JPH09221397A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法Info
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Abstract
単結晶を効率よく、低コストで大量に製造する。 【解決手段】(110)面方位のシリコンウエハ14の
上に化学的気相成長法により(110)面立方晶炭化珪
素単結晶層15を成長させる。フッ酸と硝酸の混液を用
いて(110)面方位のシリコンウエハ14を除去し、
(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を接着剤16
により結晶成長装置の蓋材4bに接合して(110)面
立方晶炭化珪素単結晶層15を蓋材4bに固定する。こ
の蓋材4bを単結晶成長装置に装着して昇華再結晶法に
より(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を種とし
て(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15に(112
* 0)面α型炭化珪素単結晶19を成長させる。
Description
造方法に関するものである。
用トランジスタ、高耐圧ダイオード等の高耐圧大電力用
半導体装置の半導体基板として開発されている。この炭
化珪素単結晶基板の製造方法としては、アチソン法、レ
ーリー法、昇華再結晶法(改良レーリー法)等が知られ
ている。このうち半導体基板の製造方法としては、大面
積かつ高品質の炭化珪素単結晶成長に有利な昇華再結晶
法が主に採用されている。昇華再結晶法は、特公昭63
−57400号公報に開示されているように黒鉛製ルツ
ボ内に配置された炭化珪素粉末からなる原料を加熱昇華
させ、同じく黒鉛製ルツボ内において炭化珪素粉末原料
と対向する位置に配置された炭化珪素単結晶からなる炭
化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるものであ
る。
半導体基板に適した大面積かつ多形が制御された基板と
して供給されている。さらに、この炭化珪素単結晶基板
上に必要に応じ、液相エピタキシャル法(LPE)また
は化学的気相エピタキシャル法(CVD)により、導電
型もしくはキャリア濃度が基板とは異なる炭化珪素単結
晶層を成長させ、半導体素子作製用基板が製造される。
大きさが直径1インチ強のものしか供給されておらず、
トランジスタ等の半導体装置を大量生産するためにはよ
り大口径化された炭化珪素単結晶基板が必要となる。
結晶を製造すると、マイクロパイプ欠陥と呼ばれる結晶
中を貫通する線状の欠陥が多数発生する場合がある。こ
のマイクロパイプ欠陥は導電性があり、マイクロパイプ
欠陥が生じた炭化珪素基板を用いて、例えば、縦型MO
SFETを製造した場合には、ソース・ドレイン間リー
クや、ゲート・ドレイン間リークが発生し、素子動作不
良を引き起こすことが実験により確認されている。
した昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の製造におい
て、炭化珪素単結晶基板としてアチソン炉による炭化珪
素研磨材作製工程で偶発的に得られた炭化珪素単結晶を
整形、研磨したアチソン結晶を用いる方法がある。とこ
ろが、アチソン結晶はサイズの小さいものしか得られな
いので、特開平6−48898号公報に開示されている
ようにサイズの小さい種結晶から成長を始め、繰返し成
長することにより徐々にサイズを大きくすることが行わ
れている。
れているように珪素基板上にβ型炭化珪素単結晶層をエ
ピタキシャル成長させた後、珪素基板を除去し、β型炭
化珪素単結晶層上にCVD法により大口径のα型炭化珪
素単結晶層を成長させる方法がある。
従来技術としては、特開平5−262599号公報に開
示されているように、前記した昇華再結晶法において炭
化珪素単結晶の結晶面方位を(0001)面と直交する
面、即ち、角度が90°ずれた面を利用する方法があ
る。この方法はらせん転位欠陥に起因するマイクロパイ
プ欠陥の発生を防止することができる。
た特開平6−48898号公報に記載された方法は繰返
し成長の工程が繁雑であり、コストが高くなってしま
う。又、大口径化の大きさに限界があり、現在の研究レ
ベルでも2〜3インチが限界となっている。
による方法においては、大口径の炭化珪素単結晶層は成
長できるが、CVD法によるエピタキシャル膜のため膜
厚2μm程度のものしか得られず基板として必要な厚さ
である300μm以上の炭化珪素単結晶の作製は困難で
ある。
報に記載された方法は、種結晶である炭化珪素単結晶の
面方位が(0001)面に対して直角方向のものが必要
となる。一方、上述した種結晶として利用されているア
チソン結晶は(0001)面を持つ板状結晶であるた
め、(0001)面に対して直角方向の面を得るために
整形すると非常に小さいものとなってしまう。したがっ
て、この方法は大口径かつマイクロパイプ欠陥の無い炭
化珪素単結晶を成長するのに好適しない。
ような課題に着目してなされたものであり、その目的と
するところは、マイクロパイプ欠陥の発生を防止し、大
口径の炭化珪素単結晶を効率よく、低コストで大量に製
造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供す
ることにある。
よれば、第1の成長工程において珪素単結晶基板の面方
位が(111)面と垂直面であり、種である立方晶炭化
珪素単結晶層の面方位が(111)面と垂直面となるた
め、第2の成長工程におけるα型炭化珪素単結晶の成長
面方位が(0001)面と垂直となり、マイクロパイプ
欠陥の無いα型炭化珪素単結晶が得られる。
1の成長工程において珪素単結晶基板の面方位が(11
0)面または(211)面であり、立方晶炭化珪素単結
晶層の面方位が(110)面または(211)面となる
ため、第2の成長工程におけるα型炭化珪素単結晶の成
長面方位が(1120)面または(1100)面とな
り、マイクロパイプ欠陥の無いα型炭化珪素単結晶が得
られる。
1の成長工程において珪素単結晶基板の面方位が(11
1)面と70〜110度の角度をなす面であり、立方晶
炭化珪素単結晶層の面方位が(111)面と70〜11
0度の角度をなす面となるため、第2の成長工程におけ
るα型炭化珪素単結晶の成長面方位が(0001)面と
70〜110度の角度をなす面となり、マイクロパイプ
欠陥の無いα型炭化珪素単結晶が得られる。
1の成長工程において珪素単結晶基板の面方位が(11
0)面または(211)面と−20〜20度の角度をな
す面であり、立方晶炭化珪素単結晶層の面方位が(11
0)面または(211)面と−20〜20度の角度をな
す面となり、マイクロパイプ欠陥の無いα型炭化珪素単
結晶が得られる。
長工程において炭化珪素原料粉末温度が2300〜23
50℃、立方晶炭化珪素単結晶層の温度が2000〜2
300℃であるため、α型炭化珪素単結晶に適した成長
条件となっている。
長工程においてα型炭化珪素単結晶の成長速度が0.2
mm/hr以下となることにより高品位に多結晶化せず
にα型炭化珪素単結晶が成長する。
長工程において成長速度が0.2mm/hr以下でα型
炭化珪素単結晶を成長させた後、成長速度が0.2〜2
mm/hrである工程が連続的に実施され、高品位かつ
成長厚さの大きいα型炭化珪素単結晶が生産性良く成長
できる。
長工程において不活性ガスの圧力が0.1〜100To
rrであるため、α型炭化珪素単結晶成長に適した成長
条件となっている。
長工程において立方晶炭化珪素単結晶層の近傍に珪素が
配置されるので、高品位のα型炭化珪素単結晶が成長で
きる。
を参照して詳細に説明する。本実施の形態において用い
られる単結晶成長装置20を図1に示す。この単結晶成
長装置20は、昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を形
成できるものである。
には基台2が設けられ、この基台2の上には断熱材3に
覆われた黒鉛製ルツボ4が載置されている。黒鉛製ルツ
ボ4は、上面が開口するルツボ本体4aと、ルツボ本体
4aの開口部を塞ぐ蓋材4bとからなる。蓋材4bは、
種結晶である(110)面立方晶炭化珪素単結晶層を支
持する台座となる。又ルツボ本体4aの開口部よりルツ
ボ内部側には周辺部に穴をもった黒鉛製支持板が載置さ
れている。又、断熱材3は、黒鉛製ルツボ4の底面およ
び側面を覆う本体部3aと、黒鉛製ルツボ4の上部を覆
う断熱材3bとからなる。
プ7が接続されている。又、排気管6には排気弁8が設
けられている。そして、真空ポンプ7により真空容器1
内を排気できるようになっている。さらに、真空容器1
には不活性ガス導入管9が設けられ、この不活性ガス導
入管9を通して不活性ガスであるアルゴンガスを真空容
器1に導入できるようになっている。
は誘導コイル10が配置され、この誘導コイル10に対
し高周波電源から電力を供給することにより黒鉛製ルツ
ボ4を誘導加熱できるようになっている。
抗加熱ヒータ11が配置され、電極12を介して電源ケ
ーブル、電源(図示せず)と接続されている。抵抗加熱
ヒータ11に対し電源から電力を供給することにより蓋
材4bに固定された種結晶である(110)面立方晶炭
化珪素単結晶層15の温度を調節できるようになってい
る。
部および断熱材3bには温度測定穴13が設けられ、こ
の温度測定穴13を通して黒鉛製ルツボ4の底部および
抵抗加熱ヒータ11の光を取り出して光放射温度計にて
黒鉛製ルツボ4および抵抗加熱ヒータ11の温度を測定
できるようになっている。
説明する。まず、その概略を説明する。図2(A)に示
すように、(111)面に垂直な面として、(110)
面方位のシリコンウエハ14の上に化学的気相成長法に
より(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を成長さ
せる。次に図2(B)に示すように、フッ酸と硝酸の混
液を用いて(110)面方位のシリコンウエハ14を除
去し、図2(C)に示すように、(110)面立方晶炭
化珪素単結晶層15を接着剤16により結晶成長装置の
蓋材4bに接合して(110)、面立方晶炭化珪素単結
晶層15を蓋材4bに固定する。次に、この蓋材4bを
単結晶成長装置に装着して昇華再結晶法により(11
0)面立方晶炭化珪素単結晶層15を種として(11
0)面立方晶炭化珪素単結晶層15に(112* 0)面
α型炭化珪素単結晶19を成長させる(図2(D))。
ここで、2* は2の上に横バーを付加したものを表すも
のとする。
る。まず、図2(A)に示すように、立方晶型結晶であ
る珪素単結晶基板としての(110)面方位を基板表面
とする直径4インチのシリコンウエハ14を用意し、そ
の上に種結晶となる、表面が(110)面方位である立
方晶炭化珪素単結晶層15を化学的気相エピタキシャル
成長法(CVD)により成長させる。成長にあたって
は、メタンなどの炭素供給用原料ガスおよびシランなど
の珪素供給用原料ガスの化学反応による化学的気相成長
法を用いる。図3に立方晶型結晶の(110)面を示
す。その後、図2(B)に示すように、フッ酸と硝酸の
混酸中に浸し、シリコンウエハ14を溶解して除去す
る。
学的方法にてシリコンウエハ14が除去される。ここ
で、シリコンウエハ14(珪素単結晶)を除去する方法
として、フッ酸と硝酸の混液を用いたが、機械的研磨に
よる方法でもよい。
を結晶成長装置20から取り外し、図2(C)に示すよ
うに、シリコンウエハ14の除去により露出した(11
0)面立方晶炭化珪素単結晶層15の表面を黒鉛製ルツ
ボの蓋材4bに接合剤としての接着剤16で接合して、
(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を黒鉛製ルツ
ボの蓋材4bに固定する。
露出した(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15の表
面を黒鉛製ルツボの蓋材4bに接着剤16で接合する代
わりに、接着剤を用いないで直接接合により固定しても
よい。
の蓋材4bを結晶成長装置20に装着する。このように
して、(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15が黒鉛
製ルツボの蓋材4bの下面に配置される。
化珪素原料粉末17が100g充填されている。炭化珪
素原料粉末17は、研磨材として市販されている平均粒
径500μmのものを予め真空中で1800〜2000
℃で熱処理して使用している。
して真空ポンプ7により真空容器1内を排気する。この
ときの真空度は10-3〜10-4Torrとする。さら
に、誘導コイル10に高周波電源より電力を供給して黒
鉛製ルツボ4を誘導加熱する。温度は温度測定穴13を
通して黒鉛製ルツボ4の底を光放射温度計により測定す
る。温度を監視ながら1200℃まで温度を上昇した
後、不活性ガス導入管9よりアルゴンガスを導入して真
空容器1内の圧力を500Torrにする。
再び温度を上昇させて黒鉛製ルツボ4の温度を2300
〜2350℃にして炭化珪素原料粉末17の昇華温度に
する。このときの(110)面立方晶炭化珪素単結晶層
15の温度は、温度測定穴13を通して抵抗加熱ヒータ
11を光放射温度計により監視しながら黒鉛製ルツボ4
の温度すなわち炭化珪素原料粉末17の温度より120
℃だけ低くなるように供給電力を調整して2210℃と
する。そして、炭化珪素原料粉末17と(110)面立
方晶炭化珪素単結晶層15の温度が安定した後、真空ポ
ンプにより真空容器1を減圧する。減圧とともに炭化珪
素原料粉末17から昇華が始まり結晶成長が開始され
る。この際、1Torrまで減圧して成長圧力とする。
又、結晶成長中はアルゴンガスを10リットル/min
流し、排気弁8の開度を調整しながら真空ポンプ7によ
り圧力を制御する。
種結晶である炭化珪素単結晶層15との温度差を駆動力
として(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15まで到
達して、結晶成長が進行する。1時間の成長圧力維持の
後、抵抗加熱ヒータ11に供給される電力を調整して
(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15の温度を上昇
させ2250℃として5時間維持する。(110)面立
方晶炭化珪素単結晶層15の温度を変えることにより成
長速度が変わることが予備実験によりわかっており、本
実施形態では2210℃のときは0.16mm/hr、
2250℃のときは0.4mm/hrとなる。
開始から1時間は(110)面立方晶炭化珪素単結晶層
15の種結晶上に核が多数発生することを防止されて平
坦な成長面となり、単結晶が成長する。このとき初期成
長速度が0.2mm/hr以上であると多結晶となって
しまうので、0.2mm/hr以下の成長速度を用い
る。成長開始から1時間の成長により単結晶成長させた
後は成長速度を大きくしても良好な単結晶成長ができ
る。すなわち、(110)面立方晶炭化珪素単結晶層1
5の温度を2250℃に上昇させ、成長速度を0.4m
m/hrにすると成長厚さの大きい炭化珪素単結晶が得
られる。5時間の成長の後、アルゴンガスを真空容器1
に導入するとともに誘導コイル10および抵抗加熱ヒー
タ11への電力供給を停止し、温度を下げて成長終了と
する。
晶である(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15上に
(112* 0)面α型炭化珪素単結晶(炭化珪素単結晶
インゴット)19が形成される。(112* 0)面α型
炭化珪素単結晶(炭化珪素単結晶インゴット)19はそ
の厚さが2mm、直径が4インチである。図4に六方晶
型結晶の(112* 0)面を示す。
2* 0)面α型炭化珪素単結晶(炭化珪素単結晶インゴ
ット)19を黒鉛製ルツボの蓋材4bから取り外し、得
られた結晶をスライス、研磨して半導体基板とする。こ
の基板を500℃の溶解KOH中で10分間エッチング
して、エッチピット観察したところ、マイクロパイプ欠
陥の存在を示す六角形状の大エッチピットは観察されな
かった。このようにして、大口径かつマイクロパイプ欠
陥のない炭化珪素単結晶インゴットが得られる。
により結晶面方位、結晶構造(多形)を判定した結果、
6H型の(112* 0)面方位をもつものであることが
確認された。つまり、黒鉛製ルツボ4内において炭化珪
素原料粉末17を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、
原料よりやや低温になっている(110)面立方晶炭化
珪素単結晶層15の表面側に炭化珪素単結晶を成長させ
る昇華再結晶法にて(112* 0)面α型炭化珪素単結
晶(炭化珪素単結晶インゴット)19が得られる。この
基板を用いて、大電力用の縦型MOSFET、pnダイ
オード、ショットキーダイオード等の半導体装置が作製
される。
* 0)面α型(6H型)炭化珪素単結晶19と同じ原子
配列をもつ(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を
種結晶として用いたので、結晶欠陥のない(112*
0)面α型(6H型)炭化珪素単結晶19が成長でき
る。(112* 0)面成長ではらせん転位が存在せず、
らせん転位に起因するマイクロパイプが発生しない。
末17の温度が2330℃、種結晶である(110)面
立方晶炭化珪素単結晶層15の温度が2210〜225
0℃、不活性ガスの圧力が1Torrとすることで、α
型(6H型)の炭化珪素単結晶19が成長する。さら
に、昇華再結晶法におけるα型(6H型)の炭化珪素単
結晶19の成長速度を0.16mm/hrとすると、立
方晶炭化珪素単結晶層15上に結晶構造の異なるα型
(6H型)の炭化珪素単結晶19が多結晶化せずに高品
位に成長できる。又、成長速度を0.16mm/hr以
下で初期成長させた後、成長速度を0.4mm/hrに
増加して連続的に成長させることにより、高品位を保っ
たまま短時間に成長厚さの大きいα型(6H型)の炭化
珪素単結晶19が成長できる。また、種結晶である(1
10)面立方晶炭化珪素単結晶層15の近傍に珪素18
(図1参照)を配置することにより、初期成長における
(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15の表面の炭化
を防止して高品位の(112*0)α型(6H型)炭化
珪素単結晶19が成長できる。
0)面立方晶炭化珪素単結晶層15は下地のシリコンウ
エハ14と同一の口径をもつこととなり、今日シリコン
ウエハ14は8〜10インチのものまで容易に入手でき
る技術水準にあるので、8〜10インチの(112*
0)面α型(6H型)炭化珪素単結晶19が得られる。
従って、大口径かつ高品位の(112* 0)面α型(6
H型)炭化珪素単結晶を効率よく、低コストで大量に製
造することができる。
12* 0)面α型(6H型)炭化珪素単結晶19を成長
させたので、(112* 0)面α型(6H型)炭化珪素
単結晶19の成長厚さを厚くでき基板として好ましいも
のとなる。
7の温度を2330℃としたが、2300〜2350℃
の間の任意の温度でもよい。2300℃より低い温度で
あると原料からの昇華量が少なく成長速度が小さくな
り、生産性が悪くなる。2350℃より高い温度である
と原料からの昇華量が多く成長速度が大きくなり、多結
晶化する。また、種結晶である(110)面立方晶炭化
珪素単結晶層15の温度は2210〜2250℃とした
が、2000〜2300℃の間の温度であってもよい。
/hrとしたが、0.2〜2mm/hrの間の任意の成
長速度でもよい。0.2mm/hr以下であると生産性
が悪く、2mm/hrより大きいと多結晶化する。
1〜100Torrでも良い。0.1Torrより低い
と原料からの昇華量が多く成長速度が大きくなり、多結
晶化する。100Torrより高いと原料からの昇華量
が少なく成長速度が小さくなり、生産性が悪くなる。
立方晶炭化珪素単結晶層15の温度により成長速度を調
整したが、炭化珪素原料粉末17の温度、成長圧力によ
っても調整できる。又、黒鉛製ルツボ4の内部構造によ
っても成長速度は変化する。
成長させたが、他のα型結晶である4H型などの結晶も
成長条件の変更により同様に成長できる。さらに、上述
した実施形態では化学的気相成長法を用いてシリコンウ
エハ14上に(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15
を形成したが、他にも、固体炭素および固体珪素あるい
は固体炭化珪素を物理的に蒸発させて成長させる分子線
エピタキシャル法を用いてもよい。又、スパッタリング
法に代表される物理的蒸着法を用いて(110)面立方
晶炭化珪素単結晶層15をシリコンウエハ14上に形成
してもよい。さらに、シリコンウエハ14の材料である
珪素単結晶表面に炭素イオンを注入した後、熱処理によ
り固相成長させて(110)面立方晶炭化珪素単結晶層
15をシリコンウエハ14上に形成してもよい。
0)面立方晶炭化珪素単結晶層15を用いたが、(11
2* 0)面α型炭化珪素単結晶と垂直な成長面が得られ
る面があれば他の面を持つ立方晶炭化珪素単結晶層を種
結晶として用いても良い。すなわち、珪素単結晶基板の
面方位が(211)面に代表される(111)面と垂直
な面であり、立方晶炭化珪素単結晶層の面方位が(21
1)面に代表される(111)面と垂直な面であっても
上述した実施形態と同様にマイクロパイプ欠陥の無いα
型炭化珪素単結晶が成長できる。
の面方位は(111)面と厳密に垂直な面方位に限定さ
れるものではなく、略(111)面と垂直な面方位であ
ればよい。すなわち、珪素単結晶基板の面方位が(11
1)面と70〜110度の角度をなす面であり、立方晶
炭化珪素単結晶層の面方位が(111)面と70〜11
0度の角度をなす面であってもよい。
の面方位は(110)面または(211)面に限定され
るものではなく、略(110)面または(211)面で
あればよい。すなわち、珪素単結晶基板の面方位が(1
10)面または(211)面と−20〜20度の角度を
なす面であり、立方晶炭化珪素単結晶層の面方位が(1
10)面または(211)面と−20〜20度の角度を
なす面であってもよい。
置の断面図である。
素単結晶の製造工程を説明するための断面図である。
る。
ボ、4b…台座としての蓋材、5…黒鉛製支持板、6…
排気管、7…真空ポンプ、8…排気弁、9…不活性ガス
導入管、10…誘導コイル、11…抵抗加熱ヒータ、1
2…電極、13…温度測定穴、14…(110)面珪素
単結晶基板、15…(110)面立方晶炭化珪素単結晶
層(種結晶)、16…接着剤、17…炭化珪素原料粉
末、18…珪素、19…(112* 0)面α型炭化珪素
単結晶インゴット、20…単結晶成長装置。
Claims (9)
- 【請求項1】 珪素単結晶基板の上に種である立方晶炭
化珪素単結晶層を成長させる第1の成長工程と、 前記珪素単結晶基板を除去する除去工程と、 黒鉛製ルツボ内において炭化珪素原料粉末を不活性ガス
の雰囲気中で加熱昇華させ、この炭化珪素原料粉末より
やや低温状態にある前記立方晶炭化珪素単結晶層上にα
型炭化珪素単結晶を成長させる第2の成長工程と、 を具備する炭化珪素単結晶の製造方法において、前述第
1の成長工程における前記珪素単結晶基板の面方位が略
(111)面と垂直な面であり、前記立方晶炭化珪素単
結晶層の面方位が略(111)面と垂直な面であること
を特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項2】 前記第1の成長工程において、前記珪素
単結晶基板の面方位が(110)面または(211)面
であり、前記立方晶炭化珪素単結晶層の面方位が(11
0)面または(211)面であることを特徴とする請求
項1記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項3】 前記第1の成長工程において、前記珪素
単結晶基板の面方位が(111)面と70〜110度の
角度をなす面であり、前記立方晶炭化珪素単結晶層の面
方位が(111)面と70〜110度の角度をなす面で
あることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素単結晶の
製造方法。 - 【請求項4】 前記第1の成長工程において、前記珪素
単結晶基板の面方位が(110)面または(211)面
と−20〜20度の角度をなす面であり、前記立方晶炭
化珪素単結晶層の面方位が(110)面または(21
1)面と−20〜20度の角度をなす面であることを特
徴とする請求項1記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項5】 前記第2の成長工程において、前記炭化
珪素原料粉末の温度が2300〜2350℃であり、前
記立方晶炭化珪素単結晶層の温度が2000〜2300
℃であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素単結
晶の製造方法。 - 【請求項6】 前記第2の成長工程において、前記α型
炭化珪素単結晶の初期成長速度が0.2mm/hr以下
であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素単結晶
の製造方法。 - 【請求項7】 前記第2の成長工程において、前記α型
炭化珪素単結晶を0.2mm/hr以下の成長速度で成
長させた後、成長速度が0.2〜2mm/hrである工
程を連続的に実施することを特徴とする請求項1記載の
炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項8】 前記第2の成長工程において、前記不活
性ガスの圧力が0.1〜100Torrであることを特
徴とする請求項1記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項9】 前記第2の成長工程において、前記立方
晶炭化珪素単結晶層の近傍に珪素を配置したことを特徴
とする請求項1記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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