側層194はソリッド
ゴムにより形成され、例えば1〜2mm程度の厚さを有
している。In the first embodiment, the separating / accommodating device 28 is used.
The separation roller 109 in No. 2 was formed of foam rubber or foam resin. On the other hand, in the third embodiment, as shown in FIG. 21, the separation roller 109 includes the inner layer 193 and the thin outer layer 1 surrounding the inner layer 193.
And 94. The inner layer 193 is made of foam rubber or foam resin. The outer layer 194 is made of solid rubber and has a thickness of, for example, about 1 to 2 mm.
【0167】言い換えれば、この第2実施形態の分離ロ
ーラ109は、柔軟性を有する内側層193と、その内
側層193を包囲する比較的硬質な外側層194とを有
している。なお、内側層193はエア室であっても良
い。このような分離ローラ109は、十分な弾力性を有
するとともに、耐磨耗性に優れ、しかも表面の摩擦係数
の経年変化が少ない。In other words, the separating roller 109 of the second embodiment has the flexible inner layer 193 and the relatively hard outer layer 194 surrounding the inner layer 193. The inner layer 193 may be an air chamber. The separation roller 109 as described above has sufficient elasticity, is excellent in abrasion resistance, and has little change in the friction coefficient of the surface over time.
【0168】分離ローラ109が発砲ゴム或いは発砲樹
脂のみで形成された場合には、ウエハ22aとの間の摩
擦抵抗により、ウエハ22aに対して確実に移動力が付
与される。しかし、使用に伴い分離ローラ109の表面
に汚れ物質が詰まり、ローラ109の表面の摩擦係数が
次第に低下する。しかも、発砲材は磨耗し易い。When the separating roller 109 is formed of only foam rubber or foam resin, the moving force is surely imparted to the wafer 22a due to the frictional resistance with the wafer 22a. However, with use, the surface of the separation roller 109 is clogged with dirt substances, and the friction coefficient of the surface of the roller 109 gradually decreases. Moreover, the foam material is easily worn.
【0169】これに対して、第3実施形態の分離ローラ
109は、表面がソリッドゴムなので、発砲材と比較し
て、耐磨耗性に優れるとともに、摩擦係数の経年変化が
少ない。しかも、分離ローラ109には、内側層193
によって十分な弾力性も保証されている。このため、ウ
エハ22aの分離が常に安定して行われる。加えて、分
離ローラ109の交換頻度が少なくて済み、作業性が向
上される。On the other hand, the surface of the separating roller 109 of the third embodiment is solid rubber, so that it is more excellent in abrasion resistance than the foam material, and the coefficient of friction does not change over time. Moreover, the separation roller 109 has an inner layer 193.
It also guarantees sufficient elasticity. Therefore, the separation of the wafer 22a is always performed stably. In addition, the frequency of exchanging the separation roller 109 is low, and the workability is improved.
【0170】次に、本発明の第4実施形態について、図
22に基づいて説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0171】図22に示すように、この第4実施形態で
は、分離収容装置28におけるシュータ111の内側下
部に、水を上方へ噴出する2つの噴出ノズル196が設
けられている。噴出ノズル196から噴出された水は、
シュータ111と積層ウエハ22aとの間の隙間を通っ
て噴き上げられる。図22に2点鎖線で示すように、最
上部のウエハ22aが分離されてシュータ111の上面
に搬送されたとき、そのウエハ22aは、シュータ11
1と積層ウエハ22aとの間から噴き上げられる水によ
って僅かに持ち上げられる。その結果、最上部のウエハ
22aとその直下のウエハ22aとの密着力が弱められ
る。従って、ウエハ22aの分離動作が円滑になり、一
層促進される。噴き上げられた水は、シュータ111上
を搬送方向に向かって流れる。なお、噴出口196は必
ずしも2つでなくともよく、1つであっても3つ以上で
あってもよい。As shown in FIG. 22, in the fourth embodiment, two jet nozzles 196 for jetting water upward are provided at the lower inside of the shooter 111 in the separation / accommodation device 28. The water jetted from the jet nozzle 196 is
It is jetted up through a gap between the shooter 111 and the laminated wafer 22a. As shown by the chain double-dashed line in FIG. 22, when the uppermost wafer 22a is separated and transferred to the upper surface of the shooter 111, the wafer 22a is separated by the shooter 11a.
It is slightly lifted by the water sprayed from between 1 and the laminated wafer 22a. As a result, the adhesion between the uppermost wafer 22a and the wafer 22a immediately below it is weakened. Therefore, the separating operation of the wafer 22a becomes smooth and further promoted. The sprayed water flows on the shooter 111 in the transport direction. Note that the number of the ejection ports 196 is not necessarily two, and may be one or three or more.
【0172】[0172]
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るため、次のような効果を奏する。Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects.
【0173】スライス加工された多数枚のウエハは支持
板に貼着されて柱状に集合された状態のまま、洗浄手段
により洗浄され、その後、剥離手段により支持板から剥
離される。さらに、その剥離されたウエハはその後、分
離収容手段に搬送され、分離収容手段により1枚ずつ分
離されて容器に収容される。このため、ウエハの洗浄及
び剥離、さらには容器内への分離収容の各処理作業を、
連続して能率的に行うことができる。また、ウエハの洗
浄が、容器への収容に先立って行われるため、ウエハを
確実かつ短時間で洗浄することができる。しかも、ウエ
ハに付着している切粉や砥粒によって容器が汚されるこ
ともない。さらに、ウエハが容器に収容されるまでの過
程において、ウエハが切粉や砥粒で傷付くことを防止で
きる。A large number of sliced wafers are cleaned by the cleaning means while being stuck to the support plate and gathered in a columnar shape, and then separated from the support plate by the separation means. Further, the peeled wafers are then transported to the separating / accommodating means, separated one by one by the separating / accommodating means, and accommodated in the container. Therefore, the cleaning and peeling of the wafer, and further, the respective processing operations such as separation and accommodation in the container,
It can be carried out continuously and efficiently. Further, since the cleaning of the wafer is performed prior to the accommodation in the container, the wafer can be cleaned reliably and in a short time. Moreover, the container is not contaminated by the cutting chips and the abrasive grains adhering to the wafer. Further, it is possible to prevent the wafer from being scratched by chips or abrasive grains in the process of being stored in the container.
【図1】 本発明の第1実施形態における処理システム
を示す概略正面図。FIG. 1 is a schematic front view showing a processing system according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 その処理システムの概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view of the processing system.
【図3】 同処理システムの第1工程〜第4工程を示す
斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing first to fourth steps of the processing system.
【図4】 同処理システムの第5工程〜第8工程を示す
斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing fifth to eighth steps of the processing system.
【図5】 同処理システムの第1工程を示す配管図。FIG. 5 is a piping diagram showing a first step of the processing system.
【図6】 同処理システムの第2工程を示す配管図。FIG. 6 is a piping diagram showing a second step of the processing system.
【図7】 同処理システムの第3工程を示す配管図。FIG. 7 is a piping diagram showing a third step of the processing system.
【図8】 同処理システムの第4工程を示す配管図。FIG. 8 is a piping diagram showing a fourth step of the processing system.
【図9】 同処理システムの第5工程及び第6工程を示
す配管図。FIG. 9 is a piping diagram showing a fifth step and a sixth step of the processing system.
【図10】 同処理システムの第7工程を示す配管図。FIG. 10 is a piping diagram showing a seventh step of the processing system.
【図11】 同処理システムの第8工程を示す配管図。FIG. 11 is a piping diagram showing an eighth step of the processing system.
【図12】 同処理システムに使用される第1カセット
の縦断面図。FIG. 12 is a vertical cross-sectional view of a first cassette used in the processing system.
【図13】 図12の13−13線における断面図。FIG. 13 is a sectional view taken along line 13-13 in FIG. 12;
【図14】 同処理システムの第4工程の構成を示す斜
視図。FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of a fourth step of the processing system.
【図15】 同処理システムの第2搬送装置の構成を示
す正面図。FIG. 15 is a front view showing the configuration of a second transfer device of the processing system.
【図16】 図15の16−16線における断面図。16 is a cross-sectional view taken along line 16-16 of FIG.
【図17】 第2搬送装置の動作を示す正面図。FIG. 17 is a front view showing the operation of the second transport device.
【図18】 (a)は切断加工前のワークを示す斜視
図、(b)は切断加工後のワークを示す斜視図。FIG. 18A is a perspective view showing a work before cutting, and FIG. 18B is a perspective view showing the work after cutting.
【図19】 ワイヤソーの概略側面図。FIG. 19 is a schematic side view of a wire saw.
【図20】 本発明の第2実施形態における第1工程を
示す配管図。FIG. 20 is a piping diagram showing a first step in the second embodiment of the present invention.
【図21】 本発明の第3実施形態における分離ローラ
を示す拡大断面図。FIG. 21 is an enlarged cross-sectional view showing a separation roller according to a third embodiment of the present invention.
【図22】 本発明の第4実施形態における分離収容装
置を示す部分斜視図。FIG. 22 is a partial perspective view showing a separation / accommodation device according to a fourth embodiment of the present invention.
21…予備洗浄装置(予備洗浄手段)、22…ワーク、
22a…ウエハ、23…支持板、23c…接着剤、24
…洗浄装置(洗浄手段)、24a…粗洗浄装置(第1洗
浄装置)、24b…追加洗浄装置(第2洗浄装置)、2
6…支持具としての第1カセット、27…剥離装置(剥
離手段)、28…分離収容装置(分離収容手段)、29
…容器としての第2カセット、30…精洗浄装置(最終
洗浄手段)、30a…第1洗浄装置、30b…第2洗浄
装置、30c…第3洗浄装置、31…乾燥装置(乾燥手
段)、34…第1搬送装置(搬送手段;第1搬送手
段)、35…第2搬送装置(搬送手段;姿勢変更手
段)、36…カセット移送装置(搬送手段)、37…カ
セット搬入装置(搬入出手段)、38…第3搬送装置
(搬送手段;搬出入手段)、40…制御装置(制御手
段)、42…洗浄槽、47…エアノズル(気泡発生手
段)、51…超音波センサ(測定手段)、55…保持ロ
ッド(保持手段)57…ネジ棒(保持手段)、59…規
制板(保持手段;規制部材)、60…支持部材(保持手
段)、64…噴射ノズル(噴射手段)、71…第2洗浄
槽、78…超音波発生器(超音波発生手段)、109…
分離ローラ、113、122…洗浄槽、118、127
…超音波発振器(超音波発生手段)、192…ノズル、
193…内側層、194…外側層、196…噴出ノズ
ル。21 ... Preliminary cleaning device (preliminary cleaning means), 22 ... Work,
22a ... Wafer, 23 ... Support plate, 23c ... Adhesive, 24
... cleaning device (cleaning means), 24a ... rough cleaning device (first cleaning device), 24b ... additional cleaning device (second cleaning device), 2
6 ... 1st cassette as a support tool, 27 ... Peeling device (peeling means), 28 ... Separation accommodating device (separation accommodating means), 29
... second cassette as container, 30 ... precision cleaning device (final cleaning means), 30a ... first cleaning device, 30b ... second cleaning device, 30c ... third cleaning device, 31 ... drying device (drying device), 34 ... first transfer device (transfer device; first transfer device), 35 ... second transfer device (transfer device; posture changing device), 36 ... cassette transfer device (transfer device), 37 ... cassette loading device (transfer device) , 38 ... Third transfer device (transfer device; transfer device), 40 ... Control device (control device), 42 ... Cleaning tank, 47 ... Air nozzle (bubble generating device), 51 ... Ultrasonic sensor (measurement device), 55 ... holding rod (holding means) 57 ... screw rod (holding means), 59 ... regulating plate (holding means; regulating member), 60 ... supporting member (holding means), 64 ... injection nozzle (injecting means), 71 ... second Cleaning tank, 78 ... Ultrasonic generator (Ultrasonic Raw means), 109 ...
Separation rollers, 113, 122 ... Cleaning tanks, 118, 127
... Ultrasonic oscillator (ultrasonic generating means), 192 ... Nozzle,
193 ... Inner layer, 194 ... Outer layer, 196 ... Jet nozzle.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝俣 昇 神奈川県横須賀市神明町1番地 株式会社 日平トヤマ技術センター内 (72)発明者 原田 豊和 神奈川県横須賀市神明町1番地 株式会社 日平トヤマ技術センター内 (72)発明者 吉田 俊三 神奈川県横須賀市神明町1番地 株式会社 日平トヤマ技術センター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Noboru Katsumata 1 Himetoyama Technical Center Co., Ltd., Yokosuka City, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Toyokazu Harada 1 Hime Toyama Technical Center, Yokosuka City, Kanagawa Prefecture 72) Inventor Shunzo Yoshida 1 Shinmeicho, Yokosuka City, Kanagawa Prefecture Hihira Toyama Technology Center Co., Ltd.
Claims (34)
をスライスすることにより形成された多数枚のウエハを
処理するためのシステムにおいて、前記ウエハを支持板
に貼着されたままの状態で洗浄する洗浄手段と、洗浄さ
れたウエハを柱状に集合された状態のまま支持板から剥
離する剥離手段と、前記ウエハを少なくとも前記洗浄手
段から剥離手段へ搬送する搬送手段とを備えたことを特
徴とするウエハの処理システム。1. A system for processing a large number of wafers formed by slicing a columnar work adhered to a supporting plate with an adhesive, wherein the wafer is still adhered to the supporting plate. A cleaning means for cleaning the wafer, a peeling means for peeling the cleaned wafer from the support plate in a state where the wafers are gathered in a columnar shape, and a transporting means for transporting the wafer at least from the cleaning means to the peeling means. Characteristic wafer processing system.
汚れを概略的に除去するべく同ウエハを粗洗浄する第1
洗浄装置と、粗洗浄後のウエハに付着している汚れをほ
ぼ完全に除去するべく同ウエハを洗浄する第2洗浄装置
とを含む請求項1に記載のウエハの処理システム。2. The first cleaning means roughly cleans the wafer to roughly remove dirt adhering to the wafer.
The wafer processing system according to claim 1, further comprising: a cleaning device; and a second cleaning device that cleans the wafer after the rough cleaning so as to almost completely remove contaminants attached to the wafer.
水を噴射する噴射手段を備えている請求項2に記載のウ
エハの処理システム。3. The wafer processing system according to claim 2, wherein the first cleaning apparatus includes a spraying unit that sprays hot water onto the wafer.
ている請求項2に記載のウエハの処理システム。4. The wafer processing system according to claim 2, wherein the stripping unit also serves as a second cleaning device.
する洗浄槽と、前記ウエハは支持板とともに洗浄槽内の
液体中に浸漬されることと、前記洗浄槽内に配設された
超音波発生手段と、その超音波発生手段が発生する超音
波は、ウエハに付着している汚れを除去し且つ、ウエハ
を支持板から剥離させるべく、支持板とウエハとの間の
接着剤を膨潤または溶融することとを備えている請求項
4に記載のウエハの処理システム。5. The peeling means comprises a cleaning tank for storing a heated liquid, the wafer being immersed together with the support plate in the liquid in the cleaning tank, and an ultra-cleaning tank disposed in the cleaning tank. The sound wave generating means and the ultrasonic waves generated by the ultrasonic wave generating means swell the adhesive between the support plate and the wafer in order to remove the dirt adhering to the wafer and separate the wafer from the support plate. 5. The wafer processing system of claim 4, further comprising melting.
に先立ち、そのウエハを洗浄する予備洗浄手段と、前記
搬送手段は前記ウエハを前記予備洗浄手段から前記洗浄
手段へ搬送することとを備えたことを特徴とする請求項
1〜5のいずれかに記載のウエハの処理システム。6. A preliminary cleaning means for cleaning the wafer prior to cleaning the wafer by the cleaning means, and the transfer means for transferring the wafer from the preliminary cleaning means to the cleaning means. 6. The wafer processing system according to claim 1, wherein the wafer processing system is a wafer processing system.
槽を備え、前記ウエハは洗浄槽内の液体中に浸漬される
請求項6に記載のウエハの処理システム。7. The wafer processing system according to claim 6, wherein the preliminary cleaning means includes a cleaning tank for storing a liquid, and the wafer is immersed in the liquid in the cleaning tank.
に気泡を発生させる気泡発生手段を備えている請求項7
に記載のウエハの処理システム。8. The pre-cleaning means comprises bubble generating means for generating bubbles in the liquid in the cleaning tank.
The wafer processing system described in 1 ..
ット水流を噴射する複数のノズルを備えている請求項6
に記載のウエハの処理システム。9. The pre-cleaning means comprises a plurality of nozzles for jetting a jet water stream onto the wafer.
The wafer processing system described in 1 ..
ずつ分離して容器に収容する分離収容手段と、前記搬送
手段はウエハを前記剥離手段から前記分離収容手段へ搬
送することとを備えたことを特徴とする請求項1〜5の
いずれかに記載のウエハの処理システム。10. A separating / accommodating means for separating the wafers in a columnar state into a container by separating them one by one, and the transferring means transfers the wafers from the peeling means to the separating / accommodating means. The wafer processing system according to claim 1, wherein the wafer processing system is a wafer processing system.
されたウエハを、容器に収容されたままの状態で最終洗
浄する最終洗浄手段と、前記搬送手段はウエハを収容し
た容器を分離収容手段から最終洗浄手段へ搬送すること
とを備えたことを特徴とする請求項10に記載のウエハ
の処理システム。11. A final cleaning means for finally cleaning the wafer accommodated in the container by the separating and accommodating means while the container is still accommodated in the container, and the transferring means finalizes the container accommodating the wafer from the separating and accommodating means. The wafer processing system according to claim 10, further comprising transporting the wafer to a cleaning unit.
の洗浄工程を複数回行うべく、複数の洗浄装置を備えて
いる請求項11に記載のウエハの処理システム。12. The wafer processing system according to claim 11, wherein the final cleaning means is provided with a plurality of cleaning devices so as to perform the cleaning process of the wafer and the container a plurality of times.
浄槽を備え、前記ウエハは容器とともに洗浄槽内の温水
中に浸漬された状態で洗浄される請求項11に記載のウ
エハの処理システム。13. The wafer processing system according to claim 11, wherein the final cleaning unit includes a cleaning tank that stores hot water, and the wafer is cleaned together with the container while being immersed in the warm water in the cleaning tank.
れた超音波発生手段を備え、ウエハ及び容器は超音波発
生手段が発生する超音波によって洗浄される請求項13
に記載のウエハの処理システム。14. The final cleaning means comprises an ultrasonic wave generating means arranged in a cleaning tank, and the wafer and the container are cleaned by ultrasonic waves generated by the ultrasonic wave generating means.
The wafer processing system described in 1 ..
て洗浄されたウエハを容器とともに温水から引き上げる
請求項13または14に記載のウエハの処理システム。15. The wafer processing system according to claim 13, wherein the transfer unit pulls the wafer cleaned by the final cleaning unit together with the container out of the warm water.
ウエハを容器とともに乾燥させる乾燥手段と、前記搬送
手段はウエハを収容した容器を最終洗浄手段から引き上
げた後に乾燥手段へ搬送することとを備えたことを特徴
とする請求項15に記載のウエハの処理システム。16. A drying means for drying the wafer cleaned by the final cleaning means together with a container, and the transfer means for lifting the container containing the wafer from the final cleaning means and transferring it to the drying means. 16. The wafer processing system according to claim 15, wherein:
持するための持ち運び可能な支持具と、前記洗浄手段は
ウエハを支持具に支持した状態で洗浄することと、前記
剥離手段はウエハを支持具に支持した状態で支持板から
剥離させることとを備えたことを特徴とする請求項1〜
5のいずれかに記載のウエハの処理システム。17. A portable support tool for supporting a wafer attached to a support plate; cleaning means for cleaning the wafer while the wafer is supported by the support tool; and peeling means for the wafer. Peeling from the support plate while being supported by the support tool.
6. The wafer processing system according to any one of 5 above.
後のウエハの姿勢を保持するための保持手段を有する請
求項17に記載のウエハの処理システム。18. The wafer processing system according to claim 17, wherein the support tool has a holding means for holding the posture of the wafer after being peeled off from the support plate.
エハの倒伏を防止すべく、ウエハの群をその両端面側か
ら挟む一対の規制部材を有する請求項18に記載のウエ
ハの処理システム。19. The wafer processing system according to claim 18, wherein the holding means has a pair of restricting members for sandwiching the group of wafers from both end surfaces thereof in order to prevent the stacked wafers from falling down.
端面間の寸法に応じて両規制部材間の間隔を調整する調
整手段を有する請求項19に記載のウエハの処理システ
ム。20. The wafer processing system according to claim 19, wherein the holding means further has an adjusting means for adjusting a distance between the both regulating members according to a dimension between both end faces of the group of wafers.
る測定手段を有する請求項20に記載のウエハの処理シ
ステム。21. The wafer processing system according to claim 20, further comprising measuring means for measuring a dimension between both end surfaces of the group of wafers.
レーザ測長器のいずれかを含む請求項21に記載のウエ
ハの処理システム。22. The wafer processing system according to claim 21, wherein said measuring means includes either an ultrasonic sensor or a laser length measuring device.
ずつ分離して容器に収容する分離収容手段と、前記搬送
手段はウエハを支持した支持具を、洗浄手段、剥離手段
及び分離収容手段の間で搬送する第1搬送手段を有する
こととを備えたことを特徴とする請求項17に記載のウ
エハの処理システム。23. Separation and accommodating means for separating the wafers in a columnar state one by one and accommodating them in a container, and said support means for supporting the wafer, cleaning means, peeling means, and separation accommodating means. 18. The wafer processing system according to claim 17, further comprising a first transfer unit configured to transfer between the wafers.
方向に延びる状態になるように積み重ねられたウエハ
を、最上部のものから1枚ずつ分離するものであり、前
記搬送手段は、支持具内のウエハの群の軸線がほぼ垂直
方向に延びる状態になるように、分離収容手段へ搬入す
る支持具の姿勢を変更する姿勢変更手段を有する請求項
23に記載のウエハの処理システム。24. The separating / accommodating means separates the stacked wafers one by one from the uppermost one so that the axes thereof extend substantially vertically. 24. The wafer processing system according to claim 23, further comprising attitude changing means for changing the attitude of the support member carried into the separating and accommodating means so that the axis of the group of wafers therein extends in a substantially vertical direction.
手段に搬入するとともに、ウエハを収容した容器を分離
収容手段から搬出する搬入出手段を有する請求項10に
記載のウエハの処理システム。25. The wafer processing system according to claim 10, wherein the transfer means has a carry-in / carry-out means for carrying in an empty container into the separating / accommodating means and carrying out a container accommodating a wafer from the separating / accommodating means.
よって1枚ずつ分離させる請求項10に記載のウエハの
処理システム。26. The wafer processing system according to claim 10, wherein the separation / accommodation means separates the wafers one by one by a water flow.
ハに接触して分離方向への移動力を付与する分離ローラ
を備えた請求項26に記載のウエハの処理システム。27. The wafer processing system according to claim 26, wherein the separation / accommodation means includes a separation roller that comes into contact with the wafer to be separated and applies a moving force in the separation direction.
層とこの内側層を包囲する比較的硬質の外側層とでなる
請求項27に記載のウエハの処理システム。28. The wafer processing system of claim 27, wherein the separating roller comprises an elastic inner layer and a relatively hard outer layer surrounding the inner layer.
ウエハを噴き上げ水流によって浮上させる噴出ノズルを
備えている請求項26に記載のウエハの処理システム。29. The wafer processing system according to claim 26, wherein the separation / accommodation means includes a jet nozzle for jetting the wafer which is in the course of separation movement and floating the wafer by a water flow.
い、前記洗浄手段、剥離手段及び搬送手段の動作を制御
する制御手段を備える請求項1〜5のいずれかに記載の
ウエハの処理システム。30. The wafer processing system according to claim 1, further comprising a control unit that controls the operations of the cleaning unit, the peeling unit, and the transfer unit according to a predetermined control program.
い、前記洗浄手段、剥離手段、分離収容手段及び搬送手
段の動作を制御する制御手段を備える請求項10に記載
のウエハの処理システム。31. The wafer processing system according to claim 10, further comprising control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating / accommodating means, and the carrying means in accordance with a predetermined control program.
い、前記洗浄手段、剥離手段、分離収容手段、最終洗浄
手段及び搬送手段の動作を制御する制御手段を備える請
求項11に記載のウエハの処理システム。32. The wafer processing system according to claim 11, further comprising control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, the final cleaning means and the transfer means in accordance with a predetermined control program.
い、前記洗浄手段、剥離手段、分離収容手段、最終洗浄
手段、乾燥手段及び搬送手段の動作を制御する制御手段
を備える請求項16に記載のウエハの処理システム。33. The wafer according to claim 16, further comprising control means for controlling the operations of the cleaning means, the peeling means, the separating and accommodating means, the final cleaning means, the drying means and the carrying means according to a predetermined control program. Processing system.
クをスライスすることにより形成された多数枚のウエハ
を処理するためのシステムにおいて、前記ウエハを支持
板に貼着されたままの状態で洗浄するための洗浄ステー
ションと、洗浄されたウエハを柱状に集合された状態の
まま支持板から剥離するための剥離ステーションと、柱
状に集合された状態のウエハを1枚ずつ分離して容器に
収容するための分離収容ステーションとを備えたウエハ
の処理システム。34. A system for processing a large number of wafers formed by slicing a columnar work adhered to a supporting plate with an adhesive, wherein the wafer is still adhered to the supporting plate. Cleaning station for cleaning the wafer, a peeling station for peeling the cleaned wafers from the support plate in a state where the wafers are gathered in a column shape, and the wafers gathered in the column shape are separated one by one into a container. A wafer processing system having a separate storage station for storing.
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