JPH0922023A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁基板上に交差するように配された複数の
走査線及び信号線とこれら走査線と信号線の交差部ごと
に配されたスイッチング素子とこのスイッチング素子に
接続された画素電極とを備えたアレイ基板と、このアレ
イ基板に対向して配置される対向電極を備えた対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された
液晶とをよりなるアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、隣合う１信号線ごとに液晶に印加する表示信
号を正負反転させて駆動させる場合であっても、クロス
トークが発生することなく、良好な表示が得られるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 画素電極２８の両側辺２８ａ、２８ｂ
と、この両側辺２８ａ、２８ｂにそれぞれ隣接する信号
線２２、２２との間でそれぞれ発生する左右のカップリ
ング容量Ｃ1L、Ｃ1Rを略等しくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置
は、一般に、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介
して液晶を保持することにより構成され、このアレイ基
板上には複数の画素電極がスイッチング素子に電気的に
接続されて配されている。

【０００３】例えば、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、アレイ基板１００は、図５に示す
ように、ガラス基板上に複数本の信号線１０１と複数本
の走査線１０２とがマトリクス状に配置され、これら信
号線１０１と走査線１０２とが交差する交差部近傍のそ
れぞれにスイッチング素子として配置される薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴという。）１０３を介してＩＴＯ
(Indium Tin Oxide)からなる画素電極１０４が配されて
いる。この画素電極１０４の下方には絶縁膜を介して補
助容量線１０５が走査線１０２とほぼ平行に配されてお
り、この補助容量線１０５と画素電極１０４との間に補
助容量が形成されている。

【０００４】このアレイ基板１００では、各画素電極１
０４において、画素電極１０４に隣接する信号線１０
１、１０１と当該画素電極１０４との間隔ｄ0 、ｄ0
が、画素電極１０４の両側で等しくなるように、すなわ
ち、画素電極１０４と信号線１０１とが等間隔に配され
ている。これは、開口率をできるだけ大きくするために
画素電極１０４と信号線１０１との間隔ｄ0 をアレイ設
計の限界まで小さくしているためであり、すなわち、従
来は画素電極１０４の両側で信号線１０１、１０１との
間隔ｄ0 、ｄ0 をともに設計限界値（例えば５μｍ）と
して開口率を稼いでいる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、画素電極１
０４とこれに隣接する信号線１０１との間にはカップリ
ング容量Ｃ0 が発生する。このカップリング容量Ｃ0
は、画素電極１０４の側辺と信号線１０１とが隣接する
隣接部分において発生し、この隣接部分の長さによって
大きさが異なる。

【０００６】ここで、従来の液晶表示装置においては、
図５に示すように、画素電極１０４の左側では、信号線
１０１からドレイン電極１０６が引出されている。この
引出されたドレイン電極１０６は、信号線１０１と同様
に、隣接する画素電極１０４との間にカップリング容量
を発生させる。そのため、画素電極１０４の左側では、
このドレイン電極１０６の長さだけ、カップリング容量
Ｃ0 を発生させる隣接部分の長さが右側よりも長くな
る。これにより、画素電極１０４の左側で発生するカッ
プリング容量Ｃ0 は、右側で発生するカップリング容量
Ｃ0 よりも大きくなっている。

【０００７】このように、画素電極１０４の両側でカッ
プリング容量Ｃ0 、Ｃ0 が異なると、特に、隣合う１信
号線ごとに液晶に印加する表示信号を正負反転させるい
わゆるＶライン反転駆動の場合に問題である。それは、
Ｖライン反転駆動の場合、画素電極１０４の両側でこれ
に隣接する信号線１０１、１０１の電圧の正負が異なる
ために、保持動作中における画素電極１０４の両側で信
号線１０１、１０１の電位変化を良好に打消すことがで
きず、画素電極１０４の電位変動が大きくなるためであ
る。これにより、クロストークが発生して良好な表示が
得られないという問題がある。

【０００８】そこで、本発明は上記問題点に鑑み、Ｖラ
イン反転駆動させた場合でも、クロストークが発生せ
ず、良好な表示が得られるアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は、絶縁基板上に交差
するように配された複数の走査線及び信号線とこれら走
査線と信号線の交差部ごとに配されたスイッチング素子
と前記スイッチング素子に接続された画素電極とを備え
たアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置される
対向電極を備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対
向基板との間に保持された液晶とをよりなるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記画素電極の両
側辺と前記両側辺にそれぞれ隣接する前記信号線との間
でそれぞれ発生するカップリング容量を略等しくしたも
のである。

【００１０】請求項２のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、請求項１において、前記画素電極の第１側辺
と前記第１側辺に隣接する前記信号線との間隔と、前記
画素電極の第２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記
信号線との間隔とを相違させて、前記カップリング容量
を略等しくなるように設定したものである。

【００１１】請求項３のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、請求項１において、前記画素電極の第１側辺
に位置する前記信号線より該画素電極に向かってスイッ
チング素子が形成された液晶表示装置において、前記画
素電極と前記スイッチング素子との間で発生するカップ
リング容量と前記画素電極の第１側辺と前記第１側辺に
隣接する前記信号線との間で発生するカップリング容量
との和である第１のカップリング容量と、前記画素電極
の第２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信号線と
の間で発生する第２のカップリング容量とが略等しくな
るように、前記画素電極の第１側辺と前記第１側辺に隣
接する前記信号線との間隔と、前記画素電極の第２側辺
と前記第２側辺に隣接する他の前記信号線との間隔とを
相違させたものである。

【００１２】請求項４のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、請求項１において、前記画素電極との間で補
助容量を形成するシールド部材を前記画素電極の両側辺
に沿って延びるように設け、前記画素電極の第１側辺の
シールド部材の長さと、前記画素電極の第２側辺のシー
ルド部材の長さとを相違させて、前記カップリング容量
を略等しくなるように設定したものである。

【００１３】請求項５のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、請求項１において、前記画素電極の第１側辺
に位置する前記信号線より該画素電極に向かってスイッ
チング素子が形成された液晶表示装置において、前記画
素電極との間で補助容量を形成するシールド部材を前記
画素電極の両側辺に沿って延びるように設け、前記画素
電極と前記スイッチング素子との間で発生するカップリ
ング容量と前記画素電極の第１側辺と前記第１側辺に隣
接する前記信号線との間で発生するカップリング容量と
の和である第１のカップリング容量と、前記画素電極の
第２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信号線との
間で発生する第２のカップリング容量とが略等しくなる
ように、前記画素電極の第１側辺の前記シールド部材の
長さと前記画素電極の第２側辺の前記シールド部材の長
さとを相違させたものである。

【００１４】

【作用】請求項１のアクティブマトリクス型液晶表示装
置では、画素電極の両側辺とその両側辺にそれぞれ隣接
する信号線との間でそれぞれ発生するカップリング容量
が略等しくなっている。そのため、Ｖライン反転駆動の
ように１の画素電極の両側に隣接する２本の信号線にか
けられる電圧の極性が基準電圧に対して異なる場合であ
っても、画素電極の保持動作中における信号線電位変化
を画素電極の両側で良好に打消して、該電位変化に伴な
う画素電位変動を抑制することができる。

【００１５】請求項２のアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、例えば、画素電極の左側辺とこの左側辺に
隣接する信号線との間隔と、画素電極の右側辺とこの右
側辺に隣接する信号線との間隔とを相違させて、左右の
カップリング容量が略等しくなるように設定している。
この画素電極の両側辺における信号線との間隔が等しい
と、スイッチング素子などの影響によって、上記左右の
カップリング容量が等しくならない。そのため、上記左
右側辺のうち一方側辺における信号線との間隔を他方側
辺における間隔よりも大きくして、上記影響分だけ該一
方のカップリング容量を低減させ、上記左右のカップリ
ング容量を略等しくしている。

【００１６】請求項３のアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、例えば、画素電極の左側辺に位置する信号
線よりスイッチング素子が形成されており、このスイッ
チング素子と画素電極との間で発生するカップリング容
量を考慮して、左右のカップリング容量が略等しくなる
ように、画素電極の左右側辺の信号線との間隔を相違さ
せている。あるいは、例えば、画素電極の右側辺に位置
する信号線よりスイッチング素子が形成されており、こ
のスイッチング素子と画素電極との間で発生するカップ
リング容量を考慮して、左右のカップリング容量が略等
しくなるように、画素電極の左右側辺の信号線との間隔
を相違させている。

【００１７】請求項４のアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、画素電極の両側辺に沿って延びるように設
けられたシールド部材が画素電極との間で補助容量を形
成するので、該側辺のシールド部材が配された部分にお
いては、信号線の電位変化に伴なう画素電極の電位変動
がなく、よって信号線との間のカップリング容量を無視
できる。すなわち、このシールド部材の長さによって信
号線との間に発生するカップリング容量の大きさを調整
することができるので、例えば、シールド部材の長さを
画素電極の左右側辺で相違させて、左右のカップリング
容量が略等しくなるように設定している。このシールド
部材の長さが画素電極の両側辺で等しいと、スイッチン
グ素子などの影響によって、上記左右のカップリング容
量が等しくならない。そのため、上記左右側辺のうち一
方側辺のシールド部材の長さを他方側辺の長さよりも長
くして、上記影響分だけ該一方のカップリング容量を低
減させ、上記左右のカップリング容量を略等しくしてい
る。

【００１８】請求項５のアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、例えば、画素電極の左側辺に位置する信号
線よりスイッチング素子が形成されており、このスイッ
チング素子と画素電極との間で発生するカップリング容
量を考慮して、左右のカップリング容量が略等しくなる
ように、画素電極の左右側辺におけるシールド部材の長
さを相違させている。あるいは、例えば、画素電極の右
側辺に位置する信号線よりスイッチング素子が形成され
ており、このスイッチング素子と画素電極との間で発生
するカップリング容量を考慮して、左右のカップリング
容量が略等しくなるように、画素電極の左右側辺におけ
るシールド部材の長さを相違させている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置１０を図１、２を参
照して説明する。

【００２０】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
１０は、ノーマリーホワイト・モードの光透過型の液晶
表示装置であり、アレイ基板１２と対向基板１４との間
に配向膜１３、１５を介してツイスト・ネマチック型の
液晶１６を保持してなる液晶パネル１８により構成され
ている。

【００２１】アレイ基板１２は、ガラス基板２０上に、
６４０×３本の信号線２２と４８０本の走査線２４とが
ほぼ直交するように配されている。走査線２４は、ガラ
ス基板２０上に直接配され、一方、信号線２２は、ガラ
ス基板２０上に形成された酸化シリコンと窒化シリコン
の多層膜よりなる絶縁膜３０上に配されている。これら
信号線２２と走査線２４とが交差する交差部の近傍に
は、各交差部ごとにＴＦＴ２６を介して画素電極２８が
配されている。

【００２２】ＴＦＴ２６は、走査線２４自体をゲート電
極とし、この上に絶縁膜３０が配され、この絶縁膜３０
上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜が半導体膜３２として配され、さら
に、この半導体膜３２上に窒化シリコンよりなるチャン
ネル保護膜３４が配されている。そして、半導体膜３２
は、ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜よりなる低抵抗半導体膜３６
およびソース電極３８を介して絶縁膜３０上に配された
画素電極２８に電気的に接続されている。また、半導体
膜３２は、低抵抗半導体膜３６および信号線２２から延
在されたドレイン電極４０を介して信号線２２に電気的
に接続されている。

【００２３】さて、画素電極２８の構成を図１上で説明
する。この画素電極２８は、略長方形状を有し、図中、
左右に配された長辺側にて信号線２２、２２と隣接し、
上下に配された短辺側にて走査線２４、２４と隣接し
て、これら２本の信号線２２、２２と２本の走査線２
４、２４とにより四方を取囲まれている。そして、その
上辺部において左側の信号線２２とＴＦＴ２６を介して
接続されており、また、下辺部には、次段の画素電極２
８のＴＦＴ２６をドレイン電極４０として延在させるた
めの切欠部４２が形成されている。

【００２４】この画素電極２８の左側辺と該左側辺に隣
接する信号線２２との間隔ｄ1Lは、画素電極２８と信号
線２２、２２との間で発生するカップリング容量Ｃ1L、
Ｃ1Rが画素電極２８の左右で等しくなるように（Ｃ1L＝
Ｃ1R）、画素電極２８の右側辺と該右側辺に隣接する信
号線２２との間隔ｄ1Rよりも大きく設定されている（ｄ
1L＞ｄ1R）。これは、画素電極２８の左側辺では、次段
のドレイン電極４０の影響によって、カップリング容量
を発生させる部分の長さが右側辺よりも長く、そのた
め、ｄ1L＝ｄ1Rでは右側辺よりもカップリング容量が大
きくなってしまうためである。このように、画素電極２
８の左右両側における信号線２２との間隔ｄ1L、ｄ1R
は、Ｃ1L＝Ｃ1Rとなるように設定されており、これによ
り、１本の信号線２２とその左右両側に隣接する２つの
画素電極２８、２８との間のカップリング容量も等しく
なっている。

【００２５】この画素電極２８の下方には、走査線２４
に対し略平行に、かつ、画素電極２８の略中央を通るよ
うに補助容量線４４が配されている。この補助容量線４
４はガラス基板２０上に直接形成されている。そして、
この補助容量線４４と画素電極２８との間には、絶縁膜
３０が介在し、補助容量Ｃｓが形成されている。補助容
量線４４は、補助容量Ｃｓを確保しつつ信号線２２との
ショートを避けるため、図１に示すように、画素電極２
８と重複する領域では太く、信号線２２と交差する領域
では細く形成されている。

【００２６】一方、対向基板１４は、透明なガラス基板
４８上に、アレイ基板１２のＴＦＴ２６や画素電極２８
間の隙間を遮光するためのクロム酸化膜よりなる遮光膜
５０と、この遮光膜５０の間に配されたカラー表示を実
現するための赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色で
構成される色部５２とを備えている。そして、その上
に、平滑化層として有機保護膜５４を介してＩＴＯから
なる対向電極５６が配されて構成されている。

【００２７】なお、以上よりなる液晶パネル１８の表裏
面には、それぞれガラス基板２０、４８の外面に偏光板
５８、６０が配されている。また、信号線２２及び走査
線２４は、それぞれ配線の片側に引出されて、液晶パネ
ル１８を駆動するための駆動回路基板（不図示）にＴＡ
Ｂ（不図示）を介して接続され、駆動電圧が供給される
ようになっている。

【００２８】以上の液晶表示装置１０であれば、画素電
極２８と信号線２２との間のカップリング容量Ｃ1L、Ｃ
1Rが、画素電極２８の左右両側で等しいため、Ｖライン
反転駆動させた場合であっても、電荷が保持された画素
電極２８の両側で信号線２２、２２の電位変化が良好に
打消されて、この電位変化に伴なう画素電極２８の電位
変動を抑制することができる。よって、クロストークや
焼き付きなどのない良好な表示即ち画像を得ることがで
きる。

【００２９】また、画素電極２８の両側でカップリング
容量Ｃ1L、Ｃ1Rが等しいため、液晶１６に不所望な直流
成分の印加がなく、よって耐久性が向上して、長時間の
使用に対しても画像劣化が起りにくい。これは、上記の
Ｖライン反転駆動の場合に限らず、例えば、隣合う１走
査線もしくは数走査線ごとに液晶１６に印加する表示信
号を基準電位に対して正負反転させるいわゆるＨライン
反転駆動の場合更にはＶライン反転駆動とＨライン反転
駆動とを組合せたＨＶ反転駆動においても得られる効果
である。

【００３０】つぎに、本発明の他の実施例に係るアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置７０について、図３、４
を参照して説明する。

【００３１】この液晶表示装置７０は、上述した液晶表
示装置１０とは、画素電極２８の信号線２２に対する配
置及び補助容量線４４の形状が相違する。以下、この相
違点についてのみ説明する。

【００３２】この装置７０のアレイ基板１２では、各画
素電極２８において、画素電極２８の左右両側辺２８
ａ、２８ｂと、該両側辺２８ａ、２８ｂにそれぞれ隣接
する信号線２２、２２との間隔ｄ2L、ｄ2Rが、画素電極
２８の両側で等しくなるように（ｄ2L＝ｄ2R）、すなわ
ち、画素電極２８と信号線２２とが等間隔に配されてい
る。

【００３３】補助容量線４４は、隣合う２本の走査線２
４、２４の間に略等間隔に、かつ、それらに平行に配さ
れた細長い帯状の配線部７２と、この配線部７２の上下
両側辺から該配線部７２と直交するように延設された帯
状の延設部７４とよりなり、これらと画素電極２８との
間には補助容量Ｃｓが形成されている。この延設部７４
は、画素電極２８の左右の側辺２８ａ、２８ｂに沿って
形成されており、この側辺２８ａ、２８ｂより内方の画
素電極２８の縁部の領域を遮蔽するとともに、該側辺２
８ａ、２８ｂより外方の信号線２２と画素電極２８の間
の領域を部分的に遮蔽するような適度な幅を有してい
る。また、この延設部７４は、画素電極２８の左側辺２
８ａの延設部７４ａが右側辺２８ｂの延設部７４ｂより
も配線部７２の上下両側でそれぞれｋだけ長くなるよう
に設定されている。この長さの差２ｋは、画素電極２８
の左右で画素電極２８と信号線２２とのカップリング容
量Ｃ2L、Ｃ2Rが等しくなるように（Ｃ2L＝Ｃ2R）設定さ
れている。

【００３４】この液晶表示装置７０であれば、信号線２
２に隣接する画素電極２８の両側辺２８ａ、２８ｂに沿
って定電位の補助容量線４４の延設部７４が延在してい
るので、この延在した部分においては、信号線２２の電
位変化に伴なう画素電極２８の電位変動をなくすことが
でき、よって信号線２２との間のカップリング容量を無
視できる。そのため、この延設部７４の長さによって信
号線２２との間に発生するカップリング容量の大きさを
調整することができる。本装置７０においては、次段の
ドレイン電極４０の影響による画素電極２８の左側にお
けるカップリング容量の増加分を、左側の延設部７４ａ
を右側の延設部７４ｂよりも２ｋ長くすることによっ
て、Ｃ2L＝Ｃ2Rなる関係を維持している。

【００３５】また、本装置７０においては、上記のよう
に、補助容量線４４の延設部７４が信号線２２の電位変
化の影響を遮蔽するので、この延設部７４のシールド効
果によって画素電極２８の両側におけるカップリング容
量Ｃ2L、Ｃ2Rの絶対値を小さくすることができる。

【００３６】以上より、本装置７０であれば、Ｖライン
反転駆動させた場合における画素電極２８の電位変動の
抑制効果に優れ、よって、クロストークや焼き付きなど
のない良好な表示を得ることができる。また、Ｈライン
反転駆動などの様々な駆動方法において、液晶の耐久性
が向上し、長時間の使用に対する画像劣化を防ぐことが
できる。

【００３７】さらに、補助容量線４４の延設部７４によ
って上記Ｃ2L＝Ｃ2Rなる関係を持たせているので、画素
電極２８と信号線２２との間隔ｄ2L、ｄ2Rを設計限界ま
で小さくすることができ、また、この延設部７４が配さ
れた領域は、対向基板１４の遮光膜５０によって遮光さ
れる領域であるため、補助容量線４４による開口率の低
下を低減することができる。よって、本装置７０であれ
ば開口率が高い。

【００３８】なお、本実施例において、補助容量線４４
の延設部７４の長さは、できるだけ長く延設した方が上
記カップリング容量Ｃ2L、Ｃ2Rの絶対値をより低減する
ことができるので好ましいが、あまり長くしすぎると走
査線２４とショートしやすく歩留が悪化してしまうた
め、その点を考慮して長さを設定する必要がある。

【００３９】また、本実施例おいては、走査線２４とは
独立した補助容量線４４によって、画素電極２８の両側
辺部をシールドするシールド部材を形成せしめたが、こ
のようなシールド部材は、走査線２４から延設させて形
成することもできる。

【００４０】また、この実施例においては、画素電極２
８と信号線２２との間隔ｄ2L、ｄ2Rを等間隔に設定した
が、先の実施例のように画素電極２８の両側の間隔を相
違させることもできる。ただし、その場合においても画
素電極２８の左右のカップリング容量Ｃ2L、Ｃ2Rが略等
しくなるように設定しておく必要がある。また、画素電
極２８の両側の間隔をかえる場合には、左右の延設部７
４ａ、７４ｂの長さが等しい補助容量線４４を配するこ
ともできる。この場合には、画素電極２８の両側のカッ
プリング容量は画素電極２８の配置構成によって等しく
なるように設定すればよく、この場合、カップリング容
量の絶対値が延設部７４によって低減されるという効果
がある。

【００４１】上述した実施例では、いずれも画素電極２
８と信号線２２とが正の間隔を持って配置される場合を
示したが、これは負の間隔、換言すれば画素電極２８と
信号線２２とが一部重複するような位置関係にある場合
でもかまわない。

【００４２】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置であると、画素電極と隣接するそれぞれの信号線
との間で生じるカップリング容量が略等しいため、例え
ばＶライン反転駆動させる場合においても、画素電極の
保持動作中における信号線電位変化に伴なう画素電位変
動を抑制することができ、よって、クロストークや焼き
付きなどのない良好な表示を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置１０のアレイ基板１２の一部概略平面図
である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置１０の断面図である。

【図３】本発明の他の実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置７０のアレイ基板１２の一部概略平面
図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿って切断したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置７０の要部断面図である。

【図５】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
アレイ基板１００の一部概略平面図である。

【符号の説明】

１０、７０……液晶表示装置 １２……アレイ基板 １４……対向基板 ２２……信号線 ２４……走査線 ２６……ＴＦＴ ２８……画素電極 ２８ａ、２８ｂ……信号線２２と隣接する画素電極２８
の側辺 ４４……補助容量線 ７４……補助容量線４４の延設部 ｄ1L,R、ｄ2L,R……画素電極２８と信号線２２との間隔 Ｃ1L,R、Ｃ2L,R……画素電極２８と信号線２２とのカッ
プリング容量

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に交差するように配された複
   数の走査線及び信号線とこれら走査線と信号線の交差部
   ごとに配されたスイッチング素子と前記スイッチング素
   子に接続された画素電極とを備えたアレイ基板と、前記
   アレイ基板に対向して配置される対向電極を備えた対向
   基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持さ
   れた液晶とをよりなるアクティブマトリクス型液晶表示
   装置において、 前記画素電極の両側辺と前記両側辺にそれぞれ隣接する
   前記信号線との間でそれぞれ発生するカップリング容量
   を略等しくしたことを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記画素電極の第１側辺と前記第１側辺
   に隣接する前記信号線との間隔と、前記画素電極の第２
   側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信号線との間隔
   とを相違させて、前記カップリング容量を略等しくなる
   ように設定したことを特徴とする請求項１に記載のアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記画素電極の第１側辺に位置する前記
   信号線より該画素電極に向かってスイッチング素子が形
   成された液晶表示装置において、 前記画素電極と前記スイッチング素子との間で発生する
   カップリング容量と前記画素電極の第１側辺と前記第１
   側辺に隣接する前記信号線との間で発生するカップリン
   グ容量との和である第１のカップリング容量と、前記画
   素電極の第２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信
   号線との間で発生する第２のカップリング容量とが略等
   しくなるように、前記画素電極の第１側辺と前記第１側
   辺に隣接する前記信号線との間隔と、前記画素電極の第
   ２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信号線との間
   隔とを相違させたことを特徴とする請求項１に記載のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記画素電極との間で補助容量を形成す
   るシールド部材を前記画素電極の両側辺に沿って延びる
   ように設け、 前記画素電極の第１側辺のシールド部材の長さと、前記
   画素電極の第２側辺のシールド部材の長さとを相違させ
   て、前記カップリング容量を略等しくなるように設定し
   たことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記画素電極の第１側辺に位置する前記
   信号線より該画素電極に向かってスイッチング素子が形
   成された液晶表示装置において、 前記画素電極との間で補助容量を形成するシールド部材
   を前記画素電極の両側辺に沿って延びるように設け、 前記画素電極と前記スイッチング素子との間で発生する
   カップリング容量と前記画素電極の第１側辺と前記第１
   側辺に隣接する前記信号線との間で発生するカップリン
   グ容量との和である第１のカップリング容量と、前記画
   素電極の第２側辺と前記第２側辺に隣接する他の前記信
   号線との間で発生する第２のカップリング容量とが略等
   しくなるように、前記画素電極の第１側辺の前記シール
   ド部材の長さと前記画素電極の第２側辺の前記シールド
   部材の長さとを相違させたことを特徴とする請求項１に
   記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。