JPH09227679A - 含フッ素ポリイミド光学材料 - Google Patents
含フッ素ポリイミド光学材料Info
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- JPH09227679A JPH09227679A JP6390697A JP6390697A JPH09227679A JP H09227679 A JPH09227679 A JP H09227679A JP 6390697 A JP6390697 A JP 6390697A JP 6390697 A JP6390697 A JP 6390697A JP H09227679 A JPH09227679 A JP H09227679A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 含フッ素ポリイミドを電子部品や光部品のた
めの低誘電率及び低屈折率を有する光学材料として提供
する。 【解決手段】 下記一般式(化1): 【化1】 (式中XはH又はCF3 を示し、R1 は2価の、3,
3′−ジメチル−4,4′−ビフェニレン基、4,
4′′−p−テルフェニレン基、又は2,2′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ビフェニレン基を
示す)で表される繰り返し単位からなることを特徴と
し、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド
低熱膨張性光学材料。
めの低誘電率及び低屈折率を有する光学材料として提供
する。 【解決手段】 下記一般式(化1): 【化1】 (式中XはH又はCF3 を示し、R1 は2価の、3,
3′−ジメチル−4,4′−ビフェニレン基、4,
4′′−p−テルフェニレン基、又は2,2′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ビフェニレン基を
示す)で表される繰り返し単位からなることを特徴と
し、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド
低熱膨張性光学材料。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品や光部品の
ための、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に関する。
ための、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリイミドは種々の有機ポリマーの中で
耐熱性に優れているため、宇宙、航空分野から電子通信
分野まで幅広く使われ始めている。特に最近では、単に
耐熱性に優れているだけでなく、用途に応じて種々の性
能を合せ持つことが期待されている。例えばプリント板
や、LSI用の層間絶縁膜用材料には、低熱膨張係数、
低誘電率であることが期待されている。また、光通信関
係特に光導波路のクラッド材には屈折率が小さいことが
期待され、特にシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作
製する光部品等では低屈折率、低熱膨張率であることが
期待されている。更に、安定な物性値を保つには、吸水
率の小さなことが必要である。しかしながら、これらの
性能に充分満足のいくポリイミドは得られていない。こ
れらのポリイミドを得るためには、ポリイミドの主鎖を
できる限り剛直構造にして低熱膨張性を発現させ、更に
モノマーであるテトラカルボン酸二無水物又はジアミン
に低誘電率性、低屈折率性を発現する置換基を導入する
方法が考えられる。例えばエポキシ樹脂においては、ジ
ャーナル オブ ポリマー サイエンス(Journal ofPo
lymer Science) のパート(Part)C、ポリマー レター
ズ (Polymer Letters) 、第24巻、第249頁(19
86)に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フッ素置換基を導入することにより、これまでのエポキ
シ樹脂の中で最も低い誘電率を達成している。また特開
昭61−44969号公報で示されているように、屈折
率においても多フッ素置換基を導入することにより、こ
れまでのエポキシ樹脂の中で最も低い屈折率を達成して
いる。このようにポリイミド骨格にフッ素置換基を導入
することにより、誘電率、屈折率の低減が期待できる。
本発明の低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドの製造方法
は、特公平2−14365号(特開昭59−18912
2号)公報において低吸湿かつ耐熱性を有する含フッ素
ポリイミドの製造方法として概括的に記載されている
が、本発明に用いる含フッ素ポリイミド、及びその誘電
率、及び屈折率については全く触れられていない。ま
た、特開昭60−221427号、同61−60725
号、同61−176196号、同62−127827
号、及び同62−280257号各公報には、含フッ素
ポリイミドが低熱膨張率であるために、低熱膨張樹脂材
料、金属との複合体、モジュール用配線基板、液晶配向
膜用組成物、及び低粘度ワニスとして適していることが
記載されているが、電子部品用絶縁材料として重要な誘
電率、及び光部品用材料として重要な屈折率については
全く触れられていない。
耐熱性に優れているため、宇宙、航空分野から電子通信
分野まで幅広く使われ始めている。特に最近では、単に
耐熱性に優れているだけでなく、用途に応じて種々の性
能を合せ持つことが期待されている。例えばプリント板
や、LSI用の層間絶縁膜用材料には、低熱膨張係数、
低誘電率であることが期待されている。また、光通信関
係特に光導波路のクラッド材には屈折率が小さいことが
期待され、特にシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作
製する光部品等では低屈折率、低熱膨張率であることが
期待されている。更に、安定な物性値を保つには、吸水
率の小さなことが必要である。しかしながら、これらの
性能に充分満足のいくポリイミドは得られていない。こ
れらのポリイミドを得るためには、ポリイミドの主鎖を
できる限り剛直構造にして低熱膨張性を発現させ、更に
モノマーであるテトラカルボン酸二無水物又はジアミン
に低誘電率性、低屈折率性を発現する置換基を導入する
方法が考えられる。例えばエポキシ樹脂においては、ジ
ャーナル オブ ポリマー サイエンス(Journal ofPo
lymer Science) のパート(Part)C、ポリマー レター
ズ (Polymer Letters) 、第24巻、第249頁(19
86)に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フッ素置換基を導入することにより、これまでのエポキ
シ樹脂の中で最も低い誘電率を達成している。また特開
昭61−44969号公報で示されているように、屈折
率においても多フッ素置換基を導入することにより、こ
れまでのエポキシ樹脂の中で最も低い屈折率を達成して
いる。このようにポリイミド骨格にフッ素置換基を導入
することにより、誘電率、屈折率の低減が期待できる。
本発明の低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドの製造方法
は、特公平2−14365号(特開昭59−18912
2号)公報において低吸湿かつ耐熱性を有する含フッ素
ポリイミドの製造方法として概括的に記載されている
が、本発明に用いる含フッ素ポリイミド、及びその誘電
率、及び屈折率については全く触れられていない。ま
た、特開昭60−221427号、同61−60725
号、同61−176196号、同62−127827
号、及び同62−280257号各公報には、含フッ素
ポリイミドが低熱膨張率であるために、低熱膨張樹脂材
料、金属との複合体、モジュール用配線基板、液晶配向
膜用組成物、及び低粘度ワニスとして適していることが
記載されているが、電子部品用絶縁材料として重要な誘
電率、及び光部品用材料として重要な屈折率については
全く触れられていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、含フ
ッ素ポリイミドを電子部品や光部品のための低誘電率及
び低屈折率を有する光学材料として提供することにあ
る。
ッ素ポリイミドを電子部品や光部品のための低誘電率及
び低屈折率を有する光学材料として提供することにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミ
ド低熱膨張性光学材料に関する発明であって、下記一般
式(化1):
発明は低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミ
ド低熱膨張性光学材料に関する発明であって、下記一般
式(化1):
【0005】
【化1】
【0006】(式中Xは水素又はトリフルオロメチル基
を示し、R1 は下記の構造式(化2)〜(化4):
を示し、R1 は下記の構造式(化2)〜(化4):
【0007】
【化2】
【0008】
【化3】
【0009】
【化4】
【0010】で表される基よりなる群から選択した2価
の有機基を示す〕で表される繰り返し単位からなること
を特徴とする。
の有機基を示す〕で表される繰り返し単位からなること
を特徴とする。
【0011】本発明者らは、含フッ素化ポリイミドの分
子構造について種々検討し、下記に示す特定のジアミン
と特定の酸二無水物を用いたポリイミドが低誘電率及び
低屈折率を有していることを明らかにした。
子構造について種々検討し、下記に示す特定のジアミン
と特定の酸二無水物を用いたポリイミドが低誘電率及び
低屈折率を有していることを明らかにした。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。本発明において低誘電率及び低屈折率を有する含フ
ッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドは
ジアミンとして下記構造式(化5)〜(化7):
る。本発明において低誘電率及び低屈折率を有する含フ
ッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドは
ジアミンとして下記構造式(化5)〜(化7):
【0013】
【化5】
【0014】
【化6】
【0015】
【化7】
【0016】で表される3,3′−ジメチル−4,4′
−ジアミノビフェニル、4,4′′−ジアミノ−p−テ
ルフェニル、又は2,2′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを用い、またテト
ラカルボン酸二無水物としては下記構造式(化8)又は
(化9):
−ジアミノビフェニル、4,4′′−ジアミノ−p−テ
ルフェニル、又は2,2′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを用い、またテト
ラカルボン酸二無水物としては下記構造式(化8)又は
(化9):
【0017】
【化8】
【0018】
【化9】
【0019】で表されるトリフルオロメチルピロメリッ
ト酸二無水物、又は1,4−ジ(トリフルオロメチル)
ピロメリット酸二無水物を用いて製造できる。
ト酸二無水物、又は1,4−ジ(トリフルオロメチル)
ピロメリット酸二無水物を用いて製造できる。
【0020】ここで2,2′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルの製造方法は、例
えば日本化学会誌、第3号、第675〜676頁(19
72)に記載されている。また、ピロメリット酸のベン
ゼン環にフルオロアルキル基を導入した含フッ素酸二無
水物であるトリフルオロメチルピロメリット酸二無水
物、1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸
二無水物の製造方法は特願昭63−165056号明細
書に記載されている。これらのジアミンとテトラカルボ
ン酸二無水物を反応させることによりポリアミック酸を
製造する。反応条件は通常のポリアミック酸の重合条件
と同じでよく、一般的にはN−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。次に
得られたポリアミック酸のイミド化によるポリイミドの
合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使用
できる。これらのジアミンとテトラカルボン酸二無水物
を反応させて得られる含フッ素ポリイミドは低熱膨張性
を示すためにプリント板やLSIの層間絶縁膜等の電子
部品用材料やシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作製
される光部品用材料として非常に優れている。また、こ
れらの含フッ素ポリイミドはフッ素を含むために低誘電
率を示すことからも、電子部品用絶縁材料として好適で
ある。
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルの製造方法は、例
えば日本化学会誌、第3号、第675〜676頁(19
72)に記載されている。また、ピロメリット酸のベン
ゼン環にフルオロアルキル基を導入した含フッ素酸二無
水物であるトリフルオロメチルピロメリット酸二無水
物、1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸
二無水物の製造方法は特願昭63−165056号明細
書に記載されている。これらのジアミンとテトラカルボ
ン酸二無水物を反応させることによりポリアミック酸を
製造する。反応条件は通常のポリアミック酸の重合条件
と同じでよく、一般的にはN−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。次に
得られたポリアミック酸のイミド化によるポリイミドの
合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使用
できる。これらのジアミンとテトラカルボン酸二無水物
を反応させて得られる含フッ素ポリイミドは低熱膨張性
を示すためにプリント板やLSIの層間絶縁膜等の電子
部品用材料やシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作製
される光部品用材料として非常に優れている。また、こ
れらの含フッ素ポリイミドはフッ素を含むために低誘電
率を示すことからも、電子部品用絶縁材料として好適で
ある。
【0021】更に本発明の含フッ素ポリイミド光学材料
に用いる含フッ素ポリイミドは、特公平2−14365
号公報の含フッ素ポリイミドの製造方法により製造した
ポリイミドの特性として記載されている優れた耐湿性と
耐熱性を有していることに加えて、電子部品用材料やシ
リコン基板等の低熱膨張率基板上に作製される光部品用
材料として要求される低熱膨張性、低誘電性、及び低屈
折率性を有し、また特開昭60−221427号公報の
複合体、特開昭61−60725号公報の低熱膨張樹脂
材料、特開昭61−176196号公報のモジュール用
配線基板、及び特開昭62−280257号公報の低粘
度ワニスに用いられるポリイミドとして記載されている
低熱膨張性に加えて、低誘電性、及び低屈折率性を有し
ている。
に用いる含フッ素ポリイミドは、特公平2−14365
号公報の含フッ素ポリイミドの製造方法により製造した
ポリイミドの特性として記載されている優れた耐湿性と
耐熱性を有していることに加えて、電子部品用材料やシ
リコン基板等の低熱膨張率基板上に作製される光部品用
材料として要求される低熱膨張性、低誘電性、及び低屈
折率性を有し、また特開昭60−221427号公報の
複合体、特開昭61−60725号公報の低熱膨張樹脂
材料、特開昭61−176196号公報のモジュール用
配線基板、及び特開昭62−280257号公報の低粘
度ワニスに用いられるポリイミドとして記載されている
低熱膨張性に加えて、低誘電性、及び低屈折率性を有し
ている。
【0022】また、本発明の低誘電率及び低屈折率を有
する含フッ素ポリイミド光学材料である含フッ素ポリイ
ミドは、特公平2−14365号公報に記載の含フッ素
ポリイミドの製造方法により製造できる一連の含フッ素
ポリイミドや特開昭61−176196号公報、及び特
開昭62−280257号公報記載のモジュール用配線
基板、及び低粘度ワニスに用いられる具体的に記載され
たポリイミドとは異なり、特にフィルム成形性に優れ、
機械的強度が大きいために実用的な光学材料としても優
れている。例えば特公平2−14365号公報には、下
記の分子構造式(化10):
する含フッ素ポリイミド光学材料である含フッ素ポリイ
ミドは、特公平2−14365号公報に記載の含フッ素
ポリイミドの製造方法により製造できる一連の含フッ素
ポリイミドや特開昭61−176196号公報、及び特
開昭62−280257号公報記載のモジュール用配線
基板、及び低粘度ワニスに用いられる具体的に記載され
たポリイミドとは異なり、特にフィルム成形性に優れ、
機械的強度が大きいために実用的な光学材料としても優
れている。例えば特公平2−14365号公報には、下
記の分子構造式(化10):
【0023】
【化10】
【0024】を有する3,3′−ビス(トリフルオロメ
チル)−4,4′−ジアミノビフェニルから製造される
含フッ素ポリイミドが本発明の低誘電率及び低屈折率を
有する含フッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポ
リイミドと同様に耐湿性、耐熱
チル)−4,4′−ジアミノビフェニルから製造される
含フッ素ポリイミドが本発明の低誘電率及び低屈折率を
有する含フッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポ
リイミドと同様に耐湿性、耐熱
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明の含フッ素ポリイ
ミド低熱膨張材料について更に具体的に説明する。イミ
ド化の確認は赤外吸収スペクトルにおけるカルボニル基
の対称及び非対称伸縮振動による特性吸収から行った。
また、下記各例中、熱膨張率は下記の条件で熱処理した
フィルムを熱機械試験機に取付けて5℃/分の昇温速度
で求めた。誘電率は1kHzでの値であり、屈折率はナ
トリウムD線の波長(589.3nm)での値(20
℃)である。熱分解温度、ガラス転移温度は窒素気流下
10℃/分の昇温速度で測定した。
ミド低熱膨張材料について更に具体的に説明する。イミ
ド化の確認は赤外吸収スペクトルにおけるカルボニル基
の対称及び非対称伸縮振動による特性吸収から行った。
また、下記各例中、熱膨張率は下記の条件で熱処理した
フィルムを熱機械試験機に取付けて5℃/分の昇温速度
で求めた。誘電率は1kHzでの値であり、屈折率はナ
トリウムD線の波長(589.3nm)での値(20
℃)である。熱分解温度、ガラス転移温度は窒素気流下
10℃/分の昇温速度で測定した。
【0026】実施例1 三角フラスコに既述の構造式(化8)を持つトリフルオ
ロメチルピロメリット酸二無水物5.72g(20.0
mmol)と、既述の構造式(化7)で示される2,
2′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミ
ノビフェニル6.40g(20.0mmol)、及び
N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)100gを加
えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間かくは
んし、ポリアミック酸のDMA溶液を得た。この溶液の
粘度は約80ポアズであった。このものをアルミ板上に
スピンコーティングし、窒素雰囲気下で70℃で2時
間、160℃で1時間、250℃で30分、更に350
℃で1時間で加熱キュアした。このアルミ板を10%H
Cl水溶液に浸し、アルミ板を溶解してポリイミドフィ
ルムが得られた。この赤外吸収スペクトルを測定すると
イミド基に特有の吸収が1740及び1790cm-1に
現れ、イミド化が完全に進行したことが確認できた。こ
のものの熱分解温度は584℃、熱膨張係数は2.7×
10-5(℃-1) 、誘電率は2.8、屈折率は1.49で
あった。
ロメチルピロメリット酸二無水物5.72g(20.0
mmol)と、既述の構造式(化7)で示される2,
2′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミ
ノビフェニル6.40g(20.0mmol)、及び
N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)100gを加
えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間かくは
んし、ポリアミック酸のDMA溶液を得た。この溶液の
粘度は約80ポアズであった。このものをアルミ板上に
スピンコーティングし、窒素雰囲気下で70℃で2時
間、160℃で1時間、250℃で30分、更に350
℃で1時間で加熱キュアした。このアルミ板を10%H
Cl水溶液に浸し、アルミ板を溶解してポリイミドフィ
ルムが得られた。この赤外吸収スペクトルを測定すると
イミド基に特有の吸収が1740及び1790cm-1に
現れ、イミド化が完全に進行したことが確認できた。こ
のものの熱分解温度は584℃、熱膨張係数は2.7×
10-5(℃-1) 、誘電率は2.8、屈折率は1.49で
あった。
【0027】実施例2 実施例1における2,2′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
(化5)で示される3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノビフェニル4.25g(20.0mmol)に置
き換えて、実施例1と同様に行った。合成したポリイミ
ドの特性を後記表1に他の例と共に示す。
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
(化5)で示される3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノビフェニル4.25g(20.0mmol)に置
き換えて、実施例1と同様に行った。合成したポリイミ
ドの特性を後記表1に他の例と共に示す。
【0028】実施例3 実施例1における2,2′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
(化6)で示される4,4′−ジアミノ−p−テルフェ
ニル5.21g(20.0mmol)に置き換えて、実
施例1と同様に行った。合成したポリイミドの特性を表
1に示す。
ル)−4,4′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
(化6)で示される4,4′−ジアミノ−p−テルフェ
ニル5.21g(20.0mmol)に置き換えて、実
施例1と同様に行った。合成したポリイミドの特性を表
1に示す。
【0029】実施例4 実施例1におけるピロメリット酸二無水物を既述の構造
式(化9)で示される1,4−ジ(トリフルオロメチ
ル)ピロメリット酸二無水物7.08g(20.0mm
ol)に置き換えて、実施例1と同様に行った。合成し
たポリイミドの特性を表1に示す。
式(化9)で示される1,4−ジ(トリフルオロメチ
ル)ピロメリット酸二無水物7.08g(20.0mm
ol)に置き換えて、実施例1と同様に行った。合成し
たポリイミドの特性を表1に示す。
【0030】実施例5 実施例1におけるトリフルオロメチルピロメリット酸二
無水物を1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリッ
ト酸二無水物7.08g(20.0mmol)に置き換
えて、また実施例1における2,2′−ビス(トリフル
オロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニルを3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル4.2
5g(20.0mmol)に置き換えて、実施例1と同
様に行った。合成したポリイミドの特性を表1に示す。
無水物を1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリッ
ト酸二無水物7.08g(20.0mmol)に置き換
えて、また実施例1における2,2′−ビス(トリフル
オロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニルを3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル4.2
5g(20.0mmol)に置き換えて、実施例1と同
様に行った。合成したポリイミドの特性を表1に示す。
【0031】実施例6 実施例1におけるトリフルオロメチルピロメリット酸二
無水物を、1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリ
ット酸二無水物7.08g(20.0mmol)に置き
換え、また実施例1における2,2′−ビス(トリフル
オロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニルを4,
4′−ジアミノ−p−テルフェニル5.21g(20.
0mmol)に置き換えて、実施例1と同様に行った。
合成したポリイミドの特性を表1に示す。
無水物を、1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリ
ット酸二無水物7.08g(20.0mmol)に置き
換え、また実施例1における2,2′−ビス(トリフル
オロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニルを4,
4′−ジアミノ−p−テルフェニル5.21g(20.
0mmol)に置き換えて、実施例1と同様に行った。
合成したポリイミドの特性を表1に示す。
【0032】比較例1 実施例1と同様の方法を用いて3,3′,4,4′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物と以下の構造式(化
11)で示される4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル:
フェニルテトラカルボン酸二無水物と以下の構造式(化
11)で示される4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル:
【0033】
【化11】 を等モルずつ用いて市販ポリイミド(商品名 ユービレ
ックス)と同等のポリイミドフィルムを得た。このもの
の特性を表1に示す。
ックス)と同等のポリイミドフィルムを得た。このもの
の特性を表1に示す。
【0034】比較例2 実施例1と同様の方法を用いて3,3′,4,4′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルを等モルずつ用いてポリイミ
ドフィルムを得た。このものの特性を表1に示す。
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルを等モルずつ用いてポリイミ
ドフィルムを得た。このものの特性を表1に示す。
【0035】比較例3 実施例1と同様の方法によりピロメリット酸二無水物
4.36g(20.0mmol) と既述の構造式(化1
0)で示される3,3′−ビス(トリフルオロメチル)
−4,4′−ジアミノビフェニル6.40g(20.0
mmol)を用いてポリアミック酸のDMA溶液を得
た。このものの粘度は低く、また加熱キュア後のポリイ
ミドは機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラ
ス転移温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であ
った。
4.36g(20.0mmol) と既述の構造式(化1
0)で示される3,3′−ビス(トリフルオロメチル)
−4,4′−ジアミノビフェニル6.40g(20.0
mmol)を用いてポリアミック酸のDMA溶液を得
た。このものの粘度は低く、また加熱キュア後のポリイ
ミドは機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラ
ス転移温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であ
った。
【0036】比較例4 比較例3におけるピロメリット酸二無水物を以下の構造
式(化12)で示される2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン酸二無水物:
式(化12)で示される2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン酸二無水物:
【0037】
【化12】
【0038】8.88g(20.0mmol) に置き換
えて、比較例3と同様に行った。ポリアミック酸のDM
A溶液の粘度は低く、また加熱キュア後のポリイミドは
機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラス転移
温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であった。
えて、比較例3と同様に行った。ポリアミック酸のDM
A溶液の粘度は低く、また加熱キュア後のポリイミドは
機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラス転移
温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であった。
【0039】
【表1】
【0040】これらの結果から、本発明の含フッ素ポリ
イミド光学材料は従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐
湿性、及び耐熱性に優れた含フッ素ポリイミドを用いた
材料と比較して、更に低誘電率、低屈折率という特性を
合せ持つことが明らかとなった。
イミド光学材料は従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐
湿性、及び耐熱性に優れた含フッ素ポリイミドを用いた
材料と比較して、更に低誘電率、低屈折率という特性を
合せ持つことが明らかとなった。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の低誘電率
及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド光学材料は、
従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐湿性、及び耐熱性
に優れた含フッ素ポリイミドを用いた材料と比較して、
更に低誘電率、低屈折率を合せ持つという利点があるた
め、プリント板やLSIの層間絶縁膜や低熱膨張率基板
上の光部品等への適用が可能である。
及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド光学材料は、
従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐湿性、及び耐熱性
に優れた含フッ素ポリイミドを用いた材料と比較して、
更に低誘電率、低屈折率を合せ持つという利点があるた
め、プリント板やLSIの層間絶縁膜や低熱膨張率基板
上の光部品等への適用が可能である。
フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1−116085 (32)優先日 平1(1989)5月11日 (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 西 史郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 下記一般式(化1): 【化1】 〔式中Xは水素又はトリフルオロメチル基を示し、R1
は下記の構造式(化2)〜(化4): 【化2】 【化3】 【化4】 で表される基よりなる群から選択した2価の有機基を示
す〕で表される繰り返し単位からなることを特徴とし、
低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド低熱
膨張性光学材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6390697A JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19602288 | 1988-08-08 | ||
JP63-196022 | 1988-08-08 | ||
JP7049589 | 1989-03-24 | ||
JP1-70495 | 1989-03-24 | ||
JP1-81604 | 1989-04-03 | ||
JP8160489 | 1989-04-03 | ||
JP11608589 | 1989-05-11 | ||
JP1-116085 | 1989-05-11 | ||
JP6390697A JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1201170A Division JP2657700B2 (ja) | 1988-08-08 | 1989-08-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09227679A true JPH09227679A (ja) | 1997-09-02 |
JP2998835B2 JP2998835B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=27523814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6390697A Expired - Lifetime JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2998835B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106716237A (zh) * | 2014-09-26 | 2017-05-24 | 日产化学工业株式会社 | 液晶取向处理剂、液晶取向膜和液晶表示元件 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP6390697A patent/JP2998835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106716237A (zh) * | 2014-09-26 | 2017-05-24 | 日产化学工业株式会社 | 液晶取向处理剂、液晶取向膜和液晶表示元件 |
CN106716237B (zh) * | 2014-09-26 | 2020-09-25 | 日产化学工业株式会社 | 液晶取向处理剂、液晶取向膜和液晶表示元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2998835B2 (ja) | 2000-01-17 |
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