JPH0922956A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0922956A JPH0922956A JP16950695A JP16950695A JPH0922956A JP H0922956 A JPH0922956 A JP H0922956A JP 16950695 A JP16950695 A JP 16950695A JP 16950695 A JP16950695 A JP 16950695A JP H0922956 A JPH0922956 A JP H0922956A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating tape
- semiconductor chip
- semiconductor device
- electrodes
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体装置では、絶縁テープ４上に形成された
配線パターン６と外部端子５と半導体チップ１の電極２
とを金属バンプ７を介して電気的に接続し、絶縁テープ
４を１回以上折り曲げ、絶縁テープ４上に設けた外部端
子５を半導体チップ１の面内の範囲に設けた。 【効果】半導体チップや電気的接続部に発生する熱応力
を減少させることができ、電気的接続部の信頼性の高い
半導体装置を提供することができる。
配線パターン６と外部端子５と半導体チップ１の電極２
とを金属バンプ７を介して電気的に接続し、絶縁テープ
４を１回以上折り曲げ、絶縁テープ４上に設けた外部端
子５を半導体チップ１の面内の範囲に設けた。 【効果】半導体チップや電気的接続部に発生する熱応力
を減少させることができ、電気的接続部の信頼性の高い
半導体装置を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を収納す
る半導体パッケージに係り、特に、半導体パッケージと
実装基板の接続部の高信頼性を実現し得る半導体装置に
関する。
る半導体パッケージに係り、特に、半導体パッケージと
実装基板の接続部の高信頼性を実現し得る半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア，テープキャリ
ア，ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)と称されている半
導体装置は、ポリイミドフィルムなどの絶縁性材料より
なるテープ上に、半導体素子を実装するためのデバイス
ホールを設け、表面に銅箔などの導電性材料をエッチン
グして複数のリードを形成し、デバイスホールに突出し
たリードの先端部とチップを熱圧着でボンディングし、
次いで、ポッティング技術などにより、レジンでチップ
などを被覆して、樹脂封止される構造である。
ア，ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)と称されている半
導体装置は、ポリイミドフィルムなどの絶縁性材料より
なるテープ上に、半導体素子を実装するためのデバイス
ホールを設け、表面に銅箔などの導電性材料をエッチン
グして複数のリードを形成し、デバイスホールに突出し
たリードの先端部とチップを熱圧着でボンディングし、
次いで、ポッティング技術などにより、レジンでチップ
などを被覆して、樹脂封止される構造である。
【０００３】尚、テープキャリアについて述べた文献の
例は、（株）日経マグロウヒル社刊「日経マイクロデバ
イス」１９８６年３月号Ｐ１２８〜１３５が挙げられ
る。
例は、（株）日経マグロウヒル社刊「日経マイクロデバ
イス」１９８６年３月号Ｐ１２８〜１３５が挙げられ
る。
【０００４】また、半導体チップのボンディングパッド
上に第１導体部を設け、第１導体部の上面のみが露出さ
れるように樹脂封止され、第１導体部と基板を塊状の第
２導体部で接続する小型化された樹脂封止型半導体パッ
ケージが特開平5−120687 号公報に開示されている。
上に第１導体部を設け、第１導体部の上面のみが露出さ
れるように樹脂封止され、第１導体部と基板を塊状の第
２導体部で接続する小型化された樹脂封止型半導体パッ
ケージが特開平5−120687 号公報に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のテープ
キャリアを用いた場合には、リードがチップの周囲に配
置されるため実装面積が広くなること、リードがはんだ
付けされることからリードピッチが制限されることなど
から、高密度実装には限界がある。
キャリアを用いた場合には、リードがチップの周囲に配
置されるため実装面積が広くなること、リードがはんだ
付けされることからリードピッチが制限されることなど
から、高密度実装には限界がある。
【０００６】一方、特開平5−120687 号公報に開示され
ている樹脂封止型半導体パッケージは、パッケージ下面
にボールグリッドアレイ状に配置されるため、多ピン化
が可能で、実装面積も小さくて済み、高密度実装に適し
ている。しかし、実装時あるいは使用時の温度環境の変
化で半導体パッケージと基板の熱膨張係数差により塊状
の第２導体部に熱応力が発生するため、塊状の第２導体
部が熱疲労破壊を起こす問題がある。
ている樹脂封止型半導体パッケージは、パッケージ下面
にボールグリッドアレイ状に配置されるため、多ピン化
が可能で、実装面積も小さくて済み、高密度実装に適し
ている。しかし、実装時あるいは使用時の温度環境の変
化で半導体パッケージと基板の熱膨張係数差により塊状
の第２導体部に熱応力が発生するため、塊状の第２導体
部が熱疲労破壊を起こす問題がある。
【０００７】本発明の目的は、高密度実装が可能で、電
気的接続部の熱疲労破壊に対する信頼性に優れた半導体
装置を提供することにある。
気的接続部の熱疲労破壊に対する信頼性に優れた半導体
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は電極を有する半導体チップと、外部端子
と配線パターンを有する絶縁テープと、半導体チップの
電極と配線パターンとの電気的接続手段から構成された
半導体装置において、前記半導体チップの電極と前記配
線パターンとを金属バンプを介して電気的に接続し、前
記絶縁テープを１回以上折り曲げ、絶縁テープに設けた
外部端子を前記半導体チップの面内の範囲に設ける。
めに、本発明は電極を有する半導体チップと、外部端子
と配線パターンを有する絶縁テープと、半導体チップの
電極と配線パターンとの電気的接続手段から構成された
半導体装置において、前記半導体チップの電極と前記配
線パターンとを金属バンプを介して電気的に接続し、前
記絶縁テープを１回以上折り曲げ、絶縁テープに設けた
外部端子を前記半導体チップの面内の範囲に設ける。
【０００９】また上記の目的を達成するために、前記半
導体チップの電極との電気的接続を行う金属バンプを含
む前記絶縁テープの面の裏面と前記外部端子を含む前記
絶縁テープの面の裏面の間を弾性率の低い接着剤で一部
あるいは全面で接着する。
導体チップの電極との電気的接続を行う金属バンプを含
む前記絶縁テープの面の裏面と前記外部端子を含む前記
絶縁テープの面の裏面の間を弾性率の低い接着剤で一部
あるいは全面で接着する。
【００１０】また上記の目的を達成するために、半導体
チップの回路形成面またはその裏面を樹脂封止する。
チップの回路形成面またはその裏面を樹脂封止する。
【００１１】
【作用】本発明による半導体装置は、半導体チップの面
内に実装基板との電気的接続手段である外部端子を持
ち、かつ半導体装置と実装基板との線膨張係数差に起因
する熱変形量の差を吸収する手段を有しているため、電
気的接続部の信頼性を確保したまま高密度実装を図れ
る。
内に実装基板との電気的接続手段である外部端子を持
ち、かつ半導体装置と実装基板との線膨張係数差に起因
する熱変形量の差を吸収する手段を有しているため、電
気的接続部の信頼性を確保したまま高密度実装を図れ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【００１３】本発明の第１実施例による半導体装置の斜
視図を図１に示す。また、第１実施例の断面図を図２に
示す。
視図を図１に示す。また、第１実施例の断面図を図２に
示す。
【００１４】半導体チップ１の回路形成面と同じ面に電
極２が形成され、電極２以外の主表面は絶縁保護膜３で
被われている。絶縁テープ４上に外部端子５と配線パタ
ーン６を形成して、半導体チップ１上の電極２と配線パ
ターン６を金属バンプ７を介して電気的に接続する。絶
縁テープ４を２箇所で折り曲げ、外部端子５を半導体チ
ップ１の面内の範囲に設けた。
極２が形成され、電極２以外の主表面は絶縁保護膜３で
被われている。絶縁テープ４上に外部端子５と配線パタ
ーン６を形成して、半導体チップ１上の電極２と配線パ
ターン６を金属バンプ７を介して電気的に接続する。絶
縁テープ４を２箇所で折り曲げ、外部端子５を半導体チ
ップ１の面内の範囲に設けた。
【００１５】絶縁保護膜３として、プラズマシリコン窒
化膜，プラズマシリコン酸化膜やポリイミドなどが用い
られる。
化膜，プラズマシリコン酸化膜やポリイミドなどが用い
られる。
【００１６】外部端子５と配線パターン６を有する絶縁
テープ４の断面を図３に示す。
テープ４の断面を図３に示す。
【００１７】絶縁テープ４上の配線パターン６は絶縁テ
ープ４上に銅箔などの金属箔を接着し、金属箔をエッチ
ングして所望の形状に作成するのが一般的であるが、導
電性ワイヤの使用やスクリーン印刷などの他の方法を用
いても良い。
ープ４上に銅箔などの金属箔を接着し、金属箔をエッチ
ングして所望の形状に作成するのが一般的であるが、導
電性ワイヤの使用やスクリーン印刷などの他の方法を用
いても良い。
【００１８】折り曲げ部分の曲率半径を小さくするた
め、絶縁テープ４の折り曲げ部を他の部分より薄くする
のが好ましい。絶縁テープ４の折り曲げ部の厚さを薄く
する方法は、例えば、選択的にエッチングを行う化学的
方法やエキシマレーザ光を利用した物理的な方法などが
挙げられる。外部端子５を含む面は実装時の形状保持性
の点から絶縁テープ４を他の部分より厚くするなどの方
法により剛性を確保するのが好ましい。本実施例では図
示していないが、短絡防止のため配線パターン６の上を
絶縁膜で覆っても良い。
め、絶縁テープ４の折り曲げ部を他の部分より薄くする
のが好ましい。絶縁テープ４の折り曲げ部の厚さを薄く
する方法は、例えば、選択的にエッチングを行う化学的
方法やエキシマレーザ光を利用した物理的な方法などが
挙げられる。外部端子５を含む面は実装時の形状保持性
の点から絶縁テープ４を他の部分より厚くするなどの方
法により剛性を確保するのが好ましい。本実施例では図
示していないが、短絡防止のため配線パターン６の上を
絶縁膜で覆っても良い。
【００１９】実装基板との電気的接続は配線パターン６
上に形成された外部端子５により行う。外部端子５は半
田バンプが一般的である。半田バンプの形成法は、メッ
キ法，半田ボール法，蒸着法，半田ディップ法が挙げら
れる。また、導電性樹脂でバンプを形成してもかまわな
い。この場合、導電性樹脂を転写供給することでバンプ
を形成する。
上に形成された外部端子５により行う。外部端子５は半
田バンプが一般的である。半田バンプの形成法は、メッ
キ法，半田ボール法，蒸着法，半田ディップ法が挙げら
れる。また、導電性樹脂でバンプを形成してもかまわな
い。この場合、導電性樹脂を転写供給することでバンプ
を形成する。
【００２０】電極２と配線パターン６との電気的接続は
電極２上または配線パターン６またはその両方に金属バ
ンプ７を設け、熱圧着法やリフロー法により行うのが一
般的である。金属バンプの代わりに導電性樹脂を用いて
も良い。金属バンプを形成する方法として、メッキ法，
半田ボール法，蒸着法，半田ディップ法，超音波半田付
け法等が挙げられる。
電極２上または配線パターン６またはその両方に金属バ
ンプ７を設け、熱圧着法やリフロー法により行うのが一
般的である。金属バンプの代わりに導電性樹脂を用いて
も良い。金属バンプを形成する方法として、メッキ法，
半田ボール法，蒸着法，半田ディップ法，超音波半田付
け法等が挙げられる。
【００２１】本発明の半導体装置は、実装基板に配線パ
ターン６を有する絶縁テープ４を介して電気的に接続さ
れることから、実装基板に拘束されない。そのため、外
部端子５，金属バンプ７などの電気的接続部に温度環境
の変化による熱応力の発生が生じにくく、半導体装置の
信頼性向上に役立つ。
ターン６を有する絶縁テープ４を介して電気的に接続さ
れることから、実装基板に拘束されない。そのため、外
部端子５，金属バンプ７などの電気的接続部に温度環境
の変化による熱応力の発生が生じにくく、半導体装置の
信頼性向上に役立つ。
【００２２】本発明の第２実施例による半導体装置の断
面図を図４に示す。
面図を図４に示す。
【００２３】第２実施例では、外部端子５と配線パター
ン６を有する絶縁テープ４の折り曲げ後の形状保持など
を目的に、折り曲げた絶縁テープの間の一部あるいは全
部を接着剤８を用いて接着する。接着剤８は、エポキシ
系，ポリイミド系などの樹脂系接着剤が主に用いられ
る。絶縁テープのせん断変形を容易にするため、接着剤
は弾性率の低いものが好ましい。また、本実施例では外
部端子５と配線パターン６を有する絶縁テープ４を二つ
用いて電気的接続を行っていることから、半導体チップ
１と実装基板の線膨張係数に起因する熱変形量の差を絶
縁テープ４の部分のせん断変形などにより吸収する。半
導体チップの主表面が長方形の場合、絶縁テープ４の折
り曲げ部を短辺に平行に配置するのが好ましい。
ン６を有する絶縁テープ４の折り曲げ後の形状保持など
を目的に、折り曲げた絶縁テープの間の一部あるいは全
部を接着剤８を用いて接着する。接着剤８は、エポキシ
系，ポリイミド系などの樹脂系接着剤が主に用いられ
る。絶縁テープのせん断変形を容易にするため、接着剤
は弾性率の低いものが好ましい。また、本実施例では外
部端子５と配線パターン６を有する絶縁テープ４を二つ
用いて電気的接続を行っていることから、半導体チップ
１と実装基板の線膨張係数に起因する熱変形量の差を絶
縁テープ４の部分のせん断変形などにより吸収する。半
導体チップの主表面が長方形の場合、絶縁テープ４の折
り曲げ部を短辺に平行に配置するのが好ましい。
【００２４】本発明の第３実施例による半導体装置の断
面図を図５に示す。
面図を図５に示す。
【００２５】第３実施例では、中央部に外部端子５が、
その周囲に電極２との接続部が配置された絶縁テープ４
が折り曲げられ、電極２と金属バンプ７を介して電気的
に接続されている。これにより半導体チップ１と実装基
板の線膨張係数差に起因する両者の熱変形量の差は絶縁
テープ４の変形で吸収される。取り扱い性の向上等の理
由から半導体チップ全体あるいは一部を封止樹脂９で覆
うことも可能である。封止樹脂４を構成する樹脂には、
例えば、エポキシ樹脂を用いることができ、樹脂を含む
樹脂溶液をポッティングすることにより形成することが
できる。
その周囲に電極２との接続部が配置された絶縁テープ４
が折り曲げられ、電極２と金属バンプ７を介して電気的
に接続されている。これにより半導体チップ１と実装基
板の線膨張係数差に起因する両者の熱変形量の差は絶縁
テープ４の変形で吸収される。取り扱い性の向上等の理
由から半導体チップ全体あるいは一部を封止樹脂９で覆
うことも可能である。封止樹脂４を構成する樹脂には、
例えば、エポキシ樹脂を用いることができ、樹脂を含む
樹脂溶液をポッティングすることにより形成することが
できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば外部端子と配線パターン
を有する絶縁テープの変形により半導体チップや電気的
接続部に発生する熱応力を大きく減少させることができ
る。
を有する絶縁テープの変形により半導体チップや電気的
接続部に発生する熱応力を大きく減少させることができ
る。
【図１】本発明の第１実施例における半導体装置の斜視
図。
図。
【図２】本発明の第１実施例における半導体装置の断面
図。
図。
【図３】本発明で用いる外部端子と配線パターンを有す
る絶縁テープの断面図。
る絶縁テープの断面図。
【図４】本発明の第２実施例における半導体装置の断面
図。
図。
【図５】本発明の第２実施例における半導体装置の断面
図。
図。
１…半導体チップ、２…電極、３…絶縁保護膜、４…絶
縁テープ、５…外部端子、６…配線パターン、７…金属
バンプ、８…接着剤、９…封止樹脂。
縁テープ、５…外部端子、６…配線パターン、７…金属
バンプ、８…接着剤、９…封止樹脂。
Claims (3)
- 【請求項１】電極を有する半導体チップと、外部端子と
配線パターンを有する絶縁テープと、前記半導体チップ
の前記電極と前記配線パターンとの電気的接続手段から
構成された半導体装置において、前記半導体チップの前
記電極と前記配線パターンとを金属バンプを介して電気
的に接続し、前記絶縁テープを１回以上折り曲げ、絶縁
テープに設けた前記外部端子を前記半導体チップの面内
の範囲に設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記半導体チップの電
極との電気的接続を行う金属バンプを含む前記絶縁テー
プの面の裏面と前記外部端子を含む前記絶縁テープの面
の裏面の間を弾性率の低い接着剤で一部あるいは全面で
接着した半導体装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記半導体チップの回
路形成面またはその裏面を樹脂封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950695A JPH0922956A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950695A JPH0922956A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922956A true JPH0922956A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15887782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16950695A Pending JPH0922956A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922956A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087716A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a connection substrate with turned back leads and method thereof |
-
1995
- 1995-07-05 JP JP16950695A patent/JPH0922956A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087716A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a connection substrate with turned back leads and method thereof |
| KR100281667B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2001-02-15 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 실장 구조 및 반도체 장치 실장 방법 |
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